KR102587875B1 - Oled용 발광 제어 드라이버 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 턴-오프된 TFT의 누설 전류를 방지하여 안정된 출력을 얻을 수 있는 발광 제어 드라이버에 관한 것으로, Q 조절 신호에 따라 Q 세트 전압을 Q노드에 공급하는 적어도 하나의 Q 세트부와, QB 조절 신호에 따라 QB 세트 전압을 QB 노드에 공급하는 적어도 하나의 QB 조절부와, 상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 제 1 고전위 전압을 출력단으로 출력하는 풀-업 수위칭소자와, 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 저전위 전압을 출력단으로 출력하는 풀-다운 스위칭소자와, 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 상기 Q 노드에 제 1 방전용 전압을 공급하여 상기 Q 노드를 방전시키는 Q 클리어부를 구비하고, 상기 Q 클리어부는 상기 Q 노드와 상기 제 1 방전용 전압단 사이에 직렬 연결되어 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 상기 Q 노드에 상기 제 1 방전용 전압을 공급하는 제1 및 제2 클리어 스위칭소자와, 외부의 제어신호에 따라 옵셋 전압을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자의 연결 노드에 공급하는 제3 클리어 스위칭소자를 구비하여 구성된 것이다.

Description

OLED용 발광 제어 드라이버{emitting control driver for OLED}
본 발명은 OLED용 발광 제어(EM) 드라이버에 관한 것으로, 특히 누설 전류를 방지하여 정상적인 출력 신호를 출력할 수 있는 OLED용 발광 제어 드라이버에 관한 것이다.
최근 표시 장치로 각광 받고 있는 평판 표시 장치로는 액정을 이용한 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; 이하 LCD), 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED)를 이용한 OLED 표시 장치, 전기영동 입자를 이용한 전기영동 표시 장치(ElecToPhoretic Display; EPD) 등이 대표적이다.
이들 중 OLED 표시 장치의 픽셀 어레이를 구성하는 다수의 픽셀 또는 서브픽셀 각각은 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층으로 구성된 OLED 소자와, OLED 소자를 독립적으로 구동하는 픽셀 회로를 구비한다. 픽셀 회로는 데이터 전압을 스위칭하여 스토리지 커패시터에 데이터 전압에 상응하는 전압이 충전되게 하는 스위칭 박막 스위칭소자(Thin Film Tansistor; 이하 TFT)와, 스토리지 커패시터에 충전된 전압에 따라 전류를 제어하여 OLED 소자로 공급하는 구동 TFT 등을 포함하고, 상기 구동 TFT를 통해 OLED 소자로 흐르는 전류를 스위칭하여 OLED 소자의 발광 기간을 조절하는 발광 제어 TFT를 추가로 포함할 수 있다.
OLED는 표시 장치는 스위칭 TFT와 접속된 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버와, 발광 제어 TFT에 접속된 발광 제어 라인을 구동하는 발광 제어 드라이버를 구비하며, 이들은 픽셀들의 TFT 어레이와 함께 형성되어 표시 패널에 내장될 수 있다. 게이트 드라이버와 발광 제어 드라이버는 각각 출력을 순차적으로 발생하는 쉬프트 레지스터를 기본 구성으로 포함한다.
쉬프트 레지스터는 서로 종속적으로 연결된 다수의 스테이지들을 구비하고, 각 스테이지는 다수의 박막 스위칭소자로 구성된다. 각 스테이지의 출력은 각 게이트 라인에 스캔 펄스로 공급됨과 아울러 다른 스테이지를 제어하는 제어 신호로 공급된다. 각 스테이지는 출력을 발생시키는 출력부와, 출력부를 제어하는 제어부로 구성되고, 제어부는 출력부의 제1 노드 전압을 반전시켜 출력부의 제2 노드로 공급하는 인버터를 포함할 수 있다. 발광 제어 드라이버의 각 스테이지는 출력부의 출력을 반전시켜 발광 제어 신호로 출력하는 인버터를 더 구비한다.
상기 발광 제어 드라이버는 내부 제어 노드의 논리 상태에 따라 입력 전압을 반전시켜 출력으로 발생시키는 다수의 TFT로 구성되며, 제어 노드의 전압이 안정적으로 유지될 때 정상적인 출력을 발생시킬 수 있다.
상기 발광 제어 드라이버는 N-타입 TFT가 적용되며, N-타입 TFT에서 게이트 전압은 소스 전극에 인가되는 저전위 전압 보다 낮아지지 않는다. 이에 따라, 게이트 전압으로 로우 전압이 인가되어 TFT가 논리적으로는 턴-오프되더라도 게이트-소스간 전압(Vgs)이 0V보다 크므로(Vgs>0V) 누설 전류가 흐르게 된다. TFT의 문턱 전압(Vth)이 네거티브로 쉬프트하는 경우 누설 전류는 더욱 커지게 되어 인버터가 정상 동작하지 않으므로 인버터는 정상적인 파형을 출력할 수 없게 된다.
예를 들면, 빛에 민감한 산화물 TFT를 이용할 때, 빛의 인가에 의해 산화물 TFT의 문턱 전압(Vth)이 네거티브로 쉬프트하는 경우, 발광 제어 드라이버의 제어 노드와 저전위 전압원 사이에 연결되어 턴-오프된 TFT의 누설 전류에 의해 제어 노드 전압이 감소함으로써 발광 제어 드라이버의 출력 파형이 왜곡되는 출력 불량이 발생하게 된다.
도 1은 종래의 발광 제어 드라이버의 구성을 나타낸 회로도이고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 제어 드라이버의 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도이다.
종래의 발광 제어 드라이버는, 도 1에 도시한 바와 같이, 4개의 스위칭소자(T1, T2, T3, T4)와, 한개의 커패시터(C1)를 구비한다.
제1 스위칭소자(T1)는 제어 신호(CON)에 응답하여 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 고전위 전압(VH)을 제어 노드(이하 Q 노드)로 공급한다. 제2 스위칭소자(T2)는 QB 조절부의 출력에 응답하여 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 Q 노드를 저전위 전압(VL)으로 방전시킨다. 제3 스위칭소자(T3)는 상기 Q 노드의 논리 상태에 응답하여 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 고전위 전압(VH)을 출력(OUT, 발광 제어 신호)으로 공급하고, 제4 스위칭소자(T4)는 상기 QB 조절부의 출력에 응답하여 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 저전위 전압(VL)을 출력(OUT)으로 공급한다.
이와 같은 종래의 발광 제어 드라이버의 동작으로 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2를 참조하면, t1 기간에 있어서, 하이 논리의 상기 QB 조절부의 출력에 응답하여 상기 제2 및 제4 스위칭소자(T2, T4)가 턴-온되고, 로우 논리의 제어 신호(CON)에 응답하여 상기 제1 스위칭소자(T1)는 턴-오프된다. 이에 따라, 상기 제2 스위칭소자(T2)를 통해 저전위 전압(VL)의 로우 논리로 방전된 상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 상기 제3 스위칭소자(T3)를 턴-오프되고, 출력(OUT)단으로 상기 제4 스위칭소자(T4)에 의해 로우 논리의 저전위 전압(VL)이 출력된다.
t2 기간에 있어서, 로우 논리의 상기 QB 조절부의 출력에 응답하여 상기 제2 및 제4 스위칭소자(T2, T4)가 턴-오프되고, 로우 논리의 상기 제어 신호(CON)에 응답하여 상기 제1 및 제3 스위칭소자(T1, T3)도 이전의 턴-오프 상태를 유지함으로써, 상기 Q 노드 및 출력(OUT)은 이전의 로우 논리 상태로 플로팅된다.
t3 기간에 있어서, 로우 논리의 상기 QB 조절부의 출력에 응답하여 상기 제2 및 제4 스위칭소자(T2, T4)가 턴-오프를 유지하고, 하이 논리의 상기 제어 신호(CON)에 응답하여 제1 스위칭소자(T1)가 턴-온되어, 상기 제1 스위칭소자(T1)를 통해 Q 노드는 고전위 전압(VH)의 하이 논리로 충전된다. 상기 하이 논리의 Q 노드에 의해 상기 제3 스위칭소자(T3)를 턴-온되고, 출력(OUT)으로 상기 제3 스위칭소자(T3)에 의해 고전위 전압(VH)의 하이 논리가 출력된다. 이때, 상기 제3 스위칭소자(T3)의 게이트-소스 사이에 접속된 커패시터(C1)의 커플링에 의해 상기 Q 노드의 전압은 출력(OUT)의 전압을 따라 부트스트랩핑된다.
t4 기간에 있어서, 로우 논리의 상기 QB 조절부의 출력에 응답하여 상기 제2 및 제4 스위칭소자(T2, T4)가 턴-오프를 유지하고, 로우 논리의 제어 신호(CON)에 응답하여, 상기 제1 스위칭소자(T1)가 턴-오프됨으로써 상기 Q 노드는 이전의 하이 논리 상태로 플로팅되므로, 상기 제3 스위칭소자(T3)는 이전의 턴-온 상태를 유지하여, 출력(OUT)은 이전의 하이 논리를 유지해야 한다.
그러나, t4 기간에서, 턴-오프된 제2 스위칭소자(T2)의 누설 전류에 의해 Q 노드의 전압이 감소하여 제3 스위칭소자(T3)를 통한 전류 공급이 중단됨으로써 출력(OUT)의 전압 변동이 생기게 될 수 있다. 상기 제2 스위칭소자(T2)의 문턱 전압(Vth)이 네거티브로 쉬프트할 수록 누설 전류가 증가하여 출력(OUT)의 전압 변동은 더욱 심해지게 된다.
도 2는 VH = 25V, VL = -5V, 제어신호(CON) 및 QB 조절부의 출력 = -5V ~ 25V, Vth = -1V의 시뮬레이션 조건으로 도 1에 도시된 발광 제어 드라이버를 구동한 결과를 나타낸 것으로, 발광 제어 드라이버의 출력(OUT)이 하이 논리를 유지해야 하는 t4 기간에서, 턴-오프된 제2 스위칭소자(T2)의 누설 전류에 의해 Q 노드 전압이 감소함으로써 인버터의 출력(OUT)도 전압이 감소하는 문제점이 있음을 알 수 있다.
이는 t4 기간에서 상기 제2 스위칭소자(T2)의 게이트에 상기 QB 조절부의 로우 논리의 출력 신호가 인가되더라도, 상기 제2 스위칭소자(T2)의 게이트에 인가되는 상기 QB 조절부의 로우 논리 전압(-5V)과, 상기 제2 스위칭소자(T2)의 소스에 인가되는 저전위 전압(-5V)이 동일하여 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth=-1V) 보다 작아지기 않기 때문에, 상기 제2 스위칭소자(T2)가 완전히 턴-오프되지 않고 누설 전류가 흐르기 때문이다.
한편, 발광 제어 드라이버에, 도 1에 도시된 바와 같이, N-타입 스위칭소자가 적용된 경우에는 문턱 전압이 네거티브 쪽으로 쉬프트되어 전술한 누설 전류 문제점이 발생하였지만, P-타입 스위칭소자가 적용된 경우에는 문턱 전압이 포지티브 쪽으로 쉬프트되어 전술한 누설 전류 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 턴-오프된 TFT의 누설 전류를 방지하여 안정된 출력을 얻을 수 있는 발광 제어 드라이버를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버는, Q 조절 신호에 따라 Q 세트 전압을 Q노드에 공급하는 적어도 하나의 Q 세트부와, QB 조절 신호에 따라 QB 세트 전압을 QB 노드에 공급하는 적어도 하나의 QB 조절부와, 상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 제 1 고전위 전압을 출력단으로 출력하는 풀-업 수위칭소자와, 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 저전위 전압을 출력단으로 출력하는 풀-다운 스위칭소자와, 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 상기 Q 노드에 제 1 방전용 전압을 공급하여 상기 Q 노드를 방전시키는 Q 클리어부를 구비하고, 상기 Q 클리어부는 상기 Q 노드와 상기 제 1 방전용 전압단 사이에 직렬 연결되어 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 상기 Q 노드에 상기 제 1 방전용 전압을 공급하는 제1 및 제2 클리어 스위칭소자와, 외부의 제어신호에 따라 옵셋 전압을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자의 연결 노드에 공급하는 제3 클리어 스위칭소자를 구비하여 구성됨에 그 특징이 있다.
여기서, 상기 Q 세트부는 복수개의 클럭 신호 중 제 1 클럭 신호에 따라 상기 Q 노드에 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 1 스위칭소자를 구비하고, 상기 QB 조절부는 3개의 QB 조절부를 구비하고, 제 1 QB 조절부는 상기 QB 노드와 제 2 고전위 전압단 사이에 직렬 연결되는 제 2 및 제 3 스위칭소자와, 상기 QB 노드와 상기 제 2 고전위 전압단 사이에 연결되는 제 4 스위칭소자를 구비하고, 상기 제 2 및 제 3 스위칭소자는 각각 제 1 및 제 2 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 노드에 상기 제 2 고전위 전압을 충전하고, 상기 제 4 스위칭소자는 제 3 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 노드에 상기 제 2 고전위 전압을 충전하며, 제 2 QB 조절부는 상기 제 1 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 제 2 방전용 전압으로 방전하는 제 5 스위칭소자를 구비하고, 상기 Q 클리어부의 제 3 스위칭소자의 게이트 단자에는 상기 Q 노드 전압이 인가됨을 특징으로 한다.
상기 제 4 스위칭소자는 제 3 QB 조절 신호 대신에 제 3 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드에 상기 제 2 고전위 전압 대신에 상기 제 3 QB 조절 신호를 충전함을 특징으로 한다.
상기 제 3 스위칭소자는 제 2 QB 조절 신호 대신에 제 4 QB 조절 신호에 따라 턴 온 또는 턴 오프됨을 특징으로 한다.
상기 제 5 스위칭소자는 제 1 클럭 신호 대신에 제 2 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 제 2 방전용 전압으로 방전하고, 다른 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 방전하는 스위칭소자를 더 추가함을 특징으로 한다.
또한, 상기 Q 세트부는 복수개의 클럭 신호 중 제 1 클럭 신호에 따라 상기 Q 노드에 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 1 스위칭소자를 구비하고, 상기 QB 조절부는 2개의 QB 조절부를 구비하고, 제 1 QB 조절부는 제 1 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 노드에 상기 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 2 스위칭소자와, 제 3 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 노드에 상기 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 4 스위칭소자(T7)를 구비하고, 제 2 QB 조절부는 상기 제 1 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 제 2 방전용 전압으로 방전하는 제 5 스위칭소자를 구비하고, 상기 Q 클리어부의 제 3 스위칭소자의 게이트 단자에는 상기 Q 노드 전압이 인가됨을 특징으로 한다.
상기 제 4 스위칭소자는 제 3 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 노드에 상기 제 2 고전위 전압 대신에 제 2 QB 조절 신호를 충전함을 특징으로 한다.
또한, 상기 Q 세트부는 복수개의 클럭 신호 중 제 1 클럭 신호에 따라 상기 Q 노드에 상기 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 1 스위칭소자를 구비하고, 상기 QB 조절부는 3개의 QB 조절부를 구비하고, 제 1 QB 조절부는 제 1 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 노드를 제 4 QB 조절 신호(Vps2a) 전압으로 충전하는 제 2 스위칭소자를 구비하고, 제 2 QB 조절부는 제 3 QB 조절 신호에 따라 상기 제 2 고전위 전압을 상기 QB 노드에 충전하는 제 4 스위칭소자를 구비하고, 제 3 QB 조절부는 상기 제 1 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 제 2 방전용전압으로 방전하는 제 5 스위칭소자를 구비하고, 상기 Q 클리어부의 제 3 스위칭소자의 게이트 단자에는 상기 Q 노드 전압이 인가됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 QB 조절부는 구성되지 않고, 상기 Q 세트부는 제 1 클럭 신호에 따라 상기 Q 노드에 상기 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 1 스위칭소자를 구비함을 특징으로 한다.
또한, 상기 Q 세트부(QC)는 제 1 클럭 신호에 따라 상기 Q 노드에 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 1 스위칭소자를 구비하고, 상기 QB 조절부는 상기 제 1 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 제 2 방전용 전압으로 방전하는 제 5 스위칭소자를 구비하고, 상기 QB 노드에는 제 1 QB 조절 신호가 직접 인가됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 풀-다운 스위칭소자의 상기 저전위 전압 단 사이에 상기 풀 다운 스위칭소자와 직렬 연결되어 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴오프되는 추가 풀 다운 스위칭소자와, 상기 출력단의 논리 상태에 따라 상기 제 1 고전위 전압을 상기 풀 다운 스위칭소자 및 상기 추가 풀 다운 스위칭소자의 연결 로드에 공급하는 제 6 스위칭소자를 더 포함함을 특징으로 한다.
또한, 상기 Q 세트부는 상기 제 2 고전위 전압 단과 상기 Q 노드 사이에 서로 직렬 연결된 2개 스위칭소자를 구비하고, 상기 Q 클리어부의 제 3 클리어 스위칭소자를 통해 상기 제 1 고전위 전압이 상기 2개의 스위칭소자의 연결 로드에 공급됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 풀-다운 스위칭소자의 상기 저전위 전압 단 사이에 상기 풀 다운 스위칭소자와 직렬 연결되어 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴오프되는 추가 풀 다운 스위칭소자를 더 구비하고, 상기 Q 클리어부의 제 3 클리어 스위칭소자를 통해 상기 제 1 고전위 전압이 상기 풀 다운 스위칭소자 및 상기 추가 풀 다운 스위칭소자의 연결 로드에 공급됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 풀 다운 스위칭소자 대신에, 상기 출력단과 상기 저전위 전압 단 사이에 직렬 연결되어 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 상기 저전위 전압을 상기 출력단으로 공급하는 제 1 및 제 2 풀 다운 스위칭소자와, 상기 Q 노드 또는 상기 출력단의 전압에 따라 상기 제 1 고전위 전압을 상기 제 1 및 제 2 풀 다운 스위칭소자의 연결 노드에 공급하는 제 3 풀 다운 스위칭소자를 구비하여 구성됨을 특징으로 한다.
상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 상기 QB 노드를 방전용 전압으로 방전하는제 7 스위칭소자를 더 구비함을 특징으로 한다.
복수개의 클럭 신호 중 어느 하나의 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 방전용 전압으로 방전시키는 제 8 스위칭소자를 더 구비함을 특징으로 한다.
임의의 노드에 연결되어 상기 제 1 또는 제 2 고전위 전압에 따라 턴 온 또는 턴 오프되는 제 9 스위칭소자를 더 구비함을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 발광 제어 드라이버는 옵셋 전압을 이용하여 스위칭소자를 완전하게 턴-오프시킴으로써 문턱 전압이 네거티브로 쉬프트하더라도 Q 노드의 누설 전류를 방지하여 안정적인 출력을 얻을 수 있으므로 정상 출력을 얻을 수 있는 문턱 전압의 범위를 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 발광 제어 드라이버는 Q 노드의 누설 전류를 방지하여 안정된 출력을 유지할 수 있으므로 정상 동작이 가능한 문턱 전압의 범위를 증가시킬 수 있고, 저주파 구동에 의해 게이트 온 전압의 출력 기간이 증가하더라도 안정된 출력을 유지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 발광 제어 드라이버는 풀 다운 스위칭소자를 완전하게 턴-오프시킴으로써 문턱 전압이 네거티브로 쉬프트하더라도 출력단의 누설 전류를 방지하여 안정적인 출력을 얻을 수 있으므로 정상 출력을 얻을 수 있는 문턱 전압의 범위를 증가시킬 수 있다.
도 1은 종래의 발광 제어 드라이버의 구성을 나타낸 회로도
도 2는 도 1에 도시된 발광 제어 드라이버의 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성을 나타낸 회로도
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성을 나타낸 회로도
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성을 나타낸 회로도
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성을 나타낸 회로도
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도
도 11은 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로도에서 사용할 수 있는 신호 입출력 파형도
도 12는 본 발명의 제 3 내지 제 4 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로도에서 사용할 수 있는 신호 입출력 파형도
도 13은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도
도 14는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도
도 15는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도
도 16은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도
도 17은 본 발명의 제 5 내지 제 6 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로도에서 사용할 수 있는 신호 입출력 파형도
도 18도 본 발명의 제 5 내지 제 6 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로도에서 사용할 수 있는 다른 실시예의 신호 입출력 파형도
도 19는 본 발명의 제 7 내지 제 8 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로도에서 사용할 수 있는 신호 입출력 파형도
도 20은 본 발명의 제 9 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도
도 21은 본 발명의 제 10 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도
도 22는 본 발명의 제 11 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도
도 23은 본 발명에 따른 각 실시예 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성에서, 상기 풀 다운 스위칭소자(Td)의 다른 실시예의 회로 구성도이다.
도 24(a), 24(b), 24(c) 및 24(d)는 본 발명의 각 실시예에 더 추가할 수 있는 스위칭소자들의 구성도
도 25는 도 15에 도시된 본 발명의 제 7 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도
도 26은 도 15에 도시된 본 발명의 제 7 실시예에 따른 발광 제어 드라이버에서, Vss 및 Vssa = -10V의 조건으로 한 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도
도 27는 도 20에 도시된 본 발명의 제 9 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도
도 28은 도 20에 도시된 본 발명의 제 9 실시예에 따른 발광 제어 드라이버에서, Vss 및 Vssa = -10V의 조건으로 한 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도
도 29는 도 21에 도시된 본 발명의 제 10 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도
도 30은 도 20에 도시된 본 발명의 제 10 실시예에 따른 발광 제어 드라이버에서, Vss 및 Vssa = -10V의 조건으로 한 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도
도 31는 도 22에 도시된 본 발명의 제 11 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도
도 32는 도 13에 도시된 본 발명의 제 5 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성을 나타낸 회로도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성은, 도 3에 도시한 바와 같이, Q 조절 신호에 따라 Q 세트 전압을 세트 노드(이하 'Q노드"라 함)에 공급하는 Q 세트부(QC)와, QB 조절 신호에 따라 QB 세트 전압을 QB 노드(QB)에 공급하는 QB 조절부(QBC)와, 상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 하이 논리의 고전위 전압(VH)를 출력단으로 출력하는 풀-업 수위칭소자(Tu)와, 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 로우 논리의 저전위 전압(VL)을 출력단으로 출력하는 풀-다운 스위칭소자(Td)와, 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 상기 Q 노드에 방전용 전압(VSS)를 공급하여 상기 Q 노드를 방전시키는 Q 클리어부(QCU1)를 구비하여 구성된다.
상기 발광 제어 드라이버는 상기 Q 노드가 하이 논리이고 상기 Qb 노드가 로우 논리일 때 상기 풀-업 스위칭소자(Tu)를 통해 하이 논리의 출력(OUT)을 발생시키고, 상기 Q 노드가 로우 논리이고 상기 QB 노드가 하이 논리일 때 풀-다운 스위칭소자(Td)를 통해 로우 논리의 출력(OUT)을 발생시킨다.
여기서, 상기 풀 다운 스위칭소자는 2개 이상 설치될 수 있다.
또한, 상기 Q 클리어부(QCU1)는 QB 노드의 하이 논리에 응답하여 Q 노드를 로우 논리의 저전위 전압(VL)으로 방전하고, 상기 QB 노드의 로우 논리에 응답하여 저전위 전압(VL)을 차단한다. 이를 위하여, 상기 Q 클리어부(QCU1)는 제1 내지 제3 클리어 스위칭소자(T1, T2, T3)를 구비한다.
상기 Q 클리어부(QCU1)는 상기 Q 노드와 상기 방전용 전압(VSS)의 공급 단자 사이에 직렬 연결되고, 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 상기 Q 노드에 상기 방전용 전압(VSS)을 공급하는 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)와, 외부의 제어신호(VB)에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 옵셋 전압(VC)을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)의 연결 노드(P)에 공급하는 제3 클리어 스위칭소자(T3)를 구비하여 구성된다.
상기 Q 클리어부(QCU1)의 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)는 상기 QB 노드가 하이 논리일 때 턴-온되어 상기 Q 노드를 방전용 전압(VSS)으로 방전시키고, 상기 QB 노드가 로우 논리일 때 턴-오프되어 상기 Q 노드와 상기 방전용 전압(VSS)의 연결을 차단한다.
상기 QB 노드의 로우 논리에 의해 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)가 턴-오프될 때, 상기 제3 클리어 스위칭소자(T3)는 상기 외부의 제어신호(VB)의 하이 논리에 의해 턴-온된다. 턴-온된 제3 클리어 스위칭소자(T3)는 상기 옵셋 전압(VC)을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)의 연결 노드(P), 즉 상기 제2 클리어 스위칭소자(T2)의 드레인과 연결된 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 소스에 옵셋 전압(VC)으로 인가한다. 이에 따라, 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 게이트 단자에 상기 QB 노드의 로우 논리가 인가되고 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 소스 단자에는 로우 논리보다 높은 옵셋 전압(VC)이 인가되어 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압보다 낮은 네거티브 값을 갖게 됨으로써 완전히 턴-오프된다. 또한, 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 문턱 전압이 네거티브로 이동하더라도 소스에 인가된 옵셋 전압(VC)에 의해 게이트-소스간 전압(Vgs)은 문턱 전압보다 낮으므로 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)는 완전히 턴-오프된다. 따라서, 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)를 통한 Q 노드의 누설 전류를 방지할 수 있다.
이와 같이, 상기 Q 노드 또는 출력(OUT) 노드가 하이 논리일 때, 상기 턴-온된 제3 클리어 스위칭소자(T3)를 통해 공급된 옵셋 전압(VC)에 의해 제1 클리어 스위칭소자(T1)는 완전한 턴-오프 상태를 유지함에 따라, 상기 Q 노드는 전하 누설이 방지되어 안정된 하이 논리를 유지하므로 OLED용 발광 제어 드라이이버는 하이 논리의 출력(OUT)을 정상적으로 유지할 수 있다.
여기서, 상기 각 스위칭소자가 N-타입 스위칭소자들로 구성되는 경우, 상기 고전위 전압(VH)은 하이 논리에 해당하는 전압원으로 온 전압, 게이트 온 전압, 또는 충전용 전압으로 표현될 수 있다. 상기 저전위 전압(VL)은 로우 논리에 해당하는 전압원으로 오프 전압, 게이트 오프 전압, 또는 방전용 전압으로 표현될 수 있다.
상기 방전용 전압(VSS)는 적어도 상기 QB 노드가 하이 논리 상태인 동안 로우 논리인 전압이면 되고, DC 전압일 수 있으며 상기 저전위 전압(VL)과 같을 수 있다.
상기 Q 조절 신호 및 QB 조절 신호는 펄스 형태의 제어 신호이고, 상기 세트 전압(VQS) 및 QB 세트 전압(VQBS)는 각각 DC, 펄스 또는 복합 펄스일 수 있다.
또한, 상기 옵셋 전압(VC)는 하이 논리의 DC 전압이고, 상기 고전위 전압(VH)를 사용할 수 있고, 상기 외부 제어신호는 클럭 펄스일 수 있고 Q 노드 전압을 이용할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성을 나타낸 회로도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성은, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성에서, 상기 Q 세트부(QC) 및 상기 QB 조절부(QBC)가 각각 복수개 구성된 것이다.
즉, 상기 Q 세트부는 제1 Q 조절 신호(VQC1)에 따라 제1 Q 세트 전압(VQS1)을 Q노드에 공급하는 제1 Q 세트부(QC1)와, 제2 Q 조절 신호(VQC2)에 따라 제2 Q 세트 전압(VQS2)을 Q노드에 공급하는 제2 Q 세트부(QC2)를 구비한다.
상기 Qb 조절부는 제1 QB 조절 신호(VQBC1)에 따라 제1 QB 세트 전압(VQBS1)을 QB 노드에 공급하는 제1 QB 조절부(QBC1)와, 제2 QB 조절 신호(VQBC2)에 따라 제2 QB 세트 전압(VQBS2)을 QB 노드에 공급하는 제2 QB 조절부(QBC2)를 구비하여 구성된다.
여기서, 상기 Q 세트부(QC) 및 상기 QB 조절부(QBC)가 각각 복수개 구성되고, 상기 Q 세트부(QC)의 갯수와 상기 QB 조절부(QBC)의 갯수는 서로 다를 수 있고, 상기 Q 조절 신호(VQC1, VQC2)들도 서로 다를 수 있으며, 상기 QB 조절 신호(VQBC1, VQBC2)들도 서로 다를 수 있다.
도 4에서는 상기 Q 세트부(QC) 및 상기 QB 조절부(QBC)가 각각 2개씩 구성됨을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 2개 이상으로 구성될 수 있다.
그리고 나머지 구성은 도 3과 같다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성을 나타낸 회로도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성은, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성에서, 상기 Q 세트부(QC) 및 상기 QB 조절부(QBC)가 각각 하나씩 구성되고, 상기 Q 조절 신호 및 상기 QB 조절 신호가 복수개 구성된 것이다.
즉, 상기 Q 세트부는 제1 Q 조절 신호(VQC1) 및 제2 Q 조절 신호(VQC2)에 따라 Q 세트 전압(VQS)을 Q노드에 공급하고, 상기 Qb 조절부는 제1 QB 조절 신호(VQBC1) 및 제2 QB 조절 신호(VQBC2)에 따라 QB 세트 전압(VQBS)을 QB 노드에 공급한다.
도 5에서는 Q 조절 신호와 QB 조절 신호가 각각 2개씩 구성됨을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 2개 이상으로 구성될 수 있다.
도면에는 도시하지 않았지만, 도 4와 같이, 상기 Q 세트부(QC) 및 상기 QB 조절부(QBC)가 각각 복수개 구성되고, 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 각 Q 세트부(QC) 및 상기 각 QB 조절부(QBC)에 Q 조절 신호와 QB 조절 신호가 각각 복수개 구성될 수 있다. 그리고 나머지 구성은 도 3과 같다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성을 나타낸 회로도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성은, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성에서, 상기 Q 세트부(QC) 및 상기 QB 조절부(QBC)가 각각 복수개 구성되고, 상기 Q 조절 신호(VQC)와 상기 QB 조절 신호(VQBC)가 공유될 수 있고, 상기 Q 세트 전압(VCS)와 상기 QB 세트 전압(VQBS)이 공유될 수 있다. 그리고 나머지 구성은 도 3과 같다.
상기에서 설명한 제 1 내지 제 4 실시예의 OLED용 발광 제어 드라이버의 기본 구성을 구체적인 회로 구성으로 설명하면 다음과 같다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성은, 상기 도 3 내지 도 6에서 설명한 기본 구성에서, 1개의 Q 세트부(QC)와 2개의 QB 조절부(QBC1, QBC2)로 구성되고, 상기 Q 세트부(QC)는 1개의 Q 조절신호(CLK1)가 구성되고, 제 1 QB 조절부(QBC1)는 3개의 QB 조절 신호(Vps1, Vps2, CLK0)가 구성되고, 제 2 QB 조절부(QBC2)는 1개의 QB 조절 신호(CLK1)가 구성된 것이다.
상기 Q 세트부(QC)는 복수개의 클럭 신호(CLK1-CLK5) 중 하나의 클럭 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 Q 노드에 고전위 전압(Vdd)을 충전하는 제 1 스위칭소자(T4)를 구비한다.
상기 제 1 QB 조절부(QBC1)는 상기 QB 노드와 상기 고전위 전압단(Vdd) 사이에 직렬 연결되는 제 2 및 제 3 스위칭소자(T5, T6)와, 상기 QB 노드와 ㅅ정전압상기 고전위 전압단(Vdd) 사이에 연결되는 제 4 스위칭소자(T7)를 구비한다. 상기 제 2 및 제 3 스위칭소자(T5, T6)는 각각 QB 조절 신호(Vps2, CLK0)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 동시에 턴 온 시 상기 QB 노드에 상기 고전위 전압(Vdd)을 충전하고, 상기 제 4 스위칭소자(T7)는 QB 조절 신호(Vps1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 상기 고전위 전압(Vdd)을 충전한다.
상기 제 2 QB 조절부(QBC2)는 QB 조절 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)을 공급하여 상기 QB 노드를 방전하는 제 5 스위칭소자(T8)를 구비하여 구성된다.
그리고, 상기 클리어부(QCU1)의 제 3 스위칭소자(T3)의 게이트 단자에는 외부의 제어신호(VB)가 인가되는 것이 아니라, 상기 Q 노드 전압이 인가된다. 따라서, 상기 제 3 스위칭소자(T3)는 상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 옵셋 전압(VC)을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)의 연결 노드(P)에 공급한다.
여기서, 도면에는 도시되지 않았지만, 클럭신호(CLK2)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 상기 QB 노드를 방전용 전압(VSS 또는 VSSa)으로 방전시키는 스위칭소자를 상기 QB 노드에 더 추가할 수 있다.
또한, 상기 제 2 QB 조절부(QBC2)의 제 5 스위칭소자(T8)의 게이트 단자에 QB 조절 신호(CLK1) 대신에 QB 조절 신호(CLK2)를 사용할 수 있고, 다른 클럭 신호에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)을 공급하여 상기 QB 노드를 방전하는 스위칭소자를 더 추가할 수 있다.
그리고 나머니 구성은 도 3 내지 도 6에서 설명한 바와 같다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도이다.
도 8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성은, 상기 도 3 내지 도 6에서 설명한 기본 구성에서, 1개의 Q 세트부(QC)와 3개의 QB 조절부(QBC1, QBC2, QBC3)로 구성되고, 상기 Q 세트부(QC)는 1개의 Q 조절신호(CLK1)가 구성되고, 제 1 QB 조절부(QBC1)는 2개의 QB 조절 신호(Vps2, CLK0)가 구성되고, 제 2 QB 조절부(QBC2)는 1개의 QB 조절 신호(Vps1)가 구성되고, 제 3 QB 조절부(QBC2)는 1개의 QB 조절 신호(CLK1)가 구성된 것이다.
상기 Q 세트부(QC)는 복수개의 클럭 신호(CLK1-CLK5) 중 하나의 클럭 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 Q 노드에 고전위 전압(VH)을 충전하는 제 1 스위칭소자(T4)를 구비한다.
상기 제 1 QB 조절부(QBC1)는 상기 QB 노드와 고전위 전압단(Vdd) 사이에 직렬 연결되는 제 2 및 제 3 스위칭소자(T5, T6)를 구비한다. 상기 제 2 및 제 3 스위칭소자(T5, T6)는 각각 QB 조절 신호(Vps2, CLK0)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 동시에 턴 온 시 상기 QB 노드에 고전위 전압(VH)을 충전한다.
상기 제 2 QB 조절부(QBC2)는 QB 조절 신호(Vps1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 전압(Vps1)을 충전하는 제 4 스위칭소자(T7)를 구비한다.
상기 제 3 QB 조절부(QBC3)는 QB 조절 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)을 공급하여 상기 QB 노드를 방전하는 제 5 스위칭소자(T8)를 구비한다.
마찬가지로, 상기 클리어부(QCU1)의 제 3 스위칭소자(T3)의 게이트 단자에는 외부의 제어신호(VB)가 인가되는 것이 아니라, 상기 Q 노드 전압이 인가된다. 따라서, 상기 제 3 스위칭소자(T3)는 상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 옵셋 전압(VC)을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)의 연결 노드(P)에 공급한다.
여기서, 상기 제 2 QB 조절부(QBC2)의 제 5 스위칭소자(T8)의 게이트 단자에 QB 조절 신호(CLK1) 대신에 QB 조절 신호(CLK2)를 사용할 수 있고, 다른 클럭 신호에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)을 공급하여 상기 QB 노드를 방전하는 스위칭소자를 더 추가할 수 있다.
그리고 나머니 구성은 도 3 내지 도 6에서 설명한 바와 같다.
도 7과 도 8의 차이점은 상기 제 4 스위칭소자(T7)의 소오스 단자에 고전위 전압(VH)이 인가되느냐 전압(Vps1)이 인가되느냐에 있다.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도이다.
도 9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성은, 상기 도 3 내지 도 6에서 설명한 기본 구성에서, 1개의 Q 세트부(QC)와 2개의 QB 조절부(QBC1, QBC2)로 구성되고, 상기 Q 세트부(QC)는 1개의 Q 조절신호(CLK1)가 구성되고, 제 1 QB 조절부(QBC1)는 2개의 QB 조절 신호(Vps1, Vps2)가 구성되고, 제 2 QB 조절부(QBC2)는 1개의 QB 조절 신호(CLK1)가 구성된 것이다.
상기 Q 세트부(QC)는 복수개의 클럭 신호(CLK1-CLK5) 중 하나의 클럭 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 Q 노드에 고전위 전압(Vdd)을 충전하는 제 1 스위칭소자(T4)를 구비한다.
상기 제 1 QB 조절부(QBC1)는 QB 조절 신호(Vps2)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 QB 노드에 고전위 전압(Vdd)을 충전하는 제 2 스위칭소자(T5)와, QB 조절 신호(Vps1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 고전위 전압(Vdd)을 충전하는 제 4 스위칭소자(T7)를 구비한다.
상기 제 2 QB 조절부(QBC2)는 QB 조절 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)을 공급하여 상기 QB 노드를 방전하는 제 5 스위칭소자(T8)를 구비하여 구성된다.
마찬가지로, 상기 클리어부(QCU1)의 제 3 스위칭소자(T3)의 게이트 단자에는 외부의 제어신호(VB)가 인가되는 것이 아니라, 상기 Q 노드 전압이 인가된다. 따라서, 상기 제 3 스위칭소자(T3)는 상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 옵셋 전압(VC)을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)의 연결 노드(P)에 공급한다.
여기서, 도면에는 도시되지 않았지만, 임의의 클럭신호(CLKx)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 상기 QB 노드를 방전용 전압(VSS 또는 VSSa)으로 방전시키는 스위칭소자를 상기 QB 노드에 더 추가할 수 있다.
또한, 상기 제 2 QB 조절부(QBC2)의 제 5 스위칭소자(T8)의 게이트 단자에 QB 조절 신호(CLK1) 대신에 QB 조절 신호(CLK2)를 사용할 수 있고, 다른 클럭 신호에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)을 공급하여 상기 QB 노드를 방전하는 스위칭소자를 더 추가할 수 있다.
그리고 나머니 구성은 도 3 내지 도 6에서 설명한 바와 같다.
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도이다.
도 10에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성은, 상기 도 3 내지 도 6에서 설명한 기본 구성에서, 1개의 Q 세트부(QC)와 3개의 QB 조절부(QBC1, QBC2, QBC3)로 구성되고, 상기 Q 세트부(QC)는 1개의 Q 조절신호(CLK1)가 구성되고, 3개의 조절부(QBC1, QBC2, QBC3) 각각에는 1개의 QB 조절 신호(Vps1, Vps2 또는 CLK1)가 구성된 것이다.
상기 Q 세트부(QC)는 복수개의 클럭 신호(CLK1-CLK5) 중 하나의 클럭 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 Q 노드에 고전위 전압(Vdd)을 충전하는 제 1 스위칭소자(T4)를 구비한다.
상기 제 1 QB 조절부(QBC1)는 QB 조절 신호(Vps2)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 QB 노드에 고전위 전압(Vdd)을 충전하는 제 2 스위칭소자(T5)를 구비한다.
상기 제 2 QB 조절부(QBC2)는 QB 조절 신호(Vps1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 전압(CLK0)을 충전하는 제 4 스위칭소자(T7)를 구비한다.
상기 제 3 QB 조절부(QBC3)는 QB 조절 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)을 공급하여 상기 QB 노드를 방전하는 제 5 스위칭소자(T8)를 구비하여 구성된다.
마찬가지로, 상기 클리어부(QCU1)의 제 3 스위칭소자(T3)의 게이트 단자에는 외부의 제어신호(VB)가 인가되는 것이 아니라, 상기 Q 노드 전압이 인가된다. 따라서, 상기 제 3 스위칭소자(T3)는 상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 옵셋 전압(VC)을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)의 연결 노드(P)에 공급한다.
여기서, 도면에는 도시되지 않았지만, 임의의 클럭신호(CLKx)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 상기 QB 노드를 방전용 전압(VSS 또는 VSSa)으로 방전시키는 스위칭소자를 상기 QB 노드에 더 추가할 수 있다.
그리고 나머니 구성은 도 3 내지 도 6에서 설명한 바와 같다.
도 9와 도 10의 차이점은 상기 제 4 스위칭소자(T7)의 소오스 단자에 고전위 전압(VH)이 인가되느냐 전압(CLK0)이 인가되느냐에 있다.
상기 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로도에서, Vdd는 VH와 같거나 다를 수 있고, Vss, Vssa, VL은 서로 같거나 다를 수 있으나, Vssa ≥ Vss ≥ VL의 조건을 만족하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로도의 동작을 설명하면 다음과 같다.
도 11은 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로도에서 사용할 수 있는 신호 입출력 파형도이고, 도 12는 본 발명의 제 3 내지 제 4 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로도에서 사용할 수 있는 신호 입출력 파형도이다.
상기 도 11 및 도 12에서, 복수개의 클럭 신호(CLK1-CLK5)는 2펄스 형태(2 pulse form)를 갖고 한 프레임 기간동안 여러번 반복되는 다상 순환 클럭 펄스이고, 서로 위상이 다르다.
상기 Vps1 및 Vps2는 다중 피크 형태(multi peak form)를 갖고 한 프레임 기간 동안 한번 발생한다.
먼저, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로를 도시한 도 7과 도 11을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
초기에 각 실시예의 발광 제어 드라이버의 출력은 하이 논리 상태를 유지한다.
t1 시점에서, 클럭신호(CLK1), Vps1 신호 및 클럭신호(CLK0)는 로우 상태이고, Vps1 신호가 로우 상태에서 하이 상태로 변환된다. 따라서, 상기 제 4 스위칭소자(T7)가 턴온되어 고전윈 전압(Vdd)이 QB 노드에 인가되므로 QB 노드는 하이 상태를 갖는다. 동시에, 상기 QB 노드가 하이 상태이므로 상기 클리어부(QCU1)의 제 1 및 제 2 클리어 스위칭소자(T1, T2)가 동시에 턴온되므로 상기 Q 노드는 방전용 전압(Vss)으로 방전되어 로우 상태가 된다. 따라서 출력단(Vout)으로 로우 신호가 출력된다.
이 때, 상기 클럭신호(CLK1), Vps1 신호 및 클럭신호(CLK0)가 인가되는 제 1, 제 2, 제 3 및 제 5 스위칭소자(T4, T5, T6, T8)는 모두 턴 오프되어 Q 노드는 고전위 전압(Vdd)으로 충전되지 않고, QB 노드는 방전용 전압(Vssa)로 방전되지 않는다.
t2시점에서, 상기 클럭신호(CLK1), 상기 Vps1 신호 및 Vps2신호는 로우 상태이고, 상기 클럭신호(CLK0)는 하이 상태이다. 따라서, 상기 제 3 스위칭소자(T6)만 턴 온되고, 상기 제 1, 제 2, 제 4 및 제 5 스위칭소자(T4, T5, T7, T8)는 턴 오프되어 QB 노드에 고전위 전압(Vdd)가 인가되지 않는다. 그러나, 상기 클럭신호(CLK1)가 로우 상태를 유지하고 있으므로 상기 QB 노드는 플루우팅 상태가 되어 하이상태를 유지하고, 상기 Q 노드도 로우 상태를 유지하고 더불어 출력 신호도 로우 신호로 유지된다.
t3시점에서, 상기 Vps1 및 Vps2 신호가 하이 상태이고, 상기 클럭신호(CLK1) 및 상기 클럭신호(CLK0)는 로우 상태이므로, 상기 제 2 및 제 4 스위칭소자(T5, T7)는 턴 온되고, 상기 제 1, 제 3 및 제 5 스위칭소자(T4, T6, T8)는 턴 오프된다. 따라서, 상기 턴 온된 제 4 스위칭소자(T7)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)이 QB 노드에 인가되므로 QB 노드는 하이 상태를 갖는다. 동시에, 상기 QB 노드가 하이 상태이므로 상기 클리어부(QCU1)의 제 1 및 제 2 클리어 스위칭소자(T1, T2)가 동시에 턴온되므로 상기 Q 노드는 방전용 전압(Vss)으로 방전되어 로우 상태가 된다. 따라서 출력단(Vout)으로 로우 신호가 출력된다.
이 때, 상기 Vps2 신호가 인가된 제 2 스위칭소자(T5)는 턴 온되지만, 상기 클럭신호(CLK0)가 인가된 제 3 스위칭소자(T6)은 턴 오프되므로 상기 제 2 및 제 3 스위칭소자(T5, T6)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)가 상기 QB 노드에 인가되지 않는다.
t4시점에서, 상기 Vps1 신호 및 클럭신호(CLK0)가 하이 상태이고, 상기 클럭신호(CLK1), 상기 Vps2 신호는 로우 상태이므로, 상기 제 3 및 제 4 스위칭소자(T6, T7)는 턴온되고, 상기 제 1, 제 2 및 제 5 스위칭소자(T4, T5, T8)는 턴 오프된다. 따라서, 상기 턴 온된 제 4 스위칭소자(T7)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)이 QB 노드에 인가되므로 QB 노드는 하이 상태를 갖는다. 동시에, 상기 QB 노드가 하이 상태이므로 상기 클리어부(QCU1)의 제 1 및 제 2 클리어 스위칭소자(T1, T2)가 동시에 턴온되므로 상기 Q 노드는 방전용 전압(Vss)으로 방전되어 로우 상태가 된다. 따라서 출력단(Vout)으로 로우 신호가 출력된다.
이 때, 상기 클럭신호(CLK0)가 인가된 제 3 스위칭소자(T6)는 턴 온되지만, 상기 Vps2 신호가 인가된 제 2 스위칭소자(T5)은 턴 오프되므로 상기 제 2 및 제 3 스위칭소자(T5, T6)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)가 상기 QB 노드에 인가되지 않는다.
t5시점에서, 상기 클럭신호(CLK1)와 상기 Vps2신호가 하이 상태이고, 상기 Vps1신호와 상기 클럭신호(CLK0)는 로우 상태이므로, 상기 제 1, 제 2 및 제 5 스위칭소자(T4, T5, T8)는 턴온되고, 상기 제 3 및 제 4 스위칭소자(T6, T7)는 턴 오프된다. 그러므로, 상기 턴 온된 제 1 스위칭소자(T4)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)이 상기 Q 노드에 인가되고, 상기 턴 온된 제 5 스위칭소자(T8)를 통해 상기 방전용 전압(Vssa)이 상기 QB 노드에 인가된다.
따라서, 상기 Q 노드는 하이 상태를 갖고, 상기 QB 노드는 로우 상태를 갖으며, 상기 출력단(Vout)으로 하이 신호가 출력된다.
이 때, 상기 클럭신호(CLK0)가 인가된 제 3 스위칭소자(T6)가 턴 오프되므로, 상기 제 2 및 제 3 스위칭소자(T5, T6)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)가 상기 QB 노드에 인가되지 않는다.
t6시점에서, 상기 Vps2 신호 및 클럭신호(CLK0)가 하이 상태이고, 상기 클럭신호(CLK1) 및 상기 Vps1 신호는 로우 상태이므로, 상기 제 2 및 제 3 스위칭소자(T5, T6)는 턴온되고, 상기 제 1, 제 4 및 제 5 스위칭소자(T4, T7, T8)는 턴 오프된다. 그러므로, 상기 턴 온된 제 2 및 제 3 스위칭소자(T5, T6)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)이 QB 노드에 인가되므로 상기 QB 노드는 하이 상태를 갖는다. 동시에, 상기 QB 노드가 하이 상태이므로 상기 클리어부(QCU1)의 제 1 및 제 2 클리어 스위칭소자(T1, T2)가 동시에 턴온되므로 상기 Q 노드는 방전용 전압(Vss)으로 방전되어 로우 상태가 된다. 따라서 출력단(Vout)으로 로우 신호가 출력된다.
이 때, 상기 클럭신호(CLK1)가 인가된 제 1 스위칭소자(T4)가 턴 오프되므로 상기 Q 노드에는 상기 고전위 전압(Vdd)이 인가되지 않는다.
t7시점에서, 상기 클럭신호(CLK1)만 하이 상태이고, 상기 Vps1 및 Vps2 신호와 상기 클럭신호(CLK0)는 로우 상태이므로, 상기 제 1 및 제 5 스위칭소자(T4, T8)는 턴온되고, 상기 나머지 제 2 내지 제 4 스위칭소자(T5-T7)는 턴 오프된다. 그러므로, 상기 턴 온된 제 1 스위칭소자(T4)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)이 상기 Q 노드에 인가되고, 상기 턴 온된 제 5 스위칭소자(T8)를 통해 상기 방전용 전압(Vssa)이 상기 QB 노드에 인가된다.
따라서, 상기 Q 노드는 하이 상태를 갖고, 상기 QB 노드는 로우 상태를 갖으며, 상기 출력단(Vout)으로 하이 신호가 출력된다.
상기 t5 시점 및 t7 시점에서 설명한 바와 같이, 상기 QB 노드가 하이 상태에서 로우 상태로 변화되고 상기 Q 노드가 로우 상태에서 하이 상태로 변환되는 시점에, 상기 클리어부(QCU1)의 상기 제 3 스위칭소자(T3)가 상기 Q 노드의 하이 상태에 따라 턴 온되어 상기 옵셋 전압(VC)을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)의 연결 노드(P)에 공급한다.
이에 따라, 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 게이트 단자에 상기 QB 노드의 로우 논리가 인가되고 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 소스 단자에는 로우 논리보다 높은 옵셋 전압(VC)이 인가되어 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압보다 낮은 네거티브 값을 갖게 됨으로써 완전히 턴-오프된다. 또한, 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 문턱 전압이 네거티브로 이동하더라도 소스에 인가된 옵셋 전압(VC)에 의해 게이트-소스간 전압(Vgs)은 문턱 전압보다 낮으므로 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)는 완전히 턴-오프된다. 따라서, 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)를 통한 Q 노드의 누설 전류를 방지할 수 있다.
이와 같이, 상기 Q 노드 또는 출력(OUT) 노드가 하이 논리일 때, 상기 턴-온된 제3 클리어 스위칭소자(T3)를 통해 공급된 옵셋 전압(VC)에 의해 제1 클리어 스위칭소자(T1)는 완전한 턴-오프 상태를 유지함에 따라, 상기 Q 노드는 전하 누설이 방지되어 안정된 하이 논리를 유지하므로 OLED용 발광 제어 드라이이버는 하이 논리의 출력(OUT)을 정상적으로 유지할 수 있다.
또한, 각 실시예에서 설명한 바와 같이, 상기 클럭신호(CLK2)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 상기 QB 노드를 방전용 전압(VSS 또는 VSSa)으로 방전시키는 스위칭소자를 상기 QB 노드에 더 추가하면, 상기 t7 시점에서 상기 QB 노드가 하이 상태에서 로우 상태로 변환됨을 촉진할 수 있다.
상기 도 11의 파형은 상기 본 발명의 제 2 내지 제 4 실시예의 구체적인 회로 구성에 모두 적용되고 그 동작도 유시하므로, 본 발명의 제 2 내지 제 4 실시예의 구체적인 회로 구성에 대한 동작설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로를 도시한 도 9와 도 12을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
초기에 각 실시예의 발광 제어 드라이버의 출력은 하이 논리 상태를 유지한다.
t1 시점에서, 클럭신호(CLK1) 및 Vps2 신호는 로우 상태이고, Vps1 신호는 하이 상태이다. 따라서, 상기 제 4 스위칭소자(T7)가 턴온되어 고전위 전압(Vdd)이 QB 노드에 인가되므로 QB 노드는 하이 상태를 갖는다. 동시에, 상기 QB 노드가 하이 상태이므로 상기 클리어부(QCU1)의 제 1 및 제 2 클리어 스위칭소자(T1, T2)가 동시에 턴온되므로 상기 Q 노드는 방전용 전압(Vss)으로 방전되어 로우 상태가 된다. 따라서 출력단(Vout)으로 로우 신호가 출력된다.
이 때, 상기 클럭신호(CLK1), Vps2 신호가 인가되는 제 1, 제 2 및 제 5 스위칭소자(T4, T5, T8)는 모두 턴 오프되어 Q 노드는 고전위 전압(Vdd)으로 충전되지 않고, QB 노드는 방전용 전압(Vssa)로 방전되지 않는다.
t2시점 내지 t3 시점에서, 상기 클럭신호(CLK1), 상기 Vps2 신호 및 상기 Vps1 신호 모두 로우 상태이다. 따라서, 상기 제 1, 제 2, 제 4 및 제 5 스위칭소자(T4, T5, T7, T8)는 턴 오프되어 QB 노드에 고전위 전압(Vdd)가 인가되지 않는다. 그러나, 상기 클럭신호(CLK1)가 로우 상태를 유지하고 있으므로 상기 QB 노드는 플루우팅 상태가 되어 하이 상태를 유지하고, 상기 Q 노드도 로우 상태를 유지하고 더불어 출력 신호도 로우 신호로 유지된다.
t4시점에서, 상기 Vps2 신호가 하이 상태이고, 상기 클럭신호(CLK1) 및 상기 Vps1신호는 로우 상태이므로, 상기 제 2 스위칭소자(T5)는 턴 온되고, 상기 제 1, 제 4 및 제 5 스위칭소자(T4, T7, T8)는 턴 오프된다. 따라서, 상기 턴 온된 제 2 스위칭소자(T5)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)이 QB 노드에 인가되므로 QB 노드는 하이 상태를 갖는다. 동시에, 상기 Q 노드는 로우 상태를 유지하고, 상기 출력단(Vout)도 로우 신호가 출력된다.
t5시점에서, 상기 클럭신호(CLK1), 상기 Vps2 신호 및 상기 Vps1 신호 모두 로우 상태이다. 따라서, 상기 제 1, 제 2, 제 4 및 제 5 스위칭소자(T4, T5, T7, T8)는 턴 오프되어 QB 노드에 고전위 전압(Vdd)가 인가되지 않는다. 그러나, 상기 클럭신호(CLK1)가 로우 상태를 유지하고 있으므로 상기 QB 노드는 플루우팅 상태가 되어 하이 상태를 유지하고, 상기 Q 노드도 로우 상태를 유지하고 더불어 출력 신호도 로우 신호로 유지된다.
t6시점에서, 상기 클럭신호(CLK1)가 하이 상태이고, 상기 Vps1신호와 상기 Vps2신호는 로우 상태이므로, 상기 제 1 및 제 5 스위칭소자(T4, T8)는 턴온되고, 상기 제 2 및 제 4 스위칭소자(T6, T7)는 턴 오프된다. 그러므로, 상기 턴 온된 제 1 스위칭소자(T4)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)이 상기 Q 노드에 인가되고, 상기 턴 온된 제 5 스위칭소자(T8)를 통해 상기 방전용 전압(Vssa)이 상기 QB 노드에 인가된다.
따라서, 상기 Q 노드는 하이 상태를 갖고, 상기 QB 노드는 로우 상태를 갖으며, 상기 출력단(Vout)으로 하이 신호가 출력된다.
t7시점에서, 상기 Vps2 신호가 하이 상태이고, 상기 클럭신호(CLK1) 및 상기 Vps1 신호는 로우 상태이므로, 상기 제 2 스위칭소자(T5)는 턴온되고, 상기 제 1, 제 4 및 제 5 스위칭소자(T4, T7, T8)는 턴 오프된다. 그러므로, 상기 턴 온된 제 2 스위칭소자(T5)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)이 QB 노드에 인가되므로 상기 QB 노드는 하이 상태를 갖는다. 동시에, 상기 QB 노드가 하이 상태이므로 상기 클리어부(QCU1)의 제 1 및 제 2 클리어 스위칭소자(T1, T2)가 동시에 턴온되므로 상기 Q 노드는 방전용 전압(Vss)으로 방전되어 로우 상태가 된다. 따라서 출력단(Vout)으로 로우 신호가 출력된다.
이 때, 상기 클럭신호(CLK1)가 인가된 제 1 스위칭소자(T4)가 턴 오프되므로 상기 Q 노드에는 상기 고전위 전압(Vdd)이 인가되지 않는다.
t8시점에서, 상기 클럭신호(CLK1)만 하이 상태이고, 상기 Vps1 및 Vps2 신호는 로우 상태이므로, 상기 제 1 및 제 5 스위칭소자(T4, T8)는 턴온되고, 상기 제 2 및 제 4 스위칭소자(T5, T7)는 턴 오프된다. 그러므로, 상기 턴 온된 제 1 스위칭소자(T4)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)이 상기 Q 노드에 인가되고, 상기 턴 온된 제 5 스위칭소자(T8)를 통해 상기 방전용 전압(Vssa)이 상기 QB 노드에 인가된다. 따라서, 상기 Q 노드는 하이 상태를 갖고, 상기 QB 노드는 로우 상태를 갖으며, 상기 출력단(Vout)으로 하이 신호가 출력된다.
상기 t6 시점 및 t8 시점에서 설명한 바와 같이, 상기 QB 노드가 하이 상태에서 로우 상태로 변화되고 상기 Q 노드가 로우 상태에서 하이 상태로 변환되는 시점에, 상기 클리어부(QCU1)의 상기 제 3 스위칭소자(T3)가 상기 Q 노드의 하이 상태에 따라 턴 온되어 상기 옵셋 전압(VC)을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)의 연결 노드(P)에 공급한다.
이에 따라, 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 게이트 단자에 상기 QB 노드의 로우 논리가 인가되고 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 소스 단자에는 로우 논리보다 높은 옵셋 전압(VC)이 인가되어 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압보다 낮은 네거티브 값을 갖게 됨으로써 완전히 턴-오프된다. 또한, 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 문턱 전압이 네거티브로 이동하더라도 소스에 인가된 옵셋 전압(VC)에 의해 게이트-소스간 전압(Vgs)은 문턱 전압보다 낮으므로 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)는 완전히 턴-오프된다. 따라서, 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)를 통한 Q 노드의 누설 전류를 방지할 수 있다.
이와 같이, 상기 Q 노드 또는 출력(OUT) 노드가 하이 논리일 때, 상기 턴-온된 제3 클리어 스위칭소자(T3)를 통해 공급된 옵셋 전압(VC)에 의해 제1 클리어 스위칭소자(T1)는 완전한 턴-오프 상태를 유지함에 따라, 상기 Q 노드는 전하 누설이 방지되어 안정된 하이 논리를 유지하므로 OLED용 발광 제어 드라이이버는 하이 논리의 출력(OUT)을 정상적으로 유지할 수 있다.
또한, 각 실시예에서 설명한 바와 같이, 상기 클럭신호(CLK2)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 상기 QB 노드를 방전용 전압(VSS 또는 VSSa)으로 방전시키는 스위칭소자를 상기 QB 노드에 더 추가하면, 상기 t8 시점에서 상기 QB 노드가 하이 상태에서 로우 상태로 변환됨을 촉진할 수 있다.
또한, 제 3 내지 제 4 실시예에서 설명한 바와 같이, 임의의 클럭신호(예를들면 CLK4)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 상기 QB 노드를 방전용 전압(VSS 또는 VSSa)으로 방전시키는 스위칭소자를 상기 QB 노드에 더 추가하면, 상기 t2 시점에서 상기 QB 노드가 방전되어 로우 상태를 유지하고, 상기 Q 노드도 로우 상태를 유지한다.
이와 같이 임의의 클럭신호(예를들면 CLK4)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 상기 QB 노드를 방전용 전압(VSS 또는 VSSa)으로 방전시키는 스위칭소자를 상기 QB 노드에 더 추가하면, 상기 T2 시점 이후에도 상기 QB 노드가 로우 상태를 유지하므로 스위칭소자의 스트레스를 줄일 수 있다.
상기 도 12의 파형은 상기 본 발명의 제 4 실시예의 구체적인 회로 구성에 모두 적용되고 그 동작도 유시하므로, 본 발명의 제 4 실시예의 구체적인 회로 구성에 대한 동작설명은 생략한다.
한편, 도 13은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도이다.
도 13에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성은, 상기 도 3 내지 도 6에서 설명한 기본 구성에서, 1개의 Q 세트부와 3개의 QB 조절부로 구성되고, 상기 Q 세트부(QC)는 1개의 Q 조절신호(CLK1)가 구성되고, 각 QB 조절부도 1개의 QB 조절 신호(Vps1, Vps2 또는 CLK1)가 구성된 것이다.
상기 Q 세트부(QC)는 복수개의 클럭 신호(CLK1-CLK5) 중 하나의 클럭 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 Q 노드에 고전위 전압(VH)을 충전하는 제 1 스위칭소자(T4)를 구비한다.
제 1 QB 조절부는 QB 조절 신호(Vps2)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 QB 노드에 Vps2a 전압을 충전하는 제 2 스위칭소자(T5)를 구비한다.
제 2 QB 조절부는 QB 조절 신호(Vps1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 고전위 전압(Vdd)를 상기 QB 노드에 충전하는 제 4 스위칭소자(T7)를 구비한다.
제 3 QB 조절부는 QB 조절 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)을 공급하여 상기 QB 노드를 방전하는 제 5 스위칭소자(T8)를 구비하여 구성된다.
그리고, 상기 클리어부(QCU1)의 제 3 스위칭소자(T3)의 게이트 단자에는 상기 Q 노드 전압이 인가된다. 따라서, 상기 제 3 스위칭소자(T3)는 상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 옵셋 전압(VC)을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)의 연결 노드(P)에 공급한다.
그리고 나머니 구성은 도 3 내지 도 6에서 설명한 바와 같다.
도 14는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도이다.
본 발명의 제 6 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성은, 상기 도 7에서 설명한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성과 같다. 단, 도 7에서는 상기 제 1 QB 조절부(QBC1)의 제 3 스위칭소자(T6)가 QB 조절 신호(CLK0)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되었으나, 도 14에서는 상기 제 1 QB 조절부(QBC1)의 제 3 스위칭소자(T6)가 QB 조절 신호(Vps2a)에 의해 턴 온 또는 턴 오프됨에 차이가 있다. 따라서, 나머지 구성은 도 7과 같다.
상기 도 13 및 도 14의 실시예에서, 도면에는 도시되지 않았지만, 임의의 클럭신호(CLKx)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 상기 QB 노드를 방전용 전압(VSS 또는 VSSa)으로 방전시키는 스위칭소자를 상기 QB 노드에 더 추가할 수 있다.
또한, 상기 제 2 QB 조절부(QBC2)의 제 5 스위칭소자(T8)의 게이트 단자에 QB 조절 신호(CLK1) 대신에 QB 조절 신호(CLK2)를 사용할 수 있고, 다른 클럭 신호에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)을 공급하여 상기 QB 노드를 방전하는 스위칭소자를 더 추가할 수 있다.
도 15는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도이다.
도 15에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 7 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성은, 상기 도 3 내지 도 6에서 설명한 기본 구성에서, 1개의 Q 세트부만 구성된 것이다.
상기 Q 세트부(QC)는 복수개의 클럭 신호(CLK1-CLK5) 중 하나의 클럭 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 Q 노드에 고전위 전압(Vdd)을 충전하는 제 1 스위칭소자(T4)를 구비한다. 또한, 상기 QB 노드에는 Vps2 신호가 직접 인가된다.
여기서, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 클럭신호(CLK1)와 다른 클럭신호(CLK2, CLK3, CLK4, CLK5)에 의해 상기 QB 노드를 방전용 전압(VSS 또는 VSSa)으로 방전시키는 스위칭소자를 상기 QB 노드에 더 추가할 수 있다.
나머지 구성은 상기에서 설명한 실시예와 같다.
도 16은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도이다.
도 16에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 8 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성은, 상기 도 3 내지 도 6에서 설명한 기본 구성에서, 1개의 Q 세트부와 1개의 QB 조절부로 구성된 것이다.
상기 Q 세트부(QC)는 복수개의 클럭 신호(CLK1-CLK5) 중 하나의 클럭 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 Q 노드에 고전위 전압(Vdd)을 충전하는 제 1 스위칭소자(T4)를 구비한다.
상기 QB 조절부는 QB 조절 신호(CLK1)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되고, 턴 온 시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)을 공급하여 상기 QB 노드를 방전하는 제 5 스위칭소자(T8)를 구비하여 구성된다.
또한, 상기 QB 노드에는 Vps2 신호가 직접 인가된다.
나머지 구성은 상기에서 설명한 실시예와 같다.
도 17은 본 발명의 제 5 내지 제 6 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로도에서 사용할 수 있는 신호 입출력 파형도이고, 도 18도 본 발명의 제 5 내지 제 6 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로도에서 사용할 수 있는 다른 실시예의 신호 입출력 파형도이다.
상기 도 17의 신호 입출력 파형도는 상기에서 설명한 도 11과 비슷하고, 상기 상기 도 18의 신호 입출력 파형도는 상기에서 설명한 도 12과 비슷하므로, 도 13 및 도 14의 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로의 동작 설명은 생략한다.
도 19는 본 발명의 제 7 내지 제 8 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로도에서 사용할 수 있는 신호 입출력 파형도이다.
Vps1 및 Vps2 신호는 2개의 펄스로 이루어진다. 나머지 입력 신호는 상기에서 설명한 바와 같다.
본 발명의 제 7 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로를 도시한 도 15와 도 19를 이용하여 설명하면 다음과 같다.
초기에 각 실시예의 발광 제어 드라이버의 출력은 하이 논리 상태를 유지한다.
t1 시점에서, 클럭신호(CLK1)는 로우 상태이고, Vps2 신호가 하이 상태이므로, 상기 제 1 스위칭소자(T4)는 턴 오프되고, 상기 Vps2 신호에 의해 상기 QB 노드가 하이 상태를 갖는다. 동시에, 상기 QB 노드가 하이 상태이므로 상기 클리어부(QCU1)의 제 1 및 제 2 클리어 스위칭소자(T1, T2)가 동시에 턴온되므로 상기 Q 노드는 방전용 전압(Vss)으로 방전되어 로우 상태가 된다. 따라서 출력단(Vout)으로 로우 신호가 출력된다.
t2시점에서, 상기 클럭신호(CLK1)는 로우 상태이고, 상기 Vps2신호는 로우 상태로 변환되므로 상기 QB 노드도 로우 상태로 변환된다. 그러나, 상기 Q 노드도 로우 상태를 유지한다.
t3시점 내지 t4 시점에서도, 상기 클럭신호(CLK1) 및 상기 Vps2신호는 로우 상태이므로 상기 QB 노드 및 Q 노드는 모두 로우 상태를 유지한다.
t5시점에서, 상기 클럭신호(CLK1)는 로우 상태에서 하이 상태로 변환되고, 상기 Vps2신호는 로우 상태이므로, 상기 제 1 스위칭소자(T4)는 턴온된다. 따라서, 상기 턴 온된 제 1 스위칭소자(T4)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)이 상기 Q 노드에 인가되므로 상기 Q 노드는 하이 상태가 되고 상기 QB 노드는 로우 상태를 갖는다. 따라서, 상기 출력단(Vout)으로 하이 신호가 출력된다.
t6시점에서, 상기 Vps2 신호는 로우 상태에서 하이 상태로 변환되고, 상기 클럭신호(CLK1)는 하이 상태에서 로우 상태로 변환되므로, 상기 제 1 스위칭소자(T4)는 턴 오프된다. 이 때, 상기 Vps2 신호에 의해 상기 QB 노드는 하이 상태를 갖는다. 동시에, 상기 QB 노드가 하이 상태이므로 상기 클리어부(QCU1)의 제 1 및 제 2 클리어 스위칭소자(T1, T2)가 동시에 턴온되므로 상기 Q 노드는 방전용 전압(Vss)으로 방전되어 로우 상태가 된다. 따라서 출력단(Vout)으로 로우 신호가 출력된다.
t7시점에서, 상기 클럭신호(CLK1)는 로우 상태에서 하이 상태로 변환되고, 상기 Vps2 신호는 하이 상태에서 로우 상태로 변환되므로, 상기 제 1 스위칭소자(T4)는 턴온된다. 상기 턴 온된 제 1 스위칭소자(T4)를 통해 상기 고전위 전압(Vdd)이 상기 Q 노드에 인가되어 상기 Q 노드는 하이 상태를 갖고, 상기 QB 노드는 로우 상태를 갖으며, 상기 출력단(Vout)으로 하이 신호가 출력된다.
상기 t7 시점에서 설명한 바와 같이, 상기 QB 노드가 하이 상태에서 로우 상태로 변화되고 상기 Q 노드가 로우 상태에서 하이 상태로 변환되는 시점에, 상기 클리어부(QCU1)의 상기 제 3 스위칭소자(T3)가 상기 Q 노드의 하이 상태에 따라 턴 온되어 상기 옵셋 전압(VC)을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)의 연결 노드(P)에 공급한다.
이에 따라, 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 게이트 단자에 상기 QB 노드의 로우 논리가 인가되고 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 소스 단자에는 로우 논리보다 높은 옵셋 전압(VC)이 인가되어 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압보다 낮은 네거티브 값을 갖게 됨으로써 완전히 턴-오프된다. 또한, 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)의 문턱 전압이 네거티브로 이동하더라도 소스에 인가된 옵셋 전압(VC)에 의해 게이트-소스간 전압(Vgs)은 문턱 전압보다 낮으므로 상기 제1 클리어 스위칭소자(T1)는 완전히 턴-오프된다. 따라서, 제1 및 제2 클리어 스위칭소자(T1, T2)를 통한 Q 노드의 누설 전류를 방지할 수 있다.
이와 같이, 상기 Q 노드 또는 출력(OUT) 노드가 하이 논리일 때, 상기 턴-온된 제3 클리어 스위칭소자(T3)를 통해 공급된 옵셋 전압(VC)에 의해 제1 클리어 스위칭소자(T1)는 완전한 턴-오프 상태를 유지함에 따라, 상기 Q 노드는 전하 누설이 방지되어 안정된 하이 논리를 유지하므로 OLED용 발광 제어 드라이이버는 하이 논리의 출력(OUT)을 정상적으로 유지할 수 있다.
또한, 각 실시예에서 설명한 바와 같이, 상기 클럭신호(CLK2)에 의해 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 상기 QB 노드를 방전용 전압(VSS 또는 VSSa)으로 방전시키는 스위칭소자를 상기 QB 노드에 더 추가하면, 상기 t7 시점에서 상기 QB 노드가 하이 상태에서 로우 상태로 변환됨을 촉진할 수 있다.
상기 도 19의 파형은 상기 본 발명의 제 8 실시예의 구체적인 회로 구성에 모두 적용되고 그 동작도 유시하므로, 본 발명의 제 8 실시예의 구체적인 회로 구성에 대한 동작설명은 생략한다.
한편, 도 20은 본 발명의 제 9 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도이다.
본 발명의 제 9 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성은, 도 15에서 설명한 본 발명의 제 7 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성에서, 상기 풀 다운 스위칭소자(Td)를 상기 출력단(Vout)과 저전위 전압(VL) 단 사이에 직렬 연결된 2개 풀 다운 스위칭소자(Tda, Tdb)로 구성하고, 출력단(Vout)의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 고전위 전압(VH)을 상기 2개의 풀 다운 스위칭소자(Tda, Tdb)의 연결 로드에 공급하는 제 6 스위칭소자(T13)을 더 포함한 것이다.
그리고, 나머지 구성은 도 15와 같다.
이와 같이 구성된 본 발명의 제 9 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성에 있어서는, 상기 QB 노드가 하이 상태에서 로우 상태로 변화되고 상기 출력단(Vout)이 로우 신호에서 하이 신호를 출력할 시점에, 상기 제 6 스위칭소자(T13)가 상기 출력단(Vout)의 하이 상태에 따라 턴 온되어 상기 고전위 전압(VH)을 상기 2개의 풀 다운 스위칭소자(Tda, Tdb)의 연결 노드에 공급한다.
이에 따라, 상기 제1 풀 다운 스위칭소자(Tda)의 게이트 단자에 상기 QB 노드의 로우 논리가 인가되고 상기 제1 풀 다운 스위칭소자(Tda)의 소스 단자에는 로우 논리보다 높은 고전위 전압(VH)이 인가되어 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압보다 낮은 네거티브 값을 갖게 됨으로써 완전히 턴-오프된다. 또한, 상기 제1 풀 다운 스위칭소자(Tda)의 문턱 전압이 네거티브로 이동하더라도 소스에 인가된 고전위 전압(VH)에 의해 게이트-소스간 전압(Vgs)은 문턱 전압보다 낮으므로 상기 제1 풀 다운 스위칭소자(Tda)는 완전히 턴-오프된다. 따라서, 제1 및 제2 풀 다운 스위칭소자(Tda, Tdb)를 통한 출력단의 누설 전류를 방지할 수 있다.
도 21은 본 발명의 제 10 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도이다.
본 발명의 제 10 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성은, 도 20에서 설명한 본 발명의 제 9 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성에서, 상기 Q 세트부(QC)의 스위칭소자(T4)를 고전위 전압(VD)와 상기 Q 노드 사이에 서로 직렬 연결된 2개 스위칭소자(T4a, T4b)로 구성하고, 상기 클리어부(QCU1)의 제 3 클리어 스위칭소자(T3)가 상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 고전위 전압(VH)을 상기 2개의 스위칭소자(T4a, T4b)의 연결 로드에 공급하도록 한 것이다.
그리고, 나머지 구성은 도 20과 같다.
이와 같이 구성된 본 발명의 제 10 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성에 있도, 상술한 바와 같이, 상기 QB 노드가 하이 상태에서 로우 상태로 변화되고 상기 Q 노드가 로우 신호에서 하이 신호를 출력할 시점에, 상기 제 3 클리어 스위칭소자(T3)가 상기 Q 노드의 하이 상태에 따라 턴 온되어 상기 고전위 전압(VH)을 상기 2개의 스위칭소자(T4a, T4b)의 연결 노드에 공급한다.
이에 따라, 상기 스위칭소자(T4a, T4b)를 통한 Q 노드의 누설 전류를 방지할 수 있다.
도 22은 본 발명의 제 11 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성도이다.
본 발명의 제 11 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성은, 도 20에서 설명한 본 발명의 제 9 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성에서, 상기 제 6 스위칭소자(T13)를 형성하지 않고, 상기 클리어부(QCU1)의 제 3 클리어 스위칭소자(T3)가 상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴 오프되고 턴 온 시 상기 고전위 전압(VH)을 상기 2개의 풀 다운 스위칭소자(Tda, Tdb)의 연결 로드에 공급하도록 한 것이다.
그리고, 나머지 구성은 도 20과 같다.
이와 같이 구성된 본 발명의 제 11 실시예에 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성에 있어서도, 상술한 바와 같이, 상기 QB 노드가 하이 상태에서 로우 상태로 변화되고 상기 Q 노드가 로우 신호에서 하이 신호를 출력할 시점에, 상기 제 3 클리어 스위칭소자(T3)가 상기 Q 노드의 하이 상태에 따라 턴 온되어 상기 고전위 전압(VH)을 상기 2개의 풀 다운 스위칭소자(Tda, Tdb)의 연결 노드에 공급한다.
이에 따라, 상기 풀 다운 스위칭소자(Tda, Tdb)를 통한 출력단의 누설 전류를 방지할 수 있다.
한편, 상기의 실시예에서, 풀 다운 스위칭소자를 다르게 변경하거나, 또 다른 스위칭소자를 더 추가할 수 있다.
도 23은 본 발명에 따른 각 실시예 따른 OLED용 발광 제어 드라이버의 구체적인 회로 구성에서, 상기 풀 다운 스위칭소자(Td)의 다른 실시예의 회로 구성도이다.
즉, 상기 각 실시예의 풀 다운 스위칭소자(Td) 대신에, 상기 출력단(Vout)과 상기 저전위 전압(VL)단 사이에 직렬 연결되어 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온시 상기 저전위 전압(VL)을 상기 출력단으로 공급하는 제 1 및 제 2 풀 다운 스위칭소자(Tda, Tdb)와, 상기 Q 노드 또는 상기 출력단(Vout)의 전압에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온 시 상기 고전위 전압(VH)을 상기 제 1 및 제 2 풀 다운 스위칭소자(Tda, Tdb)의 연결 노드에 공급하는 제 3 풀 다운 스위칭소자(Tdc)를 구비하여 구성된다.
상기 각 실시예에서, 하나의 풀 다운 스위칭소자(Td)로 구성하고, 상기 풀 다운 스위칭소자(Td)의 문턱 전압이 음(-)의 방향으로 편향될 경우, 세트 기간에 상기 풀 다운 스위칭소자(Td)가 완전하게 턴 오프되지 않아, 상기 출력단의 전압이 누설되어 스캔 펄스가 출력되지 않을 수 있다.
그러나, 도 23과 같이 구성하면, 상기 제 1 및 제 2 풀 다운 스위칭소자(Tda, Tdb)의 문턱 전압이 음(-)의 방향으로 치우치게 되더라도, 상기 고전위 전압(VH)을 상기 2개의 풀 다운 스위칭소자(Tda, Tdb)의 연결 노드에 공급한다.
이에 따라, 상기 풀 다운 스위칭소자(Tda, Tdb)를 통한 출력단의 누설 전류를 방지할 수 있다.
또한, 도 24(a), 24(b), 24(c) 및 24(d)는 본 발명의 각 실시예에 더 추가할 수 있는 스위칭소자들의 구성도이다.
즉, 도 24(a)에 도시한 바와 같이, 상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)를 인가하는 제 7 스위칭소자(T9)를 더 구비할 수 있다.
이와 같이 구성하면, 상술한 바와 같이, 상기 QB 노드가 하이 상태에서 로우 상태로 변환됨을 촉진할 수 있다.
또한, 도 24(b)에 도시한 바와 같이, 상기 복수개의 클럭 신호(CLK1-CLK5) 중 어느 하나의 클럭 신호(CLKx)에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)를 인가하는 제 8 스위칭소자(T10)를 더 구비할 수 있다.
이와 같이 구성하면, 상술한 바와 같이, 상기 QB 노드가 하이 상태에서 로우 상태로 변환됨을 촉진할 수 있다.
또한, 도 24(c)에 도시한 바와 같이, 클럭 신호(CLK2)에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 턴 온시 상기 QB 노드에 방전용 전압(Vssa)를 인가하는 제 9 스위칭소자(T11)를 더 구비할 수 있다.
이와 같이 구성하면, 상술한 바와 같이, 상기 QB 노드가 하이 상태에서 로우 상태로 변환됨을 촉진할 수 있다.
또한, 도 24(d)에 도시한 바와 같이, 고전위 전압(Vdd or VH)에 의해 턴 온되는 제 10 스위칭소자(T12)를 임의의 노드에 추가할 수 있다.
이와 같이 구성하면, 스위칭소자의 소오스 전압과 드레인 전압을 나눌 수 있다.
상기 본 발명의 각 실시예에서 설명한 바와 같이, 발광 제어 드라이버를 구성하면, Q 노드 또는 출력단의 전하 누설에 의한 전압 강하가 억제되어 출력이 유지됨을 알 수 있다.
도 25는 도 15에 도시된 본 발명의 제 7 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도이다.
도 15에서, VH = 15V, Vdd = 15V, VL = -5V, Vss 및 Vssa = -5V의 조건으로 하고, 스위칭소자의 문턱 전압(Vth)가 -1V일 때의 시뮬레이션한 결과이다.
도 2에 비해, Q 노드 또는 출력단의 전하 누설에 의한 전압 강하가 억제되어 출력이 유지됨을 알 수 있다.
도 26은 도 15에 도시된 본 발명의 제 7 실시예에 따른 발광 제어 드라이버에서, Vss 및 Vssa = -10V의 조건으로 한 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도이다.
나머지 조건들은 도 25와 동일하다.
즉, Vss 또는 Vssa가 VL보다 더 낮으면 풀 업 스위칭소자(Tu)를 통한 누설을 억제하여 출력 전압의 안정성을 더욱 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 27는 도 20에 도시된 본 발명의 제 9 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도이다.
도 20에서, VH = 15V, Vdd = 15V, VL = -5V, Vss 및 Vssa = -5V의 조건으로 하고, 스위칭소자의 문턱 전압(Vth)가 -1V일 때의 시뮬레이션한 결과이다.
상기 제 9 스위칭소자(T13)를 통해 풀 다운 스위칭소자의 누설 전류를 억제할 수 있음을 알 수 있다.
도 28은 도 20에 도시된 본 발명의 제 9 실시예에 따른 발광 제어 드라이버에서, Vss 및 Vssa = -10V의 조건으로 한 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도이다.
나머지 조건들은 도 27과 동일하다.
마찬가지로, Vss 또는 Vssa가 VL보다 더 낮으면 풀 업 스위칭소자(Tu)를 통한 누설을 억제하여 출력 전압의 안정성을 더욱 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 29는 도 21에 도시된 본 발명의 제 10 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도이다.
도 21에서, VH = 15V, Vdd = 15V, VL = -5V, Vss 및 Vssa = -5V의 조건으로 하고, 스위칭소자의 문턱 전압(Vth)가 -1V일 때의 시뮬레이션한 결과이다.
상기 제 3 클리어 스위칭소자(T3)를 통해 세트부(QC)의 누설 전류를 억제할 수 있음을 알 수 있다.
도 30은 도 20에 도시된 본 발명의 제 10 실시예에 따른 발광 제어 드라이버에서, Vss 및 Vssa = -10V의 조건으로 한 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도이다.
나머지 조건들은 도 29와 동일하다.
마찬가지로, Vss 또는 Vssa가 VL보다 더 낮으면 풀 업 스위칭소자(Tu)를 통한 누설을 억제하여 출력 전압의 안정성을 더욱 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 31는 도 22에 도시된 본 발명의 제 11 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도이다.
도 22에서, VH = 15V, Vdd = 15V, VL = -5V, Vss 및 Vssa = -5V의 조건으로 하고, 스위칭소자의 문턱 전압(Vth)가 -1V일 때의 시뮬레이션한 결과이다.
상기 제 3 클리어 스위칭소자(T3)를 통해 풀 다운 스위칭소자의 누설 전류를 억제할 수 있음을 알 수 있다.
도 32는 도 13에 도시된 본 발명의 제 5 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 파형도이다.
도 13에서, VH = 15V, Vdd 및 Vps2a = 15V, VL = -5V, Vss 및 Vssa = -5V의 조건으로 하고, 스위칭소자의 문턱 전압(Vth)가 -1V일 때의 시뮬레이션한 결과이다.
마찬 가지로 누설 전류를 억제할 수 있음을 알 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
QC: 세트부 QBC: QB 조절부

Claims (19)

  1. Q 조절 신호에 따라 Q 세트 전압을 Q노드에 공급하는 적어도 하나의 Q 세트부;
    QB 조절 신호에 따라 QB 세트 전압을 QB 노드에 공급하는 적어도 하나의 QB 조절부;
    상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 제 1 고전위 전압을 출력단으로 출력하는 풀-업 수위칭소자;
    상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 저전위 전압을 출력단으로 출력하는 풀-다운 스위칭소자;
    상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 상기 Q 노드에 제 1 방전용 전압을 공급하여 상기 Q 노드를 방전시키는 Q 클리어부를 구비하고,
    상기 Q 클리어부는 상기 Q 노드와 상기 제 1 방전용 전압을 공급하는 제 1 방전용 전압단 사이에 직렬 연결되어 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 상기 Q 노드에 상기 제 1 방전용 전압을 공급하는 제1 및 제2 클리어 스위칭소자와,
    외부의 제어신호에 따라 옵셋 전압을 상기 제1 및 제2 클리어 스위칭소자의 연결 노드에 공급하는 제3 클리어 스위칭소자를 구비하여 구성되는 발광 제어 드라이버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 Q 세트부는 적어도 하나의 Q 조절 신호에 따라 상기 Q 세트 전압을 Q노드에 공급하고, 상기 각 QB 조절부도 적어도 하나의 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 세트 전압을 상기 QB 노드에 공급하는 발광 제어 드라이버.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 Q 조절 신호와 상기 QB 조절 신호가 서로 공유되고, 상기 Q 세트 전압와 상기 QB 세트 전압도 서로 공유되는 발광 제어 드라이버.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 Q 세트부는 복수개의 클럭 신호 중 제 1 클럭 신호에 따라 상기 Q 노드에 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 1 스위칭소자를 구비하고,
    상기 QB 조절부는 3개의 QB 조절부를 구비하고,
    제 1 QB 조절부는 상기 QB 노드와 제 2 고전위 전압단 사이에 직렬 연결되는 제 2 및 제 3 스위칭소자와, 상기 QB 노드와 상기 제 2 고전위 전압단 사이에 연결되는 제 4 스위칭소자를 구비하고, 상기 제 2 및 제 3 스위칭소자는 각각 제 1 및 제 2 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 노드에 상기 제 2 고전위 전압을 충전하고, 상기 제 4 스위칭소자는 제 3 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 노드에 상기 제 2 고전위 전압을 충전하며,
    제 2 QB 조절부는 상기 제 1 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 제 2 방전용 전압으로 방전하는 제 5 스위칭소자를 구비하고,
    상기 Q 클리어부의 상기 제 3 클리어 스위칭소자의 게이트 단자에는 상기 Q 노드의 전압이 인가되는 발광 제어 드라이버.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 4 스위칭소자는 제 3 QB 조절 신호 대신에 제 3 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드에 상기 제 2 고전위 전압 대신에 상기 제 3 QB 조절 신호를 충전하는 발광 제어 드라이버.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 3 스위칭소자는 제 2 QB 조절 신호 대신에 제 4 QB 조절 신호에 따라 턴 온 또는 턴 오프되는 발광 제어 드라이버.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 5 스위칭소자는 제 1 클럭 신호 대신에 제 2 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 제 2 방전용 전압으로 방전하고, 다른 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 방전하는 스위칭소자를 더 추가하는 발광 제어 드라이버.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 Q 세트부는 복수개의 클럭 신호 중 제 1 클럭 신호에 따라 상기 Q 노드에 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 1 스위칭소자를 구비하고,
    상기 QB 조절부는 2개의 QB 조절부를 구비하고,
    제 1 QB 조절부는 제 1 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 노드에 상기 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 2 스위칭소자와, 제 3 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 노드에 상기 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 4 스위칭소자를 구비하고,
    제 2 QB 조절부는 상기 제 1 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 제 2 방전용 전압으로 방전하는 제 5 스위칭소자를 구비하고,
    상기 Q 클리어부의 제 3 스위칭소자의 게이트 단자에는 상기 Q 노드의 전압이 인가되는 발광 제어 드라이버.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 4 스위칭소자는 제 3 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 노드에 상기 제 2 고전위 전압 대신에 제 2 QB 조절 신호를 충전하는 발광 제어 드라이버.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 Q 세트부는 복수개의 클럭 신호 중 제 1 클럭 신호에 따라 상기 Q 노드에 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 1 스위칭소자를 구비하고,
    상기 QB 조절부는 3개의 QB 조절부를 구비하고,
    제 1 QB 조절부는 제 1 QB 조절 신호에 따라 상기 QB 노드를 제 4 QB 조절 신호 전압으로 충전하는 제 2 스위칭소자를 구비하고,
    제 2 QB 조절부는 제 3 QB 조절 신호에 따라 상기 제 2 고전위 전압을 상기 QB 노드에 충전하는 제 4 스위칭소자를 구비하고,
    제 3 QB 조절부는 상기 제 1 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 제 2 방전용전압으로 방전하는 제 5 스위칭소자를 구비하고,
    상기 Q 클리어부의 제 3 스위칭소자의 게이트 단자에는 상기 Q 노드의 전압이 인가되는 발광 제어 드라이버.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 QB 조절부는 구성되지 않고,
    상기 Q 세트부는 제 1 클럭 신호에 따라 상기 Q 노드에 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 1 스위칭소자를 구비하는 발광 제어 드라이버.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 Q 세트부(QC)는 제 1 클럭 신호에 따라 상기 Q 노드에 제 2 고전위 전압을 충전하는 제 1 스위칭소자를 구비하고,
    상기 QB 조절부는 상기 제 1 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 제 2 방전용 전압으로 방전하는 제 5 스위칭소자를 구비하고,
    상기 QB 노드에는 제 1 QB 조절 신호가 직접 인가되는 발광 제어 드라이버.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 풀-다운 스위칭소자와 저전위 전압 단 사이에 상기 풀 다운 스위칭소자와 직렬 연결되어 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴오프되는 추가 풀 다운 스위칭소자와,
    상기 출력단의 논리 상태에 따라 상기 제 1 고전위 전압을 상기 풀 다운 스위칭소자 및 상기 추가 풀 다운 스위칭소자의 연결 로드에 공급하는 제 6 스위칭소자를 더 포함하는 발광 제어 드라이버.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 Q 세트부는 제 2 고전위 전압 단과 상기 Q 노드 사이에 서로 직렬 연결된 2개 스위칭소자를 구비하고, 상기 Q 클리어부의 제 3 클리어 스위칭소자를 통해 상기 제 1 고전위 전압이 상기 2개의 스위칭소자의 연결 로드에 공급되는 발광 제어 드라이버.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 풀-다운 스위칭소자와 저전위 전압 단 사이에 상기 풀 다운 스위칭소자와 직렬 연결되어 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 턴 온 또는 턴오프되는 추가 풀 다운 스위칭소자를 더 구비하고,
    상기 Q 클리어부의 제 3 클리어 스위칭소자를 통해 상기 제 1 고전위 전압이 상기 풀 다운 스위칭소자 및 상기 추가 풀 다운 스위칭소자의 연결 로드에 공급되는 발광 제어 드라이버.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 풀 다운 스위칭소자 대신에,
    상기 출력단과 저전위 전압 단 사이에 직렬 연결되어 상기 QB 노드의 논리 상태에 따라 상기 저전위 전압을 상기 출력단으로 공급하는 제 1 및 제 2 풀 다운 스위칭소자와,
    상기 Q 노드 또는 상기 출력단의 전압에 따라 상기 제 1 고전위 전압을 상기 제 1 및 제 2 풀 다운 스위칭소자의 연결 노드에 공급하는 제 3 풀 다운 스위칭소자를 구비하여 구성되는 발광 제어 드라이버.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 Q 노드의 논리 상태에 따라 상기 QB 노드를 방전용 전압으로 방전하는제 7 스위칭소자를 더 구비하는 발광 제어 드라이버.
  18. 제 1 항에 있어서,
    복수개의 클럭 신호 중 어느 하나의 클럭 신호에 따라 상기 QB 노드를 방전용 전압으로 방전시키는 제 8 스위칭소자를 더 구비하는 발광 제어 드라이버.
  19. 제 1 항에 있어서,
    임의의 노드에 연결되어 상기 제 1 또는 제 2 고전위 전압에 따라 턴 온 또는 턴 오프되는 제 9 스위칭소자를 더 구비하는 발광 제어 드라이버.
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US12347389B2 (en) * 2023-01-13 2025-07-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Driving circuit, driving module, driving method, display substrate and display device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102147645B1 (ko) * 2013-09-05 2020-08-27 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
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