JP6072733B2 - 暗視野検査システムおよび方法 - Google Patents
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Description
本出願は、2009年7月22日出願の発明の名称を「Defect Inspection System With Enhanced Capabilities」とする、米国仮特許出願第61/227,713号に基づく優先権を主張する。
式中、
工程1)円柱軸が、輝線方向(この実施例ではx軸)と平行であり、光軸
工程2)円柱レンズを、その円柱軸
適用例1:ウェハ上に合成集束照射線を生成するための複数のビーム成形経路と、各ビーム成形経路は傾斜角でウェハを照射し、前記複数のビーム成形経路はリング状照射を形成し、前記ウェハからの散乱光を捕捉するための対物レンズと、前記対物レンズの出力を受け取るための画像センサーと、を備える、暗視野検査システム。
適用例2:前記複数個のビーム成形経路のそれぞれは光源を含む、適用例1に記載の暗視野検査システム。
適用例3:前記複数個のビーム成形経路のそれぞれは円柱レンズを含み、各円柱レンズは対応する光源からの光ビームに対して傾斜および回転される、適用例2に記載の暗視野検査システム。
適用例4:サンプルの面法線に対する前記傾斜角が60〜85度である、適用例3に記載の暗視野検査システム。
適用例5:前記対物レンズの開口数(NA)が少なくとも0.5である、適用例3に記載の暗視野検査システム。
適用例6:各円柱レンズは、照射線と平行に配置される円柱軸を有する、適用例3に記載の暗視野検査システム。
適用例7:各円柱レンズは、収差を最小限に抑えるために、その円柱軸の周りを回転させられる、適用例6に記載の暗視野検査システム。
適用例8:少なくとも1つのビーム成形経路は第1、第2、および第3の円柱レンズを含み、前記第1円柱レンズおよび前記第2円柱レンズの一方はいずれの時点においてもビーム成形経路内にあり、前記第1円柱レンズおよび前記第2円柱レンズのそれぞれは、前記照射線の長さを決定し、前記第3円柱レンズは前記照射線の幅を決定する、適用例6に記載の暗視野検査システム。
適用例9:少なくとも1つのビーム成形経路は連続ズームレンズおよび円柱レンズを含み、前記連続ズームレンズは既定の範囲内における特定の照射線の長さの選択を可能にし、前記円柱レンズは前記照射線の幅を決定する、適用例6に記載の暗視野検査システム。
適用例10:前記画像センサーは、前記ウェハ上の粒子の形状に整合するデジタル画像処理フィルターを含む、適用例3に記載の暗視野検査システム。
適用例11:前記形状はドーナツ形状である、適用例9に記載の暗視野検査システム。
適用例12:各光源はレーザーである、適用例3に記載の暗視野検査システム。
適用例13:前記複数のビーム成形経路は、複数のレーザーと、前記複数のレーザーに結合されている多モードファイバーと、前記多モードファイバーによって伝送されるビームを変調するための変調器と、前記照射線を生成するために、前記ビームを反射して方向付けするための鏡と、を含む、適用例1に記載の暗視野検査システム。
適用例14:前記鏡は、非球面リング状鏡を含む、適用例13に記載の暗視野検査システム。
適用例15:前記複数のビーム成形経路は、広帯域光源と、前記広帯域光源の出力を受け取る光導体と、前記光導体の出力を平行化するための集光レンズと、前記照射線を生成するために、前記集光レンズから出力されるビームを反射して方向付けするための鏡と、を含む、適用例1に記載の暗視野検査システム。
適用例16:前記鏡は非球面リング状鏡を含む、適用例15に記載の暗視野検査システム。
適用例17:少なくとも1つの光源は、複数の波長を有するレーザービームを生成するために、複数のレーザーおよびダイクロイックビーム結合器を含む、適用例2に記載の暗視野検査システム。
適用例18:各光源はレーザーであり、隣接するビーム成形経路は異なる波長を有するレーザーを有する、適用例2に記載の暗視野検査システム。
適用例19:前記複数のビーム成形経路は、レーザーと、前記レーザーに結合されている拡散器と、前記拡散器の出力を受け取るためのファイバー束と、を含み、各ファイバーは光が前記照射線を形成することに寄与する、適用例1に記載の暗視野検査システム。
適用例20:各光源はレーザーダイオードである、適用例3に記載の暗視野検査システム。
適用例21:前記対物レンズの出力を受け取るように配置される、ビーム分割器を更に含み、前記画像センサーは前記ビーム分割器によって出力される光の第1の波長を検出するための第1画像センサー、および前記ビーム分割器によって出力される光の第2の波長を検出するための第2画像センサーを含む、適用例1に記載の暗視野検査システム。
適用例22:前記対物レンズの出力を受け取るように配置される、ビーム分割器を更に含み、前記画像センサーは複数の画像センサーを含み、各画像センサーは前記ビーム分割器によって出力される光の特定の波長を検出する、適用例1に記載の暗視野検査システム。
適用例23:前記複数の画像センサーのサブセットが、画像解析のために選択される、適用例22に記載の暗視野検査システム。
適用例24:暗視野検査システムを構成する方法であって、リング状照射を提供するための複数のビーム成形経路を形成することを備え、各ビーム成形経路は傾斜角でウェハを照射し、前記複数のビーム成形経路の出力がは前記ウェハ上に集束照射線を形成する、方法。
適用例25:前記複数個のビーム成形経路を形成することは、少なくとも1つの円柱レンズを、各ビーム成形経路内で傾斜および回転させることを含む、適用例24に記載の方法。
適用例26:各円柱レンズは照射線と平行に配置される円柱軸を有する、適用例25に記載の方法。
適用例27:収差を最小限に抑えるために、少なくとも1つの円柱レンズを、その円柱軸の周りで回転させることを更に含む、適用例26に記載の方法。
適用例28:前記照射線の長さを決定するための第1円柱レンズ、および前記照射線の幅を決定するための第2円柱レンズを使用することを更に含む、適用例25に記載の方法。
適用例29:前記照射線の長さを決定するためのズームレンズ、および前記照射線の幅を決定するための円柱レンズを使用することを更に含む、適用例25に記載の方法。
適用例30:前記複数のビーム成形経路を形成することは、多モードファイバーをコヒーレント光源の出力に結合し、前記多モードファイバーによって伝送されるビームを変調し、前記照射線を生成するために、変調ビームを反射して方向付けすること、を含む、適用例24に記載の方法。
適用例31:前記複数のビーム成形経路を形成することは、光導体を非コヒーレント光源の出力に結合し、前記光導体の出力を平行化し、前記照射線を生成するために、ビーム平行化出力を反射して方向付けすること、を含む、適用例24に記載の方法。
適用例32:前記複数のビーム成形経路を形成することは、少なくとも1つのビーム成形経路内で、複数のレーザーからの出力を結合することを含み、各レーザーは異なる波長を有する、適用例24に記載の方法。
適用例33:前記複数のビーム成形経路を形成することは、隣接するビーム成形経路内に、異なる波長を有するレーザーを提供することを含む、適用例24に記載の方法。
適用例34:前記複数のビーム成形経路を形成することは、拡散器をレーザーの出力に結合し、ファイバー束を前記拡散器の出力に結合すること、を含み、前記ファイバー束の各ファイバーは、光が前記照射線を形成することに寄与する、適用例24に記載の方法。
適用例35:前記傾斜角は、サンプルの面法線に対して60〜85度である、適用例24に記載の方法。
Claims (30)
- 暗視野検査システムであって、
ウェハ上に合成集束照射線を生成するための3以上のビーム成形経路であって、各ビーム成形経路は傾斜角でウェハを照射し、前記3以上のビーム成形経路はリング状照射を形成し、前記3以上のビーム成形経路のそれぞれは、前記ウェハの表面で独立したランダムノイズが生じるように配置された独立光源を備え、各独立光源は、互いに非コヒーレントな光を提供し、前記3以上のビーム成形経路は、円柱レンズを含み、各円柱レンズは、その対応する光源からの光ビームに対して傾斜および回転させられ、各円柱レンズは、前記照射線に平行な円柱軸を有しており、前記円柱軸と前記円柱レンズの光軸の両方に垂直なb軸は、その対応する光源からの前記光ビームに垂直である、3以上のビーム成形経路と、
前記ウェハからの散乱光を捕捉するための対物レンズと、
前記対物レンズの出力を受け取るための画像センサーと、
を備える暗視野検査システム。 - サンプルの面法線に対する前記傾斜角が60〜85度である、請求項1に記載の暗視野検査システム。
- 前記対物レンズの開口数(NA)が少なくとも0.5である、請求項1に記載の暗視野検査システム。
- 各円柱レンズは、収差を最小限に抑えるために、その円柱軸の周りを回転させられる、請求項1に記載の暗視野検査システム。
- 少なくとも1つのビーム成形経路は第1、第2、および第3の円柱レンズを含み、前記第1円柱レンズおよび前記第2円柱レンズの一方はいずれの時点においてもビーム成形経路内にあり、前記第1円柱レンズおよび前記第2円柱レンズのそれぞれは、前記照射線の長さを決定し、前記第3円柱レンズは前記照射線の幅を決定する、請求項1に記載の暗視野検査システム。
- 少なくとも1つのビーム成形経路は連続ズームレンズおよび円柱レンズを含み、前記連続ズームレンズは既定の範囲内における特定の照射線の長さの選択を可能にし、前記円柱レンズは前記照射線の幅を決定する、請求項1に記載の暗視野検査システム。
- 前記画像センサーは、前記ウェハ上の粒子の形状に整合するデジタル画像処理フィルターを含む、請求項1に記載の暗視野検査システム。
- 前記形状はドーナツ形状である、請求項7に記載の暗視野検査システム。
- 各光源はレーザーである、請求項1に記載の暗視野検査システム。
- 前記3以上のビーム成形経路は、
複数のレーザーと、
前記複数のレーザーに結合されている多モードファイバーと、
前記多モードファイバーによって伝送されるビームを変調するための変調器と、
前記照射線を生成するために、前記ビームを反射して方向付けするための鏡と、
を含む、請求項1に記載の暗視野検査システム。 - 前記鏡は、非球面リング状鏡を含む、請求項10に記載の暗視野検査システム。
- 前記3以上のビーム成形経路は、
広帯域光源と、
前記広帯域光源の出力を受け取る光導体と、
前記光導体の出力を平行化するための集光レンズと、
前記照射線を生成するために、前記集光レンズから出力されるビームを反射して方向付けするための鏡と、
を含む、請求項1に記載の暗視野検査システム。 - 前記鏡は非球面リング状鏡を含む、請求項12に記載の暗視野検査システム。
- 少なくとも1つの光源は、複数の波長を有するレーザービームを生成するために、複数のレーザーおよびダイクロイックビーム結合器を含む、請求項1に記載の暗視野検査システム。
- 各光源はレーザーであり、隣接するビーム成形経路は異なる波長を有するレーザーを有する、請求項1に記載の暗視野検査システム。
- 前記3以上のビーム成形経路は、
レーザーと、
前記レーザーに結合されている拡散器と、
前記拡散器の出力を受け取るためのファイバー束と、
を含み、各ファイバーは光が前記照射線を形成することに寄与する、請求項1に記載の暗視野検査システム。 - 各光源はレーザーダイオードである、請求項1に記載の暗視野検査システム。
- 前記対物レンズの出力を受け取るように配置される、ビーム分割器を更に含み、前記画像センサーは前記ビーム分割器によって出力される光の第1の波長を検出するための第1画像センサー、および前記ビーム分割器によって出力される光の第2の波長を検出するための第2画像センサーを含む、請求項1に記載の暗視野検査システム。
- 前記対物レンズの出力を受け取るように配置される、ビーム分割器を更に含み、前記画像センサーは複数の画像センサーを含み、各画像センサーは前記ビーム分割器によって出力される光の特定の波長を検出する、請求項1に記載の暗視野検査システム。
- 前記複数の画像センサーのサブセットが、画像解析のために選択される、請求項19に記載の暗視野検査システム。
- 暗視野検査システムを提供する方法であって、
リング状照射を提供するための3以上のビーム成形経路を形成することを備え、
各ビーム成形経路は傾斜角でウェハを照射し、前記3以上のビーム成形経路の出力が前記ウェハ上に集束照射線を形成し、
前記3以上のビーム成形経路のそれぞれは、前記ウェハの表面で独立したランダムノイズが生じるように配置された独立光源を備え、各独立光源は、互いに非コヒーレントな光を提供し、
前記3以上のビーム成形経路を形成することは、各ビーム成形経路内で、少なくとも1つの円柱レンズを傾斜および回転させることを含み、
各円柱レンズは、前記照射線に平行な円柱軸を有しており、前記円柱軸と前記円柱レンズの光軸の両方に垂直なb軸は、その対応する光源からの光ビームに垂直である、
方法。 - 収差を最小限に抑えるために、少なくとも1つの円柱レンズを、その円柱軸の周りで回転させることを更に含む、請求項21に記載の方法。
- 前記照射線の長さを決定するための第1円柱レンズ、および前記照射線の幅を決定するための第2円柱レンズを使用することを更に含む、請求項21に記載の方法。
- 前記照射線の長さを決定するためのズームレンズ、および前記照射線の幅を決定するための円柱レンズを使用することを更に含む、請求項21に記載の方法。
- 前記3以上のビーム成形経路を形成することは、
多モードファイバーをコヒーレント光源の出力に結合し、
前記多モードファイバーによって伝送されるビームを変調し、
前記照射線を生成するために、変調ビームを反射して方向付けすること、
を含む、請求項21に記載の方法。 - 前記3以上のビーム成形経路を形成することは、
光導体を非コヒーレント光源の出力に結合し、
前記光導体の出力を平行化し、
前記照射線を生成するために、ビーム平行化出力を反射して方向付けすること、
を含む、請求項21に記載の方法。 - 前記3以上のビーム成形経路を形成することは、
少なくとも1つのビーム成形経路内で、複数のレーザーからの出力を結合することを含み、各レーザーは異なる波長を有する、請求項21に記載の方法。 - 前記3以上のビーム成形経路を形成することは、
隣接するビーム成形経路内に、異なる波長を有するレーザーを提供することを含む、請求項21に記載の方法。 - 前記3以上のビーム成形経路を形成することは、
拡散器をレーザーの出力に結合し、
ファイバー束を前記拡散器の出力に結合すること、
を含み、前記ファイバー束の各ファイバーは、光が前記照射線を形成することに寄与する、請求項21に記載の方法。 - 前記傾斜角は、サンプルの面法線に対して60〜85度である、請求項21に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US22771309P | 2009-07-22 | 2009-07-22 | |
| US61/227,713 | 2009-07-22 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012521696A Division JP5639169B2 (ja) | 2009-07-22 | 2010-07-16 | 暗視野検査システムおよび暗視野検査システムを構成する方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014222239A JP2014222239A (ja) | 2014-11-27 |
| JP2014222239A5 JP2014222239A5 (ja) | 2016-12-08 |
| JP6072733B2 true JP6072733B2 (ja) | 2017-02-01 |
Family
ID=43499363
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012521696A Active JP5639169B2 (ja) | 2009-07-22 | 2010-07-16 | 暗視野検査システムおよび暗視野検査システムを構成する方法 |
| JP2014140065A Active JP6072733B2 (ja) | 2009-07-22 | 2014-07-07 | 暗視野検査システムおよび方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012521696A Active JP5639169B2 (ja) | 2009-07-22 | 2010-07-16 | 暗視野検査システムおよび暗視野検査システムを構成する方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9176072B2 (ja) |
| EP (1) | EP2457251A4 (ja) |
| JP (2) | JP5639169B2 (ja) |
| KR (1) | KR101803109B1 (ja) |
| CN (1) | CN102473663B (ja) |
| IL (1) | IL217178A (ja) |
| TW (1) | TWI536012B (ja) |
| WO (1) | WO2011011291A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US9182351B2 (en) | 2013-11-26 | 2015-11-10 | Nanometrics Incorporated | Optical metrology system for spectral imaging of a sample |
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-
2010
- 2010-07-16 JP JP2012521696A patent/JP5639169B2/ja active Active
- 2010-07-16 US US12/919,760 patent/US9176072B2/en active Active
- 2010-07-16 KR KR1020127004139A patent/KR101803109B1/ko active Active
- 2010-07-16 WO PCT/US2010/042354 patent/WO2011011291A1/en not_active Ceased
- 2010-07-16 EP EP10802700.4A patent/EP2457251A4/en not_active Withdrawn
- 2010-07-16 CN CN201080033782.9A patent/CN102473663B/zh active Active
- 2010-07-22 TW TW099124187A patent/TWI536012B/zh active
-
2011
- 2011-12-25 IL IL217178A patent/IL217178A/en active IP Right Grant
-
2014
- 2014-07-07 JP JP2014140065A patent/JP6072733B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9176072B2 (en) | 2015-11-03 |
| TW201132960A (en) | 2011-10-01 |
| EP2457251A4 (en) | 2017-11-08 |
| JP2012533756A (ja) | 2012-12-27 |
| WO2011011291A1 (en) | 2011-01-27 |
| JP2014222239A (ja) | 2014-11-27 |
| KR20120052994A (ko) | 2012-05-24 |
| IL217178A (en) | 2017-04-30 |
| CN102473663A (zh) | 2012-05-23 |
| IL217178A0 (en) | 2012-02-29 |
| EP2457251A1 (en) | 2012-05-30 |
| CN102473663B (zh) | 2016-11-09 |
| JP5639169B2 (ja) | 2014-12-10 |
| US20110169944A1 (en) | 2011-07-14 |
| TWI536012B (zh) | 2016-06-01 |
| KR101803109B1 (ko) | 2017-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150521 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150602 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150831 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160426 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160715 |
|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161228 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6072733 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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