WO2026070509A1 - Procédé de gravure et dispositif de traitement au plasma - Google Patents
Procédé de gravure et dispositif de traitement au plasmaInfo
- Publication number
- WO2026070509A1 WO2026070509A1 PCT/JP2025/032579 JP2025032579W WO2026070509A1 WO 2026070509 A1 WO2026070509 A1 WO 2026070509A1 JP 2025032579 W JP2025032579 W JP 2025032579W WO 2026070509 A1 WO2026070509 A1 WO 2026070509A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- region
- etching method
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
L'invention concerne, dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, un procédé de gravure qui comprend : (a) une étape consistant à fournir un substrat sur un support de substrat dans une chambre, le substrat comprenant une première région et une seconde région, la première région comprenant un premier matériau qui contient de l'azote et du silicium, la seconde région comprenant un second matériau qui est différent du premier matériau ; (b) une étape consistant à exposer le substrat à un premier gaz de traitement qui contient un gaz de fluorure d'hydrogène ; et (c) une étape consistant, après l'étape (b), à exposer le substrat à un plasma qui a été généré à partir d'un second gaz de traitement qui contient un gaz inerte, le plasma contenant des ions du gaz inerte.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024-168549 | 2024-09-27 | ||
| JP2024168549 | 2024-09-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2026070509A1 true WO2026070509A1 (fr) | 2026-04-02 |
Family
ID=99308294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2025/032579 Pending WO2026070509A1 (fr) | 2024-09-27 | 2025-09-16 | Procédé de gravure et dispositif de traitement au plasma |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| WO (1) | WO2026070509A1 (fr) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019012759A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
| JP2022084004A (ja) * | 2020-11-25 | 2022-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2023055335A (ja) * | 2021-10-06 | 2023-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
| WO2024134702A1 (fr) * | 2022-12-19 | 2024-06-27 | 株式会社日立ハイテク | Procédé de gravure |
-
2025
- 2025-09-16 WO PCT/JP2025/032579 patent/WO2026070509A1/fr active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019012759A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
| JP2022084004A (ja) * | 2020-11-25 | 2022-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2023055335A (ja) * | 2021-10-06 | 2023-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
| WO2024134702A1 (fr) * | 2022-12-19 | 2024-06-27 | 株式会社日立ハイテク | Procédé de gravure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5390846B2 (ja) | プラズマエッチング装置及びプラズマクリーニング方法 | |
| US7504040B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| CN105706216B (zh) | 用于利用气体脉冲进行深硅蚀刻的方法 | |
| US8129282B2 (en) | Plasma etching method and computer-readable storage medium | |
| KR101540816B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 플라즈마 에칭 장치 | |
| TW202316520A (zh) | 蝕刻方法及蝕刻裝置 | |
| WO2023008025A1 (fr) | Procédé de gravure, procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs, programme de gravure et dispositif de traitement au plasma | |
| US20250096006A1 (en) | Etching method and plasma processing apparatus | |
| JP7537845B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| TW201618156A (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
| JP7382848B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP7638371B2 (ja) | プラズマ処理装置及びrfシステム | |
| JP7632967B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| US20220068658A1 (en) | Substrate processing apparatus and plasma processing apparatus | |
| WO2026070509A1 (fr) | Procédé de gravure et dispositif de traitement au plasma | |
| JP2023053351A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US11328934B2 (en) | Etching method and substrate processing apparatus | |
| JP2023109497A (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP2023109496A (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP4865951B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| US12300467B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| WO2025028302A1 (fr) | Procédé de gravure et appareil de traitement au plasma | |
| WO2025028301A1 (fr) | Procédé de gravure et dispositif de traitement au plasma | |
| JP2024035702A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2024013628A (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |