KR102929876B1 - Wafer processing method - Google Patents
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Abstract
기판처리방법에 대한 발명이 개시된다. 본 발명의 기판처리방법은: 웨이퍼부가 척테이블에 안착되는 단계; 웨이퍼부를 척테이블에 구속하도록 링커버부가 척테이블에 로딩되는 단계; 분사흡입암모듈이 웨이퍼부에 처리액을 분사하여 웨이퍼부를 처리하는 단계; 링커버부가 척테이블에서 언로딩되는 단계; 분사암모듈이 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 웨이퍼부를 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.An invention for a substrate processing method is disclosed. The substrate processing method of the present invention is characterized by including: a step of seating a wafer portion on a chuck table; a step of loading a ring cover portion onto the chuck table to restrain the wafer portion on the chuck table; a step of treating the wafer portion by spraying a treatment liquid onto the wafer portion by a spray suction arm module; a step of unloading the ring cover portion from the chuck table; and a step of treating the wafer portion by spraying a cleaning liquid onto the wafer portion by a spray arm module.
Description
본 발명은 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼부의 처리 시간을 단축시키고, 웨이퍼부의 처리 및 세정 성능을 향상시킬 수 있는 기판처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method, and more specifically, to a substrate processing method capable of shortening the processing time of a wafer portion and improving the processing and cleaning performance of a wafer portion.
일반적으로 반도체 공정에서는 웨이퍼부를 식각하는 식각공정과, 웨이퍼부를 복수의 다이로 절단하는 싱귤레이션공정과, 웨이퍼부를 세정하는 세정공정 등이 수행된다. 웨이퍼부 식각공정이나 세정공정에서 기판처리장치가 사용된다.Typically, semiconductor manufacturing involves an etching process to etch the wafer, a singulation process to cut the wafer into multiple dies, and a cleaning process to clean the wafer. Substrate processing equipment is used in the wafer etching and cleaning processes.
기판처리장치는 회전 가능하게 설치되며, 상부에 웨이퍼부가 안착되는 회전 테이블과, 회전 테이블의 가장자리 영역에 링 형상으로 결합되는 밀폐링 등으로 구성된다. 회전 테이블이 회전되는 상태에서 회전 테이블에 안착된 웨이퍼부에는 처리액이 공급된다.The substrate processing device is installed so as to be rotatable and is composed of a rotary table on which a wafer portion is mounted on the upper portion, and a sealing ring that is connected in a ring shape to the edge area of the rotary table. While the rotary table is rotating, a processing solution is supplied to the wafer portion mounted on the rotary table.
본 발명의 배경기술은 대한민국 공개특허공보 제10-2016-0122067호(2016.10.21 공개, 발명의 명칭: 웨이퍼부 처리 장치 및 웨이퍼부 처리 장치를 위한 밀폐 링)에 개시되어 있다.The background technology of the present invention is disclosed in Korean Patent Publication No. 10-2016-0122067 (published on October 21, 2016, title: Wafer processing device and sealing ring for wafer processing device).
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위해 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼부의 처리 시간을 단축시키고, 웨이퍼부의 처리 및 세정 성능을 향상시킬 수 있는 기판처리방법을 제공하는 것이다.The present invention was created to improve the above-mentioned problems, and the purpose of the present invention is to provide a substrate processing method that can shorten the processing time of a wafer portion and improve the processing and cleaning performance of the wafer portion.
본 발명에 따른 기판처리방법은: 웨이퍼부가 척테이블에 안착되는 단계; 상기 웨이퍼부를 상기 척테이블에 구속하도록 링커버부가 상기 척테이블에 로딩되는 단계; 분사흡입암모듈이 상기 웨이퍼부에 처리액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 처리하는 단계; 상기 링커버부가 상기 척테이블에서 언로딩되는 단계; 상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A substrate processing method according to the present invention is characterized by including: a step of seating a wafer portion on a chuck table; a step of loading a ring cover portion onto the chuck table to restrain the wafer portion to the chuck table; a step of treating the wafer portion by spraying a treatment liquid onto the wafer portion by a spray suction arm module; a step of unloading the ring cover portion from the chuck table; and a step of treating the wafer portion by spraying a cleaning liquid onto the wafer portion by the spray arm module.
상기 웨이퍼부가 상기 척테이블에 안착되는 단계는, 트랜스퍼장치가 제2이송모듈에서 전달되는 상기 웨이퍼부를 잡는 단계; 및 상기 트랜스퍼장치가 하강됨에 따라 상기 웨이퍼부를 상기 척테이블에 안착시키는 단계를 포함할 수 있다.The step of seating the wafer portion on the chuck table may include a step of the transfer device holding the wafer portion transferred from the second transfer module; and a step of seating the wafer portion on the chuck table as the transfer device is lowered.
상기 웨이퍼부를 상기 척테이블에 구속하도록 상기 링커버부가 상기 척테이블에 로딩되는 단계는, 상기 링커버부가 틸팅장치의 파지유닛에 구속되는 단계; 상기 틸팅장치가 상기 척테이블의 상측에 상기 링커버부를 결합하는 단계; 상기 척테이블의 척킹모듈이 상기 링커버부를 구속하는 단계; 상기 파지유닛이 상기 링커버부의 구속을 해제하는 단계; 및 상기 틸팅장치가 상기 척테이블의 외측으로 이동되는 단계를 포함할 수 있다.The step of loading the ring cover part onto the chuck table to restrain the wafer part to the chuck table may include the step of restraining the ring cover part to a gripping unit of a tilting device; the step of the tilting device coupling the ring cover part to an upper side of the chuck table; the step of the chucking module of the chuck table restraining the ring cover part; the step of the gripping unit releasing restraint of the ring cover part; and the step of the tilting device moving to the outside of the chuck table.
상기 분사흡입암모듈이 상기 웨이퍼부에 처리액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 처리하는 단계는, 상기 분사흡입암모듈이 상기 웨이퍼부의 상측으로 이동되는 단계; 및 상기 분사흡입암모듈이 일정 범위 내에서 상기 웨이퍼부에 처리액을 분사하는 단계를 포함할 수 있다.The step of treating the wafer portion by spraying the treatment liquid onto the wafer portion by the spray suction arm module may include a step of moving the spray suction arm module upwards of the wafer portion; and a step of spraying the treatment liquid onto the wafer portion by the spray suction arm module within a certain range.
상기 링커버부가 상기 척테이블에서 언로딩되는 단계는, 상기 틸팅장치가 회전되어 상기 링커버부의 상측에 위치되는 단계; 상기 틸팅장치의 파지유닛이 상기 리커버부를 구속하는 단계; 상기 척테이블의 척킹모듈이 상기 링커버부의 구속을 해제하는 단계; 및 상기 틸팅장치가 상기 링커버부를 회전시켜 상기 척테이블의 외측으로 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.The step of unloading the ring cover part from the chuck table may include a step of rotating the tilting device to be positioned above the ring cover part; a step of a gripping unit of the tilting device to restrain the recovery part; a step of a chucking module of the chuck table to release restraint of the ring cover part; and a step of rotating the ring cover part by the tilting device to move it to the outside of the chuck table.
상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 세정하는 단계는, 상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부의 상측으로 이동되는 단계; 및 상기 분사암모듈이 일정 각도 범위 내에서 스윙되면서 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 세정하는 단계를 포함할 수 있다.The step of using the spray arm module to spray a cleaning solution onto the wafer portion to clean the wafer portion may include a step of moving the spray arm module upwards of the wafer portion; and a step of using the spray arm module to swing within a certain angle range to spray a cleaning solution onto the wafer portion to clean the wafer portion.
상기 링커버부가 상기 척테이블에서 언로딩되는 단계 이전에, 상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 중간 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include a step of the injection arm module spraying a cleaning solution onto the wafer portion to perform intermediate cleaning of the wafer portion before the step of unloading the ring cover portion from the chuck table.
상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 중간 세정하는 단계는, 상기 분사흡입암모듈이 상기 웨이퍼부의 외측으로 이동되는 단계; 상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부의 상측으로 이동되는 단계; 및 상기 분사암모듈이 일정 각도 범위 내에서 스윙되면서 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하는 단계를 포함할 수 있다.The step of the spray arm module spraying a cleaning solution onto the wafer portion to intermediately clean the wafer portion may include a step of the spray suction arm module moving to the outside of the wafer portion; a step of the spray arm module moving to the upper side of the wafer portion; and a step of spraying the cleaning solution onto the wafer portion while the spray arm module swings within a certain angle range.
상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 중간 세정하는 단계 이후에, 상기 척테이블에서 상기 웨이퍼부를 1차 건조시키는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step of the above-mentioned spray arm module spraying the cleaning solution onto the wafer portion to intermediately clean the wafer portion, the step of first drying the wafer portion on the chuck table may be further included.
상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 세정하는 단계 이후에, 상기 척테이블에서 상기 웨이퍼부를 2차 건조시키는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step of the above-mentioned spray arm module spraying the cleaning solution onto the wafer portion to clean the wafer portion, the step of secondary drying the wafer portion on the chuck table may be further included.
본 발명에 따르면, 트랜스퍼장치가 협소한 공간에서도 제2이송모듈로부터 웨이퍼부를 전달받아 척테이블에 안착시키고, 처리 완료된 웨이퍼부를 척테이블에서 배출시킬 수 있다.According to the present invention, the transfer device can receive a wafer portion from a second transfer module even in a narrow space, place it on a chuck table, and discharge the processed wafer portion from the chuck table.
또한, 본 발명에 따르면, 틸팅장치가 회전됨에 따라 링커버부를 척테이블장치에 용이하게 구속 및 해제할 수 있다. 또한, 척테이블장치의 척킹모듈이 링커버부를 신속하게 구속 및 해제할 수 있다. 따라서, 웨이퍼브의 처리 및 세정 시간을 단축시킬 수 있다.Furthermore, according to the present invention, the ring cover part can be easily secured and released from the chuck table device as the tilting device rotates. Furthermore, the chucking module of the chuck table device can quickly secure and release the ring cover part. Therefore, the processing and cleaning time of the wafer can be shortened.
또한, 본 발명에 따르면, 분사암모듈과 분사흡입암모듈이 웨이퍼부를 처리하므로, 다양한 종류의 처리액이나 세정액을 이용하여 웨이퍼부를 처리할 수 있다. 따라서, 웨이퍼부의 처리 공정을 다양한 방식으로 구현할 수 있다.Furthermore, according to the present invention, since the injection arm module and the injection suction arm module process the wafer portion, the wafer portion can be processed using various types of processing liquids or cleaning liquids. Accordingly, the wafer portion processing process can be implemented in various ways.
또한, 본 발명에 따르면, 척테이블장치가 웨이퍼부의 리테이너링부를 구속하는 웨이퍼 구속부와, 링커버부를 구속하는 커버 구속부와, 웨이퍼부를 반경방향으로 잡아당기도록 진공척부를 이동시키는 이동모듈을 포함한다. 따라서, 웨이퍼 구속부가 척테이블에 웨이퍼부의 리테이너링부를 구속하고, 이동모듈이 진공척부를 이동시켜 웨이퍼부의 다이 사이의 간격을 벌어지게 한 상태에서 웨이퍼부를 처리하는 웨이퍼 익스팬딩 공정이 가능하다. 또한, 커버 구속부가 진공척부의 상측에 링커버부를 구속한 상태에서 웨이퍼부를 처리하는 디본딩 크리닝 공정이 가능하다.In addition, according to the present invention, the chuck table device includes a wafer restraint portion that restrains a retaining portion of a wafer portion, a cover restraint portion that restrains a ring cover portion, and a moving module that moves a vacuum chuck portion to pull the wafer portion in a radial direction. Therefore, a wafer expanding process is possible in which the wafer restraint portion restrains the retaining portion of the wafer portion to the chuck table, and the moving module moves the vacuum chuck portion to widen the gap between the dies of the wafer portion. In addition, a debonding cleaning process is possible in which the wafer portion is processed in a state in which the cover restraint portion restrains the ring cover portion on the upper side of the vacuum chuck portion.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 비전얼라이너를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 제1처리챔버와 제2처리챔버를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 트랜스퍼장치를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 트랜스퍼장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 트랜스퍼장치에서 그리퍼부를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 트랜스퍼장치에서 그리퍼부가 인출되는 상태를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 틸팅장치를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 틸팅장치에서 파지유닛이 하강되는 상태를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 틸팅장치의 파지유닛을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 틸팅장치의 파지유닛을 개략적으로 도시한 배면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 틸팅장치의 파지유닛을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 척테이블장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 척테이블장치의 척킹모듈을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 척테이블장치에서 척킹모듈을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 척테이블장치에서 척킹모듈이 링커버부를 구속한 상태를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 처리액 분사장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 처리액 분사장치에서 분사암모듈을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 처리액 분사장치에서 분사암모듈의 제1분사노즐부를 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 처리액 분사장치에서 분사흡입암모듈의 제2분사노즐부와 제2흡입노즐부를 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 처리액 분사장치에서 분사흡입암모듈의 제2흡입노즐부에 연결되는 흡입탱크부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 24는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법을 개략적으로 도시한 플로우차트이다.Figure 1 is a plan view schematically illustrating a wafer portion according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram schematically illustrating a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view schematically illustrating a vision aligner in a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a plan view schematically illustrating a first processing chamber and a second processing chamber in a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a side view schematically illustrating a transfer device in a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a plan view schematically illustrating a transfer device in a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a side view schematically illustrating a gripper portion of a transfer device of a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a side view schematically illustrating a state in which a gripper portion is withdrawn from a transfer device of a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a side view schematically illustrating a tilting device in a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a side view schematically illustrating a state in which a gripping unit is lowered in a tilting device of a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a plan view schematically illustrating a grip unit of a tilting device in a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a rear view schematically illustrating a grip unit of a tilting device in a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 13 is an enlarged view schematically illustrating a grip unit of a tilting device in a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a cross-sectional view schematically illustrating a chuck table device in a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a plan view schematically illustrating a chucking module of a chuck table device in a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 16 is an enlarged view schematically illustrating a chucking module in a chuck table device of a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which a chucking module restrains a ring cover portion in a chuck table device of a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
Figure 18 is a plan view schematically illustrating a treatment liquid spraying device of a substrate treatment device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a perspective view schematically illustrating a spray arm module in a treatment liquid spray device of a substrate treatment device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 20 is an enlarged view schematically illustrating a first injection nozzle section of a spray arm module in a treatment liquid injection device of a substrate treatment device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 21 is an enlarged view schematically illustrating a second injection nozzle section and a second suction nozzle section of a spray suction arm module in a treatment liquid spray device of a substrate treatment device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 22 is a schematic drawing of a suction tank unit connected to a second suction nozzle unit of a spray suction arm module in a treatment liquid spray device of a substrate treatment device according to one embodiment of the present invention.
Figure 23 is a drawing schematically illustrating a substrate processing method according to one embodiment of the present invention.
Figure 24 is a flowchart schematically illustrating a substrate processing method according to one embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 기판처리방법의 일 실시예를 설명한다. 기판처리방법을 설명하는 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.Hereinafter, an embodiment of a substrate processing method according to the present invention will be described with reference to the attached drawings. In the process of explaining the substrate processing method, the thickness of lines and the sizes of components depicted in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience. Furthermore, the terms described below are defined based on their functions in the present invention and may vary depending on the intentions or practices of the user or operator. Therefore, the definitions of these terms should be based on the contents throughout this specification.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼부를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 도시한 블록도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 비전얼라이너를 개략적으로 도시한 평면도이다.FIG. 1 is a plan view schematically illustrating a wafer portion according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan view schematically illustrating a vision aligner in a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1)는 웨이퍼부(10)를 처리한다. 식각공정에서 식각된 링프레임 웨이퍼부(10)는 싱귤레이션공정에서 매트릭스 형태로 절단된다. 링프레임 웨이퍼부(10)는 매트릭스 형태로 절단되어 배열되는 복수의 다이를 포함하는 웨이퍼(11)와, 웨이퍼(11)가 부착되는 접착시트(12)와, 접착시트(12)를 팽팽하게 지지하도록 접착시트(12)의 둘레에 연결되는 리테이너링부(13)를 포함한다. 접착시트(12)는 수평방향으로 신축 가능한 재질로 형성된다. 접착시트(12)가 리테이너링부(13)에 의해 팽팽하게 당겨짐에 따라 복수의 다이가 위치 고정되고, 박판의 다이가 평판 형태를 유지하게 된다. 아래에서는 링프레임 웨이퍼부(10)를 웨이퍼부(10)라고 칭하기로 한다.Referring to FIGS. 1 to 3, a substrate processing device (1) according to one embodiment of the present invention processes a wafer portion (10). The ring frame wafer portion (10) etched in an etching process is cut into a matrix shape in a singulation process. The ring frame wafer portion (10) includes a wafer (11) including a plurality of dies cut and arranged in a matrix shape, an adhesive sheet (12) to which the wafer (11) is attached, and a retaining portion (13) connected to the periphery of the adhesive sheet (12) to tautly support the adhesive sheet (12). The adhesive sheet (12) is formed of a material that can be stretched in the horizontal direction. As the adhesive sheet (12) is tautly pulled by the retaining portion (13), the plurality of dies are fixed in position, and the thin die maintains a flat plate shape. Hereinafter, the ring frame wafer portion (10) will be referred to as a wafer portion (10).
웨이퍼 카세트(20)는 외부와 밀폐되는 내부공간에 복수의 웨이퍼부(10)를 적재하여 단위 공정 설비들 사이에서 웨이퍼부(10)를 이동하는 전방 개방형 일체식 용기(FOUP: front opening unified pod)이다. 단위 공정 설비로 전송된 웨이퍼 카세트(20)는 단위 공정 설비의 일측에 배치된 로드 포트 모듈(미도시)의 상면에 안착되고, 웨이퍼 카세트(20)의 내부공간을 외부와 밀폐시키면서 웨이퍼부 카세트 도어(미도시)를 개방한다. 이에 따라, 웨이퍼부(10)는 외부환경으로부터의 오염이 방지되면서 단위 공정 설비 사이를 이동할 수 있다.A wafer cassette (20) is a front-opening unified pod (FOUP) that loads a plurality of wafer sections (10) into an internal space that is sealed from the outside and moves the wafer sections (10) between unit process facilities. The wafer cassette (20) transferred to the unit process facility is placed on the upper surface of a load port module (not shown) arranged on one side of the unit process facility, and the wafer section cassette door (not shown) is opened while sealing the internal space of the wafer cassette (20) from the outside. Accordingly, the wafer section (10) can be moved between unit process facilities while preventing contamination from the external environment.
웨이퍼 카세트(20)에서 적재된 웨이퍼부(10)는 제1이송모듈(50)에 흡착되어 버퍼유닛(30)에 적재된다. 버퍼유닛(30)은 2개의 프리 슬롯(미도시)과 2개의 포스트 슬롯(미도시)을 포함한다. 제1이송모듈(50)로는 진공압에 의해 웨이퍼부(10)를 흡착하는 진공흡착로봇을 적용할 수 있다.The wafer portion (10) loaded from the wafer cassette (20) is absorbed by the first transfer module (50) and loaded into the buffer unit (30). The buffer unit (30) includes two free slots (not shown) and two post slots (not shown). A vacuum suction robot that absorbs the wafer portion (10) by vacuum pressure can be applied to the first transfer module (50).
버퍼유닛(30)에 적재된 웨이퍼부(10)는 제1이송모듈(50)에 의해 비전얼라이너(40)에 탑재된다. 비전얼라이너(40)는 웨이퍼부(10)가 안착되는 얼라이너 테이블(41)과, 얼라이너 테이블(41)에 광을 조사하여 웨이퍼부(10)를 판독하는 비전부(미도시)를 포함한다. 비전얼라이너(40)는 얼라이너 테이블(41)의 중심을 기준으로 4° 정도 회전 가능하고, 얼라이너 테이블(41)의 중심을 기준으로 좌우방향으로 7mm 정도 이동 가능하다. 비전부에서 웨이퍼부(10)의 위치와 웨이퍼(11)의 중심부를 판독하여 웨이퍼부(10)의 위치를 정렬할 수 있다. 이때, 비전부는 웨이퍼(11)의 중심부와 리테이너링부(13)의 중심부가 일치하는 지를 판독하고, 웨이퍼(11)의 중심부가 정위치에 정렬되도록 웨이퍼부(10)를 정렬한다.The wafer portion (10) loaded on the buffer unit (30) is mounted on the vision aligner (40) by the first transfer module (50). The vision aligner (40) includes an aligner table (41) on which the wafer portion (10) is placed, and a vision portion (not shown) that irradiates light onto the aligner table (41) to read the wafer portion (10). The vision aligner (40) can rotate about 4° around the center of the aligner table (41) and move about 7 mm left and right around the center of the aligner table (41). The vision portion can read the position of the wafer portion (10) and the center of the wafer (11) to align the position of the wafer portion (10). At this time, the vision portion reads whether the center of the wafer (11) and the center of the retaining portion (13) are aligned, and aligns the wafer portion (10) so that the center of the wafer (11) is aligned in the correct position.
비전얼라이너(40)에서 정렬된 웨이퍼부(10)는 제2이송모듈(60)에 의해 제1처리챔버(70)와 제2처리챔버(80)에 투입된다. 제1처리챔버(70)에서는 처리액을 웨이퍼부(10)에 분사하면서 웨이퍼부(10)를 처리한다. 제2처리챔버(80)는 복수 개가 설치된다. 제2처리챔버(80)에서는 처리액을 웨이퍼부(10)에 분사함과 동시에 처리액의 상측으로 부유하는 이물질을 흡입하면서 웨이퍼부(10)를 처리한다. The wafer portion (10) aligned in the vision aligner (40) is fed into the first processing chamber (70) and the second processing chamber (80) by the second transport module (60). In the first processing chamber (70), the wafer portion (10) is processed while spraying the processing liquid onto the wafer portion (10). A plurality of second processing chambers (80) are installed. In the second processing chamber (80), the wafer portion (10) is processed while simultaneously spraying the processing liquid onto the wafer portion (10) and sucking up foreign substances floating on the upper side of the processing liquid.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 제1처리챔버와 제2처리챔버를 개략적으로 도시한 평면도이다.FIG. 4 is a plan view schematically illustrating a first processing chamber and a second processing chamber in a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 제1처리챔버(70)에는 이오나이저(102), 트랜스퍼장치(100), 틸팅장치(200), 척테이블장치(300), 분사장치(400) 및 석션장치(500)가 설치된다. 제2처리챔버(80)에는 이오나이저(102), 트랜스퍼장치(100), 틸팅장치(200), 척테이블장치(300), 분사장치(400)가 설치된다. Referring to FIG. 4, an ionizer (102), a transfer device (100), a tilting device (200), a chuck table device (300), a spray device (400), and a suction device (500) are installed in the first processing chamber (70). An ionizer (102), a transfer device (100), a tilting device (200), a chuck table device (300), and a spray device (400) are installed in the second processing chamber (80).
이오나이저(102)는 제1처리챔버(70)와 제2처리챔버(80)의 상측에 각각 설치된다. 이오나이저(102)는 웨이퍼부(10)의 처리공정과 비처리공정 중에 발생하는 정전기를 제거한다. 이오나이저(102)가 웨이퍼부(10)와 제1처리챔버(70)와 제2처리챔버(80)의 내부에서 정전기 발생을 방지하므로, 정전기에 의해 웨이퍼부(10)에 이물질이 재부착되는 것을 방지할 수 있다.An ionizer (102) is installed on the upper side of each of the first processing chamber (70) and the second processing chamber (80). The ionizer (102) removes static electricity generated during the processing and non-processing processes of the wafer section (10). Since the ionizer (102) prevents static electricity from being generated inside the wafer section (10), the first processing chamber (70), and the second processing chamber (80), it is possible to prevent foreign substances from being reattached to the wafer section (10) due to static electricity.
공급기체로 공기를 이오나이저(102)로 공급하고, 세정액으로 정제수(DI water)를 공급하면, 이오나이저(102)를 통해 이온화된 양이온 및 음이온은 세정액과 함께 웨이퍼부(10)의 상부에 분사될 수 있다.When air is supplied as a supply gas to the ionizer (102) and purified water (DI water) is supplied as a cleaning solution, the positive and negative ions ionized through the ionizer (102) can be sprayed onto the upper portion of the wafer section (10) together with the cleaning solution.
양이온과 음이온이 포함된 정제수가 웨이퍼부(10)의 상부에 분사되기 전에는, 웨이퍼부(10)의 정전기 전위가 대략 3.6 KV로 측정되었다. 반면, 양이온과 음이온이 포함된 정제수가 웨이퍼부(10)의 상부에 분사된 후에는, 정전기 전위가 대략 -0.10 내지 -0.17 KV로 측정되었다. 이러한 마이너스 전압으로 표시되는 것은 이오나이저(102)의 (+) 이온 발생량을 증가시킴으로써, 웨이퍼부(10)의 정전기를 이상적인 값인 "0"에 가깝게 제어할 수 있다.Before purified water containing positive and negative ions was sprayed onto the upper portion of the wafer portion (10), the electrostatic potential of the wafer portion (10) was measured to be approximately 3.6 KV. On the other hand, after purified water containing positive and negative ions was sprayed onto the upper portion of the wafer portion (10), the electrostatic potential was measured to be approximately -0.10 to -0.17 KV. This negative voltage is indicated by the fact that by increasing the amount of (+) ions generated by the ionizer (102), the electrostatic potential of the wafer portion (10) can be controlled to be close to the ideal value of "0".
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 트랜스퍼장치를 개략적으로 도시한 측면도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 트랜스퍼장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 트랜스퍼장치에서 그리퍼부를 개략적으로 도시한 측면도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 트랜스퍼장치에서 그리퍼부가 인출되는 상태를 개략적으로 도시한 측면도이다.FIG. 5 is a side view schematically illustrating a transfer device in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a plan view schematically illustrating a transfer device in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 7 is a side view schematically illustrating a gripper part in a transfer device of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a side view schematically illustrating a state in which a gripper part is withdrawn in a transfer device of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 5 내지 도 8를 참조하면, 트랜스퍼장치(100)는 척테이블장치(300)의 양측에 설치된다. 트랜스퍼장치(100)는 제2이송모듈(60)에서 이송된 웨이퍼부(10)를 척테이블장치(300)의 상측에 안착시킨다.Referring to FIGS. 5 to 8, the transfer device (100) is located on both sides of the chuck table device (300). It is installed. The transfer device (100) places the wafer portion (10) transferred from the second transfer module (60) on the upper side of the chuck table device (300).
트랜스퍼장치(100)는 승강부(120), 트랜스퍼부(130) 및 그리퍼부(140)를 포함한다. The transfer device (100) includes a lifting unit (120), a transfer unit (130), and a gripper unit (140).
승강부(120)는 척테이블(320,330)의 외측에 설치된다. 승강부(120)는 척테이블(320,330)의 직경방향 양측에 한 쌍이 설치된다. 승강부(120)는 베이스부(110)의 하측에 설치된다. 승강부(120)는 볼스크류방식, 리니어모터방식, 벨트구동방식 등 다양한 형태가 적용될 수 있다.The lifting unit (120) is installed on the outside of the chuck table (320, 330). A pair of lifting units (120) are installed on both sides of the chuck table (320, 330) in the diametric direction. The lifting unit (120) is installed on the lower side of the base unit (110). The lifting unit (120) can be applied in various forms, such as a ball screw type, a linear motor type, and a belt drive type.
트랜스퍼부(130)는 승강부(120)에 의해 승강되도록 승강부(120)에 연결되고, 척테이블(320,330)의 외측에 배치된다. 트랜스퍼부(130)는 승강부(120)에 각각 설치된다. 트랜스퍼부(130)는 베이스부(110)의 상측에 배치된다.The transfer unit (130) is connected to the lifting unit (120) so that it can be raised and lowered by the lifting unit (120), and is placed on the outside of the chuck table (320, 330). The transfer unit (130) is installed on each of the lifting units (120). The transfer unit (130) is placed on the upper side of the base unit (110).
그리퍼부(140)는 웨이퍼부(10)를 잡거나 놓을 수 있도록 트랜스퍼부(130)에 왕복 이동 가능하게 설치된다. 그리퍼부(140)는 한 쌍의 트랜스퍼부(130)에 각각 설치된다. 한 쌍의 그리퍼부(140)는 웨이퍼부(10)의 링프레임부(15)의 양측을 지지한다. 그리퍼부(140)는 제2이송모듈(60)에 의해 이송되는 웨이퍼부(10)를 전달받고, 승강부(120)에 의해 하강됨에 따라 그리퍼부(140)를 척테이블(320,330)에 안착시킨다.The gripper part (140) is installed to be reciprocally movable on the transfer part (130) so as to hold or release the wafer part (10). The gripper parts (140) are installed on each of the pair of transfer parts (130). The pair of gripper parts (140) support both sides of the ring frame part (15) of the wafer part (10). The gripper part (140) receives the wafer part (10) transferred by the second transfer module (60), and as it is lowered by the lifting part (120), the gripper part (140) is placed on the chuck table (320, 330).
승강부(120)와 트랜스퍼부(130)가 척테이블(320,330)의 외측에 배치되고, 그리퍼부(140)가 승강부(120) 및 트랜스퍼부(130)와 상하방향으로 나란하게 배치되므로, 그리퍼부(140)의 설치 공간과 그리퍼부(140)의 이동 궤적이 현저히 감소될 수 있다. 따라서, 협소한 공간에서도 제2이송모듈(60)로부터 웨이퍼부(10)를 전달받아 척테이블(320,330)에 안착시키고, 처리 완료된 웨이퍼부(10)를 척테이블(320,330)에서 배출시킬 수 있다.Since the lifting unit (120) and the transfer unit (130) are arranged on the outside of the chuck table (320, 330), and the gripper unit (140) is arranged vertically parallel to the lifting unit (120) and the transfer unit (130), the installation space of the gripper unit (140) and the movement trajectory of the gripper unit (140) can be significantly reduced. Accordingly, even in a narrow space, the wafer unit (10) can be received from the second transfer module (60), placed on the chuck table (320, 330), and the processed wafer unit (10) can be discharged from the chuck table (320, 330).
승강부(120)는 트랜스퍼부(130)의 하측에 배치되는 승강 암구동부(402)와, 승강 암구동부(402)에 연결되는 동력전달부(123)와, 트랜스퍼부(130)를 승강시키도록 동력전달부(123)에 연결되는 리니어 가이드부(124)를 포함한다. 승강 암구동부(402)는 케이스부(121)의 외부에 배치되고, 동력전달부(123)와 리니어 가이드부(124)는 케이스부(121)의 내부에 배치될 수 있다. 승강 암구동부(402)가 동력전달부(123)에 동력을 전달하면, 리니어 가이드부(124)가 케이스부(121)에서 승강됨에 따라 트랜스퍼부(130)가 상하방향으로 이동될 수 있다.The lifting unit (120) includes an lifting arm drive unit (402) disposed on the lower side of the transfer unit (130), a power transmission unit (123) connected to the lifting arm drive unit (402), and a linear guide unit (124) connected to the power transmission unit (123) to elevate the transfer unit (130). The lifting arm drive unit (402) may be disposed outside the case unit (121), and the power transmission unit (123) and the linear guide unit (124) may be disposed inside the case unit (121). When the lifting arm drive unit (402) transmits power to the power transmission unit (123), the linear guide unit (124) is elevated in the case unit (121), thereby allowing the transfer unit (130) to move up and down.
승강 암구동부(402)로는 모터부가 적용될 수 있다. 동력전달부(123)는 승강 암구동부(402)에 의해 회전되는 볼스크류일 수 있다.A motor unit can be applied to the lifting arm drive unit (402). The power transmission unit (123) can be a ball screw rotated by the lifting arm drive unit (402).
리니어 가이드부(124)는 승강 암구동부(402)에 상하방향으로 나란하게 배치되는 고정 가이드부(125)와, 고정 가이드부(125)에 승강 가능하게 결합되고, 동력전달부(123)에 의해 이동되도록 동력전달부(123)에 연결되는 이동 가이드부(126)와, 이동 가이드와 트랜스퍼부(130)에 연결되는 승강 로드부(127)를 포함한다. 고정 가이드부(125)는 케이스부(121)의 내부에 상하방향으로 나란하게 배치되는 고정 레일부일 수 있다. 이동 가이드부(126)는 고정 가이드부(125)에 슬라이딩 가능하게 결합될 수 있다. 승강 로드부(127)는 케이스부(121)에 상하방향으로 이동되도록 설치된다. 승강 암구동부(402)가 구동되면, 이동 가이드부(126)가 고정 가이드부(125)를 따라 이동되고, 승강 로드부(127)는 이동 가이드부(126)에 의해 이동된다. 따라서, 트랜스퍼부(130)의 상하방향 스트로크가 정확하게 제어될 수 있다.The linear guide part (124) includes a fixed guide part (125) arranged vertically parallel to the lifting arm drive part (402), a moving guide part (126) that is connected to the power transmission part (123) so as to be moved by the power transmission part (123) and an lifting rod part (127) that is connected to the moving guide and the transfer part (130). The fixed guide part (125) may be a fixed rail part arranged vertically parallel to the inside of the case part (121). The moving guide part (126) may be slidably connected to the fixed guide part (125). The lifting rod part (127) is installed in the case part (121) so as to be moved vertically. When the lifting arm drive unit (402) is driven, the moving guide unit (126) moves along the fixed guide unit (125), and the lifting load unit (127) is moved by the moving guide unit (126). Therefore, the up-down stroke of the transfer unit (130) can be accurately controlled.
그리퍼부(140)는 그리퍼 구동부(141), 하나 이상의 피니언부(142), 복수의 랙기어부(145,146) 및 핑거부(147)를 포함한다.The gripper part (140) includes a gripper driving part (141), one or more pinion parts (142), a plurality of rack gear parts (145, 146), and a finger part (147).
그리퍼 구동부(141)는 트랜스퍼부(130)에 설치된다. 그리퍼 구동부(141)는 유압실린더, 볼스크류나 벨트구동방식의 모터부 등 다양한 형태가 적용될 수 있다.The gripper drive unit (141) is installed in the transfer unit (130). The gripper drive unit (141) can be applied in various forms, such as a hydraulic cylinder, a ball screw, or a belt-driven motor unit.
피니언부(142)는 그리퍼 구동부(141)에 의해 이동되도록 그리퍼 구동부(141)에 연결되는 적어도 하나 이상 설치된다. At least one pinion part (142) is installed and connected to the gripper drive part (141) so that it is moved by the gripper drive part (141).
복수의 랙기어부(145,146)는 피니언부(142)에 맞물리도록 설치되고, 피니언부(142)의 회전에 의해 이동된다. 랙기어부(145,146)는 피니언부(142)의 양측에 이동 가능하게 설치된다. 피니언부(142)가 1개 설치되는 경우, 랙기어부(145,146)는 피니언부(142)의 양측에 맞물리도록 2개 설치될 수 있다. 피니언부(142)가 2개 설치되는 경우, 랙기어부(145,146)는 2개의 피니언부(142)에 맞물리도록 3개 설치될 수 있다.A plurality of rack gear parts (145, 146) are installed to mesh with the pinion part (142) and are moved by the rotation of the pinion part (142). The rack gear parts (145, 146) are installed to be movable on both sides of the pinion part (142). When one pinion part (142) is installed, two rack gear parts (145, 146) can be installed to mesh with both sides of the pinion part (142). When two pinion parts (142) are installed, three rack gear parts (145, 146) can be installed to mesh with the two pinion parts (142).
핑거부(147)는 웨이퍼부(10)를 잡아주도록 하나의 랙기어부(146)에서 연장된다. 이때, 핑거부(147)는 그리퍼 구동부(141)의 구동시 트랜스퍼부(130)에서 가장 멀리 이동되는 하나의 랙기어부(146)에 설치된다.The finger portion (147) extends from one rack gear portion (146) to hold the wafer portion (10). At this time, the finger portion (147) is installed on one rack gear portion (146) that moves furthest from the transfer portion (130) when the gripper drive portion (141) is driven.
아래에서는 하나의 피니언부(142)와 2개의 랙기어부(145,146)가 설치되는 그리퍼부(140)에 관해 설명하기로 한다.Below, the gripper part (140) in which one pinion part (142) and two rack gear parts (145, 146) are installed will be described.
피니언부(142)의 외측면에는 피니언 톱니부(미도시)가 형성된다. 이때, 복수의 랙기어부(145,146)는 피니언부(142)에 맞물리도록 설치되는 제1랙기어부(145)와, 피니언부(142)에 맞물리도록 설치되고, 피니언부(142)의 회전에 의해 왕복운동되고, 핑거부(147)가 연장되는 제2랙기어부(146)를 포함한다. 이때, 피니언부(142)는 제1랙기어부(145)와 제2랙기어부(146) 사이에 배치된다. 또한, 피니언부(142)의 피니언 톱니부는 제1랙기어부(145)의 상측과 제2랙기어부(146)의 하측에 맞물리게 설치된다. A pinion tooth portion (not shown) is formed on the outer surface of the pinion portion (142). At this time, the plurality of rack gear portions (145, 146) include a first rack gear portion (145) that is installed to mesh with the pinion portion (142), and a second rack gear portion (146) that is installed to mesh with the pinion portion (142), reciprocates by the rotation of the pinion portion (142), and has a finger portion (147) that extends. At this time, the pinion portion (142) is arranged between the first rack gear portion (145) and the second rack gear portion (146). In addition, the pinion tooth portion of the pinion portion (142) is installed to mesh with the upper side of the first rack gear portion (145) and the lower side of the second rack gear portion (146).
제1랙기어부(145)는 트랜스퍼부(130)의 하우징부(131)에 고정되고, 제2랙기어부(146)는 피니언부(142)의 병진 및 회전에 의해 이동된다. 그리퍼 구동부(141)가 구동되면, 피니언부(142)가 제1랙기어부(145)를 따라 병진운동과 회전운동을 동시에 수행하므로, 제2랙기어부(146)는 피니언부(142)의 병진 거리와 회전운동에 의해 거리만큼 이동된다. 따라서, 그리퍼 구동부(141)가 피니언부(142)를 이동시킨 거리의 2배 정도 제2랙기어부(146)가 이동될 수 있으므로, 그리퍼 구동부(141)의 스트로크보다 핑거부(147)의 스트로크가 현저히 증가될 수 있다.The first rack gear part (145) is fixed to the housing part (131) of the transfer part (130), and the second rack gear part (146) is moved by the translation and rotation of the pinion part (142). When the gripper drive part (141) is driven, the pinion part (142) simultaneously performs the translational and rotational movements along the first rack gear part (145), so the second rack gear part (146) is moved by a distance equal to the translational distance and rotational movement of the pinion part (142). Accordingly, the second rack gear part (146) can be moved about twice the distance by which the gripper drive part (141) moves the pinion part (142), so the stroke of the finger part (147) can be significantly increased compared to the stroke of the gripper drive part (141).
피니언부(142)는 그리퍼 구동부(141)에 연결되고, 제1랙기어부(145)와 제2랙기어부(146) 사이에 왕복 운동 가능하게 설치되는 슬라이더부(143)와, 슬라이더부(143)에 회전 가능하게 결합되고, 슬라이더부(143)와 함께 이동되면서 제2랙기어부(146)를 이동시키는 피니언 기어부(144)를 포함한다. 슬라이더부(143)는 제1랙기어부(145)와 제2랙기어부(146)와 나란하게 배치된다. 피니언 기어부(144)는 그리퍼 구동부(141)의 구동시 슬라이더부(143)와 함께 직선방향으로 병진운동하고, 제1랙기어부(145)와 맞물려 회전운동을 수행한다.The pinion part (142) is connected to the gripper driving part (141), and includes a slider part (143) that is installed so as to be reciprocally movable between the first rack gear part (145) and the second rack gear part (146), and a pinion gear part (144) that is rotatably coupled to the slider part (143) and moves the second rack gear part (146) while moving together with the slider part (143). The slider part (143) is arranged parallel to the first rack gear part (145) and the second rack gear part (146). The pinion gear part (144) performs a linear translational movement together with the slider part (143) when the gripper driving part (141) is driven, and performs a rotational movement by engaging with the first rack gear part (145).
그리퍼 구동부(141)는 트랜스퍼부(130)에 설치되는 실린더부(141a)와, 실린더부(141a)에 이동 가능하게 설치되는 이동 로드부(141b)와, 이동 로드부(141b)와 슬라이더부(143)에 연결되는 연결 링크부(141c)를 포함한다. 연결 링크부(141c)는 실린더부(141a)의 이동 로드부(141b)에서 상측으로 연장되어 슬라이더부(143)에 연결된다. 연결 링크부(141c)는 실린더부(141a)의 이동 로드부(141b)에 의해 직선방향으로 이동된다. 이동 로드부(141b)가 이동됨에 따라 슬라이더부(143)가 이동된다.The gripper driving unit (141) includes a cylinder unit (141a) installed in the transfer unit (130), a movable rod unit (141b) movably installed in the cylinder unit (141a), and a connecting link unit (141c) connected to the movable rod unit (141b) and the slider unit (143). The connecting link unit (141c) extends upward from the movable rod unit (141b) of the cylinder unit (141a) and is connected to the slider unit (143). The connecting link unit (141c) is moved in a linear direction by the movable rod unit (141b) of the cylinder unit (141a). As the movable rod unit (141b) moves, the slider unit (143) moves.
핑거부(147)는 진공 흡착에 의해 웨이퍼부(10)를 잡아주는 진공흡착부(148)를 포함한다. 핑거부(147)는 2개 이상의 진공흡착부(148)가 설치될 수 있다. 진공흡착부(148)는 웨이퍼부(10)의 링프레임부(15)를 진공흡착한다. 핑거부(147)의 내부에는 진공흡착부(148)에 진공을 형성하도록 진공유로부(미도시)가 형성될 수 있다.The finger portion (147) includes a vacuum suction portion (148) that holds the wafer portion (10) by vacuum suction. The finger portion (147) may be provided with two or more vacuum suction portions (148). The vacuum suction portion (148) vacuum-suctions the ring frame portion (15) of the wafer portion (10). A vacuum path portion (not shown) may be formed inside the finger portion (147) to form a vacuum in the vacuum suction portion (148).
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 틸팅장치를 개략적으로 도시한 측면도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 틸팅장치에서 파지유닛이 하강되는 상태를 개략적으로 도시한 측면도이고, 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 틸팅장치의 파지유닛을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 틸팅장치의 파지유닛을 개략적으로 도시한 배면도이고, 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 틸팅장치의 파지유닛을 개략적으로 도시한 확대도이다.FIG. 9 is a side view schematically illustrating a tilting device in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 10 is a side view schematically illustrating a state in which a gripping unit is lowered in a tilting device of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 11 is a plan view schematically illustrating a gripping unit of a tilting device in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 12 is a rear view schematically illustrating a gripping unit of a tilting device in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 13 is an enlarged view schematically illustrating a gripping unit of a tilting device in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 9 내지 도 13을 참조하면, 틸팅장치(200)는 틸팅 모터부(210), 틸팅유닛(220), 승강유닛(230) 및 파지유닛(240)을 포함하다.Referring to FIGS. 9 to 13, the tilting device (200) includes a tilting motor unit (210), a tilting unit (220), an elevating unit (230), and a gripping unit (240).
틸팅장치(200)의 하측에는 척테이블장치(300)가 설치된다. 척테이블장치(300)는 척구동부(310)에 의해 회전 가능하게 설치된다. 척구동부(310)로는 벨트구동방식, 기어구동방식 등의 모터부가 적용될 수 있다.A chuck table device (300) is installed on the lower side of the tilting device (200). The chuck table device (300) is installed to be rotatable by a chuck drive unit (310). A motor unit of a belt drive type or a gear drive type can be applied to the chuck drive unit (310).
척테이블장치(300)는 회전축부(311)에 의해 회전되도록 회전축부(311)의 상측에 설치된다. 진공척부(330)에는 웨이퍼부(10)와 같은 웨이퍼부(10)가 안착된다. 진공척부(330)의 둘레부에는 링커버부(201)를 고정시키도록 복수의 척핀부(303)가 돌출되게 설치된다.The chuck table device (300) is installed on the upper side of the rotary shaft part (311) so as to be rotated by the rotary shaft part (311). A wafer part (10), such as a wafer part (10), is mounted on the vacuum chuck part (330). A plurality of chuck pin parts (303) are installed to protrude around the periphery of the vacuum chuck part (330) so as to fix the ring cover part (201).
틸팅장치(200)는 링커버부(201)를 파지하여 척테이블장치(300)에 결합한다. 링커버부(201)의 둘레부 하측에는 링커버부(201)가 척테이블장치(300)에 안착될 때에 복수의 척핀부(303)에 삽입되도록 복수의 고정홀부(202)가 형성된다. 또한, 링커버부(201)의 둘레부 외측면에는 파지유닛(240)에 파지되도록 복수의 구속홈부(203: 도 17 참조)가 형성된다. 복수의 구속홈부(203)는 파지유닛(240)의 록킹핀부(259)에 대향되게 형성된다. 링커버부(201)는 진공척부(330)에 안착된 웨이퍼부(10)의 둘레를 밀폐하여 웨이퍼부(10)의 처리시 처리액이 웨이퍼부(10)의 둘레와 링커버부(201)의 내부로 침투되는 것을 방지한다.The tilting device (200) grips the ring cover portion (201) and connects it to the chuck table device (300). A plurality of fixing holes (202) are formed on the lower side of the circumference of the ring cover portion (201) so that the ring cover portion (201) can be inserted into a plurality of chuck pin portions (303) when the ring cover portion (201) is mounted on the chuck table device (300). In addition, a plurality of restraining groove portions (203: see Fig. 17) are formed on the outer surface of the circumference of the ring cover portion (201) so that the ring cover portion (201) can be gripped by the gripping unit (240). The plurality of restraining groove portions (203) are formed to face the locking pin portion (259) of the gripping unit (240). The ring cover part (201) seals the perimeter of the wafer part (10) mounted on the vacuum chuck part (330) to prevent the processing liquid from penetrating into the perimeter of the wafer part (10) and the inside of the ring cover part (201) when processing the wafer part (10).
틸팅유닛(220)은 틸팅 모터부(210)의 틸팅축부(212)에 회전 가능하게 연결된다. 틸팅유닛(220)에는 틸팅 모터부(210)의 틸팅축부(212)에 연결되도록 틸팅암부(222)가 형성된다. 틸팅유닛(220)은 대기 상태에서는 상측으로 세워진 상태를 유지한다. 틸팅 모터부(210)는 링커버부(201)를 진공척부(330)의 둘레부에 결합할 때에 틸팅유닛(220)을 진공척부(330)의 상측으로 수평하게 회전시킨다. 틸팅유닛(220)에는 파지유닛(240)의 링커버부(201) 결합 위치에 수평하게 위치시킬 수 있도록 파지유닛(240)의 수평방향 초기 위치를 세팅할 수 있는 세팅모듈(미도시)이 설치된다.The tilting unit (220) is rotatably connected to the tilting shaft portion (212) of the tilting motor portion (210). The tilting unit (220) is provided with a tilting arm portion (222) so as to be connected to the tilting shaft portion (212) of the tilting motor portion (210). The tilting unit (220) maintains an upwardly erected state in a standby state. The tilting motor portion (210) rotates the tilting unit (220) horizontally toward the upper side of the vacuum chuck portion (330) when the ring cover portion (201) is coupled to the periphery of the vacuum chuck portion (330). The tilting unit (220) is provided with a setting module (not shown) that can set the horizontal initial position of the gripping unit (240) so that the gripping unit (240) can be positioned horizontally at the coupling position of the ring cover portion (201).
승강유닛(230)은 틸팅유닛(220)에 설치된다. 승강유닛(230)은 틸팅유닛(220)의 중심부에 설치된다. 승강유닛(230)의 승강 로드부(233)는 틸팅유닛(220)의 중심부를 통과하여 이동되도록 설치된다. 틸팅유닛(220)에는 승강유닛(230)의 승강을 안내하도록 복수의 승강 가이드부(235)가 설치된다.The lifting unit (230) is installed in the tilting unit (220). The lifting unit (230) is installed in the center of the tilting unit (220). The lifting rod part (233) of the lifting unit (230) is installed to move through the center of the tilting unit (220). A plurality of lifting guide parts (235) are installed in the tilting unit (220) to guide the lifting of the lifting unit (230).
파지유닛(240)은 승강유닛(230)에 의해 승강되도록 승강유닛(230)에 연결되고, 링커버부(201)를 파지한다. 진공척부(330)에 웨이퍼부(10)가 안착되기 이전에는 파지유닛(240)이 링커버부(201)를 파지한 상태로 수직하게 세워지는 대기 상태에 위치된다. The gripping unit (240) is connected to the lifting unit (230) so that it can be raised and lowered by the lifting unit (230) and grips the ring cover part (201). Before the wafer part (10) is placed on the vacuum chuck part (330), the gripping unit (240) is positioned in a standby state in which it is vertically erected while gripping the ring cover part (201).
진공척부(330)에 웨이퍼부(10)가 안착되면, 틸팅 모터부(210)가 구동됨에 따라 틸팅유닛(220)과 파지유닛(240)이 수평하게 회전된다. 틸팅유닛(220)과 파지유닛(240)의 회전이 완료되면, 승강유닛(230)이 구동됨에 따라 파지유닛(240)이 틸팅유닛(220)의 하측으로 이동된다. 이때, 틸팅유닛(220)은 승강유닛(230)과 함께 하강되지 않고 수평 상태를 그대로 유지한다.When the wafer unit (10) is placed on the vacuum chuck unit (330), the tilting motor unit (210) is driven to cause the tilting unit (220) and the gripping unit (240) to rotate horizontally. When the rotation of the tilting unit (220) and the gripping unit (240) is completed, the lifting unit (230) is driven to cause the gripping unit (240) to move downward of the tilting unit (220). At this time, the tilting unit (220) does not descend together with the lifting unit (230) and remains horizontal.
파지유닛(240)이 하강됨에 따라 링커버부(201)가 진공척부(330)에 안착된다. 링커버부(201)가 진공척부(330)의 척킹모듈(350: 도 15 참조)에 완전히 위치 고정(chucking)될 때까지 파지유닛(240)은 링커버부(201)를 진공척부(330)에 결합시킨 상태를 계속적으로 유지하도록 승강유닛(230)에 의해 하강된 상태를 유지한다. As the gripping unit (240) is lowered, the ring cover part (201) is seated on the vacuum chuck part (330). The gripping unit (240) is maintained in a lowered state by the lifting unit (230) so as to continuously maintain the state in which the ring cover part (201) is coupled to the vacuum chuck part (330) until the ring cover part (201) is completely positioned (chucking) on the chucking module (350: see FIG. 15) of the vacuum chuck part (330).
진공척부(330)에서 링커버부(201)의 결합이 완료되면, 승강유닛(230)이 구동됨에 따라 파지유닛(240)이 상측으로 이동되어 틸팅유닛(220)의 하측에 접촉되거나 약간 이격된다. 파지유닛(240)이 상측으로 완전히 이동되면, 틸팅 모터부(210)가 구동됨에 따라 틸팅유닛(220)과 파지유닛(240)이 수직하거나 거의 수직하게 세워지는 대기 상태로 회전된다. When the coupling of the ring cover part (201) to the vacuum chuck part (330) is completed, the lifting unit (230) is driven so that the gripping unit (240) moves upward and comes into contact with or is slightly separated from the lower side of the tilting unit (220). When the gripping unit (240) is completely moved upward, the tilting motor part (210) is driven so that the tilting unit (220) and the gripping unit (240) are rotated to a standby state in which they are vertically or nearly vertically erected.
위치보정유닛(260)은 파지유닛(240)이 링커버부(201)를 진공척부(330)에 결합할 때에 파지유닛(240)의 결합 편차를 보정하도록 승강유닛(230)과 파지유닛(240)에 유격(플로팅) 가능하게 설치된다. 결합 편차는 파지유닛(240)의 링커버부(201) 결합시 파지유닛(240)의 록킹핀부(259)가 링커버부(201)의 구속홈부(203)와 틀어진 편차를 의미한다.The position correction unit (260) is installed so as to have a gap (float) between the lifting unit (230) and the gripping unit (240) to correct the coupling deviation of the gripping unit (240) when the gripping unit (240) couples the ring cover part (201) to the vacuum chuck part (330). The coupling deviation refers to the deviation in which the locking pin part (259) of the gripping unit (240) is misaligned with the restraining groove part (203) of the ring cover part (201) when the gripping unit (240) is coupled to the ring cover part (201).
위치보정유닛(260)은 트러스트부(261)와 탄성부재(268)를 포함한다.The position correction unit (260) includes a thrust member (261) and an elastic member (268).
트러스트부(261)는 링커버부(201)의 록킹시 플로팅 플레이트(243)가 결합 편차만큼 유격되도록 승강부재(135)와 플로팅 플레이트(243)에 복수 객가 연결된다. 탄성부재(268)는 코어부재(241)에 설치되고, 링커버부(201)의 언록킹시 플로팅 플레이트(243)가 원위치로 복귀시키도록 플로팅 플레이트(243)에 탄성력을 가한다.The trust member (261) is connected to the lifting member (135) and the floating plate (243) by multiple means so that the floating plate (243) has a gap equal to the engagement deviation when the ring cover member (201) is locked. The elastic member (268) is installed in the core member (241) and applies elastic force to the floating plate (243) so that the floating plate (243) returns to its original position when the ring cover member (201) is unlocked.
파지유닛(240)이 승강유닛(230)에 의해 하강되어 링커버부(201)를 진공척부(330)에 결합할 때에 링커버부(201)의 고정홀부(202)가 진공척부(330)의 척핀부(303)와 약간 틀어짐에 따라 결합 편차가 발생될 수 있다. 이때, 위치보정유닛(260)은 파지유닛(240)을 결합 편차 범위 내에서 수평방향으로 유격되게 허용한다.When the gripping unit (240) is lowered by the lifting unit (230) to couple the ring cover part (201) to the vacuum chuck part (330), a coupling deviation may occur as the fixing hole part (202) of the ring cover part (201) is slightly misaligned with the chuck pin part (303) of the vacuum chuck part (330). At this time, the position correction unit (260) allows the gripping unit (240) to move horizontally within the coupling deviation range.
상기와 같이, 틸팅유닛(220)과 파지유닛(240)이 틸팅 모터부(210)에 의해 회전되므로, 틸팅 모터부(210)의 회전 각도를 정밀하게 제어하여 파지유닛(240)의 높이(레벨) 및 밀폐링 결합 위치를 정밀하게 세팅할 수 있다. 또한, 파지유닛(240)과 틸팅유닛(220)은 링커버부(201)의 결합 위치에 초기 세팅된다. 따라서, 파지유닛(240)의 파지 위치를 세팅하는 시간을 현저히 단축시킬 수 있다.As described above, since the tilting unit (220) and the gripping unit (240) are rotated by the tilting motor unit (210), the rotation angle of the tilting motor unit (210) can be precisely controlled to precisely set the height (level) of the gripping unit (240) and the sealing ring joining position. In addition, the gripping unit (240) and the tilting unit (220) are initially set to the joining position of the ring cover unit (201). Therefore, the time for setting the gripping position of the gripping unit (240) can be significantly shortened.
틸팅유닛(220)이 틸팅 모터부(210)에 회전 가능하게 설치되므로, 틸팅 모터부(210)의 고장이나 정전 등이 발생되었을 때에 틸팅 모터부(210)가 현재 상태를 그대로 유지한다. 따라서, 고장이나 정전시 틸팅유닛(220)과 파지유닛(240)이 낙하하여 진공척부(330)에 충돌되는 것을 방지할 수 있다.Since the tilting unit (220) is rotatably installed on the tilting motor unit (210), when a breakdown or power outage occurs in the tilting motor unit (210), the tilting motor unit (210) maintains its current state. Therefore, when a breakdown or power outage occurs, the tilting unit (220) and the gripping unit (240) can be prevented from falling and colliding with the vacuum chuck unit (330).
또한, 파지유닛(240)이 위치보정유닛(260)에 의해 승강유닛(230)에 유격 가능하게 설치되므로, 파지유닛(240)이 미세하게 틀어진 상태에서 링커버부(201)를 진공척부(330)에 결합할 때에 위치보정유닛(260)이 파지유닛(240)의 결합 편차를 보정하도록 허용한다. 따라서, 링커버부(201)와 진공척부(330)의 척핀부(303)의 결합 편차에 의해 마모되는 것을 방지함으로써 척핀부(303)와 링커버부(201)에서 이물질이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 파지유닛(240)과 링커버부(201)의 하부에서 처리되는 웨이퍼부(10)에 이물질이 유입되는 것을 방지할 수 있으므로, 웨이퍼부(10)의 오염이나 불량이 발생되는 것을 최소화할 수 있다.In addition, since the gripping unit (240) is installed with a gap in the lifting unit (230) by the position correction unit (260), when the ring cover part (201) is coupled to the vacuum chuck part (330) in a state where the gripping unit (240) is slightly misaligned, the position correction unit (260) allows the gripping unit (240) to correct the coupling deviation. Accordingly, by preventing wear due to the coupling deviation of the chuck pin part (303) of the ring cover part (201) and the vacuum chuck part (330), it is possible to prevent foreign substances from being generated in the chuck pin part (303) and the ring cover part (201). In addition, since it is possible to prevent foreign substances from being introduced into the wafer part (10) processed below the gripping unit (240) and the ring cover part (201), it is possible to minimize contamination or defects in the wafer part (10).
또한, 틸팅 모터부(210)가 틸팅유닛(220)과 파지유닛(240)을 틸팅 회전시키므로, 구동 요소의 설치 개수를 감소시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼부(10)처리장치의 제조 비용을 감소시킬 수 있다.In addition, since the tilting motor unit (210) tilts and rotates the tilting unit (220) and the gripping unit (240), the number of drive elements to be installed can be reduced. Accordingly, the manufacturing cost of the wafer unit (10) processing device can be reduced.
승강유닛(230)은 승강 구동부(231) 및 승강부재(235)를 포함한다. The lifting unit (230) includes an lifting drive unit (231) and an lifting member (235).
승강 구동부(231)는 틸팅유닛(220)에 설치된다. 승강 구동부(231)는 승강 실린더부(232)와, 승강 실린더부(232)에 승강 가능하게 설치되는 승강 로드부(233)를 포함한다. 승강 로드부(233)의 하측에는 승강부재(235)가 고정된다. 승강 실린더부(232)에 유체가 유입되면, 승강 로드부(233)가 하측으로 이동되고, 승강 실린더부(232)에서 유체가 배출되면, 승강 로드부(233)가 상측으로 이동된다.The lifting drive unit (231) is installed in the tilting unit (220). The lifting drive unit (231) includes an lifting cylinder unit (232) and an lifting rod unit (233) that is installed to be able to be lifted on the lifting cylinder unit (232). An lifting member (235) is fixed to the lower side of the lifting rod unit (233). When fluid is introduced into the lifting cylinder unit (232), the lifting rod unit (233) moves downward, and when fluid is discharged from the lifting cylinder unit (232), the lifting rod unit (233) moves upward.
승강부재(235)는 승강 구동부(231)에 의해 승강되도록 승강 구동부(231)와 파지유닛(240)에 연결되고, 파지유닛(240)이 유격되도록 위치보정유닛(260)이 설치된다. 승강부재(235)는 파지유닛(240)에서 이격되게 설치되는 승강 패널부(236)를 포함한다. 승강 패널부(236)의 중심부에는 승강 구동부(231)의 승강 로드부(233)가 결합되도록 결합홈부(237)가 형성된다. The lifting member (235) is connected to the lifting drive unit (231) and the gripping unit (240) so that it is lifted by the lifting drive unit (231), and a position correction unit (260) is installed so that the gripping unit (240) is spaced apart. The lifting member (235) includes an lifting panel portion (236) that is installed spaced apart from the gripping unit (240). A coupling groove portion (237) is formed at the center of the lifting panel portion (236) so that the lifting rod portion (233) of the lifting drive unit (231) is coupled thereto.
파지유닛(240)은 코어부재(241), 플로팅 플레이트(243), 복수의 캠링크부(251), 링크 구동부(255) 및 록킹부(256)를 포함한다.The phage unit (240) includes a core member (241), a floating plate (243), a plurality of cam link parts (251), a link driving part (255), and a locking part (256).
코어부재(241)는 승강부재(235)의 하측에 배치된다. 코어부재(241)는 승강부재(235)의 하측면부와 이격되고, 승강부재(235)의 중심부에 배치된다. 코어부재(241)의 둘레부에는 복수의 코어리브(미도시)가 방사상으로 돌출되게 형성된다. 코어부재(241)는 플로팅 플레이트(243)의 원주방향으로 일정 각도 회전 가능하게 설치된다.The core member (241) is arranged on the lower side of the lifting member (235). The core member (241) is spaced apart from the lower side of the lifting member (235) and is arranged at the center of the lifting member (235). A plurality of core ribs (not shown) are formed to protrude radially around the periphery of the core member (241). The core member (241) is installed so as to be rotatable at a certain angle in the circumferential direction of the floating plate (243).
플로팅 플레이트(243)는 코어부재(241)의 하측에 결합되고, 위치보정유닛(260)에 연결된다. 플로팅 플레이트(243)는 진공척부(330)에 대향되도록 원판 형태로 형성된다. 플로팅 플레이트(243)는 승강부재(235)의 하측에 접촉되게 설치된다. 플로팅 플레이트(243)의 둘레부에는 캠링크부(251)의 회전시 록킹부(256)가 플로팅 플레이트(243)의 반경방향으로 직선 운동하도록 가이드홀부(246)가 관통되게 형성된다.The floating plate (243) is coupled to the lower side of the core member (241) and connected to the position correction unit (260). The floating plate (243) is formed in a circular shape so as to face the vacuum chuck (330). The floating plate (243) is installed so as to contact the lower side of the lifting member (235). A guide hole (246) is formed through the periphery of the floating plate (243) so that the locking part (256) moves linearly in the radial direction of the floating plate (243) when the cam link part (251) rotates.
복수의 캠링크부(251)는 코어부재(241)에 방사상으로 연결된다. 캠링크부(251)는 코어부재(241)에 각각 연결된다. 캠링크부(251)는 복수의 체결볼트(미도시)에 의해 코어부재(241)에 고정된다. 캠링크부(251)는 직선형 패널 형태로 형성된다. A plurality of cam link parts (251) are radially connected to the core member (241). The cam link parts (251) are each connected to the core member (241). The cam link parts (251) are fixed to the core member (241) by a plurality of fastening bolts (not shown). The cam link parts (251) are formed in a linear panel shape.
링크 구동부(255)는 캠링크부(251)들을 이동시키도록 캠링크부(251)와 플로팅 플레이트(243)에 연결된다. 링크 구동부(255)의 일측은 플로팅 플레이트(243)에 고정되고, 링크 구동부(255)의 타측은 하나의 캠링크부(251)에 연결된다. 링크 구동부(255)는 링크 실린더부(255a)와, 링크 실린더부(255a)에 이동 가능하게 설치되는 링크 로드부(255b)를 포함한다. 링크 실린더부(255a)에 유체가 유입됨에 따라 링크 로드부(255b)가 링크 실린더부(255a)에서 인출되고, 링크 실린더부(255a)에서 유체가 배출됨에 따라 링크 로드부(255b)가 링크 실린더부(255a)에 인입된다. The link driving unit (255) is connected to the cam link unit (251) and the floating plate (243) to move the cam link units (251). One side of the link driving unit (255) is fixed to the floating plate (243), and the other side of the link driving unit (255) is connected to one cam link unit (251). The link driving unit (255) includes a link cylinder unit (255a) and a link rod unit (255b) movably installed in the link cylinder unit (255a). As fluid flows into the link cylinder unit (255a), the link rod unit (255b) is pulled out from the link cylinder unit (255a), and as fluid flows out from the link cylinder unit (255a), the link rod unit (255b) is drawn into the link cylinder unit (255a).
록킹부(256)는 캠링크부(251)들에 각각 설치되고, 캠링크부(251)들의 이동시 링커버부(201)를 록킹 및 언록킹시킨다. 록킹부(256)는 플로팅 플레이트(243)의 둘레부에 캠링크부(251)마다 하나씩 연결된다.The locking parts (256) are installed in each of the cam link parts (251) and lock and unlock the ring cover part (201) when the cam link parts (251) move. The locking parts (256) are connected to each cam link part (251) on the periphery of the floating plate (243).
코어부재(241)는 링크 구동부(255)의 구동시 복수의 캠링크부(251)와 함께 회전된다. 즉, 링크 구동부(255)가 구동됨에 따라 링크 구동부(255)에 연결된 하나의 캠링크부(251)가 플로팅 플레이트(243)의 중심부를 중심으로 일정 각도 회전된다. 하나의 캠링크부(251)가 일정 각도 회전됨에 따라 코어부재(241)가 플로팅 플레이트(243)의 원주방향으로 회전되므로, 복수의 캠링크부(251)가 동시에 원주방향으로 일정 각도 회전된다. 복수의 캠링크부(251)가 회전됨에 따라 복수의 록킹부(256)가 링커버부(201)를 동시에 록킹 및 언록킹하여 링커버부(201)를 파지한다. 이때, 플로팅 플레이트(243)는 회전되지 않는다.The core member (241) rotates together with the plurality of cam link members (251) when the link driving member (255) is driven. That is, as the link driving member (255) is driven, one cam link member (251) connected to the link driving member (255) rotates at a certain angle around the center of the floating plate (243). As one cam link member (251) rotates at a certain angle, the core member (241) rotates in the circumferential direction of the floating plate (243), so that the plurality of cam link members (251) rotate at a certain angle in the circumferential direction simultaneously. As the plurality of cam link members (251) rotate, the plurality of locking members (256) simultaneously lock and unlock the ring cover member (201) to hold the ring cover member (201). At this time, the floating plate (243) does not rotate.
캠링크부(251)는 코어부재(241)에 방사상으로 연결되는 캠로드부(252)와, 캠로드부(252)에 연결되고, 록킹부(256)가 이동되도록 장공부(254)가 형성되는 캠부(253)를 포함한다. 이때, 캠부(253)는 판형으로 형성되고, 장공부(254)는 캠부(253)의 회전반경에 대하여 경사지게 형성된다. 캠로드부(252)에는 링크 구동부(255)의 링크 로드부(255b)가 연결된다. 링크 구동부(255)가 구동됨에 따라 캠로드부(252)와 캠부(253)가 일정 각도 회전된다. 캠부(253)가 회전됨에 따라 록킹부(256)가 장공부(254)를 따라 이동되면서 플로팅 플레이트(243)의 반경방향으로 직선 운동을 하게 되므로, 록킹부(256)가 직선 운동함에 의해 링커버부(201)를 록킹 및 언록킹할 수 있다.The cam link part (251) includes a cam rod part (252) radially connected to the core member (241), and a cam part (253) connected to the cam rod part (252) and having a long part (254) formed so that the locking part (256) moves. At this time, the cam part (253) is formed in a plate shape, and the long part (254) is formed to be inclined with respect to the rotation radius of the cam part (253). A link rod part (255b) of a link driving part (255) is connected to the cam rod part (252). As the link driving part (255) is driven, the cam rod part (252) and the cam part (253) rotate at a certain angle. As the cam (253) rotates, the locking part (256) moves along the long part (254) and moves linearly in the radial direction of the floating plate (243), so that the ring cover part (201) can be locked and unlocked by the linear movement of the locking part (256).
록킹부(256)는 장공부(254)에 이동 가능하게 결합되는 슬라이드부(257)와, 슬라이드부(257)의 이동시 직선 이동되도록 슬라이드부(257)에 연결되는 록킹 가이드부(258)와, 록킹 가이드부(258)의 이동시 링커버부(201)를 록킹 및 언록킹하도록 록킹 가이드부(258)에 설치되는 록킹핀부(259)를 포함한다. 슬라이드부(257)는 장공부(254)에 구름접촉되는 슬라이드 롤러이다. 록킹 가이드부(258)는 플로팅 플레이트(243)의 둘레부에 형성된 가이드홀부(246)에 직선이동 이동 가능하게 설치된다. 록킹핀부(259)는 록킹 가이드부(258)의 내측에서 돌출되게 연장된다. 록킹핀부(259)의 단부는 링커버부(201)의 구속홈부(203)에 삽입되도록 원추형 등 다양한 형태로 형성된다.The locking part (256) includes a slide part (257) that is movably connected to the long part (254), a locking guide part (258) that is connected to the slide part (257) so that the slide part (257) moves linearly, and a locking pin part (259) that is installed in the locking guide part (258) so that the ring cover part (201) is locked and unlocked when the locking guide part (258) moves. The slide part (257) is a slide roller that comes into cloud contact with the long part (254). The locking guide part (258) is installed in a guide hole part (246) formed on the periphery of the floating plate (243) so that it can move linearly. The locking pin part (259) protrudes and extends from the inside of the locking guide part (258). The end of the locking pin portion (259) is formed in various shapes, such as a cone shape, so as to be inserted into the restraining groove portion (203) of the ring cover portion (201).
록킹 가이드부(258)는 슬라이드부(257)에 연결되고, 플로팅 플레이트(243)의 가이드홀부(246)에 이동 가능하게 설치되는 가이드축부(258a)와, 가이드축부(258a)에 연결되고, 록킹핀부(259)가 설치되는 가이드부재(258b)와, 가이드부재(258b)의 양측을 지지하도록 설치되는 복수의 가이드 롤러부(258c)를 포함한다. 가이드축부(258a)는 슬라이드부(257)에 축결합되고, 가이드부재(258b)는 직사각판 형태로 형성되며, 가이드 롤러부(258c)들은 가이드부재(258b)의 양측에 2개 이상 배치된다. 가이드 롤러부(258c)의 둘레부에는 가이드부재(258b)의 측면부가 삽입되도록 삽입홈부(미도시)가 형성된다. 링크 구동부(255)가 캠링크부(251)를 이동시킴에 따라 슬라이드부(257)와 가이드축부(258a)가 반경방향으로 직선 운동하고, 가이드축부(258a)가 이동됨에 따라 가이드부재(258b)가 가이드홀부(246)를 따라 운동하게 된다. 이때, 가이드 롤러부(258c)들은 가이드부재(258b)의 이동시 회전되면서 가이드부재(258b)를 지지한다.The locking guide part (258) includes a guide shaft part (258a) that is connected to the slide part (257) and movably installed in the guide hole part (246) of the floating plate (243), a guide member (258b) that is connected to the guide shaft part (258a) and has a locking pin part (259) installed therein, and a plurality of guide roller parts (258c) that are installed to support both sides of the guide member (258b). The guide shaft part (258a) is axially coupled to the slide part (257), the guide member (258b) is formed in a rectangular plate shape, and two or more guide roller parts (258c) are arranged on both sides of the guide member (258b). An insertion groove part (not shown) is formed on the periphery of the guide roller part (258c) so that a side part of the guide member (258b) is inserted therein. As the link driving unit (255) moves the cam link unit (251), the slide unit (257) and the guide shaft unit (258a) move linearly in the radial direction, and as the guide shaft unit (258a) moves, the guide member (258b) moves along the guide hole unit (246). At this time, the guide roller units (258c) rotate when the guide member (258b) moves and support the guide member (258b).
록킹부(256)의 장공부(254)가 플로팅 플레이트(243)의 원주방향에 경사지게 형성되고, 슬라이드부(257)가 장공부(254)에 삽입되며, 가이드축부(258a)가 직선형의 가이드홀부(246)에 삽입된다. 따라서, 캠링크부(251)가 일측으로 회전됨에 따라 슬라이드부(257)와 가이드축부(258a)가 장공부(254)의 일단부 측으로 이동되면, 가이드부재(258b)가 플로팅 플레이트(243)의 중심부 측으로 이동됨에 따라 록킹핀부(259)가 링커버부(201)의 구속홈부(203)에 삽입되어 링커버부(201)를 록킹(파지)한다. 또한, 캠링크부(251)가 타측으로 회전됨에 따라 슬라이드부(257)와 가이드축부(258a)가 장공부(254)의 타단부 측으로 이동되면, 가이드부재(258b)가 플로팅 플레이트(243)의 외측으로 이동됨에 따라 록킹핀부(259)가 링커버부(201)의 구속홈부(203)에 분리되어 링커버부(201)를 언록킹(해제)한다.The long part (254) of the locking part (256) is formed to be inclined in the circumferential direction of the floating plate (243), the slide part (257) is inserted into the long part (254), and the guide shaft part (258a) is inserted into the straight guide hole part (246). Accordingly, as the cam link part (251) rotates to one side, the slide part (257) and the guide shaft part (258a) move toward one end of the long part (254), and as the guide member (258b) moves toward the center of the floating plate (243), the locking pin part (259) is inserted into the restraining groove part (203) of the ring cover part (201) to lock (hold) the ring cover part (201). In addition, as the cam link part (251) rotates to the other side, the slide part (257) and the guide shaft part (258a) move toward the other end of the long part (254), and as the guide member (258b) moves to the outside of the floating plate (243), the locking pin part (259) is separated from the restraining groove part (203) of the ring cover part (201), thereby unlocking the ring cover part (201).
틸팅장치(200)는 웨이퍼부(10)가 척테이블(320,330)에 결합 고정될 때에 틸팅장치(200)의 들림을 방지하도록 척테이블(320,330)의 일측에 이동 가능하게 설치되는 도킹부(270)를 더 포함한다. 도킹부(270)는 도킹 프레임부(271)에 설치된다. 틸팅장치(200)에는 틸팅장치(200)에서 연장되는 연장 암부(224)와, 연장 암부(224)의 단부에 설치되는 피가압부(225)를 포함한다. 피가압부(225)는 하측이 도킹부(270)를 향하여 돌출되는 피가압리브가 형성된다. The tilting device (200) further includes a docking unit (270) that is movably installed on one side of the chuck table (320, 330) to prevent the tilting device (200) from being lifted when the wafer unit (10) is fixedly coupled to the chuck table (320, 330). The docking unit (270) is installed on the docking frame unit (271). The tilting device (200) includes an extension arm unit (224) that extends from the tilting device (200) and a pressure unit (225) that is installed at an end of the extension arm unit (224). The pressure unit (225) is formed with a pressure rib that protrudes at the lower side toward the docking unit (270).
따라서, 도킹부(270)가 틸팅장치(200)을 들림을 방지하도록 틸팅장치(200)의 피가압부(225)을 구속하므로, 파지유닛(240)이 승강유닛(130)에 의해 하강되면서 웨이퍼부(10)를 척테이블(320,330)에 결합할 때에 웨이퍼부(10)가 위치 변경되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 웨이퍼부(10)의 고정홀부(202)와 척핀부(303)의 마모를 방지함에 의해 이물질 발생을 방지할 수 있다.Accordingly, since the docking unit (270) restrains the pressurized portion (225) of the tilting device (200) to prevent the tilting device (200) from being lifted, the wafer portion (10) can be prevented from changing position when the gripping unit (240) is lowered by the lifting unit (130) and the wafer portion (10) is coupled to the chuck table (320, 330). Furthermore, by preventing wear of the fixing hole portion (202) and the chuck pin portion (303) of the wafer portion (10), the generation of foreign substances can be prevented.
도킹부(270)는 도킹 프레임부(271)에 설치되는 도킹 구동부(173)와, 틸팅장치(200)을 구속하도록 도킹 구동부(173)에 의해 이동되는 도킹 가압부(175)를 포함한다. 도킹 구동부(173)는 틸팅장치(200)이 승강유닛(130)에 의해 완전히 하강된 후 틸팅 유닛의 피가압부(225)를 하측으로 가압하도록 전후 및 상하방향으로 이동 가능하게 설치된다. 도킹 구동부(173)는 도킹 가압부(175)를 이동시켜 틸팅장치(200)을 구속하는 한 다양한 형태가 적용될 수 있다.The docking unit (270) includes a docking drive unit (173) installed in the docking frame unit (271), and a docking pressure unit (175) moved by the docking drive unit (173) to restrain the tilting device (200). The docking drive unit (173) is installed to be movable forward and backward and up and down so as to press the pressured unit (225) of the tilting unit downward after the tilting device (200) is completely lowered by the lifting unit (130). Various forms may be applied to the docking drive unit (173) as long as it moves the docking pressure unit (175) to restrain the tilting device (200).
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 척테이블장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 척테이블장치의 척킹모듈을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 척테이블장치에서 척킹모듈을 개략적으로 도시한 확대도이고, 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 척테이블장치에서 척킹모듈이 링커버부를 구속한 상태를 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 14 is a cross-sectional view schematically illustrating a chuck table device in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 15 is a plan view schematically illustrating a chucking module of a chuck table device in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 16 is an enlarged view schematically illustrating a chucking module in a chuck table device of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 17 is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which a chucking module restrains a ring cover portion in a chuck table device of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 14 내지 도 17을 참조하면, 척테이블장치(300)는 척구동부(310)와 척테이블(320,330)을 포함한다.Referring to FIGS. 14 to 17, the chuck table device (300) includes a chuck unit (310) and a chuck table (320, 330).
척구동부(310)는 회테이블(320,330)의 회전중심에 연결되는 회전축(311)과, 회전축(311)에 설치되는 척모터부(313)를 포함한다. 척모터부(313)는 하우징(미도시)의 내부에 설치되는 고정자(미도시)와, 고정자의 내부에 배치되고, 회전축(311)을 둘러싸도록 설치되는 회전자(미도시)를 포함한다. 또한, 척구동부(310)로는 벨트를 매개로 회전축(311)을 회전시키는 벨트구동방식이나, 체인을 매개로 회전축(311)을 회전시키는 체인구동방식 등이 적용될 수도 있다.The chuck unit (310) includes a rotation shaft (311) connected to the rotation center of the rotary table (320, 330) and a chuck motor unit (313) installed on the rotation shaft (311). The chuck motor unit (313) includes a stator (not shown) installed inside a housing (not shown) and a rotor (not shown) arranged inside the stator and installed to surround the rotation shaft (311). In addition, a belt drive method that rotates the rotation shaft (311) using a belt or a chain drive method that rotates the rotation shaft (311) using a chain may be applied to the chuck unit (310).
회전축(311)에는 진공척부(330)를 진공시키도록 진공유로부(315)가 형성된다. 진공유로부(315)는 회전축(311)의 길이방향을 따라 형성된다. 진공척부(330)에는 진공유로부(315)와 연결되도록 진공챔버(335)가 형성된다.A vacuum passage (315) is formed on the rotating shaft (311) to evacuate the vacuum chuck (330). The vacuum passage (315) is formed along the longitudinal direction of the rotating shaft (311). A vacuum chamber (335) is formed on the vacuum chuck (330) to be connected to the vacuum passage (315).
척테이블(320,330)은 회전척부(320)와 진공척부(330)를 포함한다.The chuck table (320, 330) includes a rotary chuck part (320) and a vacuum chuck part (330).
회전척부(320)는 척구동부(310)에 회전 가능하게 설치된다. 회전척부(320)는 전체적으로 원판 형태로 형성될 수 있다.The rotary chuck (320) is installed rotatably on the chuck body (310). The rotary chuck (320) may be formed in the shape of a circular plate as a whole.
진공척부(330)는 회전척부(320)에 안착된다. 진공척부(330)에는 웨이퍼부(10)가 탑재된다. 진공척부(330)는 회전척부(320)의 상부에 안착되도록 전체적으로 원판 형태로 형성된다. 진공척부(330)는 척구동부(310)의 구동시 회전척부(320)와 함께 회전된다.The vacuum chuck unit (330) is mounted on the rotary chuck unit (320). The wafer unit (10) is mounted on the vacuum chuck unit (330). The vacuum chuck unit (330) is formed in an overall circular shape so as to be mounted on the upper portion of the rotary chuck unit (320). The vacuum chuck unit (330) rotates together with the rotary chuck unit (320) when the chuck drive unit (310) is driven.
진공척부(330)는 제1진공척(331) 및 제2진공척(333)을 포함한다. 제1진공척(331)은 회전척부(320)와 함께 회전되도록 회전척부(320)에 설치되고, 진공챔버(335)가 형성된다. 제1진공척(331)은 웨이퍼부(10)를 흡착하도록 진공압을 형성한다. 제2진공척(333)은 제1진공척(331)에 탑재되고, 링커버부(201)가 설치되며, 이동모듈(미도시)에 의해 이동되도록 설치된다.The vacuum chuck unit (330) includes a first vacuum chuck (331) and a second vacuum chuck (333). The first vacuum chuck (331) is installed on the rotary chuck unit (320) so as to rotate together with the rotary chuck unit (320), and a vacuum chamber (335) is formed. The first vacuum chuck (331) forms a vacuum pressure so as to adsorb the wafer unit (10). The second vacuum chuck (333) is mounted on the first vacuum chuck (331), has a ring cover unit (201) installed, and is installed so as to be moved by a moving module (not shown).
제2진공척(333)에는 웨이퍼부(10)를 흡착하도록 제1진공척(331)의 매체유로부(315)에 연통되는 복수의 흡착홀부(미도시)가 형성된다. 복수의 흡착홀부는 제2진공척(333)의 원주방향을 따라 동심원 형태로 배열될 수 있다. 매체유로부(315)에 진공압이 형성되면, 흡착홀부의 진공 흡착력에 의해 웨이퍼부(10)가 제2진공척(333)의 상면에 긴밀하게 밀착될 수 있다.The second vacuum chuck (333) is formed with a plurality of suction holes (not shown) that are connected to the medium passage (315) of the first vacuum chuck (331) to suction the wafer portion (10). The plurality of suction holes may be arranged in a concentric shape along the circumference of the second vacuum chuck (333). When vacuum pressure is formed in the medium passage (315), the wafer portion (10) can be closely adhered to the upper surface of the second vacuum chuck (333) by the vacuum suction force of the suction holes.
링커버부(201)는 진공척부(330)의 둘레부에 설치된다. 링커버부(201)는 웨이퍼부(10)의 접착시트(12)를 가압하여 진공척부(330)의 둘레부 측을 씰링한다. 링커버부(201)는 척킹모듈(350)에 의해 회전척부(320)에 고정된다. 링커버부(201)가 웨이퍼부(10)의 접착시트(12)를 가압하여 진공척부(330)의 둘레부를 씰링하도록 원형링 형태로 형성되므로, 접착시트(12)가 식각액에 의해 손상되는 것을 최소화시키고, 회전척부(320)와 진공척부(330)가 식각액에 의해 오염시키거나 파손되는 것을 방지할 수 있다.The ring cover part (201) is installed on the periphery of the vacuum chuck part (330). The ring cover part (201) presses the adhesive sheet (12) of the wafer part (10) to seal the periphery side of the vacuum chuck part (330). The ring cover part (201) is fixed to the rotary chuck part (320) by the chucking module (350). Since the ring cover part (201) is formed in a circular ring shape to press the adhesive sheet (12) of the wafer part (10) to seal the periphery of the vacuum chuck part (330), damage to the adhesive sheet (12) by the etchant can be minimized, and the rotary chuck part (320) and the vacuum chuck part (330) can be prevented from being contaminated or damaged by the etchant.
척테이블장치(300)는 회전척부(320)에 설치되고, 웨이퍼부(10)를 진공척부(330)에 고정시키고, 링커버부(201)를 회전척부(320)에 고정시키는 척킹모듈(350)을 더 포함한다.The chuck table device (300) is installed on a rotary chuck unit (320), and further includes a chucking module (350) that secures the wafer unit (10) to a vacuum chuck unit (330) and secures the ring cover unit (201) to the rotary chuck unit (320).
척킹모듈(350)은 척킹 베이스(351), 척킹 회전부(355), 복수의 제1척킹 링크부(360), 복수의 웨이퍼 구속부(370), 복수의 제2척킹 링크부(380) 및 복수의 커버 구속부(390)를 포함한다.The chucking module (350) includes a chucking base (351), a chucking rotation part (355), a plurality of first chucking link parts (360), a plurality of wafer restraint parts (370), a plurality of second chucking link parts (380), and a plurality of cover restraint parts (390).
척킹 베이스(351)는 회전척부(320)에 설치된다. 척킹 회전부(355)는 척킹 베이스(351)를 회전시키도록 척킹 베이스(351)에 연결된다. 복수의 제1척킹 링크부(360)는 척킹 베이스(351)에 방사상으로 각각 연결되고, 척킹 베이스(351)의 회전시 이동된다. 복수의 웨이퍼 구속부(370)는 제1척킹 링크부(360)의 이동시 웨이퍼부(10)의 리테이너링부(13)를 진공척부(330)에 고정시키도록 제1척킹 링크부(360)에 각각 연결된다. 척킹 베이스(351)는 회전척부(320)와 동심을 이루도록 설치된다. 척킹 베이스(351), 척킹 회전부(355), 제1척킹 링크부(360)는 회전척부(320)의 내부에 배치되고, 웨이퍼 구속부(370)는 회전척부(320)와 진공척부(330)의 둘레에 배치된다.The chucking base (351) is installed on the rotary chuck unit (320). The chucking rotary unit (355) is connected to the chucking base (351) to rotate the chucking base (351). A plurality of first chucking link units (360) are each radially connected to the chucking base (351) and move when the chucking base (351) rotates. A plurality of wafer restraint units (370) are each connected to the first chucking link units (360) to fix the retaining unit (13) of the wafer unit (10) to the vacuum chuck unit (330) when the first chucking link unit (360) moves. The chucking base (351) is installed to be concentric with the rotary chuck unit (320). The chucking base (351), the chucking rotation part (355), and the first chucking link part (360) are arranged inside the rotation chuck part (320), and the wafer restraint part (370) is arranged around the rotation chuck part (320) and the vacuum chuck part (330).
척킹 회전부(355)가 구동되면, 척킹 베이스(351)가 일정 각도 회전됨에 따라 복수의 제1척킹 링크부(360)가 척킹 베이스(351)의 반경방향으로 이동된다. 복수의 제1척킹 링크부(360)가 동시에 이동됨에 따라 복수의 웨이퍼 구속부(370)가 웨이퍼부(10)의 리테이너링부(13)를 제1진공척(331)의 둘레부에 압착 고정시킨다.When the chucking rotation part (355) is driven, the chucking base (351) rotates at a certain angle, and thus a plurality of first chucking link parts (360) move in the radial direction of the chucking base (351). As the plurality of first chucking link parts (360) move simultaneously, a plurality of wafer restraint parts (370) press and fix the retaining part (13) of the wafer part (10) to the periphery of the first vacuum chuck (331).
척킹 베이스(351)는 베이스 바디부(352), 복수의 가이드부(353) 및 베이스 기어부(354)를 포함한다.The chucking base (351) includes a base body portion (352), a plurality of guide portions (353) and a base gear portion (354).
베이스 바디부(352)는 회전척부(320)의 회전축(311)과 동심을 이루도록 환형으로 형성된다. 베이스 바디부(352)는 회전척부(320)의 내부에 배치된다. 복수의 가이드부(353)는 제1척킹 링크부(360)가 이동 가능하게 결합되도록 베이스 바디부(352)에 형성된다. 복수의 가이드부(353)의 개수는 제1척킹 링크부(360) 개수의 2배 형성되고, 베이스 바디부(352)의 원주방향을 따라 등간격으로 형성된다. 제1척킹 링크부(360)는 복수의 가이드부(353)에 하나 걸러 하나씩 결합된다. 베이스 기어부(354)는 베이스 바디부(352)에 형성되고, 척킹 회전부(355)에 연결된다. 베이스 기어부(354)는 베이스 바디부(352)의 내주면에 원호 형태로 배치된다. 척킹 회전부(355)가 구동됨에 따라 베이스 기어부(354)가 회전되고, 베이스 바디부(352)가 베이스 기어부(354)와 함께 회전됨에 따라 제1척킹 링크부(360)가 베이스 바디부(352)의 반경방향으로 이동된다.The base body part (352) is formed in an annular shape to be concentric with the rotation axis (311) of the rotary chuck part (320). The base body part (352) is arranged inside the rotary chuck part (320). A plurality of guide parts (353) are formed in the base body part (352) so that the first chucking link part (360) can be movably coupled. The number of the plurality of guide parts (353) is formed twice the number of the first chucking link parts (360), and are formed at equal intervals along the circumference of the base body part (352). The first chucking link part (360) is coupled to the plurality of guide parts (353) one by one. The base gear part (354) is formed in the base body part (352) and is connected to the chucking rotation part (355). The base gear part (354) is arranged in an arc shape on the inner circumference of the base body part (352). As the chucking rotation part (355) is driven, the base gear part (354) rotates, and as the base body part (352) rotates together with the base gear part (354), the first chucking link part (360) moves in the radial direction of the base body part (352).
가이드부(353)는 베이스 바디부(352)의 반경에 대하여 경사지게 형성된다. 가이드부(353)는 가이드홀부일 수 있다. 가이드부(353)는 가이드홈이나 가이드 돌기부일 수 있다. 가이드부(353)가 베이스 바디부(352)의 반경에 대하여 경사지게 형성되므로, 베이스 바디부(352)가 일정 각도 회전됨에 따라 제1척킹 링크부(360)가 베이스 바디부(352)의 반경방향으로 직선 운동하게 된다.The guide portion (353) is formed to be inclined with respect to the radius of the base body portion (352). The guide portion (353) may be a guide hole portion. The guide portion (353) may be a guide groove or a guide protrusion portion. Since the guide portion (353) is formed to be inclined with respect to the radius of the base body portion (352), as the base body portion (352) is rotated at a certain angle, the first chucking link portion (360) moves linearly in the radial direction of the base body portion (352).
제1척킹 링크부(360)는 제1가이드 슬라이더(361), 제1링크부재(362) 및 제1링크 기어부(363)를 포함한다. 제1가이드 슬라이더(361)는 가이드부(353)에 이동 가능하게 결합된다. 제1링크부재(362)는 제1가이드 슬라이더(361)에 연결되고, 제1가이드 슬라이더(361)의 이동시 베이스 바디부(352)의 반경방향을 따라 직선 이동된다. 제1링크부재(362)는 직선바 형태로 형성된다. 제1링크 기어부(363)는 웨이퍼 구속부(370)에 맞물려 이동되도록 제1링크부재(362)에 형성된다. 제1링크 기어부(363)는 제1링크부재(362)의 길이방향과 나란한 랙기어 형태로 형성된다.The first chucking link part (360) includes a first guide slider (361), a first link member (362), and a first link gear part (363). The first guide slider (361) is movably coupled to the guide member (353). The first link member (362) is connected to the first guide slider (361), and moves linearly along the radial direction of the base body part (352) when the first guide slider (361) moves. The first link member (362) is formed in the shape of a straight bar. The first link gear part (363) is formed on the first link member (362) so as to move while engaging with the wafer restraint part (370). The first link gear part (363) is formed in the shape of a rack gear parallel to the longitudinal direction of the first link member (362).
제1척킹 링크부(360)는 제1링크부재(362)가 직선 이동 가능하게 결합되는 제1가이드 블록(364)을 더 포함한다. 제1가이드 블록(364)은 베이스 바디부(352)의 회전시 제1링크부재(362)가 베이스 바디부(352)의 원주방향으로 회전되는 것을 방지한다. 따라서, 베이스 바디부(352)의 회전시 제1가이드 슬라이더(361)가 가이드부(353)를 따라 이동되면, 제1링크부재(362)가 회전되지 않고 직선 이동될 수 있다.The first chucking link portion (360) further includes a first guide block (364) to which the first link member (362) is coupled so as to be able to move linearly. The first guide block (364) prevents the first link member (362) from rotating in the circumferential direction of the base body portion (352) when the base body portion (352) rotates. Therefore, when the first guide slider (361) moves along the guide portion (353) when the base body portion (352) rotates, the first link member (362) can move linearly without rotating.
웨이퍼 구속부(370)는 그리퍼 링크부(173)의 이동시 웨이퍼부(10)의 리테이너링부(13)를 가압 및 해제하도록 회전되는 가압 그리퍼부(175)를 포함한다. 가압 그리퍼부(175)는 웨이퍼부(10)의 리테이너링부(13)를 원주방향을 따라 가압 고정시키도록 원호 형태로 형성된다.The wafer restraint unit (370) includes a pressure gripper unit (175) that rotates to pressurize and release the retaining unit (13) of the wafer unit (10) when the gripper link unit (173) moves. The pressure gripper unit (175) is formed in an arc shape to pressurize and fix the retaining unit (13) of the wafer unit (10) along the circumferential direction.
복수의 제2척킹 링크부(380)는 척킹 베이스(351)에 방사상으로 연결되고, 척킹 베이스(351)의 회전시 이동된다. 복수의 커버 구속부(390)는 제2척킹 링크부(380)의 이동시 링커버부(201)를 회전척부(320)에 고정시키도록 제2척킹 링크부(380)에 연결된다. 척킹 회전부(355)가 구동됨에 따라 베이스 기어부(354)가 회전되고, 베이스 바디부(352)가 베이스 기어부(354)와 함께 회전됨에 따라 제2척킹 링크부(380)가 베이스 바디부(352)의 반경방향으로 이동된다. 이때, 척킹 베이스(351)의 베이스 바디부(352)의 회전시 복수의 제1척킹 링크부(360)와 복수의 제2척킹 링크부(380)가 동시에 이동된다. 제1척킹 링크부(360)가 이동됨에 따라 웨이퍼부(10)의 리테이너링부(13)가 진공척부(330)에 고정되고, 제2척킹 링크부(380)가 이동됨에 따라 링커버부(201)가 회전척부(320)에 고정된다. 따라서, 하나의 척킹 베이스(351)와 하나의 척킹 회전부(355)를 이용하여 웨이퍼부(10)와 링커버부(201)를 진공척부(330)와 회전척부(320)에 동시에 고정시키므로, 척테이블장치(300)의 구조를 간단하게 할 수 있다.A plurality of second chucking link parts (380) are radially connected to the chucking base (351) and move when the chucking base (351) rotates. A plurality of cover restraint parts (390) are connected to the second chucking link parts (380) to fix the ring cover part (201) to the rotary chuck part (320) when the second chucking link parts (380) move. As the chucking rotation part (355) is driven, the base gear part (354) rotates, and as the base body part (352) rotates together with the base gear part (354), the second chucking link parts (380) move in the radial direction of the base body part (352). At this time, when the base body part (352) of the chucking base (351) rotates, the plurality of first chucking link parts (360) and the plurality of second chucking link parts (380) move simultaneously. As the first chucking link part (360) moves, the retaining part (13) of the wafer part (10) is fixed to the vacuum chuck part (330), and as the second chucking link part (380) moves, the ring cover part (201) is fixed to the rotary chuck part (320). Therefore, since the wafer part (10) and the ring cover part (201) are simultaneously fixed to the vacuum chuck part (330) and the rotary chuck part (320) using one chucking base (351) and one chucking rotation part (355), the structure of the chuck table device (300) can be simplified.
제2척킹 링크부(380)는 제2가이드 슬라이더(381) 및 제2링크부재(382)를 포함한다.The second chucking link part (380) includes a second guide slider (381) and a second link member (382).
제2가이드 슬라이더(381)는 가이드부(353)에 이동 가능하게 결합된다. 제2링크부재(382)는 제2가이드 슬라이더(381)에 연결되고, 제2가이드 슬라이더(381)의 이동시 베이스 바디부(352)의 반경방향을 따라 직선 이동된다. 제2링크 기어부(392)는 커버 구속부(390)에 맞물려 이동되도록 제2링크부재(382)에 형성된다. 제2링크부재(382)는 직선바 형태로 형성된다. 제2링크 기어부(392)는 제2링크부재(382)의 길이방향에 나란한 랙기어 형태로 형성된다.The second guide slider (381) is movably connected to the guide portion (353). The second link member (382) is connected to the second guide slider (381) and moves linearly along the radial direction of the base body portion (352) when the second guide slider (381) moves. The second link gear portion (392) is formed on the second link member (382) so as to move while engaging with the cover restraint portion (390). The second link member (382) is formed in the shape of a straight bar. The second link gear portion (392) is formed in the shape of a rack gear parallel to the longitudinal direction of the second link member (382).
제2척킹 링크부(380)는 제2링크부재(382)가 직선 이동 가능하게 결합되는 제2가이드 블록(384)을 더 포함한다. 제2가이드 블록(384)은 베이스 바디부(352)의 회전시 제2척킹 링크부(380)가 베이스 바디부(352)의 원주방향으로 회전되는 것을 방지한다. 따라서, 베이스 바디부(352)의 회전시 제2가이드 슬라이더(381)가 가이드부(353)를 따라 이동되면, 제2링크부재(382)가 회전되지 않고 직선 이동될 수 있다.The second chucking link part (380) further includes a second guide block (384) to which the second link member (382) is coupled so as to be able to move linearly. The second guide block (384) prevents the second chucking link part (380) from rotating in the circumferential direction of the base body part (352) when the base body part (352) rotates. Therefore, when the second guide slider (381) moves along the guide part (353) when the base body part (352) rotates, the second link member (382) can move linearly without rotating.
커버 구속부(390)는 제2척킹 링크부(380)의 이동시 링커버부(201)의 구속턱부(미도시)를 회전척부(320)에 고정시키도록 제2척킹 링크부(380)에 연결된다.The cover restraint (390) is connected to the second chucking link (380) so as to fix the restraint jaw (not shown) of the ring cover (201) to the rotary chuck (320) when the second chucking link (380) moves.
상기와 같이, 척테이블장치(300)는 웨이퍼부(10)의 리테이너링부(13)를 구속하는 웨이퍼 구속부(370)와, 링커버부(201)를 구속하는 커버 구속부(390)와, 웨이퍼부(10)를 반경방향으로 잡아당기도록 진공척부(330)를 이동시키는 이동모듈(325)을 포함한다. 따라서, 웨이퍼 구속부(370)가 진공척부(330)에 웨이퍼부(10)의 리테이너링부(13)를 구속하고, 진공척부(330)를 이동시켜 웨이퍼부(10)의 다이(11) 사이의 간격을 벌어지게 한 상태에서 웨이퍼부(10)를 처리하는 웨이퍼 익스팬딩 공정(wafer expanding process)이 가능하다. 또한, 커버 구속부(390)가 진공척부(330)의 상측에 링커버부(201)를 구속한 상태에서 웨이퍼부(10)를 처리하는 디본딩 크리닝 공정(debonding cleaning process)이 가능하다.As described above, the chuck table device (300) includes a wafer restraint unit (370) that restrains the retaining unit (13) of the wafer unit (10), a cover restraint unit (390) that restrains the ring cover unit (201), and a moving module (325) that moves the vacuum chuck unit (330) to pull the wafer unit (10) in the radial direction. Therefore, a wafer expanding process is possible in which the wafer unit (10) is processed in a state in which the wafer restraint unit (370) restrains the retaining unit (13) of the wafer unit (10) to the vacuum chuck unit (330) and the vacuum chuck unit (330) is moved to widen the gap between the dies (11) of the wafer unit (10). In addition, a debonding cleaning process is possible in which the wafer portion (10) is processed while the cover restraint portion (390) restrains the ring cover portion (201) on the upper side of the vacuum chuck portion (330).
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 처리액 분사장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 처리액 분사장치에서 분사암모듈을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 처리액 분사장치에서 분사암모듈의 제1분사노즐부를 개략적으로 도시한 확대도이고, 도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 처리액 분사장치에서 분사흡입암모듈의 제2분사노즐부와 제2흡입노즐부를 개략적으로 도시한 확대도이다.FIG. 18 is a plan view schematically illustrating a treatment liquid injection device of a substrate treatment device according to an embodiment of the present invention, FIG. 19 is a perspective view schematically illustrating a spray arm module in a treatment liquid injection device of a substrate treatment device according to an embodiment of the present invention, FIG. 20 is an enlarged view schematically illustrating a first spray nozzle part of a spray arm module in a treatment liquid injection device of a substrate treatment device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 21 is an enlarged view schematically illustrating a second spray nozzle part and a second suction nozzle part of a spray suction arm module in a treatment liquid injection device of a substrate treatment device according to an embodiment of the present invention.
도 18 내지 도 21을 참조하면, 처리액 분사장치(400)는 척테이블장치(300)의 외측에 설치된다. 처리액 분사장치(400)는 암구동부(402) 및 분사암모듈(410) 및 분사흡입암모듈(420)를 포함한다. Referring to FIGS. 18 to 21, the treatment liquid injection device (400) is installed on the outside of the chuck table device (300). The treatment liquid injection device (400) includes a female driving unit (402), an injection arm module (410), and an injection suction arm module (420).
분사암모듈(410)은 암구동부(402)에 연결된다. 분사암모듈(410)은 암구동부(402)에 의해 척테이블장치(300)의 상하방향으로 이동되고, 척테이블장치(300)의 외측에서 내측으로 회전 가능하게 설치된다.The injection arm module (410) is connected to the female driving unit (402). The injection arm module (410) is moved up and down on the chuck table device (300) by the female driving unit (402) and is installed so as to be rotatable from the outside to the inside of the chuck table device (300).
분사암모듈(410)은 제1분사암부(411)와 제1분사노즐부(413)를 포함한다. 제1분사암부(411)는 웨이퍼부(10)의 직경방향 절반 정도의 상측에 배치된다. 제1분사노즐부는 복수의 처리액 공급관부(미도시)에 연결되는 하나 이상의 제1분사노즐(414,415)을 포함한다. 제1분사노즐(414,415)은 복수의 화학물질과 같은 세정액을 분사하여 웨이버부(10)를 화학처리할 수 있다.The spray arm module (410) includes a first spray arm section (411) and a first spray nozzle section (413). The first spray arm section (411) is positioned approximately halfway up the diameter of the wafer section (10). The first spray nozzle section includes one or more first spray nozzles (414, 415) connected to a plurality of treatment liquid supply pipe sections (not shown). The first spray nozzles (414, 415) can spray a cleaning liquid such as a plurality of chemicals to chemically treat the wafer section (10).
제1분사노즐(414,415)의 개수는 처리액 분사장치(400)의 형태나 웨이퍼부(10)의 처리 방식에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 웨이퍼부(10)의 처리 방식은 웨이퍼부(10)의 식각 방식 또는 세정 방식 등을 포함한다.The number of first injection nozzles (414, 415) can be varied depending on the shape of the treatment liquid injection device (400) or the treatment method of the wafer portion (10). The treatment method of the wafer portion (10) includes an etching method or a cleaning method of the wafer portion (10).
분사흡임암모듈(420)은 암구동부(402)에 연결된다. 분사흡입암모듈(420)은 암구동부(402)에 의해 척테이블장치(300)의 상하방향으로 이동되고, 척테이블장치(300)의 외측에서 내측으로 회전 가능하게 설치된다.The injection suction arm module (420) is connected to the female driving unit (402). The injection suction arm module (420) is moved up and down the chuck table device (300) by the female driving unit (402) and is installed so as to be rotatable from the outside to the inside of the chuck table device (300).
분사흡입모듈(420)은 제2분사암부(421), 제2분사노즐부(423) 및 제2흡입노즐부(426)를 포함한다. 제2분사암부(421)는 웨이퍼부(10)의 직경방향 절반 정도의 상측에 배치된다. 제2분사노즐부(423)는 제2분사노즐(424) 및 제3분사노즐(425)를 포함한다. 제2흡입노즐부(426)는 척테이블장치(300)에 수용된 처리액과, 슬러지와 파티클 등과 같은 이물질을 흡입하도록 처리액에 침지된다. 또한, 제2분사노즐부(423)는 처리액을 척테이블장치(300)에 안착된 웨이퍼부(10)에 분사하도록 처리액에서 일정 높이 이격되게 배치된다. 제2분사노즐(424)은 순수수와 질소가 혼합된 세정액을 웨이퍼부(10)에 분사한다. 제3분사노즐(425)은 신나와 같은 처리액을 웨이퍼부(10)에 분사한다. 제2분사노즐(424)와 제3분사노즐(425) 중 하나에서 처리액을 분사하여 웨이퍼부(10)을 처리할 때에 제2흡입노즐부(426)는 처리액에 부유하는 슬러지와 파티클과 같은 이물질을 흡입한다.The injection suction module (420) includes a second injection arm (421), a second injection nozzle unit (423), and a second suction nozzle unit (426). The second injection arm unit (421) is positioned at about half the upper side of the wafer unit (10) in the diameter direction. The second injection nozzle unit (423) includes a second injection nozzle (424) and a third injection nozzle (425). The second suction nozzle unit (426) is immersed in the treatment liquid so as to suck up the treatment liquid contained in the chuck table device (300) and foreign substances such as sludge and particles. In addition, the second injection nozzle unit (423) is positioned at a certain height apart from the treatment liquid so as to spray the treatment liquid onto the wafer unit (10) mounted on the chuck table device (300). The second injection nozzle (424) sprays a cleaning solution mixed with pure water and nitrogen onto the wafer portion (10). The third injection nozzle (425) sprays a treatment solution, such as thinner, onto the wafer portion (10). When the wafer portion (10) is treated by spraying the treatment solution from either the second injection nozzle (424) or the third injection nozzle (425), the second suction nozzle portion (426) sucks up foreign substances, such as sludge and particles, floating in the treatment solution.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 처리액 분사장치에서 분사흡입암모듈의 제2흡입노즐부에 연결되는 흡입탱크부를 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 22 is a schematic drawing of a suction tank unit connected to a second suction nozzle unit of a spray suction arm module in a treatment liquid spray device of a substrate treatment device according to one embodiment of the present invention.
도 22를 참조하면, 분사흡입모듈(420)의 제2흡입노즐부(426)에서 흡입된 슬러지는 유동라인부(430)를 통해 흡입탱크부(440)에 배출된다. Referring to Fig. 22, sludge sucked from the second suction nozzle section (426) of the injection suction module (420) is discharged to the suction tank section (440) through the flow line section (430).
유동라인부(430)는 이물질과 처리액이 유동되도록 제2흡입노즐부(426)에 연결된다. 유동라인부(430)에 흡입압력이 발생되면, 제2흡입노즐부(426)는 처리액의 상측에서 부유하는 이물질을 흡입한다. 제2흡입노즐부(426)에 흡입된 이물질과 처리액은 유동라인부(430)에서 유동된다.The fluid line section (430) is connected to the second suction nozzle section (426) so that foreign substances and the treatment liquid flow. When suction pressure is generated in the fluid line section (430), the second suction nozzle section (426) sucks in foreign substances floating on the upper side of the treatment liquid. The foreign substances and the treatment liquid sucked into the second suction nozzle section (426) flow in the fluid line section (430).
흡입탱크부(440)는 이물질과 처리액이 유입되도록 유동라인부(430)에 연결된다. 흡입탱크부(440)의 내부에는 이물질과 처리액이 흡입되도록 대기압보다 낮은 음압이 형성된다.The suction tank section (440) is connected to the flow line section (430) so that foreign substances and treatment liquid can be introduced. A negative pressure lower than atmospheric pressure is formed inside the suction tank section (440) so that foreign substances and treatment liquid can be sucked in.
이젝터부(450)는 제2흡입노즐부(426)와 유동라인부(430)에 흡입압력을 형성하도록 유동라인부(430)에 설치된다. 이젝터부(450)가 유동라인부(430)에 설치되므로, 제2흡입노즐부(426)에 이젝터부(450)가 설치되는 구조에 비해 제2흡입노즐부(426)를 확관시킬 수 있다. 또한, 이젝터부(450)의 크기를 증가시킬 수 있다. 따라서, 제2흡입노즐부(426)와 이젝터부(450)가 이물질에 의해 막히는 것을 방지할 수 있다. The ejector part (450) is installed in the flow line part (430) to form suction pressure in the second suction nozzle part (426) and the flow line part (430). Since the ejector part (450) is installed in the flow line part (430), the second suction nozzle part (426) can be expanded compared to a structure in which the ejector part (450) is installed in the second suction nozzle part (426). In addition, the size of the ejector part (450) can be increased. Therefore, the second suction nozzle part (426) and the ejector part (450) can be prevented from being clogged by foreign substances.
이젝터부(450)는 웨이퍼부(10) 처리 공정이 종료된 후 기 설정된 시간 동안 구동될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼부(10) 처리 공정이 종료된 후 이젝터부(450)가 대략 3-5분 정도 구동된다. 따라서, 제2흡입노즐부(426)와 유동라인부(430)에 잔류하는 이물질과 처리액이 흡입탱크부(440)에 완전히 배출되므로, 제2흡입노즐부(426)에서 처리액이 떨어져 웨이퍼부(10)를 재오염시키는 것을 방지할 수 있다. The ejector unit (450) can be driven for a preset period of time after the wafer unit (10) processing process is completed. For example, the ejector unit (450) is driven for approximately 3-5 minutes after the wafer unit (10) processing process is completed. Accordingly, foreign substances and processing liquid remaining in the second suction nozzle unit (426) and the flow line unit (430) are completely discharged to the suction tank unit (440), thereby preventing the processing liquid from falling from the second suction nozzle unit (426) and re-contaminating the wafer unit (10).
이젝터부(450)는 이젝터 바디부(451)와 가스공급부(453)를 포함한다. 이젝터 바디부(451)에는 유동라인부(430)에 흡입되는 이물질과 처리액이 유입된다. 가스공급부(453)는 이젝터 바디부(451)에 가스를 공급하도록 이젝터 바디부(451)에 연결된다. 가스로는 폭발성이나 처리액에 화학적으로 결합되는 것을 방지하는 수소가스를 제시하다. 가스공급부(453)가 이젝터 바디부(451)에 가스를 공급하므로, 이젝터 바디부(451)의 내부에 대기압보나 낮은 흡입압력이 발생된다. 또한, 이젝터 바디부(451)의 가스가 흡입탱크부(440)에 유입된 후 배기되므로, 흡입탱크부(440)의 내부에 음압이 형성된다.The ejector unit (450) includes an ejector body unit (451) and a gas supply unit (453). Foreign substances and a treatment liquid that are sucked into the flow line unit (430) are introduced into the ejector body unit (451). The gas supply unit (453) is connected to the ejector body unit (451) to supply gas to the ejector body unit (451). As the gas, hydrogen gas is suggested to prevent explosion or chemical bonding with the treatment liquid. Since the gas supply unit (453) supplies gas to the ejector body unit (451), a suction pressure lower than atmospheric pressure is generated inside the ejector body unit (451). In addition, since the gas of the ejector body unit (451) is introduced into the suction tank unit (440) and then exhausted, a negative pressure is formed inside the suction tank unit (440).
흡입탱크부(440)는 흡입탱크 바디부(441), 필터부(444) 및 드레인부(446)를 포함한다.The suction tank section (440) includes a suction tank body section (441), a filter section (444), and a drain section (446).
흡입탱크 바디부(441)는 유동라인부(430)에 연결된다. 흡입탱크 바디부(441)에는 유동라인부(430)에서 유동되는 처리액, 이물질 및 가스가 유입된다. 가스가 배출라인부(467)를 통해 배출됨에 따라 흡입탱크 바디부(441)에는 대기압보다 낮은 음압이 형성된다. 흡입탱크 바디부(441)의 바닥면은 처리액이 모아지도록 중심부 측으로 경사지게 형성된다.The suction tank body (441) is connected to the flow line (430). The treatment liquid, foreign substances, and gas flowing from the flow line (430) are introduced into the suction tank body (441). As the gas is discharged through the discharge line (467), a negative pressure lower than the atmospheric pressure is formed in the suction tank body (441). The bottom surface of the suction tank body (441) is formed to be inclined toward the center so that the treatment liquid is collected.
흡입탱크 바디부(441)의 상측에는 외부에서 흡입탱크 내부를 볼 수 있도록 윈도우부(443)가 설치된다. 따라서, 작업자가 윈도우부(443)를 보고 흡입탱크 바디부(441)의 내부 상태를 점검할 수 있다.A window (443) is installed on the upper side of the suction tank body (441) so that the inside of the suction tank can be viewed from the outside. Accordingly, a worker can inspect the internal condition of the suction tank body (441) by looking at the window (443).
필터부(444)는 유동라인부(430)에서 배출되는 이물질이 여과되도록 흡입탱크 바디부(441)의 내부에 배치된다. 필터부(444)는 서포터부(445)에 의해 지지된다. The filter unit (444) is placed inside the suction tank body unit (441) so that foreign substances discharged from the flow line unit (430) are filtered. The filter unit (444) is supported by the support unit (445).
필터부(444)는 유동라인부(430)와 드레인부(446) 사이에 적층되는 복수의 필터(444a)를 포함하고, 복수의 필터(444a)는 드레인부(446) 측으로 갈수록 작은 메쉬를 갖는다. 따라서, 상측의 필터(444a)에는 입자가 큰 이물질이 여과되고, 하측의 필터(444a)에는 입자가 작은 이물질이 여과된다. 복수의 필터(444a)는 서포터부(445)에 분리 가능하게 설치된다. 따라서, 필터(444a)가 막히는 경우 서포터부(445)에서 필터(444a)를 분리한 후 필터(444a)를 세척하고, 세척된 필터(444a)를 다시 서포터부(445)에 설치할 수 있다.The filter section (444) includes a plurality of filters (444a) that are stacked between the flow line section (430) and the drain section (446), and the plurality of filters (444a) have meshes that become smaller as they go toward the drain section (446). Therefore, foreign substances with larger particles are filtered in the upper filter (444a), and foreign substances with smaller particles are filtered in the lower filter (444a). The plurality of filters (444a) are detachably installed in the support section (445). Therefore, when the filter (444a) is clogged, the filter (444a) can be separated from the support section (445), the filter (444a) can be washed, and the washed filter (444a) can be installed again in the support section (445).
드레인부(446)는 필터부(444)에서 여과된 처리액이 배출되도록 흡입탱크 바디부(441)에 연결된다. 드레인부(446)는 흡입탱크 바디부(441)의 바닥면부(442)에서 가장 낮은 부분에 연결된다. 드레인부(446)는 처리액 회수부(미도시)나 척테이블장치(300)에 연결될 수 있다. 드레인부(446)가 흡입탱크 바디부(441)의 바닥면부(442)에서 가장 낮은 부분에 연결되므로, 흡입탱크 바디부(441)의 내부에 처리액이 잔존하는 것을 방지할 수 있다. The drain unit (446) is connected to the suction tank body (441) so that the treatment liquid filtered in the filter unit (444) is discharged. The drain unit (446) is connected to the lowest part of the bottom surface (442) of the suction tank body (441). The drain unit (446) may be connected to a treatment liquid recovery unit (not shown) or a chuck table device (300). Since the drain unit (446) is connected to the lowest part of the bottom surface (442) of the suction tank body (441), it is possible to prevent the treatment liquid from remaining inside the suction tank body (441).
기판처리장치(1)는 흡입탱크 바디부(441)와 드레인부(446)에 연결되는 오버플로우 라인부(461)를 더 포함한다. 오버플로우 라인부(461)는 흡입탱크부(440)에서 필터부(444)의 상측에 연결된다. 필터부(444)가 이물질에 의해 막히는 경우, 흡입탱크 바디부(441)의 상측으로 처리액이 오버플로우될 수 있다. 이때, 오버플로우되는 처리액은 오버플로우 라인부(461)를 통해 드레인부(446)에 배출된다.The substrate treatment device (1) further includes an overflow line (461) connected to the suction tank body (441) and the drain section (446). The overflow line section (461) is connected to the upper side of the filter section (444) in the suction tank section (440). If the filter section (444) is clogged by foreign substances, the treatment liquid may overflow to the upper side of the suction tank body section (441). At this time, the overflowed treatment liquid is discharged to the drain section (446) through the overflow line section (461).
기판처리장치(1)는 흡입탱크 바디부(441)의 처리액이 오버플로우 라인부(461)에 유입되는 것을 감지하는 오버플로우 감지부(463)를 더 포함한다. 오버플로우 감지부(463)는 처리액의 수위를 감지하는 수위감지센서일 수 있다. 오버플로우 감지부(463)에서 처리액이 오버플로우되는 것을 감지하면, 오버플로우 감지부(463)는 제어부(470)에 신호를 전송한다. 제어부(470)는 알람을 발생하도록 알람부(465)를 제어하고, 제2분사노즐부(423)에서 처리액이 공급되는 것을 중단시키도록 제어한다. 작업자는 흡입탱크 바디부(441)를 개방시킨 후 필터부(444)를 교체하거나 세척한다.The substrate treatment device (1) further includes an overflow detection unit (463) that detects that the treatment liquid of the suction tank body (441) flows into the overflow line unit (461). The overflow detection unit (463) may be a level detection sensor that detects the level of the treatment liquid. When the overflow detection unit (463) detects that the treatment liquid overflows, the overflow detection unit (463) transmits a signal to the control unit (470). The control unit (470) controls the alarm unit (465) to generate an alarm and controls the supply of the treatment liquid from the second injection nozzle unit (423) to be stopped. The operator opens the suction tank body unit (441) and then replaces or cleans the filter unit (444).
기판처리장치(1)는 흡입탱크부(440) 내부의 처리액흄(fume)과 가스를 배출시키도록 흡입탱크부(440)에 연결되는 배출라인부(467)를 더 포함한다. 배출라인부(467)는 회수장치(미도시)에 연결될 수 있다. 처리액이 증발함에 따라 처리액흄이 발생되고, 처리액흄과 기체가 배출라인부(467)를 통해 배출되므로, 흡입탱크부(440)의 내부에 음압이 형성된다. 따라서, 유동라인부(430)의 처리액, 이물질 및 가스가 흡입탱크부(440)의 내부로 빨려 들어간다.The substrate treatment device (1) further includes a discharge line section (467) connected to the suction tank section (440) to discharge the treatment liquid fume and gas inside the suction tank section (440). The discharge line section (467) may be connected to a recovery device (not shown). As the treatment liquid evaporates, treatment liquid fume is generated, and the treatment liquid fume and gas are discharged through the discharge line section (467), so that a negative pressure is formed inside the suction tank section (440). Accordingly, the treatment liquid, foreign substances, and gas in the flow line section (430) are sucked into the inside of the suction tank section (440).
상기와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 기판처리방법에 관해 설명하기로 한다.A substrate processing method of a substrate processing device according to one embodiment of the present invention configured as described above will be described.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 24는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법을 개략적으로 도시한 플로우차트이다.FIG. 23 is a drawing schematically illustrating a substrate processing method according to one embodiment of the present invention, and FIG. 24 is a flowchart schematically illustrating a substrate processing method according to one embodiment of the present invention.
도 23 및 도 24를 참조하면, 웨이퍼부(10)가 척테이블(320,330)에 안착된다(도 23(a) 참조)(S11). 이때, 트랜스퍼장치(100)가 제2이송모듈(60)에서 전달되는 웨이퍼부(10)를 잡고, 트랜스퍼장치(100)가 하강됨에 따라 웨이퍼부(10)를 척테이블(320,330)에 안착시킨다.Referring to FIGS. 23 and 24, the wafer portion (10) is placed on the chuck table (320, 330) (see FIG. 23(a)) (S11). At this time, the transfer device (100) holds the wafer portion (10) transferred from the second transfer module (60), and as the transfer device (100) is lowered, the wafer portion (10) is placed on the chuck table (320, 330).
승강부(120)가 구동됨에 따라 트랜스퍼부(130)가 상승되고, 그리퍼부(140)가 트랜스퍼부(130)에서 인출된다. 이때, 제1랙기어부(145)는 트랜스퍼부(130)의 하우징부(131)에 고정되고, 제2랙기어부(146)는 피니언부(142)의 병진 및 회전에 의해 이동된다. 그리퍼 구동부(141)가 구동되면, 피니언부(142)가 제1랙기어부(145)를 따라 병진운동과 회전운동을 동시에 수행하므로, 제2랙기어부(146)는 피니언부(142)의 병진 거리와 회전운동에 의해 거리만큼 이동된다. 제2이송모듈(60)이 그리퍼부(140)의 핑거부(147)에 웨이퍼부(10)를 전달하면, 핑거부(147)가 진공 흡착력에 의해 웨이퍼부(10)를 진공흡착한다. As the lifting unit (120) is driven, the transfer unit (130) is raised, and the gripper unit (140) is withdrawn from the transfer unit (130). At this time, the first rack gear unit (145) is fixed to the housing unit (131) of the transfer unit (130), and the second rack gear unit (146) is moved by the translation and rotation of the pinion unit (142). When the gripper driving unit (141) is driven, the pinion unit (142) simultaneously performs translational and rotational motions along the first rack gear unit (145), so the second rack gear unit (146) is moved by a distance by the translational and rotational motions of the pinion unit (142). When the second transfer module (60) transfers the wafer portion (10) to the finger portion (147) of the gripper portion (140), the finger portion (147) vacuum-absorbs the wafer portion (10) by vacuum suction force.
이어, 승강부(120)가 구동됨에 따라 트랜스퍼부(130)가 하강되면, 핑거부(147)에 탑재된 웨이퍼부(10)가 척테이블(320,330)의 진공척부(330)에 안착된다. 전공척부(330)에 진공이 형성됨에 따라 웨이퍼부(10)가 진공척부(330)에 진공 흡착된다.Next, when the transfer unit (130) is lowered as the lifting unit (120) is driven, the wafer unit (10) mounted on the finger unit (147) is seated on the vacuum chuck unit (330) of the chuck table (320, 330). As a vacuum is formed in the electric chuck unit (330), the wafer unit (10) is vacuum-absorbed on the vacuum chuck unit (330).
또한, 도킹부(270)는 웨이퍼부(10)가 척테이블(320,330)에 결합 고정될 때에 틸팅장치(200)의 들림을 방지하도록 틸팅장치(200)의 피가압부(225)을 구속한다. In addition, the docking unit (270) restrains the pressure portion (225) of the tilting device (200) to prevent the tilting device (200) from being lifted when the wafer unit (10) is fixedly coupled to the chuck table (320, 330).
웨이퍼부(10)를 척테이블(320,330)에 구속하도록 링커버부(201)가 척테이블(320,330)에 로딩된다(S12). 이때, 링커버부(201)가 틸팅장치(200)의 파지유닛(240)에 구속되고, 틸팅장치(200)가 척테이블(320,330)의 상측에 링커버부(201)를 결합하고, 척테이블(320,330)의 척킹모듈(350)이 링커버부(201)를 구속하고, 틸팅장치(200)의 파지유닛(240)이 링커버부(201)의 구속을 해제하고, 틸팅장치(200)가 척테이블(320,330)의 외측으로 이동된다.The ring cover part (201) is loaded onto the chuck table (320, 330) to restrain the wafer part (10) to the chuck table (320, 330) (S12). At this time, the ring cover part (201) is restrained by the gripping unit (240) of the tilting device (200), the tilting device (200) couples the ring cover part (201) to the upper side of the chuck table (320, 330), the chucking module (350) of the chuck table (320, 330) restrains the ring cover part (201), the gripping unit (240) of the tilting device (200) releases the restraint of the ring cover part (201), and the tilting device (200) moves to the outside of the chuck table (320, 330).
링커버부(201)가 척테이블(320,330)에 로딩되는 단계를 상세히 설명하면 다음과 같다. 파지유닛(240)이 링커버부(201)를 파지한 상태로 수직하게 세워지는 대기 상태에 위치된다. 진공척부(330)에 웨이퍼부(10)가 안착되면, 틸팅 모터부(210)가 구동됨에 따라 틸팅유닛(220)과 파지유닛(240)이 수평하게 회전된다. 틸팅유닛(220)과 파지유닛(240)의 회전이 완료되면, 승강유닛(230)이 구동됨에 따라 파지유닛(240)이 틸팅유닛(220)의 하측으로 이동된다. 이때, 틸팅유닛(220)은 승강유닛(230)과 함께 하강되지 않고 수평 상태를 그대로 유지한다.The steps of loading the ring cover part (201) onto the chuck table (320, 330) are described in detail as follows. The gripping unit (240) is positioned in a standby state in which it is vertically erected while gripping the ring cover part (201). When the wafer part (10) is placed on the vacuum chuck part (330), the tilting motor part (210) is driven so that the tilting unit (220) and the gripping unit (240) rotate horizontally. When the rotation of the tilting unit (220) and the gripping unit (240) is completed, the lifting unit (230) is driven so that the gripping unit (240) moves to the lower side of the tilting unit (220). At this time, the tilting unit (220) does not descend together with the lifting unit (230) but maintains a horizontal state.
파지유닛(240)이 하강됨에 따라 링커버부(201)가 진공척부(330)에 결합된다. 이때, 링커버부(201)가 진공척부(330)의 척킹모듈(350)에 완전히 위치 고정(chucking)될 때까지 파지유닛(240)은 링커버부(201)를 진공척부(330)에 결합시킨 상태를 계속적으로 유지한다.As the gripping unit (240) descends, the ring cover part (201) is coupled to the vacuum chuck part (330). At this time, the gripping unit (240) continuously maintains the state in which the ring cover part (201) is coupled to the vacuum chuck part (330) until the ring cover part (201) is completely positioned (chucking) on the chucking module (350) of the vacuum chuck part (330).
진공척부(330)에서 링커버부(201)의 결합이 완료되면, 승강유닛(230)이 구동됨에 따라 파지유닛(240)이 상측으로 이동되어 틸팅유닛(220)의 하측에 접촉되거나 약간 이격된다. 파지유닛(240)이 상측으로 완전히 이동되면, 도킹부(270)가 틸팅장치(200)의 피가압부(225)을 구속을 해제한다. 그리고, 틸팅 모터부(210)가 구동됨에 따라 틸팅유닛(220)과 파지유닛(240)이 수직하거나 거의 수직하게 세워지는 대기 상태로 회전된다.When the coupling of the ring cover part (201) to the vacuum chuck part (330) is completed, the lifting unit (230) is driven so that the gripping unit (240) moves upward and comes into contact with or is slightly separated from the lower side of the tilting unit (220). When the gripping unit (240) is completely moved upward, the docking unit (270) releases the pressurized part (225) of the tilting device (200). Then, as the tilting motor part (210) is driven, the tilting unit (220) and the gripping unit (240) are rotated to a standby state in which they are erected vertically or nearly vertically.
분사흡입암모듈(420)이 웨이퍼부(10)에 처리액을 분사하여 웨이퍼부(10)를 처리한다(도 23(b) 참조)(S13). 이때, 분사흡입암모듈(420)이 웨이퍼부(10)의 상측으로 이동되고, 분사흡입암모듈(420)이 일정 각도 범위 내에서 스윙되면서 웨이퍼부(10)에 처리액을 분사한다. 웨이퍼부(10)에 처리액이 분사됨에 따라 웨이퍼부(10)가 화학적으로 처리된다. 또한, 척테이블(320,330)이 웨이퍼부(10)를 회전시킨다. 웨이퍼부(10)의 처리 공정이 완료되면, 분사흡입암모듈(420)에 처리액의 공급을 중단한다.The spray suction arm module (420) sprays the treatment liquid onto the wafer portion (10) to treat the wafer portion (10) (see FIG. 23(b)) (S13). At this time, the spray suction arm module (420) moves above the wafer portion (10), and the spray suction arm module (420) swings within a certain angle range to spray the treatment liquid onto the wafer portion (10). As the treatment liquid is sprayed onto the wafer portion (10), the wafer portion (10) is chemically treated. In addition, the chuck table (320, 330) rotates the wafer portion (10). When the treatment process of the wafer portion (10) is completed, the supply of the treatment liquid to the spray suction arm module (420) is stopped.
분사암모듈(410)이 웨이퍼부(10)에 세정액을 분사하여 웨이퍼부(10)를 중간 세정(1차 세정)한다(도 23(c) 참조)(S14). 이때, 분사흡입암모듈(420)이 웨이퍼부(10)의 외측으로 이동되고, 분사암모듈(410)이 웨이퍼부(10)의 상측으로 이동되며, 분사암모듈(410)이 일정 각도 범위 내에서 스윙되면서 웨이퍼부(10)에 세정액을 분사한다. 또한, 척테이블(320,330)이 웨이퍼부(10)를 회전시킨다. 세정액으로는 신나(thinner)를 제시한다. 중간 세정은 웨이퍼부(10)의 처리공정 중에 웨이퍼부(10)를 세정하는 것을 의미한다. 이러한 웨이퍼부(10)의 중간 세정은 링커버부(201)가 언로딩되기 이전에 수행되거나 생략될 수 있다.The spray arm module (410) sprays a cleaning solution onto the wafer portion (10) to perform an intermediate cleaning (primary cleaning) of the wafer portion (10) (see FIG. 23(c)) (S14). At this time, the spray suction arm module (420) moves to the outside of the wafer portion (10), the spray arm module (410) moves to the upper side of the wafer portion (10), and the spray arm module (410) swings within a certain angle range to spray the cleaning solution onto the wafer portion (10). In addition, the chuck table (320, 330) rotates the wafer portion (10). Thinner is suggested as the cleaning solution. Intermediate cleaning means cleaning the wafer portion (10) during the processing of the wafer portion (10). This intermediate cleaning of the wafer portion (10) may be performed before the ring cover portion (201) is unloaded or may be omitted.
척테이블(320,330)에서 웨이퍼부(10)를 1차 건조시킨다(도 23(d) 참조)(S15). 이때, 분사암모듈(410)이 척테이블(320,330)의 외측으로 이동되고, 척테이블(320,330)이 회전되면서 웨이퍼부(10)를 1차 건조시킨다. 척테이블(320,330)이 회전됨에 따라 웨이퍼부(10)에 부착되는 세정액이 원심력에 의해 반경방향으로 유동되면서 배출된다. 따라서, 웨이퍼부(10)의 1차 건조시간이 현저히 단축될 수 있다.The wafer portion (10) is first dried on the chuck table (320, 330) (see Fig. 23(d)) (S15). At this time, the spray arm module (410) is moved to the outside of the chuck table (320, 330), and the wafer portion (10) is first dried while the chuck table (320, 330) rotates. As the chuck table (320, 330) rotates, the cleaning liquid attached to the wafer portion (10) flows radially by centrifugal force and is discharged. Therefore, the first drying time of the wafer portion (10) can be significantly shortened.
또한, 링커버부(201)가 척테이블(320,330)에서 언로딩되기 이전에 링커버부(201)에 부착되거나 그 주변에 부착된 처리액이나 세정액 등을 깨끗하게 제거하고, 링커버부(201)의 언로딩시에 링커버부(201)에서 액 떨어짐을 방지할 수 있다.In addition, before the ring cover part (201) is unloaded from the chuck table (320, 330), the treatment liquid or cleaning liquid attached to or around the ring cover part (201) can be cleanly removed, and the liquid can be prevented from dripping from the ring cover part (201) when the ring cover part (201) is unloaded.
링커버부(201)가 척테이블(320,330)에서 언로딩된다(도 23(e) 참조)(S16). 이때, 틸팅장치(200)가 회전되어 링커버부(201)의 상측에 위치되고, 틸팅장치(200)의 파지유닛(240)이 링커버부(201)를 구속하고, 척테이블(320,330)의 척킹모듈(350)이 링커버부(201)의 구속을 해제하며, 틸팅장치(200)가 링커버부(201)를 회전시켜 척테이블(320,330)의 외측으로 이동시킨다.The ring cover part (201) is unloaded from the chuck table (320, 330) (see Fig. 23(e)) (S16). At this time, the tilting device (200) is rotated and positioned above the ring cover part (201), the gripping unit (240) of the tilting device (200) restrains the ring cover part (201), the chucking module (350) of the chuck table (320, 330) releases the restraint of the ring cover part (201), and the tilting device (200) rotates the ring cover part (201) to move it to the outside of the chuck table (320, 330).
링커버부(201)가 척테이블(320,330)에 언로딩되는 단계를 상세히 설명하면 다음과 같다. 파지유닛(240)이 수직하게 세워지는 대기 상태에 위치된다. 틸팅 모터부(210)가 구동됨에 따라 틸팅유닛(220)과 파지유닛(240)이 수평하게 회전된다. 도킹부(270)가 틸팅장치(200)의 피가압부(225)를 구속한다. 이어, 승강유닛(230)이 구동됨에 따라 파지유닛(240)이 틸팅유닛(220)의 하측으로 이동된다. 이때, 틸팅유닛(220)은 승강유닛(230)과 함께 하강되지 않고 수평 상태를 그대로 유지한다.The steps of unloading the ring cover part (201) onto the chuck table (320, 330) are described in detail as follows. The gripping unit (240) is positioned in a standby state in which it is vertically erected. As the tilting motor part (210) is driven, the tilting unit (220) and the gripping unit (240) are rotated horizontally. The docking part (270) restrains the pressurized part (225) of the tilting device (200). Then, as the lifting unit (230) is driven, the gripping unit (240) moves to the lower side of the tilting unit (220). At this time, the tilting unit (220) does not descend together with the lifting unit (230) but maintains a horizontal state.
파지유닛(240)이 하강된 후 파지유닛(240)이 구동됨에 따라 링커버부(201)을 구속한다. 또한, 척테이블(320,330)의 척킹모듈(350)이 구동됨에 따라 링커버부(201)가 척킹모듈(350)로부터 해제된다.After the gripping unit (240) is lowered, the ring cover part (201) is restrained as the gripping unit (240) is driven. In addition, as the chucking module (350) of the chucking table (320, 330) is driven, the ring cover part (201) is released from the chucking module (350).
링커버부(201)가 척킹모듈(350)로부터 해제되면, 승강유닛(230)이 구동됨에 따라 파지유닛(240)이 링커버부(201)와 함께 상측으로 이동되어 틸팅유닛(220)의 하측에 접촉되거나 약간 이격된다. 또한, 도킹부(270)가 틸팅장치(200)의 피가압부(225)을 구속을 해제한다.When the ring cover part (201) is released from the chucking module (350), the lifting unit (230) is driven so that the gripping unit (240) moves upward together with the ring cover part (201) and comes into contact with or is slightly separated from the lower side of the tilting unit (220). In addition, the docking unit (270) releases the pressurized part (225) of the tilting device (200) from its restraint.
도킹부(270)가 틸팅장치(200)의 피가압부(225)을 구속을 해제하면, 틸팅 모터부(210)가 구동됨에 따라 틸팅유닛(220)과 파지유닛(240)이 수직하거나 거의 수직하게 세워지는 대기 상태로 회전된다.When the docking unit (270) releases the pressure unit (225) of the tilting device (200), the tilting motor unit (210) is driven, and the tilting unit (220) and the gripping unit (240) are rotated to a standby state where they are erected vertically or nearly vertically.
한편, 분사암모듈(410)이 웨이퍼부(10)에 세정액을 분사하여 웨이퍼부(10)를 1차 세정한 이후에, 척테이블(320,330)에서 웨이퍼부(10)를 1차 건조시키지 않고 링커버부(201)를 척테이블(320,330)에서 언로딩할 수도 있다. Meanwhile, after the spray gun module (410) sprays the cleaning solution onto the wafer portion (10) to perform the first cleaning of the wafer portion (10), the ring cover portion (201) can be unloaded from the chuck table (320, 330) without first drying the wafer portion (10) on the chuck table (320, 330).
분사암모듈(410)이 웨이퍼부(10)에 세정액을 분사하여 웨이퍼부(10)를 2차 세정한다(도 23(f) 참조)(S17). 이때, 분사암모듈(410)이 웨이퍼부(10)의 상측으로 이동되고, 분사암모듈(410)이 일정 각도 범위 내에서 스윙되면서 웨이퍼부(10)에 세정액을 분사하여 웨이퍼부(10)를 2차 세정한다. 분사암모듈(410)에서 분사되는 세정액으로는 신나가 제시된다. 웨이퍼부(10)의 2차 세정이 완료되면, 분사암모듈(410)에 세정액 공급이 중단된다. The spray arm module (410) sprays a cleaning solution onto the wafer portion (10) to perform a secondary cleaning of the wafer portion (10) (see FIG. 23(f)) (S17). At this time, the spray arm module (410) moves upwards of the wafer portion (10), and the spray arm module (410) swings within a certain angle range to spray the cleaning solution onto the wafer portion (10) to perform a secondary cleaning of the wafer portion (10). Thinner is suggested as the cleaning solution sprayed from the spray arm module (410). When the secondary cleaning of the wafer portion (10) is completed, the supply of the cleaning solution to the spray arm module (410) is stopped.
척테이블(320,330)에서 웨이퍼부(10)를 2차 건조시킨다(도 23(g) 참조)(S18). 분사흡입암모듈(410)이 척테이블(320,330)의 외측으로 이동되고, 척테이블(320,330)이 회전되면서 웨이퍼부(10)를 2차 건조시킨다. 척테이블(320,330)이 회전됨에 따라 웨이퍼부(10)에 부착되는 세정액이 원심력에 의해 반경방향으로 유동되면서 배출된다. 웨이퍼부(10)의 2차 건조가 완료되면, 척테이블(320,330)의 회전이 정지된다. 따라서, 웨이퍼부(10)의 2차 건조시간이 현저히 단축될 수 있다.The wafer portion (10) is dried for the second time on the chuck table (320, 330) (see Fig. 23(g)) (S18). The injection suction arm module (410) is moved to the outside of the chuck table (320, 330), and the chuck table (320, 330) is rotated to dry the wafer portion (10) for the second time. As the chuck table (320, 330) rotates, the cleaning liquid attached to the wafer portion (10) flows radially by centrifugal force and is discharged. When the secondary drying of the wafer portion (10) is completed, the rotation of the chuck table (320, 330) is stopped. Therefore, the secondary drying time of the wafer portion (10) can be significantly shortened.
한편, 분사암모듈(410)이 웨이퍼부(10)에 세정액을 분사하여 웨이퍼부(10)를 2차 세정한 이후에, 웨이퍼부(10)의 2차 건조를 생략할 수도 있다.Meanwhile, after the spray gun module (410) sprays the cleaning solution onto the wafer portion (10) to perform secondary cleaning of the wafer portion (10), secondary drying of the wafer portion (10) may be omitted.
상기와 같이, 분사암모듈(410)과 분사흡입암모듈(420)이 웨이퍼부(10)를 처리하므로, 다양한 종류의 처리액이나 세정액을 이용하여 웨이퍼부(10)를 처리할 수 있다. 따라서, 웨이퍼부(10)의 처리 공정을 처리액이나 세정액의 종류에 따라 다양한 방식으로 구현할 수 있다.As described above, since the injection arm module (410) and the injection suction arm module (420) process the wafer portion (10), the wafer portion (10) can be processed using various types of processing liquids or cleaning liquids. Accordingly, the processing process of the wafer portion (10) can be implemented in various ways depending on the type of processing liquid or cleaning liquid.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom.
따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the claims.
10: 웨이퍼부 11: 웨이퍼
12: 접착시트 13: 리테이너링부
20: 웨이퍼 카세트 30: 버퍼유닛
40: 비전얼라이너 41: 얼라이너 테이블
50: 제1이송모듈 60: 제2이송모듈
70: 제1처리챔버 80: 제2처리챔버
102: 이오나이저 100: 트랜스퍼장치
120: 승강부 130: 트랜스퍼부
140: 그리퍼부 141: 그리퍼 구동부
142: 피니언부 145: 제1랙기어부
146: 제2랙기어부 147: 핑거부
200: 틸팅장치 201: 링커버부
202: 고정홀부 203: 구속홀부
210: 틸팅 모터부 220: 틸팅유닛
230: 승강유닛 240: 파지유닛
241: 코어부재 243: 플로팅 플레이트
251: 캠링크부 255: 링크 구동부
256: 록킹부 300: 척테이블장치
310: 척구동부 320: 회전척부
330: 진공척부 350: 척킹모듈
360: 제1척킹 링크부 370: 웨이퍼 구속부
380: 제2척킹 링크부 390: 커버 구속부
400: 처리액 분사장치 402: 암구동부
410: 분사암모듈 420: 분사흡입암모듈
440: 흡입탱크부 450: 이젝터부10: Wafer section 11: Wafer
12: Adhesive sheet 13: Retaining ring
20: Wafer cassette 30: Buffer unit
40: Vision Aligner 41: Aligner Table
50: First transport module 60: Second transport module
70: First processing chamber 80: Second processing chamber
102: Ionizer 100: Transfer device
120: Lift 130: Transfer
140: Gripper part 141: Gripper drive part
142: Pinion section 145: First rack gear section
146: Second rack gear section 147: Finger section
200: Tilting device 201: Ring cover
202: Fixed hole 203: Restraint hole
210: Tilting motor unit 220: Tilting unit
230: Lifting unit 240: Grab unit
241: Core member 243: Floating plate
251: Cam link part 255: Link drive part
256: Locking part 300: Chuck table device
310: Chuck East 320: Rotating Chuck
330: Vacuum chuck 350: Chucking module
360: First chucking link 370: Wafer restraint
380: Second chucking link 390: Cover restraint
400: Treatment liquid injection device 402: Female drive unit
410: Injection arm module 420: Injection suction arm module
440: Suction tank section 450: Ejector section
Claims (10)
상기 웨이퍼부를 상기 척테이블에 구속하도록 링커버부가 상기 척테이블에 로딩되는 단계;
분사흡입암모듈이 상기 웨이퍼부에 처리액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 처리하는 단계;
상기 링커버부가 상기 척테이블에서 언로딩되는 단계; 및
분사암모듈이 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 세정하는 단계를 포함하고,
상기 웨이퍼부가 상기 척테이블에 안착되는 단계는,
트랜스퍼장치가 제2이송모듈에서 전달되는 상기 웨이퍼부를 잡는 단계; 및
상기 트랜스퍼장치가 하강됨에 따라 상기 웨이퍼부를 상기 척테이블에 안착시키는 단계를 포함하고,
상기 트랜스퍼장치가 상기 제2이송모듈에서 전달되는 상기 웨이퍼부를 잡는 단계는,
그리퍼부가 트랜스퍼부에서 인출되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
Step of placing the wafer portion on the chuck table;
A step of loading a ring cover portion onto the chuck table to restrain the wafer portion to the chuck table;
A step of treating the wafer portion by having the injection suction arm module spray the treatment liquid onto the wafer portion;
A step in which the ring cover part is unloaded from the chuck table; and
The spray gun module includes a step of spraying a cleaning solution onto the wafer portion to clean the wafer portion,
The step of placing the wafer portion on the chuck table is as follows:
A step of the transfer device catching the wafer portion transferred from the second transfer module; and
Including a step of settling the wafer portion on the chuck table as the transfer device is lowered,
The step of the above transfer device holding the wafer portion transferred from the second transfer module is:
A substrate processing method characterized by including a step of withdrawing a gripper portion from a transfer portion.
상기 웨이퍼부를 상기 척테이블에 구속하도록 상기 링커버부가 상기 척테이블에 로딩되는 단계는,
상기 링커버부가 틸팅장치의 파지유닛에 구속되는 단계;
상기 틸팅장치가 상기 척테이블의 상측에 상기 링커버부를 결합하는 단계;
상기 척테이블의 척킹모듈이 상기 링커버부를 구속하는 단계;
상기 파지유닛이 상기 링커버부의 구속을 해제하는 단계; 및
상기 틸팅장치가 상기 척테이블의 외측으로 이동되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
In the first paragraph,
The step of loading the ring cover part onto the chuck table to restrain the wafer part to the chuck table is as follows:
A step in which the above ring cover part is restrained to the grip unit of the tilting device;
A step of the tilting device connecting the ring cover part to the upper side of the chuck table;
A step in which the chucking module of the chuck table restrains the ring cover part;
The step of the above-mentioned phage unit releasing the restraint of the above-mentioned ring cover part; and
A substrate processing method characterized in that it includes a step in which the tilting device moves to the outside of the chuck table.
상기 분사흡입암모듈이 상기 웨이퍼부에 처리액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 처리하는 단계는,
상기 분사흡입암모듈이 상기 웨이퍼부의 상측으로 이동되는 단계; 및
상기 분사흡입암모듈이 일정 각도 범위 내에서 스윙되면서 상기 웨이퍼부에 처리액을 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
In the first paragraph,
The step of processing the wafer portion by spraying the processing liquid onto the wafer portion by the above injection suction arm module is as follows:
A step in which the above injection suction arm module moves to the upper side of the wafer portion; and
A substrate processing method characterized by including a step of spraying a processing liquid onto the wafer portion while the injection suction arm module swings within a certain angle range.
상기 링커버부가 상기 척테이블에서 언로딩되는 단계는,
틸팅장치가 회전되어 상기 링커버부의 상측에 위치되는 단계;
상기 틸팅장치의 파지유닛이 상기 링커버부를 구속하는 단계;
상기 척테이블의 척킹모듈이 상기 링커버부의 구속을 해제하는 단계; 및
상기 틸팅장치가 상기 링커버부를 회전시켜 상기 척테이블의 외측으로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
In the first paragraph,
The step of unloading the above ring cover part from the chuck table is:
A step in which the tilting device is rotated and positioned on the upper side of the ring cover portion;
A step in which the grip unit of the above tilting device restrains the above ring cover part;
A step of releasing the restraint of the ring cover part by the chucking module of the chuck table; and
A substrate processing method characterized in that the tilting device includes a step of rotating the ring cover part to move it to the outside of the chuck table.
상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 세정하는 단계는,
상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부의 상측으로 이동되는 단계; 및
상기 분사암모듈이 일정 범위 내에서 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
In the first paragraph,
The step of the above-mentioned spraying module spraying a cleaning solution onto the wafer portion to clean the wafer portion is as follows:
A step in which the above injection module moves to the upper side of the wafer portion; and
A substrate processing method characterized in that the above-mentioned spray arm module includes a step of spraying a cleaning solution onto the wafer portion within a certain range to clean the wafer portion.
상기 링커버부가 상기 척테이블에서 언로딩되는 단계 이전에,
상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 중간 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
In the first paragraph,
Before the step of unloading the above ring cover part from the chuck table,
A substrate processing method characterized in that the above-mentioned injection arm module further includes a step of performing intermediate cleaning of the wafer portion by spraying a cleaning solution onto the wafer portion.
상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 중간 세정하는 단계는,
상기 분사흡입암모듈이 상기 웨이퍼부의 외측으로 이동되는 단계;
상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부의 상측으로 이동되는 단계; 및
상기 분사암모듈이 일정 각도 범위 내에서 스윙되면서 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
In paragraph 7,
The step of the above-mentioned spraying module spraying a cleaning solution onto the wafer portion to intermediately clean the wafer portion is as follows:
A step in which the above injection suction arm module moves to the outside of the wafer portion;
A step in which the above injection module moves to the upper side of the wafer portion; and
A substrate processing method characterized by including a step of spraying a cleaning solution onto the wafer portion while the spray arm module swings within a certain angle range.
상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 중간 세정하는 단계 이후에,
상기 척테이블에서 상기 웨이퍼부를 1차 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
In the first paragraph,
After the step of the above-mentioned spraying module spraying the cleaning solution onto the wafer portion to intermediately clean the wafer portion,
A substrate processing method characterized in that it further includes a step of first drying the wafer portion on the chuck table.
상기 분사암모듈이 상기 웨이퍼부에 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼부를 세정하는 단계 이후에,
상기 척테이블에서 상기 웨이퍼부를 2차 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.In paragraph 9,
After the step of the above-mentioned spraying module spraying the cleaning solution onto the wafer portion to clean the wafer portion,
A substrate processing method characterized in that it further includes a step of secondary drying of the wafer portion on the chuck table.
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