KR200320855Y1 - Thermal treatment unit for electric and electronic elemnt - Google Patents
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Abstract
본 고안은 전기소자용 열처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 적층 세라믹소자 또는 반도체부품 등을 소성·소결하기 위한 열처리장치에 관한 것으로, 유량제어수단(110)을 구비한 가스공급장치와, 제어성 가열수단(120) 및 온도감지수단(130)을 구비하고 상기 가스공급장치에 연결되어 가스를 공급받는 반응로(kiln)(100)와, 상기 반응로로부터 배출되는 가스의 양을 조절하기 위한 배기밸브(140)를 구비한 열처리 장치에 있어서, 상기 배기밸브의 개폐정도를 표시하기 위한 표시수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자용 열처리 장치를 제공함으로써 배기밸브의 개폐정도를 수치화하여 배기가스의 배출량을 정밀하게 조절하는 것이 가능해져 반응로의 압력, 온도 및 가스체류시간 등의 조절을 안정적으로 할 수 있고 또한 에너지 및 가스의 소모량을 줄일 수 있다.The present invention relates to a heat treatment apparatus for an electric element, and more particularly, to a heat treatment apparatus for firing and sintering a multilayer ceramic element or a semiconductor component, the gas supply apparatus having a flow control means 110, and the control A reactor (kiln) 100 having a castle heating means 120 and a temperature sensing means 130 and connected to the gas supply device to receive gas, and for controlling the amount of gas discharged from the reactor. A heat treatment apparatus provided with an exhaust valve (140), comprising a display means for displaying the opening and closing degree of the exhaust valve. It is possible to precisely control the discharge rate so that the pressure, temperature and gas residence time of the reactor can be controlled stably, and energy and gas consumption can be controlled. One can.
Description
본 고안은 소자용 열처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 적층 세라믹소자 또는 반도체부품 등을 소성·소결하기 위한 열처리장치에 관한 것으로, 유량제어수단을 구비한 가스공급장치와, 제어성 가열수단 및 온도감지수단을 구비하고 상기 가스공급장치에 연결되어 가스를 공급받는 반응로(kiln)와, 상기 반응로로부터 배출되는 가스의 양을 조절하기 위한 배기밸브를 구비한 열처리 장치에 있어서, 상기 배기밸브의 개폐정도를 표시하기 위한 표시수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자용 열처리 장치를 제공함으로써, 배기밸브의 개폐정도를 수치화하여 배기가스의 배출량을 정밀하게 조절하는 것이 가능해져 반응로의 압력, 온도 및 가스체류시간 등의 조절을 안정적으로 할 수 있고 또한 에너지 및 가스의 소모량을 줄일 수 있는 소자용 열처리장치를 제공한다.The present invention relates to a heat treatment apparatus for an element, and more particularly, to a heat treatment apparatus for firing and sintering a multilayer ceramic element or a semiconductor component, the gas supply apparatus having a flow control means, a controllable heating means and A heat treatment apparatus having a temperature sensing means and connected to the gas supply device to receive a gas, and a exhaust valve for adjusting the amount of gas discharged from the reactor, wherein the exhaust valve Providing a heat treatment apparatus for an element, characterized in that it comprises a display means for displaying the opening and closing degree of the, it is possible to precisely control the exhaust gas emissions by quantifying the opening and closing degree of the exhaust valve to be able to precisely control the pressure and temperature of the reactor And heat for device that can stably control gas residence time and reduce consumption of energy and gas It provides the Physical Unit.
일반적으로 적층세라믹콘덴서 또는 반도체 웨이퍼 등과 같은 소자를 일반 대기분위기하에서 소성·소결 등의 열처리를 수행하게 되면 양질의 제품을 생산할 수 없기 때문에 불활성가스분위기를 제공하여 열처리를 수행하게 된다. 상기 열처리는 필요에 따라 반응가스와 함께 수행되며, 소자의 종류 및 이루고자 하는 목적에 따라 가스의 양, 체류시간, 압력 및 온도를 달리하며 열처리가 이루어지기도 한다.In general, when a device such as a laminated ceramic capacitor or a semiconductor wafer is subjected to heat treatment such as sintering and sintering in a general atmosphere, it is impossible to produce a high quality product, thereby providing an inert gas atmosphere to perform heat treatment. The heat treatment is carried out with the reaction gas as necessary, and the heat treatment may be performed by varying the amount of gas, residence time, pressure and temperature depending on the type of device and the purpose to be achieved.
그러나, 상기 목적에 따라 가스의 양 및 압력 등을 안정적이고 적절한 수준으로 조절하기 위해서는 가스공급구와 배출구 양쪽에 유량제어장치를 구비해야함에도 불구하고 종래의 열처리장치는 배기량을 조절할 수 있는 수단을 구비한 시스템을 구축하지 못했다. 이는 소자의 열처리 온도가 수백도 내지 1,000℃ 이상의 온도에서 수행되므로 배기가스의 온도가 너무 높은 탓에 배기구쪽에 유량제어장치를 사용하기 힘들었기 때문이다. 따라서, 가스량의 조절은 오직 공급구를 통해서만 이루어졌으며, 이로 인해 로 내부의 온도조절 및 주입하는 가스량의 조절이 안정적으로 이루어지지 않았다. 특허공개공보 제 2002-0063805호에는 가스 공급구 및 배출구에 각각 제어가능한 밸브를 구비한 반도체웨이퍼 표면처리장치가 개시되어 있으나 상기 장치는 저온에서 작동되는 것에 불과하며 고온의 열처리장치에서는 사용하기 힘들다.However, in order to control the amount and pressure of the gas to a stable and appropriate level according to the above object, although the flow control device must be provided at both the gas supply port and the discharge port, the conventional heat treatment apparatus is provided with a means for adjusting the displacement The system could not be built. This is because it is difficult to use the flow control device on the exhaust port because the temperature of the exhaust gas is too high because the heat treatment temperature of the device is carried out at a temperature of several hundred degrees to 1,000 ℃ or more. Therefore, the gas amount was controlled only through the supply port, and thus, the temperature control and the gas amount injected into the furnace were not stable. Patent Publication No. 2002-0063805 discloses a semiconductor wafer surface treatment apparatus having a controllable valve at a gas supply port and an outlet port, respectively, but the device is only operated at a low temperature and is difficult to use in a high temperature heat treatment apparatus.
이를 개선하기 위해 본 고안자는 배기구에 일반 수동밸브를 장착하여 배기가스의 배출량을 조절하는 방법을 연구하였다. 그러나, 일반 수동밸브는 정밀하게 조절하기 힘들고 수치화한 제어가 어려워 재현성과 신뢰성이 떨어지는 단점이 있다.In order to improve this problem, the present inventors studied a method of controlling exhaust gas emissions by installing a general manual valve in the exhaust port. However, the general manual valve has a disadvantage in that reproducibility and reliability are poor because it is difficult to precisely control and difficult to control numerically.
따라서, 본 고안이 이루고자 하는 기술적 과제는, 유량제어수단을 구비한 가스공급장치와, 제어성 가열수단 및 온도감지수단을 구비하고 상기 가스공급장치에 연결되어 가스를 공급받는 반응로와, 상기 반응로로부터 배출되는 가스의 양을 조절하기 위한 배기밸브를 구비한 열처리 장치에 있어서, 상기 배기밸브의 개폐정도를 표시하기 위한 표시수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자용 열처리 장치를 제공함으로써 배기가스의 배출량을 정밀하게 조절하는 것이 가능해져서 반응로의 압력, 온도 및 가스체류시간 등의 조절을 안정적으로 할 수 있고 또한 에너지 및 가스의 소모량을 줄일 수 있는 경제적인 열처리장치를 제공하는 것이다.Accordingly, a technical problem to be achieved by the present invention is a gas supply device having a flow control means, a reaction furnace having controllable heating means and a temperature sensing means and connected to the gas supply device to receive gas, and the reaction. A heat treatment apparatus having an exhaust valve for adjusting the amount of gas discharged from a furnace, the heat treatment apparatus comprising a display means for displaying the opening and closing degree of the exhaust valve, thereby providing a heat treatment apparatus for the exhaust gas. It is possible to precisely control the amount of discharge, to provide stable heat, pressure, temperature and gas residence time, and to provide an economical heat treatment device that can reduce energy and gas consumption.
도 1은 본 고안에 따른 소자용 열처리장치의 개략적 설명도1 is a schematic explanatory diagram of a heat treatment apparatus for a device according to the present invention
도 2은 본 고안에 따른 소자용 열처리장치의 배기밸브의 정면도Figure 2 is a front view of the exhaust valve of the heat treatment device for a device according to the present invention
*주요 도면부호에 대한 간단한 설명* Brief description of the major reference symbols
100: 반응로 110: 유량제어수단100: reactor 110: flow control means
120: 제어성 가열수단 130:온도감지수단120: controllable heating means 130: temperature sensing means
140: 배기밸브 150: 피열처리소자140: exhaust valve 150: heat treatment element
141: 제1기어 142: 제2기어141: first gear 142: second gear
143: 계수기143: counter
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 고안은, 유량제어수단을 구비한 가스공급장치와, 제어성 가열수단 및 온도감지수단을 구비하고 상기 가스공급장치에연결되어 가스를 공급받는 반응로(kiln)와, 상기 반응로로부터 배출되는 가스의 양을 조절하기 위한 배기밸브를 구비한 열처리 장치에 있어서, 상기 배기밸브의 개폐정도를 표시하기 위한 표시수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자용 열처리 장치를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention includes a gas supply device having a flow control means, a control furnace having controllable heating means and a temperature sensing means, and connected to the gas supply device to receive gas and In the heat treatment apparatus having an exhaust valve for adjusting the amount of gas discharged from the reactor, it provides a device heat treatment apparatus comprising a display means for displaying the opening and closing degree of the exhaust valve. .
이하에서 본 고안에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings for the subject innovation will be described in more detail.
도 1은 본 고안에 따른 소자용 열처리장치의 개략적 설명도이다. 도면에 나타난 바와 같이, 본 고안에 따른 소자용 열처리장치는 유량제어장치(110)를 구비한 가스공급장치를 구비한다. 상기 유량제어장치는 반응로의 제어성 가열수단(120) 과 함께 프로그램에 의해 제어되는 것이 일반적이다.1 is a schematic explanatory view of a heat treatment apparatus for a device according to the present invention. As shown in the figure, the heat treatment apparatus for a device according to the present invention includes a gas supply device having a flow control device 110. The flow control device is generally controlled by a program together with the controllable heating means 120 of the reactor.
또한, 본 고안에 따른 소자용 열처리장치는 제어성 가열수단 및 온도감지수단을 구비하고 상기 가스공급장치에 연결되어 가스를 공급받는 반응로(100)를 구비한다. 상기 제어성 가열수단(120)은 전술한 바와 같이 유량제어장치(110)와 함께 프로그램에 의해 제어된다. 상기 온도감지수단(130)은 반응로 내부의 온도, 특히 열처리 대상물(150) 근처에 위치시켜 대상물의 온도를 측정하는데 사용되며 상기 온도감지수단을 통해 측정된 온도는 컴퓨터로 전해져 상기 유량제어장치 및 제어성 가열수단을 피드백 제어하게 된다. 상기 온도감지수단(130)은 복수로 사용될 수 있다. 또한, 상기 반응로는 필요에 따라 압력감지수단을 추가로 구비할 수 있다.In addition, the heat treatment apparatus for a device according to the present invention is provided with a control heating means and a temperature sensing means and is provided with a reactor 100 is connected to the gas supply device to receive the gas. The controllable heating means 120 is controlled by a program together with the flow control device 110 as described above. The temperature sensing means 130 is used to measure the temperature of the inside of the reactor, in particular near the heat treatment object 150, and used to measure the temperature of the object, and the temperature measured by the temperature sensing means is transmitted to a computer to control the flow rate control device and Feedback control of the controllable heating means. The temperature sensing means 130 may be used in plurality. In addition, the reactor may be further provided with a pressure sensing means as necessary.
또한, 본 고안에 따른 소자용 열처리장치는 상기 반응로로부터 배출되는 가스의 양을 조절하기 위한 배기밸브(140)의 개폐정도를 표시하기 위한 표시수단을 포함하는 배기밸브를 구비한다. 도 2는 본 고안에 따른 배기밸브에 대한 구체예로서, 밸브의 개폐조절축에 설치된 제1기어(141)와, 상기 제1기어에 맞물려 설치된 제2기어(142)와, 상기 제2기어의 회전축에 연결되고, 상기 회전축의 회전수를 표시하는 계수기(143)를 포함하는 배기밸브의 정면도를 나타낸다. 조작자는 상기 계수기(143)를 통해 밸브의 개폐정도를 수치화하여 확인할 수 있고 정밀한 밸브조작을 할 수 있다. 또한, 열처리조건이 달라져 밸브의 개폐 정도를 달리해야 할 필요가 있는 경우에도 계수기(143)에 표시되는 값을 이용하여 밸브의 개폐정도를 적절히 조절하는 것이 가능하다. 배기밸브(140)의 형태는 제한되는 것은 아니나 고열 및 고압에도 적용가능하고 정밀한 조작을 위해서는 슬루스 밸브(sluice valve)가 바람직하다. 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 여러 가지 상황에 요구되는 개폐정도를 계산하여 수치화할 수 있을 것이다.In addition, the device heat treatment apparatus according to the present invention includes an exhaust valve including a display means for displaying the opening and closing degree of the exhaust valve 140 for adjusting the amount of gas discharged from the reactor. Figure 2 is a specific example of the exhaust valve according to the present invention, the first gear 141 installed on the opening and closing control shaft of the valve, the second gear 142 is engaged with the first gear and the second gear The front view of the exhaust valve which is connected to the rotating shaft and includes the counter 143 which displays the rotation speed of the rotating shaft is shown. The operator can numerically confirm the opening and closing degree of the valve through the counter 143 and perform precise valve operation. In addition, even when it is necessary to change the opening and closing degree of the valve because the heat treatment conditions are different, it is possible to appropriately adjust the opening and closing degree of the valve by using the value displayed on the counter 143. Although the shape of the exhaust valve 140 is not limited, it is also applicable to high temperature and high pressure, and a sluice valve is preferable for precise operation. Those skilled in the art will be able to calculate and quantify the degree of opening and closing required for various situations.
본 고안의 실시예에서는 기어장치를 사용한 계수기(143)를 구비한 배기밸브(140)만을 개시하고 있으나 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 고안의 기어장치 또는 계수기를 변형하여 동일한 목적을 달성할 수 있음을 쉽게 알 수 있으므로, 본 고안의 범위가 이에만 한정되는 것은 아니다.The embodiment of the present invention discloses only the exhaust valve 140 having a counter 143 using a gear device, but those skilled in the art to which the present invention belongs to modify the gear device or the counter of the present invention Since it can be easily seen that the same purpose can be achieved, the scope of the present invention is not limited thereto.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 고안은, 유량제어수단을 구비한 가스공급장치와, 제어성 가열수단 및 온도감지수단을 구비하고 상기 가스공급장치에 연결되어 가스를 공급받는 반응로(kiln)와, 상기 반응로로부터 배출되는 가스의 양을 조절하기 위한 배기밸브를 구비한 열처리 장치에 있어서, 상기 배기밸브의 개폐정도를 표시하기 위한 표시수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자용 열처리 장치를 제공함으로써 배기밸브의 개폐정도를 수치화하여 배기가스의 배출량을 정밀하게 조절하는 것이 가능해져 반응로의 압력, 온도 및 가스체류시간 등의 조절을 안정적으로 할 수 있고 또한 에너지 및 가스의 소모량을 줄일 수 있다.As described above, the present invention includes a gas supply device having a flow control means, a reactor having controllable heating means and a temperature sensing means, and connected to the gas supply device to receive gas, and A heat treatment apparatus having an exhaust valve for adjusting an amount of gas discharged from a reactor, the exhaust valve being provided by providing a heat treatment apparatus for an element, characterized by including display means for displaying the opening and closing degree of the exhaust valve. It is possible to precisely control the emission of exhaust gas by quantifying the degree of opening and closing of the gas, so that it is possible to stably control the pressure, temperature, and gas residence time of the reactor, and to reduce energy and gas consumption.
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