KR20200115795A - 유기 발광 소자 및 전자 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
| 화합물 | S1 (eV) | T1 (eV) | △Est (eV) |
| 화합물 1-1 | 3.02 | 2.85 | 0.17 |
| 화합물 1-6 | 3.00 | 2.75 | 0.25 |
| 화합물 A | 2.96 | 2.65 | 0.31 |
| 화합물 B | 2.91 | 2.54 | 0.37 |
| 화합물 C | 2.93 | 2.58 | 0.35 |
| CBP | 3.10 | 2.58 | 0.52 |
| mCP | 3.50 | 2.90 | 0.60 |
| ADN | 3.00 | 1.80 | 1.20 |
| 화합물 2-5 | - | 2.80 | - |
| 화합물 2-7 | - | 2.85 | - |
| 화합물 2-10 | - | 2.78 | - |
| 화합물 2-11 | - | 2.78 | - |
| 화합물 2-12 | - | 2.70 | - |
| 발광층 | 구동전압 (V) |
외부 양자효율(%) | 색좌표 | |||
| 호스트 | 도펀트 | CIEx | CIEy | |||
| 실시예 1 | 화합물 1-1 | 화합물 2-5 | 4.2 | 20.1 | 0.15 | 0.18 |
| 실시예 2 | 화합물 1-1 | 화합물 2-7 | 4.3 | 17.5 | 0.16 | 0.12 |
| 실시예 3 | 화합물 1-1 | 화합물 2-10 | 4.1 | 17.8 | 0.14 | 0.23 |
| 실시예 4 | 화합물 1-1 | 화합물 2-11 | 4.2 | 20.5 | 0.15 | 0.12 |
| 실시예 5 | 화합물 1-1 | 화합물 2-12 | 4.4 | 18.8 | 0.18 | 0.31 |
| 실시예 6 | 화합물 1-6 | 화합물 2-12 | 4.2 | 19.4 | 0.18 | 0.28 |
| 비교예 1 | 화합물 A | 화합물 2-5 | 4.2 | 12.8 | 0.15 | 0.24 |
| 비교예 2 | 화합물 B | 화합물 2-5 | 4.5 | 11.2 | 0.15 | 0.22 |
| 비교예 3 | 화합물 C | 화합물 2-5 | 4.4 | 11.5 | 0.16 | 0.24 |
| 비교예 4 | CBP | 화합물 2-5 | 5.2 | 15.4 | 0.17 | 0.20 |
| 비교예 5 | mCP | 화합물 2-5 | 5.4 | 18.7 | 0.16 | 0.18 |
| 비교예 6 | ADN | 화합물 2-5 | 6.8 | 2.5 | 0.22 | 0.25 |
110: 제1전극
150: 유기층
190: 제2전극
210: 제1캡핑층
220: 제2캡핑층
Claims (20)
- 제1전극;
상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된, 발광층을 포함한 유기층;을 포함하고,
상기 발광층이 호스트 및 인광 도펀트를 포함하고,
상기 호스트가 하기 수식 1 및 수식 2를 만족하고,
상기 호스트 및 상기 인광 도펀트가 하기 수식 3을 만족하는, 유기 발광 소자:
<수식 1>
S1(H) - T1(H) ≤ 0.3 eV
<수식 2>
T1(H) ≥ 2.7 eV
<수식 3>
T1(D) ≤ T1(H)
상기 수식 1 내지 3 중,
T1(H)는 상기 호스트의 삼중항 에너지이고,
S1(H)는 상기 호스트의 일중항 에너지이고,
T1(D)는 상기 인광 도펀트의 삼중항 에너지이다. - 제1항에 있어서,
상기 호스트는 하기 화학식 1로 표시된 헤테로시클릭 화합물을 포함한, 유기 발광 소자:
<화학식 1>
(Ar1)n1-(L1)m1-(Ar2)n2
상기 화학식 1 중,
L1은 단일결합, C5-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
n1 및 n2는 서로 독립적으로, 0 내지 3 중에서 선택된 정수이고, n1 + n2 ≥ 1을 만족하고,
m1은 0 내지 5의 정수이고,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 1A 또는 1B로 표시되는 그룹이고,
<화학식 1A>
<화학식 1B>
상기 화학식 1A 및 1B 중,
Y1 및 Y2는 서로 독립적으로, 단일결합, *-O-*', *-S-*', *-C(R1)(R2)- *', *-N(R1)- *', *-Si(R1)(R2)-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)2-*', *-B(R1)-*', *-P(R1)-*' 및 *-P(=O)(R1)(R2)-*' 중에서 선택되고,
k1 및 k2는 서로 독립적으로, 0 또는 1이고, k1 + k2 ≥ 1을 만족하고,
CY1 및 CY2는 서로 독립적으로, C5-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
X1 내지 X3은 서로 독립적으로, C 또는 N이고,
X1 내지 X3이 모두 C이면 R30 중 적어도 하나가 시아노기이고,
R1, R2, R10, R20 및 R30은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q1)(Q2)(Q3), -N(Q1)(Q2), -B(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1) 및 -P(=O)(Q1)(Q2) 중에서 선택되고,
a10 및 a20은 서로 독립적으로, 1 내지 10 중에서 선택된 정수이고,
a30은 1 내지 6의 정수이고,
R1 및 R2는 선택적으로(optionally), 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성하고,
R10 및 R20는 선택적으로, R10 및 R20 중 적어도 하나와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성하고,
a30이 2 이상인 경우에, 2 이상의 R30이 선택적으로, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성하고,
상기 화학식 1A에서 R10 및 R20 중 적어도 하나가 L1 또는 Ar1과의 결합 사이트이고,
상기 화학식 1B에서 R30 중 적어도 하나가 L1 또는 Ar1과의 결합 사이트이고,
상기 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11) 및 -P(=O)(Q11)(Q12) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21) 및 -P(=O)(Q21)(Q22) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32);
중에서 선택되고,
상기 Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택된다. - 제2항에 있어서,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 1(1) 내지 1(4) 중 적어도 하나로 표시되는 그룹인, 유기 발광 소자:
<화학식 1(1)>
<화학식 1(2)>
<화학식 1(3)>
<화학식 1(4)>
상기 화학식 1(1) 내지 1(4) 중,
Y11 내지 Y14는 서로 독립적으로, 단일결합, -O-, -S-, -C(R15)(R16)-, -N(R15)-, Si(R15)(R16)-, -C(=O)-, -S(=O)2-, -B(R15)-, -P(R15)- 및 -P(=O)(R15)(R16)- 중에서 선택되고,
Y15는 N, B 또는 P이고,
CY11 내지 CY14는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹 및 디벤조실롤 그룹 중에서 선택되고,
R11 내지 R16은 서로 독립적으로, L1 또는 Ar1과의 결합 사이트, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q1)(Q2)(Q3), -N(Q1)(Q2), -B(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1) 및 -P(=O)(Q1)(Q2) 중에서 선택되고,
R11 내지 R16 중 적어도 하나가 L1 또는 Ar1과의 결합 사이트이고,
Q1 내지 Q3는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오레닐기, 스파이로-바이플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택되고;
a11 내지 a14는 서로 독립적으로, 1 내지 6의 정수 중에서 선택된다. - 제2항에 있어서,
L1은 단일결합 또는 하기 화학식 3-1 내지 3-35 중 어느 하나로 표시되는 그룹인, 유기 발광 소자:
상기 화학식 3-1 내지 3-35 중,
Y11은 *-O-*', *-S-*' 또는 *-N(Z15)-*'이고,
Z11 내지 Z15는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 트리아지닐기, 벤조이미다졸일기, 페난트롤리닐기 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택되고,
d2는 0 내지 2 중에서 선택된 정수이고,
d3는 0 내지 3 중에서 선택된 정수이고,
d4는 0 내지 4 중에서 선택된 정수이고,
d5는 0 내지 5 중에서 선택된 정수이고,
d6은 0 내지 6 중에서 선택된 정수이고,
d8은 0 내지 8 중에서 선택된 정수이고,
* 및 *'은 이웃한 원자와의 결합 사이트이다. - 제2항에 있어서,
Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나가, 하기 화학식 4-1 내지 4-34 중 어느 하나로 표시되는 그룹인, 유기 발광 소자:
상기 화학식 4-1 내지 4-34 중,
X20은 N, B 또는 P이고,
Y21 및 Y22는 서로 독립적으로, O, S, C(Z26)(Z27), N(Z26) 또는 Si(Z26)(Z27)이고,
Y23 내지 Y26은 서로 독립적으로, 단일결합, O, S, C(Z28)(Z29), N(Z28) 또는 Si(Z28)(Z29)이고,
Z21 내지 Z29는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 트리아지닐기, 벤조이미다졸일기, 페난트롤리닐기 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택되고,
g2는 1 또는 2이고,
g3는 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
g4는 1 내지 4의 정수 중에서 선택되고,
g5는 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
g7은 1 내지 7의 정수 중에서 선택되고,
g8은 1 내지 8의 정수 중에서 선택되고,
* 은 이웃한 원자와의 결합 사이트이다. - 제2항에 있어서,
R1, R2, R10, R20 및 R30은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, iso-부틸기, tert-부틸기, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, sec-부톡시기, iso-부톡시기 및 tert-부톡시기; 및
하기 화학식 5-1 내지 5-26 및 화학식 6-1 내지 6-55 중에서 선택된 어느 하나로 표시된 그룹;
중에서 선택된, 유기 발광 소자:
상기 화학식 5-1 내지 5-26 및 화학식 6-1 내지 6-55 중,
Y31은 O, S, C(Z34)(Z35), N(Z34) 또는 Si(Z34)(Z35)이고,
Z31 내지 Z35는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알케닐기, C1-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-바이플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 트리페릴레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택되고,
e2는 1 또는 2이고,
e3는 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
e4는 1 내지 4의 정수 중에서 선택되고,
e5는 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
e6은 1 내지 6의 정수 중에서 선택되고,
e7은 1 내지 7의 정수 중에서 선택되고,
e9는 1 내지 9의 정수 중에서 선택되고,
* 은 이웃한 원자와의 결합 사이트이다. - 제2항에 있어서,
상기 호스트는 1종의 상기 헤테로시클릭 화합물로 이루어진, 유기 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 인광 도펀트는 하기 화학식 4 및 5 중 어느 하나로 표시되는 유기금속 화합물을 포함한, 유기 발광 소자:
<화학식 4>
<화학식 5>
상기 화학식 4 및 5 중,
M4 및 M5는 서로 독립적으로, 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb) 및 툴륨(Tm) 중에서 선택되고;
n51은 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
Ln52는 유기 리간드이고, n52는 0 내지 2의 정수 중에서 선택되고,
Y41 내지 Y44, Y51 및 Y52는 서로 독립적으로, N 또는 C이고;
A41 내지 A44, A51 및 A52는 서로 독립적으로, C5-C60카보시클릭 그룹 및 C1-C60헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고,
T41 내지 T44, T51 및 T52는 서로 독립적으로, 단일결합, *-O-*' 및 *-S-*' 중에서 선택되고;
L41 내지 L44 및 L51은 서로 독립적으로, 단일결합, *-O-*', *-S-*', *-C(R45)(R46)-*', *-C(R45)=*', *=C(R45)-*', *-C(R45)=C(R45)-*', *-C(=O)-*', *-C(=S)-*', *-C≡C-*', *-B(R45)-*', *-N(R45)-*', *-P(R45)-*', *-Si(R45)(R46)-*', *-P(R45)(R46)-*' 및 *-Ge(R45)(R46)-*' 중에서 선택되고;
m41 내지 m44, m51 및 m52는 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
R41 내지 R46, R51 및 R52는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q41)(Q42)(Q43), -N(Q41)(Q42), -B(Q41)(Q42), -C(=O)(Q41), -S(=O)2(Q41) 및 -P(=O)(Q41)(Q42) 중에서 선택되고,
R45와 R41; R45와 R42; R45와 R43; 또는 R45와 R44;는 선택적으로, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
b41, b42, b43 및 b44은 서로 독립적으로, 1 내지 8의 정수 중에서 선택되고;
* 및 *'은 이웃한 원자와의 결합 사이트이고,
상기 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중에서 선택된 적어도 하나의 치환기는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q51)(Q52)(Q53), -N(Q51)(Q52), -B(Q51)(Q52), -C(=O)(Q51), -S(=O)2(Q51) 및 -P(=O)(Q51)(Q52) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q61)(Q62)(Q63), -N(Q61)(Q62), -B(Q61)(Q62), -C(=O)(Q61), -S(=O)2(Q61) 및 -P(=O)(Q61)(Q62) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-Si(Q71)(Q72)(Q73), -N(Q71)(Q72), -B(Q71)(Q72), -C(=O)(Q71), -S(=O)2(Q71) 및 -P(=O)(Q71)(Q72);
중에서 선택되고,
상기 Q41 내지 Q43, Q51 내지 Q53, Q61 내지 Q63 및 Q71 내지 Q73은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, C1-C60헤테로아릴옥시기, C1-C60헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C1-C60알킬기; 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C6-C60아릴기; 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택된다. - 제9항에 있어서,
A41 내지 A44, A51 및 A52는 서로 독립적으로, 하기 화학식 2-1 내지 2-43 중 어느 하나로 표시되는 그룹에서 선택된, 유기 발광 소자:
상기 화학식 2-1 내지 2-43 중,
X21 내지 X23은 서로 독립적으로 C(R24) 및 C-* 중에서 선택되되, X21 내지 X23 중 적어도 둘 이상은 C-*이고,
X24는 N-*이고, X25 및 X26은 서로 독립적으로, C(R24) 및 C-* 중에서 선택되되, X25 및 X26 중 적어도 하나 이상은 C-*이고,
X27 및 X28은 서로 독립적으로 N, N(R25) 및 N-* 중에서 선택되고, X29는 C(R24) 및 C-* 중에서 선택되되, i) X27 및 X28 중 하나 이상은 N-*이고, X29는 C-*이거나, ii) X27 및 X28은 N-*이고 X29는 C(R24)이고,
R21 내지 R25는 서로 독립적으로, 본 명세서 중 R10에 대한 설명을 참조하고,
b21은 1, 2 및 3 중에서 선택되고,
b22는 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택되고,
b23은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고,
b24는 1 및 2 중에서 선택되고,
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다. - 제9항에 있어서,
M4는 Pt이고,
M5는 Ir이고,
T41 내지 T44, T51 및 T52는 각각 단일결합이고,
L41 내지 L44 및 L51은 서로 독립적으로, 단일결합, *-O-*', *-S-*', *-C(R45)(R46)-*', *-C(R45)=*', *=C(R45)-*', *-C(R45)=C(R45)-*', *-C(=O)-*' 및 *-N(R45)-*' 중에서 선택된, 유기 발광 소자. - 제9항에 있어서,
R41 내지 R46, R51 및 R52는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, 페닐기 및 비페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 및
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-바이플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 디벤조실롤기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기 및 비페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-바이플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 디벤조실롤기;
중에서 선택된, 유기 발광 소자. - 제9항에 있어서,
(i) 상기 화학식 4 중,
Y41 및 Y42가 각각 N이고, Y43 및 Y44가 각각 C이고, m43이 0인 경우에,
A43은 6원(6-membered) 헤테로시클릭 그룹이고,
(ii) 상기 화학식 5 중,
A51이 피리딘 그룹이고, A52이 벤젠 그룹인 경우에,
R51 및 R52 중 적어도 하나가 수소가 아닌, 유기 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 인광 도펀트는 하기 화합물 2-1 내지 2-45 중에서 선택된 1종 이상을 포함한, 유기 발광 소자:
<화합물 2-1> <화합물 2-2>
<화합물 2-3> <화합물 2-4>
<화합물 2-5> <화합물 2-6>
<화합물 2-7> <화합물 2-8>
<화합물 2-9> <화합물 2-10>
<화합물 2-11> <화합물 2-12>
<화합물 2-13> <화합물 2-14>
<화합물 2-15> <화합물 2-16>
<화합물 2-17> <화합물 2-18>
<화합물 2-19> <화합물 2-20>
<화합물 2-21> <화합물 2-22>
<화합물 2-23> <화합물 2-24>
<화합물 2-25> <화합물 2-26>
<화합물 2-27> <화합물 2-28>
<화합물 2-29> <화합물 2-30>
<화합물 2-31> <화합물 2-32>
<화합물 2-33> <화합물 2-34>
<화합물 2-35> <화합물 2-36>
<화합물 2-37> <화합물 2-38>
<화합물 2-39> <화합물 2-40>
<화합물 2-41> <화합물 2-42>
<화합물 2-43> <화합물 2-44>
<화합물 2-45>
. - 제1항에 있어서,
상기 발광층 중 상기 호스트의 함량이 상기 인광 도펀트의 함량보다 높은, 유기 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 발광층은 최대 발광 파장이 420nm 이상 475nm 이하인 청색광을 방출하는, 유기 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1전극이 애노드이고,
상기 제2전극이 캐소드이고,
상기 유기층은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 수송 영역 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 배치된 전자 수송 영역을 더 포함하고,
상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광 보조층, 전자 저지층 또는 이의 임의의 조합을 포함하고,
상기 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 유기 발광 소자. - 제17항에 있어서,
상기 정공 수송 영역이 p-도펀트를 포함하고,
상기 p-도펀트의 LUMO는 -3.5eV 이하인, 유기 발광 소자. - 제17항에 있어서,
상기 전자 수송 영역은 금속-함유 물질을 포함하는, 유기 발광 소자. - 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항의 유기 발광 소자 및 박막 트랜지스터를 포함하고,
상기 유기 발광 소자의 제1전극과 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나가 전기적으로 접촉되어 있는, 전자 장치.
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