CN117987771B - 一种高精密掩膜板及其制备方法 - Google Patents

一种高精密掩膜板及其制备方法

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Abstract

本发明涉及掩膜板制备技术领域，公开了一种高精密掩膜板及其制备方法，其包括步骤：在载板上制备分离层；采用真空镀膜的方式在分离层上制备掩膜片箔膜；在掩膜片箔膜上制备第二光阻膜层并在第二光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜；对掩膜片箔膜进行刻蚀处理进行刻蚀处理，将得到的刻蚀掩膜片预固定在掩膜框上；将刻蚀掩膜片与载板进行分离；将分离后的刻蚀掩膜片通过激光焊接的方式二次固定在掩膜框上，制得所述高精密掩膜板。本发明方法能够实现在较薄且具有较佳强度的掩膜片箔膜上进行精密刻蚀，从而制得高精密掩膜板，且本发明刻蚀掩膜片与掩膜框以组件形式绑定，这样制得的掩膜板在分离和搬送时不易起皱或破裂。

Description

一种高精密掩膜板及其制备方法
技术领域
本发明涉及掩膜板制备技术领域，特别涉及一种高精密掩膜板及其制备方法。
背景技术
OLED显示屏相较于LCD显示屏具有较多优势，例如色彩再现好、响应时间短、低温特性好，且厚度可以做到更薄、重量更轻、柔性更好；目前手机、手表等显示器已普遍使用了OLED显示屏。
OLED显示屏制造用蒸镀机中设置有发光层蒸镀室，所述发光层蒸镀室内设置有蒸镀时遮蔽其它像素的精密掩膜板(FMM)，通过发光层蒸镀室内的精密掩膜板可实现将RGB发光层有机材料分别蒸镀到基板的RGB像素点上。现有量产所用的精密掩膜板厚度一般在30-50μm，其通常用湿法刻蚀出蒸镀时材料蒸气穿过的孔洞，由于湿法刻蚀的各向同性，较厚的箔材难以把孔洞做到更小从而得到更高的分辨率；另一方面，由于一些有机材料蒸气蒸镀至基板时有一定的蒸发入射角，为使基板像素内均匀填充有机膜，往往需要将膜片制作得很薄，且像素分辨率越高，需要的掩膜板越薄，而掩膜片越薄，其强度也就越弱，强度弱的掩膜片容易起皱或破裂，从而给绑定、搬送和镀膜带来较严重的问题。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种高精密掩膜板及其制备方法，旨在解决现有掩膜板的制备方法难以制得厚度较薄且具有高精密度掩膜板的问题。
本发明的技术方案如下：
一种高精密掩膜板的制备方法，其中，包括步骤：
在载板上制备分离层，所述分离层为热解胶层、牺牲层、第一光阻膜层和像素限制膜层中的一种，或者所述分离层为由牺牲层和像素限制膜层依次叠合的组合层；
采用真空镀膜的方式在所述分离层上制备掩膜片箔膜；
在所述掩膜片箔膜上制备第二光阻膜层并在所述第二光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜；
基于所述光阻图案膜对所述掩膜片箔膜进行刻蚀处理或对所述掩膜片薄膜和分离层均进行刻蚀处理，得到刻蚀掩膜片；
通过粘结剂或激光焊接的方式将所述刻蚀掩膜片预固定在掩膜框上；
通过加热或激光扫描的方式将刻蚀掩膜片与载板进行分离；
将分离后的刻蚀掩膜片通过激光焊接的方式二次固定在掩膜框上，制得所述高精密掩膜板。
所述高精密掩膜板的制备方法，其中，当所述载板为透明载板且所述分离层为牺牲层时，则在形成光阻图案膜后包括以下步骤：
基于所述光阻图案膜对所述掩膜片箔膜进行非穿透刻蚀处理，得到部分刻蚀掩膜片；
通过激光焊接的方式将所述部分刻蚀掩膜片固定在掩膜框上；
通过激光扫描的方式将牺牲层去除，使得所述部分刻蚀掩膜片与所述透明载板分离；
对所述部分刻蚀掩膜片中未刻蚀的一面对准刻蚀位置进行激光打孔，在部分刻蚀掩膜片上形成像素限制孔，所述激光打孔的孔径小于所述刻蚀形成的孔径，从而制得所述高精密掩膜板。
所述高精密掩膜板的制备方法，其中，当所述载板为透明载板且所述分离层为像素限制膜层时，则在形成光阻图案膜后包括以下步骤：
基于所述光阻图案膜对所述掩膜片箔膜进行穿透刻蚀处理，得到刻蚀掩膜片；
通过激光焊接的方式将所述刻蚀掩膜片固定在掩膜框上；
透过透明载板对所述像素限制膜层进行激光打孔，激光打孔的位置与所述刻蚀掩膜片上的刻蚀位置相对应，且所述激光打孔的孔径小于刻蚀掩膜片上刻蚀形成的孔径；
透过透明载板对像素限制膜层进行激光扫描去除部分像素限制膜层，使得透明载板与剩余像素限制膜层以及刻蚀掩膜片分离，从而制得所述高精密掩膜板。
所述高精密掩膜板的制备方法，其中，当所述载板为透明载板且所述分离层为由牺牲层和像素限制膜层依次叠合的组合层时，则在形成光阻图案膜后包括以下步骤：
基于所述光阻图案膜对所述掩膜片箔膜进行穿透刻蚀处理，得到刻蚀掩膜片；
通过激光焊接的方式将所述刻蚀掩膜片固定在掩膜框上；
通过激光扫描的方式将牺牲层去除，使得所述刻蚀掩膜片以及像素限制膜层与所述透明载板分离；
直接对所述像素限制膜层进行激光打孔，激光打孔的位置与所述刻蚀掩膜片上的刻蚀位置相对应，且所述激光打孔的孔径小于刻蚀掩膜片上刻蚀形成的孔径，从而制得所述高精密掩膜板。
所述高精密掩膜板的制备方法，其中，当所述载板为非透明载板且所述分离层为第一光阻膜层时，则在形成光阻图案膜后包括以下步骤：
基于所述光阻图案膜对所述掩膜片箔膜进行穿透刻蚀处理，并对光阻图案膜进行去除，得到刻蚀掩膜片；
将所述刻蚀掩膜片放置在掩膜框上，并从侧边对刻蚀掩膜片进行激光焊接处理，使刻蚀掩膜片预固定在掩膜框上；
采用湿法刻蚀的方式对所述第一光阻膜层进行去除，使得刻蚀掩膜片与所述非透明载板分离；
将分离后的刻蚀掩膜片通过激光焊接的方式二次固定在掩膜框上，制得所述高精密掩膜板。
所述高精密掩膜板的制备方法，其中，当所述载板为非透明载板且所述分离层为第一光阻膜层时，则在形成光阻图案膜后还包括以下步骤：
基于所述光阻图案膜对所述掩膜片箔膜进行穿透刻蚀处理，并对光阻图案膜进行去除，得到刻蚀掩膜片；
对所述光阻图案膜的边缘部位进行刻蚀处理，漏出刻蚀掩膜片的边缘部分；
将所述刻蚀掩膜片的边缘部位放置在掩膜框上，并从侧边对刻蚀掩膜片进行激光焊接处理，使刻蚀掩膜片的边缘部位预固定在掩膜框上；
采用湿法刻蚀的方式对剩余的光阻图案膜以及所述第一光阻膜层进行去除，使得刻蚀掩膜片与所述非透明载板分离；
将分离后的刻蚀掩膜片通过激光焊接的方式二次固定在掩膜框上，制得所述高精密掩膜板。
所述高精密掩膜板的制备方法，其中，所述掩膜片箔膜的厚度为0.3μm-30μm。
所述高精密掩膜板的制备方法，其中，所述掩膜片箔膜的材料为镍铁合金、镍铁钴合金、陶瓷、玻璃、金刚石和类金刚石中的一种；所述载板的材料为玻璃、金属、陶瓷或塑料。
所述高精密掩膜板的制备方法，其中，所述真空镀膜的方式包括PVD法、CVD法和离子镀法。
一种高精密掩膜板，其中，采用本发明任一所述高精密掩膜板的制备方法制得。
有益效果：本发明在载板上制作分离层后采用真空镀膜的方式在分离层上继续制备掩膜片箔膜，真空镀膜的方式可使得所述掩膜片箔膜的材质、形状、强度和厚度都得到控制，能够实现在较薄且具有较佳强度的掩膜片箔膜上进行精密刻蚀，从而制得高精密掩膜板；而后将具有较佳强度的刻蚀掩膜片与掩膜框以组件形式绑定，这样制得的掩膜板在分离和搬送时不易起皱或破裂，极大地提升了高精密掩膜板的生产良率。
附图说明
图1为本发明提供的一种高精密掩膜板的制备方法流程图。
图2为本发明实施例1中高精密掩膜板的制作示意图。
图3为本发明实施例2中高精密掩膜板的制作示意图。
图4为本发明实施例3中高精密掩膜板的制作示意图。
图5为本发明实施例4中高精密掩膜板的制作示意图。
图6为本发明实施例5中高精密掩膜板的制作示意图。
图7为本发明实施例6中高精密掩膜板的制作示意图。
图8为本发明实施例7中高精密掩膜板的制作示意图。
图9为本发明实施例8中高精密掩膜板的制作示意图。
图10为本发明实施例9中高精密掩膜板的制作示意图。
图11为本发明实施例10中高精密掩膜板的制作示意图。
图12为本发明实施例11中高精密掩膜板的制作示意图。
具体实施方式
本发明提供一种高精密掩膜板及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，图1为本发明提供的一种高精密掩膜板的制备方法流程图，如图所示，其包括步骤：
S10、在载板上制备分离层，所述分离层为热解胶层、牺牲层、第一光阻膜层和像素限制膜层中的一种，或者所述分离层为由牺牲层和像素限制膜层依次叠合的组合层；
S20、采用真空镀膜的方式在所述分离层上制备掩膜片箔膜；
S30、在所述掩膜片箔膜上制备第二光阻膜层并在所述第二光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜；
S40、基于所述光阻图案膜对所述掩膜片箔膜进行刻蚀处理或对所述掩膜片薄膜和分离层均进行刻蚀处理，得到刻蚀掩膜片；
S50、通过粘结剂或激光焊接的方式将所述刻蚀掩膜片预固定在掩膜框上；
S60、通过加热或激光扫描的方式将刻蚀掩膜片与载板进行分离；
S70、将分离后的刻蚀掩膜片通过激光焊接的方式二次固定在掩膜框上，制得所述高精密掩膜板。
具体来讲，通常可以采用旋转涂、狭缝涂、喷涂、刷涂、浸涂等涂布或真空镀膜的方式在载板上制备分离层，所述分离层的类型可根据其功能和材料的不同划分为热解胶层、牺牲层、第一光阻膜层和像素限制膜层，其中热解胶层的材料主要包括聚丙烯、聚乙烯以及一些添加剂，可通过加热或紫外线照射等方式使其固化形成热解胶层；牺牲层和像素限制膜层的材料可以为聚合物、金属或无机材料，其中聚合物可以为聚酰亚胺，金属可以为钼、铝、铜、银、金等，无机材料可以为二氧化硅或氮化硅等；所述第一光阻膜层的材料通常为光敏有机聚合物。
本发明采用真空镀膜的方式在分离层上制备掩膜片箔膜，其中，所述掩膜片箔膜的材料可以镍铁合金、镍铁钴合金、陶瓷、玻璃、金刚石和类金刚石中的一种，但不限于此。本发明中，所述真空镀膜的方式包括PVD法、CVD法和离子镀法。其中，PVD法是一种物理沉积方法，通过将材料源气化成原子或分子，然后在真空中或特定气氛中重新凝结成薄膜，PVD法的优点在于可以制备高纯度、高附着力、低孔隙率的薄膜，而且具有较高的沉积速率。CVD法是一种化学气相沉积方法，通过将含有薄膜成分的气体引入反应室，在基体表面发生化学反应形成薄膜，CVD法的优点在于可以制备结构致密、附着力强、成分均匀的薄膜，而且可以采用低温制备，此外，CVD法可以通过调节反应气体和反应条件来控制薄膜的成分和性质。离子镀法是一种物理-化学气相沉积方法，通过将气体引入反应室，在电场的作用下电离成离子，然后在电场的作用下加速飞向基体表面并沉积成薄膜，离子镀法的优点在于可以制备结构致密、附着力强、成分均匀的薄膜，而且可以采用低温制备，此外，离子镀法可以通过调节电场和反应条件来控制薄膜的成分和性质。本发明可根据材料和条件的不同采用上述三种真空镀膜方式的任意一种进行掩膜片箔膜的制作，真空镀膜的方式可使得所述掩膜片箔膜的材质、形状、强度和厚度都得到控制，能够实现在较薄且具有较佳强度的掩膜片箔膜上进行精密刻蚀，从而制得高精密掩膜板；而后将具有较佳强度的刻蚀掩膜片与掩膜框以组件形式绑定，这样制得的掩膜板在分离和搬送时不易起皱或破裂，极大地提升了高精密掩膜板的生产良率。在本发明中，制得的掩膜片箔膜的厚度可以为0.3μm-30μm。
在本发明中，所述载板可以为透明载板或非透明载板，其中，透明载板的材料可以为透明玻璃、蓝宝石晶圆等，非透明载板可以为硅晶圆、锗晶圆、金属、陶瓷或塑料等，但不限于此。
在一些实施方式中，还提供一种高精密掩膜板，其采用本发明上述高精密掩膜板的制备方法制得。
下面通过具体实施例对本发明一种高精密掩膜板的制备方法作进一步的解释说明：
实施例1
一种高精密掩膜板的制备方法，如图2所示，其包括以下步骤：
1、首先对非透明载板10进行清洁，以去除表面的污垢、油脂和其他杂质，接着采用喷涂的方式在非透明载板上涂布热解胶溶液，通过加热或紫外线照射的方式使其固化形成热解胶层20；
2、采用真空镀膜的方式在所述热解胶层20上沉积一层镍铁合金，作为掩膜片箔膜30；
3、在所述掩膜片箔膜30上制备光阻膜层40并在所述光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜41；
4、基于所述光阻图案膜41对所述掩膜片箔膜30和热解胶层20进行刻蚀处理，得到刻蚀掩膜片31，本实施例刻蚀处理可选择湿法刻蚀或干法刻蚀，其中，干法刻蚀主要是指在高真空条件下，利用等离子体进行薄膜刻蚀的方式，其主要利用物理碰撞和化学反应的共同作用来实现材料的刻蚀，优点在于各向异性刻蚀、高精度、低损伤、大面积均匀性好等；湿法刻蚀则是利用化学溶液与薄膜材料进行反应，通过腐蚀溶解作用去除不需要的薄膜材料，优点在于操作简便、成本低、对设备要求低等。
5、在掩膜框50上涂覆粘结剂51，将所述刻蚀掩膜片31的边缘部位通过所述粘结剂预51固定在所述掩膜框上，便于后续进行刻蚀掩膜片与载板的分离；
6、通过加热器60对载板进行加热处理使热解胶层软化，从而实现刻蚀掩膜片31与载板10的分离；
7、对刻蚀掩膜片与掩膜框接触的部位进行激光焊接处理，实现将所述刻蚀掩膜片二次固定在掩膜框上，从而制得所述高精密掩膜板。
本实施例制得的高精密掩膜板的厚度可以为0.3μm-30μm，其精度可以达到亚微米。
实施例2
本实施例2提供的高精密掩膜板的制备方法如图3所示，本实施例2与实施例1的制备方法基本相同，只有以下两个区别步骤：
在步骤4中，基于所述光阻图案膜41仅对所述掩膜片箔膜30进行刻蚀处理，不刻蚀热解胶层，得到刻蚀掩膜片31，本实施例刻蚀处理同样可选择湿法刻蚀或干法刻蚀。
在步骤5中，不必在掩膜框50上涂覆粘结剂，可直接将刻蚀掩膜片31的边缘部位放置在所述掩膜框上，然后从侧边位置70对刻蚀掩膜片与掩膜框的接触部位进行激光焊接处理，实现刻蚀掩膜片与掩膜框的预固定，便于后续进行刻蚀掩膜片与载板的分离；
本实施例制得的高精密掩膜板的厚度可以为0.3μm-30μm，其精度可以达到亚微米。
实施例3
本实施例3提供的高精密掩膜板的制备方法如图4所示，本实施例4与实施例1的制备方法基本相同，只有以下三个区别步骤：
在步骤1中，本实施例用的是透明载板；
在步骤5中，不必在掩膜框50上涂覆粘结剂，可直接将刻蚀掩膜片31的边缘部位放置在所述掩膜框上，然后从透明载板上方直接对刻蚀掩膜片与掩膜框的接触部位进行激光焊接处理，实现刻蚀掩膜片与掩膜框的固定，便于后续进行刻蚀掩膜片与载板的分离；
不需要进行步骤7的二次激光焊接处理。
本实施例制得的高精密掩膜板的厚度可以为0.3μm-30μm，其精度可以达到亚微米。
实施例4
本实施例4提供的高精密掩膜板的制备方法如图5所示，本实施例5与实施例1的制备方法基本相同，只有以下四个区别步骤：
在步骤1中，首先对透明载板10进行清洁，以去除表面的污垢、油脂和其他杂质，接着采用喷涂的方式在非透明载板上制备牺牲层20；
在步骤5中，不必在掩膜框50上涂覆粘结剂，可直接将刻蚀掩膜片31的边缘部位放置在所述掩膜框上，然后从透明载板上方直接对刻蚀掩膜片与掩膜框的接触部位进行激光焊接处理，实现刻蚀掩膜片与掩膜框的固定，便于后续进行刻蚀掩膜片与载板的分离；
在步骤6中，采用激光扫描的方式对牺牲层进行照射处理，使得刻蚀掩膜片31与透明载板10分离；
不需要进行步骤7的二次激光焊接处理。
本实施例制得的高精密掩膜板的厚度可以为0.3μm-30μm，其精度可以达到亚微米。
实施例5
一种高分辨率导角掩膜板的制备方法，如图6所示，其包括以下步骤：
1、首先对透明载板10进行清洁，以去除表面的污垢、油脂和其他杂质，接着采用喷涂的方式在透明载板上制备牺牲层20；
2、采用真空镀膜的方式在所述牺牲层20上沉积一层镍铁合金，作为掩膜片箔膜30；
3、在所述掩膜片箔膜30上制备光阻膜层40并在所述光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜41；
4、基于所述光阻图案膜41对所述掩膜片箔膜30和牺牲层20进行刻蚀处理，得到刻蚀掩膜片31，由于本实施例需要将掩膜片箔膜30刻蚀成具有导角的孔洞结构，基于此本实施例优选干法刻蚀的方式，通过调整干法刻蚀的功率或速度来实现将掩膜片箔膜刻蚀成具有导角孔洞结构的一次刻蚀掩膜片31；本实施例采用功率由高至低匀速降低的方式，可制得如图6所示具有导角孔洞结构的刻蚀掩膜片；
5、直接将一次刻蚀掩膜片31的边缘部位放置在所述掩膜框50上，然后从透明载板10上方直接对刻蚀掩膜片31与掩膜框50的接触部位进行激光焊接处理，实现刻蚀掩膜片与掩膜框的固定，便于后续进行刻蚀掩膜片与载板的分离；
6、采用激光扫描的方式对牺牲层20进行照射处理，使得刻蚀掩膜片31与透明载板10分离；
7、对所述刻蚀掩膜片未经刻蚀的一面进行二次刻蚀处理，在所述刻蚀掩膜片的另一面也形成导角，形成二次刻蚀掩膜片32，所述二次刻蚀处理可以为对刻蚀掩膜片整体等离子干法刻蚀，刻蚀完成后制得所述高分辨率导角掩膜板。
本实施例制得的高精密掩膜板的厚度可以为0.3μm-30μm，其精度可以达到亚微米。
实施例6
一种高精密掩膜板的制备方法，如图7所示，其包括以下步骤：
1、首先对透明载板10进行清洁，以去除表面的污垢、油脂和其他杂质，接着采用喷涂的方式在透明载板上制备牺牲层20；
2、采用真空镀膜的方式在所述牺牲层20上沉积一层镍铁合金，作为掩膜片箔膜30；
3、在所述掩膜片箔膜30上制备光阻膜层40并在所述光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜41；
4、基于所述光阻图案膜41对所述掩膜片箔膜30进行非穿透刻蚀处理，得到刻蚀掩膜片31，本实施例刻蚀处理可选择湿法刻蚀或干法刻蚀，通过控制刻蚀时间可得到如图7所示未完全穿透的刻蚀掩膜片，为便于后续对刻蚀掩膜片进行激光打孔或二次刻蚀处理，二次刻蚀工艺与第一次刻蚀工艺相同，此处不在赘述。本实施例中刻蚀掩膜片中已刻蚀的厚度大于刻蚀掩膜片总厚度的1/2，优选已刻蚀的厚度为刻蚀掩膜片总厚度的2/3-9/10。
5、直接将刻蚀掩膜片31的边缘部位放置在所述掩膜框上，然后从透明载板上方直接对刻蚀掩膜片与掩膜框的接触部位进行激光焊接处理，实现刻蚀掩膜片与掩膜框的固定，便于后续进行刻蚀掩膜片与载板的分离；
6、采用激光扫描的方式对牺牲层进行照射处理，使得刻蚀掩膜片31与透明载板10分离；
7、对所述刻蚀掩膜片中未刻蚀的一面对准刻蚀位置进行激光打孔或二次刻蚀处理，在刻蚀掩膜片上形成像素限制孔21，所述激光打孔的孔径小于所述刻蚀形成的孔径，从而制得所述高精密掩膜板。
本实施例制得的高精密掩膜板基板侧的有效厚度可以为0.3μm-15μm，其精度可以达到微米或亚微米。
实施例7
一种高精密掩膜板的制备方法，如图8所示，其包括以下步骤：
1、首先对透明载板10进行清洁，以去除表面的污垢、油脂和其他杂质，接着采用喷涂的方式在透明载板上制备像素限制膜层20；
2、采用真空镀膜的方式在所述热解胶层20上沉积一层镍铁合金，作为掩膜片箔膜30；
3、在所述掩膜片箔膜30上制备光阻膜层40并在所述光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜41；
4、基于所述光阻图案膜41对所述掩膜片箔膜30进行刻蚀处理，得到刻蚀掩膜片31，本实施例刻蚀处理可选择湿法刻蚀或干法刻蚀；
5、直接将刻蚀掩膜片31的边缘部位放置在所述掩膜框上，然后从透明载板上方直接对刻蚀掩膜片与掩膜框的接触部位进行激光焊接处理，实现刻蚀掩膜片与掩膜框的固定，便于后续进行刻蚀掩膜片与载板的分离；
6、直接透过所述透明载板10对所述像素限制膜层20对应刻蚀掩膜片准刻蚀的位置进行激光打孔或二次刻蚀处理，在像素限制膜层上形成像素限制孔21，所述激光打孔的孔径小于所述刻蚀掩膜片上刻蚀形成的孔径；
7、透过透明载板对像素限制膜层进行激光扫描去除部分像素限制膜层，使得透明载板与剩余像素限制膜层以及刻蚀掩膜片分离，从而制得所述高精密掩膜板。
本实施例制得的高精密掩膜板的厚度可以为0.3μm-15μm，其精度可以达到微米或亚微米。
实施例8
一种高精密掩膜板的制备方法，如图9所示，其包括以下步骤：
1、首先对透明载板10进行清洁，以去除表面的污垢、油脂和其他杂质，接着采用喷涂的方式在透明载板上制备牺牲层20；
2、采用喷涂的方式在所述牺牲层20制备像素限制膜层201；
2、采用真空镀膜的方式在所述像素限制膜层201上沉积一层镍铁合金，作为掩膜片箔膜30；
3、在所述掩膜片箔膜30上制备光阻膜层40并在所述光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜41；
4、基于所述光阻图案膜41对所述掩膜片箔膜30进行刻蚀处理，得到刻蚀掩膜片31，本实施例刻蚀处理可选择湿法刻蚀或干法刻蚀；
5、直接将刻蚀掩膜片31的边缘部位放置在掩膜框50上，然后从透明载板上方直接对刻蚀掩膜片与掩膜框的接触部位进行激光焊接处理，实现刻蚀掩膜片与掩膜框的固定，便于后续进行刻蚀掩膜片与载板的分离；
6、通过激光扫描的方式将牺牲层20去除，使得所述刻蚀掩膜片41以及像素限制膜层201与所述透明载板10分离；
7、直接对所述像素限制膜层201上对应刻蚀掩膜片准刻蚀的位置进行激光打孔或二次刻蚀处理，在像素限制膜层上形成像素限制孔21，所述激光打孔的孔径小于所述刻蚀掩膜片上刻蚀形成的孔径，从而制得所述高精密掩膜板。
本实施例制得的高精密掩膜板的厚度可以为0.3μm-15μm，其精度可以达到微米或亚微米。
实施例9
本实施例9提供的高精密掩膜板的制备方法如图10所示，本实施例9与实施例7的制备方法基本相同，唯一区别在于本实施例9是在透明载板与刻蚀掩膜片以及像素限制膜层分离后，直接对像素限制膜层进行打孔处理，制得所述高精密掩膜板。
本实施例制得的高精密掩膜板的厚度可以为0.3μm-15μm，其精度可以达到微米或亚微米。
实施例10
一种高精密掩膜板的制备方法，如图11所示，其包括以下步骤：
1、首先对非透明载板10进行清洁，以去除表面的污垢、油脂和其他杂质，接着采用喷涂的方式在非透明载板上制备第一光阻膜层20；
2、采用真空镀膜的方式在所述第一光阻膜层20上沉积一层镍铁合金，作为掩膜片箔膜30；
3、在所述掩膜片箔膜30上制备第二光阻膜层40并在所述第二光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜41；
4、基于所述光阻图案膜41对所述掩膜片箔膜30进行刻蚀处理，得到刻蚀掩膜片31，本实施例刻蚀处理可选择湿法刻蚀或干法刻蚀；
5、采用湿法刻蚀或干法刻蚀的方式对所述光阻图案膜41进行去除；
6、直接将刻蚀掩膜片31的边缘部位放置在所述掩膜框上，然后从侧边位置70对刻蚀掩膜片与掩膜框的接触部位进行激光焊接处理，实现刻蚀掩膜片与掩膜框的预固定，便于后续进行刻蚀掩膜片与载板的分离；
7、采用湿法刻蚀的方式对所述第一光阻膜层20进行去除处理，从而实现刻蚀掩膜片31与载板10的分离；
8、对刻蚀掩膜片与掩膜框接触的部位进行激光焊接处理，实现将所述刻蚀掩膜片二次固定在掩膜框上，从而制得所述高精密掩膜板。
本实施例制得的高精密掩膜板的厚度可以为0.3μm-30μm，其精度可以达到亚微米级。
实施例11
本实施例11提供的高精密掩膜板的制备方法如图12所示，本实施例2与实施例1的制备方法基本相同，只有以下两个区别步骤：
本实施例在对掩膜片箔膜30进行刻蚀处理后并没有对光阻图案膜41进行完全去除处理，而是仅去除光阻图案膜的边缘部位，露出刻蚀掩膜片的边缘部位；之后在完成刻蚀掩膜片与掩膜框的预固定后，直接采用湿法刻蚀将剩余的光阻图案膜以及第一光阻膜层20全部进行去除处理。
本实施例制得的高精密掩膜板的厚度可以为0.3μm-30μm，其精度可以达到亚微米级。
综上所述，本发明在载板上制作分离层后采用真空镀膜的方式在分离层上继续制备掩膜片箔膜，真空镀膜的方式可使得所述掩膜片箔膜的材质、形状、强度和厚度都得到控制，能够实现在较薄且具有较佳强度的掩膜片箔膜上进行精密刻蚀，从而制得高精密掩膜板；而后将具有较佳强度的刻蚀掩膜片与掩膜框以组件形式绑定，这样制得的掩膜板在分离和搬送时不易起皱或破裂，极大地提升了高精密掩膜板的生产良率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (3)

1.一种高精密掩膜板的制备方法，其特征在于，包括步骤：
在载板上制备分离层，所述载板为透明载板，所述分离层为由牺牲层和像素限制膜层依次叠合的组合层；
采用真空镀膜的方式在所述分离层上制备掩膜片箔膜，所述掩膜片箔膜的材料为镍铁合金、镍铁钴合金、陶瓷、玻璃、金刚石和类金刚石中的一种；所述掩膜片箔膜的厚度为0.3μm-15μm；
在所述掩膜片箔膜上制备第二光阻膜层并在所述第二光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜；
基于所述光阻图案膜对所述掩膜片箔膜进行穿透刻蚀处理，得到刻蚀掩膜片；
通过激光焊接的方式将所述刻蚀掩膜片固定在掩膜框上；
通过激光扫描的方式将牺牲层去除，使得所述刻蚀掩膜片以及像素限制膜层与所述透明载板分离；
直接对所述像素限制膜层进行激光打孔，激光打孔的位置与所述刻蚀掩膜片上的刻蚀位置相对应，且所述激光打孔的孔径小于刻蚀掩膜片上刻蚀形成的孔径，从而制得所述高精密掩膜板。
2.根据权利要求1所述高精密掩膜板的制备方法，其特征在于，所述真空镀膜的方式为PVD法、CVD法或离子镀法。
3.一种高精密掩膜板，其特征在于，采用权利要求1-2任一所述高精密掩膜板的制备方法制得。
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