KR20080040800A - Fine pattern forming apparatus and fine pattern forming method using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 미세패턴 형성장치 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 미세패턴 형성장치는 소정의 처리공간을 제공하는 챔버;상기 처리공간의 일측에 구비되며, 미세패턴이 각인된 스탬프를 부착하는 스탬프 척;상기 스탬프가 낙하하는 위치에 구비되며, 감광막이 형성된 기판을 지지하는 스테이지;및 상기 스탬프가 상기 스탬프 척으로부터 낙하되어 상기 기판에 접촉되면, 상기 스탬프를 가압하여 상기 감광막에 상기 미세패턴을 임프린트(imprint)시키는 가압가스를 상기 챔버 내부로 주입시키는 펌프;를 구비함으로써, 스탬프를 가압하는 가압력을 균일하게 적용시켜, 기판에 형성되는 미세패턴의 안정성을 확보하며, 작업효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다. The present invention relates to a micropattern forming apparatus and a method for forming a micropattern using the same, the apparatus for forming a micropattern according to the present invention comprises: a chamber providing a predetermined processing space; provided on one side of the processing space, and the fine pattern is engraved. A stamp chuck attaching a stamp; a stage provided at a position at which the stamp falls, and supporting a substrate on which a photosensitive film is formed; and when the stamp falls from the stamp chuck and contacts the substrate, the stamp is pressed to the photosensitive film. A pump for injecting a pressurized gas imprinting the micropattern into the chamber, thereby uniformly applying a pressing force to press the stamp to ensure stability of the micropattern formed on the substrate and to improve work efficiency. There is an effect that can be increased.

Description

미세패턴 형성장치 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법 {Apparatus for forming a nano-pattern and method using the same} Apparatus for forming a nano-pattern and method using the same}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 미세패턴 형성장치에 사용되는 스탬프와 감광막이 형성된 기판의 일부를 나타낸 확대 단면도이다.1 is an enlarged cross-sectional view illustrating a part of a substrate on which a stamp and a photosensitive film are used, which are used in the micropattern forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 미세패턴 형성장치의 구성을 나타낸 개략도이다.2 is a schematic view showing the configuration of a fine pattern forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 따른 미세패턴 형성장치의 미세패턴 형성동작을 나타낸 작동도이다.3A to 3E are operation diagrams illustrating a fine pattern forming operation of the fine pattern forming apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 미세패턴 형성방법을 나타낸 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a method for forming a fine pattern according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 미세패턴 형성장치 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 가압가스를 이용하여 스탬프(stamp)를 가압하여 기판의 감광막(photoresist) 막에 미세패턴을 임프린트(imprint)하는 미세패턴 형성장치 및 이 를 이용한 미세패턴 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a micropattern forming apparatus and a method of forming a micropattern using the same, and more particularly, to press a stamp using a pressurized gas to imprint a micropattern on a photoresist film of a substrate. It relates to a pattern forming apparatus and a fine pattern forming method using the same.

최근 들어 급속히 정보화 시대로 진입하면서, 언제 어디서나 정보를 접할 수 있도록, 정보를 문자 또는 영상으로 표시하여 눈으로 볼 수 있게 해주는 디스플레이 기술이 더욱 중요시 되고 있다.In recent years, as the information age rapidly enters, a display technology that displays information by text or image so that the user can see the information anytime and anywhere is becoming more important.

이러한 디스플레이 장치의 소비경향을 살펴보면, 기존의 CRT는 부피가 크고, 무거운 단점이 있어서 사용하기 편리한 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel) 등의 평판 디스플레이의 수요가 급격히 늘어나고 있다.Looking at the consumption trend of such display devices, conventional CRTs are bulky and heavy, so the demand for flat panel displays such as liquid crystal displays (LCDs) and plasma display panels (PDPs) is increasing rapidly.

평판 디스플레이의 제조 공정은 크게 투명한 기판위에 컬러 필터, 화소, 박막 트랜지스터(thin film transistor) 등을 형성하는 전극공정과, 배향처리를 한 기판을 접합하여 액정을 주입하는 패널 조립공정과, 액정 패널에 드라이버 IC, 기판, 백라이트 등을 부착하게 되는 실장공정의 3가지 공정으로 구분할 수 있다. The manufacturing process of a flat panel display includes an electrode process for forming a color filter, a pixel, a thin film transistor, and the like on a large transparent substrate, a panel assembly process for injecting liquid crystals by bonding an alignment-treated substrate, and a liquid crystal panel. It can be divided into three steps of mounting process for attaching driver IC, substrate, backlight, etc.

이 중 핵심공정으로 분류되는 박막 트랜지스터의 게이트 배선층은 사진현상(lithography) 기술에 의해 제작된다. The gate wiring layer of the thin film transistor, which is classified as a core process, is manufactured by lithography technology.

사진현상 기술은 기판위에 SiO2 나 Si3N4 등의 얇은 박막을 증착 등의 방법으로 입힌다. 여기에 빛에 잘 반응하는 화학 물질인 감광막(photoresist)를 스핀 코팅(spin-coating)하여 균일하게 입힌다. 감광막이 입혀진 기판을 대표적인 광 사진현상 장비인 이동식 축소 투영 노광장치(stepper)에 올려놓고 형성하고자 하는 패턴이 새겨진 마스크(mask 혹은 reticle)를 광원과 기판 사이에 놓아서 선택적으로 빛을 통과하게 한다. 그 결과 감광막에는 빛을 받은 부분과 그렇지 못한 부분이 화 학적으로 차이를 보인다. 빛을 받은 부분이 현상액(developer)에 반응하여 상대적으로 잘 용해되어 떨어져 나가는 감광막을 양성 감광막(positive photoresist)라 하고, 반대로 빛을 받은 부분의 결합력이 커져서 현상액 속에서 용해되지 않고 남게 되는 감광막을 음성 감광막(negative photoresist)라 한다. 이러한 현상 과정을 거치면 감광막이 남아 있어서 여전히 그 밑의 박막을 덮고 있는 부분과, 감광막이 용해되어 그 밑의 박막이 드러나는 부분이 생긴다. 여기서 화학 물질을 가하면 감광막이 남아 있지 않는 부분은 드러난 박막과 화학반응(식각;etching)을 하여 제거되고, 보호막으로 사용된 감광막이 남아 있는 부분은 화학반응을 하지 않아 그 밑의 박막은 그대로 남게 된다. 남아 있는 감광막을 제거(strip)하면 최종적으로 원하는 형상의 패턴이 형성되는 것이다.Photolithography is a method of coating a thin film such as SiO 2 or Si 3 N 4 on the substrate by deposition. The photoresist, a chemical that reacts well to light, is spin-coated and uniformly coated. The photosensitive film-coated substrate is placed on a mobile reduction projection stepper, which is a representative photolithography device, and a mask or reticle having a pattern to be formed is placed between the light source and the substrate to selectively pass light. As a result, there is a chemical difference between the part that receives light and the part that does not. The photoresist film that dissolves relatively well in response to the developer is called a positive photoresist film. On the contrary, the photoresist film that remains undissolved in the developer solution becomes larger due to the increased binding force of the lighted part. It is called a negative photoresist. Through this development process, a photoresist film remains to cover the thin film underneath, and a portion where the photoresist film is dissolved to expose the thin film underneath. When chemicals are added, the part where no photoresist film is left is removed by chemical reaction (etching) with the exposed thin film, and the part where the photoresist film used as a protective film is not chemically reacted and the thin film under it remains as it is. . Stripping the remaining photoresist film finally forms a pattern having a desired shape.

이와 같은 사진현상 기술의 미세패턴 형성의 정밀도는 사용하는 빛의 파장에 따라서 결정된다. 따라서, 초기에는 눈에 보이는 파장의 빛(가시광선)을 사용했으나 곧 자외선(자외선)을 사용하게 되었고, 최근에는 필요에 따라 전자빔(eb)을 사용해서 1㎛ 이하의 세밀한 패턴을 취급하고 있다.The precision of the formation of the fine pattern of the photolithography technique is determined according to the wavelength of light used. Therefore, initially, visible light (visible light) was used, but soon ultraviolet light (ultraviolet) was used, and recently, an electron beam (eb) was used to handle fine patterns of 1 μm or less.

그러나 이러한 사진현상 방법은 회로의 미세화가 진행됨에 따라 노광장비의 초기 투자비용의 증가와, 사용되는 빛의 파장과 유사한 해상도를 갖는 마스크의 가격도 급등하는 문제를 갖고 있다.However, such a photolithography method has a problem of increasing the initial investment cost of exposure equipment and increasing the price of a mask having a resolution similar to the wavelength of light used as the circuit is miniaturized.

따라서 고비용의 사진현상 기술을 대체되는 기술로 미세패턴 형성기술이 주목받고 있다. 이러한 미세패턴 형성기술은 미세패턴이 각인된 스탬프를 기판 위에 스핀코팅 된 고분자 소재의 감광막을 가압하는 방식이다. Therefore, the fine pattern formation technology is attracting attention as a technology that replaces the expensive photo development technology. The micropattern forming technique is a method of pressing a photoresist film of a polymer material spin-coated a stamp having a fine pattern imprinted on a substrate.

이러한 미세패턴 형성 방식은 스탬프와 감광막을 물리적 접촉을 시키고, 압력을 가한 후, 온도를 낮추는 열경화 방식과, 자외선 경화형 감광막을 사용하여, 자외선 조사를 통해 경화하는 자외선 경화 방식으로 구분될 수 있다.Such a micropattern forming method may be divided into a thermosetting method for physically contacting a stamp and a photoresist film, applying a pressure, and then lowering a temperature, and an ultraviolet curing method for curing through ultraviolet irradiation using an ultraviolet curable photosensitive film.

그러나, 일반적인 미세패턴 형성장치는 스탬프를 기판의 감광막에 접촉시키고, 스탬프의 상부에서(또는, 기판의 하부에서) 기구적으로 가압하는 방법으로 공정을 진행시키고 있다.However, the general micropattern forming apparatus advances a process by contacting a stamp to the photosensitive film | membrane of a board | substrate, and mechanically pressurizing on the upper part of a stamp (or the bottom of a board | substrate).

이와 같이 스탬프 또는 기판을 기구적으로 가압하는 경우, 스탬프와 기판간의 정밀한 정렬과, 가압력의 균일한 분포가 요구된다. 그러나 스탬프와 기판간 정렬과, 가압력의 균일한 분포가 이루어지지 못할 경우에는 기판의 중앙부와 주변부 간 불균일 또는 불량 패턴이 발생할 확률이 증가해 작업효율이 저하되는 문제점을 가지고 있다.When mechanically pressing the stamp or the substrate in this manner, precise alignment between the stamp and the substrate and uniform distribution of the pressing force are required. However, if the alignment between the stamp and the substrate, and even pressure distribution is not achieved, there is a problem that the work efficiency is lowered due to an increase in the probability that a non-uniform or defective pattern occurs between the central portion and the peripheral portion of the substrate.

이러한 문제점은 기판의 대면적화에 따라 더욱 두드러지게 나타난다.This problem is more prominent due to the large area of the substrate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 스탬프를 가압하는 가압력이 균일하도록 한 미세패턴 형성장치 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법을 제공하는 데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a micropattern forming apparatus and a micropattern forming method using the same, so that the pressing force for pressing the stamp is uniform.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 미세패턴 형성장치는 소정의 처 리공간을 제공하는 챔버;상기 처리공간의 일측에 구비되며, 미세패턴이 각인된 스탬프를 부착하는 스탬프 척;상기 스탬프가 낙하하는 위치에 구비되며, 감광막이 형성된 기판을 지지하는 스테이지;및 상기 스탬프가 상기 스탬프 척으로부터 낙하되어 상기 기판에 접촉되면, 상기 스탬프를 가압하여 상기 감광막에 상기 미세패턴을 임프린트(imprint)시키는 가압가스를 상기 챔버 내부로 주입시키는 펌프;를 구비한다.Micro pattern forming apparatus according to the present invention for achieving the above object is a chamber for providing a predetermined processing space; Stamp chuck is provided on one side of the processing space, the stamp is attached to the stamp stamped fine pattern; A stage for supporting a substrate on which a photosensitive film is formed; and a pressurized gas for imprinting the fine pattern on the photosensitive film by pressing the stamp when the stamp falls from the stamp chuck and contacts the substrate. It is provided with a; pump to inject the inside of the chamber.

상기 스테이지에는 상기 기판을 부착하기 위한 기판 척이 구비될 수 있다.The stage may be provided with a substrate chuck for attaching the substrate.

상기 스탬프 척 및 상기 기판 척은 정전력을 이용하여 상기 스탬프 및 상기 기판을 부착하는 정전척일 수 있다.The stamp chuck and the substrate chuck may be an electrostatic chuck attaching the stamp and the substrate using electrostatic force.

상기 스탬프 척 및 상기 기판 척은 상기 스탬프 및 상기 기판을 진공 흡착하는 진공척일 수 있다.The stamp chuck and the substrate chuck may be a vacuum chuck for vacuum sucking the stamp and the substrate.

상기 스테이지에는 상기 기판을 가열하는 가열기가 구비될 수 있다.The stage may be provided with a heater for heating the substrate.

상기 챔버에는 자외선을 제공하는 자외선 램프가 구비될 수 있다.The chamber may be provided with an ultraviolet lamp for providing ultraviolet light.

상기 스테이지에는 냉각기가 구비될 수 있다.The stage may be provided with a cooler.

상기 챔버에는 상기 스탬프와 상기 기판 간 정렬을 수행하는 정렬부가 구비될 수 있다.The chamber may be provided with an alignment unit for performing alignment between the stamp and the substrate.

한편, 본 발명에 따른 미세패턴 형성방법은 챔버 내부로 반입된 미세패턴이 각인된 스탬프와, 상기 스탬프의 낙하위치로감광막이 형성된 기판을 정렬시키는 정렬단계;상기 스탬프와 상기 기판을 접촉시키는 접촉단계;및 상기 챔버 내부로 가압가스를 주입시켜, 상기 기판에 접촉된 상기 스탬프를 가압하여 상기 감광막에 상기 미세패턴을 임프린트시키는 임프린트단계;를 포함한다.On the other hand, the method for forming a micropattern according to the present invention comprises the alignment step of aligning the stamp stamped with the micropattern carried into the chamber and the substrate on which the photosensitive film is formed in the drop position of the stamp; the contacting step of contacting the stamp and the substrate And an imprint step of injecting a pressurized gas into the chamber to pressurize the stamp in contact with the substrate to imprint the fine pattern on the photosensitive film.

상기 정렬단계는 상기 스탬프를 부착하는 스탬프 척의 기울기를 조절하여 상기 스탬프와 상기 기판 간 평편도를 조절하는 단계와, 상기 스탬프와 상기 기판에 각각 형성된 정렬마크를 촬영하여 상기 기판을 안착하고 있는 스테이지를 전후, 좌우로 구동시켜, 상기 스탬프와 상기 기판 간 정렬을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.The alignment step includes adjusting the inclination of the stamp chuck attaching the stamp to adjust the flatness between the stamp and the substrate, and photographing the alignment marks formed on the stamp and the substrate, respectively, to set the stage on which the substrate is seated. Driving back and forth, left and right, may include performing the alignment between the stamp and the substrate.

상기 접촉단계는 상기 감광막의 유연성을 확보하기 위해 상기 기판을 가열하는 단계를 포함할 수 있다. The contacting step may include heating the substrate to secure the flexibility of the photosensitive film.

상기 임프린트단계는 상기 미세패턴이 임프린트 된 상기 감광막에 자외선을 제공하여 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.The imprinting step may include curing ultraviolet rays by providing ultraviolet rays to the photoresist film having the fine pattern imprinted thereon.

상기 임프린트단계는 상기 미세패턴이 임프린트 된 상기 감광막을 냉각시켜 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.The imprinting step may include cooling and curing the photoresist film on which the micropattern is imprinted.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 미세패턴 형성장치에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a fine pattern forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 미세패턴 형성장치에 사용되는 스탬프와 감광막이 형성된 기판의 일부를 나타낸 확대 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 미세패턴 형성장치의 구성을 나타낸 개략도이다.1 is an enlarged cross-sectional view showing a portion of a substrate on which a stamp and a photosensitive film are used for the micropattern forming apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the micropattern forming apparatus according to the present invention.

도 1 내지 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 미세패턴 형성장치는 제1 챔버(100)와, 제2 챔버(200)로 구분되어 내부공간을 제공하는 챔버(300)가 구 비된다. 이러한 제1 챔버(100)는 제2 챔버(200)에 설치된 승강 스크류(410)와 승강 구동부(400)에 의해 지지되어 상하 승강 가능하게 설치된다. 1 to 2, the micropattern forming apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 300 that is divided into a first chamber 100 and a second chamber 200 to provide an internal space. do. The first chamber 100 is supported by the elevating screw 410 and the elevating drive unit 400 installed in the second chamber 200 to be installed up and down.

이러한 챔버(300) 외부에는 이송장치(미도시)가 구비되어, 감광막(12)이 형성된 기판(10)과, 미세패턴(22)이 각인된 스탬프(20)가 각각 반입된다.A transfer device (not shown) is provided outside the chamber 300, and the substrate 10 having the photoresist film 12 formed thereon and the stamp 20 having the fine pattern 22 engraved therein are respectively loaded.

한편, 제1 챔버(100) 내측에는 스탬프(20)를 부착하는 스탬프 척(110)이 설치된다. 이러한 스탬프 척(110)은 제1 챔버(100) 내벽에 고정된 지지바(121)에 의해 지지되는 척 플레이트(120)에 결합되어 고정된다. Meanwhile, the stamp chuck 110 attaching the stamp 20 is installed inside the first chamber 100. The stamp chuck 110 is coupled to and fixed to the chuck plate 120 supported by the support bar 121 fixed to the inner wall of the first chamber 100.

여기서, 척 플레이트(120) 테두리 주변부에는 척 플레이트(120)의 평편도 조정을 위한 리니어 엑츄에이터(미도시)가 설치될 수 있다. 이러한 리니어 엑츄에이터는 스탬프(20)와 기판(10)의 간격을 균일하게 유지시키며 스탬프(20)를 기판(10)에 접촉시키도록 척 플레이트(120)의 평편도 조정을 수행한다.Here, a linear actuator (not shown) for adjusting the flatness of the chuck plate 120 may be installed around the edge of the chuck plate 120. The linear actuator maintains a uniform gap between the stamp 20 and the substrate 10 and adjusts the flatness of the chuck plate 120 to bring the stamp 20 into contact with the substrate 10.

한편, 제2 챔버(200)의 내측에는 기판(10)을 지지하는 스테이지(210)가 설치된다. 이러한 스테이지(210)의 상단에는 챔버(300) 내부로 반입되는 기판(10)을 부착하기 위한 기판 척(220)이 설치된다.Meanwhile, a stage 210 for supporting the substrate 10 is installed inside the second chamber 200. The substrate chuck 220 for attaching the substrate 10 carried into the chamber 300 is installed at the upper end of the stage 210.

여기서, 스탬프 척(110)과 기판 척(220)은 척과 기판(또는 스탬프) 내에 전원을 인가하여 발생되는 정전력을 이용하여 기판(10) 및 스탬프(20)를 부착하는 정전척이 채용될 수 있으며, 다른 실시예로 스탬프(20) 및 기판(10)을 진공 흡착하는 진공척이 채용될 수 있다. Here, the stamp chuck 110 and the substrate chuck 220 may employ an electrostatic chuck which attaches the substrate 10 and the stamp 20 using electrostatic power generated by applying power to the chuck and the substrate (or stamp). In another embodiment, a vacuum chuck for vacuum sucking the stamp 20 and the substrate 10 may be employed.

그리고 스테이지(210)의 테두리 주변부에는 얼라이너(aliner;미도시)가 설치될 수 있다. 이러한 얼라이너는 후술할 카메라(140)와 조명장치(260)를 이용한 스 탬프(20)와 기판(10)의 정렬에 따라 스테이지(210)를 전후, 좌우로 조절함으로써 스탬프(20)와 기판(10)간 정렬을 수행하게 된다.An aligner (not shown) may be installed around the edge of the stage 210. The aligner may adjust the stage 210 to the front and rear, left and right according to the alignment of the stamp 20 and the substrate 10 using the camera 140 and the lighting device 260 which will be described later, the stamp 20 and the substrate 10. Sorting will occur.

또한, 스테이지(210)에는 가열기(240)와 냉각기(230)가 설치된다. 가열기(240)는 기판(10)을 가열하여 기판(10)의 감광막(12)의 유연성을 확보하여, 스탬프(20)에 각인된 미세패턴(22)이 감광막(12)에 원활히 임프린트 되도록 한다.In addition, the stage 210 is provided with a heater 240 and a cooler 230. The heater 240 heats the substrate 10 to secure the flexibility of the photosensitive film 12 of the substrate 10 so that the fine pattern 22 stamped on the stamp 20 can be imprinted on the photosensitive film 12 smoothly.

그리고 냉각기(230)는 미세패턴(22)이 임프린트 된 감광막(12)을 냉각시켜 경화시킨다.The cooler 230 cools and hardens the photosensitive film 12 having the fine pattern 22 imprinted thereon.

한편, 제1 챔버(100)의 상측에는 스탬프 척(110)에 부착되어 있는 스탬프(20)를 스탬프 척(110)으로부터 분리시키기 위한 동력을 제공하는 분리 구동부(130)와, 제1 챔버(100)와 스탬프 척(110)을 관통하여 승강 되는 분리 핀(131)이 구비된다. On the other hand, the upper side of the first chamber 100, the separation driver 130 for providing power for separating the stamp 20 attached to the stamp chuck 110 from the stamp chuck 110 and the first chamber 100 ) And a separation pin 131 which is lifted and penetrated through the stamp chuck 110.

여기서, 상술한 승강 구동부(400)는 스탬프(20)를 기판(10)에 근접시키기 위해서 승강 스크류(410)를 하강시키게 된다. 따라서, 승강 스크류(410)에 지지되는 제1 챔버(100)는 하강하게 되며, 스탬프(20)는 기판(10)에 근접하게 된다.Here, the above-mentioned lifting driver 400 lowers the lifting screw 410 to bring the stamp 20 closer to the substrate 10. Therefore, the first chamber 100 supported by the lifting screw 410 is lowered, and the stamp 20 is close to the substrate 10.

이때, 스탬프 척(110)으로부터 스탬프(20)를 기판(10)에 접촉시키기 위해 스탬프 척(110)에 인가된 전원을 차단하며, 분리 구동부(130)는 분리 핀(131)을 하강시켜 스탬프(20)를 스탬프 척(110)으로부터의 분리를 수행한다. At this time, the power applied to the stamp chuck 110 is cut off from the stamp chuck 110 to contact the substrate 10, and the separation driver 130 lowers the separation pin 131 to form a stamp ( 20 performs separation from the stamp chuck 110.

한편, 제2 챔버(200)의 하측에는 챔버(300) 내부로 반입되는 기판(10)을 기판 척(220)으로 안내하기 위한 리프트 구동부(250)와, 제2 챔버(200)와 기판 척(220)을 관통하여 승강되는 리프트 핀(251)이 구비된다. 이러한 리프트 구동 부(250)와 리프트 핀(251)은 미세패턴 형성공정이 완료되면 기판(10)을 배출하기 위해 기판(10)을 기판 척(220)으로부터 상승시키게 된다.Meanwhile, a lift driver 250 for guiding the substrate 10 carried into the chamber 300 to the substrate chuck 220 is disposed below the second chamber 200, the second chamber 200, and the substrate chuck ( The lift pin 251 is provided to be elevated through the 220. The lift driver 250 and the lift pin 251 raise the substrate 10 from the substrate chuck 220 to discharge the substrate 10 when the fine pattern forming process is completed.

그리고, 제1 챔버(100)의 상측에는 스탬프(20)와 기판(10) 간 정렬을 위한 다수개의 카메라(140)와, 제1 챔버(100)와 스탬프 척(110)을 상하로 관통하는 촬영홀(141)이 구비된다. 또한, 제2 챔버(200)의 하측에는 제1 챔버(100)의 카메라(140)와 대항하여, 카메라 촬영에 조명을 제공하기 위한 조명장치(260)와, 제2 챔버(200)와 기판 척(220)을 관통되는 조명홀(261)이 형성된다.In addition, a plurality of cameras 140 for aligning the stamp 20 and the substrate 10 and the first chamber 100 and the stamp chuck 110 penetrate up and down on the upper side of the first chamber 100. The hole 141 is provided. In addition, the lower side of the second chamber 200, against the camera 140 of the first chamber 100, an illumination device 260 for providing illumination for camera shooting, the second chamber 200 and the substrate chuck An illumination hole 261 penetrating through the 220 is formed.

이러한 촬영홀(141)과 조명홀(261)은 서로 연통하여 스탬프(20)와 기판(10)에 형성된 얼라인 마크를 카메라(140)가 촬영할 수 있도록 한다.The photographing hole 141 and the lighting hole 261 communicate with each other to allow the camera 140 to photograph the alignment mark formed on the stamp 20 and the substrate 10.

이와 같은 카메라(140)와, 조명장치(260)는 상술한 리니어 엑츄에이터와, 얼라이너와 함께 스탬프(20)와 기판(10) 간 정렬을 위한 정렬부(150)를 구성한다. The camera 140 and the lighting device 260 together with the linear actuator and the aligner constitute an alignment unit 150 for aligning the stamp 20 and the substrate 10.

한편, 제2 챔버(200) 외부에는 챔버(300) 내 진공분위기를 형성하며, 기판(10)에 접촉된 스탬프(20)를 가압하기 위한 가압가스를 주입시키는 펌프(500)가 구비된다. Meanwhile, a pump 500 is formed outside the second chamber 200 to form a vacuum atmosphere in the chamber 300 and to inject a pressurized gas for pressurizing the stamp 20 in contact with the substrate 10.

여기서, 상술한 바와 같이 승강 구동부(400)는 스탬프(20)를 기판(10)에 근접시키기 위해서 승강 스크류(410)를 하강시키게 된다. 이때, 제1 챔버(100)가 제2 챔버(200)로 하강하여 챔버(300) 내부는 밀폐되며, 스탬프(20)를 기판(10)에 자유낙하 시키기 위해 펌프(500)는 챔버(300) 내 공기를 챔버(300) 외부로 배기시켜 챔버(300) 내부를 진공분위기로 형성한다. Here, as described above, the elevating driver 400 lowers the elevating screw 410 to bring the stamp 20 close to the substrate 10. At this time, the first chamber 100 is lowered to the second chamber 200 is sealed inside the chamber 300, the pump 500 to freely drop the stamp 20 on the substrate 10, the chamber 300 The air inside the chamber 300 is exhausted to form the inside of the chamber 300 in a vacuum atmosphere.

그리고, 스탬프(20)가 기판(10)에 접촉되면 펌프(500)는 스탬프(20)를 가압 하기 위해 챔버(300) 외부로부터 가압가스를 챔버(300) 내부로 주입시킨다. 이때 챔버(300) 내부로 주입되는 공정가스로는 질소(N2), 헬륨(He), 아르곤(Ar) 등이 사용될 수 있다.When the stamp 20 is in contact with the substrate 10, the pump 500 injects pressurized gas from the outside of the chamber 300 into the chamber 300 to pressurize the stamp 20. In this case, nitrogen (N 2 ), helium (He), argon (Ar), or the like may be used as the process gas injected into the chamber 300.

한편, 제1 챔버(100)의 상부에는 미세패턴(22)이 임프린트 된 기판(10)의 감광막(12)을 경화시키기 위한 자외선을 제공하는 자외선 램프(600)가 구비된다. 따라서, 제1 챔버(100)의 상부면에는 자외선 램프(600)로부터 제공되는 자외선이 투과될 수 있도록 투과창(610)이 설치 될 수 있을 것이다.Meanwhile, an ultraviolet lamp 600 is provided above the first chamber 100 to provide ultraviolet light for curing the photosensitive film 12 of the substrate 10 on which the micropattern 22 is imprinted. Therefore, the transmission window 610 may be installed on the upper surface of the first chamber 100 so that ultraviolet rays provided from the ultraviolet lamp 600 may be transmitted.

여기서, 본 발명에 따른 미세패턴 형성장치는 상술한 바와 같이 스테이지(210) 내부에 가열기(240)와 냉각기(230)를 설치하며, 제1 챔버(100) 상부에 자외선 램프(600)를 구비한다. Here, the fine pattern forming apparatus according to the present invention, as described above, the heater 240 and the cooler 230 are installed in the stage 210, and the ultraviolet lamp 600 is provided on the first chamber 100. .

따라서, 본 발명에 따른 미세패턴 형성장치는 기판(10)의 감광막(12)의 소재에 따라 열 경화 방식과 자외선 경화 방식 중 선택하여 수행할 수 있다. 이때, 자외선 경화 방식을 사용 할 때, 스탬프(20)의 소재는 자외선을 투과할 수 있는 재질을 사용하는 것이 바람직하다.Therefore, the apparatus for forming a micropattern according to the present invention may be performed by selecting one of a thermal curing method and an ultraviolet curing method according to the material of the photosensitive film 12 of the substrate 10. At this time, when using the ultraviolet curing method, the material of the stamp 20 is preferably used a material that can transmit ultraviolet rays.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 미세패턴 형성장치의 작동에 대해 상세하게 설명하도록 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the operation of the micropattern forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 따른 미세패턴 형성장치의 미세패턴 형성동작을 나타낸 작동도이고, 도 4는 본 발명에 따른 미세패턴 형성방법을 나타낸 순서도이다.3A to 3E are operation diagrams illustrating a micropattern forming operation of the micropattern forming apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is a flowchart illustrating a micropattern forming method according to the present invention.

도 3a 내지 도 4를 참조하면, 우선 이송장치에 의해 감광막(12)이 형성된 기판(10)과, 기판(10)의 감광막(12)에 임프린트 시킬 미세패턴(22)이 각인된 스탬프(20)가 챔버(300) 내부로 반입된다.Referring to FIGS. 3A through 4, first, a stamp 20 having a substrate 10 having a photosensitive film 12 formed thereon by a transfer device and a fine pattern 22 to be imprinted on the photosensitive film 12 of the substrate 10 is stamped. Is brought into the chamber 300.

챔버(300) 내부로 반입된 스탬프(20)는 제1 챔버(100)에 설치된 스탬프 척(110)에 의해 부착되며, 기판(10)은 제2 챔버(200)에 설치된 스테이지(210)의 기판 척(220)에 안착된다.(도 3a 참조.)The stamp 20 carried into the chamber 300 is attached by a stamp chuck 110 installed in the first chamber 100, and the substrate 10 is a substrate of the stage 210 installed in the second chamber 200. It is seated on the chuck 220 (see FIG. 3A).

스테이지(210)에 설치된 가열기(240)는 기판(10)의 감광막(12)의 유연성을 확보하기 위해, 스테이지(210)에 안착된 기판(10)을 가열한다. The heater 240 installed in the stage 210 heats the substrate 10 seated on the stage 210 in order to secure the flexibility of the photosensitive film 12 of the substrate 10.

이와 같이 스탬프(20)와 기판(10)이 스탬프 척(110)과 기판 척(220)에 각각 부착되면, 승강 구동부(400)는 승강 스크류(410)를 하강시키며, 제1 챔버(100)를 하강시킨다.As such, when the stamp 20 and the substrate 10 are attached to the stamp chuck 110 and the substrate chuck 220, respectively, the lift driver 400 lowers the lift screw 410 and lifts the first chamber 100. Lower

이때, 척 플레이트(120)의 테두리 주변부에 설치된 리니어 엑츄에이터는 척 플레이트(120)의 평편도를 조정하여, 기판(10)에 대한 스탬프(20)의 평편도 조정을 수행한다. 또한, 제1 챔버(100)의 상측에 설치된 카메라(140)와, 제2 챔버(200)의 하측에 설치된 조명장치(260)는 스탬프(20)와 기판(10)의 얼라인 마크를 촬영하며, 스테이지(210)의 테두리 주변부에 설치된 얼라이너는 스탬프(20)와 기판(10) 간 정렬을 수행한다(S11).At this time, the linear actuator installed around the rim of the chuck plate 120 adjusts the flatness of the chuck plate 120 to adjust the flatness of the stamp 20 with respect to the substrate 10. In addition, the camera 140 installed above the first chamber 100 and the illumination device 260 installed below the second chamber 200 capture the alignment marks of the stamp 20 and the substrate 10. The aligner installed around the edge of the stage 210 performs alignment between the stamp 20 and the substrate 10 (S11).

이와 같이 스탬프(20)와 기판(10) 간 정렬을 거치며 제1 챔버(100)가 제2 챔버(200)로 하강되어 챔버(300) 내부는 밀폐되며, 스탬프(20)는 기판(10)에 근접하게 된다.As such, the first chamber 100 is lowered to the second chamber 200 while the stamp 20 and the substrate 10 are aligned, and the inside of the chamber 300 is sealed, and the stamp 20 is attached to the substrate 10. Close.

이때 펌프(500)는 스탬프 척(110)에 부착된 스탬프(20)의 자유낙하를 위해 챔버(300) 내부 공기를 배기시켜 챔버(300) 내 진공분위기를 형성한다.(도 3b 참조.) At this time, the pump 500 exhausts the air in the chamber 300 to freely drop the stamp 20 attached to the stamp chuck 110 to form a vacuum atmosphere in the chamber 300 (see FIG. 3B).

챔버(300) 내부의 진공분위기가 형성되면, 스탬프 척(110)에 공급되는 전원을 차단하며, 분리 구동부(130)는 분리 핀(131)을 하강시켜 스탬프(20)를 기판(10)에 접촉시킨다(S12).When the vacuum atmosphere inside the chamber 300 is formed, the power supplied to the stamp chuck 110 is cut off, and the separation driving unit 130 lowers the separation pin 131 to contact the stamp 20 with the substrate 10. (S12).

이때 펌프(500)는 진공분위기의 챔버(300) 내부로 가압가스를 주입시키게 된다. 챔버(300) 내로 주입된 가압가스는 스탬프(20)를 가압하여 기판(10)의 감광막(12)에 미세패턴(22)을 임프린트 하게 된다(S13).(도 3c 참조.)At this time, the pump 500 injects the pressurized gas into the chamber 300 of the vacuum atmosphere. The pressurized gas injected into the chamber 300 pressurizes the stamp 20 to imprint the fine pattern 22 on the photosensitive film 12 of the substrate 10 (see FIG. 3C).

이와 같이 기구적 가압이 아닌 가압가스에 의해 균일한 압력으로 스탬프(20)를 가압하므로, 스탬프(20)를 가압하는 가압력을 균일하게 적용시켜, 기판(10)에 형성되는 미세패턴(22)의 안정성을 확보할 수 있다.As such, since the stamp 20 is pressurized by a uniform pressure instead of mechanical pressure, the pressing force for pressurizing the stamp 20 is uniformly applied to the micro pattern 22 formed on the substrate 10. Stability can be secured.

다음으로, 감광막(12)에 미세패턴(22)이 임프린트 되면, 승강 구동부(400)는 승강 스크류(410)를 작동시켜 제1 챔버(100)를 상승시키며 챔버(300) 내부가 개방된다.Next, when the fine pattern 22 is imprinted on the photoresist film 12, the lift driver 400 operates the lift screw 410 to raise the first chamber 100 and open the inside of the chamber 300.

챔버(300) 내부가 개방되면, 감광막(12)의 소재에 따라(S16) 제1 챔버(100) 상부에 구비된 자외선 램프(600)로부터 자외선이 조사되어 감광막(12)이 경화되거나, 스테이지(210)에 구비된 냉각기(230)에 의해 감광막(12)이 경화된다.(도 3d 참조.)When the inside of the chamber 300 is opened, ultraviolet rays are irradiated from the ultraviolet lamp 600 provided on the first chamber 100 according to the material of the photosensitive film 12 (S16) to cure the photosensitive film 12, or The photosensitive film 12 is cured by the cooler 230 provided at 210. (See FIG. 3D.)

감광막(12)이 경화되면, 제1 챔버(100)에 설치된 스탬프 척(110)은 스탬 프(20)를 부착시켜 감광막(12)으로부터 스탬프(20)를 분리한다.(도 3e 참조.)When the photosensitive film 12 is cured, the stamp chuck 110 installed in the first chamber 100 attaches a stamp 20 to separate the stamp 20 from the photosensitive film 12 (see FIG. 3E).

기판(10)으로부터 스탬프(20)가 분리되면, 리프트 구동부(250)는 리프트 핀(251)을 구동시켜 미세패턴(22)이 임프린트 된 기판(10)은 이송장치에 의해 외부로 반출되며, 미세패턴 형성공정이 마무리 된다.When the stamp 20 is separated from the substrate 10, the lift driver 250 drives the lift pin 251 so that the substrate 10 imprinted with the fine pattern 22 is carried out to the outside by the transfer device. The pattern forming process is completed.

본 발명에 따른 미세패턴 형성장치 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법은 스탬프를 가압하는 가압력을 균일하게 적용시켜, 기판에 형성되는 미세패턴의 안정성을 확보하며, 작업효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다. The micropattern forming apparatus and the micropattern forming method using the same according to the present invention have an effect of uniformly applying the pressing force to press the stamp, ensuring the stability of the micropattern formed on the substrate and increasing the working efficiency.

Claims (13)

소정의 처리공간을 제공하는 챔버;A chamber providing a predetermined processing space; 상기 처리공간의 일측에 구비되며, 미세패턴이 각인된 스탬프를 부착하는 스탬프 척;A stamp chuck provided at one side of the processing space and attaching a stamp with a fine pattern imprinted thereon; 상기 처리공간의 타측에 상기 스탬프가 낙하하는 위치에 구비되며, 감광막이 형성된 기판을 지지하는 스테이지;및A stage provided at a position at which the stamp falls on the other side of the processing space and supporting a substrate on which a photosensitive film is formed; and 상기 스탬프가 상기 스탬프 척으로부터 낙하되어 상기 기판에 접촉되면, 상기 스탬프를 가압하여 상기 감광막에 상기 미세패턴을 임프린트(imprint)시키는 가압가스를 상기 챔버 내부로 주입시키는 펌프;를 구비하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성장치.And a pump that pressurizes the stamp and injects pressurized gas into the chamber to imprint the micropattern on the photosensitive film when the stamp falls from the stamp chuck and contacts the substrate. Fine pattern forming device. 제1 항에 있어서, 상기 스테이지에는 상기 기판을 부착하기 위한 기판 척이 구비되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성장치.The apparatus of claim 1, wherein the stage is provided with a substrate chuck for attaching the substrate. 제2 항에 있어서, 상기 스탬프 척 및 상기 기판 척은 정전력을 이용하여 상기 스탬프 및 상기 기판을 부착하는 정전척인 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성장치.The apparatus of claim 2, wherein the stamp chuck and the substrate chuck are electrostatic chucks attaching the stamp and the substrate using electrostatic force. 제2 항에 있어서, 상기 스탬프 척 및 상기 기판 척은 상기 스탬프 및 상기 기판을 진공 흡착하는 진공척인 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성장치.The apparatus of claim 2, wherein the stamp chuck and the substrate chuck are vacuum chucks for vacuum sucking the stamp and the substrate. 제1 항에 있어서, 상기 스테이지에는 상기 기판을 가열하는 가열기가 구비되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성장치.The apparatus of claim 1, wherein the stage is provided with a heater for heating the substrate. 제1 항에 있어서, 상기 챔버에는 자외선을 제공하는 자외선 램프가 구비되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성장치.The apparatus of claim 1, wherein the chamber is provided with an ultraviolet lamp for providing ultraviolet light. 제1 항에 있어서, 상기 스테이지에는 냉각기가 구비되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성장치.The apparatus of claim 1, wherein a cooler is provided in the stage. 제1 항에 있어서, 상기 챔버에는 상기 스탬프와 상기 기판 간 정렬을 수행하 는 정렬부가 구비되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성장치.The apparatus of claim 1, wherein the chamber is provided with an alignment unit for performing alignment between the stamp and the substrate. 챔버 내부로 반입된 미세패턴이 각인된 스탬프와, 상기 스탬프의 낙하위치로감광막이 형성된 기판을 정렬시키는 정렬단계;An alignment step of aligning a stamp having a fine pattern carried into the chamber and a substrate on which a photosensitive film is formed at a drop position of the stamp; 상기 스탬프와 상기 기판을 접촉시키는 접촉단계;및Contacting the stamp with the substrate; and 상기 챔버 내부로 가압가스를 주입시켜, 상기 기판에 접촉된 상기 스탬프를 가압하여 상기 감광막에 상기 미세패턴을 임프린트시키는 임프린트단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.And imprinting the impregnated gas into the chamber to pressurize the stamp in contact with the substrate to imprint the fine pattern on the photosensitive film. 제9 항에 있어서, 상기 정렬단계는 상기 스탬프를 부착하는 스탬프 척의 기울기를 조절하여 상기 스탬프와 상기 기판 간 평편도를 조절하는 단계와, The method of claim 9, wherein the aligning step comprises adjusting the inclination of the stamp chuck attaching the stamp to adjust the flatness between the stamp and the substrate, 상기 스탬프와 상기 기판에 각각 형성된 정렬마크를 촬영하여 상기 기판을 안착하고 있는 스테이지를 전후, 좌우로 구동시켜, 상기 스탬프와 상기 기판 간 정렬을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.Photographing the alignment marks formed on the stamp and the substrate, respectively, and driving the stage seating the substrate back and forth, left and right, to perform alignment between the stamp and the substrate. . 제9 항에 있어서, 상기 접촉단계는 상기 감광막의 유연성을 확보하기 위해 상기 기판을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법. The method of claim 9, wherein the contacting step comprises heating the substrate to secure the flexibility of the photosensitive film. 제9 항에 있어서, 상기 임프린트단계는 상기 미세패턴이 임프린트 된 상기 감광막에 자외선을 제공하여 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미새페턴 형성방법. 10. The method according to claim 9, wherein the imprinting step comprises providing the ultraviolet light to the photoresist film on which the fine pattern is imprinted, and forming a micelle. 제9 항에 있어서, 상기 임프린트단계는 상기 미세패턴이 임프린트 된 상기 감광막을 냉각시켜 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성장치.The apparatus of claim 9, wherein the imprinting comprises cooling and curing the photosensitive film on which the micropattern is imprinted.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100982672B1 (en) * 2008-07-19 2010-09-16 엘아이지에이디피 주식회사 Fine pattern forming apparatus and fine pattern forming method using the same
KR100982674B1 (en) * 2008-07-19 2010-09-16 엘아이지에이디피 주식회사 Fine pattern forming apparatus and fine pattern forming method using the same
KR20110011182A (en) * 2009-07-28 2011-02-08 엘지디스플레이 주식회사 Pattern forming method of flat panel display device and pattern forming equipment using same
KR101016163B1 (en) * 2009-05-15 2011-02-17 에프씨산업 주식회사 Bonder of dye-sensitized solar cell and control method
KR101025316B1 (en) * 2010-05-27 2011-03-31 국민대학교산학협력단 Imprint device
KR101027469B1 (en) * 2008-08-20 2011-04-06 엘아이지에이디피 주식회사 Sealing device for hermetically sealed chamber, hermetically sealed chamber assembly and imprint chamber assembly, and imprint method using same
WO2011149194A3 (en) * 2010-05-27 2012-03-01 에이피시스템 주식회사 Imprint device and method for imprinting using same
KR101129770B1 (en) * 2008-09-26 2012-03-23 가부시끼가이샤 도시바 Imprint method
KR200469836Y1 (en) * 2009-04-17 2013-11-14 주식회사 디엠에스 Imprint device
KR101501263B1 (en) * 2012-05-18 2015-03-12 주식회사 휴템 Imprint apparatus unsing fluid pressure, imprint method using thereof
TWI573685B (en) * 2011-03-09 2017-03-11 富士軟片股份有限公司 Nano imprinting method and nano imprinting apparatus using same
NL2023022B1 (en) * 2019-04-29 2020-11-05 Suss Microtec Lithography Gmbh Replication device and method for reproducing a structure on a substrate

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030097735A (en) * 2003-11-19 2003-12-31 엔엔디 주식회사 Imprinting device and imprinting substrate holding device
US7383769B2 (en) 2005-02-24 2008-06-10 Intel Corporation System and method for vacuum generated imprinting
KR100717971B1 (en) * 2005-04-29 2007-05-14 주식회사 에이디피엔지니어링 Pattern imprint device
KR100602176B1 (en) * 2005-06-07 2006-07-19 (주)화진인더스트리 Nano Imprinting Device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100982672B1 (en) * 2008-07-19 2010-09-16 엘아이지에이디피 주식회사 Fine pattern forming apparatus and fine pattern forming method using the same
KR100982674B1 (en) * 2008-07-19 2010-09-16 엘아이지에이디피 주식회사 Fine pattern forming apparatus and fine pattern forming method using the same
KR101027469B1 (en) * 2008-08-20 2011-04-06 엘아이지에이디피 주식회사 Sealing device for hermetically sealed chamber, hermetically sealed chamber assembly and imprint chamber assembly, and imprint method using same
KR101129770B1 (en) * 2008-09-26 2012-03-23 가부시끼가이샤 도시바 Imprint method
KR200469836Y1 (en) * 2009-04-17 2013-11-14 주식회사 디엠에스 Imprint device
KR101016163B1 (en) * 2009-05-15 2011-02-17 에프씨산업 주식회사 Bonder of dye-sensitized solar cell and control method
KR20110011182A (en) * 2009-07-28 2011-02-08 엘지디스플레이 주식회사 Pattern forming method of flat panel display device and pattern forming equipment using same
KR101025316B1 (en) * 2010-05-27 2011-03-31 국민대학교산학협력단 Imprint device
WO2011149194A3 (en) * 2010-05-27 2012-03-01 에이피시스템 주식회사 Imprint device and method for imprinting using same
TWI573685B (en) * 2011-03-09 2017-03-11 富士軟片股份有限公司 Nano imprinting method and nano imprinting apparatus using same
KR101501263B1 (en) * 2012-05-18 2015-03-12 주식회사 휴템 Imprint apparatus unsing fluid pressure, imprint method using thereof
NL2023022B1 (en) * 2019-04-29 2020-11-05 Suss Microtec Lithography Gmbh Replication device and method for reproducing a structure on a substrate

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