JPH11214572A - Method for producing double-sided metal foil-clad multilayer board with metal core - Google Patents
Method for producing double-sided metal foil-clad multilayer board with metal coreInfo
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- JPH11214572A JPH11214572A JP10015893A JP1589398A JPH11214572A JP H11214572 A JPH11214572 A JP H11214572A JP 10015893 A JP10015893 A JP 10015893A JP 1589398 A JP1589398 A JP 1589398A JP H11214572 A JPH11214572 A JP H11214572A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱性、吸湿後の耐熱性などに優れた多層半
導体プラスチックパッケージ用両面金属箔張積層板を得
る。
【解決手段】 金属芯入り両面金属箔張積層板を用いる
ボールグリッドアレイの多層半導体プラスチックパッケ
ージであって、該金属芯の一部が表面の一部に露出して
おり、この上に固定された半導体チップと、その周囲の
回路導体がワイヤボンディングで接続されており、表裏
の回路が金属芯とスルーホールで接続されており、半導
体チップ部が樹脂封止されてなる半導体プラスチックパ
ッケージとする。
【効果】 放熱性、吸湿後の耐熱性などに優れ、多量生
産性にも適した新規な構造の多層半導体プラスチックパ
ッケージを得ることができた。(57) [Problem] To provide a double-sided metal foil-clad laminate for a multilayer semiconductor plastic package excellent in heat dissipation, heat resistance after moisture absorption and the like. SOLUTION: This is a multilayer semiconductor plastic package of a ball grid array using a double-sided metal foil-clad laminate containing a metal core, wherein a part of the metal core is exposed on a part of the surface and is fixed thereon. A semiconductor plastic package in which a semiconductor chip and its surrounding circuit conductors are connected by wire bonding, front and back circuits are connected to a metal core by through holes, and the semiconductor chip portion is resin-sealed. [Effect] A multi-layer semiconductor plastic package having a novel structure that is excellent in heat dissipation and heat resistance after moisture absorption and is suitable for mass productivity can be obtained.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを小
型プリント配線板に搭載した形の、新規な半導体プラス
チックパッケージに使用する両面金属箔張多層板の製造
方法に関する。特に、マイクロプロセッサー、マイクロ
コントローラー、ASIC、グラフィック等の比較的高ワッ
トで、多端子高密度の半導体プラスチックパッケージに
使用する両面金属箔張多層板の製造方法に関するもので
ある。本半導体プラスチックパッケージは、ワイヤボン
ディングで半導体チップとプリント配線板の回路導体を
接続するものであり、ソルダーボールを用いてマザーボ
ードプリント配線板に実装して電子機器として使用され
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a double-sided metal foil-clad multilayer board for use in a novel semiconductor plastic package in which a semiconductor chip is mounted on a small printed wiring board. In particular, the present invention relates to a method for producing a double-sided metal foil-clad multilayer board for use in a semiconductor plastic package having a relatively high wattage and a high density of terminals such as a microprocessor, a microcontroller, an ASIC, and a graphic. The present semiconductor plastic package connects a semiconductor chip and a circuit conductor of a printed wiring board by wire bonding, and is mounted on a motherboard printed wiring board using solder balls and used as an electronic device.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体プラスチックパッケージと
して、プラスチックボールグリッドアレイ(P-PGA) やプ
ラスチックランドグリッドアレイ(P-LGA) 等、プラスチ
ックプリント配線板の上面にチップを固定し、チップ
を、プリント配線板上面に形成された導体回路にワイヤ
ボンディングで結合し、プリント配線板の下面にはソル
ダーボールを用いて、マザーボードプリント配線板と接
続するための導体パッドを形成し、表裏回路導体がメッ
キされたスルーホールで接続されて、半導体チップが樹
脂封止されている構造の半導体プラスチックパッケージ
が公知である。本公知構造において、半導体から発生す
る熱をマザーボードプリント配線板に拡散させるため、
半導体チップを固定するための上面の金属箔から下面に
接続するメッキされた熱拡散スルーホールが形成されて
いる。2. Description of the Related Art Conventionally, a chip is fixed on the upper surface of a plastic printed wiring board such as a plastic ball grid array (P-PGA) or a plastic land grid array (P-LGA) as a semiconductor plastic package, and the chip is printed. Bonded to the conductor circuit formed on the upper surface of the board by wire bonding, and formed solder pads on the lower surface of the printed wiring board to connect to the motherboard printed wiring board, and the front and back circuit conductors were plated 2. Description of the Related Art A semiconductor plastic package having a structure in which semiconductor chips are sealed with a resin and connected by through holes is known. In this known structure, in order to diffuse heat generated from the semiconductor to the motherboard printed wiring board,
A plated thermal diffusion through-hole is formed from the upper metal foil for fixing the semiconductor chip to the lower surface.
【0003】該スルーホールを孔を通して水分が半導体
固定に使われている銀粉入り樹脂接着剤に吸湿され、マ
ザーボードへの実装時の加熱により、また、半導体部品
をマザーボードから取り外す際の加熱により、層間フク
レを発生する危険性があり、これはポップコーン現象と
呼ばれている。このポップコーン現象が生じた場合、パ
ッケージは使用不可能となることが多く、この現象を大
幅に改善する必要がある。また、半導体の高機能化、高
密度化は、ますます発熱量の増大を意味し、熱放散用の
ための半導体チップ直下のスルーホールのみでは熱の放
散は不十分となってきている。これらの半導体チップ搭
載用プリント配線板は、従来、中にガラス織布基材のプ
リプレグを使用し、両面に銅箔を用いて積層成形して得
られた両面銅張積層板を用いて作成しており、どうして
も上記構造とならざるを得ない。[0003] Water is absorbed by the resin adhesive containing silver powder used for fixing the semiconductor through the through-hole, and is heated by mounting when mounting on the motherboard and by heating when removing the semiconductor component from the motherboard. There is a risk of blistering, which is called the popcorn phenomenon. When this popcorn phenomenon occurs, the package often becomes unusable, and it is necessary to greatly improve this phenomenon. In addition, higher functionality and higher density of semiconductors mean more and more heat generation, and heat dissipation is insufficient with only through holes directly below the semiconductor chip for heat dissipation. Conventionally, these printed wiring boards for mounting semiconductor chips are prepared using a double-sided copper-clad laminate obtained by laminating and molding using a prepreg of a glass woven fabric base material inside and copper foil on both sides. Therefore, the structure described above must be adopted.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を改善した半導体プラスチックパッケージ用のプリン
ト配線板を作成する両面金属箔張多層板を提供するもの
である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to provide a double-sided metal foil-clad multilayer board for producing a printed wiring board for a semiconductor plastic package which has solved the above-mentioned problems.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、プ
リント配線板の厚さ方向のほぼ中央に、プリント配線板
とほぼ同じ大きさの金属板が配置されており、プリント
配線板の片面に、少なくとも、1 個以上の金属板の一部
が突起状に露出しており、この上に半導体チップが固定
され、半導体チップがその周囲のプリント配線板表面に
形成された回路導体とワイヤボンディングで接続されて
おり、少なくとも、該表面のプリント配線板上の信号伝
播回路導体が、プリント配線板の反対面に形成された回
路導体もしくは該ハンダボールでの接続用導体パッドと
メッキされたスルーホール導体で結線されており、少な
くとも、1 個以上のスルーホールが内層の金属芯と直接
接合しているプリント配線板を用い、少なくとも、半導
体チップ、ワイヤ及びボンディングパッドが樹脂封止さ
れている構造の半導体プラスチックパッケージ用両面金
属箔張多層板の製造方法(図1)において、 (1)金属芯に使用する金属板を用意し、金属板の表面
にエッチングレジストを形成する。 (2)エッチングを行い、片面に半導体チップを搭載す
る凸状の突起を形成する。 (3)再び、金属板の全面に液状エッチングレジストを
塗布、乾燥してから、表面は、金属突起部の部分を打ち
抜いたネガフィルムを被せ、紫外線を照射する。 (4)未露光のクリアランスホール部のレジストを1 %
炭酸ナトリウム溶液で溶解除去し、両側からエッチング
してクリアランスホールを形成してから、エッチングレ
ジストを除去する。 (5)金属突起部のある側のプリプレグシートは、突起
の位置に、その面積よりやや大きめの孔を形成したロー
フロー、又はノーフローのプリプレグシート、樹脂シー
トもしくは塗布樹脂層を配置し、その外側に、片面に回
路を形成し、必要により表面を化学処理した両面板、又
は多層板を置き、反対面にはクリアランスホールを埋め
込むに十分な樹脂量と樹脂流れを有するハイフロープリ
プレグシート、樹脂シート、樹脂付き銅箔もしくは塗布
樹脂層を配置し、その外側に、必要により、金属箔、或
いは片面銅張積層板を置き、 (6)加熱、加圧下、好ましくは真空下に積層形成して
一体化し、片面に金属突起部が露出した金属芯入り両面
金属箔張多層板とすることを特徴とする半導体プラスチ
ックパッケージ用の金属芯入り両面金属箔張多層板の製
造方法である。That is, according to the present invention, a metal plate having substantially the same size as a printed wiring board is disposed substantially at the center in the thickness direction of the printed wiring board. At least a part of at least one metal plate is exposed in a protruding manner, and a semiconductor chip is fixed thereon, and the semiconductor chip is bonded to a circuit conductor formed on a surface of a printed wiring board around the semiconductor chip by wire bonding. Connected, at least the signal propagation circuit conductor on the printed wiring board on the front surface is a circuit conductor formed on the opposite surface of the printed wiring board or a through-hole conductor plated with a conductor pad for connection with the solder ball Use a printed wiring board that has at least one through hole directly connected to the inner metal core. In the method of manufacturing a double-sided metal foil-clad multilayer board for a semiconductor plastic package having a structure in which a bonding pad is sealed with a resin (FIG. 1), (1) a metal plate to be used for a metal core is prepared, and An etching resist is formed. (2) Etching is performed to form a projection on one side on which a semiconductor chip is mounted. (3) A liquid etching resist is applied to the entire surface of the metal plate again and dried, and then the surface is covered with a negative film punched out of a metal projection and irradiated with ultraviolet rays. (4) 1% resist in the unexposed clearance hole
After dissolving and removing with a sodium carbonate solution and etching from both sides to form a clearance hole, the etching resist is removed. (5) The prepreg sheet on the side having the metal protrusions is provided with a low-flow or no-flow prepreg sheet, a resin sheet, or a coating resin layer in which holes slightly larger than the area of the prepreg sheets are formed at the positions of the protrusions. A high-flow prepreg sheet, a resin sheet, and a resin, on which a circuit is formed on one side and a double-sided board or a multilayer board whose surface is chemically treated if necessary, and a resin flow and a resin flow sufficient to embed clearance holes are placed on the other side. A copper foil or a coated resin layer is arranged, and a metal foil or a single-sided copper-clad laminate is placed on the outside of the copper foil or a single-sided copper-clad laminate, if necessary. A double-sided metal-foil-clad multi-layer board with a metal core having a metal projection exposed on one side, characterized in that it is a multi-layer board with a metal core for a semiconductor plastic package. This is a method for manufacturing a multilayer board.
【0006】上記で製造した金属芯入り両面金属箔張多
層板を使用して、 (7)この金属芯入り両面金属箔張多層板に、ドリル、
レーザー等でクリアランスホール導体径よりやや小さい
スルーホールをあけ、孔壁と金属板とは樹脂組成物で絶
縁されており、且つ少なくとも1 個以上のスルーホール
が金属板と接続させて熱放散用に使用され、これに金属
メッキを施した後、 (8)表裏に回路を形成し、 (9)少なくとも、ボンディングパッド、ハンダボール
パッド、半導体チップを固定する金属突起部以外をメッ
キレジストで被覆して、ニッケル、金メッキを実施して
プリント配線板を作成し、このプリント配線板の金属突
起部に半導体チップを金属粉混合導電性−熱伝導性接着
剤で接着、固定し、ワイヤボンディング、樹脂封止、ハ
ンダボール付着を行うことにより、多層の半導体プラス
チックパッとする。[0006] Using the double-sided metal foil-clad multilayer board with a metal core produced above, (7) a drill,
Drill a through hole slightly smaller than the conductor diameter of the clearance hole with a laser, etc., the hole wall and the metal plate are insulated with a resin composition, and at least one through hole is connected to the metal plate for heat dissipation. (8) Circuits are formed on the front and back sides, and (9) At least parts other than the metal pad for fixing the bonding pad, the solder ball pad, and the semiconductor chip are covered with a plating resist. , Nickel, and gold plating to make a printed wiring board, and a semiconductor chip is bonded and fixed to a metal projection of the printed wiring board with a metal powder mixed conductive-heat conductive adhesive, wire bonding, and resin sealing. By applying solder balls, a multilayer semiconductor plastic package is obtained.
【0007】得られた半導体プラスチックパッケージ
は、半導体下面からの吸湿がなく、ポップコーン現象が
大幅に改善できるとともに、多官能性シアン酸エステル
樹脂組成物を使用することにより、耐熱性、プレッシャ
ークッカー処理後の電気絶縁性、耐マイグレーション性
等に優れ、且つ、熱放散性をも大幅に改善できた。加え
て大量生産性にも適しており、経済性の改善された、新
規な構造の半導体プラスチックパッケージを得ることが
できた。The resulting semiconductor plastic package does not absorb moisture from the lower surface of the semiconductor, can greatly improve the popcorn phenomenon, and has a heat resistance and a post-pressure cooker treatment by using a polyfunctional cyanate resin composition. Was excellent in electrical insulation, migration resistance and the like, and the heat dissipation was also significantly improved. In addition, a semiconductor plastic package having a novel structure which is suitable for mass productivity and has improved economic efficiency was obtained.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】本発明の金属芯入り両面金属箔張
多層板を用いた半導体プラスチックパッケージは、プリ
ント配線板の厚み方向のほぼ中央に熱放散性の良好な金
属板を配置し、表裏の回路導体導通用のメッキされたス
ルーホールは、金属板にあけられた該スルーホール径よ
り大きめの径の孔とし、埋め込まれた樹脂のほぼ中央に
形成することにより、金属板との絶縁性を保持する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A semiconductor plastic package using a double-sided metal foil-clad multilayer board with a metal core according to the present invention has a metal plate with good heat dissipation disposed at substantially the center in the thickness direction of a printed wiring board. The plated through hole for conducting the circuit conductor is a hole with a diameter larger than the diameter of the through hole drilled in the metal plate, and it is formed almost at the center of the embedded resin, so that the insulation with the metal plate Hold.
【0009】公知のスルーホールを有する金属芯プリン
ト配線板の上面に半導体チップを固定する方法において
は、従来のP-BGA パッケージと同様に半導体チップから
の熱は直下の熱放散用スルーホールに落として熱放散せ
ざるを得ず、ポップコーン現象は改善できない。本発明
で得られる両面金属箔張多層板を用いて作成した半導体
プラスチックパッケージ用プリント配線板は、熱伝導性
接着剤で半導体チップを固定する金属突起部が、少なく
とも、1 個以上表面に露出しており、スルーホールを形
成しようとする位置にスルーホール径より大きめのクリ
アランスホールがあけてあり、このクリアランスホール
のほぼ中央に、クリアランスホール径より小さいスルー
ホールを形成し、メッキで表裏回路が導通されており、
また、少なくとも、1 個以上のスルーホールが内層金属
板と直接接続した構造となっているため、半導体チップ
を固定し、ワイヤボンディング、樹脂封止したプラスチ
ックパッケージの、半導体から発生する熱は、直接搭載
する金属部分から金属板全体に熱伝導されるために、半
導体チップ直下以外の場所から、この金属板に接続する
スルーホールを通じて下面の金属パッドに伝達し、マザ
ーボードプリント配線板に拡散する構造とする。In a known method of fixing a semiconductor chip on the upper surface of a metal-core printed wiring board having a through hole, heat from the semiconductor chip is dropped to a heat-dissipating through hole immediately below, similarly to a conventional P-BGA package. Heat must be dissipated and the popcorn phenomenon cannot be improved. The printed wiring board for a semiconductor plastic package prepared using the double-sided metal foil-clad multilayer board obtained by the present invention has at least one or more metal projections for fixing the semiconductor chip with a heat conductive adhesive exposed on the surface. There is a clearance hole larger than the through hole diameter at the position where the through hole is to be formed, and a through hole smaller than the clearance hole diameter is formed almost at the center of this clearance hole, and the front and back circuit is conducted by plating Has been
In addition, since at least one or more through holes are directly connected to the inner metal plate, the heat generated from the semiconductor in the plastic package in which the semiconductor chip is fixed, wire-bonded, and resin-sealed is directly Since the heat is conducted from the mounted metal part to the entire metal plate, it is transmitted to the metal pad on the lower surface through a through hole connected to this metal plate from a place other than immediately below the semiconductor chip, and diffused to the motherboard printed wiring board I do.
【0010】本発明に用いる金属板は、特に限定しない
が、高弾性率、高熱伝導性で、厚さ30〜400 μmのもの
が好適である。具体的には、純銅、無酸素銅、その他、
銅95%以上のFe,Sn,P,Cr,Zr,Zn等との合金、或いは42ア
ロイ等の合金の表面を銅メッキした金属板等が好適には
使用される。また、平滑な金属の上に、所定の大きさの
同質、或いは異質の金属板を、熱伝導の良好な銅ペース
ト等で接着することも可能である。Although the metal plate used in the present invention is not particularly limited, a metal plate having a high elastic modulus, a high thermal conductivity and a thickness of 30 to 400 μm is preferable. Specifically, pure copper, oxygen-free copper, and others,
An alloy of 95% or more of copper with Fe, Sn, P, Cr, Zr, Zn, or the like, or a metal plate in which the surface of an alloy such as 42 alloy is copper-plated is preferably used. It is also possible to bond a uniform or different metal plate of a predetermined size on a smooth metal with a copper paste or the like having good heat conductivity.
【0011】本発明は、まず金属芯とする金属板をあら
かじめ公知のエッチング法、冷間機械加工法、圧延異型
条加工法等の方法で、少なくとも、1 個以上の半導体チ
ップ固定用に、半導体チップとほぼ同じ大きさの突起を
形成しておく。また、平滑な金属板の上に、半導体チッ
プとほぼ同じ大きさの金属板を熱伝導の良好な接着剤等
で接着させて突起とすることも可能である。突起の大き
さは 5〜20mm角が一般的である。According to the present invention, at least one semiconductor chip is fixed to a metal plate serving as a metal core by a known etching method, a cold machining method, a rolling irregular shape processing method, or the like. A projection approximately the same size as the chip is formed. It is also possible to form a projection by bonding a metal plate having substantially the same size as a semiconductor chip on a smooth metal plate with an adhesive or the like having good heat conductivity. The size of the projection is generally 5 to 20 mm square.
【0012】本発明の金属突起部の高さは、 100〜250
μm が好適である。また、突起部をくり抜いたローフロ
ー、またはノーフロープリプレグ、樹脂シート、或いは
スクリーン印刷等で形成する熱硬化性樹脂層の高さは、
その上に使用する両面金属箔積層板、又は両面金属箔多
層板の高さと合わせた高さが、金属突起部分の高さより
やや高めになるようにする。The height of the metal projection of the present invention is 100 to 250.
μm is preferred. Also, the height of the thermosetting resin layer formed by low-flow or no-flow prepreg, a resin sheet, or screen printing, etc.
The height combined with the height of the double-sided metal foil laminate or the double-sided metal foil multilayer board used thereon is slightly higher than the height of the metal projection.
【0013】金属板にはスルーホールよりやや大きめの
クリアランスホールを、エッチング、ドリル、打ち抜
き、UVレーザー等、公知の方法であける。具体的には、
該スルーホール壁と金属板クリアランスホール壁とは、
50μm 以上の距離が、熱硬化性樹脂で絶縁されているこ
とが好ましい。一般には、70〜200 μm である。表裏回
路導通用スルーホール径については、特に限定はない
が、クリアランスホールより小さい径で、一般には50〜
300 μm である。A clearance hole slightly larger than the through hole is formed in the metal plate by a known method such as etching, drilling, punching, and UV laser. In particular,
The through hole wall and the metal plate clearance hole wall are:
It is preferable that the distance of 50 μm or more is insulated by a thermosetting resin. Generally, it is 70 to 200 μm. Although there is no particular limitation on the diameter of the through-hole for conducting the front and back circuits, the diameter is smaller than the clearance hole, generally 50 to
300 μm.
【0014】金属板全体には、好適には積層成形前に表
面化学処理を施す。具体的には、黒色酸化処理、褐色処
理、薬品による表面粗化処理等、一般に公知の処理が行
われ得る。The entire metal plate is preferably subjected to a surface chemical treatment before lamination. Specifically, a generally known treatment such as a black oxidation treatment, a brown treatment, and a surface roughening treatment with a chemical may be performed.
【0015】本発明で使用される熱硬化性樹脂組成物の
樹脂としは、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用される。
具体的には、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エステル
樹脂、多官能性マレイミド−シアン酸エステル樹脂、多
官能性マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニレンエ
ーテル樹脂等が挙げられ、1 種或いは2 種類以上が組合
わせて使用される。耐熱性、耐湿性、耐マイグレーショ
ン性、吸湿後の電気的特性等の点から多官能性シアン酸
エステル樹脂組成物が好適である。As the resin of the thermosetting resin composition used in the present invention, generally known thermosetting resins are used.
Specific examples include an epoxy resin, a polyfunctional cyanate resin, a polyfunctional maleimide-cyanate resin, a polyfunctional maleimide resin, and a polyphenylene ether resin having an unsaturated group. Are used in combination. Polyfunctional cyanate ester resin compositions are preferred from the viewpoints of heat resistance, moisture resistance, migration resistance, electrical properties after moisture absorption, and the like.
【0016】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2 個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロ
パン、2,2-ビス(3,5-ジブロモ-4- シアナトフェニル)
プロパン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス
(4-シアナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナ
トフェニル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)
ホスファイト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェ
ート、およびノボラックとハロゲン化シアンとの反応に
より得られるシアネート類などである。The polyfunctional cyanate compound which is a preferred thermosetting resin component of the present invention is a compound having two or more cyanato groups in the molecule. Specific examples include 1,3- or 1,4-dicyanatobenzene, 1,3,5-tricyanatobenzene, 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2 , 6- or 2,7-
Dicyanatonaphthalene, 1,3,6-tricyanatonaphthalene, 4,4-dicyanatobiphenyl, bis (4-dicyanatophenyl) methane, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, 2,2- Bis (3,5-dibromo-4-cyanatophenyl)
Propane, bis (4-cyanatophenyl) ether, bis (4-cyanatophenyl) thioether, bis (4-cyanatophenyl) sulfone, tris (4-cyanatophenyl)
Phosphite, tris (4-cyanatophenyl) phosphate, and cyanates obtained by reacting novolak with cyanogen halide.
【0017】これらのほかに特公昭41-1928 、同43-184
68、同44-4791 、同45-11712、同46-41112、同47-26853
及び特開昭51-63149等に記載の多官能性シアン酸エステ
ル化合物類も用いられ得る。また、これら多官能性シア
ン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって形成
されるトリアジン環を有する分子量400 〜6,000 のプレ
ポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の多
官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ルイ
ス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級アミ
ン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒として
重合させることにより得られる。このプレポリマー中に
は一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーとプ
レポリマーとの混合物の形態をしており、このような原
料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶な
有機溶剤に溶解させて使用する。In addition to these, Japanese Patent Publication Nos. 41-1928 and 43-184
68, 44-4791, 45-11712, 46-41112, 47-26853
And polyfunctional cyanate compounds described in JP-A-51-63149 and the like can also be used. In addition, a prepolymer having a molecular weight of 400 to 6,000 and having a triazine ring formed by trimerizing a cyanato group of these polyfunctional cyanate compounds is used. This prepolymer is obtained by polymerizing the above-mentioned polyfunctional cyanate ester monomer using, for example, an acid such as a mineral acid or a Lewis acid; a base such as a sodium alcoholate or a tertiary amine; a salt such as sodium carbonate as a catalyst. It can be obtained by: The prepolymer also contains some unreacted monomers and is in the form of a mixture of the monomer and the prepolymer, and such a raw material is suitably used for the purpose of the present invention. Generally, it is used after being dissolved in a soluble organic solvent.
【0018】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールA 型エポキシ樹脂、ビスフェノールF 型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂;ブ
タジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシ
クロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポ
リエポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン
樹脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポ
リグリシジル化合物類等が挙げられる。これらは1 種或
いは2 種類以上が組み合わせて使用され得る。As the epoxy resin, a generally known epoxy resin can be used. Specifically, liquid or solid bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin; butadiene, pentadiene, vinylcyclohexene, dicyclopentyl ether, etc. And polyglycidyl compounds obtained by reacting a polyol, a hydroxyl group-containing silicone resin with an ephalohydrin, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
【0019】ポリイミド樹脂としては、一般に公知のも
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミン類との反応物、特公昭57-005406 に記載の
末端三重結合のポリイミド類が挙げられる。As the polyimide resin, generally known ones can be used. Specific examples include a reaction product of a polyfunctional maleimide and a polyamine, and a polyimide having a terminal triple bond described in JP-B-57-005406.
【0020】これらの熱硬化性樹脂は、単独でも使用さ
れるが、特性のバランスを考え、適宜組み合わせて使用
するのが良い。These thermosetting resins may be used alone, but it is preferable to use them in an appropriate combination in consideration of the balance of properties.
【0021】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン−
アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジ
エン−スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴ
ム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量
のelastic なゴム類;ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリブテン、ポリ-4- メチルペンテン、ポリスチレン、
AS樹脂、ABS 樹脂、MBS 樹脂、スチレン−イソプレンゴ
ム、ポリエチレン−プロピレン共重合体、4-フッ化エチ
レン-6- フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネー
ト、ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエス
テル、ポリフェニレンサルファイド等の高分子量プレポ
リマー若しくはオリゴマー;ポリウレタン等が例示さ
れ、適宜使用される。また、その他、公知の無機或いは
有機の充填剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分
散剤、レベリング剤、光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合
禁止剤、チキソ性付与剤等の各種添加剤が、所望に応じ
て適宜組み合わせて用いられる。必要により、反応基を
有する化合物は硬化剤、触媒が適宜配合される。Various additives can be added to the thermosetting resin composition of the present invention, if desired, as long as the inherent properties of the composition are not impaired. These additives include polymerizable double bond-containing monomers such as unsaturated polyesters and prepolymers thereof; polybutadiene, epoxidized butadiene, maleated butadiene, butadiene-
Low molecular weight liquid to high molecular weight elastic rubbers such as acrylonitrile copolymer, polychloroprene, butadiene-styrene copolymer, polyisoprene, butyl rubber, fluoro rubber, natural rubber; polyethylene, polypropylene,
Polybutene, poly-4-methylpentene, polystyrene,
AS resin, ABS resin, MBS resin, styrene-isoprene rubber, polyethylene-propylene copolymer, 4-fluoroethylene-6-fluoroethylene copolymers; polycarbonate, polyphenylene ether, polysulfone, polyester, polyphenylene sulfide, etc. High molecular weight prepolymers or oligomers; polyurethanes and the like are exemplified, and are appropriately used. Other known inorganic or organic fillers, dyes, pigments, thickeners, lubricants, defoamers, dispersants, leveling agents, photosensitizers, flame retardants, brighteners, polymerization inhibitors, thixotropic Various additives such as imparting agents are used in combination as needed. If necessary, the compound having a reactive group is appropriately blended with a curing agent and a catalyst.
【0022】本発明の熱硬化性樹脂組成物は、それ自体
は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱
硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100 重量
部に対して 0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5 重量
部である。The thermosetting resin composition of the present invention can be cured by heating itself, but has a low curing rate and is inferior in workability and economic efficiency. Can be used. The amount used is 0.005 to 10 parts by weight, preferably 0.01 to 5 parts by weight, per 100 parts by weight of the thermosetting resin.
【0023】プリプレグの補強基材として使用するもの
は、一般に公知の無機或いは有機の織布、不織布が使用
される。具体的には、Eガラス、Sガラス、Dガラス等
の公知のガラス繊維布、全芳香族ポリアミド繊維布、液
晶ポリエステル繊維布等が挙げられる。これらは、混抄
でも良い。また、ポリイミドフィルム等のフィルムの表
裏に熱硬化性樹脂組成物を塗布、加熱して半硬化状態に
したものも使用できる。As the reinforcing base material of the prepreg, generally known inorganic or organic woven or nonwoven fabric is used. Specific examples include known glass fiber cloths such as E glass, S glass, and D glass, wholly aromatic polyamide fiber cloths, and liquid crystal polyester fiber cloths. These may be mixed. Alternatively, a thermosetting resin composition applied to the front and back of a film such as a polyimide film and heated to a semi-cured state can be used.
【0024】最外層の金属箔、又は片面金属張積層板の
金属箔は一般に公知のもが使用できる。好適には厚さ 3
〜100 μmの銅箔、ニッケル箔等が使用される。また、
表面に使用する両面金属張積層板、又は両面金属箔張多
層板の片面は、回路を形成し、金属突起部分を、突起部
面積よりやや大きめに打ち抜き、必要により化学表面処
理を行う。As the metal foil of the outermost layer or the metal foil of the single-sided metal-clad laminate, generally known ones can be used. Preferably thickness 3
Copper foil, nickel foil, etc. of up to 100 μm are used. Also,
On one side of the double-sided metal-clad laminate or double-sided metal foil-clad multilayer board used for the surface, a circuit is formed, and the metal projection is punched out slightly larger than the area of the projection, and a chemical surface treatment is performed if necessary.
【0025】本発明の多層プリント配線板用プリプレグ
を作成する場合、基材に熱硬化性樹脂組成物を含浸、乾
燥し、半硬化状態の積層材料とする。また基材を使用し
ない半硬化状態とした樹脂シート、銅箔に樹脂を塗布、
乾燥して半硬化したものが使用できる。或いは塗料も使
用できる。この場合、半硬化状態の程度により、ハイフ
ロー化、ローフロー化、或いはノーフロー化とする。ノ
ーフローとした場合、加熱、加圧して積層成形した時、
樹脂の流れ出しが 100μm以下、好ましくは50μm以下
とする。また、この際、銅板、銅箔とは接着し、ボイド
が発生しないことが肝要である。ハイフローとした場
合、加熱、加圧して積層成形した場合の樹脂流れ出し
が、2mm 以上、好ましくは10mm以上である。この中間の
樹脂流れは、ローフローと称する。加熱温度は一般的に
は 100〜180 ℃である。時間は 5〜60分であり、目的と
するフローの程度により、適宜選択する。When preparing the prepreg for a multilayer printed wiring board of the present invention, a base material is impregnated with a thermosetting resin composition and dried to obtain a semi-cured laminated material. In addition, resin is applied to semi-cured resin sheet and copper foil without using base material,
Dry and semi-cured products can be used. Alternatively, paints can be used. In this case, depending on the degree of the semi-cured state, high flow, low flow, or no flow is used. In case of no flow, when heating and pressurizing and laminating,
The flow of the resin is 100 μm or less, preferably 50 μm or less. At this time, it is important that the copper plate and the copper foil adhere to each other and no void is generated. In the case of high flow, the resin flowing out when laminated by heating and pressing is 2 mm or more, preferably 10 mm or more. This intermediate resin flow is referred to as low flow. The heating temperature is generally between 100 and 180 ° C. The time is 5 to 60 minutes, and is appropriately selected depending on the desired flow rate.
【0026】半導体から発生する熱は、直接搭載する金
属部分から金属板全体に熱伝導されるために、半導体チ
ップ直下以外の場所から、少なくとも該金属芯と下面の
金属パッドに、メッキされたスルーホールを1 個以上形
成し、半導体チップからの熱がマザーボードプリント配
線板に拡散する構造とする。Since the heat generated from the semiconductor is conducted from the metal part directly mounted to the entire metal plate, the plated through hole is formed at least on the metal core and the metal pad on the lower surface from a place other than immediately below the semiconductor chip. One or more holes are formed to diffuse heat from the semiconductor chip to the motherboard printed wiring board.
【0027】該突起とスルーホールが形成された金属板
の表面を公知の方法で酸化処理、微細凹凸形成、皮膜形
成等の接着性や電気絶縁性向上のための表面処理を必要
に応じて施す。該表面処理され、突起部とクリアランス
ホールが形成された金属板の、半導体チップを直接固定
する面以外は、すべて熱硬化性樹脂組成物で絶縁部を形
成する。The surface of the metal plate on which the projections and the through holes are formed is subjected to a surface treatment for improving adhesiveness and electric insulation such as oxidation treatment, formation of fine irregularities, and formation of a film by a known method, if necessary. . Except for the surface of the metal plate on which the projections and the clearance holes are formed and on which the semiconductor chip is directly fixed, the insulating portion is formed of a thermosetting resin composition.
【0028】熱硬化性樹脂組成物による絶縁部の形成
は、基材に熱硬化性樹脂組成物を含浸、積層成形した時
に、樹脂流れによって金属突起部に樹脂が流れ込まない
ように半硬化状態にしたローフロープリプレグ、ノーフ
ロープリプレグ、フィルム状シート等を用い、半導体チ
ップを直接固定する突起のある金属部分の面積よりやや
大きめの孔をあらかじめ打ち抜き等によってあけておい
たものを配置し、その上に両面金属箔張積層板又は両面
金属箔張多層板の片面の金属箔に回路を形成し、必要に
より化学表面処理を施したものを、回路面がプリプレグ
側になるように置き、一方、金属板の反対面には全面を
覆うように、積層成形時にクリアランスホール内に樹脂
が流れ込んで、十分充填できる樹脂量、樹脂流れのハイ
フロープリプレグシート、樹脂シート、樹脂付き銅箔等
を重ね、その外側に必要により金属箔、或いは片面金属
箔張積層板を置き、加熱、加圧、真空下に積層成形す
る。表面のプリプレグシート、フィルム状シートの厚み
は金属突起の高さよりやや高めになるように作成する。
加熱、加圧工程中に、熱により1 度熔融した半硬化状態
の熱硬化性樹脂を、表面からは少なく、裏面からは多く
金属板のクリアランスホール内に流し込んでクリアラン
スホールの中を埋め込むと同時に、金属突起物の表面以
外は熱硬化性樹脂組成物で一体化する。The insulating portion is formed from the thermosetting resin composition in a semi-cured state so that when the base material is impregnated with the thermosetting resin composition and laminated and formed, the resin does not flow into the metal protrusions due to the resin flow. Using a low-flow prepreg, a no-flow prepreg, a film-like sheet, etc., place a hole in which a hole slightly larger than the area of the metal part with the protrusion for directly fixing the semiconductor chip is punched out in advance, etc. A circuit is formed on a metal foil on one side of a double-sided metal foil-clad laminate or a double-sided metal foil-clad multilayer board, and a chemical surface treatment is applied if necessary, and the circuit surface is placed on the prepreg side. The resin flows into the clearance hole during lamination molding to cover the entire surface on the opposite side of the plate, and the amount of resin that can be sufficiently filled and the high flow prepreg of resin flow DOO, a resin sheet overlaid with resin such as copper foil, a metal foil, if necessary on the outside, or placed on one side metal foil-clad laminate, heating, pressing, laminate molding under vacuum. The thickness of the prepreg sheet and the film-like sheet on the surface is made slightly higher than the height of the metal projections.
During the heating and pressurizing steps, a small amount of semi-cured thermosetting resin melted once by heat is poured from the front surface into the clearance hole of the metal plate, from the back surface, and from the back surface to fill the clearance hole. The other parts than the surface of the metal projection are integrated with the thermosetting resin composition.
【0029】また、無溶剤或いは溶剤タイプの熱硬化性
樹脂組成物を用い、スクリーン印刷等で該金属板突起場
所以外に塗布し、更には裏面も同様に塗布してから加熱
して半硬化状態とした後、このまま加熱して硬化する
か、加熱、加圧下に積層成形して一体化する。金属突起
部側の樹脂の半硬化状態は、積層成形した場合、ローフ
ロー或いはノーフローとなるように加熱して調整する。
裏面はハイフローとする。両外側に金属箔、或いは片面
金属箔張積層板を置き、加熱、加圧下に、好適には真空
下に積層成形する時に、上記と同様にクリアランスホー
ル内に樹脂を流し込むと同時に熱硬化させる。塗布する
場合、低圧にてクリアランスホールの中に樹脂を流し込
み、溶剤或いは空気を加熱しながら抜き、半硬化或いは
硬化させる。溶剤が入っている場合、クリアランスホー
ル内の未充填が起こり易いため、あらかじめ無溶剤液状
の熱硬化性樹脂組成物クリアランスホールに流し込み、
硬化しておく方法が一般的である。いずれの方法におい
ても、金属板のクリアランスホール内を熱硬化性樹脂組
成物で充填されるように加工する。Further, using a non-solvent or solvent type thermosetting resin composition, apply by screen printing or the like to places other than the metal plate projections. Then, it is cured by heating as it is, or is laminated and formed under heat and pressure to be integrated. The semi-cured state of the resin on the metal protrusion side is adjusted by heating so as to have a low-flow or no-flow when laminated and formed.
The back surface is high flow. A metal foil or a single-sided metal foil-clad laminate is placed on both outer sides, and when laminating and molding under heat and pressure, preferably under vacuum, the resin is poured into the clearance holes and thermally cured at the same time as described above. In the case of applying, a resin is poured into the clearance hole at a low pressure, and the solvent or air is removed while heating, and semi-cured or cured. If a solvent is contained, unfilling in the clearance hole is likely to occur, so it is poured into the solvent-free liquid thermosetting resin composition clearance hole in advance,
The method of hardening is common. In either method, processing is performed so that the inside of the clearance hole of the metal plate is filled with the thermosetting resin composition.
【0030】金属板の側面については、熱硬化性樹脂組
成物で埋め込まれている形、露出している形、いずれの
形でも良い。The side surface of the metal plate may be either a shape embedded with the thermosetting resin composition or an exposed shape.
【0031】表裏回路にワイヤボンディング用の貴金属
メッキを、少なくともワイヤボンディングパッド表面に
形成してプリント配線板を完成させる。この場合、貴金
属メッキの必要のない箇所は、事前にメッキレジストで
被覆しておく。また、メッキ後に、必要により公知の熱
硬化性樹脂組成物、或いは光選択熱硬化性樹脂組成物で
表面に被膜を形成する。Noble metal plating for wire bonding is formed on at least the surface of the wire bonding pad on the front and back circuits to complete the printed wiring board. In this case, a portion that does not require noble metal plating is covered with a plating resist in advance. After plating, if necessary, a film is formed on the surface with a known thermosetting resin composition or a photo-selective thermosetting resin composition.
【0032】該プリント配線板の金属突起部分の表面に
接着剤や金属粉混合接着剤を用いて、半導体チップを固
定し、さらに半導体チップとプリント配線板回路のボン
ディングパッドとをワイヤボンディング法で接続し、少
なくとも、半導体チップ、ボンディングワイヤ、及びボ
ンディングパッドを公知の封止樹脂で封止する。A semiconductor chip is fixed to the surface of the metal projection portion of the printed wiring board using an adhesive or a metal powder mixed adhesive, and the semiconductor chip is connected to a bonding pad of a printed wiring board circuit by a wire bonding method. Then, at least the semiconductor chip, the bonding wires, and the bonding pads are sealed with a known sealing resin.
【0033】半導体チップと反対面のソルダーボール接
続用導体パッドに、ソルダーボールを接続してP-BGA を
作り、マザーボードプリント配線板上の回路にソルダー
ボールを重ね、熱によってボールを熔融接続するか、ま
たはパッケージにソルダーボールをつけずにP-LGA を作
り、マザーボードプリント配線板に実装する時に、マザ
ーボードプリント配線板面に形成されたソルダーボール
接続用導体パッドとP-LGA 用のソルダーボール用導体パ
ッドとを、ソルダーボールを加熱熔融することにより接
続する。A solder ball is connected to the solder ball connection conductor pad on the opposite side of the semiconductor chip to form a P-BGA, and the solder ball is superimposed on a circuit on a motherboard printed wiring board, and the ball is melt-connected by heat. When the P-LGA is made without attaching solder balls to the package, and mounted on the motherboard printed wiring board, the solder ball connection conductor pads formed on the motherboard printed wiring board surface and the solder ball conductors for the P-LGA The pads are connected by heating and melting the solder balls.
【0034】[0034]
【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り『部』は重量部を表す。 実施例1 2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン900 部、ビス
(4-マレイミドフェニル)メタン100 部を150 ℃に熔融
させ、撹拌しながら4 時間反応させ、プレポリマーを得
た。これをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミド
の混合溶剤に溶解した。これにビスフェノールA 型エポ
キシ樹脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキ
シ〈株〉製造)400 部、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂(商品名:ESCN-220F 、住友化学工業〈株〉製)
600 部を加え、均一に溶解混合した。更に触媒としてオ
クチル酸亜鉛0.4 部を加え、溶解混合し、これに無機充
填剤(商品名:焼成タルクBST-200 、日本タルク〈株〉
製)500 部を加え、均一撹拌混合してワニスA を得た。The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples. Unless otherwise specified, “parts” indicates parts by weight. Example 1 900 parts of 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane and 100 parts of bis (4-maleimidophenyl) methane were melted at 150 ° C. and reacted with stirring for 4 hours to obtain a prepolymer. This was dissolved in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and dimethylformamide. 400 parts of bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) and cresol novolac type epoxy resin (trade name: ESCN-220F, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.)
600 parts were added and uniformly dissolved and mixed. Further, 0.4 part of zinc octylate is added as a catalyst, and the mixture is dissolved and mixed. The resulting mixture is mixed with an inorganic filler (trade name: calcined talc BST-200, Nippon Talc Co., Ltd.)
Was added and mixed uniformly with stirring to obtain Varnish A.
【0035】このワニスを厚さ 100μmのガラス織布に
含浸し 150℃で乾燥して、ゲル化時間(at170℃)7 秒、
170℃,20kgf/cm2,5分間で樹脂流れ 110μmとなるよう
に作成した、厚さ 110μmの半硬化状態のローフロープ
リプレグ(プリプレグB)を得た。また、145 ℃で乾燥
し、ゲル化時間(at170℃)120 秒、樹脂流れ13mm、厚さ
107μm のハイフロープリプレグ (プリプレグC)を作
成した。The varnish was impregnated with a glass woven fabric having a thickness of 100 μm, dried at 150 ° C., and gelled (at 170 ° C.) for 7 seconds.
A semi-cured low-flow prepreg (prepreg B) having a thickness of 110 μm was prepared so that the resin flow was 110 μm in 170 ° C., 20 kgf / cm 2 for 5 minutes. Also dried at 145 ℃, gel time (at 170 ℃) 120 seconds, resin flow 13 mm, thickness
A 107 μm high flow prepreg (prepreg C) was prepared.
【0036】一方、内層金属板となる厚さ 400μmのC
u:97.45%、Fe:2.4%、P:0.03%、Zn:0.12 %よりなる
合金を用意し、大きさ50mm角のパッケージの中央に13mm
角、高さ 220μmの突起をエッチング法にて形成した。
その後、該金属板の全面に液状エッチングレジストを厚
さ25μm塗布し、乾燥して溶剤を飛ばした後、突起部を
くり抜いたネガフィルムを重ね、さらに下側には全面ネ
ガフィルムをあて、クリアランスホール以外を紫外線照
射してからクリアランスホール部のレジスト膜を 1%炭
酸ナトリウム水溶液で除去した後、両側からエッチング
によって 0.6mmφのクリアランスホールをあけた。On the other hand, a 400 μm thick C
Prepare alloy consisting of u: 97.45%, Fe: 2.4%, P: 0.03%, Zn: 0.12%, 13mm in the center of 50mm square package
A protrusion having a corner and a height of 220 μm was formed by an etching method.
After that, a liquid etching resist having a thickness of 25 μm was applied to the entire surface of the metal plate, dried, and the solvent was blown off. After that, a negative film having a protruded portion was layered, and a negative film was applied to the entire lower surface, and a clearance hole was applied. Then, the resist film in the clearance hole was removed with a 1% aqueous solution of sodium carbonate, and then a 0.6 mmφ clearance hole was formed by etching from both sides.
【0037】金属板全面に黒色酸化銅処理を施し、この
上面には、突起部分に相当する位置に、突起部より 110
μm大きめの孔をパンチングにてあけた上記プリプレグ
Bを被せ、下側にはプリプレグCを置いた。また、プリ
プレグCの両面に12μmの電解銅箔を配置し、同様に積
層成形した両面銅張積層板の片面に回路を形成し、半導
体チップ搭載部分をパンチングにてやや大きめの孔をあ
け、黒色酸化銅処理を施し、これの回路形成面を下側に
して表面に置き、裏面のプリプレグの外側には12μm の
電解銅箔を置き、200 ℃,20kgf/cm2,30mmHg 以下の真空
下で2時間積層成形し、一体化して金属突起部が表面に
露出した両面銅張多層板を得た。A black copper oxide treatment is applied to the entire surface of the metal plate.
The prepreg B, in which a hole larger in μm was punched, was covered, and the prepreg C was placed on the lower side. In addition, 12μm electrolytic copper foil was placed on both sides of prepreg C, a circuit was formed on one side of the double-sided copper-clad laminate similarly laminated, and a slightly larger hole was punched in the semiconductor chip mounting portion by punching. Copper oxide treatment is applied, and the circuit forming surface is placed on the front side with the circuit forming surface facing down. A 12 μm electrolytic copper foil is placed outside the prepreg on the back surface, and is placed under vacuum at 200 ° C., 20 kgf / cm 2 , 30 mmHg or less. A double-sided copper-clad multilayer board with metal projections exposed on the surface was obtained by lamination molding for one hour.
【0038】クリアランスホール箇所は、クリアランス
ホール部の金属に接触しないように、中央に孔径0.25mm
のスルーホールをドリルにてあけ、熱放散箇所は、4 隅
に金属板に直接接触するように孔径0.25mmのスルーホー
ルをあけ、デスミア処理後、銅メッキを無電解、電解メ
ッキで行い、孔内に18μm の銅メッキ層を形成した。表
裏に液状エッチングレジストを塗布、乾燥してからポジ
フィルムを重ねて露光、現像し、表裏回路を形成した。
突起部、ボンディングパッド部及びボールパッド部以外
にメッキレジストを形成し、ニッケル、金メッキを施し
てプリント配線板を完成した。The clearance hole has a hole diameter of 0.25 mm at the center so as not to contact the metal of the clearance hole.
Drill the through holes in the hole.The heat dissipating points are drilled at the four corners with a hole diameter of 0.25 mm so as to directly contact the metal plate.After desmearing, copper plating is performed by electroless and electrolytic plating. A copper plating layer of 18 μm was formed therein. After applying and drying a liquid etching resist on the front and back, a positive film was overlaid and exposed and developed to form a front and back circuit.
A plating resist was formed on portions other than the protruding portion, the bonding pad portion, and the ball pad portion, and plated with nickel and gold to complete a printed wiring board.
【0039】突起部に大きさ13mm角の半導体チップを銀
ペーストで接着固定した後、ワイヤボンディングを行
い、次いでシリカ入りエポキシ封止用コンパウンドを用
い、トランスファーモールドにて樹脂封止し、ハンダボ
ールを付けて半導体パッケージを作成した (図1)。こ
れをエポキシ樹脂マザーボードプリント配線板にハンダ
ボールを熔融して接続した。評価結果を表1に示す。A semiconductor chip having a size of 13 mm square is adhered and fixed to the protruding portion with a silver paste, wire-bonded, and then resin-encapsulated by transfer molding using an epoxy encapsulating compound containing silica to form a solder ball. To make a semiconductor package (Fig. 1). This was connected to an epoxy resin mother board printed wiring board by melting solder balls. Table 1 shows the evaluation results.
【0040】比較例1 実施例1のプリプレグCを2枚使用し、上下に12μmの
電解銅箔を配置し、200 ℃,20kgf/cm2,30mmHg 以下の真
空下に2 時間積層成形し、両面銅張積層板を得た。所定
の位置に孔径0.25mmφのスルーホールをドリルであけ、
デスミア処理後に銅メッキを施した。この板の上下に公
知の方法で回路を形成し、メッキレジストを施し、ニッ
ケルメッキ、金メッキを付けた。これは半導体チップを
搭載する箇所の下に放熱用のスルーホールが形成されて
おり、この上に銀ペーストで半導体チップを接着し、ワ
イヤボンディング後、エポキシ封止用コンパウンドで実
施例1 と同様に樹脂封止し、ハンダボールを付けた (図
2)。また、同様にマザーボードに接続した。この半導
体プラスチックパッケージの評価結果を表1に示す。COMPARATIVE EXAMPLE 1 Two prepregs C of Example 1 were used, and 12 μm electrolytic copper foils were arranged on the upper and lower sides, and laminated and molded at 200 ° C., 20 kgf / cm 2 , and 30 mmHg or less for 2 hours. A copper-clad laminate was obtained. Drill a through hole with a hole diameter of 0.25 mmφ at a predetermined position,
Copper plating was performed after the desmear treatment. Circuits were formed on and under the plate by a known method, plating resist was applied, and nickel plating and gold plating were applied. This has a through hole for heat radiation under the place where the semiconductor chip is mounted, the semiconductor chip is bonded with silver paste on this, and after wire bonding, the epoxy sealing compound is used in the same way as in Example 1. It was sealed with resin and solder balls were attached (Fig. 2). Also connected to the motherboard in the same way. Table 1 shows the evaluation results of the semiconductor plastic package.
【0041】比較例2 エポキシ樹脂(商品名:エピコート1045)500 部、及び
エポキシ樹脂(商品名:ESCN220F)500部、ジシアンジア
ミド300 部、2-エチルイミダゾール 2部をメチルエチル
ケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解し、こ
れを厚さ 100μmのガラス織布に含浸させて、ゲル化時
間(at170℃)10 秒、樹脂流れ98μmのノーフロープリプ
レグ (プリプレグD)、ゲル化時間150 秒、樹脂流れ18
mmのハイフロープリプレグ (プリプレグE)を作成し
た。Comparative Example 2 500 parts of an epoxy resin (trade name: Epicoat 1045), 500 parts of an epoxy resin (trade name: ESCN220F), 300 parts of dicyandiamide, and 2 parts of 2-ethylimidazole were dissolved in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and dimethylformamide. Then, this was impregnated into a glass woven fabric having a thickness of 100 μm, and a gel time (at 170 ° C.) of 10 seconds, a no-flow prepreg (prepreg D) having a resin flow of 98 μm, a gel time of 150 seconds, and a resin flow of 18
mm high flow prepreg (prepreg E) was prepared.
【0042】プリプレグEを2枚使用し、170 ℃,20kgf
/cm2,30mmHg の真空下で2時間積層成形して両面銅張積
層板を作成した。後は比較例1 と同様にプリント配線板
を作成し、半導体チップ搭載部分をザグリマシーンにて
くり抜いてから、裏面に厚さ200μmの銅板を、上記ノ
ーフロープリプレグD を打ち抜いたものを使用して、加
熱、加圧下に同様に接着させ、放熱板付きプリント配線
板を作成した。これはややソリが発生した。この放熱板
に直接銀ペーストで半導体チップを接着させ、ワイヤボ
ンディングで接続後、液状エポキシ樹脂で封止し、金属
張り合わせ面とは反対側の面にハンダボールを付けた
(図3)。同様にハンダボールを用いてマザーボードに
接続した。この半導体プラスチックパッケージの評価結
果を表1に示す。Using two prepregs E, 170 ° C., 20 kgf
Laminate molding was carried out for 2 hours under a vacuum of 30 mmHg / cm 2 to produce a double-sided copper-clad laminate. After that, a printed wiring board was created in the same manner as in Comparative Example 1, and a semiconductor chip mounting portion was cut out with a counterbore machine, and then a copper plate having a thickness of 200 μm was punched out on the back surface using the above-mentioned no-flow prepreg D. Then, they were similarly bonded under heat and pressure to prepare a printed wiring board with a heat sink. This slightly warped. A semiconductor chip was directly adhered to the heat sink with silver paste, connected by wire bonding, sealed with liquid epoxy resin, and solder balls were attached to the surface opposite to the metal bonding surface.
(FIG. 3). Similarly, it was connected to the motherboard using solder balls. Table 1 shows the evaluation results of the semiconductor plastic package.
【0043】[0043]
【表1】 実施例1 比較例1 比較例2 吸湿後の耐熱性(1) 常態 異常なし 異常なし 異常なし 72hrs 異常なし 異常なし 異常なし 96hrs 異常なし 異常なし 一部剥離 120hrs 異常なし 一部剥離 一部剥離 144hrs 異常なし 一部剥離 一部剥離 168hrs 異常なし 一部剥離 一部剥離 吸湿後の耐熱性(2) 常態 異常なし 異常なし 異常なし 24hrs 異常なし 一部剥離 一部剥離 48hrs 異常なし 剥離大 剥離大 72hrs 異常なし ワイヤ 切れ ワイヤ 切れ 96hrs 異常なし ワイヤ 切れ ワイヤ 切れ 120hrs 異常なし ワイヤ 切れ ワイヤ 切れ 144hrs 異常なし − − 168hrs 異常なし − − ガラス転移温度 (℃) 234 234 145 プレッシャークッ 常態 6×1014 4×1014 6×1014 カー処理後の絶縁 200hrs 6×1012 5×1012 2×108 抵抗値 (Ω) 500hrs 5×1011 3×1011 < 108 700hrs 6×1010 2×1010 1000hrs 2×1010 9×109 耐マイグレーシ 常態 6×1013 6×1012 6×1012 ョン性 200hrs 4×1011 5×1011 7×109 (Ω) 500hrs 3×1011 3×1011 < 108 700hrs 2×1011 9×1010 1000hrs 9×1010 8×1010 放熱性 (℃) 36 56 48 [Table 1] Example 1 Comparative example 1 Comparative example 2 Heat resistance after moisture absorption (1) Normal condition No abnormality No abnormality No abnormality No abnormality 72hrs No abnormality No abnormality No abnormality 96hrs No abnormality No abnormality Partial peeling 120hrs No abnormality Partial peeling Partial peeling 144hrs No abnormality Partial peeling Partial peeling 168hrs No abnormality Partial peeling Partial peeling Heat resistance after moisture absorption (2) Normal No abnormality No abnormality No abnormality 24hrs No abnormality Partial peeling Partial peeling 48hrs No abnormality Large peeling Large 72hrs No fault Wire break Wire break 96hrs No break Wire break Wire break 120hrs No break Wire break Wire break 144hrs No break-- 168hrs No break -- Glass transition temperature (℃) 234 234 145 Pressure cook Normal 6 × 10 14 4 × 10 14 6 × 10 14 Insulation after car treatment 200hrs 6 × 10 12 5 × 10 12 2 × 10 8 Resistance value (Ω) 500hrs 5 × 10 11 3 × 10 11 <10 8 700hrs 6 × 10 10 2 × 10 10 1000hrs 2 × 10 10 9 × 10 9 Migration resistance Normal 6 × 10 13 6 × 10 12 6 × 10 12 Functionality 200hrs 4 × 10 11 5 × 10 11 7 × 10 9 (Ω) 500hrs 3 × 10 11 3 × 10 11 < 10 8 700hrs 2 × 10 11 9 × 10 10 1000hrs 9 × 10 10 8 × 10 10 Heat dissipation (° C) 36 56 48
【0044】<測定方法> 1)吸湿後の耐熱性(1) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL3:30 ℃・60
%RHで所定時間処理後、220 ℃リフローソルダー3 サイ
クル後の基板の異常の有無について、断面観察及び電気
的チェックによって確認した。 2)吸湿後の耐熱性(2) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL2:85 ℃・60
%RHで所定時間(Max.168hrs.) 処理後、220 ℃リフロー
ソルダー3 サイクル後の基板の異常の有無を断面観察及
び電気的チェックによって確認した。 3)ガラス転移温度 DAM 法にて測定した。<Measurement method> 1) Heat resistance after moisture absorption (1) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL3: 30 ℃ ・ 60
After the treatment at% RH for a predetermined time, the presence or absence of abnormality in the substrate after three cycles of reflow soldering at 220 ° C. was confirmed by cross-sectional observation and electrical check. 2) Heat resistance after moisture absorption (2) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL2: 85 ℃ ・ 60
After processing at% RH for a predetermined time (Max. 168 hrs.), The presence or absence of abnormality in the substrate after three cycles of reflow soldering at 220 ° C. was confirmed by cross-sectional observation and electrical check. 3) Glass transition temperature Measured by the DAM method.
【0045】4)プレッシャークッカー処理後の絶縁抵
抗値 端子間(ライン/スペース=70μm/70μm) の櫛型パ
ターンを作成し、この上に、それぞれ使用したプリプレ
グを配置して同様に積層成形したものを、121℃・2 気
圧で所定時間処理した後、25℃・60%RHにて2時間後処
理を行い、500VDC印加60秒後に、その端子間の絶縁抵抗
値を測定した。 5)耐マイグレーション性 上記4)の試験片を用い、85℃・85%RH、50VDC 印加し
て端子間の絶縁抵抗値を測定した。 6)放熱性 パッケージを同一マザーボードプリント配線板にハンダ
ボールで接着させ、1000時間連続使用してから、パッケ
ージの温度を測定した。4) Insulation resistance value after pressure cooker treatment A comb-shaped pattern between terminals (line / space = 70 μm / 70 μm) was prepared, and the prepregs used were arranged on each of them and laminated and formed similarly. Was treated at 121 ° C. and 2 atm for a predetermined time, followed by post-treatment at 25 ° C. and 60% RH for 2 hours, and the insulation resistance between its terminals was measured 60 seconds after applying 500 VDC. 5) Migration resistance Using the test piece of the above 4), the insulation resistance between the terminals was measured by applying 50 VDC at 85 ° C. and 85% RH. 6) Heat dissipation The package was adhered to the same motherboard printed wiring board with solder balls and used continuously for 1000 hours, and then the temperature of the package was measured.
【0046】[0046]
【発明の効果】プリント配線板の厚さ方向のほぼ中央
に、プリント配線板とほぼ同じ大きさの金属板が配置さ
れており、プリント配線板の片面に、少なくとも、1 個
以上の金属板の突起が露出しており、この上に半導体チ
ップが固定され、半導体回路導体がその周囲のプリント
配線板表面に形成された回路導体とワイヤボンディング
で接続されており、少なくとも、該表面のプリント配線
板上の信号伝播回路導体が、プリント配線板の反対面に
形成された回路導体もしくは該ハンダボールでの接続用
導体パッドとスルーホール導体で結線されており、少な
くとも、1 個以上のスルーホールが金属芯と直接接続し
た形態のプリント配線板であって、少なくとも、半導体
チップ、ワイヤ及びボンディングパッドが樹脂封止され
ている構造の半導体プラスチックパッケージ用プリント
配線板に用いる両面金属箔張多層板の製造方法におい
て、(1)金属芯に用いる金属板を用意し、金属板の表
面にエッチングレジストを形成し、(2)エッチングを
行い、片面に半導体チップを搭載する凸状の突起を形成
し、(3)再び、金属板の全面に液状エッチングレジス
トを塗布し、溶剤を乾燥除去してから、表面は金属突起
部を打ち抜いたネガフィルムを被せ、紫外線を照射す
る。(4)未露光のクリアランスホール部のレジストを
1 %の炭酸ナトリウム溶液で溶解除去してから、両側か
らエッチングをして、クリアランスホールを形成してか
ら、エッチングレジストを除去する。(5)金属突起部
のある側のプリプレグシートは、突起の位置に、その面
積よりやや大きめの孔を形成したローフロー、又はノー
フローのプリプレグシート、樹脂シート、もしくは樹脂
層を配置し、その上に、金属突起部よりはやや大きめの
孔を形成した、片面に回路を作成し、表面を化学処理し
た両面板、或いは多層板を、回路側をプリプレグ側に向
けて配置し、反対面にはクリアランスホールを埋め込む
に十分な樹脂量及び樹脂流れを有するハイフローのプリ
プレグシート、樹脂シート、樹脂付き銅箔もしくは樹脂
層を配置し、その外側に、必要により、金属箔或いは片
面銅張積層板を配置して、(6)加熱、加圧下に、好ま
しくは真空下に一体化し、片面に金属突起が露出した金
属芯入り両面金属箔張多層板を作成する。プリプレグシ
ート或いは塗布する樹脂層に使用する熱硬化性樹脂とし
て多官能性シアン酸エステル樹脂組成物を用いることに
より、得られた両面金属箔張多層板を用いて作成された
プリント多層配線板に半導体チップを固定、ワイヤボン
ディング、樹脂封止して製造されたパッケージは、半導
体チップの下面からの吸湿がなく、吸湿処理後の耐熱
性、すなわちポップコーン現象が大幅に改善できるとと
もに、熱放散性も改善でき、加えて大量生産性にも適し
ており、経済性の改善された、新規な構造の半導体プラ
スチックパッケージを得ることができた。According to the present invention, a metal plate having substantially the same size as the printed wiring board is disposed substantially at the center of the printed wiring board in the thickness direction, and at least one metal plate is provided on one side of the printed wiring board. The projection is exposed, the semiconductor chip is fixed thereon, and the semiconductor circuit conductor is connected by wire bonding to the circuit conductor formed on the surface of the printed wiring board around the semiconductor chip. The upper signal propagation circuit conductor is connected to the circuit conductor formed on the opposite surface of the printed wiring board or the conductor pad for connection with the solder ball with a through-hole conductor, and at least one or more through-holes are made of metal. A printed wiring board directly connected to a core, wherein at least a semiconductor chip, wires and bonding pads are sealed with a resin. In the method for manufacturing a double-sided metal foil-clad multilayer board used for a printed wiring board for a plastic package, (1) a metal plate used for a metal core is prepared, an etching resist is formed on the surface of the metal plate, and (2) etching is performed. A convex projection on which a semiconductor chip is mounted is formed on one side. (3) A liquid etching resist is applied again on the entire surface of the metal plate, and the solvent is removed by drying. And irradiate with ultraviolet light. (4) Remove the unexposed resist in the clearance hole
After dissolving and removing with a 1% sodium carbonate solution, etching is performed from both sides to form a clearance hole, and then the etching resist is removed. (5) The prepreg sheet on the side having the metal protrusions is provided with a low-flow or no-flow prepreg sheet, a resin sheet, or a resin layer in which holes slightly larger than the area of the prepreg sheets are formed at the positions of the protrusions. A double-sided board or multilayer board with a circuit formed on one side and a chemically treated surface, with holes slightly larger than the metal projections, placed with the circuit side facing the prepreg side, and clearance on the opposite side A high-flow prepreg sheet, resin sheet, resin-coated copper foil or resin layer having a sufficient amount of resin and resin flow to fill the hole is arranged, and if necessary, a metal foil or a single-sided copper-clad laminate is arranged outside thereof. (6) A double-sided metal foil-clad multilayer board with a metal core having metal projections exposed on one side is formed under heat and pressure, preferably under vacuum. By using a polyfunctional cyanate ester resin composition as a thermosetting resin to be used for a prepreg sheet or a resin layer to be applied, a printed multi-layer wiring board made using the obtained double-sided metal foil-clad multilayer board can be used as a semiconductor. The package manufactured by fixing the chip, wire bonding, and resin sealing does not absorb moisture from the underside of the semiconductor chip, greatly improving the heat resistance after the moisture absorption treatment, that is, the popcorn phenomenon, and also improving the heat dissipation In addition, a semiconductor plastic package having a novel structure which is suitable for mass productivity and improved in economic efficiency was obtained.
【図1】本発明の両面金属箔張多層板の製造工程。FIG. 1 is a manufacturing process of a double-sided metal foil-clad multilayer board of the present invention.
【図2】本発明の両面金属箔張多層板を用いた半導体プ
ラスチックパッケージ製造工程。FIG. 2 shows a semiconductor plastic package manufacturing process using the double-sided metal foil-clad multilayer board of the present invention.
【図3】本発明で用いる片面凸形状の内層金属板の断面
図。FIG. 3 is a cross-sectional view of a single-sided convex inner layer metal plate used in the present invention.
【図4】本発明で用いる片面凸形状の内層金属板の斜視
図。FIG. 4 is a perspective view of a single-sided convex inner layer metal plate used in the present invention.
【図5】比較例1の半導体プラスチックパッケージ製造
工程。FIG. 5 shows a semiconductor plastic package manufacturing process of Comparative Example 1.
【図6】比較例2の半導体プラスチックパッケージ製造
工程。FIG. 6 shows a semiconductor plastic package manufacturing process of Comparative Example 2.
a:金属板、b:エッチングレジスト、c:露光された
エッチングレジスト、d:片面回路形成両面金属箔張積
層板、e:ローフロープリプレグシートB、f:金属
箔、g:ハイフロープリプレグシートC、h:表裏回路
導通用スルーホール、i:半導体チップ、j:ボンディ
ングワイヤ、k:熱伝導性ペースト、l:ハンダボー
ル、m:メッキレジスト、n:封止樹脂、o:放熱用ス
ルーホールa: metal plate, b: etching resist, c: exposed etching resist, d: single-sided circuit-formed double-sided metal foil-clad laminate, e: low-flow prepreg sheet B, f: metal foil, g: high-flow prepreg sheet C, h: through-hole for front and back circuit conduction, i: semiconductor chip, j: bonding wire, k: heat conductive paste, l: solder ball, m: plating resist, n: sealing resin, o: through-hole for heat radiation
Claims (3)
に、プリント配線板とほぼ同じ大きさの金属板が配置さ
れており、プリント配線板の片面に、少なくとも、1 個
以上の金属板の突起が露出しており、この上に半導体チ
ップが固定され、半導体チップがその周囲のプリント配
線板表面に形成された回路導体とワイヤボンディングで
接続されており、少なくとも、該表面のプリント配線板
上の信号伝播回路導体が、プリント配線板の反対面に形
成された回路導体もしくは該ハンダボールでの接続用導
体パッドとメッキされたスルーホール導体で結線されて
おり、少なくとも、1 個以上のスルーホールが金属芯と
直接接続した形態のプリント配線板であって、少なくと
も、半導体チップ、ワイヤ及びボンディングパッドが樹
脂封止されている構造の半導体プラスチックパッケージ
に用いる両面金属箔張多層板の製造方法において、 (1)金属芯に用いる金属板を用意し、金属板の表面に
エッチングレジストを形成する。 (2)エッチングを行い、片面に半導体チップを搭載す
る凸状の突起を形成する。 (3)再び、金属板の全面に液状エッチングレジストを
塗布し、溶剤を乾燥除去してから、表面は金属突起部を
打ち抜いたネガフィルムを被せ、紫外線を照射する。 (4)未露光のクリアランスホール部のレジストを1 %
炭酸ナトリウム溶液で溶解除去し、両側からエッチング
してクリアランスホールを形成してから、エッチングレ
ジストを除去する。 (5)金属突起部のある側のプリプレグシートは、突起
の位置に、その面積よりやや大きめの孔を形成したロー
フロー、又はノーフローのプリプレグシート、樹脂シー
ト、もしくは塗布による樹脂層を配置し、その上に金属
突起部の面積よりやや大きめの孔を形成した、片面に回
路を形成し、必要により表面を化学処理した両面板、或
いは多層板を配置し、反対面にはクリアランスホールを
埋め込むに十分な樹脂量と樹脂流れを有するハイフロー
のプリプレグシート、樹脂付き銅箔、樹脂シート、もし
くは塗布樹脂層を配置し、その外側に、必要により金属
箔、或いは片面金属箔張積層板を配置して、 (6)加熱、加圧下、好ましくは真空下に積層成形して
一体化し、片面に金属突起が露出した金属芯入り両面金
属箔張多層板とすることを特徴とする半導体プラスチッ
クパッケージ用の金属芯入り両面金属箔張多層板の製造
方法。At least one metal plate having substantially the same size as the printed wiring board is disposed at substantially the center in the thickness direction of the printed wiring board, and at least one metal plate is provided on one surface of the printed wiring board. The projection is exposed, and the semiconductor chip is fixed thereon, and the semiconductor chip is connected by wire bonding to the circuit conductor formed on the surface of the printed wiring board around the semiconductor chip. Are connected to the circuit conductor formed on the opposite surface of the printed wiring board or the conductor pad for connection with the solder ball and the plated through-hole conductor, and at least one or more through-holes are provided. Is a printed wiring board directly connected to a metal core, wherein at least a semiconductor chip, a wire, and a bonding pad are resin-sealed. The method of manufacturing a double-sided metal foil-clad multilayer board used for the semiconductor plastic package, (1) providing a metal plate used in the metal core, forming an etching resist on the surface of the metal plate. (2) Etching is performed to form a projection on one side on which a semiconductor chip is mounted. (3) A liquid etching resist is applied again on the entire surface of the metal plate, and the solvent is dried and removed. Then, the surface is covered with a negative film punched out of metal projections, and irradiated with ultraviolet rays. (4) 1% resist in the unexposed clearance hole
After dissolving and removing with a sodium carbonate solution and etching from both sides to form a clearance hole, the etching resist is removed. (5) The prepreg sheet on the side having the metal protrusions is provided with a low-flow or no-flow prepreg sheet, a resin sheet, or a resin layer formed by coating, in which holes slightly larger than the area of the prepreg sheet are formed. A hole slightly larger than the area of the metal protrusion is formed on the top, a circuit is formed on one side, and a double-sided board or a multilayer board whose surface is chemically treated as necessary is arranged, and a clearance hole is sufficiently embedded on the opposite side A high-flow prepreg sheet having a large amount of resin and a resin flow, a resin-coated copper foil, a resin sheet, or an applied resin layer is arranged, and a metal foil or a single-sided metal foil-clad laminate is arranged outside thereof, as necessary. (6) Laminating under heat and pressure, preferably under vacuum, and integrating to form a double-sided metal foil-clad multilayer board with a metal core with metal projections exposed on one side. A method for producing a double-sided metal foil-clad multilayer board with a metal core for a semiconductor plastic package.
有率95%以上の合金、或いは純銅である請求項1 に記載
の金属芯入り両面金属箔張多層板の製造方法。2. The method for producing a double-sided metal-foil-clad multilayer board with a metal core according to claim 1, wherein the metal sheet and the circuit metal of the surface layer are an alloy having a copper content of 95% or more or pure copper.
エステル、該シアン酸エステルプレポリマーを必須成分
とする熱硬化性樹脂組成物である請求項1または2 に記
載の金属芯入り両面金属箔張多層板の製造方法。3. The double-sided metal core according to claim 1, wherein the insulating resin composition is a thermosetting resin composition containing a polyfunctional cyanate ester and the cyanate ester prepolymer as essential components. A method for producing a metal foil-clad multilayer board.
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| EP98310022A EP0926729A3 (en) | 1997-12-10 | 1998-12-08 | Semiconductor plastic package and process for the production thereof |
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| JP10015893A JPH11214572A (en) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | Method for producing double-sided metal foil-clad multilayer board with metal core |
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|---|---|
| JPH11214572A true JPH11214572A (en) | 1999-08-06 |
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ID=11901476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10015893A Pending JPH11214572A (en) | 1997-12-10 | 1998-01-28 | Method for producing double-sided metal foil-clad multilayer board with metal core |
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