KR20010111056A - 유기 광방출 장치용 방출층의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 도판트 수용층의 상부 또는 하부에 배치된 도판트를 갖는 하나 이상의 도판트 층을 제공하는 단계, 도판트 수용층 및 도판트 층이 양극과 음극 사이에 배치되도록 양극 및 음극을 제공하는 단계 및 전자발광 장치를 가열하여 도판트 층으로부터 도판트 수용층으로 도판트를 확산시키고 호스트 물질 중에 균일하게 분산된 도판트를 갖는 방출층을 형성하는 단계를 포함하는 기판, 및 도핑시 방출층을 제공하는 호스트 물질을 함유하는 하나 이상의 도판트 수용층을 갖는 전자발광 장치의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 유기 광방출 장치의 제조방법에 관한 것이고, 보다 구체적으로는 도판트를 도판트 층으로부터 도판트 수용층에 확산시켜 형성된 유기 광방출 장치의 광방출층을 제공하는 방법에 관한 것이다.
유기 전자발광(EL) 장치 또는 유기 내접부 광방출 장치라고도 불리는 유기 광방출 장치는 유기 광방출 구조물(유기 EL 매체라고도 불림)에 의해 분리되어 있는 이격된 전극을 포함하며, 이는 전극을 교차하여 전위차가 인가되면 그에 대응하여 빛을 방출시킨다. 하나 이상의 전극이 투광성 물질이며, 유기 광방출 구조물은 유기 다층의 박막을 가질 수 있으며 이들을 각각 양극으로부터 정공을 주입 및 이송하고 음극으로부터 전자를 주입 및 이송시켜 정공 이송 박막과 전자 이송 박막 사이의 계면에 형성된 내접부에서 전자-정공 재조합에 의해 빛이 발산된다. 본 명세서에서 사용되는 "박막"이란 층 두께가 1 ㎛ 미만인 것을 말하며, 0.5 ㎛ 미만 층 두께가 일반적이다. 통상적으로 양도된 미국 특허 제 4,356,429 호, 제 4,539,507 호, 제 4,720,432 호 및 제 4,769,292 호에 박막 침착 기술에 의해 제조된 유기 광방출 구조물 및 음극 구조를 포함하는 유기 광방출 장치의 예가 개시되어 있다.
유기 광방출 장치를 작동하는 동안, 방출된 광의 스펙트럼 분포(스펙트럼의 광채로 측정)는 장치 구성에 사용된 유기 박막의 전자발광 특성에 관한 것이다. 예를 들어, 유기 광방출 구조가 광방출 호스트 물질 함유 층을 포함하는 경우, 방출된 광은 호스트 물질로부터의 광방출에 의해 좌우될 것이다.
상기에서 인용된 통상적으로 양도된 미국 특허 제 4,769,292 호에서 만약 유기 광방출 장치가 두께 1 ㎛ 미만의 발광 대역(또는 광방출층)을 포함하고 전자-정공 재조합을 지속할 수 있는 유기 호스트 물질 및 전자-정공 조합에 의해 발생된 에너지에 대응하여 광을 방출시킬 수 있는 소량의 형광 물질로 구성되는 경우, 유리한 성능 특성의 유기 광방출 장치를 얻을 수 있다는 것을 인식되었다. 광방출 호스트 물질의 층에 형광 물질을 첨가함으로서 광방출의 색을 변화시킬 수 있으며 유기 광방출 장치의 작동 안정성을 향상시킬 수 있다. 반도체 산업에서 사용되는 용어에서 유추하여, 광방출 유기 호스트 물질 중에 상대적으로 낮은 농도로 균일하게 분산되어 있는 형광 물질을 도판트(dopants)라 부른다.
현재 실행되고 있는 바와 같이, 광방출 장치의 유기 박막은 침착률 조절법을 이용하는 진공 시스템 내에서 연속적인 침착 단계에 따른 증착법(증발 또는 승화)으로 형성된다. 형광 도판트가 유기 광방출층 내에 균일하게 혼입되어 있는 경우, 광방출 호스트 물질 및 형광 도판트 물질은 2개의 별도로 조절되는 침착원들로부터 동시 침착된다. 유기 광방출층의 호스트 물질 중의 목적하는 도판트 농도가10-3내지 약 10 몰%의 도판트 농도 범위의 하한 또는 그 부근인 경우 호스트 물질 및 형광 도판트 각각의 침착률을 조절할 필요가 있다. 유기 광방출 호스트 물질 및 형광 도판트 물질의 침착률을 확실하게 조절하는 것의 어려움은 형광 도판트 물질(들)을 함유하는 유기 전자발광 장치를 재현 가능하게 제조하는 데에 있어서 장애 요인이 되어왔다.
WO 99/39373에 개시되어 있는 전자발광 장치를 제조하는 또 다른 최신 방법에서는 요소들을 패턴화시키는 방법을 사용하였으나 완성된 장치에서 조업하지 않으며 따라서 패턴화를 위해서는 진공을 해제한 후 진공 또는 불활성 분위기에서 장치를 완성시켰다.
본 발명의 목적은 선행기술의 방법에 관련된 문제점을 극복한 도핑된 방출층을 형성하는 개선된 방법을 제공하는 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은 기판, 기판 위에 제공된 양극, 도핑될 때 양극 위에 배치된 방출층을 제공하는 하나 이상의 도판트 수용층 및 방출층 위에 배치된 음극을 갖는 전자발광 장치를 제조하고, 도판트를 확산시켜 도판트 수용층에 도판트 층을 형성시키는 방법을 제공하는 것이다.
도 1a는 도판트 수용층에 배치된 도판트 층을 갖는 열처리되지 않은 장치의 도이다.
도 1b는 열처리에 의해 도판트를 균일하게 방출층 전체에 걸쳐 균일하게 분산시켜 도판트 확산에 따라 개질된 장치로부터 광을 방출시키는 도 1a의 장치를 도시한 것이다.
도 2a는 도판트 수용층에 배치된 도판트 층과 함께 비가열 또는 비처리된 정공 이송층 및 전자 이송층을 갖는 본 발명의 다른 바람직한 실시태양의 도이다.
도 2b는 도판트를 방출층 전체에 걸쳐 균일하게 분산시켜 도판트의 확산에 따라 개질된 장치로부터 광을 방출시키는 처리된 도 2a의 장치를 도시한 것이다.
도 3a 및 도 3b는 장치에 2개의 추가의 층, 즉 정공 이송층 및 전자 이송층을 포함하고 도판트 층의 초기 위치가 상이한 유기 발광 장치 제조용 유기 광방출 장치를 제조하기 위한 일련의 공정 단계를 도시한 것이다.
도 4a 및 도 4b는 장치에 2개의 추가의 층, 즉 정공 이송층 및 전자 이송층을 포함하여 도판트 층의 초기 위치가 역시 상이한 유기 발광 장치 제조용 유기 광방출 장치를 제조하기 위한 일련의 공정 단계를 도시한 것이다.
도 5a 및 도 5b는 패턴화 된 도판트 층을 제외하고 도 3a 및 도 3b와 유사하다.
이 목적들은 (a) 도판트 수용층의 상부 또는 하부에 배치된 도판트를 갖는 하나 이상의 도판트 층을 제공하는 단계; (b) 도판트 수용층 및 도판트 층이 양극과 음극 사이에 배치되도록 양극 및 음극을 제공하는 단계; 및 (c) 전자발광 장치를 가열하여 도판트 층으로부터 도판트 수용층으로 도판트를 확산시키고 호스트 물질 중에 균일하게 분산된 도판트를 갖는 방출층을 형성하는 단계를 포함하는, 기판, 및 도핑시 방출층을 제공하는 호스트 물질을 함유하는 하나 이상의 도판트 수용층을 갖는 전자발광 장치의 제조방법에 의해 달성된다.
본 발명의 중요한 특징은 도판트 층이 도판트 수용층으로 도판트를 확산시키기 전에 패턴을 띄게 할 수 있어 패턴을 띄고 다수의 색을 지닌 방출 장치를 형성한다는 것이다.
본 발명의 또 다른 특징은 방출층을 형성하는 유기 도판트 수용체의 침착 단계와 유기 도판트 물질의 침착 단계를 분리하고, 장치의 제작이 끝난 후에 도판트 물질을 호스트 물질에 도입한다는 것이다.
유기 광방출층과 형광 도판트 층의 침착 단계를 구분함으로서, 이들 각 층을 목적하는 두께로 개별적으로 형성시킴으로써 도핑된 광방출층을 형성하는 종래 기술과 관련된 침착률 조절 관련 문제점을 방지하였다. 따라서 침착 공정이 현저히 단순화되었으며 따라서 복잡성이 감소된 장치가 요구된다.
유기 광방출 호스트 물질의 광방출층은 종래의 증착법(증발, 승화)에 의해 형성되며, 다른 방법으로는 중합 유기 발광 물질의 기타 코팅법에 의해 형성시킬수 있다.
도판트 층은 종래의 증착법에 의해 형성되며, 다른 방법으로는 공여체 지지체상에 형성된 도판트 공여층으로부터 열 유도 전달 또는 다른 인쇄 방법, 예를 들어 잉크젯, 그라비어, 오프셋, 스크린, 플렉소그래픽 인쇄법 또는 제로그래픽 인쇄법을 사용하여 형성시킬 수 있다.
다른 도판트를 함유하는 2개 이상의 도판트 층을 특별한 패턴으로 형성시킴으로써, 광방출층으로부터 방출되는 광을 변화시키는데 있어 보다 다양한 범위의 선택권을 제공한다.
완성된 장치를 열처리함에 따른 도판트 층(들)으로부터 유기 광방출층으로의 도판트(들)의 확산은 비교적 간단한 장치를 필요로 하며, 정확한 공정 조절을 제공하여 호스트 물질의 유기 광방출층 전체에 걸쳐 도판트(들)의 균일한 분산도를 달성할 수 있게 한다.
본 발명의 양태에 따른 유기 광방출 장치를 제조하는데 사용되는 다양한 방법 및 공정 순서에 대한 하기의 설명에 있어서, 상응하는 요소들을 상응하는 숫자로 나타내었다. 이러한 일치에 대한 예외가 있는 경우에는 그때그때 자세히 논의한다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명에 따른 유기 광방출 장치를 제조하기 위한 공정 단계가 예시된 장치들이 도시되어 있다.
도 1a에는, 유기 광방출 장치(100)이 기판(102), 양극(104), 양극 위에 형성된 도판트 수용층(108), 광방출 구조물 위에 제공된 음극(106)의 순서로 도시되어있다. 음극 또는 양극 중 하나 또는 이들 모두는 투명성일 수 있다. 도판트 수용층(108) 내에는 도판트 층(110)이 배치되어 있다. 가열시 도판트 층(110)의 확산 방향은 화살표(140)으로 나타내었다.
도 1b에는 유기 광방출 장치(100)을 가열한 후 형성된 유기 광방출 구조물 (150)이 개략적으로 예시되어 있다. 여기서, 도판트 층(110)은 도판트 수용층(108)로 확산되어 방출층(112)를 형성한다. 위와 마찬가지로, 양극(104)는 지지체(102) 위에 있으며, 음극(106)은 도시한 바와 같이 제공되었다.
가열은 고온 플레이트, 오븐, 적외선 램프, 플래쉬 램프 및 레이저 가열과 같은 다양한 방법으로 수행될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 공정 온도 범위는 물질의 유리 전이 온도(Tg) 근처의 최적온도로서 50 ℃ 내지 250 ℃이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 추가의 층을 갖는 유기 광방출 장치를 제조하기 위한 본 발명의 또 다른 측면을 예시하는 장치를 도시하고 있다.
도 2a는 양극(204) 및 기판(202) 위에 정공 이송 층(216) 및 전자 이송층(214)를 갖는다는 점에서 도 1a의 처리되지 않은 유기 광방출 장치(100)과 상이한 미처리 유기 광방출 장치(200)을 도시하고 있다. 상기와 마찬가지로, 도판트 층(210)은 도판트 수용층(208) 위에 배치된다. 음극(206)은 상기와 같이 제공된다. 도판트 층(210)을 가열 시, 확산 방향은 화살표(240)으로 나타나 있다.
도 2b는 결과로서 얻어진 기판(202) 위에 양극(204), 정공 이송층(216), 전자 이송층(214) 및 음극(206)을 갖는 유기 광방출 장치(250) 및 방출층(212)이 형성된 것을 도시하고 있다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 추가의 층을 갖는 적으로 갖는 유기 광방출 장치를 제조하기 위한 본 발명의 또 다른 측면을 예시하는 장치를 도시하고 있다.
도 3a는 도판트 층(310)이 양극(304) 및 기판(302) 위에 놓인다는 점에서 도 2a에 예시된 미처리 유기 광방출 장치와 상이한 미처리된 유기 광방출 장치(300)을 도시하고 있다. 정공 이송층(316), 도판트 수용층(308), 전자 이송층(314) 및 음극(306)의 위치는 상기와 동일하다. 가열 시 도판트 층(310)의 확산 방향은 화살표(340)으로 나타나 있다.
도 3b는 결과로서 얻어진, 기판(302) 위에 양극(304), 정공 이송층(316), 전자 이송층(314) 및 음극(306)을 갖는 유기 광방출 장치(350) 및 방출층 (312)이 형성된 것을 도시하고 있다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 추가의 층을 갖는 적으로 갖는 유기 광방출 장치를 제조하기 위한 본 발명의 또 다른 측면을 예시하는 장치를 도시하고 있다.
도 4a는 도판트 층(410)이 양극(404) 및 기판(402) 위에 놓인다는 점에서 도 3a에 예시된 미처리 유기 광방출 장치와 상이한 미처리된 유기 광방출 장치(400)을 도시하고 있다. 정공 이송층(416), 도판트 수용층(408), 전자 이송층(414) 및 음극(406)의 위치는 상기와 동일하다. 가열 시 도판트 층(410)의 확산 방향은 화살표(440)으로 나타나 있다.
도 4b는 결과로서 얻어진, 기판(402) 위에 양극(404), 정공 이송층(416), 전자 이송층(414) 및 음극(406)을 갖는 유기 광방출 장치(450) 및 방출층 (412)이 형성된 것을 도시하고 있다.
도 3a 및 도 3b와 유사한 도 5a 및 5b를 참조하면, 상응하는 부분에 대해서는 동일한 참조번호가 사용된다. 도 5a 및 도 5b에서 도판트 층(310)이 종래의 기법, 예를 들어 천공 마스크(aperture mask)를 통한 진공 침착법, 잉크젯 프린팅, 열 안료 확산 프린팅, 오프셋 프린팅, 왁스 이송 프린팅 또는 다른 프린팅 기법에 따라 침착되고 패턴화되어 도시한 바와 같이 (310a), (310b), (310c)의 상이한 영역에서의 패턴화된 도판트를 생성시킨다는 점이 주목된다. 양극(304) 및 음극(306)은 도시한 바와 같이 제공되고 도판트 수용층(308) 및 도판트 층(310)은 이러한 양극(304)와 음극(306) 사이에 배치된다. 이어서, 이 구조는 도판트가 도판트 층(310)에서 도판트 수용층(308)로 확산되어 방출층(312)를 형성하기에 충분할 정도의 온도와 시간으로 가열되어 양극(304)와 음극(306) 사이에 전위가 인가될 때 방출층(312)으로부터 광이 방출되어, 도시한 바와 같은 패턴화된 착색 방출층 (312a), (312b) 및 (312c)를 생성시킨다.
실시예
하기의 실시예들은 본 발명을 좀더 깊은 이해를 위해 제공된다. 간결하게 표현하기 위해 형성되는 물질 및 층들은 다음의 약자로 표시한다.
ITO: 인듐 주석 산화물(양극)
NPB: 4,4'-비스-[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]-비-페닐(정공 이송층)
Alq: 트리스(8-콰놀리나토-N1,08)-알루미늄(광방출 층; 전자 이송 층)
MgAg: 부피비가 10:1인 마그네슘:은(음극)
DCJTB: 4-(디시아노메틸렌)-2-t-부틸-6-(1,1,7,7-테트라메틸줄올리딜-9-에닐)-4H-피란(도판트)
루브렌: 9,10,11,12-테트라페닐나프타센
실시예 1
전자광 발광성을 측정하기 위해 제조된 장치를
a) ITO가 피복된 유리로 만들어진 투광성 양극을 세제 용액으로 세척한 후 고압의 탈이온수로 세척하고, 질소 기류 및 열 램프로 건조하는 단계;
b) 40% 유동에서 40 mTorr 이하의 압력으로 30초간 300 와트의 산소 플라즈마 세정한 후, 40% 유동에서 40 mTorr 이하의 압력으로 10초간 100 와트의 CHF3플라즈마 처리하는 단계;
c) 두께 75 nm의 NPB층을 종래의 진공 증발법으로 ITO 양극 위에 침착시키는 단계;
d) 두께 75 nm의 Alq층을 종래의 진공 증발법으로 NPB층 위에 형성시키는 단계; 및
e) 두께 400 nm의 MgAg층을 종래의 진공 증발법으로 Alq 도판트 층 위에 피복시키는 단계에 따라 제조하였다. 이 장치는 ITO/NPB(75)/Alq(75)/MgAg의 약자로 표시된다.
실시예 2
광발광성을 측정하기 위해 고안된 장치를 추가적인 도판트 층을 포함시킨 것을 제외하고 상기 실시예 1의 방식으로
a) ITO가 피복된 유리로 만들어진 투광성 양극을 세제 용액으로 세척한 후 고압의 탈이온수로 세척하고, 질소 기류 및 열 램프로 건조하는 단계;
b) 40% 유동에서 40 mTorr 이하의 압력으로 30초간 300 와트의 산소 플라즈마 세정한 후, 40% 유동에서 40 mTorr 이하의 압력으로 10초간 100 와트의 CHF3플라즈마 처리하는 단계;
c) 두께 75 nm의 NPB층을 종래의 진공 증발법으로 ITO 양극 위에 침착시키는 단계;
d) 두께 4 nm의 루브렌 5.3%를 종래의 진공 증발법으로 두께 75 nm의 Alq와 함께 NPB층 위에서 증발시키는 단계; 및
e) 두께 400 nm의 MgAg층을 종래의 진공 증발법으로 Alq 도판트 층 위에 피복시키는 단계에 따라 제조했다. 이 장치는 ITO/NPB(75)/루브렌(4):Alq(75)/MgAg의 약자로 표시된다.
실시예 3
또 다른 유기 광방출 장치를
a) ITO가 피복된 유리로 만들어진 투광성 양극을 세제 용액으로 세척한 후 고압의 탈이온수로 세척하고, 질소 기류 및 열 램프로 건조하는 단계;
b) 40% 유동에서 40 mTorr 이하의 압력으로 30초간 300 와트의 산소 플라즈마 세정한 후, 40% 유동에서 40 mTorr 이하의 압력으로 10초간 100 와트의 CHF3플라즈마 처리하는 단계;
c) 두께 4 nm의 루브렌 층을 종래의 진공 증발법으로 ITO 양극 위에서 침착시키는 단계;
d) 두께 75 nm의 NPB층을 종래의 진공 증발법으로 루브렌 층 위에 침착시키는 단계; 및
e) 두께 400 nm의 MgAg층을 종래의 진공 증발법으로 Alq 도판트 층 위에 피복시키는 단계에 따라 제조했다. 이 장치는 ITO/루브렌(4)/NPB(75)/Alq(75)/MgAg의 약자로 표시된다.
실시예 4
실시예 3과 같은 방법으로 유기 광방출 장치를 제조했다.
실시예 5
또 다른 유기 광방출 장치를
a) ITO가 피복된 유리로 만들어진 투광성 양극을 세제 용액으로 세척한 후 고압의 탈이온수로 세척하고, 질소 기류 및 열 램프로 건조하는 단계;
b) 40% 유동에서 40 mTorr 이하의 압력으로 30초간 300 와트의 산소 플라즈마 세정한 후, 40% 유동에서 40 mTorr 이하의 압력으로 10초간 100 와트의 CHF3플라즈마 처리하는 단계;
c) 두께 75 nm의 NPB층을 종래의 진공 증발법으로 ITO 양극 위에서 침착시키는 단계;
d) 두께 4 nm의 루브렌 층을 종래의 진공 증발법으로 NPB층 위에 침착시키는 단계; 및
e) 두께 400 nm의 MgAg층이 종래의 진공 증발법으로 Alq 도판트 층 위에 피복시키는 단계에 따라 제조했다. 이 장치는 ITO/NPB(75)/루브렌(4)/Alq(75)/MgAg의 약자로 표시된다.
실시예 6
마지막 유기 광방출 장치를
a) ITO가 피복된 유리로 만들어진 투광성 양극을 세제 용액으로 세척한 후 고압의 탈이온수로 세척하고, 질소 기류 및 열 램프로 건조하는 단계;
b) 40% 유동에서 40 mTorr 이하의 압력으로 30초간 300 와트의 산소 플라즈마 세정한 후, 40% 유동에서 40 mTorr 이하의 압력으로 10초간 100 와트의 CHF3플라즈마 처리하는 단계;
c) 두께 4 nm의 루브렌 층을 종래의 진공 증발법으로 ITO 양극 위에서 침착시키는 단계;
d) 두께 1 nm의 DCJTB 층을 종래의 진공 증발법으로 루브렌 층 위에 침착시키는 단계;
e) 두께 75 nm의 NPB층을 종래의 진공 증발법으로 DCJTB층 위에 침착시키는 단계; 및
f) 두께 400 nm의 MgAg층을 종래의 진공 증발법으로 Alq 도판트 층 위에 피복시키는 단계에 따라 제조하였다. 이 장치는 ITO/루브렌(4)/DCJTB(1)/NPB(75)/Alq
(75)/MgAg의 약자로 표시된다.
상기 실시예들의 각각의 방출광의 스펙트럼의 광채는 20mA/cm2의 전류 밀도 하에서 포토 리서치 래보래토리(모델 PR650)에서 구입이 가능한 기기로 열 처리 전후에 측정하였다. 결과는 하기의 표와 같다.
| 실시예 | 가열 온도(℃) | 지속 시간(시간) | 열 처리 전 | 열 처리 후 | ||
| 최대 방출 파장(nm) | 효율(W/A) | 최대 방출 파장(nm) | 효율(W/A) | |||
| 1. | 104 | 3.5 | 540 | 0.017 | 540 | 0.022 |
| 2. | 105 | 3.5 | 568 | 0.040 | 568 | 0.048 |
| 3. | 104 | 3.5 | 540 | 0.018 | 564 | 0.037 |
| 4. | 90 | 3.5 | 540 | 0.022 | 540 | 0.021 |
| 추가 32시간 | 540 | 0.023 | ||||
| 5. | 105 | 3.5 | 564 | 0.008 | 564 | 0.025 |
| 6. | 105 | 3.5 | 540 | 0.023 |
본 발명에 의해 선행기술의 방법에 관련된 문제점을 극복한 도핑된 방출층을 형성하는 개선된 방법이 제공된다.
즉, 기판, 기판 위에 제공된 양극, 도핑될 때 양극 위에 배치된 방출층을 제공하는 하나 이상의 도판트 수용층 및 방출층 위에 배치된 음극을 갖는 전자발광 장치를 제조하여, 도판트를 확산시켜 도판트 수용층에 도판트 층을 형성시키는 방법을 제공한다.
Claims (9)
- (a) 도판트 수용층의 상부 또는 하부에 배치된 도판트를 갖는 하나 이상의 도판트 층을 제공하는 단계;(b) 도판트 수용층 및 도판트 층이 양극과 음극 사이에 배치되도록 양극 및 음극을 제공하는 단계; 및(c) 전자발광 장치를 가열하여 도판트 층으로부터 도판트 수용층으로 도판트를 확산시키고 호스트 물질 중에 균일하게 분산된 도판트를 갖는 방출층을 형성하는 단계를 포함하는,기판, 및 도핑시 방출층을 제공하는 호스트 물질을 함유하는 하나 이상의 도판트 수용층을 갖는 전자발광 장치의 제조방법.
- (a) 도판트 수용층의 상부 또는 하부에 배치된 도판트를 갖는 하나 이상의 도판트 층을 제공하는 단계;(b) 도판트 수용층 및 도판트 층이 양극과 음극 사이에 배치되도록 양극 및 음극을 제공하는 단계; 및(c) 단계 (a) 및 (b)에 의해 형성된 구조물을, 도판트 층으로부터 도판트 수용층으로 도판트를 확산시키는데 충분한 온도 및 시간동안 가열하여 음극과 양극 사이에 전위 인가시 광을 방출하는 방출층을 형성하는 단계를 포함하는,기판, 및 도핑시 방출층을 제공하는 호스트 물질을 함유하는 하나 이상의 도판트수용층을 갖는 전자발광 장치의 제조방법.
- (a) 도판트 수용층의 상부 또는 하부에 배치된 도판트를 갖는 하나 이상의 도판트 층을 침착시키고 패턴화시키는 단계;(b) 도판트 수용층 및 도판트 층이 양극과 음극 사이에 배치되도록 양극 및 음극을 제공하는 단계; 및(c) 단계 (a) 및 (b)에 의해 형성된 구조물을, 도판트 층으로부터 도판트 수용층으로 도판트를 확산시키는데 충분한 온도 및 시간동안 가열하여 음극과 양극 사이에 전위 인가시 광을 방출하는 방출층을 형성하는 단계를 포함하는,기판, 및 도핑시 방출층을 제공하는 호스트 물질을 함유하는 하나 이상의 도판트 수용층을 갖는 전자발광 장치의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,침착 및 패턴화 단계가 하나 이상의 층을 침착 및 패턴화시키고 상이한 색상의 광방출 화소에 상응하는 상이하게 패턴화된 부분에 상이한 안료를 제공하여 양극과 음극 사이에 전위 인가시 상이한 색상의 광방출 화소가 생성되도록 하는 것을 포함하는 방법.
- 제 2 항에 있어서,가열 단계가 구조를 50℃ 내지 250℃의 온도 범위에서 도판트를 도판트 수용층으로확산시키는데 충분한 시간동안 가열하는 것을 포함하는 방법.
- 제 2 항에 있어서,2개의 층이 양극과 음극 사이에 배치되고, 한 층이 도판트가 확산되어 방출층이 되는 정공 이송층이고, 나머지 한 층이 방출층 부근에 배치된 전자 이송층인 방법.
- 제 2 항에 있어서,2개의 층이 양극과 음극 사이에 배치되고, 한 층이 도판트가 확산되어 방출층이 되는 전자 이송층이고, 나머지 한 층이 방출층 부근에 배치된 정공 이송층인 방법.
- 제 3 항에 있어서,도판트 층이 잉크젯 프린팅, 열 안료 확산 프린팅, 오프셋 프린팅, 왁스 이송 프린팅 또는 프린팅 기법에 의해 패턴화되는 방법.
- 제 3 항에 있어서,도판트 층이 도판트 물질을 천공 마스크(aperture mask)를 통해 증착시킴으로써 패턴화하는 방법.
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| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20070515 Patent event code: PE09021S01D |
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| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20070829 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20070515 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |