JP2006294491A - ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ELECTROLUMINESCENT DEVICE MANUFACTURING METHOD, ELECTRONIC DEVICE - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 120
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 60
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 17
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 96
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 16
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】 基板と電極との間の全反射を抑制し、光の取り出し効率を向上させることのできるEL装置を提供する。
【解決手段】 本発明のEL装置100は、発光層5を保持する一対の電極8,9と、前記一対の電極のうちの一方の電極8が配置された基板2と、基板2において前記一方の電極8が配置された側の面に設けられた凹凸部2Aと、前記一方の電極8と基板2との間に介在し、凹凸部2Aを平坦化する平坦化絶縁膜4とを備え、平坦化絶縁膜4には、母材となる絶縁材料4Aよりも大きな屈折率を有する微粒子3が含まれており、前記微粒子3を含む前記平坦化絶縁膜4の平均の屈折率が、基板2の屈折率よりも大きくなるように調整されていることを特徴とする。
【選択図】 図1PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an EL device capable of suppressing total reflection between a substrate and an electrode and improving light extraction efficiency.
An EL device 100 according to the present invention includes a pair of electrodes 8 and 9 for holding a light emitting layer 5, a substrate 2 on which one electrode 8 of the pair of electrodes is disposed, The uneven portion 2A provided on the surface on which the electrode 8 is disposed, and the planarizing insulating film 4 interposed between the one electrode 8 and the substrate 2 to flatten the uneven portion 2A, The planarization insulating film 4 includes fine particles 3 having a refractive index larger than that of the insulating material 4A serving as a base material. The average refractive index of the planarization insulating film 4 including the fine particles 3 is the substrate 2. The refractive index is adjusted so as to be larger than the refractive index.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器に関するものである。 The present invention relates to an electroluminescence device, a method for manufacturing an electroluminescence device, and an electronic apparatus.
近年、自発光素子であるEL(エレクトロルミネッセンス)素子を画素として用いたEL装置の開発が進められている。EL素子は、陽極と陰極との間に発光層等の機能層を挟持した構成を備えており、最近では、有機物材料を溶解した液体材料をインクジェット法によって基板上パターン配置する方法を採用した有機EL装置の開発が行われている。このような有機EL装置では、画素毎を区画する隔壁部材を基板上に設け、この隔壁部材で囲まれた領域内に上記液体材料を吐出することで、基板上に正確に有機機能層を形成することができる(例えば特許文献1,2参照)。
このようなEL装置においては、発光層から透明基板を介して光が外部に取り出される際に、透明基板と電極との界面において光の全反射が生じて光が閉じ込められ、発光層から発光する光の一部しか表示に寄与しないという問題があった。一般に、EL装置の表示側の電極にはITOが用いられ、透明基板にはガラス基板が用いられる。これらの屈折率は、ITOが2.0程度、ガラス基板が1.5程度であり、両者の間には大きな屈折率差が生じている。発光層においては全方向にわたって発光が生じるが、広角(臨界角以上)に出射した光はITO電極内で全反射を繰り返し、透明基板側に取り出すことができない。すなわち、光の取り出し効率が悪いために、発光層に所定の電流を供給してせっかく発光が生じても、そのうちの一部の光しか表示に寄与しないことになる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板と電極との間の全反射を抑制し、光の取り出し効率を向上させることのできるエレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的とする。また、このようなエレクトロルミネッセンス装置の製造方法と、係るエレクトロルミネッセンス装置を備えた高輝度発光が可能な電子機器を提供することを目的とする。
In such an EL device, when light is extracted from the light emitting layer through the transparent substrate, light is totally reflected at the interface between the transparent substrate and the electrode, and the light is confined to emit light from the light emitting layer. There was a problem that only part of the light contributed to the display. In general, ITO is used for the display-side electrode of the EL device, and a glass substrate is used for the transparent substrate. These refractive indexes are about 2.0 for ITO and about 1.5 for a glass substrate, and a large difference in refractive index occurs between them. The light emitting layer emits light in all directions, but light emitted at a wide angle (greater than the critical angle) repeats total reflection within the ITO electrode and cannot be extracted to the transparent substrate side. That is, since the light extraction efficiency is poor, even if light is emitted by supplying a predetermined current to the light emitting layer, only a part of the light contributes to display.
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an electroluminescence device capable of suppressing total reflection between a substrate and an electrode and improving light extraction efficiency. To do. It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing such an electroluminescence device and an electronic apparatus that can emit light with high luminance and includes the electroluminescence device.
上記の課題を解決するため、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、発光層を保持する一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板と、前記基板において前記一方の電極が配置された側の面に設けられた凹凸部と、前記一方の電極と前記基板との間に介在し、前記凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜とを備え、前記平坦化絶縁膜には、母材となる絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子が含まれており、前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きくなるように調整されていることを特徴とする。
この構成によれば、平坦化絶縁膜が高屈折率の微粒子を含むことによって、平坦化絶縁膜の平均の屈折率が大きくなるため、従来のものに比べて、電極と平坦化絶縁膜との界面の全反射条件を緩和することができる。このため、従来、電極の内部に全反射によって閉じ込められていた光を取り出すことができるようになり、光取り出し効率の向上を図ることができる。この場合、平坦化絶縁膜と基板との屈折率は従来のものよりも大きくなるが、基板には凹凸部が設けられているため、基板と平坦化絶縁膜との界面の全反射を回避することができる。
In order to solve the above problems, an electroluminescence device of the present invention includes a pair of electrodes for holding a light emitting layer, a substrate on which one of the pair of electrodes is disposed, and the one electrode in the substrate. And an uneven portion provided on the surface on which the electrode is disposed, and a planarization insulating film that is interposed between the one electrode and the substrate and planarizes the uneven portion, the planarizing insulating film Includes fine particles having a refractive index larger than that of the base insulating material, and the average refractive index of the planarization insulating film containing the fine particles is adjusted to be larger than the refractive index of the substrate. It is characterized by being.
According to this configuration, since the planarization insulating film contains fine particles having a high refractive index, the average refractive index of the planarization insulating film is increased. The total reflection conditions at the interface can be relaxed. For this reason, conventionally, light that has been confined by total reflection inside the electrode can be extracted, and the light extraction efficiency can be improved. In this case, the refractive index between the planarization insulating film and the substrate is larger than that of the conventional one, but the substrate is provided with an uneven portion, so that total reflection at the interface between the substrate and the planarization insulating film is avoided. be able to.
本発明においては、前記微粒子は、前記一方の電極よりも大きな屈折率を有するものとすることができる。このような材料としては、酸化ジルコニウム(ZrO2)や酸化チタン(TiO2)等の無機材料を好適に用いることができる。
この構成によれば、平坦化絶縁膜の屈折率を前記一方の電極の屈折率に近づけ、或いはこれを超えるような屈折率にすることができる。このように平坦化絶縁膜の屈折率を大きくすることで、より全反射を起こりにくくすることができる。
In the present invention, the fine particles may have a refractive index larger than that of the one electrode. As such a material, inorganic materials such as zirconium oxide (ZrO 2 ) and titanium oxide (TiO 2 ) can be suitably used.
According to this configuration, the refractive index of the planarization insulating film can be made to approach or exceed the refractive index of the one electrode. Thus, by increasing the refractive index of the planarization insulating film, total reflection can be made more difficult to occur.
本発明においては、前記微粒子が含まれた部分の前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率は、前記一方の電極の屈折率と同等かそれ以上の屈折率となるように調整されているものとすることができる。
この構成によれば、平坦化絶縁膜と前記一方の電極との界面において全反射は生じなくなる。
In the present invention, the average refractive index of the planarization insulating film in the portion containing the fine particles is adjusted to be equal to or higher than the refractive index of the one electrode. can do.
According to this configuration, total reflection does not occur at the interface between the planarization insulating film and the one electrode.
本発明においては、前記一方の電極は、表示光が出射される側の電極であるものとすることができる。
この場合、前記一方の電極は、前記平坦化絶縁膜の表面に成膜されているものとすることができる。この構成は、いわゆるボトムエミッション型の構成となる。
また、前記平坦化絶縁膜には接着層が含まれており、前記接着層を介して前記一方の電極と前記基板とが接着されているものとすることができる。この構成は、いわゆるトップエミッション型の構成となる。この構成において、前記基板は封止基板として機能することになる。
In the present invention, the one electrode may be an electrode on the side from which display light is emitted.
In this case, the one electrode may be formed on the surface of the planarization insulating film. This configuration is a so-called bottom emission type configuration.
The planarization insulating film may include an adhesive layer, and the one electrode and the substrate may be bonded via the adhesive layer. This configuration is a so-called top emission type configuration. In this configuration, the substrate functions as a sealing substrate.
本発明においては、前記微粒子は、前記接着層中に含まれているものとすることができる。また、前記平坦化絶縁膜にはカラーフィルタ層が含まれており、該カラーフィルタ層中に前記微粒子が含まれているものとすることができる。この場合、前記微粒子は、前記カラーフィルタ層の着色材料を兼ねるものとすることができる。 In the present invention, the fine particles may be contained in the adhesive layer. The planarization insulating film may include a color filter layer, and the color filter layer may include the fine particles. In this case, the fine particles can also serve as a coloring material for the color filter layer.
本発明においては、前記一方の電極は、表示光が出射される側とは反対側の電極であり、前記平坦化絶縁膜と前記基板との間には、前記基板側に向けて出射された光を前記発光層側に反射する反射面が設けられているものとすることができる。この構成は、いわゆるトップエミッション型の構成となる。 In the present invention, the one electrode is an electrode opposite to a side from which display light is emitted, and is emitted toward the substrate side between the planarization insulating film and the substrate. A reflection surface that reflects light toward the light emitting layer may be provided. This configuration is a so-called top emission type configuration.
本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、発光層を保持する一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板とを備えたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記基板上に凹凸部を形成する工程と、前記凹凸部の表面に、該凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜を形成する工程と、前記平坦化絶縁膜の表面に前記一方の電極を配置する工程とを備え、前記平坦化絶縁膜の形成工程は、母材となる絶縁材料に該絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子を含有させ、前記母材及び前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整する工程を含むことを特徴とする。
この方法によれば、平坦化絶縁膜が高屈折率の微粒子を含むことによって、平坦化絶縁膜の平均の屈折率が大きくなるため、従来のものに比べて、電極と平坦化絶縁膜との界面の全反射条件を緩和することができる。このため、従来、電極の内部に全反射によって閉じ込められていた光を取り出すことができるようになり、光取り出し効率の向上を図ることができる。この場合、平坦化絶縁膜と基板との屈折率は従来のものよりも大きくなるが、基板には凹凸部が設けられているため、基板と平坦化絶縁膜との界面の全反射を回避することができる。
The method for producing an electroluminescent device of the present invention is a method for producing an electroluminescent device comprising a pair of electrodes for holding a light emitting layer and a substrate on which one of the pair of electrodes is disposed. Forming a concavo-convex portion on the substrate; forming a planarization insulating film for planarizing the concavo-convex portion on the surface of the concavo-convex portion; and placing the one electrode on the surface of the flattening insulating film. The step of forming the planarizing insulating film includes causing the insulating material to be a base material to contain fine particles having a refractive index larger than that of the insulating material, and including the base material and the fine particles. And adjusting the average refractive index of the film so as to be higher than the refractive index of the substrate.
According to this method, since the average refractive index of the planarization insulating film increases because the planarization insulating film contains fine particles having a high refractive index, the electrode and the planarization insulating film are compared with the conventional one. The total reflection conditions at the interface can be relaxed. For this reason, conventionally, light that has been confined by total reflection inside the electrode can be extracted, and the light extraction efficiency can be improved. In this case, the refractive index between the planarization insulating film and the substrate is larger than that of the conventional one, but the substrate is provided with an uneven portion, so that total reflection at the interface between the substrate and the planarization insulating film is avoided. be able to.
本発明においては、前記微粒子は、前記一方の電極よりも屈折率の大きな材料からなるものとすることができる。
この方法によれば、平坦化絶縁膜の屈折率を前記一方の電極の屈折率に近づけ、或いはこれを超えるような屈折率にすることができる。このように平坦化絶縁膜の屈折率を大きくすることで、より全反射を起こりにくくすることができる。
In the present invention, the fine particles may be made of a material having a refractive index larger than that of the one electrode.
According to this method, the refractive index of the planarization insulating film can be made to approach or exceed the refractive index of the one electrode. Thus, by increasing the refractive index of the planarization insulating film, total reflection can be made more difficult to occur.
本発明においては、前記界面部分の前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記一方の電極の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整するものとすることができる。
この方法によれば、平坦化絶縁膜と前記一方の電極との界面において全反射は生じなくなる。
In the present invention, the average refractive index of the planarization insulating film in the interface portion may be adjusted so as to be larger than the refractive index of the one electrode.
According to this method, total reflection does not occur at the interface between the planarization insulating film and the one electrode.
本発明の電子機器は、前述した本発明のエレクトロルミネッセンス装置又は前述した本発明の製造方法により製造されたエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、光取り出し効率の高いエレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器を提供することができる。
The electronic apparatus of the present invention includes the electroluminescence device of the present invention described above or the electroluminescence device manufactured by the manufacturing method of the present invention described above.
According to this configuration, it is possible to provide an electronic apparatus including an electroluminescence device with high light extraction efficiency.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。以下の実施の形態では、EL素子を画素として基体上に配列してなるEL装置(エレクトロルミネッセンス装置)、特に、発光層を有機発光材料によって形成した有機EL装置を例示して説明する。この有機EL装置は、例えば電子機器等の表示手段として好適に用いることができるものである。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following embodiments, an EL device (electroluminescence device) in which EL elements are arranged as pixels on a substrate, particularly an organic EL device in which a light emitting layer is formed of an organic light emitting material will be described as an example. This organic EL device can be suitably used as display means for electronic devices, for example.
[第1の実施の形態]
[有機EL装置]
図1は、本発明の第1実施形態の有機EL装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機EL装置100は、発光層5から発光した光(表示光)を基板2側から取り出す、いわゆるボトムエミッション型の有機EL装置である。この有機EL装置100は、基板2の上面に、発光素子である有機EL素子10を配設してなる構成を備えている。有機EL素子10は、基板2の一方面(図1の上面)側に、第1電極8と、正孔輸送層6と、発光層5と、電子輸送層7と、第2電極9とを順に積層した構成となっている。本実施形態においては、第1電極8を陽極、第2電極9を陰極とするが、これらを逆にすることもできる。この場合、基板2側から、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極を順に積層する構造となる。なお、正孔輸送層6、発光層5および電子輸送層7は、有機機能材料からなる機能層(有機機能層)11を形成している。
[First Embodiment]
[Organic EL device]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the organic EL device according to the first embodiment of the present invention.
The
図示しないが、本実施の形態の有機EL装置はアクティブマトリクス型であり、実際には複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に配置され、これらデータ線や走査線に区画されたマトリクス状に配置された各画素毎に、スイッチングトランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用TFTを介して上記の有機EL素子10が接続されている。そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流れ、有機EL素子10が発光して基板2の外面側に光が出射され、その画素が点灯する。
Although not shown, the organic EL device according to the present embodiment is an active matrix type. In practice, a plurality of data lines and a plurality of scanning lines are arranged in a grid pattern, and the matrix is divided into these data lines and scanning lines. The
本実施形態の場合、表示光を基板2側から取り出す構造であるので、基板2には、ガラス等の透光性基板が用いられる。また、陽極8には、ITO(インジウム錫酸化物)等の透光性導電膜が用いられる。一方、陰極9には、良好な光反射性を具備した導電膜、例えばAl(アルミニウム)等の高反射率の金属膜を好適に用いることができる。この場合、陰極9は、発光層5で生じた光を陽極8側へ反射する機能を有するものとなる。なお、Alの他にも、Au(金)、Ag(銀)、Cr(クロム)、Cu(銅)、Ni(ニッケル)、Ca、Mg(マグネシウム)、Sr、Yb(イッテルビウム)、Er(エルビウム)、Tb(テルビウム)、Sm(サマリウム)等の金属材料、およびこれらから選択される金属材料の薄膜を複数積層した構造とすることもできる。
In the present embodiment, since the display light is extracted from the
発光層5を構成し得る発光材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料である、ポリフルオレン誘導体(PF)、ポリパラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン(PDAF)、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール(PFBT)、ポリアルキルチオフェン(PAT)や、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)等のポリシラン系などを好適に用いることができる。また、これらの発光材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
The light emitting material that can constitute the
正孔輸送層6は、陽極8から発光層5への電荷の注入効率を高めるとともに、発光層5内を移動する電子をブロッキングする機能を奏し、発光層内での電子と正孔との再結合確率を高める作用を奏する。この正孔輸送層6には、陽極8からの注入障壁が低く、正孔移動度の高い材料が好適に用いられる。このような材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)[商品名;バイトロン−p(Bytron-p):バイエル社製]の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などが用いられる。
なお、必要に応じて、陰極9から発光層5への電子注入効率を高めるとともに、正孔ブロッキング機能を有する電子輸送層7を形成してもよい。この電子輸送層7は、オキサジアゾール誘導体やAlq3などの有機材料で形成することが可能である。
The
If necessary, the efficiency of electron injection from the
ここで、本実施形態においては、基板2において陽極8が配置された側の面に凹凸部2Aが設けられている。陽極8と基板2との間には、この凹凸部2Aを平坦化する平坦化絶縁膜4が設けられており、陽極8はこの平坦化絶縁膜4の表面に配置されている。凹凸部2Aは、平坦化絶縁膜4と基板2との界面での全反射を防止すべく設けられたものである。このように凹凸部2Aが存在すると、基板2と平坦化絶縁膜4との界面での全反射条件が緩和されるため、平坦化絶縁膜4内に入射された光は、略全て基板2側から取り出されるようになる。また、平坦化絶縁膜4は、表示欠陥の原因となる電極表面の凹凸を平坦にする役割も兼ねている。すなわち、有機EL素子10では、発光層5を含めた有機機能層11の厚みが非常に薄いので、陽極8の表面に凹凸が存在すると、電極間のショートや発光むらが生じる虞がある。本実施形態では、平坦化絶縁膜4によって陽極8の表面が平坦化されるので、これらの問題は生じない。
Here, in the present embodiment, the
この平坦化絶縁膜4には、少なくとも陽極8との界面の部分に、母材となる絶縁材料4Aよりも大きな屈折率を有する微粒子3が含まれており、この微粒子3が含まれた前記界面部分の平坦化絶縁膜4の平均の屈折率nBが、基板2の屈折率nCよりも大きくなるように調整されている。
The planarizing
一般に、有機EL装置の表示側の電極(陽極)8にはITOが用いられ、基板2にはガラス基板が用いられる。これらの屈折率は、ITOが1.95(屈折率nA;550nmの波長を基準とする。以下同じ)、ガラス基板が1.54(屈折率nC)であり、両者の間には大きな屈折率差が生じている。このような大きな屈折率差が存在すると、陽極8と基板2との界面で全反射が生じ易くなり、せっかく発光が生じても、そのうちの一部の光しか表示に寄与することができない。そこで、本実施形態では、陽極8と基板2との間に基板2よりも屈折率の大きな層4(屈折率nB;nB>nC)を形成し、電極界面で生じる全反射の条件を緩和するようにしている。本実施形態の場合、平坦化絶縁膜4は、アクリル樹脂4A(屈折率:1.43)中にZrO2(酸化ジルコニウム)の無機微粒子3を5wt%程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂4Aと微粒子3とを含めた平均の屈折率nBは1.8に調整されている。
In general, ITO is used for the display-side electrode (anode) 8 of the organic EL device, and a glass substrate is used for the
なお、母材となる絶縁材料4Aには、エポキシ樹脂(屈折率:1.42)など、アクリル樹脂以外の樹脂材料を用いることもできる。また、良好な平坦性が得られる場合には、SiO2(酸化シリコン)やSiN(窒化シリコン)等の無機絶縁材料を用いることも可能である。また、微粒子3としては、TiO2(酸化チタン)等の他の高屈折率材料を用いることができる。屈折率比nB/nAは、絶縁材料4Aの含有させる微粒子3の量によって調節することができる。
Note that a resin material other than an acrylic resin, such as an epoxy resin (refractive index: 1.42), can also be used for the insulating
この有機EL装置100においては、発光層5から出射した光は、陽極8から直接的に、又は陰極9で反射されて間接的に、基板2側から取り出される。陽極8と平坦化絶縁膜4との屈折率比nB/nAは92%であるので、これらの界面では約85%の光を平坦化絶縁膜4側に取り出すことができる。また、基板2の表面には凹凸部2Aが形成されているので、平坦化絶縁膜4の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子3によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で平坦化絶縁膜4に入射したとしても、基板2に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
In the
上記の構成を採用した場合の発光光率は15cd/Aであり、高屈折率微粒子3を混入しない従来の構成(発光光率:10cd/A)に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
The light emission rate when the above configuration is adopted is 15 cd / A, and a higher light emission rate can be obtained compared to the conventional configuration (light emission rate: 10 cd / A) in which the high refractive index
[有機EL装置の製造方法]
次に、有機EL装置100の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板等の透光性の基板2を用意し、フッ酸処理等により、基板2の表面に高さ0.01μm〜0.5μmのランダムな凹凸を多数形成する。凹凸は、フッ酸処理以外の処理により形成することもできる。これらの凹凸によって、基板2の表面に凹凸部2Aが形成される。
[Method for Manufacturing Organic EL Device]
Next, a method for manufacturing the
First, a
次に、アクリル樹脂4Aを主体とする絶縁材料を基板2の表面に塗布し、凹凸部2Aを平坦化する平坦化絶縁膜4を形成する。アクリル樹脂4Aには、予め高屈折率材料であるZrO2の微粒子3を5wt%程度混入し、平坦化絶縁膜4の平均の屈折率nBが基板2の屈折率nCよりも大きくなるように調整しておく。この際、陽極8との屈折率比nB/nAが0.8以上、より好ましくは、1以上となるように調整することが望ましい。屈折率比nB/nAは、微粒子3の混入量によって調整することができる。なお、微粒子3としては、TiO2等の他の高屈折率材料を用いることも可能である。
Next, an insulating material mainly composed of
次に、平坦化絶縁膜4の表面に、スパッタ等によりITO等の透光性導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、陽極8を形成する。
次に、陽極8の表面に、正孔輸送層6、発光層5、電子輸送層7を順に形成する。これらの層は、蒸着法やインクジェット法等により形成することができる。インクジェット法を用いる場合には、インクの濡れ広がりを防ぐために、予めバンクと呼ばれる土手構造を陽極8の周囲に形成しておくことが望ましい。正孔輸送層6、発光層5、電子輸送層7により、有機機能層11が形成される。
Next, a light-transmitting conductive film such as ITO is formed on the surface of the
Next, the
次に、この有機機能層11の表面に、スパッタ等によりAl等からなる陰極9を形成する。TFTを用いたアクティブマトリクス型の有機EL装置においては、陰極9のパターニングは不要である。このような陰極9は、各陽極8に対して共通の共通電極となる。
陰極9の表面には、必要に応じて封止部材を設けることができる。封止部材で陰極全体を封止することによって、有機EL素子10の内部に、水分や酸素等が浸入することを防止することができる。
以上により、有機EL装置100が完成する。
Next, the
A sealing member can be provided on the surface of the
Thus, the
[実施例]
本発明者は、本発明の効果を実証するために、従来構成の有機EL装置(比較例)と本発明の有機EL装置(実施例)とで表示の明るさを比較した。表1は、上記実施形態の構成と同じ構成の有機EL装置において、陽極8の屈折率nAを一定として(屈折率nA:2.0)、平坦化絶縁膜4の屈折率nBを変化させて光取り出し効率をシミュレーションした結果を示している。このシミュレーションにおいては、基板2をガラス基板(屈折率nC:1.54)とし、平坦化絶縁膜の母材をアクリル樹脂(屈折率:1.43)としている。また、実施例に係る有機EL装置には、高屈折率微粒子3としてZrO2を混入し、比較例に係る有機EL装置には、高屈折率微粒子3を混入させない構成としている。
[Example]
In order to verify the effect of the present invention, the present inventor compared the brightness of display between the organic EL device having the conventional configuration (comparative example) and the organic EL device of the present invention (example). Table 1 shows that the refractive index n A of the
表1からわかるように、陽極8と平坦化絶縁膜4との屈折率比が0.8以上であれば、60%以上の光を平坦化絶縁膜4側に取り出すことができる。この効率は、従来の構成と比較すると2倍以上高く、同じ光量を出力する場合には、寿命が3倍以上延びることを意味する。特に、平坦化絶縁膜の平均の屈折率nBが陽極8の屈折率nAと同等かそれ以上の屈折率となるように調整されている場合には(nB≧nA)、光は、低屈折率材料である陽極8から高屈折率材料である平坦化絶縁膜4に入射することになるため、平坦化絶縁膜4との界面では全反射は生じない。したがって、陽極8を透過した光は全て平坦化絶縁膜4に入射されることになり、光の取り出し効率は1となる。
As can be seen from Table 1, when the refractive index ratio between the
このように、本実施形態の有機EL装置においては、平坦化絶縁膜4として、基板2よりも高い屈折率と光散乱性とを兼ね備えた絶縁膜を用いているので、光の取り出し効率が大きく向上し、明るい表示が得られるようになる。
Thus, in the organic EL device of this embodiment, the
[第2の実施の形態]
図2は、本発明の第2実施形態の有機EL装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機EL装置200は、発光層5から発光した光(表示光)を基板2とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機EL装置である。この有機EL装置200の基本的な構成は、第1実施形態の有機EL装置100と同じである。異なるのは、陰極9を透光性導電膜とした点と、平坦化絶縁膜4と基板2との間に、基板2側に向けて出射された光を発光層5側に反射する反射膜12を設けた点のみである。このため、第1実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Second Embodiment]
FIG. 2 is a sectional view showing a schematic configuration of the organic EL device according to the second embodiment of the present invention.
The
本実施形態の場合、表示光を陰極9側から取り出す構成であるので、陰極9には、ITO等の透光性導電膜が用いられる。陽極8に関しては、その基板2側に反射膜12が設けられているので、第1実施形態と同様にITO等の透光性導電膜が用いられる。基板2としては、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる。
In this embodiment, since the display light is extracted from the
基板2の表面には、ランダムな凹凸が多数形成された凹凸部2Aが設けられており、この凹凸部2Aの表面には、平坦化絶縁膜4が設けられている。平坦化絶縁膜4は、第1実施形態のものと同様に、母材となる絶縁材料4A中に、これよりも大きな屈折率を有する微粒子3が含まれた構成となっている。本実施形態の場合、平坦化絶縁膜4は、エポキシ樹脂4A中にTiO2の無機微粒子3を3wt%含有させた構成となっており、樹脂4Aと微粒子3とを含めた平均の屈折率nBは1.8に調整されている。陽極8としては、屈折率nAが2.0のITO膜を用いており、陽極8と平坦化絶縁膜4との屈折率比nB/nAは0.9となっている。なお、絶縁材料4Aと微粒子3の材料は適宜変更することができる。
The surface of the
平坦化絶縁膜4と基板2との間には、Al(アルミニウム)やAg(銀)等からなる反射膜12が設けられている。この反射膜12は、発光層5から基板2側に出射された光を陰極9側に反射する反射面を構成する。なお、基板2自体が光反射性を有する場合、例えば基板2がアルミニウム基板等からなる場合には、光反射膜12を省略することもできる。この場合、基板2自体が反射面を構成することになる。
A
この有機EL装置200においては、発光層5から基板2側に出射された光は、陽極8、平坦化絶縁膜4を透過した後、反射膜12に到達し、この反射膜12で反射されて陰極9側から取り出される。陽極8と平坦化絶縁膜4の屈折率比nB/nAは90%であるので、これらの界面では、約80%の光を平坦化絶縁膜4側に取り出すことができる。また、基板2の表面には凹凸部2Aが形成されているので、平坦化絶縁膜4の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子3によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で平坦化絶縁膜4に入射したとしても、基板2に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
In this
上記の構成を採用した場合の発光光率は13cd/Aであり、高屈折率微粒子3を混入しない従来の構成(発光光率:8cd/A)に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
なお、本実施形態では、nB<nAであったが、より取り出し効率を上げるには、nB≧nAであることが好ましい。
The light emission rate when the above configuration is adopted is 13 cd / A, and a higher light emission rate can be obtained compared to the conventional configuration (light emission rate: 8 cd / A) in which the high refractive index
In the present embodiment, n B <n A , but it is preferable that n B ≧ n A in order to further increase the extraction efficiency.
[第3の実施の形態]
図3は、本発明の第3実施形態の有機EL装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機EL装置300は、発光層5から発光した光(表示光)を基板2とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機EL装置である。この有機EL装置300において、第1実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Third Embodiment]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL device according to a third embodiment of the present invention.
The
有機EL装置300は、基板2の上面に、有機EL素子10を配設してなる構成を備えている。有機EL素子10は、基板2の一方面(図1の上面)側に、第1電極8と、正孔輸送層6と、発光層5と、電子輸送層7と、第2電極9とを順に積層した構成となっている。本実施形態においては、第1電極8を陽極、第2電極9を陰極とするが、これらを逆にすることもできる。この場合、基板2側から、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極を順に積層する構造となる。なお、正孔輸送層6、発光層5および電子輸送層7は、有機機能材料からなる有機機能層11を形成している。
The
本実施形態の場合、表示光を陰極9側から取り出す構造であるので、陰極9には、ITO等の透光性導電膜が用いられる。一方、陽極8には、良好な光反射性を具備した導電膜、例えばAl等の高反射率の金属膜を好適に用いることができる。この場合、陽極8は、発光層5で生じた光を陰極9側へ反射する機能を有するものとなる。なお、Alの他にも、Au(金)、Ag(銀)、Cr(クロム)、Cu(銅)、Ni(ニッケル)、Ca、Mg(マグネシウム)、Sr、Yb(イッテルビウム)、Er(エルビウム)、Tb(テルビウム)、Sm(サマリウム)等の金属材料、およびこれらから選択される金属材料の薄膜を複数積層した構造とすることもできる。
In the present embodiment, since the display light is extracted from the
基板2としては、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる
発光層5、正孔輸送層6、電子輸送層7については、第1実施形態と同様である。
As the
陰極9の表面には、接着層40を介して基板13が接着されている。接着層40は表示領域全体にベタで形成されており、この接着層40及び基板13によって有機EL素子10が封止されている。
A
基板13において陰極9が配置された側の面には、凹凸部13Aが設けられている。凹凸部13Aは、接着層40と基板13との界面での全反射を防止すべく設けられたものである。このように凹凸部13Aが存在すると、基板13と接着層40との界面での全反射条件が緩和されるため、接着層40内に入射された光は、略全て基板13側から取り出されるようになる。接着層40は、凹凸部13Aを埋めて基板13の表面を平坦化しており、本発明の平坦化絶縁膜として機能する。
An
接着層40には、少なくとも陰極9との界面の部分に、母材となる絶縁材料40Aよりも大きな屈折率を有する微粒子30が含まれており、この微粒子30が含まれた前記界面部分の接着層40の平均の屈折率nBが、基板13の屈折率nCよりも大きくなるように調整されている。本実施形態の場合、接着層40は、アクリル樹脂40A中にZrO2の微粒子30を5wt%程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂40Aと微粒子30とを含めた平均の屈折率nBは1.8に調整されている。陰極9としては、屈折率nAが2.0のITO膜を用いており、陰極9と接着層40との屈折率比nB/nAは0.9となっている。
The
なお、母材となる絶縁材料40Aには、エポキシ樹脂など、アクリル樹脂以外の樹脂材料を用いることもできる。また、良好な平坦性が得られる場合には、SiO2やSiN等の無機絶縁材料を用いることも可能である。また、微粒子30としては、TiO2等の他の高屈折率材料を用いることができる。屈折率比nB/nAは、絶縁材料40Aの含有させる微粒子30の量によって調節することができる。
Note that a resin material other than an acrylic resin, such as an epoxy resin, can also be used for the insulating
この有機EL装置300においては、発光層5から出射した光は、陰極9から直接的に、又は陽極8で反射されて間接的に、基板13側から取り出される。陰極9と接着層40との屈折率比nB/nAは90%であるので、これらの界面では約80%の光を接着層40側に取り出すことができる。また、基板13の表面には凹凸部13Aが形成されているので、接着層40の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子30によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で接着層40に入射したとしても、基板13に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
In this
上記の構成を採用した場合の発光光率は14.5cd/Aであり、高屈折率微粒子30を混入しない従来の構成(発光光率:9cd/A)に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
The light emission rate when the above configuration is adopted is 14.5 cd / A, and a higher light emission rate is obtained compared to the conventional configuration (light emission rate: 9 cd / A) in which the high refractive index
[有機EL装置の製造方法]
次に、有機EL装置300の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板等の透光性の基板13を用意し、フッ酸処理等により、基板13の表面に高さ0.01μm〜0.5μmのランダムな凹凸を多数形成する。凹凸は、フッ酸処理以外の処理により形成することもできる。これらの凹凸によって、基板13の表面に凹凸部13Aが形成される。
[Method for Manufacturing Organic EL Device]
Next, a method for manufacturing the
First, a
次に、アクリル樹脂40Aを主体とする絶縁材料を基板2の表面に塗布し、有機EL素子10が形成された基板2と接着する。有機EL素子10は、第1実施形態と同様の手順によって形成することができる。ただし、陰極9は、光透過性を有していなければならないので、ITO等の透光性導電材料によって形成される。
Next, an insulating material mainly composed of
接着層40は、少なくとも有機EL素子10が配置される表示領域の全面に塗布されるようにする。アクリル樹脂40Aには、予め高屈折率材料であるZrO2の微粒子30を5wt%程度混入し、接着層40の平均の屈折率nBが基板13の屈折率nCよりも大きくなるように調整しておく。この際、陰極9との屈折率比nB/nAが0.8以上、より好ましくは、1以上となるように調整することが望ましい。屈折率比nB/nAは、微粒子30の混入量によって調整することができる。なお、微粒子30としては、TiO2等の他の高屈折率材料を用いることも可能である。
The
接着層40は、流動性が高いため、基板13の凹凸部13Aを埋めるように凹凸内に隙間なく配置される。また、接着の過程で、陰極9の表面全体に広がり、陰極9側の面が平坦化される。接着層40及び基板12が陰極9上に配置されたら、接着層40を熱硬化或いは紫外線硬化等により硬化する。
以上により、有機EL素子10が基板13によって封止され、有機EL装置300が完成する。
Since the
As described above, the
[第4の実施の形態]
図4は、本発明の第4実施形態の有機EL装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機EL装置400は、発光層5から発光した光(表示光)を基板2とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機EL装置である。この有機EL装置500の基本的な構成は第3実施形態の有機EL装置300と同じである。異なるのは、基板13と接着層40との間にカラーフィルタ層14を設けた点のみである。このため、第3実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Fourth Embodiment]
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL device according to a fourth embodiment of the present invention.
The
本実施形態の場合、基板13と陰極9との間には、カラーフィルタ層14と接着層40とが介在されており、これらが一体となって本発明の平坦化絶縁膜を構成する。図4では、基板13の凹凸部13Aがカラーフィルタ層14のみによって平坦化されているが、凹凸部13Aは、カラーフィルタ層14と接着層40の双方で平坦化されるようにしてもよい。
接着層40は表示領域全体にベタで形成されており、この接着層40と、カラーフィルタ層14を含む基板13とによって有機EL素子10が封止されている。
In the case of the present embodiment, the
The
接着層40には、少なくとも陰極9との界面の部分に、母材となる絶縁材料40Aよりも大きな屈折率を有する微粒子30が含まれており、この微粒子30を含む平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、基板13の屈折率(屈折率nC:1.54)よりも大きくなるように調整されている。本実施形態の場合、接着層40は、アクリル樹脂40A中にZrO2の微粒子30を7wt%程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂40Aと微粒子30とを含めた平均の屈折率nBは1.85に調整されている。陰極9としては、屈折率nAが2.0のITO膜を用いており、陰極9と接着層40との屈折率比nB/nAは0.92となっている。また、カラーフィルタ層14の平均の屈折率nDは1.81であり、接着層40との屈折率比nD/nBは97%となっている。なお、絶縁材料40Aと微粒子30の材料は適宜変更することができる。
The
なお、カラーフィルタ層14は、母材となるアクリル樹脂等の絶縁材料中に着色材料である顔料分子等が分散された構造を有しており、基本的な構造は接着層40と同じである。このため、カラーフィルタ層14の着色材料と接着層40の微粒子30の材料とを共通化し、且つカラーフィルタ層14の絶縁材料と接着層40の絶縁材料40Aとを共通化することで、これらを一体的に形成することができる。この場合、カラーフィルタ層は、着色機能と接着機能とをそれぞれ機能負担した複数の層によって形成されることになる。
The
この有機EL装置400においては、発光層5から出射した光は、陰極9から直接的に、又は陽極8で反射されて間接的に、基板13側から取り出される。陰極9と接着層40との屈折率比nB/nAは92%であるので、これらの界面では約85%の光を接着層40側に取り出すことができる。また、接着層40とカラーフィルタ層14との屈折率比nD/nBは97%であるので、これらの界面では90%以上の光をカラーフィルタ層14側に取り出すことができる。また、基板13の表面には凹凸部13Aが形成されているので、カラーフィルタ層14の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子30によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で接着層40に入射したとしても、カラーフィルタ層14に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
In the
上記の構成を採用した場合の発光光率は8.1cd/Aであり、高屈折率微粒子30を混入しない従来の構成(発光光率:5cd/A)に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
なお、本実施形態では、nD<nB<nAであったが、より取り出し効率を上げるには、nD≧nB≧nAであることが好ましい。
When the above configuration is adopted, the light emission rate is 8.1 cd / A, which is higher than the conventional configuration (light emission rate: 5 cd / A) in which the high refractive index
In this embodiment, n D <n B <n A , but it is preferable that n D ≧ n B ≧ n A in order to further increase the extraction efficiency.
[第5の実施の形態]
図5は、本発明の第5実施形態の有機EL装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機EL装置500は、発光層5から発光した光(表示光)を基板2とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機EL装置である。この有機EL装置500の基本的な構成は第4実施形態の有機EL装置400と同じである。異なるのは、カラーフィルタ層14と接着層40との間にオーバーコート層15を設けた点のみである。このため、第4実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Fifth Embodiment]
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL device according to a fifth embodiment of the present invention.
The
本実施形態の場合、基板13と陰極9との間には、カラーフィルタ層14とオーバーコート層15と接着層40とが介在されており、これらが一体となって本発明の平坦化絶縁膜を構成する。図5では、基板13の凹凸部13Aがカラーフィルタ層14のみによって平坦化されているが、凹凸部13Aは、カラーフィルタ層14とオーバーコート層15の2層、或いはカラーフィルタ層14から接着層40までの3層で平坦化されるようにしてもよい。
接着層40は表示領域全体にベタで形成されており、この接着層40と、オーバーコート層15及びカラーフィルタ層14を含む基板13とによって有機EL素子10が封止されている。
In the case of this embodiment, the
The
接着層40には、少なくとも陰極9との界面の部分に、母材となる絶縁材料40Aよりも大きな屈折率を有する微粒子30が含まれており、この微粒子30を含む平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、基板13の屈折率(屈折率nC:1.54)よりも大きくなるように調整されている。本実施形態の場合、接着層40は、アクリル樹脂40A中にZrO2の微粒子30を7wt%程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂40Aと微粒子30とを含めた平均の屈折率nBは1.85に調整されている。陰極9としては、屈折率nAが2.0のITO膜を用いており、陰極9と接着層40との屈折率比nB/nAは0.92となっている。オーバーコート層15の屈折率nEは接着層40の屈折率nBと同じであり、屈折率比nE/nBは1となっている。また、カラーフィルタ層14の平均の屈折率nDは1.81であり、オーバーコート層15との屈折率比nD/nEは97%となっている。なお、絶縁材料40Aと微粒子30の材料は適宜変更することができる。
The
なお、カラーフィルタ層14は、母材となるアクリル樹脂等の絶縁材料中に着色材料である顔料分子等が分散された構造を有しており、基本的な構造は接着層40と同じである。このため、カラーフィルタ層14の着色材料と接着層40の微粒子30の材料とを共通化し、且つカラーフィルタ層14の絶縁材料と接着層40の絶縁材料40Aとを共通化することで、これらを一体的に形成することができる。また、オーバーコート層15をカラーフィルタ層14と同じ母材材料で形成すれば、カラーフィルタ層14から接着層40までの3層を一体的に形成することも可能である。これらの場合、カラーフィルタ層は、着色機能、オーバーコートとしての機能、及び接着機能をそれぞれ機能負担した複数の層によって形成されることになる。
The
この有機EL装置500においては、発光層5から出射した光は、陰極9から直接的に、又は陽極8で反射されて間接的に、基板13側から取り出される。陰極9と接着層40との屈折率比nB/nAは92%であるので、これらの界面では約85%の光を接着層40側に取り出すことができる。また、接着層40とオーバーコート層15の屈折率は同じいであり、カラーフィルタ層14との屈折率比nD/nEは97%であるので、これらの界面では90%以上の光をカラーフィルタ層14側に取り出すことができる。また、基板13の表面には凹凸部13Aが形成されているので、カラーフィルタ層14の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子30によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で接着層40に入射したとしても、カラーフィルタ層14に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
In the
上記の構成を採用した場合の発光光率は8.1cd/Aであり、高屈折率微粒子30を混入しない従来の構成(発光光率:5cd/A)に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
なお、本実施形態では、nD<nE=nB<nAであったが、より取り出し効率を上げるには、nD≧nE≧nB≧nAであることが好ましい。
When the above configuration is adopted, the light emission rate is 8.1 cd / A, which is higher than the conventional configuration (light emission rate: 5 cd / A) in which the high refractive index
In this embodiment, n D <n E = n B <n A , but it is preferable that n D ≧ n E ≧ n B ≧ n A in order to further increase the extraction efficiency.
[電子機器]
上記実施の形態の有機EL装置を備えた電子機器の例について説明する。
図6は、携帯電話の一例を示した斜視図である。同図に示す携帯電話機1300は、複数の操作ボタン1302と、受話口1303と、送話口1304と、先の実施形態の有機EL装置からなる表示部1301とを備えている。この携帯電話機1300によれば、上記実施の形態の有機EL装置を備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の有機EL表示部を備えた電子機器を実現することができる。
なお、本発明における有機EL装置を備えた電子機器としては、上記のものに限らず、他に例えば、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯用テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、PDA、携帯用ゲーム機、ページャ、電子手帳、電卓、時計、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器などを挙げることができる。また、本発明における有機EL装置を備えた電子機器として、車載用オーディオ機器や自動車用計器、カーナビゲーション装置等の車載用ディスプレイを挙げることもできる。さらに、前記有機EL装置は、ラインプリンタの露光手段等、表示装置以外の電子機器にも広く適用可能である。
[Electronics]
Examples of electronic devices provided with the organic EL device of the above embodiment will be described.
FIG. 6 is a perspective view showing an example of a mobile phone. A
The electronic apparatus provided with the organic EL device according to the present invention is not limited to the above-mentioned ones. For example, digital cameras, personal computers, televisions, portable televisions, viewfinder type / monitor direct view type video tape recorders. PDAs, portable game machines, pagers, electronic notebooks, calculators, clocks, word processors, workstations, videophones, POS terminals, devices with touch panels, and the like. In addition, examples of the electronic device including the organic EL device according to the present invention include a vehicle-mounted display such as a vehicle-mounted audio device, a vehicle instrument, and a car navigation device. Furthermore, the organic EL device can be widely applied to electronic devices other than display devices such as exposure means of line printers.
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。また、上記の実施形態の構成は一例であり、これらの構成を必要に応じて組み合わせることも可能である。例えば、第2実施形態の構成と、第3実施形態〜第5実施形態の構成とを組み合わせることで、陽極8と陰極9の双方からの光取り出し効率が向上し、より明るい表示を実現可能となる。また、上記実施形態では、発光層に有機発光材料を用いた有機EL装置を例に挙げて説明したが、発光層を無機材料を用いた無機EL装置に本発明を適用することも可能である。
The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but it goes without saying that the present invention is not limited to such examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention. In addition, the configuration of the above-described embodiment is an example, and these configurations can be combined as necessary. For example, by combining the configuration of the second embodiment and the configurations of the third to fifth embodiments, the light extraction efficiency from both the
2…基板、2A…凹凸部、3…微粒子、4…平坦化絶縁膜、4A…絶縁材料、5…発光層、8…陽極(第1電極)、9…陰極(第2電極)、12…反射膜、13…基板、13A…凹凸部、14…カラーフィルタ層、30…微粒子、40…接着層、40A…絶縁材料、1300…携帯電話機(電子機器)
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板と、
前記基板において前記一方の電極が配置された側の面に設けられた凹凸部と、
前記一方の電極と前記基板との間に介在し、前記凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜とを備え、
前記平坦化絶縁膜には、母材となる絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子が含まれており、前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きくなるように調整されていることを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置。 A pair of electrodes for holding the light emitting layer;
A substrate on which one of the pair of electrodes is disposed;
An uneven portion provided on the surface of the substrate on which the one electrode is disposed;
A planarization insulating film that is interposed between the one electrode and the substrate and planarizes the uneven portion;
The planarization insulating film includes fine particles having a refractive index larger than that of the insulating material as a base material, and an average refractive index of the planarization insulating film containing the fine particles is larger than a refractive index of the substrate. The electroluminescence device is adjusted so as to be large.
前記基板上に凹凸部を形成する工程と、
前記凹凸部の表面に、該凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜を形成する工程と、
前記平坦化絶縁膜の表面に前記一方の電極を配置する工程とを備え、
前記平坦化絶縁膜の形成工程は、母材となる絶縁材料に該絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子を含有させ、前記母材及び前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整する工程を含むことを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 A method of manufacturing an electroluminescence device comprising a pair of electrodes for holding a light emitting layer and a substrate on which one of the pair of electrodes is disposed,
Forming an uneven portion on the substrate;
Forming a planarization insulating film on the surface of the concavo-convex portion to flatten the concavo-convex portion;
Arranging the one electrode on the surface of the planarization insulating film,
In the step of forming the planarization insulating film, the insulating material serving as a base material contains fine particles having a refractive index larger than that of the insulating material, and the average refractive index of the flattening insulating film containing the base material and the fine particles is included. Includes a step of adjusting the refractive index to be larger than the refractive index of the substrate.
An electronic apparatus comprising the electroluminescence device according to any one of claims 1 to 10 or the electroluminescence device produced by the production method according to any one of claims 11 to 13. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005115509A JP2006294491A (en) | 2005-04-13 | 2005-04-13 | ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ELECTROLUMINESCENT DEVICE MANUFACTURING METHOD, ELECTRONIC DEVICE |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006294491A true JP2006294491A (en) | 2006-10-26 |
Family
ID=37414818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005115509A Withdrawn JP2006294491A (en) | 2005-04-13 | 2005-04-13 | ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ELECTROLUMINESCENT DEVICE MANUFACTURING METHOD, ELECTRONIC DEVICE |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2006294491A (en) |
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