JP2025066822A - ウェハ処理装置、システム及びウェハ処理装置に適用される制御方法 - Google Patents
ウェハ処理装置、システム及びウェハ処理装置に適用される制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2025066822A JP2025066822A JP2025012537A JP2025012537A JP2025066822A JP 2025066822 A JP2025066822 A JP 2025066822A JP 2025012537 A JP2025012537 A JP 2025012537A JP 2025012537 A JP2025012537 A JP 2025012537A JP 2025066822 A JP2025066822 A JP 2025066822A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- chamber
- loading
- wafer
- unloading
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/34—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H10P72/3411—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Program-control systems
- G05B19/02—Program-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/4189—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the transport system
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H10P72/0461—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the presence of two or more transfer chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H10P72/0464—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/32—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H10P72/3202—Mechanical details, e.g. rollers or belts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/32—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H10P72/3218—Conveying cassettes, containers or carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3302—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3312—Vertical transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/34—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H10P72/3404—Storage means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/34—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H10P72/3406—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door or cover
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7602—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade or gripped by a gripper for conveyance
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Robotics (AREA)
Abstract
【解決手段】ウェハ処理装置は、加工機構、ボート搬入出チャンバ16、該チャンバに位置するボートベース、ウェハ搬入出チャンバ11、該チャンバに位置するウェハ移載機構12、複数の仕切チャンバ、複数のボート14及び搬送ロボットアーム21、22を有する流転装置を含む。仕切チャンバとウェハ搬入出チャンバとの間には前開閉扉19が、仕切チャンバとボート搬入出チャンバとの間には後開閉扉20が設けられ、流転装置はボートをウェハ搬入出チャンバと仕切チャンバの内部で流転させ、ボートをボート搬入出チャンバと仕切チャンバの内部で流転させ、前記仕切チャンバは第1、第2の仕切チャンバ18a、bを含み、第1の仕切チャンバは処理対象ウェハが搭載されたボートを、第2の仕切チャンバは流転された処理済みウェハが搭載されたボートを収容する。
【選択図】図2
Description
本開示は、半導体技術分野に属し、具体的には、ウェハ処理装置、ウェハ処理システム及びウェハ処理装置に適用される制御方法に関する。
半導体の製造過程において、常に炉管機台などのウェハ処理装置を用いて大量のウェハを一度に加工するが、ウェハを移送、搬入出する際に多くの時間を要し、生産効率を低下させ、また、移送中にウェハの汚染の問題が生じやすく、製品の歩留まりを低下させた。
本開示の実施例は、ウェハ処理装置、ウェハ処理システム及びウェハ処理装置に適用される制御方法を提供し、生産効率を向上させると同時に、ウェハの汚染を低減し、ウェハの生産歩留まりを向上させることができる。
当該ウェハ処理装置は、加工領域と、ウェハ搬入出領域と、ボート搬入出領域と、仕切 領域と、少なくとも2つのボートと流転装置とを含み、
前記加工領域は、少なくとも1つの加工機構を含み、
前記ウェハ搬入出領域は、ウェハ搬入出チャンバと、前記ウェハ搬入出チャンバ内に位置するウェハ移載機構とを含み、前記ウェハ移載機構は、ポッド内の処理対象ウェハをボート上に移載させるか、ボート上の処理済みウェハをポッド内に移載させるように構成され、
前記ボート搬入出領域は、ボート搬入出チャンバと、前記ボート搬入出チャンバ内に位置するボートベースとを含み、前記ボートベースは、ボートを載置し、ボートの前記加工機構に対する搬入出を実現するように構成され、
前記仕切領域は、前記ボート搬入出領域と前記ウェハ搬入出領域との間に位置し、互いに独立した複数の仕切チャンバを含み、各前記仕切チャンバと前記ウェハ搬入出チャンバとの間には前開閉扉が設けられ、前記前開閉扉は、前記仕切チャンバと前記ウェハ搬入出チャンバとの間の開閉を実現するように開閉可能であり、且つ各前記仕切チャンバと前記ボート搬入出チャンバとの間には後開閉扉が設けられ、前記後開閉扉は、前記仕切チャンバと前記ボート搬入出チャンバとの間の開閉を実現するように開閉可能であり、
前記流転装置は、前記ボートを前記ウェハ搬入出チャンバと前記仕切チャンバの内部で流転させるように構成され、ボートを前記ボート搬入出チャンバと前記仕切チャンバの内部で流転させるようにさらに構成され、
複数の前記仕切チャンバは、第1の仕切チャンバと第2の仕切チャンバとを含み、前記第1の仕切チャンバは、前記ウェハ搬入出チャンバを介してその内部に流転されて処理対象ウェハが搭載されたボートを収容するように構成され、前記第2の仕切チャンバは、前記ボート搬入出チャンバを介してその内部に流転されて処理済みウェハが搭載されたボートを収容するように構成される。
前記仕切チャンバと前記ウェハ搬入出チャンバとの間が開状態となるように前記前開閉扉の開きを制御する前に、前記仕切チャンバ内の圧力を前記ウェハ搬入出チャンバ内の圧力と同じに調整し、
前記仕切チャンバと前記ボート搬入出チャンバとの間が開状態となるように前記後開閉扉の開きを制御する前に、前記仕切チャンバ内の圧力を前記ボート搬入出チャンバ内の圧力と同じに調整するように構成される。
前記加工炉管は、前記ボート搬入出チャンバの外部に設けられ、前記ボート搬入出チャンバに連通しており、前記加工炉管は、ウェハの処理に作動環境を提供することができる。
前記ボートベースは、ベース本体と昇降機構とを含み、前記加工炉管の管口の正投影は、前記ベース本体内に位置し、前記昇降機構は、前記ベース本体に接続され、前記加工炉管を開閉するように前記ベース本体を昇降運動させるように駆動することにより、前記ベース本体に載置されたボートを前記加工炉管に対して搬入出することを実現する。
前記炉管カバーは、前記加工炉管が作動待機状態にあるときに前記加工炉管を閉じることができる。
前記スライドレールは、前記ボート搬入出チャンバの頂部に固定的に接続され、前記接続ロッドの一端は前記カバープレートに固定的に接続され、前記接続ロッドの他端にはスライダが設けられ、前記スライダは、前記スライドレールにスライド可能に接続され、前記スライダは、前記スライドレールに水平にスライドして前記カバープレートを前記加工炉管に接近または離間させることにより、前記加工炉管を開閉することを実現する。
前記第1の搬送ロボットアームは、前記ウェハ搬入出チャンバに設けられ、前記第1の搬送ロボットアームは、前記第1の仕切チャンバと前記ウェハ搬入出チャンバとの間が開状態となるときに、前記ウェハ搬入出チャンバ内に処理対象ウェハが搭載されたボートを前記第1の仕切チャンバ内に搬送するように構成され、前記第2の仕切チャンバと前記ウェハ搬入出チャンバとの間が開状態となるときに、前記第2の仕切チャンバ内に処理済みウェハが搭載されたボートを前記ウェハ搬入出チャンバ内に搬送するようにさらに構成され、
前記第2の搬送ロボットアームは、前記ボート搬入出チャンバに設けられ、前記第2の搬送ロボットアームは、前記第1の仕切チャンバと前記ボート搬入出チャンバとの間が開状態となるときに、前記第1の仕切チャンバ内に処理対象ウェハが搭載されたボートを前記ボート搬入出チャンバ内に搬送するように構成され、前記第2の仕切チャンバと前記ボート搬入出チャンバとの間が開状態となるときに、前記ボート搬入出チャンバ内に処理済みウェハが搭載されたボートを前記第2の仕切チャンバ内に搬送するようにさらに構成される。
前記ウェハ搬入出領域は、前記ボート搬入出領域よりも前記仮置き領域に近接し、及び/又は、
前記ウェハ搬入出チャンバには、ポッドと協働する前面開口式インタフェース機械規格(Front-Opening Interfacemechanical Standard)が設けられ、前記前面開口式インタフェース機械規格は、ポッドと前記ウェハ搬入出チャンバとの間を開閉するように構成される。
ボート搬入出チャンバ内に処理済みウェハが搭載されたボートを第2の仕切チャンバの内部に流転させるように流転装置を制御した後、第1の仕切チャンバに対応する後開閉扉を開けるように制御し、その後、第1の仕切チャンバ内に未処理ウェハが搭載されたボートをボート搬入出チャンバのボートベースに流転させるように流転装置を制御するステップと、
ウェハ搬入出チャンバ内に処理対象ウェハが搭載されたボートを第1の仕切チャンバの内部に流転させるように流転装置を制御した後、第2の仕切チャンバに対応する前開閉扉を開けるように制御し、その後、第2の仕切チャンバ内に処理済みウェハが搭載されたボートをウェハ搬入出チャンバに流転させるように流転装置を制御するステップと、含む。
ウェハ搬入出チャンバ内に処理対象ウェハが搭載されたボートを第1の仕切チャンバの内部に流転させるように流転装置を制御した後、且つ第2の仕切チャンバに対応する前開閉扉を開けるように制御する前に、第1の仕切チャンバに対応する前開閉扉を閉状態になるように制御する。
ポッド内の処理対象ウェハを、ウェハ搬入出チャンバ内に位置して未満載状態にあるボートに移載させるようにウェハ移載機構を制御するステップと、又は、
ウェハ搬入出チャンバ内に位置して処理済みウェハが搭載されたボート上の処理済みウェハをポッド内に移載させるようにウェハ移載機構を制御するステップと、さらに含む。
上記のいずれか一項に記載のウェハ処理装置と、
上記のいずれか一項に記載の制御方法を実現するためのマスタと、を含む。
ここでの図面は明細書に組み込まれて本明細書の一部を構成し、本願の実施例に適合し、明細書とともに本願の原理を解釈するために用いられる。明らかなように、以下の説明における図面は、本願のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとって、創造的な労力を伴わずに、これらの図面に基づいて他の図面を取得することもできる。
10、加工機構、101、加工炉管、102、炉管カバー、1021、カバープレート、1022、スライドレール、1023、接続ロッド、1024、スライダ、11、ウェハ搬入出チャンバ、12、ウェハ移載機構、13、ポッド、14、ボート、14a、第1のボート、14b、第2のボート、15、前面開口式インタフェース機械規格、16、ボート搬入出チャンバ、17、ボートベース、171、ベース本体、172、昇降機構、18、仕切チャンバ、18a、第1の仕切チャンバ、18b、第2の仕切チャンバ、19、前開閉扉、20、後開閉扉、21、第1の搬送ロボットアーム、22、第2の搬送ロボットアーム、23、仮置きチャンバ。
以下、例示的な実施形態について図面を参照してより詳細に説明する。しかしながら、例示的な実施形態は様々な形態で実施することができ、ここで述べた実施例に限定されるものではなく、これらの実施形態を提供することにより、本願はより全面かつ完全になり、例示的な実施形態の構想を包括的に当業者に伝える。
Claims (16)
- 加工領域と、ウェハ搬入出領域と、ボート搬入出領域と、仕切領域と、少なくとも2つのボートと流転装置を含むウェハ処理装置であって、
前記加工領域は、少なくとも1つの加工機構を含み、
前記ウェハ搬入出領域は、ウェハ搬入出チャンバと、前記ウェハ搬入出チャンバ内に位置するウェハ移載機構とを含み、前記ウェハ移載機構は、ポッド内の処理対象ウェハをボート上に移載させるか、ボート上の処理済みウェハをポッド内に移載させるように構成され、
前記ボート搬入出領域は、ボート搬入出チャンバと、前記ボート搬入出チャンバ内に位置するボートベースとを含み、前記ボートベースは、前記ボートを載置し、ボートの前記加工機構に対する搬入出を実現するように構成され、
前記仕切領域は、前記ボート搬入出領域と前記ウェハ搬入出領域との間に位置し、互いに独立した複数の仕切チャンバを含み、各前記仕切チャンバと前記ウェハ搬入出チャンバとの間には前開閉扉が設けられ、前記前開閉扉は、前記仕切チャンバと前記ウェハ搬入出チャンバとの間の開閉を実現するように開閉可能であり、且つ各前記仕切チャンバと前記ボート搬入出チャンバとの間には後開閉扉が設けられ、前記後開閉扉は、前記仕切チャンバと前記ボート搬入出チャンバとの間の開閉を実現するように開閉可能であり、
前記流転装置は、前記ボートを前記ウェハ搬入出チャンバと前記仕切チャンバの内部で流転させるように構成され、前記ボートを前記ボート搬入出チャンバと前記仕切チャンバの内部で流転させるようにさらに構成され、
複数の前記仕切チャンバは、第1の仕切チャンバと第2の仕切チャンバとを含み、前記第1の仕切チャンバは、前記ウェハ搬入出チャンバを介してその内部に流転されて処理対象ウェハが搭載されたボートを収容するように構成され、前記第2の仕切チャンバは、前記ボート搬入出チャンバを介してその内部に流転されて処理済みウェハが搭載されたボートを収容するように構成される、
ことを特徴とするウェハ処理装置。 - 前記ボート搬入出チャンバ内の気圧は、常圧よりも小さい、
ことを特徴とする請求項1に記載のウェハ処理装置。 - 前記ウェハ搬入出チャンバ内の圧力は、前記ボート搬入出チャンバ内の圧力よりも大きい、
ことを特徴とする請求項2に記載のウェハ処理装置。 - 前記ウェハ搬入出チャンバ内の圧力は常圧であるか、又は、前記ウェハ搬入出チャンバ内の圧力は前記常圧よりも小さい、
ことを特徴とする請求項3に記載のウェハ処理装置。 - 前記仕切領域は、圧力調整機構をさらに含み、前記圧力調整機構は、
前記仕切チャンバと前記ウェハ搬入出チャンバとの間が開状態となるように前記前開閉扉の開きを制御する前に、前記仕切チャンバ内の圧力を前記ウェハ搬入出チャンバ内の圧力と同じに調整し、
前記仕切チャンバと前記ボート搬入出チャンバとの間が開状態となるように前記後開閉扉の開きを制御する前に、前記仕切チャンバ内の圧力を前記ボート搬入出チャンバ内の圧力と同じに調整するように構成される、
ことを特徴とする請求項3に記載のウェハ処理装置。 - 前記加工機構は、加工炉管を含み、
前記加工炉管は、前記ボート搬入出チャンバの外部に設けられ、前記ボート搬入出チャンバに連通しており、前記加工炉管は、ウェハの処理に作動環境を提供することができる、
ことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のウェハ処理装置。 - 前記加工炉管は、縦型炉管であり、前記加工炉管の管口は、前記ボート搬入出チャンバの頂部に対向して設けられ、
前記ボートベースは、ベース本体と昇降機構とを含み、前記加工炉管の管口の正投影は、前記ベース本体内に位置し、前記昇降機構は、前記ベース本体に接続され、前記加工炉管を開閉するように前記ベース本体を昇降運動させるように駆動することにより、前記ベース本体に載置されたボートを前記加工炉管に対して搬入出することを実現する、
ことを特徴とする請求項6に記載のウェハ処理装置。 - 前記加工機構は、炉管カバーをさらに含み、前記炉管カバーは、前記ボート搬入出チャンバの頂部に設けられて前記ボート搬入出チャンバの内部に位置し、前記加工炉管を開閉するために前記加工炉管に対して移動可能であり、
前記炉管カバーは、前記加工炉管が作動待機状態にあるときに前記加工炉管を閉じることができる、
ことを特徴とする請求項7に記載のウェハ処理装置。 - 前記炉管カバーは、カバープレート、スライドレール、及び前記カバープレートと前記スライドレールとを接続する接続ロッドを含み、前記接続ロッドは、前記カバープレートを受けるようにさらに構成され、
前記スライドレールは、前記ボート搬入出チャンバの頂部に固定的に接続され、前記接続ロッドの一端は前記カバープレートに固定的に接続され、前記接続ロッドの他端にはスライダが設けられ、前記スライダは、前記スライドレールにスライド可能に接続され、前記スライダは、前記スライドレールに水平にスライドして前記カバープレートを前記加工炉管に接近または離間させることにより、前記加工炉管を開閉することを実現する、
ことを特徴とする請求項8に記載のウェハ処理装置。 - 前記加工機構は複数設けられ、且つ前記ボートベースは複数設けられ、各前記ボートベースは、1つの前記加工機構に対応する、
ことを特徴とする請求項6に記載のウェハ処理装置。 - 前記流転装置は、第1の搬送ロボットアームと、第2の搬送ロボットアームと、を含み、
前記第1の搬送ロボットアームは、前記ウェハ搬入出チャンバに設けられ、前記第1の搬送ロボットアームは、前記第1の仕切チャンバと前記ウェハ搬入出チャンバとの間が開状態となるときに、前記ウェハ搬入出チャンバ内に処理対象ウェハが搭載されたボートを前記第1の仕切チャンバ内に搬送するように構成され、前記第2の仕切チャンバと前記ウェハ搬入出チャンバとの間が開状態となるときに、前記第2の仕切チャンバ内に処理済みウェハが搭載されたボートを前記ウェハ搬入出チャンバ内に搬送するようにさらに構成され、
前記第2の搬送ロボットアームは、前記ボート搬入出チャンバに設けられ、前記第2の搬送ロボットアームは、前記第1の仕切チャンバと前記ボート搬入出チャンバとの間が開状態となるときに、前記第1の仕切チャンバ内に処理対象ウェハが搭載されたボートを前記ボート搬入出チャンバ内に搬送するように構成され、前記第2の仕切チャンバと前記ボート搬入出チャンバとの間が開状態となるときに、前記ボート搬入出チャンバ内に処理済みウェハが搭載されたボートを前記第2の仕切チャンバ内に搬送するようにさらに構成される、
ことを特徴とする請求項1に記載のウェハ処理装置。 - 複数のポッドを仮置きするための仮置き領域をさらに含み、
前記ウェハ搬入出領域は、前記ボート搬入出領域よりも前記仮置き領域に近接し、及び/又は、
前記ウェハ搬入出チャンバには、ポッドと協働する前面開口式インタフェース機械規格(Front-Opening Interfacemechanical Standard)が設けられ、前記前面開口式インタフェース機械規格は、ポッドと前記ウェハ搬入出チャンバとの間を開閉するように構成される、
ことを特徴とする請求項1に記載のウェハ処理装置。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載のウェハ処理装置に適用される制御方法であって、前記制御方法は、
ボート搬入出チャンバ内に処理済みウェハが搭載されたボートを第2の仕切チャンバの内部に流転させるように流転装置を制御した後、第1の仕切チャンバに対応する後開閉扉を開けるように制御し、その後、第1の仕切チャンバ内に未処理ウェハが搭載されたボートをボート搬入出チャンバのボートベースに流転させるように流転装置を制御するステップと、
ウェハ搬入出チャンバ内に処理対象ウェハが搭載されたボートを第1の仕切チャンバの内部に流転させるように流転装置を制御した後、第2の仕切チャンバに対応する前開閉扉を開けるように制御し、その後、第2の仕切チャンバ内に処理済みウェハが搭載されたボートをウェハ搬入出チャンバに流転させるように流転装置を制御するステップと、含む、
ことを特徴とする制御方法。 - ボート搬入出チャンバ内に処理済みウェハが搭載されたボートを第2の仕切チャンバの内部に流転させるように流転装置を制御した後、且つ第1の仕切チャンバに対応する後開閉扉を開けるように制御する前に、第2の仕切チャンバに対応する後開閉扉を閉状態になるように制御し、
ウェハ搬入出チャンバ内に処理対象ウェハが搭載されたボートを第1の仕切チャンバの内部に流転させるように流転装置を制御した後、且つ第2の仕切チャンバに対応する前開閉扉を開けるように制御する前に、第1の仕切チャンバに対応する前開閉扉を閉状態になるように制御する、
ことを特徴とする請求項13に記載の制御方法。 - 加工機構内のボートに位置する処理対象ウェハに対して加工処理を行う過程において、
ポッド内の処理対象ウェハを、ウェハ搬入出チャンバ内に位置して未満載状態にあるボートに移載させるようにウェハ移載機構を制御するステップと、又は、
ウェハ搬入出チャンバ内に位置して処理済みウェハが搭載されたボート上の処理済みウェハをポッド内に移載させるようにウェハ移載機構を制御するステップと、さらに含む、
ことを特徴とする請求項13に記載の制御方法。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載のウェハ処理装置と、
請求項13に記載の制御方法を実現するためのマスタと、を含む、
ことを特徴とするウェハ処理システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410407864.9A CN118197964B (zh) | 2024-04-03 | 2024-04-03 | 晶圆处理设备、系统及应用于晶圆处理设备的控制方法 |
| CN2024104078649 | 2024-04-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2025066822A true JP2025066822A (ja) | 2025-04-23 |
| JP7801508B2 JP7801508B2 (ja) | 2026-01-16 |
Family
ID=91400264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2025012537A Active JP7801508B2 (ja) | 2024-04-03 | 2025-01-29 | ウェハ処理装置、システム及びウェハ処理装置に適用される制御方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20250316517A1 (ja) |
| JP (1) | JP7801508B2 (ja) |
| CN (1) | CN118197964B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119392365B (zh) * | 2024-11-05 | 2025-09-19 | 杭州星原驰半导体有限公司 | 一种旋转批量外延设备及其制备方法 |
| CN119372616A (zh) * | 2025-01-02 | 2025-01-28 | 浙江晟霖益嘉科技有限公司 | 一种用于制备半导体晶圆的多功能预处理集成腔室 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125821A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPH04137613A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体装置の製造装置 |
| JP2005203458A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR20090118632A (ko) * | 2008-05-14 | 2009-11-18 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치 및 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000021798A (ja) * | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
| TW440905B (en) * | 2000-02-29 | 2001-06-16 | Taiwan Semiconductor Mfg | Wafer buffer system |
| JP2002343720A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
| CN114613692A (zh) * | 2020-12-09 | 2022-06-10 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体加工设备 |
| CN117276159A (zh) * | 2023-11-17 | 2023-12-22 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 晶圆运送系统 |
-
2024
- 2024-04-03 CN CN202410407864.9A patent/CN118197964B/zh active Active
-
2025
- 2025-01-14 US US19/020,025 patent/US20250316517A1/en active Pending
- 2025-01-29 JP JP2025012537A patent/JP7801508B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125821A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPH04137613A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体装置の製造装置 |
| JP2005203458A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR20090118632A (ko) * | 2008-05-14 | 2009-11-18 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치 및 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN118197964B (zh) | 2025-10-31 |
| JP7801508B2 (ja) | 2026-01-16 |
| CN118197964A (zh) | 2024-06-14 |
| US20250316517A1 (en) | 2025-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI552247B (zh) | 基板處理裝置 | |
| KR100354205B1 (ko) | 2-웨이퍼 로드록 웨이퍼 처리 장치 및 그 로딩 및 언로딩 방법 | |
| US6802934B2 (en) | Processing apparatus | |
| JP5212165B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4912253B2 (ja) | 基板搬送装置、基板処理装置及び基板搬送方法 | |
| JP2025066822A (ja) | ウェハ処理装置、システム及びウェハ処理装置に適用される制御方法 | |
| JP6536090B2 (ja) | 搬送装置 | |
| CN108695207B (zh) | 基片处理装置 | |
| JP5872153B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法 | |
| KR102491212B1 (ko) | 진공 처리 장치 및 기판 반송 방법 | |
| JP2000306978A (ja) | 基板処理装置、基板搬送装置、および基板処理方法 | |
| CN109478527B (zh) | 基片处理设备 | |
| JP5610009B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4642619B2 (ja) | 基板処理システム及び方法 | |
| CN113380660B (zh) | 基片输送系统和负载锁定模块 | |
| JP4383636B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
| CN220456371U (zh) | 前开式晶圆传送盒的多层储存及装载系统 | |
| JP2018093087A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3121022B2 (ja) | 減圧処理装置 | |
| JP2004119627A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US12391472B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| TWI857685B (zh) | 前開式晶圓傳送盒之多層儲存及裝載系統 | |
| US20250164898A1 (en) | Storage and transfer module and substrate treatment apparatus including storage and transfer module | |
| CN121795143A (zh) | 基片处理装置和基片处理方法 | |
| JPH04287315A (ja) | 被処理体の移載方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20250129 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20250130 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20250930 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20251113 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20251216 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20260105 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7801508 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |