JP2006294491A - ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ELECTROLUMINESCENT DEVICE MANUFACTURING METHOD, ELECTRONIC DEVICE - Google Patents

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強 前田
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Abstract

【課題】 基板と電極との間の全反射を抑制し、光の取り出し効率を向上させることのできるEL装置を提供する。
【解決手段】 本発明のEL装置100は、発光層5を保持する一対の電極8,9と、前記一対の電極のうちの一方の電極8が配置された基板2と、基板2において前記一方の電極8が配置された側の面に設けられた凹凸部2Aと、前記一方の電極8と基板2との間に介在し、凹凸部2Aを平坦化する平坦化絶縁膜4とを備え、平坦化絶縁膜4には、母材となる絶縁材料4Aよりも大きな屈折率を有する微粒子3が含まれており、前記微粒子3を含む前記平坦化絶縁膜4の平均の屈折率が、基板2の屈折率よりも大きくなるように調整されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an EL device capable of suppressing total reflection between a substrate and an electrode and improving light extraction efficiency.
An EL device 100 according to the present invention includes a pair of electrodes 8 and 9 for holding a light emitting layer 5, a substrate 2 on which one electrode 8 of the pair of electrodes is disposed, The uneven portion 2A provided on the surface on which the electrode 8 is disposed, and the planarizing insulating film 4 interposed between the one electrode 8 and the substrate 2 to flatten the uneven portion 2A, The planarization insulating film 4 includes fine particles 3 having a refractive index larger than that of the insulating material 4A serving as a base material. The average refractive index of the planarization insulating film 4 including the fine particles 3 is the substrate 2. The refractive index is adjusted so as to be larger than the refractive index.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器に関するものである。   The present invention relates to an electroluminescence device, a method for manufacturing an electroluminescence device, and an electronic apparatus.

近年、自発光素子であるEL(エレクトロルミネッセンス)素子を画素として用いたEL装置の開発が進められている。EL素子は、陽極と陰極との間に発光層等の機能層を挟持した構成を備えており、最近では、有機物材料を溶解した液体材料をインクジェット法によって基板上パターン配置する方法を採用した有機EL装置の開発が行われている。このような有機EL装置では、画素毎を区画する隔壁部材を基板上に設け、この隔壁部材で囲まれた領域内に上記液体材料を吐出することで、基板上に正確に有機機能層を形成することができる(例えば特許文献1,2参照)。
特開2001−76864号公報 特開2004−22438号公報
In recent years, development of EL devices using EL (electroluminescence) elements, which are self-luminous elements, as pixels has been underway. An EL element has a configuration in which a functional layer such as a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode. Recently, an organic element that employs a method in which a liquid material in which an organic material is dissolved is arranged on a substrate by an inkjet method. An EL device is being developed. In such an organic EL device, a partition member for partitioning each pixel is provided on the substrate, and the liquid material is discharged into a region surrounded by the partition member, so that an organic functional layer is accurately formed on the substrate. (See, for example, Patent Documents 1 and 2).
JP 2001-76864 A Japanese Patent Laid-Open No. 2004-22438

このようなEL装置においては、発光層から透明基板を介して光が外部に取り出される際に、透明基板と電極との界面において光の全反射が生じて光が閉じ込められ、発光層から発光する光の一部しか表示に寄与しないという問題があった。一般に、EL装置の表示側の電極にはITOが用いられ、透明基板にはガラス基板が用いられる。これらの屈折率は、ITOが2.0程度、ガラス基板が1.5程度であり、両者の間には大きな屈折率差が生じている。発光層においては全方向にわたって発光が生じるが、広角(臨界角以上)に出射した光はITO電極内で全反射を繰り返し、透明基板側に取り出すことができない。すなわち、光の取り出し効率が悪いために、発光層に所定の電流を供給してせっかく発光が生じても、そのうちの一部の光しか表示に寄与しないことになる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板と電極との間の全反射を抑制し、光の取り出し効率を向上させることのできるエレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的とする。また、このようなエレクトロルミネッセンス装置の製造方法と、係るエレクトロルミネッセンス装置を備えた高輝度発光が可能な電子機器を提供することを目的とする。
In such an EL device, when light is extracted from the light emitting layer through the transparent substrate, light is totally reflected at the interface between the transparent substrate and the electrode, and the light is confined to emit light from the light emitting layer. There was a problem that only part of the light contributed to the display. In general, ITO is used for the display-side electrode of the EL device, and a glass substrate is used for the transparent substrate. These refractive indexes are about 2.0 for ITO and about 1.5 for a glass substrate, and a large difference in refractive index occurs between them. The light emitting layer emits light in all directions, but light emitted at a wide angle (greater than the critical angle) repeats total reflection within the ITO electrode and cannot be extracted to the transparent substrate side. That is, since the light extraction efficiency is poor, even if light is emitted by supplying a predetermined current to the light emitting layer, only a part of the light contributes to display.
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an electroluminescence device capable of suppressing total reflection between a substrate and an electrode and improving light extraction efficiency. To do. It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing such an electroluminescence device and an electronic apparatus that can emit light with high luminance and includes the electroluminescence device.

上記の課題を解決するため、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、発光層を保持する一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板と、前記基板において前記一方の電極が配置された側の面に設けられた凹凸部と、前記一方の電極と前記基板との間に介在し、前記凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜とを備え、前記平坦化絶縁膜には、母材となる絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子が含まれており、前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きくなるように調整されていることを特徴とする。
この構成によれば、平坦化絶縁膜が高屈折率の微粒子を含むことによって、平坦化絶縁膜の平均の屈折率が大きくなるため、従来のものに比べて、電極と平坦化絶縁膜との界面の全反射条件を緩和することができる。このため、従来、電極の内部に全反射によって閉じ込められていた光を取り出すことができるようになり、光取り出し効率の向上を図ることができる。この場合、平坦化絶縁膜と基板との屈折率は従来のものよりも大きくなるが、基板には凹凸部が設けられているため、基板と平坦化絶縁膜との界面の全反射を回避することができる。
In order to solve the above problems, an electroluminescence device of the present invention includes a pair of electrodes for holding a light emitting layer, a substrate on which one of the pair of electrodes is disposed, and the one electrode in the substrate. And an uneven portion provided on the surface on which the electrode is disposed, and a planarization insulating film that is interposed between the one electrode and the substrate and planarizes the uneven portion, the planarizing insulating film Includes fine particles having a refractive index larger than that of the base insulating material, and the average refractive index of the planarization insulating film containing the fine particles is adjusted to be larger than the refractive index of the substrate. It is characterized by being.
According to this configuration, since the planarization insulating film contains fine particles having a high refractive index, the average refractive index of the planarization insulating film is increased. The total reflection conditions at the interface can be relaxed. For this reason, conventionally, light that has been confined by total reflection inside the electrode can be extracted, and the light extraction efficiency can be improved. In this case, the refractive index between the planarization insulating film and the substrate is larger than that of the conventional one, but the substrate is provided with an uneven portion, so that total reflection at the interface between the substrate and the planarization insulating film is avoided. be able to.

本発明においては、前記微粒子は、前記一方の電極よりも大きな屈折率を有するものとすることができる。このような材料としては、酸化ジルコニウム(ZrO)や酸化チタン(TiO)等の無機材料を好適に用いることができる。
この構成によれば、平坦化絶縁膜の屈折率を前記一方の電極の屈折率に近づけ、或いはこれを超えるような屈折率にすることができる。このように平坦化絶縁膜の屈折率を大きくすることで、より全反射を起こりにくくすることができる。
In the present invention, the fine particles may have a refractive index larger than that of the one electrode. As such a material, inorganic materials such as zirconium oxide (ZrO 2 ) and titanium oxide (TiO 2 ) can be suitably used.
According to this configuration, the refractive index of the planarization insulating film can be made to approach or exceed the refractive index of the one electrode. Thus, by increasing the refractive index of the planarization insulating film, total reflection can be made more difficult to occur.

本発明においては、前記微粒子が含まれた部分の前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率は、前記一方の電極の屈折率と同等かそれ以上の屈折率となるように調整されているものとすることができる。
この構成によれば、平坦化絶縁膜と前記一方の電極との界面において全反射は生じなくなる。
In the present invention, the average refractive index of the planarization insulating film in the portion containing the fine particles is adjusted to be equal to or higher than the refractive index of the one electrode. can do.
According to this configuration, total reflection does not occur at the interface between the planarization insulating film and the one electrode.

本発明においては、前記一方の電極は、表示光が出射される側の電極であるものとすることができる。
この場合、前記一方の電極は、前記平坦化絶縁膜の表面に成膜されているものとすることができる。この構成は、いわゆるボトムエミッション型の構成となる。
また、前記平坦化絶縁膜には接着層が含まれており、前記接着層を介して前記一方の電極と前記基板とが接着されているものとすることができる。この構成は、いわゆるトップエミッション型の構成となる。この構成において、前記基板は封止基板として機能することになる。
In the present invention, the one electrode may be an electrode on the side from which display light is emitted.
In this case, the one electrode may be formed on the surface of the planarization insulating film. This configuration is a so-called bottom emission type configuration.
The planarization insulating film may include an adhesive layer, and the one electrode and the substrate may be bonded via the adhesive layer. This configuration is a so-called top emission type configuration. In this configuration, the substrate functions as a sealing substrate.

本発明においては、前記微粒子は、前記接着層中に含まれているものとすることができる。また、前記平坦化絶縁膜にはカラーフィルタ層が含まれており、該カラーフィルタ層中に前記微粒子が含まれているものとすることができる。この場合、前記微粒子は、前記カラーフィルタ層の着色材料を兼ねるものとすることができる。   In the present invention, the fine particles may be contained in the adhesive layer. The planarization insulating film may include a color filter layer, and the color filter layer may include the fine particles. In this case, the fine particles can also serve as a coloring material for the color filter layer.

本発明においては、前記一方の電極は、表示光が出射される側とは反対側の電極であり、前記平坦化絶縁膜と前記基板との間には、前記基板側に向けて出射された光を前記発光層側に反射する反射面が設けられているものとすることができる。この構成は、いわゆるトップエミッション型の構成となる。   In the present invention, the one electrode is an electrode opposite to a side from which display light is emitted, and is emitted toward the substrate side between the planarization insulating film and the substrate. A reflection surface that reflects light toward the light emitting layer may be provided. This configuration is a so-called top emission type configuration.

本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、発光層を保持する一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板とを備えたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記基板上に凹凸部を形成する工程と、前記凹凸部の表面に、該凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜を形成する工程と、前記平坦化絶縁膜の表面に前記一方の電極を配置する工程とを備え、前記平坦化絶縁膜の形成工程は、母材となる絶縁材料に該絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子を含有させ、前記母材及び前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整する工程を含むことを特徴とする。
この方法によれば、平坦化絶縁膜が高屈折率の微粒子を含むことによって、平坦化絶縁膜の平均の屈折率が大きくなるため、従来のものに比べて、電極と平坦化絶縁膜との界面の全反射条件を緩和することができる。このため、従来、電極の内部に全反射によって閉じ込められていた光を取り出すことができるようになり、光取り出し効率の向上を図ることができる。この場合、平坦化絶縁膜と基板との屈折率は従来のものよりも大きくなるが、基板には凹凸部が設けられているため、基板と平坦化絶縁膜との界面の全反射を回避することができる。
The method for producing an electroluminescent device of the present invention is a method for producing an electroluminescent device comprising a pair of electrodes for holding a light emitting layer and a substrate on which one of the pair of electrodes is disposed. Forming a concavo-convex portion on the substrate; forming a planarization insulating film for planarizing the concavo-convex portion on the surface of the concavo-convex portion; and placing the one electrode on the surface of the flattening insulating film. The step of forming the planarizing insulating film includes causing the insulating material to be a base material to contain fine particles having a refractive index larger than that of the insulating material, and including the base material and the fine particles. And adjusting the average refractive index of the film so as to be higher than the refractive index of the substrate.
According to this method, since the average refractive index of the planarization insulating film increases because the planarization insulating film contains fine particles having a high refractive index, the electrode and the planarization insulating film are compared with the conventional one. The total reflection conditions at the interface can be relaxed. For this reason, conventionally, light that has been confined by total reflection inside the electrode can be extracted, and the light extraction efficiency can be improved. In this case, the refractive index between the planarization insulating film and the substrate is larger than that of the conventional one, but the substrate is provided with an uneven portion, so that total reflection at the interface between the substrate and the planarization insulating film is avoided. be able to.

本発明においては、前記微粒子は、前記一方の電極よりも屈折率の大きな材料からなるものとすることができる。
この方法によれば、平坦化絶縁膜の屈折率を前記一方の電極の屈折率に近づけ、或いはこれを超えるような屈折率にすることができる。このように平坦化絶縁膜の屈折率を大きくすることで、より全反射を起こりにくくすることができる。
In the present invention, the fine particles may be made of a material having a refractive index larger than that of the one electrode.
According to this method, the refractive index of the planarization insulating film can be made to approach or exceed the refractive index of the one electrode. Thus, by increasing the refractive index of the planarization insulating film, total reflection can be made more difficult to occur.

本発明においては、前記界面部分の前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記一方の電極の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整するものとすることができる。
この方法によれば、平坦化絶縁膜と前記一方の電極との界面において全反射は生じなくなる。
In the present invention, the average refractive index of the planarization insulating film in the interface portion may be adjusted so as to be larger than the refractive index of the one electrode.
According to this method, total reflection does not occur at the interface between the planarization insulating film and the one electrode.

本発明の電子機器は、前述した本発明のエレクトロルミネッセンス装置又は前述した本発明の製造方法により製造されたエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、光取り出し効率の高いエレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器を提供することができる。
The electronic apparatus of the present invention includes the electroluminescence device of the present invention described above or the electroluminescence device manufactured by the manufacturing method of the present invention described above.
According to this configuration, it is possible to provide an electronic apparatus including an electroluminescence device with high light extraction efficiency.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。以下の実施の形態では、EL素子を画素として基体上に配列してなるEL装置(エレクトロルミネッセンス装置)、特に、発光層を有機発光材料によって形成した有機EL装置を例示して説明する。この有機EL装置は、例えば電子機器等の表示手段として好適に用いることができるものである。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following embodiments, an EL device (electroluminescence device) in which EL elements are arranged as pixels on a substrate, particularly an organic EL device in which a light emitting layer is formed of an organic light emitting material will be described as an example. This organic EL device can be suitably used as display means for electronic devices, for example.

[第1の実施の形態]
[有機EL装置]
図1は、本発明の第1実施形態の有機EL装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機EL装置100は、発光層5から発光した光(表示光)を基板2側から取り出す、いわゆるボトムエミッション型の有機EL装置である。この有機EL装置100は、基板2の上面に、発光素子である有機EL素子10を配設してなる構成を備えている。有機EL素子10は、基板2の一方面(図1の上面)側に、第1電極8と、正孔輸送層6と、発光層5と、電子輸送層7と、第2電極9とを順に積層した構成となっている。本実施形態においては、第1電極8を陽極、第2電極9を陰極とするが、これらを逆にすることもできる。この場合、基板2側から、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極を順に積層する構造となる。なお、正孔輸送層6、発光層5および電子輸送層7は、有機機能材料からなる機能層(有機機能層)11を形成している。
[First Embodiment]
[Organic EL device]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the organic EL device according to the first embodiment of the present invention.
The organic EL device 100 of the present embodiment is a so-called bottom emission type organic EL device that extracts light (display light) emitted from the light emitting layer 5 from the substrate 2 side. The organic EL device 100 has a configuration in which an organic EL element 10 that is a light emitting element is disposed on the upper surface of a substrate 2. The organic EL element 10 includes a first electrode 8, a hole transport layer 6, a light emitting layer 5, an electron transport layer 7, and a second electrode 9 on one side (upper surface in FIG. 1) side of the substrate 2. It is the structure which laminated | stacked in order. In the present embodiment, the first electrode 8 is an anode and the second electrode 9 is a cathode, but these can be reversed. In this case, a structure in which a cathode, an electron transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, and an anode are laminated in this order from the substrate 2 side. The hole transport layer 6, the light emitting layer 5, and the electron transport layer 7 form a functional layer (organic functional layer) 11 made of an organic functional material.

図示しないが、本実施の形態の有機EL装置はアクティブマトリクス型であり、実際には複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に配置され、これらデータ線や走査線に区画されたマトリクス状に配置された各画素毎に、スイッチングトランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用TFTを介して上記の有機EL素子10が接続されている。そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流れ、有機EL素子10が発光して基板2の外面側に光が出射され、その画素が点灯する。   Although not shown, the organic EL device according to the present embodiment is an active matrix type. In practice, a plurality of data lines and a plurality of scanning lines are arranged in a grid pattern, and the matrix is divided into these data lines and scanning lines. The organic EL element 10 is connected to each pixel arranged in a shape through a driving TFT such as a switching transistor or a driving transistor. When a drive signal is supplied via the data line or the scanning line, a current flows between the electrodes, the organic EL element 10 emits light, light is emitted to the outer surface side of the substrate 2, and the pixel is lit.

本実施形態の場合、表示光を基板2側から取り出す構造であるので、基板2には、ガラス等の透光性基板が用いられる。また、陽極8には、ITO(インジウム錫酸化物)等の透光性導電膜が用いられる。一方、陰極9には、良好な光反射性を具備した導電膜、例えばAl(アルミニウム)等の高反射率の金属膜を好適に用いることができる。この場合、陰極9は、発光層5で生じた光を陽極8側へ反射する機能を有するものとなる。なお、Alの他にも、Au(金)、Ag(銀)、Cr(クロム)、Cu(銅)、Ni(ニッケル)、Ca、Mg(マグネシウム)、Sr、Yb(イッテルビウム)、Er(エルビウム)、Tb(テルビウム)、Sm(サマリウム)等の金属材料、およびこれらから選択される金属材料の薄膜を複数積層した構造とすることもできる。   In the present embodiment, since the display light is extracted from the substrate 2 side, a transparent substrate such as glass is used for the substrate 2. For the anode 8, a light-transmitting conductive film such as ITO (indium tin oxide) is used. On the other hand, for the cathode 9, a conductive film having good light reflectivity, for example, a highly reflective metal film such as Al (aluminum) can be suitably used. In this case, the cathode 9 has a function of reflecting the light generated in the light emitting layer 5 to the anode 8 side. In addition to Al, Au (gold), Ag (silver), Cr (chromium), Cu (copper), Ni (nickel), Ca, Mg (magnesium), Sr, Yb (ytterbium), Er (erbium) ), Tb (terbium), Sm (samarium), and the like, and a structure in which a plurality of thin films of metal materials selected from these are stacked.

発光層5を構成し得る発光材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料である、ポリフルオレン誘導体(PF)、ポリパラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン(PDAF)、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール(PFBT)、ポリアルキルチオフェン(PAT)や、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)等のポリシラン系などを好適に用いることができる。また、これらの発光材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。   The light emitting material that can constitute the light emitting layer 5 is a known polymer light emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence, which is a polyfluorene derivative (PF), a polyparaphenylene vinylene derivative (PPV), a polyphenylene derivative ( PP), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinylcarbazole (PVK), polythiophene derivative, polydialkylfluorene (PDAF), polyfluorenebenzothiadiazole (PFBT), polyalkylthiophene (PAT), polymethylphenylsilane (PMPS) Such as polysilanes can be suitably used. In addition, these light-emitting materials include polymer materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone, and the like. It is also possible to use a low molecular weight material doped.

正孔輸送層6は、陽極8から発光層5への電荷の注入効率を高めるとともに、発光層5内を移動する電子をブロッキングする機能を奏し、発光層内での電子と正孔との再結合確率を高める作用を奏する。この正孔輸送層6には、陽極8からの注入障壁が低く、正孔移動度の高い材料が好適に用いられる。このような材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)[商品名;バイトロン−p(Bytron-p):バイエル社製]の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などが用いられる。
なお、必要に応じて、陰極9から発光層5への電子注入効率を高めるとともに、正孔ブロッキング機能を有する電子輸送層7を形成してもよい。この電子輸送層7は、オキサジアゾール誘導体やAlqなどの有機材料で形成することが可能である。
The hole transport layer 6 enhances the efficiency of charge injection from the anode 8 to the light emitting layer 5 and has a function of blocking electrons moving in the light emitting layer 5, thereby regenerating the electrons and holes in the light emitting layer. There is an effect of increasing the coupling probability. For the hole transport layer 6, a material having a low injection barrier from the anode 8 and a high hole mobility is preferably used. As such a material, for example, a polythiophene derivative, a polypyrrole derivative, or a doped body thereof is used. Specifically, a dispersion of 3,4-polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS) [trade name; Bytron-p: manufactured by Bayer], that is, polystyrene as a dispersion medium A dispersion liquid in which 3,4-polyethylenedioxythiophene is dispersed in sulfonic acid and then dispersed in water is used.
If necessary, the efficiency of electron injection from the cathode 9 to the light emitting layer 5 may be increased, and the electron transport layer 7 having a hole blocking function may be formed. The electron transport layer 7 can be formed of an organic material such as an oxadiazole derivative or Alq 3 .

ここで、本実施形態においては、基板2において陽極8が配置された側の面に凹凸部2Aが設けられている。陽極8と基板2との間には、この凹凸部2Aを平坦化する平坦化絶縁膜4が設けられており、陽極8はこの平坦化絶縁膜4の表面に配置されている。凹凸部2Aは、平坦化絶縁膜4と基板2との界面での全反射を防止すべく設けられたものである。このように凹凸部2Aが存在すると、基板2と平坦化絶縁膜4との界面での全反射条件が緩和されるため、平坦化絶縁膜4内に入射された光は、略全て基板2側から取り出されるようになる。また、平坦化絶縁膜4は、表示欠陥の原因となる電極表面の凹凸を平坦にする役割も兼ねている。すなわち、有機EL素子10では、発光層5を含めた有機機能層11の厚みが非常に薄いので、陽極8の表面に凹凸が存在すると、電極間のショートや発光むらが生じる虞がある。本実施形態では、平坦化絶縁膜4によって陽極8の表面が平坦化されるので、これらの問題は生じない。   Here, in the present embodiment, the uneven portion 2A is provided on the surface of the substrate 2 on the side where the anode 8 is disposed. Between the anode 8 and the substrate 2, a planarization insulating film 4 for planarizing the uneven portion 2 </ b> A is provided, and the anode 8 is disposed on the surface of the planarization insulating film 4. The concavo-convex portion 2 </ b> A is provided to prevent total reflection at the interface between the planarization insulating film 4 and the substrate 2. When the concavo-convex portion 2A exists in this manner, the total reflection condition at the interface between the substrate 2 and the planarization insulating film 4 is relaxed, so that almost all of the light incident on the planarization insulating film 4 is on the substrate 2 side. Will be taken out of. Further, the planarization insulating film 4 also serves to flatten the unevenness of the electrode surface that causes display defects. That is, in the organic EL element 10, the thickness of the organic functional layer 11 including the light emitting layer 5 is very thin. Therefore, if there are irregularities on the surface of the anode 8, there is a possibility that short-circuiting between electrodes or uneven light emission may occur. In the present embodiment, since the surface of the anode 8 is planarized by the planarization insulating film 4, these problems do not occur.

この平坦化絶縁膜4には、少なくとも陽極8との界面の部分に、母材となる絶縁材料4Aよりも大きな屈折率を有する微粒子3が含まれており、この微粒子3が含まれた前記界面部分の平坦化絶縁膜4の平均の屈折率nが、基板2の屈折率nよりも大きくなるように調整されている。 The planarizing insulating film 4 includes fine particles 3 having a refractive index larger than that of the insulating material 4A as a base material at least at the interface with the anode 8, and the interface including the fine particles 3 is included. The average refractive index n B of the partial planarization insulating film 4 is adjusted to be larger than the refractive index n C of the substrate 2.

一般に、有機EL装置の表示側の電極(陽極)8にはITOが用いられ、基板2にはガラス基板が用いられる。これらの屈折率は、ITOが1.95(屈折率n;550nmの波長を基準とする。以下同じ)、ガラス基板が1.54(屈折率n)であり、両者の間には大きな屈折率差が生じている。このような大きな屈折率差が存在すると、陽極8と基板2との界面で全反射が生じ易くなり、せっかく発光が生じても、そのうちの一部の光しか表示に寄与することができない。そこで、本実施形態では、陽極8と基板2との間に基板2よりも屈折率の大きな層4(屈折率n;n>n)を形成し、電極界面で生じる全反射の条件を緩和するようにしている。本実施形態の場合、平坦化絶縁膜4は、アクリル樹脂4A(屈折率:1.43)中にZrO(酸化ジルコニウム)の無機微粒子3を5wt%程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂4Aと微粒子3とを含めた平均の屈折率nは1.8に調整されている。 In general, ITO is used for the display-side electrode (anode) 8 of the organic EL device, and a glass substrate is used for the substrate 2. The refractive index of ITO is 1.95 (refractive index n A ; based on the wavelength of 550 nm. The same applies hereinafter), and the glass substrate is 1.54 (refractive index n C ). There is a difference in refractive index. When such a large difference in refractive index exists, total reflection tends to occur at the interface between the anode 8 and the substrate 2, and even if light is emitted, only a part of the light can contribute to display. Therefore, in this embodiment, a layer 4 (refractive index n B ; n B > n C ) having a higher refractive index than that of the substrate 2 is formed between the anode 8 and the substrate 2, and conditions for total reflection occurring at the electrode interface To ease. In the case of this embodiment, the planarization insulating film 4 has a configuration in which about 5 wt% of inorganic fine particles 3 of ZrO 2 (zirconium oxide) are contained in the acrylic resin 4A (refractive index: 1.43). The average refractive index n B including the resin 4A and the fine particles 3 is adjusted to 1.8.

なお、母材となる絶縁材料4Aには、エポキシ樹脂(屈折率:1.42)など、アクリル樹脂以外の樹脂材料を用いることもできる。また、良好な平坦性が得られる場合には、SiO(酸化シリコン)やSiN(窒化シリコン)等の無機絶縁材料を用いることも可能である。また、微粒子3としては、TiO(酸化チタン)等の他の高屈折率材料を用いることができる。屈折率比n/nは、絶縁材料4Aの含有させる微粒子3の量によって調節することができる。 Note that a resin material other than an acrylic resin, such as an epoxy resin (refractive index: 1.42), can also be used for the insulating material 4A serving as a base material. In addition, when good flatness can be obtained, an inorganic insulating material such as SiO 2 (silicon oxide) or SiN (silicon nitride) can be used. Moreover, as the fine particles 3, other high refractive index materials such as TiO 2 (titanium oxide) can be used. The refractive index ratio n B / n A can be adjusted by the amount of fine particles 3 contained in the insulating material 4A.

この有機EL装置100においては、発光層5から出射した光は、陽極8から直接的に、又は陰極9で反射されて間接的に、基板2側から取り出される。陽極8と平坦化絶縁膜4との屈折率比n/nは92%であるので、これらの界面では約85%の光を平坦化絶縁膜4側に取り出すことができる。また、基板2の表面には凹凸部2Aが形成されているので、平坦化絶縁膜4の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子3によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で平坦化絶縁膜4に入射したとしても、基板2に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。 In the organic EL device 100, the light emitted from the light emitting layer 5 is extracted directly from the anode 8 or reflected from the cathode 9 and indirectly from the substrate 2 side. Since the refractive index ratio n B / n A between the anode 8 and the planarization insulating film 4 is 92%, approximately 85% of light can be extracted to the planarization insulating film 4 side at these interfaces. In addition, since the uneven portion 2A is formed on the surface of the substrate 2, light that cannot be extracted outside after being totally reflected inside the planarization insulating film 4 can be externally removed by removing the total reflection condition due to the unevenness. Can be taken out. Furthermore, since the light is scattered by the fine particles 3, even if the light is incident on the planarization insulating film 4 at an angle greater than the critical angle, most of the light will be out of the total reflection condition at the point of incidence on the substrate 2. Further, the amount of light can be increased. By these actions, light extraction efficiency is improved, and bright display is possible.

上記の構成を採用した場合の発光光率は15cd/Aであり、高屈折率微粒子3を混入しない従来の構成(発光光率:10cd/A)に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。   The light emission rate when the above configuration is adopted is 15 cd / A, and a higher light emission rate can be obtained compared to the conventional configuration (light emission rate: 10 cd / A) in which the high refractive index fine particles 3 are not mixed. Has been confirmed.

[有機EL装置の製造方法]
次に、有機EL装置100の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板等の透光性の基板2を用意し、フッ酸処理等により、基板2の表面に高さ0.01μm〜0.5μmのランダムな凹凸を多数形成する。凹凸は、フッ酸処理以外の処理により形成することもできる。これらの凹凸によって、基板2の表面に凹凸部2Aが形成される。
[Method for Manufacturing Organic EL Device]
Next, a method for manufacturing the organic EL device 100 will be described.
First, a translucent substrate 2 such as a glass substrate is prepared, and a large number of random irregularities having a height of 0.01 μm to 0.5 μm are formed on the surface of the substrate 2 by hydrofluoric acid treatment or the like. The unevenness can also be formed by a treatment other than the hydrofluoric acid treatment. Due to these irregularities, the irregularities 2 </ b> A are formed on the surface of the substrate 2.

次に、アクリル樹脂4Aを主体とする絶縁材料を基板2の表面に塗布し、凹凸部2Aを平坦化する平坦化絶縁膜4を形成する。アクリル樹脂4Aには、予め高屈折率材料であるZrOの微粒子3を5wt%程度混入し、平坦化絶縁膜4の平均の屈折率nが基板2の屈折率nよりも大きくなるように調整しておく。この際、陽極8との屈折率比n/nが0.8以上、より好ましくは、1以上となるように調整することが望ましい。屈折率比n/nは、微粒子3の混入量によって調整することができる。なお、微粒子3としては、TiO等の他の高屈折率材料を用いることも可能である。 Next, an insulating material mainly composed of acrylic resin 4A is applied to the surface of the substrate 2 to form a flattened insulating film 4 that flattens the uneven portion 2A. The acrylic resin 4A is premixed with about 5 wt% of ZrO 2 fine particles 3 as a high refractive index material so that the average refractive index n B of the planarization insulating film 4 is larger than the refractive index n C of the substrate 2. Adjust to. At this time, it is desirable to adjust the refractive index ratio n B / n A to the anode 8 to be 0.8 or more, more preferably 1 or more. The refractive index ratio n B / n A can be adjusted by the mixing amount of the fine particles 3. As the fine particles 3, other high refractive index materials such as TiO 2 can be used.

次に、平坦化絶縁膜4の表面に、スパッタ等によりITO等の透光性導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、陽極8を形成する。
次に、陽極8の表面に、正孔輸送層6、発光層5、電子輸送層7を順に形成する。これらの層は、蒸着法やインクジェット法等により形成することができる。インクジェット法を用いる場合には、インクの濡れ広がりを防ぐために、予めバンクと呼ばれる土手構造を陽極8の周囲に形成しておくことが望ましい。正孔輸送層6、発光層5、電子輸送層7により、有機機能層11が形成される。
Next, a light-transmitting conductive film such as ITO is formed on the surface of the planarization insulating film 4 by sputtering or the like, and is patterned to form the anode 8.
Next, the hole transport layer 6, the light emitting layer 5, and the electron transport layer 7 are sequentially formed on the surface of the anode 8. These layers can be formed by a vapor deposition method, an inkjet method, or the like. When the ink jet method is used, it is desirable to previously form a bank structure called a bank around the anode 8 in order to prevent ink from spreading. An organic functional layer 11 is formed by the hole transport layer 6, the light emitting layer 5, and the electron transport layer 7.

次に、この有機機能層11の表面に、スパッタ等によりAl等からなる陰極9を形成する。TFTを用いたアクティブマトリクス型の有機EL装置においては、陰極9のパターニングは不要である。このような陰極9は、各陽極8に対して共通の共通電極となる。
陰極9の表面には、必要に応じて封止部材を設けることができる。封止部材で陰極全体を封止することによって、有機EL素子10の内部に、水分や酸素等が浸入することを防止することができる。
以上により、有機EL装置100が完成する。
Next, the cathode 9 made of Al or the like is formed on the surface of the organic functional layer 11 by sputtering or the like. In an active matrix type organic EL device using TFT, patterning of the cathode 9 is not necessary. Such a cathode 9 serves as a common electrode common to the anodes 8.
A sealing member can be provided on the surface of the cathode 9 as necessary. By sealing the entire cathode with the sealing member, it is possible to prevent moisture, oxygen, and the like from entering the organic EL element 10.
Thus, the organic EL device 100 is completed.

[実施例]
本発明者は、本発明の効果を実証するために、従来構成の有機EL装置(比較例)と本発明の有機EL装置(実施例)とで表示の明るさを比較した。表1は、上記実施形態の構成と同じ構成の有機EL装置において、陽極8の屈折率nを一定として(屈折率n:2.0)、平坦化絶縁膜4の屈折率nを変化させて光取り出し効率をシミュレーションした結果を示している。このシミュレーションにおいては、基板2をガラス基板(屈折率n:1.54)とし、平坦化絶縁膜の母材をアクリル樹脂(屈折率:1.43)としている。また、実施例に係る有機EL装置には、高屈折率微粒子3としてZrOを混入し、比較例に係る有機EL装置には、高屈折率微粒子3を混入させない構成としている。
[Example]
In order to verify the effect of the present invention, the present inventor compared the brightness of display between the organic EL device having the conventional configuration (comparative example) and the organic EL device of the present invention (example). Table 1 shows that the refractive index n A of the anode 8 is constant (refractive index n A : 2.0) and the refractive index n B of the planarization insulating film 4 is the same in the organic EL device having the same configuration as that of the above embodiment. The result of simulating the light extraction efficiency by changing is shown. In this simulation, the substrate 2 is a glass substrate (refractive index n C : 1.54), and the base material of the planarization insulating film is an acrylic resin (refractive index: 1.43). Further, the organic EL device according to the example is configured such that ZrO 2 is mixed as the high refractive index fine particles 3, and the high refractive index fine particles 3 are not mixed into the organic EL device according to the comparative example.

Figure 2006294491
Figure 2006294491

表1からわかるように、陽極8と平坦化絶縁膜4との屈折率比が0.8以上であれば、60%以上の光を平坦化絶縁膜4側に取り出すことができる。この効率は、従来の構成と比較すると2倍以上高く、同じ光量を出力する場合には、寿命が3倍以上延びることを意味する。特に、平坦化絶縁膜の平均の屈折率nが陽極8の屈折率nと同等かそれ以上の屈折率となるように調整されている場合には(n≧n)、光は、低屈折率材料である陽極8から高屈折率材料である平坦化絶縁膜4に入射することになるため、平坦化絶縁膜4との界面では全反射は生じない。したがって、陽極8を透過した光は全て平坦化絶縁膜4に入射されることになり、光の取り出し効率は1となる。 As can be seen from Table 1, when the refractive index ratio between the anode 8 and the planarization insulating film 4 is 0.8 or more, 60% or more of light can be extracted to the planarization insulating film 4 side. This efficiency is more than twice as high as that of the conventional configuration, and means that the lifetime is extended by more than three times when the same amount of light is output. In particular, when the average refractive index n B of the planarization insulating film is adjusted to be equal to or higher than the refractive index n A of the anode 8 (n B ≧ n A ), the light is Since the light is incident on the planarization insulating film 4 that is a high refractive index material from the anode 8 that is a low refractive index material, total reflection does not occur at the interface with the planarization insulating film 4. Therefore, all the light transmitted through the anode 8 is incident on the planarization insulating film 4 and the light extraction efficiency is 1.

このように、本実施形態の有機EL装置においては、平坦化絶縁膜4として、基板2よりも高い屈折率と光散乱性とを兼ね備えた絶縁膜を用いているので、光の取り出し効率が大きく向上し、明るい表示が得られるようになる。   Thus, in the organic EL device of this embodiment, the planarization insulating film 4 is an insulating film having both a higher refractive index and light scattering than the substrate 2, and thus has a high light extraction efficiency. It will improve and bright display will be obtained.

[第2の実施の形態]
図2は、本発明の第2実施形態の有機EL装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機EL装置200は、発光層5から発光した光(表示光)を基板2とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機EL装置である。この有機EL装置200の基本的な構成は、第1実施形態の有機EL装置100と同じである。異なるのは、陰極9を透光性導電膜とした点と、平坦化絶縁膜4と基板2との間に、基板2側に向けて出射された光を発光層5側に反射する反射膜12を設けた点のみである。このため、第1実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Second Embodiment]
FIG. 2 is a sectional view showing a schematic configuration of the organic EL device according to the second embodiment of the present invention.
The organic EL device 200 of this embodiment is a so-called top emission type organic EL device that extracts light (display light) emitted from the light emitting layer 5 from the side opposite to the substrate 2. The basic configuration of the organic EL device 200 is the same as that of the organic EL device 100 of the first embodiment. The difference is that the cathode 9 is a translucent conductive film, and a reflective film that reflects light emitted toward the substrate 2 side to the light emitting layer 5 side between the planarization insulating film 4 and the substrate 2. The only difference is that 12 is provided. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected about the component similar to 1st Embodiment, and detailed description is abbreviate | omitted.

本実施形態の場合、表示光を陰極9側から取り出す構成であるので、陰極9には、ITO等の透光性導電膜が用いられる。陽極8に関しては、その基板2側に反射膜12が設けられているので、第1実施形態と同様にITO等の透光性導電膜が用いられる。基板2としては、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる。   In this embodiment, since the display light is extracted from the cathode 9 side, a light-transmitting conductive film such as ITO is used for the cathode 9. Regarding the anode 8, since the reflective film 12 is provided on the substrate 2 side, a translucent conductive film such as ITO is used as in the first embodiment. As the substrate 2, in addition to a transparent substrate such as glass, an opaque substrate can also be used. Examples of opaque substrates include ceramics such as alumina, metal sheets such as stainless steel that have been subjected to insulation treatment such as surface oxidation, thermosetting resins and thermoplastic resins, and films thereof (plastic films). It is done.

基板2の表面には、ランダムな凹凸が多数形成された凹凸部2Aが設けられており、この凹凸部2Aの表面には、平坦化絶縁膜4が設けられている。平坦化絶縁膜4は、第1実施形態のものと同様に、母材となる絶縁材料4A中に、これよりも大きな屈折率を有する微粒子3が含まれた構成となっている。本実施形態の場合、平坦化絶縁膜4は、エポキシ樹脂4A中にTiOの無機微粒子3を3wt%含有させた構成となっており、樹脂4Aと微粒子3とを含めた平均の屈折率nは1.8に調整されている。陽極8としては、屈折率nが2.0のITO膜を用いており、陽極8と平坦化絶縁膜4との屈折率比n/nは0.9となっている。なお、絶縁材料4Aと微粒子3の材料は適宜変更することができる。 The surface of the substrate 2 is provided with an uneven portion 2A in which a lot of random unevenness is formed, and the planarizing insulating film 4 is provided on the surface of the uneven portion 2A. As in the first embodiment, the planarization insulating film 4 has a configuration in which fine particles 3 having a refractive index larger than this are included in an insulating material 4A as a base material. In the case of the present embodiment, the planarization insulating film 4 has a configuration in which 3 wt% of TiO 2 inorganic fine particles 3 are contained in the epoxy resin 4A, and an average refractive index n including the resin 4A and the fine particles 3 is included. B is adjusted to 1.8. As the anode 8, an ITO film having a refractive index n A of 2.0 is used, and a refractive index ratio n B / n A between the anode 8 and the planarization insulating film 4 is 0.9. The material of the insulating material 4A and the fine particles 3 can be changed as appropriate.

平坦化絶縁膜4と基板2との間には、Al(アルミニウム)やAg(銀)等からなる反射膜12が設けられている。この反射膜12は、発光層5から基板2側に出射された光を陰極9側に反射する反射面を構成する。なお、基板2自体が光反射性を有する場合、例えば基板2がアルミニウム基板等からなる場合には、光反射膜12を省略することもできる。この場合、基板2自体が反射面を構成することになる。   A reflective film 12 made of Al (aluminum), Ag (silver), or the like is provided between the planarization insulating film 4 and the substrate 2. The reflective film 12 constitutes a reflective surface that reflects light emitted from the light emitting layer 5 to the substrate 2 side to the cathode 9 side. When the substrate 2 itself has light reflectivity, for example, when the substrate 2 is made of an aluminum substrate or the like, the light reflecting film 12 can be omitted. In this case, the board | substrate 2 itself comprises a reflective surface.

この有機EL装置200においては、発光層5から基板2側に出射された光は、陽極8、平坦化絶縁膜4を透過した後、反射膜12に到達し、この反射膜12で反射されて陰極9側から取り出される。陽極8と平坦化絶縁膜4の屈折率比n/nは90%であるので、これらの界面では、約80%の光を平坦化絶縁膜4側に取り出すことができる。また、基板2の表面には凹凸部2Aが形成されているので、平坦化絶縁膜4の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子3によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で平坦化絶縁膜4に入射したとしても、基板2に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。 In this organic EL device 200, the light emitted from the light emitting layer 5 to the substrate 2 side passes through the anode 8 and the planarization insulating film 4, reaches the reflection film 12, and is reflected by the reflection film 12. It is taken out from the cathode 9 side. Since the refractive index ratio n B / n A between the anode 8 and the planarization insulating film 4 is 90%, approximately 80% of light can be extracted to the planarization insulating film 4 side at these interfaces. In addition, since the uneven portion 2A is formed on the surface of the substrate 2, light that cannot be extracted outside after being totally reflected inside the planarization insulating film 4 can be externally removed by removing the total reflection condition due to the unevenness. Can be taken out. Furthermore, since the light is scattered by the fine particles 3, even if the light is incident on the planarization insulating film 4 at an angle greater than the critical angle, most of the light will be out of the total reflection condition at the point of incidence on the substrate 2. Further, the amount of light can be increased. By these actions, light extraction efficiency is improved, and bright display is possible.

上記の構成を採用した場合の発光光率は13cd/Aであり、高屈折率微粒子3を混入しない従来の構成(発光光率:8cd/A)に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
なお、本実施形態では、n<nであったが、より取り出し効率を上げるには、n≧nであることが好ましい。
The light emission rate when the above configuration is adopted is 13 cd / A, and a higher light emission rate can be obtained compared to the conventional configuration (light emission rate: 8 cd / A) in which the high refractive index fine particles 3 are not mixed. Has been confirmed.
In the present embodiment, n B <n A , but it is preferable that n B ≧ n A in order to further increase the extraction efficiency.

[第3の実施の形態]
図3は、本発明の第3実施形態の有機EL装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機EL装置300は、発光層5から発光した光(表示光)を基板2とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機EL装置である。この有機EL装置300において、第1実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Third Embodiment]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL device according to a third embodiment of the present invention.
The organic EL device 300 of this embodiment is a so-called top emission type organic EL device that extracts light (display light) emitted from the light emitting layer 5 from the side opposite to the substrate 2. In this organic EL device 300, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

有機EL装置300は、基板2の上面に、有機EL素子10を配設してなる構成を備えている。有機EL素子10は、基板2の一方面(図1の上面)側に、第1電極8と、正孔輸送層6と、発光層5と、電子輸送層7と、第2電極9とを順に積層した構成となっている。本実施形態においては、第1電極8を陽極、第2電極9を陰極とするが、これらを逆にすることもできる。この場合、基板2側から、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極を順に積層する構造となる。なお、正孔輸送層6、発光層5および電子輸送層7は、有機機能材料からなる有機機能層11を形成している。   The organic EL device 300 has a configuration in which the organic EL element 10 is disposed on the upper surface of the substrate 2. The organic EL element 10 includes a first electrode 8, a hole transport layer 6, a light emitting layer 5, an electron transport layer 7, and a second electrode 9 on one side (upper surface in FIG. 1) side of the substrate 2. It is the structure laminated | stacked in order. In the present embodiment, the first electrode 8 is an anode and the second electrode 9 is a cathode, but these can be reversed. In this case, a structure in which a cathode, an electron transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, and an anode are sequentially laminated from the substrate 2 side is obtained. The hole transport layer 6, the light emitting layer 5, and the electron transport layer 7 form an organic functional layer 11 made of an organic functional material.

本実施形態の場合、表示光を陰極9側から取り出す構造であるので、陰極9には、ITO等の透光性導電膜が用いられる。一方、陽極8には、良好な光反射性を具備した導電膜、例えばAl等の高反射率の金属膜を好適に用いることができる。この場合、陽極8は、発光層5で生じた光を陰極9側へ反射する機能を有するものとなる。なお、Alの他にも、Au(金)、Ag(銀)、Cr(クロム)、Cu(銅)、Ni(ニッケル)、Ca、Mg(マグネシウム)、Sr、Yb(イッテルビウム)、Er(エルビウム)、Tb(テルビウム)、Sm(サマリウム)等の金属材料、およびこれらから選択される金属材料の薄膜を複数積層した構造とすることもできる。   In the present embodiment, since the display light is extracted from the cathode 9 side, a light-transmitting conductive film such as ITO is used for the cathode 9. On the other hand, a conductive film having good light reflectivity, for example, a highly reflective metal film such as Al can be suitably used for the anode 8. In this case, the anode 8 has a function of reflecting light generated in the light emitting layer 5 to the cathode 9 side. In addition to Al, Au (gold), Ag (silver), Cr (chromium), Cu (copper), Ni (nickel), Ca, Mg (magnesium), Sr, Yb (ytterbium), Er (erbium) ), Tb (terbium), Sm (samarium), and the like, and a structure in which a plurality of thin films of metal materials selected from these are stacked.

基板2としては、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる
発光層5、正孔輸送層6、電子輸送層7については、第1実施形態と同様である。
As the substrate 2, in addition to a transparent substrate such as glass, an opaque substrate can also be used. Examples of opaque substrates include ceramics such as alumina, metal sheets such as stainless steel that have been subjected to insulation treatment such as surface oxidation, thermosetting resins and thermoplastic resins, and films thereof (plastic films). The light emitting layer 5, the hole transport layer 6, and the electron transport layer 7 are the same as in the first embodiment.

陰極9の表面には、接着層40を介して基板13が接着されている。接着層40は表示領域全体にベタで形成されており、この接着層40及び基板13によって有機EL素子10が封止されている。   A substrate 13 is bonded to the surface of the cathode 9 through an adhesive layer 40. The adhesive layer 40 is solidly formed over the entire display area, and the organic EL element 10 is sealed by the adhesive layer 40 and the substrate 13.

基板13において陰極9が配置された側の面には、凹凸部13Aが設けられている。凹凸部13Aは、接着層40と基板13との界面での全反射を防止すべく設けられたものである。このように凹凸部13Aが存在すると、基板13と接着層40との界面での全反射条件が緩和されるため、接着層40内に入射された光は、略全て基板13側から取り出されるようになる。接着層40は、凹凸部13Aを埋めて基板13の表面を平坦化しており、本発明の平坦化絶縁膜として機能する。   An uneven portion 13A is provided on the surface of the substrate 13 where the cathode 9 is disposed. The uneven portion 13 </ b> A is provided to prevent total reflection at the interface between the adhesive layer 40 and the substrate 13. When the uneven portion 13A exists in this way, the total reflection condition at the interface between the substrate 13 and the adhesive layer 40 is relaxed, so that almost all the light incident on the adhesive layer 40 is extracted from the substrate 13 side. become. The adhesive layer 40 fills the uneven portion 13A and planarizes the surface of the substrate 13, and functions as a planarization insulating film of the present invention.

接着層40には、少なくとも陰極9との界面の部分に、母材となる絶縁材料40Aよりも大きな屈折率を有する微粒子30が含まれており、この微粒子30が含まれた前記界面部分の接着層40の平均の屈折率nが、基板13の屈折率nよりも大きくなるように調整されている。本実施形態の場合、接着層40は、アクリル樹脂40A中にZrOの微粒子30を5wt%程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂40Aと微粒子30とを含めた平均の屈折率nは1.8に調整されている。陰極9としては、屈折率nが2.0のITO膜を用いており、陰極9と接着層40との屈折率比n/nは0.9となっている。 The adhesive layer 40 includes fine particles 30 having a refractive index greater than that of the insulating material 40A as a base material at least at the interface with the cathode 9, and adhesion of the interface portion including the fine particles 30 is performed. The average refractive index n B of the layer 40 is adjusted to be larger than the refractive index n C of the substrate 13. In the case of this embodiment, the adhesive layer 40 has a configuration in which about 5 wt% of ZrO 2 fine particles 30 are contained in the acrylic resin 40A, and the average refractive index n B including the acrylic resin 40A and the fine particles 30 is included. Has been adjusted to 1.8. As the cathode 9, an ITO film having a refractive index n A of 2.0 is used, and the refractive index ratio n B / n A between the cathode 9 and the adhesive layer 40 is 0.9.

なお、母材となる絶縁材料40Aには、エポキシ樹脂など、アクリル樹脂以外の樹脂材料を用いることもできる。また、良好な平坦性が得られる場合には、SiOやSiN等の無機絶縁材料を用いることも可能である。また、微粒子30としては、TiO等の他の高屈折率材料を用いることができる。屈折率比n/nは、絶縁材料40Aの含有させる微粒子30の量によって調節することができる。 Note that a resin material other than an acrylic resin, such as an epoxy resin, can also be used for the insulating material 40A as a base material. In addition, when good flatness can be obtained, an inorganic insulating material such as SiO 2 or SiN can be used. As the fine particles 30, other high refractive index materials such as TiO 2 can be used. The refractive index ratio n B / n A can be adjusted by the amount of fine particles 30 contained in the insulating material 40A.

この有機EL装置300においては、発光層5から出射した光は、陰極9から直接的に、又は陽極8で反射されて間接的に、基板13側から取り出される。陰極9と接着層40との屈折率比n/nは90%であるので、これらの界面では約80%の光を接着層40側に取り出すことができる。また、基板13の表面には凹凸部13Aが形成されているので、接着層40の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子30によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で接着層40に入射したとしても、基板13に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。 In this organic EL device 300, the light emitted from the light emitting layer 5 is extracted directly from the cathode 9 or reflected by the anode 8 and indirectly from the substrate 13 side. Since the refractive index ratio n B / n A between the cathode 9 and the adhesive layer 40 is 90%, approximately 80% of light can be extracted to the adhesive layer 40 side at these interfaces. Further, since the uneven portion 13A is formed on the surface of the substrate 13, light that is totally reflected inside the adhesive layer 40 and cannot be extracted outside is extracted outside by removing the total reflection condition due to the unevenness. Will be able to. Furthermore, since the light is scattered by the fine particles 30, even if the light is incident on the adhesive layer 40 at an angle greater than the critical angle, most of the light is incident on the substrate 13 and is out of the total reflection condition. Can be increased. By these actions, light extraction efficiency is improved, and bright display is possible.

上記の構成を採用した場合の発光光率は14.5cd/Aであり、高屈折率微粒子30を混入しない従来の構成(発光光率:9cd/A)に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。   The light emission rate when the above configuration is adopted is 14.5 cd / A, and a higher light emission rate is obtained compared to the conventional configuration (light emission rate: 9 cd / A) in which the high refractive index fine particles 30 are not mixed. It has been confirmed that

[有機EL装置の製造方法]
次に、有機EL装置300の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板等の透光性の基板13を用意し、フッ酸処理等により、基板13の表面に高さ0.01μm〜0.5μmのランダムな凹凸を多数形成する。凹凸は、フッ酸処理以外の処理により形成することもできる。これらの凹凸によって、基板13の表面に凹凸部13Aが形成される。
[Method for Manufacturing Organic EL Device]
Next, a method for manufacturing the organic EL device 300 will be described.
First, a translucent substrate 13 such as a glass substrate is prepared, and a large number of random irregularities having a height of 0.01 μm to 0.5 μm are formed on the surface of the substrate 13 by hydrofluoric acid treatment or the like. The unevenness can also be formed by a treatment other than the hydrofluoric acid treatment. Due to these irregularities, an irregular portion 13 </ b> A is formed on the surface of the substrate 13.

次に、アクリル樹脂40Aを主体とする絶縁材料を基板2の表面に塗布し、有機EL素子10が形成された基板2と接着する。有機EL素子10は、第1実施形態と同様の手順によって形成することができる。ただし、陰極9は、光透過性を有していなければならないので、ITO等の透光性導電材料によって形成される。   Next, an insulating material mainly composed of acrylic resin 40A is applied to the surface of the substrate 2 and bonded to the substrate 2 on which the organic EL element 10 is formed. The organic EL element 10 can be formed by the same procedure as in the first embodiment. However, since the cathode 9 must have a light transmitting property, it is formed of a light transmitting conductive material such as ITO.

接着層40は、少なくとも有機EL素子10が配置される表示領域の全面に塗布されるようにする。アクリル樹脂40Aには、予め高屈折率材料であるZrOの微粒子30を5wt%程度混入し、接着層40の平均の屈折率nが基板13の屈折率nよりも大きくなるように調整しておく。この際、陰極9との屈折率比n/nが0.8以上、より好ましくは、1以上となるように調整することが望ましい。屈折率比n/nは、微粒子30の混入量によって調整することができる。なお、微粒子30としては、TiO等の他の高屈折率材料を用いることも可能である。 The adhesive layer 40 is applied to at least the entire surface of the display area where the organic EL element 10 is disposed. The acrylic resin 40A is mixed in advance with about 5 wt% of ZrO 2 fine particles 30 as a high refractive index material, and adjusted so that the average refractive index n B of the adhesive layer 40 is larger than the refractive index n C of the substrate 13. Keep it. At this time, it is desirable to adjust the refractive index ratio n B / n A to the cathode 9 to be 0.8 or more, more preferably 1 or more. The refractive index ratio n B / n A can be adjusted by the mixing amount of the fine particles 30. As the fine particles 30, other high refractive index materials such as TiO 2 can be used.

接着層40は、流動性が高いため、基板13の凹凸部13Aを埋めるように凹凸内に隙間なく配置される。また、接着の過程で、陰極9の表面全体に広がり、陰極9側の面が平坦化される。接着層40及び基板12が陰極9上に配置されたら、接着層40を熱硬化或いは紫外線硬化等により硬化する。
以上により、有機EL素子10が基板13によって封止され、有機EL装置300が完成する。
Since the adhesive layer 40 has high fluidity, the adhesive layer 40 is disposed in the unevenness without any gap so as to fill the uneven portion 13 </ b> A of the substrate 13. Moreover, in the process of adhesion, it spreads over the entire surface of the cathode 9 and the surface on the cathode 9 side is flattened. After the adhesive layer 40 and the substrate 12 are disposed on the cathode 9, the adhesive layer 40 is cured by heat curing or ultraviolet curing.
As described above, the organic EL element 10 is sealed by the substrate 13, and the organic EL device 300 is completed.

[第4の実施の形態]
図4は、本発明の第4実施形態の有機EL装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機EL装置400は、発光層5から発光した光(表示光)を基板2とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機EL装置である。この有機EL装置500の基本的な構成は第3実施形態の有機EL装置300と同じである。異なるのは、基板13と接着層40との間にカラーフィルタ層14を設けた点のみである。このため、第3実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Fourth Embodiment]
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL device according to a fourth embodiment of the present invention.
The organic EL device 400 according to the present embodiment is a so-called top emission type organic EL device that extracts light (display light) emitted from the light emitting layer 5 from the side opposite to the substrate 2. The basic configuration of the organic EL device 500 is the same as that of the organic EL device 300 of the third embodiment. The only difference is that the color filter layer 14 is provided between the substrate 13 and the adhesive layer 40. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected about the component similar to 3rd Embodiment, and detailed description is abbreviate | omitted.

本実施形態の場合、基板13と陰極9との間には、カラーフィルタ層14と接着層40とが介在されており、これらが一体となって本発明の平坦化絶縁膜を構成する。図4では、基板13の凹凸部13Aがカラーフィルタ層14のみによって平坦化されているが、凹凸部13Aは、カラーフィルタ層14と接着層40の双方で平坦化されるようにしてもよい。
接着層40は表示領域全体にベタで形成されており、この接着層40と、カラーフィルタ層14を含む基板13とによって有機EL素子10が封止されている。
In the case of the present embodiment, the color filter layer 14 and the adhesive layer 40 are interposed between the substrate 13 and the cathode 9, and these together form the planarization insulating film of the present invention. In FIG. 4, the uneven portion 13 </ b> A of the substrate 13 is flattened only by the color filter layer 14, but the uneven portion 13 </ b> A may be flattened by both the color filter layer 14 and the adhesive layer 40.
The adhesive layer 40 is formed as a solid over the entire display area, and the organic EL element 10 is sealed by the adhesive layer 40 and the substrate 13 including the color filter layer 14.

接着層40には、少なくとも陰極9との界面の部分に、母材となる絶縁材料40Aよりも大きな屈折率を有する微粒子30が含まれており、この微粒子30を含む平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、基板13の屈折率(屈折率n:1.54)よりも大きくなるように調整されている。本実施形態の場合、接着層40は、アクリル樹脂40A中にZrOの微粒子30を7wt%程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂40Aと微粒子30とを含めた平均の屈折率nは1.85に調整されている。陰極9としては、屈折率nが2.0のITO膜を用いており、陰極9と接着層40との屈折率比n/nは0.92となっている。また、カラーフィルタ層14の平均の屈折率nは1.81であり、接着層40との屈折率比n/nは97%となっている。なお、絶縁材料40Aと微粒子30の材料は適宜変更することができる。 The adhesive layer 40 includes fine particles 30 having a refractive index larger than that of the insulating material 40A serving as a base material at least at the interface with the cathode 9, and the average of the planarized insulating film including the fine particles 30 is included. The refractive index is adjusted to be larger than the refractive index of the substrate 13 (refractive index n C : 1.54). In the case of this embodiment, the adhesive layer 40 has a configuration in which about 7 wt% of ZrO 2 fine particles 30 are contained in the acrylic resin 40A, and the average refractive index n B including the acrylic resin 40A and the fine particles 30 is included. Is adjusted to 1.85. As the cathode 9, an ITO film having a refractive index n A of 2.0 is used, and the refractive index ratio n B / n A between the cathode 9 and the adhesive layer 40 is 0.92. The average refractive index n D of the color filter layer 14 is 1.81, and the refractive index ratio n D / n B with the adhesive layer 40 is 97%. The materials of the insulating material 40A and the fine particles 30 can be changed as appropriate.

なお、カラーフィルタ層14は、母材となるアクリル樹脂等の絶縁材料中に着色材料である顔料分子等が分散された構造を有しており、基本的な構造は接着層40と同じである。このため、カラーフィルタ層14の着色材料と接着層40の微粒子30の材料とを共通化し、且つカラーフィルタ層14の絶縁材料と接着層40の絶縁材料40Aとを共通化することで、これらを一体的に形成することができる。この場合、カラーフィルタ層は、着色機能と接着機能とをそれぞれ機能負担した複数の層によって形成されることになる。   The color filter layer 14 has a structure in which pigment molecules, which are coloring materials, are dispersed in an insulating material such as an acrylic resin, which is a base material, and the basic structure is the same as that of the adhesive layer 40. . For this reason, the coloring material of the color filter layer 14 and the material of the fine particles 30 of the adhesive layer 40 are made common, and the insulating material of the color filter layer 14 and the insulating material 40A of the adhesive layer 40 are made common, thereby It can be formed integrally. In this case, the color filter layer is formed by a plurality of layers each having a coloring function and an adhesion function.

この有機EL装置400においては、発光層5から出射した光は、陰極9から直接的に、又は陽極8で反射されて間接的に、基板13側から取り出される。陰極9と接着層40との屈折率比n/nは92%であるので、これらの界面では約85%の光を接着層40側に取り出すことができる。また、接着層40とカラーフィルタ層14との屈折率比n/nは97%であるので、これらの界面では90%以上の光をカラーフィルタ層14側に取り出すことができる。また、基板13の表面には凹凸部13Aが形成されているので、カラーフィルタ層14の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子30によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で接着層40に入射したとしても、カラーフィルタ層14に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。 In the organic EL device 400, the light emitted from the light emitting layer 5 is extracted directly from the cathode 9 or reflected by the anode 8 and indirectly from the substrate 13 side. Since the refractive index ratio n B / n A between the cathode 9 and the adhesive layer 40 is 92%, approximately 85% of light can be extracted to the adhesive layer 40 side at these interfaces. Further, since the refractive index ratio n D / n B between the adhesive layer 40 and the color filter layer 14 is 97%, 90% or more of light can be extracted to the color filter layer 14 side at these interfaces. In addition, since the uneven portion 13A is formed on the surface of the substrate 13, light that cannot be extracted to the outside after being totally reflected inside the color filter layer 14 is exposed to the outside by removing the total reflection condition due to the unevenness. It can be taken out. Furthermore, since the light is scattered by the fine particles 30, even if the light is incident on the adhesive layer 40 at an angle greater than the critical angle, many of them are out of the total reflection condition at the time of entering the color filter layer 14, Further, the amount of light can be increased. By these actions, light extraction efficiency is improved, and bright display is possible.

上記の構成を採用した場合の発光光率は8.1cd/Aであり、高屈折率微粒子30を混入しない従来の構成(発光光率:5cd/A)に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
なお、本実施形態では、n<n<nであったが、より取り出し効率を上げるには、n≧n≧nであることが好ましい。
When the above configuration is adopted, the light emission rate is 8.1 cd / A, which is higher than the conventional configuration (light emission rate: 5 cd / A) in which the high refractive index fine particles 30 are not mixed. It has been confirmed that
In this embodiment, n D <n B <n A , but it is preferable that n D ≧ n B ≧ n A in order to further increase the extraction efficiency.

[第5の実施の形態]
図5は、本発明の第5実施形態の有機EL装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機EL装置500は、発光層5から発光した光(表示光)を基板2とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機EL装置である。この有機EL装置500の基本的な構成は第4実施形態の有機EL装置400と同じである。異なるのは、カラーフィルタ層14と接着層40との間にオーバーコート層15を設けた点のみである。このため、第4実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Fifth Embodiment]
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL device according to a fifth embodiment of the present invention.
The organic EL device 500 of the present embodiment is a so-called top emission type organic EL device that extracts light (display light) emitted from the light emitting layer 5 from the side opposite to the substrate 2. The basic configuration of the organic EL device 500 is the same as that of the organic EL device 400 of the fourth embodiment. The only difference is that the overcoat layer 15 is provided between the color filter layer 14 and the adhesive layer 40. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected about the component similar to 4th Embodiment, and detailed description is abbreviate | omitted.

本実施形態の場合、基板13と陰極9との間には、カラーフィルタ層14とオーバーコート層15と接着層40とが介在されており、これらが一体となって本発明の平坦化絶縁膜を構成する。図5では、基板13の凹凸部13Aがカラーフィルタ層14のみによって平坦化されているが、凹凸部13Aは、カラーフィルタ層14とオーバーコート層15の2層、或いはカラーフィルタ層14から接着層40までの3層で平坦化されるようにしてもよい。
接着層40は表示領域全体にベタで形成されており、この接着層40と、オーバーコート層15及びカラーフィルタ層14を含む基板13とによって有機EL素子10が封止されている。
In the case of this embodiment, the color filter layer 14, the overcoat layer 15, and the adhesive layer 40 are interposed between the substrate 13 and the cathode 9, and these are integrated to form the planarization insulating film of the present invention. Configure. In FIG. 5, the uneven portion 13A of the substrate 13 is flattened only by the color filter layer 14, but the uneven portion 13A is formed by two layers of the color filter layer 14 and the overcoat layer 15, or the color filter layer 14 to the adhesive layer. Planarization may be performed with up to 40 three layers.
The adhesive layer 40 is solid over the entire display area, and the organic EL element 10 is sealed by the adhesive layer 40 and the substrate 13 including the overcoat layer 15 and the color filter layer 14.

接着層40には、少なくとも陰極9との界面の部分に、母材となる絶縁材料40Aよりも大きな屈折率を有する微粒子30が含まれており、この微粒子30を含む平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、基板13の屈折率(屈折率n:1.54)よりも大きくなるように調整されている。本実施形態の場合、接着層40は、アクリル樹脂40A中にZrOの微粒子30を7wt%程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂40Aと微粒子30とを含めた平均の屈折率nは1.85に調整されている。陰極9としては、屈折率nが2.0のITO膜を用いており、陰極9と接着層40との屈折率比n/nは0.92となっている。オーバーコート層15の屈折率nは接着層40の屈折率nと同じであり、屈折率比n/nは1となっている。また、カラーフィルタ層14の平均の屈折率nは1.81であり、オーバーコート層15との屈折率比n/nは97%となっている。なお、絶縁材料40Aと微粒子30の材料は適宜変更することができる。 The adhesive layer 40 includes fine particles 30 having a refractive index larger than that of the insulating material 40A serving as a base material at least at the interface with the cathode 9, and the average of the planarized insulating film including the fine particles 30 is included. The refractive index is adjusted to be larger than the refractive index of the substrate 13 (refractive index n C : 1.54). In the case of this embodiment, the adhesive layer 40 has a configuration in which about 7 wt% of ZrO 2 fine particles 30 are contained in the acrylic resin 40A, and the average refractive index n B including the acrylic resin 40A and the fine particles 30 is included. Is adjusted to 1.85. As the cathode 9, an ITO film having a refractive index n A of 2.0 is used, and the refractive index ratio n B / n A between the cathode 9 and the adhesive layer 40 is 0.92. The refractive index n E of the overcoat layer 15 is the same as the refractive index n B of the adhesive layer 40, and the refractive index ratio n E / n B is 1. The average refractive index n D of the color filter layer 14 is 1.81, and the refractive index ratio n D / n E with the overcoat layer 15 is 97%. The materials of the insulating material 40A and the fine particles 30 can be changed as appropriate.

なお、カラーフィルタ層14は、母材となるアクリル樹脂等の絶縁材料中に着色材料である顔料分子等が分散された構造を有しており、基本的な構造は接着層40と同じである。このため、カラーフィルタ層14の着色材料と接着層40の微粒子30の材料とを共通化し、且つカラーフィルタ層14の絶縁材料と接着層40の絶縁材料40Aとを共通化することで、これらを一体的に形成することができる。また、オーバーコート層15をカラーフィルタ層14と同じ母材材料で形成すれば、カラーフィルタ層14から接着層40までの3層を一体的に形成することも可能である。これらの場合、カラーフィルタ層は、着色機能、オーバーコートとしての機能、及び接着機能をそれぞれ機能負担した複数の層によって形成されることになる。   The color filter layer 14 has a structure in which pigment molecules, which are coloring materials, are dispersed in an insulating material such as an acrylic resin, which is a base material, and the basic structure is the same as that of the adhesive layer 40. . For this reason, the coloring material of the color filter layer 14 and the material of the fine particles 30 of the adhesive layer 40 are made common, and the insulating material of the color filter layer 14 and the insulating material 40A of the adhesive layer 40 are made common, thereby It can be formed integrally. Further, if the overcoat layer 15 is formed of the same base material as that of the color filter layer 14, three layers from the color filter layer 14 to the adhesive layer 40 can be integrally formed. In these cases, the color filter layer is formed by a plurality of layers each having a coloring function, a function as an overcoat, and an adhesion function.

この有機EL装置500においては、発光層5から出射した光は、陰極9から直接的に、又は陽極8で反射されて間接的に、基板13側から取り出される。陰極9と接着層40との屈折率比n/nは92%であるので、これらの界面では約85%の光を接着層40側に取り出すことができる。また、接着層40とオーバーコート層15の屈折率は同じいであり、カラーフィルタ層14との屈折率比n/nは97%であるので、これらの界面では90%以上の光をカラーフィルタ層14側に取り出すことができる。また、基板13の表面には凹凸部13Aが形成されているので、カラーフィルタ層14の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子30によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で接着層40に入射したとしても、カラーフィルタ層14に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。 In the organic EL device 500, the light emitted from the light emitting layer 5 is extracted directly from the cathode 9 or reflected by the anode 8 and indirectly from the substrate 13 side. Since the refractive index ratio n B / n A between the cathode 9 and the adhesive layer 40 is 92%, approximately 85% of light can be extracted to the adhesive layer 40 side at these interfaces. The adhesive layer 40 and the overcoat layer 15 have the same refractive index, and the refractive index ratio n D / n E with the color filter layer 14 is 97%. It can be taken out to the filter layer 14 side. In addition, since the uneven portion 13A is formed on the surface of the substrate 13, light that cannot be extracted to the outside after being totally reflected inside the color filter layer 14 is exposed to the outside by removing the total reflection condition due to the unevenness. It can be taken out. Furthermore, since the light is scattered by the fine particles 30, even if the light is incident on the adhesive layer 40 at an angle greater than the critical angle, many of them are out of the total reflection condition at the time of entering the color filter layer 14, Further, the amount of light can be increased. By these actions, light extraction efficiency is improved, and bright display is possible.

上記の構成を採用した場合の発光光率は8.1cd/Aであり、高屈折率微粒子30を混入しない従来の構成(発光光率:5cd/A)に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
なお、本実施形態では、n<n=n<nであったが、より取り出し効率を上げるには、n≧n≧n≧nであることが好ましい。
When the above configuration is adopted, the light emission rate is 8.1 cd / A, which is higher than the conventional configuration (light emission rate: 5 cd / A) in which the high refractive index fine particles 30 are not mixed. It has been confirmed that
In this embodiment, n D <n E = n B <n A , but it is preferable that n D ≧ n E ≧ n B ≧ n A in order to further increase the extraction efficiency.

[電子機器]
上記実施の形態の有機EL装置を備えた電子機器の例について説明する。
図6は、携帯電話の一例を示した斜視図である。同図に示す携帯電話機1300は、複数の操作ボタン1302と、受話口1303と、送話口1304と、先の実施形態の有機EL装置からなる表示部1301とを備えている。この携帯電話機1300によれば、上記実施の形態の有機EL装置を備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の有機EL表示部を備えた電子機器を実現することができる。
なお、本発明における有機EL装置を備えた電子機器としては、上記のものに限らず、他に例えば、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯用テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、PDA、携帯用ゲーム機、ページャ、電子手帳、電卓、時計、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器などを挙げることができる。また、本発明における有機EL装置を備えた電子機器として、車載用オーディオ機器や自動車用計器、カーナビゲーション装置等の車載用ディスプレイを挙げることもできる。さらに、前記有機EL装置は、ラインプリンタの露光手段等、表示装置以外の電子機器にも広く適用可能である。
[Electronics]
Examples of electronic devices provided with the organic EL device of the above embodiment will be described.
FIG. 6 is a perspective view showing an example of a mobile phone. A cellular phone 1300 shown in the figure includes a plurality of operation buttons 1302, an earpiece 1303, a mouthpiece 1304, and a display unit 1301 including the organic EL device of the previous embodiment. According to the mobile phone 1300, since the organic EL device according to the above-described embodiment is provided, it is possible to realize an electronic apparatus that has an organic EL display unit with a high display quality and a bright screen.
The electronic apparatus provided with the organic EL device according to the present invention is not limited to the above-mentioned ones. For example, digital cameras, personal computers, televisions, portable televisions, viewfinder type / monitor direct view type video tape recorders. PDAs, portable game machines, pagers, electronic notebooks, calculators, clocks, word processors, workstations, videophones, POS terminals, devices with touch panels, and the like. In addition, examples of the electronic device including the organic EL device according to the present invention include a vehicle-mounted display such as a vehicle-mounted audio device, a vehicle instrument, and a car navigation device. Furthermore, the organic EL device can be widely applied to electronic devices other than display devices such as exposure means of line printers.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。また、上記の実施形態の構成は一例であり、これらの構成を必要に応じて組み合わせることも可能である。例えば、第2実施形態の構成と、第3実施形態〜第5実施形態の構成とを組み合わせることで、陽極8と陰極9の双方からの光取り出し効率が向上し、より明るい表示を実現可能となる。また、上記実施形態では、発光層に有機発光材料を用いた有機EL装置を例に挙げて説明したが、発光層を無機材料を用いた無機EL装置に本発明を適用することも可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but it goes without saying that the present invention is not limited to such examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention. In addition, the configuration of the above-described embodiment is an example, and these configurations can be combined as necessary. For example, by combining the configuration of the second embodiment and the configurations of the third to fifth embodiments, the light extraction efficiency from both the anode 8 and the cathode 9 can be improved, and a brighter display can be realized. Become. In the above embodiment, an organic EL device using an organic light emitting material for the light emitting layer has been described as an example. However, the present invention can also be applied to an inorganic EL device using an inorganic material for the light emitting layer. .

第1実施形態に係る有機EL装置の概略構成を示す断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an organic EL device according to a first embodiment. 第2実施形態に係る有機EL装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the organic EL apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る有機EL装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the organic EL apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第4実施形態に係る有機EL装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the organic EL apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第5実施形態に係る有機EL装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the organic EL apparatus which concerns on 5th Embodiment. 上記有機EL装置を備えた電子機器の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the electronic device provided with the said organic EL apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

2…基板、2A…凹凸部、3…微粒子、4…平坦化絶縁膜、4A…絶縁材料、5…発光層、8…陽極(第1電極)、9…陰極(第2電極)、12…反射膜、13…基板、13A…凹凸部、14…カラーフィルタ層、30…微粒子、40…接着層、40A…絶縁材料、1300…携帯電話機(電子機器)

DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Board | substrate, 2A ... Uneven part, 3 ... Fine particle, 4 ... Flattening insulating film, 4A ... Insulating material, 5 ... Light emitting layer, 8 ... Anode (1st electrode), 9 ... Cathode (2nd electrode), 12 ... Reflective film, 13 ... substrate, 13A ... uneven portion, 14 ... color filter layer, 30 ... fine particles, 40 ... adhesive layer, 40A ... insulating material, 1300 ... mobile phone (electronic device)

Claims (14)

発光層を保持する一対の電極と、
前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板と、
前記基板において前記一方の電極が配置された側の面に設けられた凹凸部と、
前記一方の電極と前記基板との間に介在し、前記凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜とを備え、
前記平坦化絶縁膜には、母材となる絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子が含まれており、前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きくなるように調整されていることを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置。
A pair of electrodes for holding the light emitting layer;
A substrate on which one of the pair of electrodes is disposed;
An uneven portion provided on the surface of the substrate on which the one electrode is disposed;
A planarization insulating film that is interposed between the one electrode and the substrate and planarizes the uneven portion;
The planarization insulating film includes fine particles having a refractive index larger than that of the insulating material as a base material, and an average refractive index of the planarization insulating film containing the fine particles is larger than a refractive index of the substrate. The electroluminescence device is adjusted so as to be large.
前記微粒子は、前記一方の電極よりも大きな屈折率を有することを特徴とする、請求項1記載のエレクトロルミネッセンス装置。   The electroluminescent device according to claim 1, wherein the fine particles have a refractive index larger than that of the one electrode. 前記微粒子が含まれた部分の前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率は、前記一方の電極の屈折率と同等かそれ以上の屈折率となるように調整されていることを特徴とする、請求項2記載のエレクトロルミネッセンス装置。   The average refractive index of the planarization insulating film in the portion containing the fine particles is adjusted to be equal to or higher than the refractive index of the one electrode. Item 3. The electroluminescent device according to Item 2. 前記一方の電極は、表示光が出射される側の電極であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。   The electroluminescent device according to claim 1, wherein the one electrode is an electrode on a side from which display light is emitted. 前記一方の電極は、前記平坦化絶縁膜の表面に成膜されていることを特徴とする、請求項4記載のエレクトロルミネッセンス装置。   The electroluminescent device according to claim 4, wherein the one electrode is formed on a surface of the planarization insulating film. 前記平坦化絶縁膜には接着層が含まれており、前記接着層を介して前記一方の電極と前記基板とが接着されていることを特徴とする、請求項4記載のエレクトロルミネッセンス装置。   The electroluminescent device according to claim 4, wherein the planarization insulating film includes an adhesive layer, and the one electrode and the substrate are bonded via the adhesive layer. 前記微粒子は、前記接着層中に含まれていることを特徴とする、請求項6記載のエレクトロルミネッセンス装置。   The electroluminescent device according to claim 6, wherein the fine particles are contained in the adhesive layer. 前記平坦化絶縁膜にはカラーフィルタ層が含まれており、該カラーフィルタ層中に前記微粒子が含まれていることを特徴とする、請求項5又は6記載のエレクトロルミネッセンス装置。   7. The electroluminescence device according to claim 5, wherein the planarization insulating film includes a color filter layer, and the fine particles are included in the color filter layer. 前記微粒子は、前記カラーフィルタ層の着色材料を兼ねることを特徴とする、請求項8記載のエレクトロルミネッセンス装置。   9. The electroluminescence device according to claim 8, wherein the fine particles also serve as a coloring material for the color filter layer. 前記一方の電極は、表示光が出射される側とは反対側の電極であり、前記平坦化絶縁膜と前記基板との間には、前記基板側に向けて出射された光を前記発光層側に反射する反射面が設けられていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。   The one electrode is an electrode opposite to a side from which display light is emitted, and light emitted toward the substrate side is disposed between the planarization insulating film and the substrate in the light emitting layer. The electroluminescent device according to any one of claims 1 to 3, wherein a reflective surface that reflects toward the side is provided. 発光層を保持する一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板とを備えたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記基板上に凹凸部を形成する工程と、
前記凹凸部の表面に、該凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜を形成する工程と、
前記平坦化絶縁膜の表面に前記一方の電極を配置する工程とを備え、
前記平坦化絶縁膜の形成工程は、母材となる絶縁材料に該絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子を含有させ、前記母材及び前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整する工程を含むことを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
A method of manufacturing an electroluminescence device comprising a pair of electrodes for holding a light emitting layer and a substrate on which one of the pair of electrodes is disposed,
Forming an uneven portion on the substrate;
Forming a planarization insulating film on the surface of the concavo-convex portion to flatten the concavo-convex portion;
Arranging the one electrode on the surface of the planarization insulating film,
In the step of forming the planarization insulating film, the insulating material serving as a base material contains fine particles having a refractive index larger than that of the insulating material, and the average refractive index of the flattening insulating film containing the base material and the fine particles is included. Includes a step of adjusting the refractive index to be larger than the refractive index of the substrate.
前記微粒子は、前記一方の電極よりも屈折率の大きな材料からなることを特徴とする、請求項11記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。   12. The method of manufacturing an electroluminescent device according to claim 11, wherein the fine particles are made of a material having a refractive index larger than that of the one electrode. 前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記一方の電極の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整することを特徴とする、請求項12記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。   13. The method of manufacturing an electroluminescent device according to claim 12, wherein an average refractive index of the planarization insulating film is adjusted to be higher than a refractive index of the one electrode. 請求項1〜10のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置又は請求項11〜13のいずれかの項に記載の製造方法により製造されたエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする、電子機器。

An electronic apparatus comprising the electroluminescence device according to any one of claims 1 to 10 or the electroluminescence device produced by the production method according to any one of claims 11 to 13. .

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