KR101507132B1 - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device.

본 발명에 따른 발광 소자는 몸체와, 몸체 상에 실장되는 발광 칩과, 발광 칩으로부터 발생된 열을 방출하기 위해 열 전도성 물질이 첨가되고 발광 칩을 몸체에 접착하는 페이스트와, 발광 칩의 적어도 일부를 몰딩하는 몰딩부를 포함한다.The light emitting device according to the present invention includes a body, a light emitting chip mounted on the body, a paste to which a heat conductive material is added to emit heat generated from the light emitting chip and to bond the light emitting chip to the body, As shown in Fig.

본 발명에 의하면, 열 전도성 물질이 열전도도를 높여 발광 칩으로부터 발생된 열의 방출을 용이하게 하여 발광 소자의 신뢰성을 상당히 개선할 수 있다.According to the present invention, the thermal conductivity enhances the thermal conductivity, facilitating the release of heat generated from the light emitting chip, thereby significantly improving the reliability of the light emitting device.

LED, 페이스트, 접착, 열 방출, 다이아몬드 분말, 신뢰성 LED, paste, adhesion, heat release, diamond powder, reliability

Description

발광 소자{Light emitting device}[0001]

본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 특히 열 전도성 물질이 첨가된 페이스트를 이용하여 발광 칩을 접착하는 발광 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device for bonding a light emitting chip using a paste to which a thermally conductive material is added.

발광 소자(Light Emitting Device; LED)는 전류 인가에 의해 P-N 반도체 접합(P-N junction)에서 전자와 정공이 만나 빛을 발하는 소자를 지칭한다. 이러한 발광 소자는 기존의 전구 또는 형광등에 비하여 소모 전력이 작고 수명이 수 내지 수십배에 이르러, 소모 전력의 절감과 내구성 측면에서 월등하다.A light emitting device (LED) refers to a device in which electrons and holes meet at a P-N junction (P-N junction) by applying a current and emit light. Such a light emitting device consumes less power and has a lifetime of several to several tens of times that of a conventional bulb or a fluorescent lamp, and is superior in terms of power consumption and durability.

일반적으로 발광 소자는 화합물 반도체인 발광 칩을 하우징의 일면에 접착한 후 발광 칩의 전극을 하우징 상의 리드에 와이어 본딩하고 발광 칩을 몰딩함으로써 제작된다. 발광 칩을 하우징에 접착하기 위해 종래에는 주로 에폭시를 페이스트(paste)로 이용하였다.Generally, a light emitting device is manufactured by bonding a light emitting chip, which is a compound semiconductor, to one surface of a housing, wire bonding the electrode of the light emitting chip to the lead on the housing, and molding the light emitting chip. In order to adhere the light emitting chip to the housing, epoxy was mainly used as a paste in the past.

이러한 발광 소자는 전류가 인가되면 발광 칩이 발광하는 동시에 열이 발생하게 된다. 그런데, 에폭시 수지 페이스트는 이러한 열을 방출하는데 한계가 있고, 발광 칩의 열에 의해 열화되어 크랙이 발생하는 등 손상될 수 있다. 따라서, 발광 칩이 하우징으로부터 떨어지는 현상이 발생될 수 있어 발광 소자의 신뢰성이 저하될 수 있다.In such a light emitting device, when a current is applied, the light emitting chip emits light while generating heat. However, the epoxy resin paste has a limitation in releasing such heat, and may be damaged, such as being cracked due to heat of the light emitting chip. Accordingly, the phenomenon that the light emitting chip is separated from the housing may occur, and the reliability of the light emitting device may be deteriorated.

본 발명은 페이스트의 열 방출 특성을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공한다.The present invention provides a light emitting device capable of improving heat dissipation characteristics of a paste.

본 발명은 열 전도성 물질을 첨가한 페이스트를 이용하여 열 방출 특성을 향상시킬 수 있어 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공한다.The present invention provides a light emitting device capable of improving heat dissipation characteristics by using a paste to which a thermally conductive material is added, thereby improving reliability.

본 발명의 일 양태에 따른 발광 소자는 몸체; 상기 몸체 상에 실장되는 발광 칩; 상기 발광 칩으로부터 발생된 열을 방출하기 위해 열 전도성 물질이 첨가되고 상기 발광 칩을 상기 몸체에 접착하는 페이스트; 및 상기 발광 칩의 적어도 일부를 몰딩하는 몰딩부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device comprising: a body; A light emitting chip mounted on the body; A paste to which a thermally conductive material is added to emit heat generated from the light emitting chip and to adhere the light emitting chip to the body; And a molding part for molding at least a part of the light emitting chip.

상기 열 전도성 물질은 다이아몬드 분말 또는 사파이어 분말이고, 상기 열 전도성 물질은 분말 사이즈가 100㎚ 내지 2㎛이며, 상기 페이스트에 20wt% 이하의 양으로 첨가된다.The thermally conductive material is a diamond powder or a sapphire powder, and the thermally conductive material has a powder size of 100 nm to 2 탆 and is added to the paste in an amount of 20 wt% or less.

상기 열 전도성 물질이 첨가된 페이스트에 반사 물질이 더 첨가되고, 상기 반사 물질은 TiO2, Ag, Al를 포함한다. 상기 열 전도성 물질 및 상기 반사 물질은 상기 페이스트에 20wt% 이하의 양으로 첨가된다.A reflective material is further added to the paste to which the thermally conductive material is added, and the reflective material includes TiO 2 , Ag, and Al. The thermally conductive material and the reflective material are added to the paste in an amount of 20 wt% or less.

상기 몸체 일면에 노출되며, 상기 몸체의 외부로 노출된 리드; 및 상기 발광 칩과 상기 리드를 연결하는 배선를 더 포함한다.A lead exposed on one side of the body and exposed to the outside of the body; And a wiring connecting the light emitting chip and the lead.

상기 몸체는 적어도 하나의 리드를 더 포함하며, 상기 발광 칩은 상기 적어도 하나의 리드 상에 실장된다.The body further includes at least one lead, and the light emitting chip is mounted on the at least one lead.

본 발명은 열 전도성 물질, 예를들어 다이아몬드 분말을 첨가한 페이스트를 이용하여 발광 칩을 몸체에 접착하여 발광 소자를 제조한다. 다이아몬드 분말은 열전도도를 높여 발광 칩으로부터 발생된 열이 리드를 통한 방출을 용이하게 한다.A light emitting device is manufactured by bonding a light emitting chip to a body using a paste to which a thermally conductive material, for example, diamond powder, is added. The diamond powder increases the thermal conductivity to facilitate the heat generated from the light emitting chip through the leads.

따라서, 에폭시 수지 페이스트만을 이용하는 종래 경우에 비해 발광 소자의 신뢰성을 상당히 개선할 수 있다.Therefore, the reliability of the light emitting device can be significantly improved as compared with the conventional case using only the epoxy resin paste.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of other various forms of implementation, and that these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know completely. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 단면도이고, 도 2는 발광 소자에 이용되는 발광 칩의 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a light emitting chip used in a light emitting device.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자는 하우징(100)과, 하우징(100)의 내측에서 노출되며 외측으로 돌출 형성된 리드(110)와, 광을 방출하기 위한 발광 칩(120)과, 발광 칩(120)을 하우징(100)상에 접착하기 위한 페이스트(130)와, 발광 칩(120)을 리드(110)와 전기적으로 연결하기 위한 배선(140)과, 발광 칩(120)을 봉지하기 위한 몰딩부(150)를 포함한다. 여기서, 하우징(100) 이외에 발광 칩(120)이 접착되는 슬러그, 기판 또는 몰드 컵 등의 몸체를 이용할 수 있는데, 이하에서는 하우징(100)을 예를들어 설명한다.Referring to FIG. 1, a light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a housing 100, a lead 110 exposed outward from the inside of the housing 100 and protruding outwardly, a light emitting chip A paste 130 for bonding the light emitting chip 120 to the housing 100 and a wiring 140 for electrically connecting the light emitting chip 120 to the lid 110, And a molding part 150 for sealing the upper and lower molds 120 and 120. Here, the housing 100 may be a body such as a slug, a substrate, or a mold cup to which the light emitting chip 120 is adhered in addition to the housing 100. Hereinafter, the housing 100 will be described as an example.

하우징(100)은 발광 소자의 전체 구조를 지지하며 보호하기 위한 몸체로서, 폴리프탈아미드(Poly Phthal Amid; PPA) 또는 액정 고분자 수지(Liquid Crystal Polymer; LCP) 등과 같은 전기 절연성 물질로 제작될 수 있다. 전기 절연성 물질로 제작된 하우징(100)은 하우징(100)의 내측에서 노출되며 외측으로 돌출 형성된 제 1 리드(110a)와 제 2 리드(110b)를 지지하면서 전기적으로 단락시킨다. 본 실시 예에서 하우징(100)은 평평한 기저부(100a)와, 기저부(100a)의 가장자리에서 수직 연장된 측부(100b)를 포함한다. 또한, 발광 칩(120)은 하우징(100)의 기저부(100a)에 접착될 수 있고, 일 리드(110)에 접착될 수도 있다.The housing 100 is a body for supporting and protecting the entire structure of the light emitting device and may be made of an electrically insulating material such as polyphthalamide (PPA) or liquid crystal polymer (LCP) . The housing 100, which is made of an electrically insulating material, is short-circuited while supporting the first lead 110a and the second lead 110b, which are exposed from the inside of the housing 100 and protruded outward. In this embodiment, the housing 100 includes a flat base portion 100a and a side portion 100b extending vertically from the edge of the base portion 100a. The light emitting chip 120 may be bonded to the base portion 100a of the housing 100 and may be bonded to the lead 110. [

리드(110a 및 110b; 110)는 발광 칩(120)에 외부 전원을 인가하기 위한 것으로, 하우징(100)의 일측 및 타측에 각각 형성된 제 1 및 제 2 리드(110a 및 110b)를 포함한다. 이때, 제 1 및 제 2 리드(110a 및 110b)의 일부분은 하우징(100)의 내측에서 노출되며, 나머지 일부분은 하우징(100) 외측에 돌출되어 외부 전원을 인가받을 수 있도록 형성된다.The leads 110a and 110b are for applying external power to the light emitting chip 120 and include first and second leads 110a and 110b formed on one side and the other side of the housing 100, respectively. At this time, a part of the first and second leads 110a and 110b is exposed inside the housing 100, and the remaining part is protruded to the outside of the housing 100 to receive external power.

발광 칩(120)은 P-N 접합 구조를 갖는 화합물 반도체 적층 구조로서, 소수 캐리어(전자 또는 정공)들의 재결합에 의하여 발광되는 현상을 이용한다. 발광칩(120)은 제 1 및 제 2 반도체층과 제 1 및 제 2 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함할 수 있고, 제 1 및 제 2 반도체층은 각각 N형 반도체층 및 P형 반도체층일 수 있다. 예를들어 발광 칩(120)은 도 2에 도시된 바와 같이 기판(121) 상부에 순차적으로 형성된 버퍼층(122), N형 반도체층(123), 활성층(124), P형 반도체층(125) 및 투명 전극(126)과, N형 반도체층(123) 상부에 형성된 제 1 전극(127) 및 P형 반도체층(125) 상부에 형성된 제 2 전극(128)을 포함할 수 있다. 버퍼층(122)은 반도체 재료인 GaN 또는 AlN를 이용하여 형성하며, N형 반도체층(123)은 활성층(124)에 전자를 주입하며 N형 불순물이 도핑된 반도체, 예를들어 GaN을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 활성층(124)은 소정의 밴드 갭을 가지며 양자 우물이 만들어져 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, 예를들어 InGaN을 이용하여 형성할 수 있으며, 양자 우물층과 장벽층이 교대로 적층 형성된 다층 구조로 형성할 수 있다. 이때, 활성층(124)을 이루는 물질의 종류에 따라 전자 및 홀이 결합하여 발생하는 발광 파장이 변화되므로 목표로 하는 파장에 따라 활성층(124)에 포함되는 반도체 재료를 조절하는 것이 바람직하다. 그리고, P형 반도체층(125)은 활성층(124)에 홀을 주입하며 P형 불순물이 주입된 반도체, 예를들어 GaN을 이용하여 형성할 수 있다. 투명 전극(126)은 투명 도전성 물질, 예를들어 ITO, IZO, ZnO, MgO 등을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 제 1 전극(127) 및 제 2 전극(128)은 Cr, Au, Al 등의 금속 물질을 이용하여 단일층 또는 다층으로 형성할 수 있다. 제 1 전극(127)은 투명 전극(126), P형 반도체층(125) 및 활성층(124)의 소정 영역이 식각되어 노출된 N형 반도체층(123)의 상부에 형성된다. 또한, 제 2 전극(128)은 투명 전극(126) 상부에 P형 반도체층(125)과 접촉되도록 형성된다. 그런데, N형 반도체층(123), 활성층(124) 및 P형 반도체층(125)은 상기 물질에 한정되지 않고 다양한 반도체 물질을 이용하여 형성할 수 있다.The light emitting chip 120 is a compound semiconductor laminated structure having a P-N junction structure and utilizes a phenomenon in which light is emitted by recombination of minority carriers (electrons or holes). The light emitting chip 120 may include an active layer formed between the first and second semiconductor layers and the first and second semiconductor layers, and the first and second semiconductor layers may be an N-type semiconductor layer and a P- have. For example, the light emitting chip 120 includes a buffer layer 122, an N-type semiconductor layer 123, an active layer 124, a P-type semiconductor layer 125, and a buffer layer 122 sequentially formed on a substrate 121, A first electrode 127 formed on the N-type semiconductor layer 123 and a second electrode 128 formed on the P-type semiconductor layer 125. The buffer layer 122 is formed using GaN or AlN which is a semiconductor material. The N-type semiconductor layer 123 is formed by injecting electrons into the active layer 124 and using a semiconductor doped with an N-type impurity, for example, GaN can do. The active layer 124 has a predetermined bandgap and is a region where quantum wells are recombined to recombine electrons and holes. For example, the active layer 124 can be formed using InGaN, and a multi-layered structure in which quantum well layers and barrier layers are alternately stacked Structure. At this time, depending on the kind of the material of the active layer 124, the emission wavelength generated by the combination of electrons and holes is changed. Therefore, it is preferable to control the semiconductor material included in the active layer 124 according to a target wavelength. The P-type semiconductor layer 125 may be formed using a semiconductor into which the P-type impurity is injected, for example, GaN, by injecting holes into the active layer 124. The transparent electrode 126 may be formed using a transparent conductive material, for example, ITO, IZO, ZnO, MgO, or the like. The first electrode 127 and the second electrode 128 may be formed of a single layer or a multilayer using a metal material such as Cr, Au, or Al. The first electrode 127 is formed on the exposed N-type semiconductor layer 123 by etching a predetermined region of the transparent electrode 126, the P-type semiconductor layer 125, and the active layer 124. The second electrode 128 is formed in contact with the P-type semiconductor layer 125 on the transparent electrode 126. However, the N-type semiconductor layer 123, the active layer 124, and the P-type semiconductor layer 125 are not limited to the above materials, but may be formed using various semiconductor materials.

페이스트(130)는 발광 칩(120)을 하우징(100) 상에 접착하기 위해 형성한다. 페이스트(130)는 일 리드(120), 예를들어 제 1 리드(120a) 상에 형성하는 것이 바람직하다. 이는 발광 칩(120)으로부터 발생된 열을 리드(120)를 통해 외부로 방출시키기 위함이다. 또한, 페이스트(130)는 제 1 및 제 2 리드(120a 및 120b) 사이의 하우징(100)의 기저부(100a) 상에 형성될 수도 있다. 그런데, 이 경우에는 하우징(100)만으로 열 방출이 용이하지 않기 때문에 하우징(100) 내에 방열 구조, 예를들어 방열판 또는 방열 슬러그 등을 형성하는 것이 바람직하다. 페이스트(130)는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등을 이용할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 페이스트(130)는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등에 열 전도성 물질(131)이 첨가된다. 열 전도성 물질(131)은 다이아몬드 분말, 사파이어 분말 등이 이용될 수 있다. 특히 사파이어는 열 방출 뿐만 아니라 광 반사 특성도 갖는다. 이러한 열 전도성 물질(131)은 분말 사이즈가 100㎚∼2㎛인 것이 바람직한데, 분말 사이즈가 2㎛ 이상이 되면 열이 고르게 분산되지 않게 된다. 또한, 열 전도성 물질(131)은 페이스트(130)에 20wt% 이하의 양으로 첨가되는 것이 바람직한데, 첨가량이 많으면 페이스트(130)의 접착력이 떨어지게 된다. 한편, 열 전도성 물질(131)은 페이스트(130) 내에 고르게 분포하는 것이 바람직한데, 이를 위해 하우징(100)을 뒤집어서 페이스 트(130)를 경화시킨다. 이렇게 하우징(100)을 뒤집어서 경화시키면 열 전도성 물질(131)이 발광 칩(120)과의 경계면에 집중하여 분포하게 된다. 또한, 이러한 열 전도성 물질(131) 이외에 반사 물질을 페이스트(130)에 더 첨가할 수 있는데, 반사 물질은 TiO2, Ag, Al 등을 포함한다. 이렇게 열 전도성 물질(131) 이외에 반사 물질이 더 첨가되더라고 페이스트(130)에 전체 양이 20wt% 이하로 첨가되도록 한다.The paste 130 is formed to adhere the light emitting chip 120 on the housing 100. The paste 130 is preferably formed on the first lead 120, for example, the first lead 120a. This is for emitting the heat generated from the light emitting chip 120 through the lead 120 to the outside. In addition, the paste 130 may be formed on the base portion 100a of the housing 100 between the first and second leads 120a and 120b. In this case, it is preferable that a heat dissipation structure, for example, a heat dissipation plate, a heat dissipation slug, or the like is formed in the housing 100 because heat dissipation is not easily performed only by the housing 100. As the paste 130, an epoxy resin, a silicone resin, or the like can be used. In addition, the paste 130 according to the present invention is doped with a thermally conductive material 131 such as an epoxy resin or a silicone resin. The thermally conductive material 131 may be diamond powder, sapphire powder, or the like. Especially, sapphire has not only heat emission but also light reflection property. The thermally conductive material 131 preferably has a powder size of 100 nm to 2 占 퐉. When the powder size is 2 占 퐉 or more, heat is not uniformly dispersed. It is preferable that the thermally conductive material 131 is added to the paste 130 in an amount of 20 wt% or less. If the amount of the thermally conductive material 131 is too much, the adhesive strength of the paste 130 is decreased. On the other hand, it is preferable that the thermally conductive material 131 is uniformly distributed in the paste 130. To this end, the housing 100 is turned upside down to harden the paste 130. When the housing 100 is turned upside down and cured, the thermally conductive material 131 is concentrated on the interface with the light emitting chip 120. Further, in addition to the thermally conductive material 131, a reflective material may be further added to the paste 130, and the reflective material includes TiO 2 , Ag, Al, and the like. In this way, the total amount of the paste 130 is less than 20 wt% so that the reflective material is added in addition to the thermally conductive material 131.

배선(140a 및 140b; 140)은 발광 칩(120)과 리드(110)를 전기적으로 연결한다. 배선(140)은 와이어 접합 공정 등을 통해 금(Au) 또는 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있다. 제 1 배선(140a)은 발광 칩(120)의 제 1 전극(127)과 제 1 리드(110a)를 전기적으로 연결하고, 제 2 배선(140b)은 발광 칩(120)의 제 2 전극(128)과 제 2 리드(110b)을 전기적으로 연결한다. 물론 제 1 배선(140a)이 제 2 전극(128)과 제 2 리드(110b)를 연결하고, 제 2 배선(140b)이 제 1 전극(127)과 제 1 리드(110a)를 연결할 수도 있다.The wirings 140a and 140b electrically connect the light emitting chip 120 and the lead 110. [ The wiring 140 may be formed of gold (Au) or aluminum (Al) through a wire bonding process or the like. The first wiring 140a electrically connects the first electrode 127 of the light emitting chip 120 and the first lead 110a and the second wiring 140b electrically connects the second electrode 128 of the light emitting chip 120 And the second lead 110b are electrically connected to each other. Of course, the first wiring 140a may connect the second electrode 128 and the second lead 110b, and the second wiring 140b may connect the first electrode 127 and the first lead 110a.

몰딩부(150)는 발광 칩(120)을 봉지하고 발광 칩(120)과 연결된 배선(140)을 고정시키는 역할 뿐만 아니라 발광 칩(120)에서 발생되는 광을 모아주는 렌즈 역할도 하게 된다. 이러한 몰딩부(150)는 발광 칩(120)에서 발생된 광을 외부로 투과시켜야 하므로, 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등과 같은 투명 수지로 형성된다. 이때, 몰딩부(150) 내부에 발광 칩(120)으로부터 방출된 광을 산란에 의해 확산시킴으로써 균일하게 발광시키기 위한 확산제(미도시)가 더 포함될 수 있다. 확산제로는 BaTiO3, TiO2, Al2O3, SiO2 등이 사용될 수 있다. 또한, 몰딩부(150) 내부에는 형 광체(미도시)를 더 포함할 수 있다. 형광체는 발광 칩(120)으로부터 발생된 광의 일부를 흡수하여 흡수된 광과 상이한 파장의 광을 방출하며, 임자결정(Host Lattice)의 적절한 위치에 불순물이 혼입된 활성 이온으로 구성된다. 활성 이온은 발광 과정에 관여하는 에너지 준위를 결정함으로써 발광색을 결정하며, 그 발광색은 결정 구조 내에서 활성 이온이 갖는 기저 상태와 여기 상태의 에너지 차(Energy Gap)에 의해 결정된다.The molding part 150 functions not only to seal the light emitting chip 120 and fix the wiring 140 connected to the light emitting chip 120 but also to collect light generated from the light emitting chip 120. The molding part 150 is formed of a transparent resin such as an epoxy resin or a silicone resin since the light generated from the light emitting chip 120 must be transmitted to the outside. In this case, a diffusion agent (not shown) may be further included in the molding part 150 to diffuse the light emitted from the light emitting chip 120 by scattering to uniformly emit light. As the diffusion agent, BaTiO 3 , TiO 2 , Al 2 O 3 , SiO 2 and the like can be used. In addition, the molding part 150 may further include a mold body (not shown). The phosphor absorbs a part of the light generated from the light emitting chip 120 to emit light having a wavelength different from that of the absorbed light, and is composed of an active ion doped with impurities at a proper position of the host lattice. The active ion determines the emission color by determining the energy level involved in the emission process, and the emission color is determined by the energy gap of the base state and the excited state of the active ion in the crystal structure.

도 3(a) 내지 도 3(c)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.3 (a) to 3 (c) are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 3(a)를 참조하면, 제 1 및 제 2 리드(110a 및 110b)가 형성된 하우징(100)을 제작한다. 하우징(100)은 폴리프탈아미드(Poly Phthal Amid; PPA) 또는 액정 고분자 수지(Liquid Crystal Polymer; LCP) 등과 같은 전기 절연성 물질을 액체 상태로 하여 소정의 틀을 이용한 성형 공정으로 제작할 수 있다. 즉, 서로 소정 간격 이격되고 소정 형상을 갖는 제 1 및 제 2 리드(110a 및 110b)를 별도의 프레스 공정에 의해 형성하고, 하우징(100)이 제 1 및 제 2 리드(110a 및 110b)를 지지 고정할 수 있도록 소정의 틀에 제 1 및 제 2 리드(110a 및 110b)를 삽입하고 액체 상태의 수지를 틀에 주입 및 경화시켜 하우징(100)을 제작한다. 이때, 기저부(100a) 상부에 제 1 및 제 2 리드(110a 및 110b)가 서로 이격되어 위치하고, 제 1 및 제 2 리드(110a 및 110b)의 일부분이 노출되도록 측부(100b)가 기저부(100a)의 가장자리에서 상향 연장 형성되도록 할 수 있으며, 기저부(100a)와 측부(100b) 는 삽입 몰딩(injection molding) 방법에 의하여 일체로 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3 (a), the housing 100 having the first and second leads 110a and 110b is manufactured. The housing 100 can be manufactured by a molding process using a predetermined mold by making an electrically insulating material such as polyphthalamide (PPA) or liquid crystal polymer (LCP) liquid into a liquid state. That is, the first and second leads 110a and 110b, which are separated from each other by a predetermined distance and have a predetermined shape, are formed by a separate pressing process, and the housing 100 supports the first and second leads 110a and 110b The first and second leads 110a and 110b are inserted into a predetermined mold so as to be fixed, and the liquid 100 is injected into the mold and cured to manufacture the housing 100. [ At this time, the first and second leads 110a and 110b are spaced apart from each other on the base portion 100a and the side portion 100b is formed on the base portion 100a so that a portion of the first and second leads 110a and 110b is exposed. And the base portion 100a and the side portion 100b may be integrally formed by an injection molding method.

도 3(b)를 참조하면, 일 리드(110), 예를들어 제 1 리드(110a) 상부에 열 전도성 물질(131)이 첨가된 페이스트(130)를 도포하여 발광 칩(120)을 접착시킨다. 페이스트(130)는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등을 이용할 수 있으며, 열 전도성 물질(131) 이외에 반사 물질이 더 첨가될 수 있다. 또한, 발광 칩(120)과 페이스트(130)의 경계면에 열 전도성 물질(130)을 집중시켜 열 전도성 물질(130)을 고르게 분산시키기 위해 하우징(100)을 뒤집어서 페이스트(130)를 경화시키는 것이 바람직하다. 한편, 발광 칩(120)은 기판 상에 복수의 반도체층, 예를들어 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층이 적층되어 형성된다. 발광 칩(120)의 복수의 반도체층은 증착 및 성장 방법으로 형성하는데, 유기금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 플라즈마 화학 증착법(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition, PCVD), 분자선 성장법(Molecular Beam Epitaxy, MBE), 수소화물 기상 성장법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 등을 포함한 다양한 방법으로 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3B, the light emitting chip 120 is bonded by applying a paste 130 to which a thermally conductive material 131 is added on a lead 110, for example, a first lead 110a . The paste 130 may be made of an epoxy resin or a silicone resin, and a reflective material other than the thermally conductive material 131 may be further added. In order to uniformly distribute the thermally conductive material 130 by concentrating the thermally conductive material 130 on the interface between the light emitting chip 120 and the paste 130, it is preferable to invert the housing 100 to harden the paste 130 Do. On the other hand, the light emitting chip 120 is formed by stacking a plurality of semiconductor layers, for example, an N-type semiconductor layer, an active layer, and a P-type semiconductor layer on a substrate. The plurality of semiconductor layers of the light emitting chip 120 are formed by a deposition and growth method. The semiconductor layers may be formed by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma- Chemical Vapor Deposition (PCVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), and the like.

도 3(c)를 참조하면, 배선(140)을 형성하여 발광 칩(120)과 리드(110)를 전기적으로 연결한다. 즉, 발광 칩(120)의 제 1 전극과 제 1 리드(110a)가 전기적으로 연결되도록 제 1 배선(140a)을 형성하고, 발광 칩(120)의 제 2 전극과 제 2 리드(110b)가 전기적으로 연결되도록 제 2 배선(140b)을 형성한다. 배선(140)은 연성 및 전기 전도도가 우수한 금속, 예를들어 Au, Ag 또는 Al 등을 와이어 접합 공정을 통해 형성한다. 그리고, 발광 칩(120)과 배선(140)을 봉지하여 보호하기 위한 몰딩 부(150)를 형성한다. 몰딩부(150)는 캐스팅 몰드 방식, 트랜스퍼 몰드 방식 등으로 형성한다. 예를들어 캐스팅 몰드 방식은 발광 칩이 실장된 기저부에 별도의 성형틀을 밀착시키고, 성형틀 내부에 액상 수지를 주입하여 몰딩부(150)를 형성한다.Referring to FIG. 3 (c), a wiring 140 is formed to electrically connect the light emitting chip 120 and the lead 110. That is, the first wiring 140a is formed so that the first electrode of the light emitting chip 120 is electrically connected to the first lead 110a, and the second electrode of the light emitting chip 120 and the second lead 110b And the second wiring 140b is formed to be electrically connected. The wiring 140 forms a metal having excellent ductility and electrical conductivity, such as Au, Ag, or Al, through a wire bonding process. The molding part 150 for sealing and protecting the light emitting chip 120 and the wiring 140 is formed. The molding part 150 is formed by a casting mold method, a transfer mold method, or the like. For example, in the casting mold method, a separate molding die is closely attached to the base portion on which the light emitting chip is mounted, and the molding resin 150 is formed by injecting the liquid resin into the molding die.

한편, 상기 실시 예에서는 하우징(100)에 발광 칩(120)이 실장되는 것을 예시하였으나, 다양한 실장 구조에 적용될 수 있다. 즉, 상기한 바와 같이 슬러그, 기판 및 몰드컵등 다양한 몸체에 적용될 수 있다.In the above embodiment, the light emitting chip 120 is mounted on the housing 100, but the present invention can be applied to various mounting structures. That is, as described above, the present invention can be applied to various bodies such as a slug, a substrate, and a mold cup.

또한, 본 발명은 사이드 뷰(side view), 탑뷰(top view) 및 파워(power) 발광 소자 등에 적용될 수 있다.In addition, the present invention can be applied to a side view, a top view, and a power light emitting device.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 칩의 단면도.2 is a cross-sectional view of a light emitting chip according to an embodiment of the present invention;

도 3(a) 내지 도 3(c)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.3 (a) to 3 (c) are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

100 : 하우징 110 : 리드100: housing 110: lead

120 : 발광 칩 130 : 페이스트120: light emitting chip 130: paste

131 : 열 전도성 물질 140 : 배선131: thermally conductive material 140: wiring

150 : 몰딩부150: Molding part

Claims (9)

몸체;Body; 상기 몸체 상에 실장되는 발광 칩;A light emitting chip mounted on the body; 상기 발광 칩으로부터 발생된 열을 방출하기 위해 열 전도성 물질이 첨가되며, 상기 발광 칩을 상기 몸체에 접착하는 페이스트; 및A paste to which a thermally conductive material is added to emit heat generated from the light emitting chip and to adhere the light emitting chip to the body; And 상기 발광 칩의 적어도 일부를 몰딩하는 몰딩부를 포함하고,And a molding part for molding at least a part of the light emitting chip, 상기 열 전도성 물질은 상기 발광 칩과 상기 페이스트의 경계면에 집중적으로 위치하는 발광 소자.Wherein the thermally conductive material is concentrated on an interface between the light emitting chip and the paste. 제 1 항에 있어서, 상기 열 전도성 물질은 다이아몬드 분말 또는 사파이어 분말인 발광 소자.The light emitting device according to claim 1, wherein the thermally conductive material is a diamond powder or a sapphire powder. 제 2 항에 있어서, 상기 열 전도성 물질은 분말 사이즈가 100㎚ 내지 2㎛인 발광 소자.The light emitting device according to claim 2, wherein the thermally conductive material has a powder size of 100 nm to 2 占 퐉. 제 2 항에 있어서, 상기 열 전도성 물질은 상기 페이스트에 20wt% 이하의 양으로 첨가되는 발광 소자.The light emitting device according to claim 2, wherein the thermally conductive material is added to the paste in an amount of 20 wt% or less. 제 1 항에 있어서, 상기 열 전도성 물질이 첨가된 페이스트에 반사 물질이 더 첨가되는 발광 소자.The light emitting device according to claim 1, wherein a reflective material is further added to the paste to which the thermally conductive material is added. 제 5 항에 있어서, 상기 반사 물질은 TiO2, Ag, Al를 포함하는 발광 소자.The light emitting device of claim 5, wherein the reflective material comprises TiO 2 , Ag, and Al. 제 5 항에 있어서, 상기 열 전도성 물질 및 상기 반사 물질은 상기 페이스트에 20wt% 이하의 양으로 첨가되는 발광 소자.The light emitting device according to claim 5, wherein the thermally conductive material and the reflective material are added to the paste in an amount of 20 wt% or less. 제 1 항에 있어서, 상기 몸체 일면에 노출되며, 상기 몸체의 외부로 노출된 리드; 및[2] The apparatus of claim 1, further comprising: a lead exposed on one side of the body and exposed to the outside of the body; And 상기 발광 칩과 상기 리드를 연결하는 배선를 더 포함하는 발광 소자.And a wiring connecting the light emitting chip and the lead. 제 1 항에 있어서, 상기 몸체는 적어도 하나의 리드를 더 포함하며, 상기 발광 칩은 상기 적어도 하나의 리드 상에 실장되는 발광 소자.The light emitting device of claim 1, wherein the body further comprises at least one lead, and the light emitting chip is mounted on the at least one lead.
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