TWI424784B - Organic electroluminescent device manufacturing apparatus, manufacturing method thereof, film forming apparatus and film forming method - Google Patents
Organic electroluminescent device manufacturing apparatus, manufacturing method thereof, film forming apparatus and film forming method Download PDFInfo
- Publication number
- TWI424784B TWI424784B TW098126272A TW98126272A TWI424784B TW I424784 B TWI424784 B TW I424784B TW 098126272 A TW098126272 A TW 098126272A TW 98126272 A TW98126272 A TW 98126272A TW I424784 B TWI424784 B TW I424784B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- vapor deposition
- chamber
- loading
- transfer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H10P72/0466—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the construction of the load-lock chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本發明係關於有機電激發光(Electro Luminescence以下,亦簡稱為EL)裝置製造裝置及其製造方法以及成膜裝置及成膜方法,特別是關於適於藉由蒸鍍法製造的有機電激發光裝置製造裝置及其製造方法。
作為製造有機電激發光裝置之有力方法有真空蒸鍍法。伴隨著顯示裝置的大型化,對於有機電激發光裝置也被要求其大型化,基板尺寸甚至達到1500mm×1850mm。
在一般的真空蒸鍍法,為了持續安定的蒸鍍,必須要控制使來自蒸發源的材料蒸發速度保持一定。使用電阻加熱或誘導加熱等方法加熱蒸鍍材料進行物理蒸鍍(PVC)的場合,蒸發速度的安定必須要花一定時間才能達成。因此來自蒸發源的材料蒸發並無法容易實現恰如打開關閉一個開關那樣地進行控制。
作為這樣藉由真空蒸鍍法之有機電激發光裝置的製造之先行技術例如有下列專利文獻1與2。從前,如下列專利文獻那樣係在真空蒸鍍室內放入1枚1枚處理對象之基板而進行處理。此外,在專利文獻1為了縮短處理時間,採用把基板搬入真空蒸鍍室之前進行對準(位置對準)之方法,而在專利文獻2採用使基板垂直而蒸鍍的方法。
此外,伴隨著基板的大型化,對於可以藉由簡單的機
構來進行高精度蒸鍍的基板搬送之要求也變得更高。作為一般的真空蒸鍍法之基板搬送方法,為了由下方蒸鍍有使蒸鍍面朝下而搬送之下面搬送法。在下面搬送法,下面為蒸鍍面,無法支撐同時作為蒸鍍面,有必要支撐在不作為顯示面使用之框部份而進行搬送。此外,伴隨著基板的大型化,將基板插入托盤而垂直搬送之垂直搬送法也被提出。關於基板搬送之先行技術,例如有下列之專利文獻1、3。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-259638號公報
[專利文獻2]日本專利特開2007-177319號公報
[專利文獻3]日本專利特開2006-147488號公報
然而,如前所述為了使材料蒸發速度保持一定必須要使其維持蒸發。亦即,前述步驟之中不需要蒸鍍的基板搬出搬入、定位步驟等階段也必須要使其蒸發,其間由蒸發源蒸發的材料對於蒸鍍步驟沒有貢獻,直接成為材料損失。在前述專利文獻1,雖然縮短對準時間,以謀求生產性的提高,也因此減低了材料損失,但是基板的搬出搬入很耗時間,並不是根本的解決對策。
特別是有機電激發光材料很昂貴所以製品價格很高,對於有機電激發光裝置的普及造成很大的影響。此外,損失材料變多所以材料的交換頻率也變高,因而有裝置的工作時間減低之課題。
此外,蒸鍍步驟與其他步驟之處理時間幾乎相等,而有生產性不佳的課題。
另一方面在下面搬送法,因為是僅保持框部份之搬送,所以伴隨著基板大型化之撓曲也變大。撓曲變大的話僅有框部份之保持力,所以必須要有特別的保持機構。此外,保持力不足的話,落下的危險性也很高。進而,撓曲的問題不僅影響搬送,在下面蒸鍍時也會影響到遮蔽遮罩的撓曲,兩者影響的結果會造成無法進行高精度蒸鍍之課題。此外,垂直搬送雖然可以解消撓曲的問題,但是必須要有搬送用托盤,該托盤亦為大型物,會有托盤導致搬送時放出粉塵或必須要有托盤的回收/洗淨機構等課題。
因而,本發明之第一目的,在於提供材料的損失很少、經濟性佳之有機電激發光裝置製造裝置或其製造方法或成膜裝置或成膜方法。
此外,本發明之第二目的,在於提供生產性高之有機電激發光裝置製造裝置或其製造方法或成膜裝置或成膜方法。
進而,本發明之第三目的,在於提供運轉率高之有機電激發光裝置製造裝置或其製造方法或成膜裝置或成膜方法。
此外,本發明之第四目的,在於提供機構簡單可以上面搬送之有機電激發光裝置製造裝置或其製造方法或成膜裝置或成膜方法。
此外,本發明之第五目的,在於提供於上面搬送也可以高精度地蒸鍍之有機電激發光裝置製造裝置或其製造方法或成膜裝置或成膜方法。
為了達成前述目的,以於前述真空室內收容N(N為2以上)枚基板,而在使第1枚之第1基板以前述蒸發源蒸鍍時,把第N枚之第N基板搬入前述真空室內,以前述蒸發源蒸鍍第2枚之第2基板時把前述第1基板由前述真空室內搬出為第1特徵。
此外,為了達成前述目的,以在蒸鍍第1之前述基板時,結束第2之前述基板之前述位置對準,以與前述蒸鍍時相同的蒸發源蒸鍍前述第2之基板時把前述第1基板由前述真空室內搬出為第2特徵。
進而,為了達成前述目的,以將基板由搬入加載互鎖(load-lock)室搬入,透過至少1台真空室,往搬出加載互鎖室搬送,而於前述真空室將蒸鍍材料蒸鍍於前述基板時,使前述基板之蒸鍍面為上面而搬送,至少在使前述基板移動的場合保持前述基板之搬送面不滑動為第3特徵。
此外,為了達成前述目的,除了第1及第2特徵以外,還有使前述蒸發源移動至分別對個別基板而設的蒸鍍位置為第4特徵。
進而,為了達成前述目的,除了第1及第2特徵以外,還有使前述位置對準所必要的遮蔽遮罩與前述基板成為一體而移動至前述蒸發源位置為第5特徵。
此外,為了達成前述目的,除了第1及第2特徵以外,還有使前述基板移動到前述蒸鍍的位置,之後實施前述位置對準為第6特徵。
進而,為了達成前述目的,除了第1至第3特徵以外,還有使前述基板在垂直立起的狀態實施前述蒸鍍,使以水平狀態搬送的前述基板成為垂直為第7特徵。
根據本發明,可以提供材料的損失很少、經濟性佳之有機電激發光裝置製造裝置或其製造方法或成膜裝置或成膜方法。
此外,根據本發明,可以提供生產性高之有機電激發光裝置製造裝置或其製造方法或成膜裝置或成膜方法。
進而,根據本發明,可以提供運轉率高之有機電激發光裝置製造裝置或其製造方法或成膜裝置或成膜方法。
此外,根據本發明,可以提供構造簡單且可以進行上面搬送之有機電激發光裝置製造裝置或其製造方法或成膜裝置或成膜方法。
進而,根據本發明,可以提供於上面搬送亦可高精度蒸鍍之有機電激發光裝置製造裝置或其製造方法或成膜裝置或成膜方法。
用圖1~圖5,說明本發明之第1實施型態。有機EL裝置製造裝置,並不僅是形成發光材料層(EL層)而以電極夾住之構造,還包括在陽極之上形成正孔注入層或輸送層、在陰極上形成電子注入層或輸送層等種種材料形成薄膜而構成多層構造,或是洗淨基板等步驟。圖1顯示該製造裝置之一例。
本實施型態之有機EL裝置製造裝置100,大致係由搬入處理對象之基板6之裝載群組(cluster)3、處理基板6之4個群組(A~D)、在各群組間或群組與裝載群組3或次一步驟(密封步驟)之間設置的5個收授室4所構成。次一步驟之後方為了搬出基板之用至少設置如後述之加載互鎖(load-lock)室那樣的卸載互鎖(unload-lock)室(未圖示)。
裝載群組3,係由於前後具有維持真空之用的閘閥10之加載互鎖(load-lock)室31、由加載互鎖室31接取基板6(以下簡稱基板),旋轉而把基板6插入收授室4a之搬送機械臂5a所構成。各加載互鎖室31以及各收授室4於前後具有閘閥10,控制該閘閥10之開閉維持真空同時往裝載群組3或次一群組等收授基板。
各群組(A~D),具有具一台搬送機械臂5之搬送室2、由搬送機械臂5收取基板,進行特定處理之在圖面上配置於上下的2個處理室1(第1個下標a~d代表群組,第2個下標u,d代表上側下側)。搬送室2與處理室1之間設有閘閥10。
圖2係顯示搬送室2與處理室1的構成之概要。處理室1的構成隨處理內容而不同,此處以在真空下蒸鍍發光材料形成EL層之真空蒸鍍室1bu為例進行說明。圖3係顯示搬送室2b與真空蒸鍍室1bu的構成之模式圖與動作說明圖。圖2之搬送機械臂5,具有可以使全體可以上下移動(參照圖3之箭頭53),左右旋轉的連結(link)構造之臂51,其前端分上下兩段具有基板搬送用之2個梳齒狀手部52。藉由使成為上下兩段,可使上段為搬入用,下段為搬出用,以1個動作同時進行搬出入處理。使其具有2個手部或1個手部是隨著處理內容而決定的。在以後之說明,為了簡化說明係以具有1個手部來進行說明。
另一方面,真空蒸鍍室1bu,大至係由使發光材料蒸發而蒸鍍於基板6之蒸鍍部7、及使蒸鍍於基板6之必要部分之對準部8、及進行搬送機械臂5與基板之授受,使基板6往蒸鍍部7移動之處理收授部9所構成。對準部8與處理收授部9設有右側R線與左側L線2個系統。處理收授部9,具有具可以與搬送機械臂6之梳齒狀手部52不相互干涉地收授基板6,而固定基板6的手段94之梳齒狀手部91,與使前述梳齒狀手部91旋轉而使基板6直立而移動使其面對對準部8或蒸鍍部7之基板面控制手段92。作為固定基板6之手段94,考慮在真空中下操作而使用電磁吸附或迴紋夾(clip)等手段。
對準部8,具有藉由圖4所示之由遮罩81m、框架81f所構成的遮蔽遮罩81與基板6上之對準標記84而使基板6與遮蔽遮罩81對準位置之對準驅動部83。蒸鍍部7,具有使蒸發源71沿著軌道76上移動於上下方向之上下驅動手段72,及使蒸發源71沿著軌道75上移動於左右之對準部間之左右驅動基座74。蒸發源71,成為內部具有蒸鍍材料之發光材料,藉由加熱控制(未圖示)前述蒸鍍材料而得到安定的蒸發速度,如圖3之引伸圖所示,由線狀排列之複數噴射噴嘴73來噴射的構造。隨著需要,以可得到安定蒸鍍的方式同時加熱添加劑而進行蒸鍍。
以上,在說明的實施型態中,構成搬送機構的,是裝載群組3之加載互鎖(load-lock)室31、搬送機械臂5a、收授室4、搬送室2之搬送機械臂5以及處理室1之處理收授部9。這些可以大致區分為具有梳齒狀手部的搬送機械臂5,5a,以及該手部插入的加載互鎖(load-lock)室31、收授室4以及處理收授室9。透過這兩組進行交互作用而同時搬送基板6。
圖5係作為其一例,顯示對收授室4之基板保持部41插入搬送機械臂5之梳齒狀手部52,收取基板6的狀況與構成。基板6之上面係成為顯示面的被蒸鍍面,其下面為非顯示面。亦即,在從前之下面搬送僅在可接觸的框部保持著,在上面搬送則包含中央部都可以作為接觸區域利用所以可達成撓曲很少的安定的搬送。在圖5顯示具有梳齒狀手部52之2個機械臂,在收授室具有3根軌道狀之基板保持部41。於梳齒狀手部52之與基板6接觸的上面52u,被設有作為在手部旋轉時以基板不滑動的方式進行保持之保持手段之黏接性橡膠20。面狀地貼附橡膠亦可但是黏接力太強的話必須要考慮到脫離性會變差。除了黏接性橡膠以外,考慮到真空環境亦可以適用電磁吸附等。
其次,重點說明如何使高精度蒸鍍成為可能。圖6係顯示由圖1至圖3所示之處理室1之處理流程。本實施型態之處理的基本想法有二。
首先,在一方生產線蒸鍍時,另一方之生產線則進行基板搬出搬入、位置對準、結束蒸鍍之準備。如發明所欲解決之課題那裡所說明的,蒸鍍的步驟,與對處理室1之基板搬出搬入作業等其他步驟所需要的時間幾乎相同,在本實施型態雙方分別為約略1分鐘。藉由交互進行此處理,可以減少浪費蒸鍍的時間。
第二點,係使上面搬送的基板垂直立起,搬送至對準部8,而進行蒸鍍。搬送時基板6的下面若為蒸鍍面則有必要反轉,但因上面為蒸鍍面所以只要垂直立起即可。
使用圖7說明使基板垂直立起而蒸鍍的理由。如圖4所示對應於大型基板之遮蔽遮罩81的大小,為1800mm×2000mm程度,而且遮罩81m的厚度為40μm,今後還有更為薄化的傾向。在此,由下面蒸鍍的話基板的重量約5kg,遮罩81m的重量為200kg,所以對於遮罩81m因受到二者重量影響而有大幅的撓曲。在撓曲的基板以撓曲的遮罩81m進行蒸鍍,所以會蒸鍍到相鄰之色區域,產生色混濁的狀態使彩度掉落。在此,使基板6與遮蔽遮罩81一起成為立起狀態解消撓曲,以得到高精度高彩度之色。
其次,參照圖3同時使用圖6,說明本實施型態之處理流程。於圖3,基板6存在之處以實線表示。
首先,於R線(生產線)搬入基板6R,使基板6R垂直立起移動至對準部8R,進行位置對準(由步驟R1至步驟R3)。此時,垂直立起之後立刻進行位置對準,所以使蒸鍍面在上而搬送基板6。位置對準,係如圖3之延伸圖所示,以CCD攝影機86攝影,使設於基板6的對準標記84進入設在遮罩81m的窗85中心的方式,使遮蔽遮罩81R以前述對準驅動部83控制而進行的。本蒸鍍若為發出紅(R)光的材料,如圖4所示在對應餘遮罩81m之R的部分開有窗部,而在該部分被蒸鍍。該窗部的大小隨顏色而不同,平均為寬幅50μm、高度150μm程度。遮罩81m的厚度為40μm,今後還有更薄化的傾向。
位置對準結束之後,使蒸發源71移動至R線側(步驟R4),其後使線狀之蒸發源71移動往上或下而進行蒸鍍(步驟R5)。於R線蒸鍍中,在L線與R線同樣地進行步驟L1至步驟L3之處理。亦即,搬入其他基板6L,使基板6L垂直立起移動至對準部8L,進行與遮蔽遮罩81L之位置對準。結束R線的基板6R之蒸鍍之後,蒸發源71移動至L線(步驟L4),蒸鍍在L線之基板6L(步驟L5)。此時蒸發源71由R線之蒸鍍區域完全離開之前,基板6R由對準部8R離開的話,會有進行不必要的蒸鍍的可能,所以在完全離開之後,開始基板6R之由處理室1搬出的動作,其後進入新的基板6R的準備。為了避免前述不必要的蒸鍍而在生產線之間設有隔板11。又,圖3顯示步驟R5以及步驟L1之狀態。亦即在R線開始蒸鍍,在L線把基板搬入真空蒸鍍室1bu的狀態。
其後,藉由連續進行前述流程,根據本實施型態,可以在除了蒸發部7的移動時間以外,進行不浪費使用蒸鍍材料之蒸鍍。如前所述必要的蒸鍍時間與其他處理時間約為1分鐘,蒸發源71的移動時間為5秒鐘的話,從前長達1分鐘的無謂浪費的蒸鍍時間在本實施型態可以縮短為5秒鐘。
此外,根據本實施型態,如圖6所示真空蒸鍍室1bu之處理1枚基板的處理週期在實質上成為蒸鍍時間+蒸發源71的移動時間,所以可提高生產性。評估在前述條件下的處理時間的話,相對於從前的2分鐘,在本實施型態可以縮短為1分5秒,把生產性提高至約略2倍。
進而,對相同量的蒸鍍材料而言蒸鍍部7消耗的時間,雖與從前例沒有不同,但是生產量變成2倍,因而減低附著於真空室壁的材料附著量,因此對於室壁等的附著之維修循環時間以及所要時間也可以縮短。結果,根據本實施型態可以提高裝置的運轉率。
在前述實施型態,在一個處理裝置之中對一個蒸鍍部7設有對準部8、處理收授部9所構成之2系統之處理線。例如,蒸鍍時間為30秒,其他處理時間為1分鐘的話,在一個處理裝置之中對一個蒸鍍部7設有3個處理線也可以同樣得到很大的效果。
此外,根據本實施型態,於具有蒸鍍裝置之裝置能夠以簡單的構造達成上面搬送。
進而,根據本實施型態,進行上面搬送使基板立起而蒸鍍,所以可對基板高精度且高彩度地蒸鍍。
其次,使用圖8說明第2、第3實施型態。在第1實施型態,蒸發源71移動而進行處理,在本實施型態,圖8(a)顯示對準部8移動之例,圖8(b)顯示處理收授部9移動之例。基本的動作與實施型態1相同。
首先,說明圖8(a)之由處理收授部9收取而保持基板6的對準部8進行移動而處理之例。又,於圖6,基板6、對準部8以及處理收授部9存在之處以實線表示。
首先,於R線(生產線)搬入基板6R,使基板6R垂直立起使基板6R移動至對準部8R,進行位置對準。其後,對準部8R、8L藉由對準基座8B成為一體在到達蒸鍍部之前往左方移動。又,對準部8R、8L亦可為個別左右移動之構造。作為該移動機構(未圖示),亦可使用與實施型態1同樣設有軌道,而使移動於其上之方法。其次進行基板6R之蒸鍍。基板6R蒸鍍時,對準部8L來到處理收授部9L之前,所以可收授其他基板6L,進行位置對準等之處理。基板6R之蒸鍍處理結束之後,對準部8R、8L成為一體而在到達蒸鍍部7之前往右移動,進行基板6L之蒸鍍處理。這次,對準部8R來到處理收授部9R之前,可以收授其他基板6R進行下一蒸鍍的準備。又,圖8(a)顯示在蒸鍍基板6L時,基板6R在對準部8R被收取之情形。
根據本實施型態,對於蒸鍍材料使用量的降低,生產性的提高等效果,可以得到與實施型態1同樣大的效果。
其次,說明圖8(b)之處理收授部9移動而進行處理之例。在此場合,對準部8與蒸鍍部7是固定的。處理收授部9R、9L成為一體而往左右移動。又,處理收授部9R、9L亦可為個別左右移動之構造。在本例,係處理收授部9移動,使基板垂直立起,進行位置對準,而進行蒸鍍。進行蒸鍍時,可以進行另一方基板的搬入與新的基板的搬入。又,圖6(b)顯示在蒸鍍基板6L時,基板6R被搬入處理收授部9R之情形。
亦即,本實施型態,與前2個實施型態相比效果較小,但與從前例相比同樣還是多少可以得到一些效果。
此外,根據第2、第3實施型態的話,能夠以簡單的構造進行上面搬送,可以使上面搬送之基板幾乎垂直立起而高精度高彩度地進行蒸鍍。
此外,於以上之實施型態之說明,蒸鍍部7、對準部8以及處理收授部9係設於同一真空室,但中介著閘閥而進行真空室之間的移動,亦可以把蒸鍍部7設於處理室,把對準部8及處理收授部9設於搬送室等。
以上之實施型態係針對使基板6之蒸鍍面在上而搬送的場合來進行說明。作為此點之其他的基板之搬送方法,亦有使蒸鍍面在下而搬送的方法、把基板放入箱內立起搬送的方法。以下所述之實施例,雖無法發揮上面搬送之效果,但可以發揮減少無謂浪費進行蒸鍍的時間之效果。
使蒸鍍面在下的場合,有必要由下方進行蒸鍍處理,所以於前述實施型態之蒸鍍時,只要是維持了基板6、對準部8以及蒸鍍部7之位置關係的配置構造即可,作為處理流程省略使基板垂直立起之處理即可。例如圖9係使蒸鍍面在下的場合之對應於圖3的案例之實施型態,構造上是在處理收授部9R、9L之下配置對準部8R、8L,於該對準部8R、8L之下設有蒸鍍部7,蒸發源71可以移動於兩對準部間之構造。
其次,於立起搬送的場合,只要省掉使基板垂直立起的處理就可以適用前述實施型態。
以上,如說明的內容,對於蒸發源之有效利用之下降,無論搬送方法之內容如何均可以適用本發明。
另一方面,相關於上面搬送之本發明於以上之實施型態之說明,係使搬送系統構成於真空內,但亦可如專利文獻3所示那樣揭示了在真空處理室之前在真空外設有滑移裝置,在處理室之前使機械臂伸縮而搬進搬出基板。於這樣的裝置,由前述滑移裝置、伸縮機械臂、往處理室之搬出搬入裝載部以及處理室內之處理收授部所構成的搬送系亦可以適用本發明。
最後,在前述說明以有機EL裝置為例來進行說明,但對於進行與有機EL裝置有相同背景的蒸鍍處理之成膜裝置及成膜方法亦可以適用。
1...處理室
1bu...真空蒸鍍室
2...搬送室
3...裝載群組(cluster)
4...收授室
5...搬送機械臂
6...基板
7...蒸鍍部
8...對準部
9...處理收授部
10...閘閥
11...隔板
20...保持手段(黏接性橡膠)
31...加載互鎖(load-lock)室
41...收授室之基板保持部
71...蒸發源
81...遮蔽遮罩(shadow:mask)
92...基板面控制手段
100...有機電激發光裝置之製造裝置
A~D...群組(cluster)
圖1係顯示本發明的實施型態之有機電激發光裝置之製造裝置之圖。
圖2係顯示本發明之實施型態之搬送室2與處理室1的構成之概要。
圖3係顯示本發明之實施型態之搬送室與處理室的構成之模式圖與動作說明圖。
圖4係顯示遮蔽遮造(shadow mask)之圖。
圖5係顯示本發明的實施型態之搬送機構之圖。
圖6係顯示本發明的實施型態之處理室1之處理流程之圖。
圖7係說明使基板垂直立起而蒸鍍的理由之圖。
圖8(a)係顯示本發明的處理室之第2實施型態之圖。(b)係顯示本發明的處理室之第3實施型態之圖。
圖9係顯示本發明的處理室之第4實施型態之圖。
1...處理室
5...搬送機械臂
6...基板
51...臂
52...梳齒狀手部
53...箭頭
71...蒸發源
73...複數噴射噴嘴
74...驅動基座
75...軌道
76...軌道
81...遮蔽遮罩(shadow:mask)
84...標記
85...窗
86...CCD攝影機
91...梳齒狀手部
92...基板面控制手段
94...手段
L,R...線
Claims (9)
- 一種有機電激發光裝置製造裝置,係於具有:搬入基板之搬入加載互鎖(load-lock)室、使蒸鍍材料蒸鍍於前述基板之至少1台真空室、搬出前述基板之搬出加載互鎖室、以及由前述搬入加載互鎖室往前述搬出加載互鎖室搬送前述基板之搬送機構的有機電激發光裝置製造裝置,其特徵為:前述真空室,具有收授前述基板之處理收授部,以及在前述處理收授部使前述基板約略垂直地立起使面對於存在於進行蒸鍍的位置的遮罩之基板面控制手段;前述搬送機構,具有除了前述處理收授部以外使前述基板之蒸鍍面為上面而搬送,前述搬送機構之中至少在使前述基板移動的機構部具有保持前述基板之保持手段。
- 如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置製造裝置,其中於前述進行蒸鍍的位置具有進行前述基板與前述遮罩的位置對準之對準驅動部。
- 如申請專利範圍第1或2項之有機電激發光裝置製造裝置,其中前述保持手段係被設於使前述基板移動之機構部上面的黏接性橡膠。
- 如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置製造裝置,其中設置鄰接於前述真空室的搬送室,前述搬送室具有具構成前述搬送機構的梳齒狀的搬送手臂之機械臂,於前述搬送手臂之上面設有黏接性橡膠。
- 如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置製造裝 置,其中前述搬送室鄰接於供搬入或者搬出前述基板之用的收授室,前述收授室支撐前述基板的下面,具有梳齒狀的前述搬送手臂可以插入的形狀。
- 一種有機電激發光裝置製造方法,係將基板由搬入加載互鎖(load-lock)室搬入,透過至少1台真空室,往搬出加載互鎖室搬送,而於前述真空室將蒸鍍材料蒸鍍於前述基板之有機電激發光裝置製造方法,其特徵為:使前述基板之蒸鍍面為上面而搬送,至少在使前述基板移動的場合保持前述基板之搬送面不滑動;使蒸鍍面為上面而搬送來的前述基板在前述真空室內收授,其後在前述真空室內使前述基板約略垂直地立起使面對於存在於進行蒸鍍的位置的遮罩。
- 如申請專利範圍第6項之有機電激發光裝置製造方法,其中於前述進行蒸鍍的位置進行前述基板與前述遮罩的位置對準。
- 一種成膜裝置,係於具有:搬入基板之搬入加載互鎖(load-lock)室、使蒸鍍材料蒸鍍於前述基板之至少1台真空室、搬出前述基板之搬出加載互鎖室、以及由前述搬入加載互鎖室往前述搬出加載互鎖室搬送前述基板之搬送機構的成膜裝置,其特徵為:前述真空室,具有收授前述基板之處理收授部,以及在前述處理收授部使前述基板約略垂直地立起使面對於存在於進行蒸鍍的位置的遮罩之基板面控制手段;前述搬送機構,除了前述處理收授部以外使前述基板 之蒸鍍面為上面而搬送,前述搬送機構之中至少在使前述基板移動的機構部具有保持前述基板之保持手段。
- 一種成膜方法,係將基板由搬入加載互鎖(load-lock)室搬入,透過至少1台真空室,往搬出加載互鎖室搬送,而於前述真空室將蒸鍍材料蒸鍍於前述基板之成膜方法,其特徵為:使前述基板之蒸鍍面為上面而搬送,至少在使前述基板移動的場合保持前述基板之搬送面不滑動;使蒸鍍面為上面而搬送來的前述基板在前述真空室內收授,其後在前述真空室內使前述基板約略垂直地立起使面對於存在於進行蒸鍍的位置的遮罩。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008227488A JP4768001B2 (ja) | 2008-09-04 | 2008-09-04 | 有機elデバイス製造装置及び同製造方法並びに成膜装置及び成膜方法 |
| JP2008227477 | 2008-09-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201028034A TW201028034A (en) | 2010-07-16 |
| TWI424784B true TWI424784B (zh) | 2014-01-21 |
Family
ID=42179151
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW098126272A TWI424784B (zh) | 2008-09-04 | 2009-08-04 | Organic electroluminescent device manufacturing apparatus, manufacturing method thereof, film forming apparatus and film forming method |
| TW102140479A TW201408133A (zh) | 2008-09-04 | 2009-08-04 | 有機電激發光裝置製造裝置及其製造方法以及成膜裝置及成膜方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102140479A TW201408133A (zh) | 2008-09-04 | 2009-08-04 | 有機電激發光裝置製造裝置及其製造方法以及成膜裝置及成膜方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (2) | KR101119790B1 (zh) |
| CN (2) | CN102157708B (zh) |
| TW (2) | TWI424784B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101036123B1 (ko) * | 2010-06-10 | 2011-05-23 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 박막 증착 장치 |
| KR101293024B1 (ko) * | 2011-11-11 | 2013-08-05 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 평판패널 제조장치 |
| JP6937549B2 (ja) * | 2016-06-10 | 2021-09-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 発光素子の製造装置 |
| JP6830772B2 (ja) * | 2016-08-04 | 2021-02-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 積層膜の製造装置、及び積層膜の製造方法 |
| WO2018166634A1 (en) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | Applied Materials,Inc. | Methods of handling a mask device in a vacuum system, mask handling apparatus, and vacuum system |
| KR20190124610A (ko) * | 2018-04-26 | 2019-11-05 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 기판 반송 시스템, 전자 디바이스 제조장치 및 전자 디바이스 제조방법 |
| KR102236103B1 (ko) * | 2019-04-15 | 2021-04-05 | 주식회사 아테코 | 테스트 트레이 비전 검사기능이 구비된 전자부품 테스트 핸들러 |
| WO2022090778A1 (en) * | 2020-10-30 | 2022-05-05 | Applied Materials, Inc. | Vacuum tilting table and vacuum tilting table module for a substrate processing system and method for substrate loading and unloading in a vacuum processing system |
| JP7242626B2 (ja) * | 2020-12-10 | 2023-03-20 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6634686B2 (en) * | 2001-10-03 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc. | End effector assembly |
| TW200524459A (en) * | 2004-01-06 | 2005-07-16 | Delta Optoelectronics Inc | The film fabricating method of the organic electroluminescent device and the film forming apparatus thereof |
| TW200600595A (en) * | 2004-06-18 | 2006-01-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Evaporation device |
| JP2008177071A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Sony Corp | 表示装置の製造装置および表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4369866B2 (ja) * | 2002-05-23 | 2009-11-25 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置及び処理方法 |
| JP4257497B2 (ja) | 2003-02-26 | 2009-04-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空蒸着方法及び真空蒸着装置、並びにこの真空蒸着方法により製造したelパネル |
| KR100761100B1 (ko) * | 2006-02-08 | 2007-09-21 | 주식회사 아바코 | 유기발광소자의 증착막 형성방법 및 장치 |
| JP4859485B2 (ja) | 2006-02-27 | 2012-01-25 | 三菱重工業株式会社 | 有機半導体製造装置 |
| JP2007332458A (ja) | 2006-05-18 | 2007-12-27 | Sony Corp | 蒸着装置および蒸着源ならびに表示装置の製造方法 |
| JP5203584B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜システムおよび成膜方法 |
| KR100842020B1 (ko) | 2007-03-16 | 2008-06-27 | 세메스 주식회사 | 유기 박막 증착 장치 및 방법 |
-
2009
- 2009-08-04 TW TW098126272A patent/TWI424784B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-08-04 TW TW102140479A patent/TW201408133A/zh unknown
- 2009-08-17 KR KR1020090075500A patent/KR101119790B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-17 CN CN201110020657.0A patent/CN102157708B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-17 CN CN2012103256735A patent/CN102938447A/zh active Pending
-
2011
- 2011-06-16 KR KR1020110058421A patent/KR101092163B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6634686B2 (en) * | 2001-10-03 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc. | End effector assembly |
| TW200524459A (en) * | 2004-01-06 | 2005-07-16 | Delta Optoelectronics Inc | The film fabricating method of the organic electroluminescent device and the film forming apparatus thereof |
| TW200600595A (en) * | 2004-06-18 | 2006-01-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Evaporation device |
| JP2008177071A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Sony Corp | 表示装置の製造装置および表示装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102157708B (zh) | 2014-09-03 |
| CN102938447A (zh) | 2013-02-20 |
| KR101092163B1 (ko) | 2011-12-13 |
| KR101119790B1 (ko) | 2012-03-23 |
| KR20110081128A (ko) | 2011-07-13 |
| CN102157708A (zh) | 2011-08-17 |
| KR20100028479A (ko) | 2010-03-12 |
| TW201028034A (en) | 2010-07-16 |
| TW201408133A (zh) | 2014-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI424784B (zh) | Organic electroluminescent device manufacturing apparatus, manufacturing method thereof, film forming apparatus and film forming method | |
| KR100800236B1 (ko) | 연속 oled 코팅 장치 | |
| JP5173699B2 (ja) | 有機elデバイス製造装置 | |
| EP2290118B1 (en) | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same | |
| KR100995109B1 (ko) | 제조장치 | |
| KR101708420B1 (ko) | 기판 증착 시스템 및 이를 이용한 증착 방법 | |
| CN101667630A (zh) | 有机el设备制造装置和其制造方法以及成膜装置和成膜方法 | |
| TWI586019B (zh) | 有機發光元件製造用群集型沉積裝置 | |
| US20130047920A1 (en) | Deposition device for forming organic layer using joule-heating and device for fabricating electroluminescent display device using the deposition device | |
| JP4768001B2 (ja) | 有機elデバイス製造装置及び同製造方法並びに成膜装置及び成膜方法 | |
| CN103107132A (zh) | 用于制造平板显示器的设备 | |
| JP5260212B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP5358697B2 (ja) | 成膜装置 | |
| US20140329349A1 (en) | Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same | |
| JP2009064758A5 (zh) | ||
| CN104218187A (zh) | 用于刻蚀有机层的装置和方法 | |
| JP2010225353A (ja) | 電子デバイス製造装置および電子デバイスの製造方法 | |
| JP4951712B2 (ja) | 有機elデバイス製造装置及び同製造方法並びに成膜装置及び成膜方法 | |
| JP5705933B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP2013110114A (ja) | 有機elデバイス製造装置及び角度補正機構 | |
| JP2013151760A (ja) | シャドウマスク交換方法 | |
| TW201320382A (zh) | 膜形成裝置及膜形成方法 | |
| JP2004281523A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |