KR20070080536A - Chemical Vapor Deposition Equipment for Flat Panel Displays - Google Patents

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KR20070080536A KR1020060045492A KR20060045492A KR20070080536A KR 20070080536 A KR20070080536 A KR 20070080536A KR 1020060045492 A KR1020060045492 A KR 1020060045492A KR 20060045492 A KR20060045492 A KR 20060045492A KR 20070080536 A KR20070080536 A KR 20070080536A
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Abstract

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치가 개시된다. 본 발명의 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 증착 공정이 진행되는 챔버의 내부에 마련되며, 상면으로 평면디스플레이가 로딩(Loading)되는 서셉터; 서셉터를 지지하는 서셉터지지대; 서셉터지지대에 결합되어 서셉터지지대를 승강시키는 승강모듈; 및 승강모듈에 대해 서셉터지지대의 높이를 독립적으로 조절하는 높이조절부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 서셉터지지대의 높이를 독립적으로 조절할 수 있도록 함으로써 서셉터의 수평여부, 가스분배판과 서셉터 사이의 간격을 용이하게 조정할 수 있어 초기 공정값 조절에 소요되는 시간을 종래보다 줄일 수 있으며, 잘못된 방향으로 공정이 진행되어 평면디스플레이에 증착 불량이 발생하는 것을 미연에 예방할 수 있다.A chemical vapor deposition apparatus for planar displays is disclosed. Chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display of the present invention, the susceptor is provided in the chamber in which the deposition process is carried out, the flat display is loaded (Uploading) to the upper surface; A susceptor support for supporting the susceptor; A lift module coupled to the susceptor support to lift the susceptor support; And it characterized in that it comprises a height adjusting unit for independently adjusting the height of the susceptor support for the lifting module. According to the present invention, by allowing the height of the susceptor support to be adjusted independently, it is possible to easily adjust the horizontality of the susceptor, the distance between the gas distribution plate and the susceptor to reduce the time required to adjust the initial process value than conventional The process may be performed in the wrong direction to prevent deposition defects on the flat panel display.

Description

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치{Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display}Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Displays {Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display}

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다.1 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 증착장치에서 서셉터지지의 배치구조를 도시한 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating an arrangement of susceptor support in the deposition apparatus illustrated in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 센터봉 영역의 확대도이다.3 is an enlarged view of the center rod region shown in FIG. 1.

도 4는 도 1의 요부 확대 사시도이다.4 is an enlarged perspective view of main parts of FIG. 1.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다.5 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a second embodiment of the present invention.

도 6 및 도 7은 각각 서셉터지지대의 승강 동작을 도시한 도면이다.6 and 7 are diagrams showing the lifting operation of the susceptor support, respectively.

도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 높이조절부 영역을 도시한 도면이다.FIG. 8 is a view showing a height adjusting area in a chemical vapor deposition apparatus for a flat display according to a third embodiment of the present invention.

도 9는 도 8에 도시된 높이조절부에 의해 서셉터지지대가 상승한 상태의 도면이다.9 is a view of the susceptor support is raised by the height adjustment unit shown in FIG.

도 10은 본 발명의 제4실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 높이조절부 영역을 도시한 도면이다.FIG. 10 is a view illustrating a height adjusting unit region in a chemical vapor deposition apparatus for a flat display according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

도 11은 도 10에 도시된 높이조절부에 의해 서셉터지지대가 상승한 상태의 도면이다.11 is a view of the susceptor support is raised by the height adjustment unit shown in FIG.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 챔버 16 : 전극10 chamber 16 electrode

17 : 가스분배판 26 : 절연체17 gas distribution plate 26 insulator

30 : 서셉터 31 : 기판로딩부30: susceptor 31: substrate loading portion

38 : 리프트 핀 40 : 서셉터지지대38: lift pin 40: susceptor support

41 : 머리부 42 : 축부41: head 42: shaft

50,55,60,60a : 높이조절부 62 : 홀더50, 55, 60, 60a: height adjustment 62: holder

63 : 홈부 64 : 레벨러63: groove 64: leveler

65 : 머리부 66 : 축부65: head 66: shaft

68 : 회전조작로드 69 : 베어링68: rotating operation rod 69: bearing

70 : 회전저지부70: rotating stop

본 발명은, 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 서셉터지지대의 높이를 독립적으로 조절할 수 있도록 함으로써 서셉터의 수평여부, 가스분배판과 서셉터 사이의 간격을 용이하게 조정할 수 있어 초기 공정값 조절에 소요되는 시간을 종래보다 줄일 수 있으며, 잘못된 방향으로 공정이 진 행되어 평면디스플레이에 증착 불량이 발생하는 것을 미연에 예방할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, and more particularly, it is possible to easily adjust the height of the susceptor support to facilitate the horizontality of the susceptor, the gap between the gas distribution plate and the susceptor. The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for planar displays, which can reduce the time required for initial process value adjustment and can prevent the deposition failure in the flat display due to the process being carried out in the wrong direction. .

평면디스플레이는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 채용된다.Flat panel displays are widely used in personal handheld terminals, as well as in TVs and computers.

이러한 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 그 종류가 다양하다.Such flat displays include liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), and organic light emitting diodes (OLEDs).

이들 중에서도 특히, LCD(Liquid Crystal Display)는 2장의 얇은 상하 유리기판 사이에 고체와 액체의 중간물질인 액정을 주입하고, 상하 유리기판의 전극 전압차로 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 일종의 광스위치 현상을 이용한 소자이다.Among them, liquid crystal display (LCD) injects a liquid crystal, which is an intermediate between solid and liquid, between two thin upper and lower glass substrates, and generates light and shade by changing the arrangement of liquid crystal molecules by the electrode voltage difference between the upper and lower glass substrates. It is a device using a kind of optical switch phenomenon to display an image.

LCD는 현재, 전자시계를 비롯하여, 전자계산기, TV, 노트북 PC 등 전자제품에서 자동차, 항공기의 속도표시판 및 운행시스템 등에 이르기까지 폭넓게 사용되고 있다.LCDs are now widely used in electronic clocks, electronic calculators, TVs, notebook PCs, electronic products, automobiles, aircraft speed displays and driving systems.

종전만 하더라도 LCD TV는 20 인치 내지 30 인치 정도의 크기를 가지며, 모니터는 17 인치 이하의 크기를 갖는 것이 주류였다. 하지만, 근자에 들어서는 40 인치 이상의 대형 TV와 20 인치 이상의 대형 모니터에 대한 선호도가 높아지고 있다.Previously, LCD TVs have a size of about 20 to 30 inches, and monitors have a mainstream size of 17 inches or less. In recent years, however, the preference for large TVs of 40 inches or larger and large monitors of 20 inches or larger has increased.

따라서 LCD를 제조하는 제조사의 경우, 보다 넓은 유리기판을 제작하기에 이르렀다. 현재에는 가로/세로의 폭이 1950 X 2250 ㎜ 이거나 1870 X 2200 ㎜인 7세대, 혹은 2160 X 2460 ㎜ 이상인 8세대까지 유리기판의 크기를 증가시키는 연구가 진행되고 있다.Therefore, manufacturers of LCDs have come to produce wider glass substrates. Currently, research is being conducted to increase the size of glass substrates to the 7th generation having a width of 1950 X 2250 mm, the 1870 X 2200 mm, or the 8th generation of 2160 X 2460 mm or more.

LCD는 증착(Deposition), 사진식각(Photo lithography), 식각(Etching), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT 공정, 상하 유리기판을 합착하는 Cell 공정, 그리고 기구물을 완성하는 Module 공정을 통해 제품으로 출시된다.LCD is a TFT process in which processes such as deposition, photo lithography, etching, chemical vapor deposition, etc. are repeatedly performed, a cell process for bonding upper and lower glass substrates, and an apparatus It is released as a product through the completed module process.

한편, 수많은 공정 중의 하나인 화학 기상 증착공정(Chemical Vapor Deposition Process)은, 외부의 고주파 전원에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 화합물 이온(ion)이 전극을 통해 가스분배판으로부터 분출되어 유리기판 상에 증착되는 공정이다. 이러한 공정은, 화학 기상 증착공정을 수행하는 챔버 내에서 이루어진다.On the other hand, the chemical vapor deposition process, one of many processes, is plasma-formed by an external high frequency power source, and silicon-based compound ions having high energy are ejected from the gas distribution plate through the electrodes. It is a process to be deposited on a glass substrate. This process takes place in a chamber that performs a chemical vapor deposition process.

자세히 후술하겠지만, 화학 기상 증착공정을 수행하는 챔버 내의 하부 영역에는 증착 대상의 유리기판이 로딩되는 서셉터가 마련되어 있고, 그 상부 영역에 전극과 가스분배판이 배치되어 있다.As will be described in detail later, a susceptor for loading a glass substrate to be deposited is provided in a lower region of the chamber in which the chemical vapor deposition process is performed, and an electrode and a gas distribution plate are disposed in the upper region.

전술한 바와 같이, 7세대 혹은 8세대 하에서의 유리기판은 그 무게가 무겁고 크기가 상대적으로 큰 대형 유리기판이므로, 대형 유리기판이 서셉터에 올려지면 서셉터를 비롯하여 유리기판에 처짐이 발생하기 쉽다.As described above, since the glass substrate under the 7th generation or the 8th generation is a large glass substrate having a heavy weight and a relatively large size, when the large glass substrate is placed on the susceptor, sagging on the susceptor and the glass substrate is likely to occur.

따라서 보통은 서셉터의 하면에 수개의 서셉터지지대를 받쳐두어 대형 유리기판의 중량으로 인해 서셉터와 대형 유리기판이 처지는 것을 방지하고 있다.Therefore, usually, several susceptor supports are supported on the lower surface of the susceptor to prevent the susceptor and the large glass substrate from sagging due to the weight of the large glass substrate.

이러한 구성에 의해, 서셉터의 상면으로 유리기판이 로딩되면 서셉터가 대략 400℃ 정도의 온도로 가열된다. 이후, 승강아암을 통해 서셉터가 서셉터지지대와 함께 상승하게 되어 유리기판은 전극의 하부에 위치한 가스분배판으로 인접하게 배치된다.With this configuration, when the glass substrate is loaded on the upper surface of the susceptor, the susceptor is heated to a temperature of about 400 ° C. Thereafter, the susceptor is raised together with the susceptor support through the lifting arm so that the glass substrate is disposed adjacent to the gas distribution plate located below the electrode.

그런 다음, 절연체인 테프론에 의해 챔버로부터 절연된 전극을 통해 전원이 인가된다. 이어 수많은 오리피스가 형성된 가스분배판을 통해 실리콘계 화합물 이온이 분출되면서 유리기판의 증착 공정이 수행된다.Then, power is applied through an electrode insulated from the chamber by Teflon, which is an insulator. Subsequently, silicon-based compound ions are ejected through the gas distribution plate in which a large number of orifices are formed, and the deposition process of the glass substrate is performed.

한편, 서셉터의 수평여부, 가스분배판과 서셉터 사이의 간격은 공정의 균일도에 지대한 영향을 미친다. 따라서 챔버의 조립시에는 서셉터의 수평여부, 가스분배판과 서셉터 사이의 간격을 정밀하게 맞추는 작업을 선행한다.On the other hand, whether or not the susceptor is horizontal, the gap between the gas distribution plate and the susceptor has a great influence on the uniformity of the process. Therefore, when assembling the chamber, the operation of precisely adjusting the gap between the susceptor and the gas distribution plate and the susceptor is preceded.

하지만 이처럼 정밀하게 챔버를 조립했다 하더라도 챔버를 통해서 공정이 반복적으로 수행되다 보면 서셉터의 수평여부, 가스분배판과 서셉터 사이의 간격이 원하는 수준을 벗어날 수 있다.However, even if the chamber is assembled precisely, if the process is repeatedly performed through the chamber, the level of the susceptor and the gap between the gas distribution plate and the susceptor may be out of a desired level.

특히, 유리기판을 떠받치는 서셉터의 상면인 기판로딩부의 둘레 영역에서 유리기판의 무게로 인해 처짐이 발생하기 때문에 이 영역에서 서셉터의 수평여부, 가스분배판과 서셉터 사이의 간격이 잘 맞지 않는 경우가 종종 발생한다.In particular, because the deflection occurs due to the weight of the glass substrate in the peripheral region of the substrate loading part, which is the upper surface of the susceptor holding the glass substrate, the gap between the susceptor, the gas distribution plate and the susceptor is not well matched in this region. Often happens.

그런데, 종래의 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 있어서는, 서셉터의 기판로딩부를 떠받쳐 지지하는 서셉터지지대의 높이를 승강아암에 대해 독립적으로 조절할 수 있는 수단이 구비되어 있지 않기 때문에 서셉터의 수평여부, 가스분배판과 서셉터 사이의 간격을 맞추기가 용이하지 않은 문제점이 있다.By the way, in the conventional chemical vapor deposition apparatus for planar displays, since there is no means for independently adjusting the height of the susceptor support holding the substrate loading portion of the susceptor with respect to the lifting arm, the susceptor is horizontal. Whether or not, there is a problem that it is not easy to match the gap between the gas distribution plate and the susceptor.

굳이, 서셉터의 수평여부, 가스분배판과 서셉터 사이의 간격을 맞추려면 공정을 중지하여 챔버를 개방한 후, 처음부터 서셉터와 서셉터지지대를 재조립해야 하기 때문에 초기 공정값 조절에 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다.In order to adjust the level of the susceptor, the gap between the gas distribution plate and the susceptor, it is necessary to stop the process, open the chamber, and then reassemble the susceptor and the susceptor support from the beginning. There is a problem that takes time.

만약, 서셉터의 수평여부, 가스분배판과 서셉터 사이의 간격이 제대로 맞지 않은 상태로 공정이 진행될 경우라면 평면디스플레이에 증착 불량이 발생하는 것을 피할 수 없게 되는 문제점이 있다.If the process is performed in a state where the horizontality of the susceptor, the gap between the gas distribution plate and the susceptor is not properly matched, there is a problem in that deposition failure occurs in the flat panel display.

본 발명의 목적은, 서셉터지지대의 높이를 독립적으로 조절할 수 있도록 함으로써 서셉터의 수평여부, 가스분배판과 서셉터 사이의 간격을 용이하게 조정할 수 있어 초기 공정값 조절에 소요되는 시간을 종래보다 줄일 수 있으며, 잘못된 방향으로 공정이 진행되어 평면디스플레이에 증착 불량이 발생하는 것을 미연에 예방할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to adjust the height of the susceptor support independently, so that the horizontality of the susceptor, the distance between the gas distribution plate and the susceptor can be easily adjusted, so that the time required for initial process value adjustment can be adjusted. It is possible to reduce, and to provide a chemical vapor deposition apparatus for a flat display that can prevent the deposition process in the wrong direction due to the process proceeds in the wrong direction in advance.

본 발명의 다른 목적은, 챔버와 서셉터지지대 간을 간격을 차폐하는 벨로우즈관이 파손되는 것을 방지하면서 서셉터지지대의 높이를 용이하게 조절할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, which can easily adjust the height of the susceptor support while preventing the bellows tube shielding the gap between the chamber and the susceptor support from being damaged.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 증착 공정이 진행되는 챔버의 내부에 마련되며, 상면으로 평면디스플레이가 로딩(Loading)되는 서셉터; 상기 서셉터를 지지하는 서셉터지지대; 상기 서셉터지지대에 결합되어 상기 서셉터지지대를 승강시키는 승강모듈; 및 상기 승강모듈에 대해 상기 서셉터지지대의 높이를 독립적으로 조절하는 높이조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 의해 달성된다.According to the present invention, the susceptor is provided in the interior of the chamber in which the deposition process proceeds, the flat display is loaded (Uploading) the upper surface; A susceptor support for supporting the susceptor; A lift module coupled to the susceptor support to lift the susceptor support; And it is achieved by the chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, characterized in that it comprises a height adjusting unit for independently adjusting the height of the susceptor support for the lifting module.

여기서, 상기 승강모듈은, 승강본체부; 및 일단은 상기 승강본체부에 결합되고 타단은 상기 높이조절부에 결합되는 복수의 승강아암을 포함할 수 있으며, 상기 서셉터지지대는 그 하단이 상기 복수의 높이조절부에 각각 결합될 수 있다.Here, the elevating module, the elevating body unit; And one end may be coupled to the elevating body portion and the other end may include a plurality of lifting arms coupled to the height adjustment portion, the susceptor support may be coupled to the plurality of height adjustment portion, respectively.

상기 서셉터는, 상기 챔버 내에서 횡방향으로 배치되어 상기 평면디스플레이를 지지하는 기판로딩부; 및 상단은 상기 기판로딩부의 중앙에 고정되고 하단은 상기 챔버의 하부벽을 통과하여 상기 챔버의 외부에 배치되며, 상기 승강본체부의 내부를 관통하는 센터봉을 포함할 수 있다.The susceptor may include a substrate loading part disposed in the chamber in a lateral direction to support the flat panel display; And an upper end is fixed to the center of the substrate loading part and a lower end is disposed outside the chamber through the lower wall of the chamber, and may include a center rod penetrating the inside of the elevating body part.

상기 센터봉의 외측에는 상기 서셉터지지대와 함께 상기 기판로딩부를 지지하는 세라믹 기둥이 더 결합될 수 있다.A ceramic pillar for supporting the substrate loading part may be further coupled to the outside of the center rod together with the susceptor support.

상기 높이조절부는, 상기 승강아암의 단부에 결합되고, 내부에 암나사산이 형성되어 있는 보스부; 및 상기 보스부의 암나사산에 나사결합되는 수나사산을 가지고 상기 보스부에 나사결합되는 나사축부와, 상기 나사축부의 상단에 마련되어 상기 서셉터지지대에 결합되는 결합부를 갖는 높이조절나사를 포함할 수 있다.The height adjustment unit, the boss coupled to the end of the lifting arm, the internal thread is formed; And a height adjusting screw having a male screw threaded to the female screw thread of the boss and screwing the screw to the boss, and a coupling part provided at an upper end of the screw shaft and coupled to the susceptor support. .

상기 높이조절부는, 상기 서셉터지지대의 하단에 결합되는 홀더; 및 일 영역은 상기 홀더에 회전가능하게 지지되고 타 영역은 상기 승강아암에 나사결합되어 정역방향으로의 회전시, 상기 홀더를 통해 상기 서셉터지지대를 승강시키는 레벨러를 포함할 수 있다.The height adjustment unit, the holder coupled to the lower end of the susceptor support; And one region is rotatably supported by the holder and the other region is screwed to the lifting arm to include a leveler for elevating the susceptor support through the holder during rotation in the forward and reverse directions.

상기 레벨러는, 소정의 회전간격을 가지고 상기 홀더 내에 형성된 홈부에 수용되는 머리부; 및 상기 머리부와 연결되고 외면의 나사산이 상기 승강아암에 나사결합되는 축부를 포함할 수 있다.The leveler may include a head accommodated in a groove formed in the holder at a predetermined rotation interval; And it may include a shaft portion connected to the head and the screw thread of the outer surface is screwed to the lifting arm.

상기 축부의 단부에는 상기 레벨러를 정역방향으로 회전시키는 회전조작로드가 더 형성될 수 있다.Rotating operation rod for rotating the leveler in the forward and reverse direction may be further formed at the end of the shaft portion.

상기 홀더와 상기 레벨러가 상호 접촉하는 접촉영역에는 상기 레벨러의 회전을 배가시키는 베어링이 개재될 수 있다.A bearing for doubling the rotation of the leveler may be interposed in the contact area where the holder and the leveler contact each other.

상기 서셉터지지대의 외측에는 상기 챔버와 상기 서셉터지지대 간을 간격을 차폐하는 벨로우즈관이 마련될 수 있으며, 상기 높이조절부는 상기 레벨러의 회전시, 상기 서셉터지지대가 회전하여 상기 벨로우즈관이 파손되는 것이 저지되도록 상기 서셉터지지대의 회전을 저지하는 회전저지부를 더 포함할 수 있다.A bellows pipe may be provided on the outside of the susceptor support to shield a gap between the chamber and the susceptor support, and the height adjustment part may be damaged when the susceptor support is rotated when the leveler is rotated. It may further include a rotation stop unit for preventing the rotation of the susceptor support to be prevented.

상기 회전저지부는, 상기 승강아암과 상기 홀더 중 어느 하나에 형성된 키홈; 및 상기 승강아암과 상기 홀더 중 다른 하나에 마련되고 상기 키홈에 결합되어 상기 레벨러의 회전시, 상기 홀더의 회전을 저지하는 키블록을 포함할 수 있다.The rotation blocking unit, the key groove formed in any one of the lifting arm and the holder; And a key block provided at another one of the lifting arm and the holder and coupled to the key groove to prevent rotation of the holder when the leveler is rotated.

상기 키홈은 상기 홀더에 형성될 수 있고, 상기 키블록은 상기 승강아암에 마련될 수 있다.The key groove may be formed in the holder, and the key block may be provided in the lifting arm.

상기 서셉터지지대는 로딩된 상기 평면디스플레이에 의해 상기 서셉터의 기판로딩부가 처지는 것을 저지하도록 상기 기판로딩부의 하부에 상호 이격되게 복수개로 배치될 수 있다.The susceptor support may be arranged in plural to be spaced apart from the lower portion of the substrate loading portion so as to prevent sagging of the substrate loading portion of the susceptor by the loaded flat display.

상기 높이조절부는, 상기 서셉터지지대의 하단에 결합되고 외면에 나사산이 형성된 레벨러; 및 상기 레벨러가 나사결합되도록 상기 승강아암의 내부에 형성되는 나사부를 포함할 수 있다.The height adjustment unit, the leveler is coupled to the lower end of the susceptor support and the thread formed on the outer surface; And it may include a thread formed in the lifting arm so that the leveler is screwed.

상기 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판일 수 있다.The flat panel display may be a large glass substrate for a liquid crystal display (LCD).

한편, 상기 목적은, 본 발명에 따라, 증착 공정이 진행되는 챔버의 내부에 마련되어 평면디스플레이가 로딩(Loading)되는 서셉터; 상기 서셉터를 지지하는 서셉터지지대; 상기 서셉터와 상기 서셉터지지대에 결합되어 상기 서셉터와 상기 서셉터지지대를 함께 승강시키는 승강모듈; 및 상기 승강모듈에 대해 상기 서셉터지지대의 높이를 독립적으로 조절하는 높이조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 의해서도 달성된다.On the other hand, according to the present invention, the susceptor is provided in the interior of the chamber in which the deposition process is carried out, the flat display is loaded (Loading); A susceptor support for supporting the susceptor; A lift module coupled to the susceptor and the susceptor support to lift the susceptor and the susceptor support together; And it is also achieved by a chemical vapor deposition apparatus for a flat display, characterized in that it comprises a height adjusting unit for independently adjusting the height of the susceptor support for the elevating module.

여기서, 상기 서셉터는, 상기 챔버 내에서 횡방향으로 배치되어 상기 평면디스플레이를 지지하는 기판로딩부; 및 상단은 상기 기판로딩부의 중앙에 고정되고 하단은 상기 챔버의 하부벽을 통과하여 상기 챔버의 외부에 배치되며, 상기 승강모듈에 결합되는 센터봉을 포함할 수 있다.The susceptor may include a substrate loading part disposed in the chamber in a lateral direction to support the flat panel display; And an upper end is fixed to the center of the substrate loading part and a lower end is disposed outside the chamber through the lower wall of the chamber, and may include a center rod coupled to the elevating module.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명의 각 실시예에 대해 상세히 설명한다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail for each embodiment of the present invention. In the description, the same reference numerals are given to the same components.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이고, 도 2는 도 1에 도시된 증착장치에서 서셉터지지의 배치구조를 도시한 도면이며, 도 3은 도 1에 도시된 센터봉 영역의 확대도이고, 도 4는 도 1의 요부 확대 사시도이다.1 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a first embodiment of the present invention, Figure 2 is a diagram showing the arrangement of the susceptor support in the deposition apparatus shown in Figure 1, Figure 3 1 is an enlarged view of the center rod region shown in FIG. 1, and FIG. 4 is an enlarged perspective view of main parts of FIG. 1.

이들 도면을 참조하되 주로 도 1을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)는, 챔버(10)와, 챔버(10) 내의 상부 영역에 마련되어 증착 대상의 평면디스플레이(G)를 향해 소정의 실리콘계 화합물 이 온(ion)을 방출하는 전극(16)과, 전극(16)의 하부에 배치되어 평면디스플레이(G)가 로딩(Loading)되는 서셉터(30)와, 서셉터(30)의 하부에서 서셉터(30)를 지지하는 복수의 서셉터지지대(40)와, 서셉터지지대(40)들을 승강시키는 승강모듈(36)과, 승강모듈(36)에 대해 서셉터지지대(40)들의 높이를 독립적으로 조절하는 높이조절부(50)를 구비한다.Referring to these drawings but mainly referring to FIG. 1, a planar display chemical vapor deposition apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention is provided in a chamber 10 and an upper region within the chamber 10. An electrode 16 emitting a predetermined silicon-based ion toward the planar display G of the substrate, and a susceptor 30 disposed under the electrode 16 to load the planar display G. ), A plurality of susceptor supports 40 for supporting the susceptor 30 at the lower part of the susceptor 30, an elevating module 36 for elevating the susceptor supports 40, and an elevating module 36. It is provided with a height adjusting portion 50 for independently adjusting the height of the susceptor supports 40.

챔버(10)는 내부의 증착공간(S)이 진공 분위기로 유지될 수 있도록 외벽이 외부와 차폐되어 있다. 챔버(10)의 증착공간(S)에는 전극(16)으로부터 방출된 증착물질인 실리콘계 화합물 이온에 영향을 주지 않도록 불활성 기체(He, Ar)가 충전되어 있다.In the chamber 10, the outer wall is shielded from the outside so that the deposition space S therein can be maintained in a vacuum atmosphere. The deposition space S of the chamber 10 is filled with inert gases He and Ar so as not to affect the silicon compound ions which are the deposition materials emitted from the electrode 16.

챔버(10)의 외벽에는 소정의 작업 로봇에 의해 평면디스플레이(G)가 챔버(10)의 내외로 유출입되는 통로인 개구부(10a)가 형성되어 있다. 도시하고 있지는 않지만, 개구부(10a)는 도어(미도시)에 의해 선택적으로 개폐된다.The outer wall of the chamber 10 is formed with an opening 10a which is a passage through which a flat display G flows in and out of the chamber 10 by a predetermined working robot. Although not shown, the opening 10a is selectively opened and closed by a door (not shown).

챔버(10) 내의 바닥면(11)에는 챔버(10) 내의 증착공간(S)에 존재하는 가스를 다시 증착공간(S)으로 확산시키는 가스확산판(12)이 마련되어 있다. 그리고 챔버(10) 내의 바닥면(11) 중앙 영역에는 서셉터(30)의 센터봉(32)이 관통하는 관통홀(10b)이 형성되어 있다. 관통홀(10b)의 주변에는 서셉터지지대(40)의 축부(42)가 관통하는 추가의 관통홀(10c)이 더 형성되어 있다.A gas diffusion plate 12 is provided on the bottom surface 11 of the chamber 10 to diffuse the gas existing in the deposition space S in the chamber 10 back into the deposition space S. In the center region of the bottom surface 11 in the chamber 10, a through hole 10b through which the center rod 32 of the susceptor 30 penetrates is formed. An additional through hole 10c through which the shaft portion 42 of the susceptor support 40 penetrates is further formed around the through hole 10b.

전극(16)은 챔버(10) 내의 상부 영역에 마련되어 있다. 전극(16)의 하부에는 다수의 오리피스가 형성되어 증착물질인 실리콘계 화합물 이온을 분배하는 가스분배판(17)이 마련되어 있다. 가스분배판(17)은 후술할 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 와 소정의 이격간격(대략 수십 밀리미터(mm) 정도임)을 두고 나란하게 배치된다.The electrode 16 is provided in the upper region in the chamber 10. A plurality of orifices are formed below the electrode 16 to provide a gas distribution plate 17 for distributing silicon compound ions which are deposition materials. The gas distribution plate 17 is disposed side by side with a substrate loading portion 31 of the susceptor 30 to be described later with a predetermined distance (about tens of millimeters (mm)).

여기서, 평면디스플레이(G)란, 전술한 바와 같이 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 중 어떠한 것이 적용되어도 좋다.The flat display G may be any of liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP) and organic light emitting diodes (OLED) as described above.

다만, 본 실시예에서는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판(G)을 평면디스플레이(G)라 간주하기로 한다. 그리고 대형이란, 앞서도 기술한 바와 같이, 7세대 혹은 8세대에 적용되는 수준의 크기를 가리킨다. 이하, 평면디스플레이(G)를 유리기판(G)이라 하여 설명하도록 한다.However, in the present embodiment, a large glass substrate G for a liquid crystal display (LCD) will be regarded as a flat display (G). As described above, the large size refers to the size of the level applied to the 7th or 8th generation. Hereinafter, the flat display G will be described as a glass substrate G.

챔버(10)의 외부 상측에는 챔버(10) 내에 잔존하는 불순물을 제거하기 위해 소정의 클리닝(Cleaning) 가스를 공급하는 리모트 플라즈마(18)가 마련되어 있다. 그리고 리모트 플라즈마(18)의 주변에는 고주파 전원부(20)가 설치되어 있다. 고주파 전원부(20)는 연결라인(22)에 의해 전극(16)과 연결되어 있다.A remote plasma 18 is provided above the outside of the chamber 10 to supply a predetermined cleaning gas to remove impurities remaining in the chamber 10. The high frequency power supply unit 20 is provided around the remote plasma 18. The high frequency power supply unit 20 is connected to the electrode 16 by a connection line 22.

전극(16)과 챔버(10)의 외벽 사이에는 전극(16)이 챔버(10)의 외벽에 직접 접촉하여 통전되지 않도록 절연체(26)가 마련되어 있다. 절연체(26)는 테프론 등으로 제작될 수 있다. 전극(16)과 가스분배판(17) 사이에는 배기버퍼공간부(19)가 형성되어 있다.An insulator 26 is provided between the electrode 16 and the outer wall of the chamber 10 so that the electrode 16 directly contacts the outer wall of the chamber 10 and does not conduct electricity. The insulator 26 may be made of Teflon or the like. An exhaust buffer space portion 19 is formed between the electrode 16 and the gas distribution plate 17.

서셉터(30)는 챔버(10) 내의 증착공간(S)에서 횡방향으로 배치되어 로딩되는 유리기판(G)을 지지하는 기판로딩부(31)와, 상단은 기판로딩부(31)의 중앙에 고정되고 하단은 관통홀(10b)을 통과하여 챔버(10)의 외부에 배치되는 센터봉(32)을 포함한다.The susceptor 30 has a substrate loading part 31 for supporting a glass substrate G loaded in a transverse direction in the deposition space S in the chamber 10, and an upper end thereof is the center of the substrate loading part 31. The center rod 32 is fixed to the lower end and is disposed outside the chamber 10 through the through hole 10b.

기판로딩부(31)의 상면은 유리기판(G)이 정밀하게 수평상태로 로딩될 수 있도록 거의 정반으로 제조된다. 기판로딩부(31)의 내부에는 히터(미도시)가 장착되어 기판로딩부(31)를 소정의 증착온도인 대략 400℃로 가열한다.The upper surface of the substrate loading portion 31 is made of almost a plate so that the glass substrate G can be loaded in a precise horizontal state. A heater (not shown) is mounted inside the substrate loading unit 31 to heat the substrate loading unit 31 to a predetermined deposition temperature of approximately 400 ° C.

서셉터(30)는 챔버(10) 내의 증착공간(S)에서 상하로 승강한다. 즉, 유리기판(G)이 로딩될 때는 챔버(10) 내의 바닥면(11) 영역에 배치되어 있다가 유리기판(G)이 로딩되고 공정이 진행될 때는 유리기판(G)이 가스분배판(17)에 인접할 수 있도록 부상한다.The susceptor 30 moves up and down in the deposition space S in the chamber 10. That is, when the glass substrate G is loaded, the glass substrate G is disposed in the area of the bottom surface 11 in the chamber 10, and when the glass substrate G is loaded and the process is performed, the glass substrate G is the gas distribution plate 17. Injury so as to be adjacent to).

서셉터(30)가 승강하는 과정에서 서셉터(30)의 센터봉(32)과 관통홀(10b) 간에 공간이 발생되어서는 아니된다. 이에, 관통홀(10b) 주변에는 센터봉(32)의 외부를 감싸도록 벨로우즈관(34)이 마련되어 있다. 벨로우즈관(34)은 서셉터(30)가 하강할 때 팽창되고, 서셉터(30)가 부상할 때 압착되면서 센터봉(32)과 관통홀(10b) 간에 공간이 발생하는 것을 방지한다.The space between the center rod 32 and the through hole 10b of the susceptor 30 should not be generated while the susceptor 30 moves up and down. Accordingly, the bellows pipe 34 is provided around the through hole 10b to surround the outside of the center rod 32. The bellows pipe 34 is expanded when the susceptor 30 descends and is compressed when the susceptor 30 rises to prevent the space between the center rod 32 and the through hole 10b.

벨로우즈관(34)의 내측에는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 서셉터(30)의 기판로딩부(31)를 지지하는 세라믹 기둥(33)이 더 마련되어 있다. 세라믹 기둥(33)은 서셉터지지대(40)와 함께 서셉터(30)의 기판로딩부(31)를 지지하는 역할을 한다.Inside the bellows tube 34, as shown in FIGS. 1 and 3, a ceramic pillar 33 supporting the substrate loading portion 31 of the susceptor 30 is further provided. The ceramic pillar 33 serves to support the substrate loading part 31 of the susceptor 30 together with the susceptor support 40.

이러한 세라믹 기둥(33)은 센터봉(32)의 외면으로부터 소정 거리 이격배치되어 있는 기둥본체(33a)와, 기둥본체(33a)의 상단에서 기판로딩부(31)와 나란하게 절곡되어 기판로딩부(31)의 하면에 접촉하는 상부절곡부(33b)와, 기둥본체(33a)의 하단에 마련되어 승강모듈(36)의 승강본체부(36a)에 요철 결합되는 하부절곡 부(33c)를 구비한다. 이 때, 기둥본체(33a), 상부절곡부(33b) 및 하부절곡부(33c)는 세라믹 재질에 의해 일체 제작되는 것이 바람직하다.The ceramic pillar 33 is bent parallel to the substrate loading portion 31 at the upper end of the pillar body 33a and the pillar body 33a which are spaced apart from the outer surface of the center rod 32 by the substrate loading portion. An upper bent portion 33b in contact with the lower surface of the 31 and a lower bent portion 33c provided at a lower end of the column body 33a and being unevenly coupled to the elevating body portion 36a of the elevating module 36. . At this time, the pillar body 33a, the upper bent portion 33b and the lower bent portion 33c are preferably made of a ceramic material.

서셉터(30)의 기판로딩부(31)에는 로딩되거나 취출되는 유리기판(G)의 하면을 안정적으로 지지하여 기판로딩부(31)의 상면으로 안내하는 복수의 리프트 핀(38)이 마련되어 있다. 리프트 핀(38)은 기판로딩부(31)를 관통하도록 설치되어 있다.The substrate loading part 31 of the susceptor 30 is provided with a plurality of lift pins 38 which reliably support the lower surface of the glass substrate G loaded or taken out to guide the upper surface of the substrate loading part 31. . The lift pin 38 is provided to penetrate the substrate loading portion 31.

리프트 핀(38)은 서셉터(30)가 하강할 때, 그 하단이 챔버(10)의 바닥면(11)에 가압되어 상단이 기판로딩부(31)의 상면으로 돌출된다. 이에, 유리기판(G)을 기판로딩부(31)로부터 이격시킨다. 반대로, 서셉터(30)가 부상하면, 하방으로 이동하여 유리기판(G)이 기판로딩부(31)의 상면에 밀착되도록 한다.When the susceptor 30 is lowered, the lift pin 38 is pressed at the bottom 11 of the chamber 10 so that the top thereof protrudes to the top of the substrate loading part 31. Thus, the glass substrate G is spaced apart from the substrate loading part 31. On the contrary, when the susceptor 30 floats, the susceptor 30 moves downward to bring the glass substrate G into close contact with the upper surface of the substrate loading part 31.

이러한 리프트 핀(38)은 서셉터(30)의 기판로딩부(31)에 로딩된 유리기판(G)을 도시 않은 로봇아암이 파지할 수 있도록 유리기판(G)과 기판로딩부(31) 사이의 공간을 형성하는 역할을 겸한다.The lift pin 38 is disposed between the glass substrate G and the substrate loading portion 31 so that the robot arm (not shown) can grip the glass substrate G loaded on the substrate loading portion 31 of the susceptor 30. It also serves to form a space.

한편, 전술한 바와 같이, 7세대 혹은 8세대 하에서의 서셉터(30)는 그 무게가 무겁고 크기가 상대적으로 커서 처짐이 발생할 수 있는데, 이럴 경우, 유리기판(G)에도 처짐이 발생할 수 있다.On the other hand, as described above, the susceptor 30 under the 7th generation or the 8th generation may have a large weight and a relatively large size, which may cause sag, and in this case, the glass substrate G may also sag.

이에, 도시된 바와 같이, 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 하부에는 복수개의 서셉터지지대(40)가 마련되어 서셉터(30)의 기판로딩부(31)를 떠받치고 있다. 기판로딩부(31)는 대형 유리기판(G)의 크기보다 좀 더 크게 형성되므로 중심의 센터봉(32)에서부터 반경방향 외측으로 갈수록 처짐이 심하게 발생한다.Thus, as shown, a plurality of susceptor support 40 is provided below the substrate loading portion 31 of the susceptor 30 to support the substrate loading portion 31 of the susceptor 30. Since the substrate loading part 31 is formed to be larger than the size of the large glass substrate G, sagging occurs seriously toward the radially outer side from the center center rod 32.

따라서 서셉터지지대(40)는 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 외측 영역에 상호 이격되게 복수개로 마련되어 서셉터(30)의 기판로딩부(31)가 처지는 것을 저지하고 있는 것이다.Therefore, the susceptor support 40 is provided in plurality in the outer region of the substrate loading part 31 of the susceptor 30 to prevent the substrate loading part 31 of the susceptor 30 from sagging.

이처럼 서셉터지지대(40)는 서셉터(30)의 기판로딩부(31)가 처지는 것을 저지하는 수단이므로 적어도 2개 이상 설치되는 것이 바람직하다. 하지만, 기판로딩부(31)가 거의 사각 형상임을 고려할 때, 도 2에 도시된 바와 같이, 서셉터지지대(40)는 서셉터(30)의 센터봉(32)을 사이에 두고 원주방향을 따라 상호 등각도 간격으로 4군데 형성되어 있는 것이 바람직하다. 물론, 서셉터지지대(40)들이 반드시 등각도 간격을 가질 필요는 없다.As such, since the susceptor support 40 is a means for preventing the substrate loading part 31 of the susceptor 30 from sagging, it is preferable that at least two susceptor supports 40 are provided. However, considering that the substrate loading portion 31 has a substantially rectangular shape, as shown in FIG. 2, the susceptor support 40 is disposed along the circumferential direction with the center rod 32 of the susceptor 30 interposed therebetween. It is preferable to form four places at mutual equiangular intervals. Of course, the susceptor supports 40 do not necessarily have an equiangular spacing.

서셉터지지대(40)는 기판로딩부(31)의 하면에 위치하는 머리부(41)와, 머리부(41)에서 연장되어 서셉터(30)의 센터봉(32)과 나란하게 배치되는 축부(42)를 갖는다.The susceptor support 40 includes a head portion 41 positioned on the bottom surface of the substrate loading portion 31, and a shaft portion extending from the head portion 41 and arranged parallel to the center rod 32 of the susceptor 30. Has 42.

축부(42)의 하단은 후술하는 바와 같이, 승강모듈(36)의 승강아암(36a)에 결합된 높이조절부(50)에 결합되어 있다. 따라서 승강모듈(36)의 승강동작에 기초하여 서셉터지지대(40)는 승강할 수 있게 된다.The lower end of the shaft portion 42 is coupled to the height adjustment unit 50 coupled to the lifting arm 36a of the lifting module 36 as described below. Therefore, the susceptor support 40 can be elevated based on the lifting operation of the lifting module 36.

축부(42)의 외측 영역에는 앞서 기술한 서셉터(30) 영역과 마찬가지로 벨로우즈관(34a)이 형성되어 있다. 벨로우즈관(34a)은 챔버(10)의 바닥면(11) 영역에 형성된 관통홀(10c)을 차폐하는 역할을 한다.A bellows pipe 34a is formed in the outer region of the shaft portion 42 similarly to the susceptor 30 region described above. The bellows pipe 34a serves to shield the through hole 10c formed in the bottom 11 region of the chamber 10.

만일, 도시된 것처럼, 주름 구조를 갖는 벨로우즈관(34a)을 채용하지 않고 일반적인 관상체로 만들 경우, 서셉터지지대(40)가 승강하는 과정에서 관이 터져 관통홀(10c)이 개방될 수 있다. 그러면, 챔버(10) 내의 진공상태가 해제될 수 있을 뿐만 아니라 챔버(10) 내에 충전된 가스 등이 외부로 배출되기 때문에 증착 공정이 진행될 수 없다.If, as shown in the figure, when the bellows pipe 34a having a corrugated structure is not adopted and is made of a general tubular body, the through hole 10c may be opened due to the pipe bursting while the susceptor support 40 is elevated. Then, not only the vacuum state in the chamber 10 can be released, but also the deposition process cannot proceed because the gas and the like filled in the chamber 10 are discharged to the outside.

따라서 도시된 바와 같이, 서셉터지지대(40)의 축부(42) 영역에는 주름 구조의 벨로우즈관(34a)을 장착하여 서셉터지지대(40)가 승강하더라도 벨로우즈관(34a)이 터지지 않아 관통홀(10c)이 개방되는 것을 방지하고 있는 것이다.Therefore, as shown, the bellows pipe 34a having a corrugated structure is mounted on the shaft portion 42 of the susceptor support 40 so that the bellows pipe 34a does not burst even when the susceptor support 40 is elevated. 10c) is preventing it from opening.

벨로우즈관(34a)은 서셉터지지대(40)가 부상할 때 압착되고, 서셉터지지대(40)가 하강할 때 팽창되는 동작을 보인다. 따라서 벨로우즈관(34a)은 신축성이 원활하면서도 열에 강한 재질로 제작되는 것이 바람직하다. 이는 앞서 기술한 서셉터(30) 영역의 벨로우즈관(34)에도 동일하게 적용된다.The bellows pipe 34a is compressed when the susceptor support 40 rises, and expands when the susceptor support 40 descends. Therefore, the bellows pipe 34a is preferably made of a material that is flexible and heat resistant. The same applies to the bellows pipe 34 in the region of the susceptor 30 described above.

한편, 도 1을 포함하여 도 3 및 도 4를 참조할 때, 서셉터지지대(40)의 하부 영역에는 서셉터지지대(40)를 승강시키는 승강모듈(36)이 더 결합되어 있다.Meanwhile, referring to FIGS. 3 and 4 including FIG. 1, an elevating module 36 for elevating the susceptor support 40 is further coupled to the lower region of the susceptor support 40.

승강모듈(36)은 승강본체부(36a)와, 일단은 승강본체부(36a)에 결합되고 타단은 높이조절부(50)에 결합되는 4개의 승강아암(36b)을 포함한다.The elevating module 36 includes four lifting arms 36b, one end of which is coupled to the elevating body portion 36a and one end of which is coupled to the elevating body portion 36a, and the other end of which is coupled to the height adjusting unit 50.

승강본체부(36a)는 복수의 판체들이 상호 이격된 상태로 결합되는 구조를 가지는데, 승강본체부(36a)의 내부에는 센터봉(32)이 관통하는 관통홀(36c)이 더 형성되어 있다. 결국, 서셉터(30)의 센터봉(32)은 승강본체부(36a)에 결합되지 않고 관통홀(36c)을 통해 삽입된 형태를 취한다.The elevating body portion 36a has a structure in which a plurality of plate bodies are coupled to be spaced apart from each other, and a through hole 36c through which the center rod 32 penetrates is further formed inside the elevating body portion 36a. . As a result, the center rod 32 of the susceptor 30 takes the form of being inserted through the through hole 36c without being coupled to the lifting body portion 36a.

승강본체부(36a)는, 도시 않은 실린더 혹은 모터 등에 연결되어 동작함으로써 4개의 승강아암(36b)과 함께 승강한다. 이러한 승강모듈(36)에 의해 서셉터지지 대(40)는 4개가 함께 승강될 수 있다.The lifting body portion 36a moves up and down together with four lifting arms 36b by being connected to a cylinder or a motor (not shown) and operating. By the elevating module 36, four susceptor supports 40 may be elevated together.

다만, 기판로딩부(31)나 유리기판(G)의 처짐 정도를 고려하여 4개의 서셉터지지대(40)들은 상호 독립적으로 승강 높이가 조절될 필요가 있는데, 이는 승강아암(36b)의 단부에 마련된 높이조절부(50)가 담당한다.However, in consideration of the degree of deflection of the substrate loading part 31 or the glass substrate G, the four susceptor supports 40 need to be independently raised and lowered, and this is at the end of the lifting arm 36b. The height adjustment unit 50 is provided.

높이조절부(50)는 승강아암(26b)의 단부에 결합되고, 내부에 암나사산이 형성되어 있는 보스부(51)와, 높이조절나사(52)를 구비한다. 높이조절나사(52)는 보스부(51)의 암나사산에 나사결합되는 수나사산을 가지고 보스부(51)에 나사결합되는 나사축부(52a)와, 나사축부(52a)의 상단에 마련되어 서셉터지지대(40)의 하단에 결합되는 결합부(52b)와, 결합부(52b)의 하부에 위치하는 헤드부(52c)를 구비한다.The height adjusting part 50 is coupled to the end of the lifting arm 26b, and includes a boss part 51 having a female thread formed therein, and a height adjusting screw 52. The height adjustment screw 52 has a male screw thread that is screwed to the female screw thread of the boss portion 51 and is provided on the upper end of the screw shaft portion 52a and the screw shaft portion 52a, which are screwed to the boss portion 51. A coupling portion 52b coupled to the lower end of the support 40 and a head portion 52c positioned below the coupling portion 52b are provided.

이러한 구성을 갖는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)의 동작과 그에 따른 작용에 대해 설명하면 다음과 같다.The operation of the chemical vapor deposition apparatus 1 for a flat panel display having such a configuration and the effects thereof will be described as follows.

우선, 서셉터(30)와 서셉터지지대(40)가 챔버(10)의 하부 영역으로 하강된 상태에서 로봇아암에 의해 이송된 증착 대상의 유리기판(G)이 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 상부에 배치된다.First, the glass substrate G to be deposited by the robot arm while the susceptor 30 and the susceptor support 40 are lowered to the lower region of the chamber 10 is loaded with the substrate of the susceptor 30. It is disposed on the upper portion 31.

이 때, 리프트 핀(38)의 상단은 기판로딩부(31)의 상면으로 소정 높이 돌출된 상태이므로, 로봇아암은 리프트 핀(38)들에 유리기판(G)을 올려둔 후, 취출된다. 로봇아암이 취출되면, 챔버(10)의 내부는 진공 분위기로 유지됨과 동시에 증착에 필요한 불활성 기체(He, Ar)가 충전된다.At this time, since the upper end of the lift pin 38 is protruded a predetermined height to the upper surface of the substrate loading portion 31, the robot arm is taken out after placing the glass substrate (G) on the lift pins (38). When the robot arm is taken out, the inside of the chamber 10 is maintained in a vacuum atmosphere and filled with inert gases He and Ar necessary for deposition.

다음, 증착공정의 진행을 위해, 승강아암(36b)이 동작하여 서셉터지지대(40)를 부상시킨다. 그러면 리프트 핀(38)이 하강되며, 이를 통해 유리기판(G)은 기판 로딩부(31)의 상면으로 밀착하면서 로딩된다. 대략 도 6과 같은 위치로 서셉터(30)가 부상하면 승강아암(36b)의 동작이 정지되고 유리기판(G)은 전극(16)의 직하방에 위치하게 된다. 이 때 이미, 서셉터(30)는 대략 400℃ 정도로 가열된다.Next, for the progress of the deposition process, the lifting arm 36b is operated to float the susceptor support 40. Then, the lift pin 38 is lowered, through which the glass substrate G is loaded while being in close contact with the upper surface of the substrate loading part 31. When the susceptor 30 rises to the position as shown in FIG. 6, the operation of the lifting arm 36b is stopped and the glass substrate G is positioned directly below the electrode 16. At this time, the susceptor 30 is heated to about 400 ° C.

그런 다음, 절연체(26)로 인해 절연된 전극(16)을 통해 전원이 인가된다. 이어 수많은 오리피스가 형성된 가스분배판(17)을 통해 실리콘계 화합물 이온이 분출되면서 유리기판(G) 상으로 도달함으로써 유리기판(G) 상에 증착이 이루어진다.Then, power is applied through the electrode 16 insulated by the insulator 26. Subsequently, the silicon-based compound ions are ejected through the gas distribution plate 17 on which a large number of orifices are formed to reach the glass substrate G, thereby depositing on the glass substrate G.

위와 같이, 챔버(10)를 통해서 공정이 반복적으로 수행되다 보면 서셉터(30)의 기판로딩부(31)에 대한 수평여부, 가스분배판(17)과 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 사이의 간격(H, 도 6 참조)이 원하는 수준을 벗어날 수 있다.As described above, if the process is repeatedly performed through the chamber 10, the substrate loading part 31 of the susceptor 30 is horizontal, the gas distribution plate 17 and the substrate loading part of the susceptor 30 ( 31) the interval H (see FIG. 6) may deviate from the desired level.

만일, 서셉터(30)의 기판로딩부(31)의 어느 일 영역에서 처짐이 발생하였다면 그 위치에 속해 있는 높이조절부(50)를 조절하면 된다. 즉, 높이조절부(50)의 헤드부(52c)를 정역방향으로 회전시키면, 높이조절나사(52)는 보스부(51)에 대해 상하로 승강될 수 있게 된다. 따라서 서셉터지지대(40)에 대한 독립적인 승강 높이가 조절될 수 있게 되는 것이다.If the deflection occurs in any one area of the substrate loading part 31 of the susceptor 30, the height adjusting part 50 belonging to the position may be adjusted. That is, when the head portion 52c of the height adjustment portion 50 is rotated in the forward and reverse directions, the height adjustment screw 52 can be raised and lowered with respect to the boss portion 51. Therefore, the independent lifting height for the susceptor support 40 can be adjusted.

이와 같은 높이조절부(50)를 통해, 총 4개의 서셉터지지대(40)는 해당 위치에서 그 높이가 자유롭게 조절될 수 있다. 따라서 서셉터(30)의 수평여부, 가스분배판(17)과 서셉터(30) 사이의 간격(H, 도 6 참조)을 용이하게 조정할 수 있어 초기 공정값 조절에 소요되는 시간을 종래보다 줄일 수 있으며, 잘못된 방향으로 공정이 진행되어 유리기판(G)에 증착 불량이 발생하는 것을 미연에 예방할 수 있게 되는 것이다.Through such a height adjustment unit 50, a total of four susceptor support 40 can be freely adjusted in its height. Therefore, the horizontality of the susceptor 30, the distance between the gas distribution plate 17 and the susceptor 30 (H, Figure 6) can be easily adjusted to reduce the time required to adjust the initial process value than conventional The process may be performed in an incorrect direction, thereby preventing the deposition failure on the glass substrate G in advance.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이고, 도 6 및 도 7은 각각 서셉터지지대의 승강 동작을 도시한 도면이다.5 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 6 and 7 illustrate lifting and lowering operations of the susceptor support, respectively.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 전술한 제1실시예에 비하여 후술하는 바와 같이, 높이조절부(55)가 다소 다르나 이 외에도 서셉터(30)가 기판로딩부(31)와 센터봉(32a)을 구비하되, 승강모듈(36)이 서셉터(30)와 서셉터지지대(40)에 결합되어 서셉터(30)와 서셉터지지대(40)를 함께 승강시키는 점이 다르다. 물론, 이러한 경우일지라도, 서셉터지지대(40)는 승강모듈(36), 구체적으로는 승강아암(36b)에 대해 독립적으로 높이가 조절될 수 있다.As shown in these figures, the present embodiment has a slightly different height adjustment unit 55, as described below, compared to the first embodiment described above, but in addition, the susceptor 30 has a substrate loading unit 31 and a center. The rod 32a is provided, but the elevating module 36 is coupled to the susceptor 30 and the susceptor support 40 so as to elevate the susceptor 30 and the susceptor support 40 together. Of course, even in this case, the susceptor support 40 can be adjusted independently of the height of the lifting module 36, specifically, the lifting arm 36b.

본 발명의 제2실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 높이조절부(55)는, 서셉터지지대(40)의 하단에 결합되고 외면에 나사산이 형성된 레벨러(56)와, 레벨러(56)가 나사결합되도록 승강아암(36b)의 내부에 형성되는 나사부(미도시)를 포함한다.In the chemical vapor deposition apparatus for planar display according to the second embodiment of the present invention, the height adjusting unit 55 is coupled to the lower end of the susceptor support 40 and has a threader formed on the outer surface thereof, and a leveler 56. ) Includes a threaded portion (not shown) formed inside the elevating arm 36b to be screwed.

이에 레벨러(56)를 정역방향으로 회전시키면 승강아암(36b)의 나사부를 따라 레벨러(56)가 승강하게 되고 이를 통해서 서셉터지지대(40) 역시 승강할 수 있게 된다. 즉, 다소 과장되게 도시된 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 레벨러(56)를 정방향으로 회전시키면 승강아암(36b)에 대해 레벨러(56)와 서셉터지지대(40)가 동반 상승하고, 레벨러(56)를 역방향으로 회전시키면 승강아암(36b)에 대해 레벨러(56)와 서셉터지지대(40)가 동반 하강할 수 있게 되는 것이다. 물론, 이 때에 벨로우즈관(34a)은 압착 및 팽창되는 동작을 보인다.When the leveler 56 is rotated in the forward and reverse directions, the leveler 56 is elevated along the threaded portion of the lifting arm 36b, and thus the susceptor support 40 can also be elevated. That is, as shown in FIGS. 6 and 7, which are somewhat exaggerated, when the leveler 56 is rotated in the forward direction, the leveler 56 and the susceptor support 40 are raised together with respect to the lifting arm 36b. Rotating the leveler 56 in the reverse direction allows the leveler 56 and the susceptor support 40 to descend with respect to the lifting arm 36b. Of course, at this time, the bellows pipe 34a is compressed and expanded.

이러한 높이조절부(55)는 가장 간단한 형태의 높이조절 방법이 될 수 있는데, 이러한 구조로서 높이조절부(55)를 마련하더라도 본 발명의 효과를 달성하는 데에는 아무런 무리가 없다.The height adjustment unit 55 may be the height adjustment method of the simplest form, even if the height adjustment unit 55 is provided as such a structure there is no difficulty in achieving the effect of the present invention.

도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 높이조절부 영역을 도시한 도면이고, 도 9는 도 8에 도시된 높이조절부에 의해 서셉터지지대가 상승한 상태의 도면이다.FIG. 8 is a view illustrating a height adjusting unit region in a chemical vapor deposition apparatus for a flat display according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a state in which a susceptor support is raised by the height adjusting unit shown in FIG. 8. Drawing.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 승강아암(36b)에 결합되어 서셉터지지대(40)를 독립적으로 승강시키는 높이조절부(60)는, 홀더(62)와, 레벨러(64)로 이루어져 있다.As shown in these drawings, in the chemical vapor deposition apparatus for planar display according to the third embodiment of the present invention, the height adjusting unit 60 is coupled to the lifting arm 36b to independently lift and lift the susceptor support 40. Includes a holder 62 and a leveler 64.

홀더(62)는 레벨러(64)를 서셉터지지대(40)에 연결시키기 위한 역할을 한다. 따라서 홀더(62)의 상단은 서셉터지지대(40)의 하단에 고정되어 있다. 고정의 방법은 접착이나 볼트 결합 등 어떠한 것이 적용되어도 좋다. 이 때, 홀더(62)는 서셉터지지대(40)에 일체로 성형되어도 무방하다. 홀더(62)의 내부에는 홈부(63)가 형성되어 있다.The holder 62 serves to connect the leveler 64 to the susceptor support 40. Therefore, the upper end of the holder 62 is fixed to the lower end of the susceptor support 40. As the fixing method, any one such as bonding or bolting may be applied. At this time, the holder 62 may be integrally formed with the susceptor support 40. The groove portion 63 is formed inside the holder 62.

레벨러(64)는 일 영역(도 8 및 도 9에서 상부 영역)이 홀더(63)에 회전가능하게 지지되고 타 영역(도 8 및 도 9에서 하부 영역)이 승강아암(36b)에 나사결합되어 있다.The leveler 64 has one area (upper area in FIGS. 8 and 9) rotatably supported by the holder 63 and another area (lower area in FIGS. 8 and 9) screwed to the lifting arm 36b. have.

보다 구체적으로 살펴보면, 레벨러(64)는 소정의 회전간격을 가지고 홀더(62) 내에 형성된 홈부(63)에 수용되는 머리부(65)와, 머리부(65)와 연결되고 외면의 나사산(66a)이 승강아암(36)에 나사결합되는 축부(66)로 이루어져 있다.In more detail, the leveler 64 has a head portion 65 accommodated in the groove portion 63 formed in the holder 62 at a predetermined rotation interval, and is connected to the head portion 65 and has an outer thread 66a. It consists of a shaft portion 66 screwed to the lifting arm (36).

이 때, 레벨러(64)의 머리부(65)는 도 8 및 도 9와 같이 축부(66)에 비해 그 단면적이 클 수도 있고, 혹은 도 10 및 도 11과 같이, 축부(66)의 단면적과 거의 유사하거나 실질적으로 동일한 크기를 가질 수도 있다.At this time, the head portion 65 of the leveler 64 may have a larger cross-sectional area than the shaft portion 66 as shown in FIGS. 8 and 9, or as shown in FIGS. 10 and 11, and the cross-sectional area of the shaft portion 66. It may be of almost similar or substantially the same size.

축부(66)의 단부에는 레벨러(64)를 정역방향으로 회전시키는 회전조작로드(68)가 더 형성되어 있다.At the end of the shaft portion 66, there is further formed a rotary operation rod 68 for rotating the leveler 64 in the forward and reverse directions.

도시하고 있지는 않지만 회전조작로드(68)를 소위, 나비너트와 같은 모양을 만들 경우에는 별도의 공구 없이도 회전조작로드(68)를 정역방향으로 회전시킬 수 있다. 하지만, 도면과 같다면, 별도의 공구를 이용하여 회전조작로드(68)를 정역방향으로 회전시키면 된다.Although not shown, when the rotary operation rod 68 is shaped like a butterfly nut, the rotary operation rod 68 may be rotated in the forward and reverse directions without a separate tool. However, as shown in the figure, it is enough to rotate the rotary operation rod 68 in the forward and reverse directions by using a separate tool.

이러한 구성을 갖는 높이조절부(60)의 동작에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the height adjustment unit 60 having such a configuration as follows.

우선, 도 8과 같은 상태에서, 별도의 공구를 이용하여 도 9에 도시된 바와 같이, 회전조작로드(68)를 정방향(A)으로 회전시킨다. 그러면, 승강아암(36b)에 나사결합되어 있는 레벨러(34)는 상승한다.First, in the state as shown in FIG. 8, as shown in FIG. 9 using a separate tool, the rotary operation rod 68 is rotated in the forward direction (A). Then, the leveler 34 screwed to the lifting arm 36b is raised.

상승하면서 레벨러(34)의 머리부(65)는 홀더(62)를 가압하여 서셉터지지대(40)를 B 방향으로 상승시키게 된다. 이 때, 벨로우즈관(34a)은 압착된다.While rising, the head 65 of the leveler 34 presses the holder 62 to raise the susceptor support 40 in the B direction. At this time, the bellows pipe 34a is crimped.

반대로, 회전조작로드(68)를 역방향으로 회전시키면, 승강아암(36b)에 나사결합되어 있는 레벨러(34)는 하강한다. 그러면 이에 연동하여 서셉터지지대(40)는 자중에 의해 레벨러(34)가 하강한 만큼 하방으로 이동한다. 이 때, 벨로우즈관(34a)은 팽창된다.On the contrary, when the rotary operation rod 68 is rotated in the reverse direction, the leveler 34 screwed to the lifting arm 36b is lowered. Then, in conjunction with this, the susceptor support 40 moves downward as the leveler 34 descends by its own weight. At this time, the bellows pipe 34a is expanded.

이처럼 높이조절부(60)를 통해 해당 위치의 서셉터지지대(40)의 높이를 상승 시키거나 하강시킴으로써, 서셉터(30)의 기판로딩부(31)에 대한 수평여부, 가스분배판(17)과 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 사이의 간격(H, 도 6 참조)을 다시 정밀하게 조절할 수 있게 된다. 따라서 잘못된 방향으로 공정이 진행되어 유리기판(G)에 증착 불량이 발생하는 것을 미연에 예방할 수 있게 되는 것이다.As such, by raising or lowering the height of the susceptor support 40 at the corresponding position through the height adjusting unit 60, the horizontal loading of the susceptor 30 to the substrate loading unit 31, the gas distribution plate 17 And the distance H between the substrate loading part 31 of the susceptor 30 can be precisely adjusted again. Therefore, the process proceeds in the wrong direction to prevent the deposition failure in the glass substrate (G) in advance can be prevented.

한편, 도 8 및 도 9와 같을 경우, 유리기판(G)의 무게와 서셉터(30)의 무게 등에 의해 서셉터지지대(40)에 상대적으로 높은 하중이 걸리면 레벨러(64)의 머리부(65)가 홀더(62)의 홈부(63)에 완전히 눌릴 수 있다.8 and 9, when the high load is applied to the susceptor support 40 by the weight of the glass substrate G, the weight of the susceptor 30, and the like, the head 65 of the leveler 64 is applied. ) Can be pressed completely into the groove portion 63 of the holder 62.

이러한 경우, 강제로 레벨러(64)를 회전시키다 보면 홀더(62)가 함께 회전하면서 서셉터지지대(40)를 회전시킬 수 있는데, 이러한 경우, 벨로우즈관(34a)이 터질 수 있다. 따라서 도 9와 같이, 레벨러(64)를 회전시킬 경우에는 홀더(62)의 회전을 구속시킨 상태에서 행하는 것이 바람직할 것이다.In this case, forcibly rotating the leveler 64 may rotate the susceptor support 40 while the holder 62 rotates together. In this case, the bellows pipe 34a may burst. Therefore, as shown in FIG. 9, when the leveler 64 is rotated, it is preferable to perform the state in which the rotation of the holder 62 is restricted.

하지만, 홀더(62)의 회전을 구속시킨 상태에서 레벨러(64)를 정역방향으로 회전시키는 것이 번거롭다면, 아래의 도 10 및 도 11과 같은 구조를 적용하면 된다.However, if it is cumbersome to rotate the leveler 64 in the forward and reverse directions while restraining the rotation of the holder 62, the structures shown in FIGS. 10 and 11 below may be applied.

도 10은 본 발명의 제4실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 높이조절부 영역을 도시한 도면이고, 도 11은 도 10에 도시된 높이조절부에 의해 서셉터지지대가 상승한 상태의 도면이다.FIG. 10 is a view illustrating a height adjusting unit region in a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a fourth exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a state in which a susceptor support is raised by the height adjusting unit shown in FIG. 10. Drawing.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 높이조절부(60a)에는, 홀더(62)와 레벨러(64)가 상호 접촉하는 접촉영역에 레벨러(64)의 회전을 배가시키는 베어링(69)이 더 개재되어 있다.As shown in these figures, in the chemical vapor deposition apparatus for planar display according to the third embodiment of the present invention, the height adjusting unit 60a has a leveler in a contact area where the holder 62 and the leveler 64 are in contact with each other. The bearing 69 further doubles the rotation of 64.

베어링(69)은 도시된 바와 같이, 볼 베어링이 적용될 수도 있고 혹은 롤러 베어링이 적용될 수도 있다. 뿐만 아니라 베어링(69)은 레벨러(64)를 보다 원활하게 회전시키기 위해 레벨러(64)의 길이방향을 따라 2열로 배치될 수 있다.As shown in the bearing 69, a ball bearing may be applied or a roller bearing may be applied. In addition, the bearings 69 may be arranged in two rows along the lengthwise direction of the leveler 64 to smoothly rotate the leveler 64.

이처럼 베어링(69)이 적용되면, 서셉터지지대(40)에 상대적으로 높은 하중이 걸리더라도 베어링(69)으로 인해 레벨러(64)의 회전은 원활해질 수 있다. 따라서 도 11과 같이, 회전조작로드(68)를 정방향(A)으로 회전시키면 승강아암(36)에 나사결합되어 있는 레벨러(34)는 상승하고, 이에 연동하여 서셉터지지대(40)는 B 방향으로 상승될 수 있게 된다. 이는 전술한 도 9의 동작과 동일하다.As such, when the bearing 69 is applied, the rotation of the leveler 64 may be smoothly caused by the bearing 69 even if the susceptor support 40 is relatively loaded. Accordingly, as shown in FIG. 11, when the rotary operation rod 68 is rotated in the forward direction A, the leveler 34 screwed to the lifting arm 36 is raised, and the susceptor support 40 is connected to the B direction in conjunction with this. Can be raised. This is the same as the operation of FIG. 9 described above.

한편, 베어링(69)이 장착되어 있다 하더라도 전술한 바와 같이, 서셉터지지대(40)에 상대적으로 높은 하중이 걸린 상태에서 강제로 레벨러(64)를 회전시키다 보면 홀더(62)가 함께 회전하면서 서셉터지지대(40)를 회전되어 벨로우즈관(34a)이 터질 수도 있다.On the other hand, even when the bearing 69 is mounted, as described above, when the leveler 64 is forcibly rotated while the susceptor support 40 is relatively loaded, the holder 62 rotates together. The bellows pipe 34a may burst by rotating the acceptor support 40.

따라서 본 실시예의 높이조절부(60a)에는 레벨러(64)의 회전시, 서셉터지지대(40)가 회전하여 벨로우즈관(34a)이 터지거나 파손되는 것을 저지하도록 서셉터지지대(40)의 회전을 저지하는 회전저지부(70)가 더 마련되어 있다.Therefore, the height adjuster 60a of the present embodiment prevents the susceptor support 40 from rotating when the susceptor support 40 rotates to prevent the bellows pipe 34a from bursting or breaking. The rotation stopping part 70 which blocks is further provided.

간단한 구조로서 회전저지부(70)는 도 10 및 도 11에 도시된 바와 홀더(62)에 형성된 키홈(70a)과, 승강아암(36)에 마련되고 키홈(70a)에 결합되어 레벨러(64)의 회전시, 홀더(62)의 회전을 저지하는 키블록(70b)으로 이루어져 있다.As a simple structure, the rotation stopping unit 70 is provided with a key groove 70a formed in the holder 62 as shown in FIGS. 10 and 11, and is provided on the lifting arm 36 and coupled to the key groove 70a to level the 64. , The key block 70b prevents rotation of the holder 62.

이처럼 회전저지부(70)를 마련할 경우, 유리기판(G)의 무게와 서셉터(30)의 무게 등에 의해 서셉터지지대(40)에 상대적으로 높은 하중이 걸린다 하더라도, 키블록(70b)이 키홈(70a)에 결합되어 있기 때문에 레벨러(64)의 회전시, 홀더(62)가 회전하지 않는다. 따라서 서셉터지지대(40) 역시 회전할 수 없는 바, 벨로우즈관(34a)이 터지거나 파손되지 않게 된다.When the rotation stopping unit 70 is provided in this way, even if a relatively high load is applied to the susceptor support 40 due to the weight of the glass substrate G and the weight of the susceptor 30, the key block 70b is provided. Since it is coupled to the key groove 70a, the holder 62 does not rotate when the leveler 64 rotates. Therefore, the susceptor support 40 also can not rotate, the bellows pipe (34a) is not broken or broken.

이와 같이, 본 발명에 따르면, 승강아암(36)에 대해 서셉터지지대(40)의 높이를 독립적으로 조절할 수 있도록 함으로써 서셉터(30)의 수평여부, 가스분배판(17)과 서셉터(30) 사이의 간격(H, 도 6 참조)을 용이하게 조정할 수 있어 초기 공정값 조절에 소요되는 시간을 종래보다 줄일 수 있으며, 잘못된 방향으로 공정이 진행되어 유리기판(G)에 증착 불량이 발생하는 것을 미연에 예방할 수 있다.As such, according to the present invention, by allowing the height of the susceptor support 40 to be independently adjusted with respect to the lifting arm 36, whether the susceptor 30 is horizontal or not, the gas distribution plate 17 and the susceptor 30. The distance between H) can be easily adjusted to reduce the time required for adjusting the initial process value compared to the conventional method, and the process is carried out in the wrong direction, resulting in poor deposition on the glass substrate (G). Can be prevented.

뿐만 아니라 챔버(10)와 서셉터지지대(40) 간의 간격을 차폐하는 벨로우즈관(34a)이 파손되는 것을 방지하면서도 서셉터지지대(40)의 높이를 용이하게 조절할 수 있게 된다.As well as preventing the bellows pipe 34a shielding the gap between the chamber 10 and the susceptor support 40 from being damaged, the height of the susceptor support 40 can be easily adjusted.

전술한 제4실시예에서는 홀더(62)에 키홈(70a)이 형성되어 있고 승강아암(36)에 키블록(70b)이 마련되어 있지만, 반대로 홀더(62)에 키블록(70b)을, 승강아암(36)에 키홈(70a)을 형성할 수도 있는 것이다.In the above-described fourth embodiment, the key groove 70a is formed in the holder 62 and the key block 70b is provided in the lifting arm 36. However, the key block 70b is provided in the holder 62 in the lifting arm 36. The key groove 70a may be formed in the 36.

전술한 실시예에서는 그 설명을 생략하고 있지만, 높이조절부(50,55,60,60a)를 통해 서셉터지지대(40)의 높이를 승강시킬 경우, 정확한 거리조절이 필요하다. 따라서 이러한 경우에는 별도의 거리측정센서 등을 이용하여 서셉터(30)의 수평여부를 정확하게 측정한 후, 서셉터지지대(40)의 높이를 조절하는 것이 바람직할 것이다.Although the description is omitted in the above-described embodiment, when the height of the susceptor support 40 is elevated through the height adjusting units 50, 55, 60, and 60a, accurate distance adjustment is necessary. Therefore, in this case, it is preferable to adjust the height of the susceptor support 40 after accurately measuring the horizontality of the susceptor 30 using a separate distance measuring sensor or the like.

전술한 실시예에서는 그 설명을 생략하고 있지만, 승강모듈(36)에 의해 서셉터(30)와 서셉터지지대(40)는 함께 승강될 수도 있다.Although the description is omitted in the above-described embodiment, the susceptor 30 and the susceptor support 40 may be elevated together by the lifting module 36.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the described embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention, which will be apparent to those skilled in the art. Therefore, such modifications or variations will have to be belong to the claims of the present invention.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 서셉터지지대의 높이를 독립적으로 조절할 수 있도록 함으로써 서셉터의 수평여부, 가스분배판과 서셉터 사이의 간격을 용이하게 조정할 수 있어 초기 공정값 조절에 소요되는 시간을 종래보다 줄일 수 있으며, 잘못된 방향으로 공정이 진행되어 평면디스플레이에 증착 불량이 발생하는 것을 미연에 예방할 수 있다.As described above, according to the present invention, by adjusting the height of the susceptor support independently, it is possible to easily adjust the horizontality of the susceptor, the gap between the gas distribution plate and the susceptor, which is required for initial process value adjustment. It is possible to reduce the time than in the prior art, and to prevent the deposition failure in the flat display due to the process in the wrong direction.

또한 본 발명에 따르면, 챔버와 서셉터지지대 간을 간격을 차폐하는 벨로우즈관이 파손되는 것을 방지하면서 서셉터지지대의 높이를 용이하게 조절할 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to easily adjust the height of the susceptor support while preventing the bellows pipe shielding the gap between the chamber and the susceptor support to be broken.

Claims (17)

증착 공정이 진행되는 챔버의 내부에 마련되며, 상면으로 평면디스플레이가 로딩(Loading)되는 서셉터;A susceptor provided inside the chamber in which the deposition process is performed and having a flat display loaded on the upper surface thereof; 상기 서셉터를 지지하는 서셉터지지대;A susceptor support for supporting the susceptor; 상기 서셉터지지대에 결합되어 상기 서셉터지지대를 승강시키는 승강모듈; 및A lift module coupled to the susceptor support to lift the susceptor support; And 상기 승강모듈에 대해 상기 서셉터지지대의 높이를 독립적으로 조절하는 높이조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a height control unit for independently adjusting the height of the susceptor support with respect to the elevating module. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 승강모듈은,The lifting module, 승강본체부; 및Lifting body part; And 일단은 상기 승강본체부에 결합되고 타단은 상기 높이조절부에 결합되는 복수의 승강아암을 포함하며,One end is coupled to the lifting body portion and the other end includes a plurality of lifting arms coupled to the height adjustment portion, 상기 서셉터지지대는 그 하단이 상기 복수의 높이조절부에 각각 결합되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The susceptor support is a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, characterized in that the lower end is respectively coupled to the plurality of height adjustment. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 서셉터는,The susceptor, 상기 챔버 내에서 횡방향으로 배치되어 상기 평면디스플레이를 지지하는 기판로딩부; 및A substrate loading part disposed in the chamber in a lateral direction to support the flat panel display; And 상단은 상기 기판로딩부의 중앙에 고정되고 하단은 상기 챔버의 하부벽을 통과하여 상기 챔버의 외부에 배치되며, 상기 승강본체부의 내부를 관통하는 센터봉을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The upper end is fixed to the center of the substrate loading portion and the lower end is disposed outside the chamber through the lower wall of the chamber, the chemical vapor phase for flat display, characterized in that it comprises a center rod penetrating the inside of the lifting body portion Vapor deposition apparatus. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 센터봉의 외측에는 상기 서셉터지지대와 함께 상기 기판로딩부를 지지하는 세라믹 기둥이 더 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a ceramic pillar supporting the substrate loading portion together with the susceptor support on an outer side of the center rod. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 높이조절부는,The height adjustment unit, 상기 승강아암의 단부에 결합되고, 내부에 암나사산이 형성되어 있는 보스부; 및A boss portion coupled to an end of the lifting arm and having a female thread formed therein; And 상기 보스부의 암나사산에 나사결합되는 수나사산을 가지고 상기 보스부에 나사결합되는 나사축부와, 상기 나사축부의 상단에 마련되어 상기 서셉터지지대에 결합되는 결합부를 갖는 높이조절나사를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a height adjusting screw having a male screw thread screwed to the female screw thread of the boss, and a screw shaft screwed to the boss, and a coupling part provided on the screw shaft and coupled to the susceptor support. Chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 높이조절부는,The height adjustment unit, 상기 서셉터지지대의 하단에 결합되는 홀더; 및A holder coupled to the lower end of the susceptor support; And 일 영역은 상기 홀더에 회전가능하게 지지되고 타 영역은 상기 승강아암에 나사결합되어 정역방향으로의 회전시, 상기 홀더를 통해 상기 서셉터지지대를 승강시키는 레벨러를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.One region is rotatably supported by the holder and the other region is screwed to the lifting arm and includes a leveler for elevating the susceptor support through the holder during rotation in the forward and reverse directions. Chemical vapor deposition apparatus. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 레벨러는,The leveler is 소정의 회전간격을 가지고 상기 홀더 내에 형성된 홈부에 수용되는 머리부; 및A head portion accommodated in a groove portion formed in the holder with a predetermined rotation interval; And 상기 머리부와 연결되고 외면의 나사산이 상기 승강아암에 나사결합되는 축부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a shaft portion connected to the head and having a screw thread on an outer surface thereof screwed to the lifting arm. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 축부의 단부에는 상기 레벨러를 정역방향으로 회전시키는 회전조작로드가 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a rotation operation rod for rotating the leveler in the forward and reverse directions at an end portion of the shaft portion. 제6항 또는 제7항에 있어서,The method according to claim 6 or 7, 상기 홀더와 상기 레벨러가 상호 접촉하는 접촉영역에는 상기 레벨러의 회전을 배가시키는 베어링이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a bearing for doubling the rotation of the leveler in a contact area where the holder and the leveler are in contact with each other. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 서셉터지지대의 외측에는 상기 챔버와 상기 서셉터지지대 간을 간격을 차폐하는 벨로우즈관이 마련되어 있으며,On the outside of the susceptor support is provided a bellows pipe for shielding the gap between the chamber and the susceptor support, 상기 높이조절부는 상기 레벨러의 회전시, 상기 서셉터지지대가 회전하여 상기 벨로우즈관이 파손되는 것이 저지되도록 상기 서셉터지지대의 회전을 저지하는 회전저지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The height adjusting unit further includes a rotation stop unit for preventing rotation of the susceptor support so that the susceptor support is rotated to prevent the bellows pipe from being damaged when the leveler is rotated. Vapor deposition apparatus. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 회전저지부는,The rotation stopping part, 상기 승강아암과 상기 홀더 중 어느 하나에 형성된 키홈; 및A key groove formed on any one of the lifting arm and the holder; And 상기 승강아암과 상기 홀더 중 다른 하나에 마련되고 상기 키홈에 결합되어 상기 레벨러의 회전시, 상기 홀더의 회전을 저지하는 키블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a key block provided on the other one of the lifting arm and the holder and coupled to the key groove to prevent rotation of the holder when the leveler is rotated. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 키홈은 상기 홀더에 형성되어 있고, 상기 키블록은 상기 승강아암에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The key groove is formed in the holder, the key block is a chemical vapor deposition apparatus for a flat display, characterized in that provided on the lifting arm. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 서셉터지지대는 로딩된 상기 평면디스플레이에 의해 상기 서셉터의 기판로딩부가 처지는 것을 저지하도록 상기 기판로딩부의 하부에 상호 이격되게 복수개로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a plurality of susceptor supports arranged at a lower portion of the substrate loading portion to prevent sagging of the substrate loading portion of the susceptor by the loaded flat display. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 높이조절부는,The height adjustment unit, 상기 서셉터지지대의 하단에 결합되고 외면에 나사산이 형성된 레벨러; 및A leveler coupled to a lower end of the susceptor support and having a thread formed on an outer surface thereof; And 상기 레벨러가 나사결합되도록 상기 승강아암의 내부에 형성되는 나사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a screw portion formed inside the lifting arm such that the leveler is screwed together. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판인 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The planar display is a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, characterized in that the large glass substrate for liquid crystal display (LCD). 증착 공정이 진행되는 챔버의 내부에 마련되어 평면디스플레이가 로딩(Loading)되는 서셉터;A susceptor provided inside the chamber in which the deposition process is performed and loaded with a flat panel display; 상기 서셉터를 지지하는 서셉터지지대;A susceptor support for supporting the susceptor; 상기 서셉터와 상기 서셉터지지대에 결합되어 상기 서셉터와 상기 서셉터지지대를 함께 승강시키는 승강모듈; 및A lift module coupled to the susceptor and the susceptor support to lift the susceptor and the susceptor support together; And 상기 승강모듈에 대해 상기 서셉터지지대의 높이를 독립적으로 조절하는 높이조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a height control unit for independently adjusting the height of the susceptor support with respect to the elevating module. 제16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 서셉터는,The susceptor, 상기 챔버 내에서 횡방향으로 배치되어 상기 평면디스플레이를 지지하는 기판로딩부; 및A substrate loading part disposed in the chamber in a lateral direction to support the flat panel display; And 상단은 상기 기판로딩부의 중앙에 고정되고 하단은 상기 챔버의 하부벽을 통과하여 상기 챔버의 외부에 배치되며, 상기 승강모듈에 결합되는 센터봉을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The upper end is fixed to the center of the substrate loading portion and the lower end is disposed outside the chamber through the lower wall of the chamber, the chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display comprising a center rod coupled to the elevating module .
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