KR19980031092A

KR19980031092A - 웨이퍼 노광 방법

Info

Publication number: KR19980031092A
Application number: KR1019960050623A
Authority: KR
Inventors: 이용석
Original assignee: 김영환; 현대전자산업 주식회사
Priority date: 1996-10-31
Filing date: 1996-10-31
Publication date: 1998-07-25

Abstract

본 발명은 웨이퍼 노광 방법에 관한 것으로, 스테이지의 이동 경로에 기인하는 진동으로 인한 해상력 저하를 방지하기 위하여 웨이퍼의 일측부를 기준으로 일방향으로만 노광 공정이 이루어질 수 있도록 스테이지를 이동시키므로써 소자의 수율이 향상될 수 있는 웨이퍼 노광 방법에 관한 것이다.

Description

웨이퍼 노광 방법

본 발명은 웨이퍼 노광 방법에 관한 것으로, 특히 스테이지의 진동으로 인한 해상력 저하를 방지하기 위하여 스테이지의 이동 경로를 개선한 웨이퍼 노광 방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자의 제조 공정에서 웨이퍼상에 소정의 층을 형성한 후 사진(Lithography) 및 식각(Etching) 공정을 실시하여 형성된 층을 패터닝(Patterning)한다. 이때 사진 공정은 패터닝하고자 하는 층의 상부에 감광막을 형성한 후 소정의 마스크(Mask)를 이용하여 상기 감광막을 노광(Exposure)시키고 현상(Develop)시켜 감광막 패턴을 형성하는 과정이고 식각 공정은 상기와 같이 형성된 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 하부층의 노출된 부분을 제거하는 과정이다.

상기 노광 공정은 스탭퍼(STEPPER)라는 노광 장비에서 실시된다. 노광 장비는 웨이퍼가 장착되는 스테이지(Stage)와 빛을 조사하기 위한 광원(Light Source) 사이에 마스크가 위치되도록 구성되는데, 스테이지는 마스크와의 정렬을 위하여 좌우 및 상하로 이동되도록 구성된다. 또한, 스테이지의 이동은 기계적 또는 전자적으로 구성된 구동장치에 의해 이루어지고, 구동장치는 감지장치로부터 출력되는 신호에 의해 제어되는데, 감지장치는 레이저 빔(LASER Beam) 등을 이용하여 스테이지의 이동을 감지할 수 있도록 구성된다. 그러면 상기와 같이 구성된 노광 장비를 이용한 종래의 웨이퍼 노광 방법을 도 1을 통해 설명하기로 한다.

종래에는 도 1에 도시된 바와 같이 감광막이 형성된 웨이퍼(1)를 노광 장비의 스테이지에 장착시킨 후 상기 웨이퍼(1)가 마스크(도시않됨)와 일치될 수 있도록 상기 스테이지를 이동시킨다. 이때 상기 웨이퍼(1)에 존재하는 다수의 다이(Die)중 첫번째 노광될 다이(2)가 상기 마스크와 중첩되도록 한다. 이후 상기 첫 번째 다이의 노광이 완료되면 상기 스테이지를 이동시켜 상기 마스크와 두 번째 다이가 중첩되도록 한 후 노광을 실시하며 계속해서 이와 같은 동작이 반복 실시되도록 한다. 이와 같이 상기 웨이퍼(1)에 존재하는 다수의 다이(2)가 순차적으로 노광되도록 스테이지의 이동이 이루어진다. 예를 들어 상기 스테이지는 상기 도 1의 화살표(선 A)방향과 같이 상기 웨이퍼(1)의 첫 번째 행의 좌측 첫 번째 다이(2)로부터 우측으로 그리고 두 번째 행의 우측 첫 번째 다이(2)로부터 좌측으로 이동한다. 이와 같은 스테이지의 이동 경로는 스테이지의 이동 거리를 최소화시키므로써 수율을 최대화하려는 목적에 의해 결정되어지지만, 상기 스테이지의 이동이 양방향으로 이루어지기 때문에 스테이지의 방향 전환 및 정지시 웨이퍼에 미세한 진동이 발생된다. 그러므로 이로인한 마스크와 웨이퍼의 오정렬(Misalignment)로 인해 해상력이 저하되는데, 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 웨이퍼와 마스크의 정렬 정도에 대한 허용오차의 범위는 더욱 감소되기 때문에 상기와 같은 노광 방법을 이용하는 경우 소자의 수율이 저하된다.

따라서 본 발명은 웨이퍼의 일측부를 기준으로 일방향으로만 노광 공정이 이루어질 수 있도록 스테이지를 이동시키므로써 상기한 단점을 해소할 수 있는 웨이퍼 노광 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 감광막이 형성된 웨이퍼를 노광 장비의 스테이지에 장착시킨 후 실시하는 웨이퍼 노광 방법에 있어서, 상기 웨이퍼에 존재하는 다수의 다이를 순차적으로 노광시키되, 상기 스테이지가 상기 웨이퍼의 일측부를 기준으로 일방향으로만 이동하도록 하는 것을 특징으로 한다.

도 1은 종래의 웨이퍼 노광 방법을 설명하기 위한 웨이퍼의 평면도.

도 2A 및 도 2B는 본 발명에 따른 웨이퍼 노광 방법을 설명하기 위한 웨이퍼의 평면도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1 및 3:웨이퍼2 및 4:다이

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

본 발명에 따른 웨이퍼 노광 방법은 먼저, 감광막이 형성된 웨이퍼(3)를 노광 장비의 스테이지에 장착시킨 후 상기 웨이퍼(3)가 마스크(도시않됨)와 일치될 수 있도록 상기 스테이지를 이동시킨다. 이때 상기 웨이퍼(3)에 존재하는 다수의 다이중 첫 번째 노광될 다이(4)가 상기 마스크와 중첩되도록 한다. 이후 상기 첫 번째 다이의 노광이 완료되면 상기 스테이지를 이동시켜 상기 마스크와 두 번째 다이가 중첩되도록 한 후 노광을 실시하며 계속해서 이와 같은 동작이 반복 실시되도록 한다. 이와 같이 상기 웨이퍼(1)에 존재하는 다수의 다이(4)가 순차적으로 노광되도록 스테이지의 이동이 이루어는데, 상기 스테이지는 상기 웨이퍼의 일측부를 기준으로 일방향으로만 이동된다. 예를 들어 상기 도 2A의 화살표(선 B) 방향과 같이 상기 웨이퍼(3)의 첫 번째 행의 좌측 첫 번째 다이(4)로부터 우측으로 이동하며 상기 첫 번째 행에 존재하는 다이(4)를 노광시킨 후 다시 두 번째 행의 좌측 첫 번째 다이(4)로부터 우측으로 이동하며 상기 두 번제 행에 존재하는 다이(4)를 노광시키는 방법으로 상기 웨이퍼(3)에 존재하는 다이(4)를 순차적으로 노광시킨다. 또 다른 예로써, 도 2B의 화살표(선 C) 방향과 같이 웨이퍼(3)의 첫 번째 열 하부의 첫 번째 다이(4)로부터 상부로 이동하며 상기 첫 번째 열에 존재하는 다이(4)를 노광시킨 후 다시 두 번째 열 하부의 첫 번째 다이(4)로부터 상부로 이동하며 상기 두 번째 열에 존재하는 다이(4)를 노광시키는 방법으로 상기 웨이퍼(3)에 존재하는 다이(4)를 순차적으로 노광시킨다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 웨이퍼의 일측부를 기준으로 일방향으로만 노광 공정이 이루어질 수 있도록 스테이지를 이동시키므로써 스테이지의 이동 경로에 기인하여 발생되는 진동이 최소화된다. 그러므로 고집적 소자의 제조 공정에 적용하는 경우 웨이퍼와 마스크의 정렬 정도가 양호하게 유지되어 해상력 저하가 방지되며, 따라서 소자의 수율 저하가 방지될 수 있는 탁월한 효과가 있다.

Claims

감광막이 형성된 웨이퍼를 노광 장비의 스테이지에 장착시킨 후 실시하는 웨이퍼 노광 방법에 있어서,

상기 웨이퍼에 존재하는 다수의 다이를 순차적으로 노광시키되, 상기 스테이지가 상기 웨이퍼의 일측부를 기준으로 일방향으로만 이동하도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광 방법.