KR102417930B1 - 증착 장치 및 이를 포함하는 증착 시스템 - Google Patents

증착 장치 및 이를 포함하는 증착 시스템 Download PDF

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Abstract

상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 증착 장치는 기판이 안착될 수 있는 주면을 가지는 기판 지지부, 상기 주면 상에 배치되며, 상부가 노출되는 중공부를 포함하는 몸체부, 상기 몸체부의 내주면에 장착되어, 상기 중공부를 상부 공간 및 하부 공간으로 분리하는 플라즈마 전극부, 및 상기 플라즈마 전극부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하며, 상기 몸체부 내부에는 상기 하부 공간으로부터, 상기 몸체부 상부에 구비된 배기구로 연장하는 가스 배기 채널이 형성된 것을 특징으로 한다.

Description

증착 장치 및 이를 포함하는 증착 시스템{Deposition Apparatus and Deposition System having the same}
본 발명은 증착 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 배기 가스가 증착 장치의 상부 방향으로 배기되는 상방 배기 구조를 가지는 증착 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조에 있어서 기판 위에 고품질의 박막을 형성하고자 하는 장치나 공정에 대하여 개선하는 노력이 계속되고 있다. 최근에 두 가지 이상의 반응원료를 시간적으로 분리하여 순차적으로 기판 위에 공급하여 표면 반응을 통해 박막을 성장시키고, 이를 반복적으로 수행하여 원하는 두께의 박막을 형성하는 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 방법이 제안되었다.
한편, 반도체 소자의 회로 선폭이 점점 미세화됨에 따라 증착 공정의 조건도 점차 엄격해지고 있으며, 이에 따라 반도체 소자의 품질에 영향을 미칠 수 있는 반응기 내부 및 외부의 오염 문제를 개선하고자 하는 연구가 계속되고 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는 공정 중 증착 장치의 외부 및 내부의 오염 문제를 개선한 증착 장치 및 상기 증착 장치를 포함하는 증착 시스템을 제공하는데 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 플라즈마 공정에 이용되는 전극에 인가된 플라즈마 파워의 누설을 방지하는 증착 장치 및 상기 증착 장치를 포함하는 증착 시스템을 제공하는데 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 증착 장치는 기판이 안착될 수 있는 주면을 가지는 기판 지지부, 상기 주면 상에 배치되며, 상부가 노출되는 중공부를 포함하는 몸체부, 상기 몸체부의 내주면에 장착되어, 상기 중공부를 상부 공간 및 하부 공간으로 분리하는 플라즈마 전극부, 및 상기 플라즈마 전극부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하며, 상기 몸체부 내부에는 상기 하부 공간으로부터, 상기 몸체부 상부에 구비된 배기구로 연장하는 가스 배기 채널이 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 몸체부의 하면에 상기 몸체부의 바깥 영역과 상기 가스 배기 채널을 연결하는 적어도 하나의 그루브가 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 기판 지지부는 상기 주면에 수직하는 방향으로 돌출되고 상기 주면의 가장자리로부터 이격되어 상기 주면의 가장자리를 따라서 연장하는 돌출부를 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 기판 지지부는 상기 기판 지지부의 중심방향으로 상기 돌출부와 연결되며, 상기 돌출부를 따라서 연장하는 리세스부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 몸체부는 상기 몸체부의 내주면을 따라 내측으로 돌출된 지지 단차를 구비하며, 상기 지지 단차와 상기 플라즈마 전극부 사이에 배치되어, 상기 플라즈마 전극부를 상기 몸체부로부터 이격되도록 상기 플라즈마 전극부를 지지하도록 구성된 지지 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 가스 공급부는, 상기 플라즈마 전극부와 연결되는 부분에 배치되는 플랜지부를 포함하며, 상기 플랜지부 및 상기 지지 부재는 절연체로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 전극부는 샤워헤드 전극 및 상기 샤워헤드 전극과 상기 플랜지부 사이에 배치된 백 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 백 플레이트는 절연체로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 백 플레이트에는 상기 샤워헤드 전극에 형성된 복수개의 분사구와 연결된 가스 공급 채널이 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 지지 부재와 상기 지지 단차 사이, 상기 지지 부재와 상기 샤워헤드 전극 사이, 상기 샤워헤드 전극과 상기 백 플레이트 사이, 및 상기 백 플레이트와 상기 플랜지부 사이에 배치된 밀봉 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 샤워헤드 전극은 적어도 하나의 RF 연결부와 연결된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 몸체부는, 반응기 벽 및 상기 반응기 벽의 상부에 결합되는 덕트 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 반응기 벽의 상부에는 제1 함몰부가 형성되고, 상기 덕트 부재의 일측에는 상기 제1 함몰부와 대응되는 제2 함몰부가 형성되며, 상기 제1 함몰부와 상기 제2 함몰부는 결합되어 상기 가스 배기 채널의 일부를 이루는 배기 통로를 형성하며, 상기 배기 통로는 상기 배기구와 연결되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 반응기 벽과 상기 덕트 부재의 결합면에 배치된 밀봉 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 가스 배기 채널은, 상기 하부 공간과 연결되고 상기 몸체부의 외주 및 내주 사이에서 상기 몸체부의 외주를 따라 형성된 제1 채널, 상기 배기구와 연결되고 상기 몸체부의 외주 및 내주 사이에서 상기 몸체부의 외주를 따라 형성된 제2 채널, 및 상기 제1 채널 및 상기 제2 채널을 연결하는 배기 홀들을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 몸체부에 상부에 배치되며, 상기 상부 공간을 덮는 커버부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 기판 지지부를 상하 방향으로 이동시키는 이동부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 증착 장치는 기판이 안착될 수 있는 주면을 가지는 기판 지지부, 그 하면의 적어도 일부는 상기 주면의 가장자리 부분과 접촉하며, 그 상면의 적어도 일부분이 외부로 노출되는 몸체부 및 상기 몸체부의 내주면에 장착되며, 상기 기판 지지부와의 사이에서 반응 공간을 형성하는 플라즈마 전극부를 포함하며, 상기 몸체부 내부에는 상기 반응 공간으로부터, 상기 몸체부 상부에 구비된 배기구로 연장하는 가스 배기 채널이 형성되며, 상기 몸체부와 상기 기판 지지부와 접촉하는 부분에서, 상기 몸체부 및 상기 기판 지지부 중 어느 하나에 외부와 상기 가스 배기 채널을 연결시키도록 구성된 적어도 하나의 그루브가 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 몸체부는 반응기 벽 및 상기 반응기 벽 상부에 결합되는 덕트 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 반응기 벽의 상부에는 제1 함몰부가 형성되고, 상기 덕트 부재의 일측에는 상기 제1 함몰부와 대응되는 제2 함몰부가 형성되며, 상기 제1 함몰부와 상기 제2 함몰부는 결합되어 상기 가스 배기 채널의 일부를 이루는 배기 통로를 형성하며, 상기 배기 통로는 상기 배기구와 연결되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 반응기 벽과 상기 덕트 부재의 결합면에 배치된 밀봉 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 전극부는 적어도 하나의 RF 연결부와 연결된 샤워헤드 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 증착 시스템은 내부 공간을 제공하는 외부 챔버, 상기 내부 공간에 배치되는 적어도 하나의 증착 장치, 상기 적어도 하나의 증착 장치에 증착 기체를 공급하는 증착 기체 소스, 상기 적어도 하나의 증착 장치에 반응 기체를 공급하는 반응 기체 소스, 및 상기 적어도 하나의 증착 장치와 배기 라인을 통하여 연결된 배기 펌프를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 외부 챔버의 상기 내부 공간의 압력은 상기 증착 장치 내의 압력보다 높은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 증착 장치는, 적어도 하나의 또 다른 증착 장치와 상기 증착 기체 소스, 상기 반응 기체 소스, 및 상기 적어도 하나의 증착 장치와 상기 배기 펌프를 연결하는 배기 라인을 공유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 증착 장치는 배기 가스를 배출시키는 경로가 되는 가스 배기 채널이 몸체부의 벽 내부에 형성되어, 반응 공간에서 배출된 배기 가스가 증착 장치의 상부로 배기될 수 있으므로, 통상적으로 사용되고 있는 하부 배기 방식의 개방형 반응기를 복수개를 장착한 다중 증착 장치에서 발생되는 외부 챔버의 오염 문제를 개선할 수 있다. 나아가 몸체부와 기판 지지부가 접하는 부분에는 증착 장치를 포함하는 외부 챔버내에 있는 비활성 가스가 증착 장치 내부로 유입될 수 있는 그루브를 형성함으로써 상기 접촉면에 반응 부산물이 누적되어 반응기를 오염시키는 문제를 해결할 수 있다. 또한 상기 접촉면에 돌출부를 추가로 형성하여, 그루브를 통해 증착 장치 내부로 유입된 외부 챔버의 비활성 기체 및 접촉면에 잔류하는 반응 부산물이 반응 공간으로 침투하지 않고 바로 가스 배기 채널을 통해 배기될 수 있도록 함으로써, 공정 중 반응 공간이 오염되는 것을 방지함과 더불어, 외부유입기체로 인해 공정에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 증착 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ′선으로 자른 단면도이다.
도 3은 몸체부의 분리사시도이다.
도 4는 도3에 도시된 덕트 부재의 배면의 사시도이다.
도 5은 도 2의 S 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 2의 A 방향에서 바라본 몸체부와 기판 지지부가 접촉하는 부분를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 7은 기판 지지부의 사시도이다.
도 8은 도 2의 A 방향에서 바라본 다른 실시예에 따른 몸체부와 기판 지지부가 접촉하는 부분를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 증착 장치의 사시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 시스템을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명 개념의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명 개념의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명 개념의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명 개념의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명 개념을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명 개념은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되어지지 않는다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명 개념의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성 요소는 제 2 구성 요소로 명명될 수 있고, 반대로 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명 개념을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, “포함한다” 또는 “갖는다” 등의 표현은 명세서에 기재된 특징, 개수, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 개수, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용되는 모든 용어들은 기술 용어와 과학 용어를 포함하여 본 발명 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 공통적으로 이해하고 있는 바와 동일한 의미를 지닌다. 또한, 통상적으로 사용되는, 사전에 정의된 바와 같은 용어들은 관련되는 기술의 맥락에서 이들이 의미하는 바와 일관되는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 여기에 명시적으로 정의하지 않는 한 과도하게 형식적인 의미로 해석되어서는 아니 될 것임은 이해될 것이다.
이하에서 설명하는 증착 장치는 다양한 구성을 가질 수 있고 여기서는 필요한 구성만을 예시적으로 제시하며, 본 발명 내용이 이에 한정되는 것은 아님을 밝혀둔다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 증착 장치를 나타낸 사시도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ′선으로 자른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 증착 장치(100)는 기판 지지부(120), 상기 기판 지지부(120) 상에 배치되는 몸체부(110), 상기 몸체부(110)의 내주면에 장착되는 플라즈마 전극부(130), 지지 부재(170) 및 상기 플라즈마 전극부(130)에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(140) 등을 포함할 수 있다.
기판 지지부(120)는 기판을 지지하며, 상기 기판이 안착될 수 있는 주면을 가질 수 있다. 기판 지지부(120)는 예를 들어 서셉터(susceptor)일 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 기판 지지부(120)는 상기 기판 지지부(120)의 일측으로 제공된 이동부(150)와 연결되어 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 예를 들어 상기 이동부(150)는 상기 기판 지지부(120)를 상하로 이동시켜 상기 몸체부(110)와 상기 기판 지지부(120) 사이에 기판이 투입될 수 있는 투입구를 형성할 수 있다. 구체적으로, 이송 아암(transfer arm)을 이용하여 기판을 상기 기판 지지부(120)로 로딩하거나 또는 기판을 상기 기판 지지부(120)로부터 언로딩하는 동안, 상기 이동부(150)는 상기 기판 지지부(120)를 하강시킬 수 있다. 반면 기판에 증착 공정이 수행되는 동안에는 상기 이동부(150)는 상기 기판 지지부(120)를 상승시켜 상기 몸체부(110)와 상기 기판 지지부(120)가 접촉 하여 반응 공간을 형성할 수 있도록 구성될 수 있다.
기판 지지부(120)는 그 주면을 수직으로 관통하는 홀(155)들이 형성될 수 있으며, 상기 홀(155)은 리프트 핀(lift pin)들을 수용할 수 있다. 기판을 로딩 또는 언로딩하기 위하여 상기 이동부(150)가 하강하는 동안에는 리프트 홀(155)들 내에 수용된 리프트 핀들은 상기 이동부(150)에 대하여 상대적으로 핀-업(pin-up) 상태가 되어 기판을 지지할 수 있으며, 또한 공정을 수행하기 위하여 상기 이동부(150)가 상승하는 경우에는 리프트 핀들은 상기 이동부(150)에 대하여 상대적으로 핀-다운(pin-down) 상태가 되어 기판이 기판 지지부(120)에 안착되도록 할 수 있다.
또한, 기판 지지부(120)는 그 주면에 안착된 기판에 열을 공급하기 위한 히터를 구비할 수 있으며, 상기 히터는 이동부(150)에 의하여 상하 이동이 가능하도록 구성될 수 있다.
몸체부(110)는 상기 기판 지지부(120)의 주면 상에 배치될 수 있으며, 상부가 노출되는 중공부(113)를 가질 수 있다.
몸체부(110)는 그 상면 및 하면에 개구가 형성되며, 상기 상면 및 하면의 개구 사이에서 연장하는 중공부(113)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 몸체부(110)는 상기 몸체부(110)의 상면 및 하면의 개구를 통하여 그 내부가 외부로 노출된 형태를 가질 수 있다. 다만 중공부(113)의 하부는 기판 지지부(120)에 의하여 폐쇄되도록 구성될 수 있다.
상기 중공부(113)는 후술할 플라즈마 전극부(130)에 의해 상부 공간(113b) 및 하부 공간(113a)으로 나뉘어질 수 있다. 상기 상부 공간(113b)은 상기 몸체부(110)의 상면의 개구와 상기 플라즈마 전극부(130) 사이의 공간을 의미할 수 있으며, 상기 하부 공간(113a)은 상기 플라즈마 전극부(130)와 상기 기판 지지부(120) 사이의 공간을 의미할 수 있다. 상기 하부 공간(113a)은 상기 기판 지지부(120) 상에 위치된 기판에 대한 증착 공정이 수행되는 반응 공간으로 제공될 수 있다.
여기서, 상기 반응 공간은 플라즈마 전극부(130), 기판 지지부(120) 및 몸체부(110)로 둘러싸인 영역으로서, 상기 플라즈마 전극부(130)를 통하여 공급된 가스의 화학 반응을 통하여 기판에 박막을 형성시키는 공간을 의미한다.
상기 몸체부(110)의 벽 내부에는 상기 하부 공간(113a)으로부터 상기 몸체부(110)의 상부에 구비된 배기구(119)로 연장하는 가스 배기 채널(115)이 형성될 수 있다. 즉, 증착 공정 동안 상기 하부 공간(113a)에서 발생한 배기 가스는 상기 가스 배기 채널(115)을 통하여 상기 배기구(119)로 배출될 수 있다. 즉, 상기 증착 장치(100)는 상방 배기 구조를 가질 수 있다. 상기 하부 공간(113a)에서 발생한 배기 가스는 몸체부(110)의 내부에 형성되는 가스 배기 채널(115)을 통하여 상부로 배출되므로, 증착 장치(100)의 하방으로 배기되는 경우 후술하는 도 10에서 보듯, 복수개의 증착 장치(도 10의 1100)를 장착한 외부 챔버(도 10의 1200)에서 증착 장치(도 10의 1100) 외부의 다른 장치들이 배기 가스로 인하여 손상되는 문제를 방지할 수 있다.
플라즈마 전극부(130)는 상기 몸체부(110)의 내주에 장착되며, 상기 하부 공간(113a)을 사이에 두고 상기 기판 지지부(120)와 이격될 수 있다. 상기 플라즈마 전극부(130)는 플라즈마 전극부(130)를 관통하는 복수개의 기체 분사구를 통해 상기 하부 공간(113a)으로 공정 가스를 분사하며, 무선 주파수(radio frequency, RF) 전원을 공급받아 상기 하부 공간(113a)에 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
예를 들어, 플라즈마 전극부(130)는 백 플레이트(132) 및 상기 백 플레이트(132)에 결합되는 샤워헤드 전극(131)을 포함할 수 있다. 상기 백 플레이트(132)에는 상기 가스 공급부(140)로부터 이어지는 가스 공급 채널(146)이 형성되며, 상기 샤워헤드 전극(131)은 서로 대향하는 일면 및 타면을 관통하는 복수개의 분사구가 형성될 수 있다. 가스 공급부(140)의 가스 유입구(145)로부터 유입된 공정 가스는 상기 가스 공급 채널(146)을 통하여 상기 샤워헤드 전극(131)으로 이동하며, 상기 공정 가스는 상기 샤워헤드 전극(131)의 복수개의 분사구를 통하여 상기 하부 공간(113a)으로 공급될 수 있다.
상기 샤워헤드 전극(131)은 그 상측에 전원 공급부로부터 RF 전원을 공급하는 RF 연결부(182)와 연결될 수 있다. 도면에서는 1개의 RF 연결부(182)만이 도시되었으나, RF 연결부(182)는 복수개로 구성되어 상기 샤워헤드 전극(131)의 가장자리를 따라 동일한 간격으로 이격될 수 있다. 상기 복수개의 RF 연결부(182)는 복수개로 분기되는 RF 로드(181)에 의해 전원 공급부와 연결될 수 있다. 대칭적으로 구비된 상기 복수개의 RF 연결부(182)는 상기 하부 공간(113a) 내에서 발생하는 플라즈마의 밀도를 균일하게 유지시켜 증착 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 플라즈마 전극부(130) 및 몸체부(110)는 복수개의 가열 수단(160)을 포함할 수 있다. 복수개의 가열 수단(160)은, 몸체부(110)와 연결되어 동일한 간격을 두고 이격되도록 배치될 수 있으며, 또한 플라즈마 전극부(130)와 연결되어 동일한 간격을 두고 이격되도록 배치될 수 있다. 복수개의 가열 수단(160)은 플라즈마 전극부(130) 및 몸체부(110)를 함께 가열하여 증착 공정이 수행되는 반응 공간의 열분포를 균일하게 하여 공정의 신뢰성을 향상시키며, 동시에 불균일한 열분포로 인한 오염원이 생성되는 것을 방지할 수 있다.
상기 샤워헤드 전극(131)은 금속 함유물을 포함할 수 있으며, 예를 들어 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 그리고 상기 백 플레이트(132)는 절연체, 예를 들어 세라믹으로 이루어질 수 있다.
가스 공급부(140)는 가스 유입구(145)가 형성된 가스 유입 튜브(gas inlet tube, 141) 및 상기 가스 유입 튜브(141)와 상기 플라즈마 전극부(130) 사이에 배치되는 플랜지부(142)를 포함할 수 있다. 상기 가스 유입 튜브(141)에 형성되는 상기 가스 유입구(145)는 복수개로 형성될 수 있다. 특히 원자층 증착 공정과 같이 공정 가스간의 혼합이 금지되는 공정의 경우에는 공정 가스의 수에 따라 가스 유입구(145)의 수가 결정될 수 있다. 다만, 플라즈마 등의 공정 가스 여기 수단이 없으면 서로 반응하지 않는 가스들의 경우에는 동일한 가스 유입구(145)를 통하여 공급될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 몸체부(110)는 상기 몸체부(110)의 내주면을 따라 내측으로 돌출된 지지 단차(118)를 구비하며, 상기 플라즈마 전극부(130)는 상기 지지 단차(118) 상에 배치된 지지 부재(170)에 의하여 지지되도록 구성될 수 있다. 즉, 상기 지지 부재(170)의 하측은 상기 몸체부(110)의 지지 단차(118)와 접하며, 상기 지지 부재(170)의 상측은 상기 플라즈마 전극부(130)와 접할 수 있다.
지지 부재(170)는 상기 몸체부(110)의 내주면을 따라 연장되도록 구성될 수 있으며, 상기 하부 공간(113a)은 상기 지지 부재(170)에 의하여 외부와 차단되도록 구성될 수 있다. 또한, 상기 플라즈마 전극부(130)는 상기 몸체부(110)와는 접하지 않고 상기 몸체부(110)로부터 이격되면서, 상기 지지 부재(170) 상에 배치될 수 있다.
일부 실시예들에서, 플라즈마 공정 동안 상기 플라즈마 전극부(130)에 인가된 플라즈마 파워가 주변으로 방전되는 것을 방지하기 위하여, 상기 플라즈마 전극과 접하는 상기 지지 부재(170) 및 상기 플랜지부(142)는 절연체로 구성될 수 있으며, 예를 들어 상기 지지 부재(170) 및 상기 플랜지부(142)는 세라믹 등의 절연 물질을 포함할 수 있다. 즉, 금속 함유물로 구성되는 플라즈마 전극부(130)와 직접적으로 접촉될 수 있는 상기 지지 부재(170) 및 상기 플랜지부(142)를 절연체로 구성함으로써, 플라즈마 전극부(130)는 그 주변과 절연될 수 있으며 플라즈마 파워의 누설을 방지하여 플라즈마 공정의 효율을 높일 수 있다. 나아가, 일부 실시예들에서 플라즈마 파워의 누설을 효과적으로 방지하기 위하여 상기 플랜지부(142)와 접하는 상기 백 플레이트(132)를 절연체로 구성할 수 있다.
또한, 상기 몸체부(110)는 그 상부에 형성된 개구를 통하여 외부로 노출되므로 상기 상부 공간(113b)에는 외부의 가스가 채워지고, 이로 인하여 상기 상부 공간(113b)의 압력은 실질적으로 대기압 상태를 유지할 수 있다. 상기 플라즈마 전극부(130)의 위쪽으로 접하는 상부 공간(113b)을 채우는 상기 외부 가스는 플라즈마 전극부(130)에 대하여 절연체로 기능할 수 있다. 따라서, 상기 플라즈마 전극부(130)에 인가된 플라즈마 파워가 상기 상부 공간(113b)으로 누설되는 것을 방지할 수 있다.
나아가, 일부 실시예들에서, 상기 하부 공간(113a)을 상기 상부 공간(113b)으로부터 보다 효율적으로 격리시키기 위하여 밀봉 부재(180)가 이용될 수 있다. 하부 공간(113a)이 상부 공간(113b)으로부터 완전히 격리되지 않는 경우에는, 상기 하부 공간(113a)에 있는 반응 기체가 상기 상부 공간(113b)으로 누설되면서 증착 공정의 효율을 저하시키고 증착되는 박막의 품질을 저하시킬 뿐만 아니라, 심각한 안전문제를 일으킬 수 있다. 상기 밀봉 부재(180)로는 오 링(O-ring)이 이용될 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
밀봉 부재(180)는 예를 들어, 상기 지지 부재(170)와 상기 챔버의 지지 단차(118)가 접하는 부분, 상기 지지 부재(170)와 상기 플라즈마 전극부(130)가 접하는 부분에 배치될 수 있다. 구체적으로, 지지 부재(170)와 지지 단차(118) 사이 및 지지 부재(170)와 플라즈마 전극부(130) 사이에 배치된 밀봉 부재(180)는 하부 공간(113a)의 반응 기체가 상부 공간(113b)로 유출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 샤워헤드 전극(131) 및 상기 백 플레이트(132)의 접촉면에 공정 가스의 누설을 방지하기 위하여 O-링과 같은 밀봉 부재가 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 밀봉 부재는 상기 샤워헤드 전극(131) 및 상기 백 플레이트(132) 사이에서, 샤워헤드 전극(131)에 형성된 복수개의 분사구 중 최외곽에 형성된 분사구로부터 상기 샤워헤드 전극(131)의 반경 방향으로 일정 거리 이격되어 배치될 수 있다. 상기 샤워헤드 전극(131) 및 상기 백 플레이트(132)의 사이에 배치된 밀봉 부재는 가스 공급 채널(146)을 통해 공급된 공정 가스가 상기 샤워헤드 전극(131)에 형성된 복수개의 분사구로 흐르지 않고, 상기 샤워헤드 전극(131) 및 상기 백 플레이트(132)의 사이의 틈으로 새어나가 상기 상부 공간(113b)로 유출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 백 플레이트(132)와 상기 플랜지부(142)의 접촉면에도 공정 가스의 누설을 방지하기 위하여 O-링과 같은 밀봉 부재가 배치될 수 있다. 상기 백 플레이트(132)와 상기 플랜지부(142) 사이에 배치된 밀봉 부재는 가스 공급 채널(146)을 통해 공급되는 공정 가스가 상기 백 플레이트(132)와 상기 플랜지부(142) 사이의 틈으로 새어나가는 것을 방지할 수 있다.
도 3은 몸체부의 분리사시도이며, 도 4는 도 3에 도시된 덕트 부재의 배면의 사시도이다.
도 3 및 도 4를 도 2와 함께 참조하여, 일 실시예에 따른 몸체부(110)의 구성 및 상기 몸체부(110)에 형성되는 가스 배기 채널(115)에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
상기 몸체부(110)는 반응기 벽(111) 및 덕트 부재(112)를 포함할 수 있으며, 상기 덕트 부재(112)는 상기 반응기 벽(111)의 상부에 장착될 수 있다.
상기 반응기 벽(111)의 하부에는 하부 공간(113a)과 연결되는 제1 채널(115a)이 형성될 수 있다. 상기 제1 채널(115a)은 반응기 벽(111)의 외주 및 내주 사이에서 상기 반응기 벽(111)의 외주 또는 내주를 따라 연장될 수 있다. 상기 제1 채널(115a)은 예를 들어 링 형상을 가질 수 있다.
상기 반응기 벽(111)의 상부에는 상기 반응기 벽(111)의 외주 및 내주 사이에서 일부분이 함몰되는 제1 함몰부(117a)가 형성되며, 상기 제1 함몰부(117a)는 상기 몸체부(110)의 외주 또는 내주를 따라서 연장될 수 있다. 상기 덕트 부재(112)의 일측에는 상기 덕트 부재(112)의 외주 및 내주 사이에서 일부분이 함몰된 제2 함몰부(117b)가 형성될 수 있으며 상기 제2 함몰부(117b)는 상기 덕트 부재(112)의 외주 또는 내주를 따라서 연장될 수 있다. 상기 반응기 벽(111)과 상기 덕트 부재(112)는 상기 제1 함몰부(117a)의 노출면과 제2 함몰부(117b)의 노출면이 대응되도록 결합될 수 있으며, 이로써 가스 배기 채널(115)의 일부를 구성하는 제2 채널(115b)이 형성될 수 있다. 상기 제2 채널(115b)은 상기 덕트 부재(112)의 일측에 구비된 배기구(119)를 통해 외부와 연결될 수 있다. 상기 제2 채널(115b)는 예를 들어 링 형상을 가질 수 있다.
도 2에서 도시되었듯이, 상기 반응기 벽(111)과 상기 덕트 부재(112)가 결합되어 형성되는 상기 제2 채널(115b)을 외부와 격리시키기 위하여, 상기 반응기 벽(111)과 상기 덕트 부재(112)의 결합면에 밀봉 부재가 포함될 수 있다.
또한, 상기 제1 채널(115a) 및 상기 제2 채널(115b)은 적어도 하나의 배기 홀(exhaust hole, 115c)을 통하여 연결될 수 있다. 상기 배기 홀(115c)은 상기 반응기 벽(111) 내부에 형성되며, 상기 반응기 벽(111)의 길이 방향으로 연장될 수 있다. 상기 배기 홀(115c)이 복수개로 구성되는 경우에는 상기 복수개의 배기 홀(115c)들은 상기 반응기 벽(111)의 외주 또는 내주를 따라 서로 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다.
도 5는 도 2의 S 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다. 도 6은 도 2의 A 방향에서 바라본 몸체부와 기판 지지부가 접촉하는 부분를 확대하여 나타낸 도면이다. 도 7은 기판 지지부의 사시도이다.
도 5 및 도 6를 참조하면, 상기 몸체부(110)의 하면에서 상기 몸체부(110)의 하면의 가장자리를 따라 형성되며, 상기 몸체부(110)의 바깥 영역과 상기 가스 배기 채널(115)을 공간적으로 연결하는 적어도 하나의 그루브 (groove, 116)가 형성될 수 있다. 상기 몸체부(110)의 외부는, 예를 들어 Ar과 같은 비활성 가스에 의하여 충진되어 있을 수 있는데, 상기 적어도 하나의 그루브(116)는 상기 몸체부(110)의 하면과 상기 기판 지지부(120)의 상면이 접촉하더라도 상기 몸체부(110) 외부의 비활성 가스가 상기 가스 배기 채널(115) 쪽으로 유입되도록 할 수 있다.
그루브(116)는 몸체부(110)와 기판 지지부(120)가 접촉하는 부분에서 파티클들이 누적되어 발생하는 내부 오염문제를 개선시키기 위하여 제공될 수 있다. 파티클 소스들이 누적되기 쉬운 상기 몸체부(110)와 상기 기판 지지부(120)의 접촉 부분이 상기 그루브(116)에 의하여 외부로 개방되고, 상기 그루브(116)를 통하여 유입된 비활성 가스는 상기 접촉 부분에 오염 입자의 원인이 되는 반응 부산물이 누적되는 것을 방지할 수 있다. 상기 몸체부(110)와 상기 기판 지지부(120)의 가장자리에서 연속적으로 접촉면을 형성하는 경우, 상기 몸체부(110)와 상기 기판 지지부(120)는 단순히 면 실링(face sealing) 구조를 가지므로, 상기 몸체부(110)와 상기 기판 지지부(120) 사이의 틈을 통하여 가스가 유입 또는 유출되는 미세 리크(small leak) 문제가 발생할 수 있다. 이와 달리, 본 발명의 일부 실시예들에서 상기 몸체부(110)의 하면에 그루브(116)를 형성함으로써, 상기 몸체부(110)의 외부와 내부는 연결되므로 상기 미세 리크는 더 이상 문제되지 않는다.
상기 그루브(116)는 몸체부(110)의 하면에 몸체부(110)의 두께 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다. 또한, 복수개의 그루브(116)가 상기 몸체부(110)의 하면의 가장자리를 따라 이격되어 형성될 수 있다. 상기 그루브(116)를 통하여 유입된 비활성 가스는 바로 상기 몸체부(110)의 벽 내부에 형성된 가스 배기 채널(115)로 이동되어 배기될 수 있다. 즉, 상기 그루브(116)를 통하여 유입된 비활성 가스는 하부 공간(113a)으로 침투되지 않으며, 상기 가스 배기 채널(115)로 배기될 수 있다. 따라서 증착 장치는 상기 몸체부(110)와 상기 기판 지지부(120) 사이의 미세 리크 문제를 근본적으로 발생하지 않게 함과 동시에, 외부의 불활성 가스가 유입되더라도 상기 외부의 불활성 가스가 상기 하부 공간(113a)으로 유입되지 않도록 구성될 수 있다.
상기 그루브(116)는 상기 몸체부(110)의 하면의 외주를 따라서 복수개로 형성될 수 있으며, 상기 복수개의 그루브(116)는 동일한 간격으로 이격될 수 있다. 상기 그루브(116)는 예를 들어 약 1mm의 폭과 약 0.5mm의 높이를 가질 수 있으나, 다만 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 그루브(116)의 크기, 형태 및 배치 간격은 공정 조건에 따라서 다양하게 변경될 수 있다.
도 5 및 도 7을 참조하면, 일부 실시예 들에서, 상기 기판 지지부(120)의 주면에는 상기 기판 지지부(120)의 주면에 수직하는 방향으로 돌출된 돌출부(122)를 포함하며, 상기 돌출부(122)는 상기 적어도 하나의 그루브(116)를 통하여 유입된 외기가 상기 하부 공간(113a)으로 유입되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다.
상기 돌출부(122)는 상기 기판 지지부(120)의 가장자리로부터 일정 거리 이격되어 상기 주면의 가장자리를 따라서 연속적으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 링 형상을 가질 수 있다.
상기 돌출부(122)는 상기 그루브(116)를 통하여 유입된 불활성 가스가 상기 하부 공간(113a)으로 유입되는 것을 방지함과 동시에, 상기 유입된 불활성 가스가 상기 가스 배기 채널(115) 쪽으로 흐르도록 유도할 수 있다. 또한 접촉 부분에 잔류하는 파티클 등의 오염원이 하부 공간(113a)으로 유입되는 것을 방지하고, 상기 파티클 등의 오염원이 유입된 불활성 가스와 함께 상기 가스 배기 채널(115)을 통해 외부로 배출되도록 유도함으로써 공정 중 반응 공간이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 나아가 상기 하부 공간(113a)으로부터 배출된 배기 가스도 상기 돌출부(122)에 의하여 상기 그루브(116)로 배출되지 않고, 상기 가스 배기 채널(115)을 통하여 배출될 수 있다.
또한, 상기 기판 지지부(120)는, 상기 기판 지지부(120)의 중심방향으로 상기 돌출부(122)와 연결되며 상기 돌출부(122)를 따라 연장하는 리세스부(124)를 포함할 수 있다. 상기 리세스부(124)는 예를 들어 링 형상을 가질 수 있다. 상기 리세스부(124)는 상기 돌출부(122)와 인접하는 제1 측면(124a), 상기 제1 측면(124a)과 마주보는 제2 측면(124b), 및 바닥면(124c)을 가질 수 있으며, 상기 제1 측면(124a), 제2 측면(124b), 및 바닥면(124c)으로 둘러싸인 부분은 리세스 영역을 형성할 수 있다. 상기 몸체부(110)는 그 하면의 일부분이 상기 리세스부(124)의 리세스 영역으로 연장될 수 있으며, 그에 따라 상기 하부 공간(113a)으로부터 배출되는 가스는 상기 리세스부(124)의 표면을 따라 굴곡진 경로로 이동될 수 있다.
도 8은 도 2의 A 방향에서 바라본 다른 실시예에 따른 몸체부와 기판 지지부가 접촉하는 부분를 확대하여 나타낸 도면이다. 도 8은 도 6을 참조하여 설명한 증착 장치와 유사하나 그루브의 형성 위치에 차이가 있다. 중복되는 참조 부호는 동일한 부재를 나타내며, 중복되는 내용은 생략한다.
도 8을 도 2와 함께 참조하면, 도 6에 도시된 것과 다르게, 상기 그루브(116a)는 상기 몸체부(110a)의 하면이 아닌 상기 기판 지지부(120a)의 주면에 형성될 수 있다.
즉, 상기 그루브(116a)는 상기 기판 지지부(120a)의 주면의 가장자리에 형성될 수 있으며, 복수개의 그루브(116a)가 상기 기판 지지부(120a)의 주면의 가장자리를 따라 이격되어 형성될 수 있다. 이 때, 상기 그루브(116a)의 상부는 상기 몸체부(110a)와 접촉할 수 있다. 도 6에서 몸체부(도 6의 110)의 하면에 그루브(도 6의 116)가 형성된 것과 마찬가지로, 상기 몸체부(110a)의 바깥 영역과 상기 가스 배기 채널(115)을 연결할 수 있다. 또한 상기 몸체부(110a)의 하면은 도 6과 다르게 굴곡진 형상없이 임의의 동일 평면 상에 위치될 수 있도록 구성될 수 있다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 증착 장치의 사시도이다.
도 9를 참조하면, 증착 장치(100)는 기판 지지부(120), 몸체부(110), 플라즈마 전극부(130), 지지 부재(170), 가스 공급부(140) 및 커버부(190)를 포함할 수 있다. 상기 기판 지지부(120), 몸체부(110), 플라즈마 전극부(130), 지지 부재(170), 가스 공급부(140)는 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 내용과 동일할 수 있으며, 증착 장치(100)는 도 1 내지 도 8과 달리 커버부(190)를 더 포함할 수 있다.
상기 커버부(190)는 상기 몸체부(110)의 상부에 배치되며, 상기 몸체부(110)의 개구 부분을 덮도록 구성될 수 있다. 상기 커버부(190)는 플라즈마 공정 시 작업자의 안전을 위해 추가될 수 있으며, 선택적으로 상기 몸체부(110)에 연결되거나 또는 상기 몸체부(110)로부터 분리될 수 있다. 상기 커버부(190)는 Al 등의 금속 함유물을 포함할 수 있으며, 이에 따라 주변으로 플라즈마가 방사되는 것을 방지할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 시스템을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 10을 참조하면, 증착 시스템(1000)은 내부 공간(1250)을 제공하는 외부 챔버(1200), 및 상기 내부 공간(1250)에 배치되는 적어도 하나의 증착 장치(1100)를 포함할 수 있다. 상기 증착 장치(1100)는 도 1 내지 도 9를 참조하여 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(100)일 수 있다. 증착 시스템(1000)은 특히 적어도 두 개 이상의 복수개의 증착 장치(1100)를 구비함으로써 대량 생산에 적합한 높은 생산성을 올릴 수 있다. 도 10에 도시된 네 개의 증착 장치(1100)들 사이, 즉 외부 챔버(1200)의 중심부에는 회전 및 승강이 가능한 기판 이송 아암(미도시)이 구비될 수 있으며, 이로써 증착 장치(1100)들 간 기판 로딩 및 언로딩이 가능하다.
도 10에 따르면 적어도 하나의 증착 장치(1100)는 증착 기체 소스(1400)로부터 증착 기체를 공급받을 수 있으며, 반응 기체 소스(1500)로부터 반응 기체를 공급받도록 구성될 수 있으며, 또한 배기 펌프(1300)을 이용하여 배기구(도 2의 119)를 통해 유출된 배기 가스가 배기 라인을 통해 배기되도록 구성될 수 있다. 이때, 상기 적어도 하나의 증착 장치(1100)는 적어도 하나의 또 다른 증착 장치와, 배기 펌프(1300)와 상기 증착 장치(1100)를 연결하는 배기 라인을 공유하고, 증착 기체 소스(1400) 및 반응 기체 소스(1500)를 공유할 수 있으며, 이로써 설계의 자유도를 확보하고 증착 공정을 효율적으로 관리할 수 있다. 그러나 적어도 하나의 증착 장치(1100)가 상기 배기 펌프(1300), 상기 증착 기체 소스(1400) 및 상기 반응 기체 소스(1500)를 공유하는 방법이 도 10에 한정되는 것은 아니며, 증착 시스템(1000)의 생산성 향상 및 보다 효율적인 운영을 가능하게 하는 다양한 형태로 구성되어 질 수 있다.
외부 챔버(1200)의 내부 공간(1250)은 비활성 기체로 충진되어 있으며 내부 공간(1250)내의 압력은 항상 증착 장치(1100) 내의 압력보다 높도록 설정함으로써 외부 챔버(1200)의 내부 공간(1250)의 비활성 기체가 몸체부(도 5의 110) 하부에 형성된 그루브(도 5의 116)을 통해 증착 장치(1100)내로 유입되고 이어서 반응기 벽 내의 가스 배기 채널(도 5의 115)로 배기되도록 구성된다.
지금까지의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 증착 장치 110: 몸체부
111: 반응기 벽 112: 덕트 부재
120: 기판 지지부 130: 플라즈마 전극부
131: 샤워헤드 전극 132: 백 플레이트
140: 가스 공급부 150: 이동부
160: 가열 수단 170: 지지 부재
180: 밀봉 부재 190: 커버부

Claims (28)

  1. 기판이 안착될 수 있는 주면을 가지는 기판 지지부;
    상기 주면 상에 배치되며, 상부가 노출되는 중공부를 포함하는 몸체부;
    상기 몸체부의 내주면에 장착되어, 상기 중공부를 상부 공간 및 하부 공간으로 분리하는 플라즈마 전극부; 및
    상기 플라즈마 전극부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;를 포함하며,
    상기 몸체부 내부에는 상기 하부 공간으로부터, 상기 몸체부 상부에 구비된 배기구로 연장하는 가스 배기 채널이 형성되고,
    상기 플라즈마 전극부에 의해 분리된 상기 중공부의 상부 공간 및 하부 공간은 연통하지 않으며,
    상기 중공부의 상부 공간은 외부에 노출되어 외부 가스가 채워지고,
    상기 중공부의 하부 공간은 상기 가스 배기 채널과 연통된 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체부의 하면에 상기 몸체부의 바깥 영역과 상기 가스 배기 채널을 연결하는 적어도 하나의 그루브가 형성된 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상기 주면에 수직하는 방향으로 돌출되고 상기 주면의 가장자리로부터 이격되어 상기 주면의 가장자리를 따라서 연장하는 돌출부를 가지는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상기 기판 지지부의 중심방향으로 상기 돌출부와 연결되며, 상기 돌출부를 따라서 연장하는 리세스부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체부는 상기 몸체부의 내주면을 따라 내측으로 돌출된 지지 단차를 구비하며,
    상기 지지 단차와 상기 플라즈마 전극부 사이에 배치되어, 상기 플라즈마 전극부를 상기 몸체부로부터 이격되도록 상기 플라즈마 전극부를 지지하도록 구성된 지지 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 가스 공급부는, 상기 플라즈마 전극부와 연결되는 부분에 배치되는 플랜지부를 포함하며,
    상기 플랜지부 및 상기 지지 부재는 절연체로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 플라즈마 전극부는 샤워헤드 전극 및 상기 샤워헤드 전극과 상기 플랜지부 사이에 배치된 백 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 백 플레이트는 절연체로 이루어진 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 백 플레이트에는 상기 샤워헤드 전극에 형성된 복수개의 분사구와 연결된 가스 공급 채널이 형성된 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 지지 부재와 상기 지지 단차 사이, 상기 지지 부재와 상기 샤워헤드 전극 사이, 상기 샤워헤드 전극과 상기 백 플레이트 사이, 및 상기 백 플레이트와 상기 플랜지부 사이에 배치된 밀봉 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 샤워헤드 전극은 적어도 하나의 RF 연결부와 연결된 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체부는, 반응기 벽 및 상기 반응기 벽의 상부에 결합되는 덕트 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 반응기 벽의 상부에는 제1 함몰부가 형성되고, 상기 덕트 부재의 일측에는 상기 제1 함몰부와 대응되는 제2 함몰부가 형성되며,
    상기 제1 함몰부와 상기 제2 함몰부는 결합되어 상기 가스 배기 채널의 일부를 이루는 배기 통로를 형성하며, 상기 배기 통로는 상기 배기구와 연결되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 반응기 벽과 상기 덕트 부재의 결합면에 배치된 밀봉 부재를 포함하는 것을 특징으로 증착 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 가스 배기 채널은,
    상기 하부 공간과 연결되고 상기 몸체부의 외주 및 내주 사이에서 상기 몸체부의 외주를 따라 형성된 제1 채널,
    상기 배기구와 연결되고 상기 몸체부의 외주 및 내주 사이에서 상기 몸체부의 외주를 따라 형성된 제2 채널, 및
    상기 제1 채널 및 상기 제2 채널을 연결하는 배기 홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체부에 상부에 배치되며, 상기 상부 공간을 덮는 커버부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 지지부를 상하 방향으로 이동시키는 이동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  18. 내부 공간을 제공하는 외부 챔버;
    상기 내부 공간에 배치되는 적어도 하나의 증착 장치;
    상기 적어도 하나의 증착 장치에 증착 기체를 공급하는 증착 기체 소스;
    상기 적어도 하나의 증착 장치에 반응 기체를 공급하는 반응 기체 소스; 및,
    상기 적어도 하나의 증착 장치와 배기 라인을 통하여 연결된 배기 펌프;를 포함하며,
    상기 증착 장치는 제 1 항의 증착 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 외부 챔버의 상기 내부 공간의 압력은 상기 증착 장치 내의 압력보다 높은 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 증착 장치는, 적어도 하나의 또 다른 증착 장치와 상기 증착 기체 소스, 상기 반응 기체 소스, 및 상기 적어도 하나의 증착 장치와 상기 배기 펌프를 연결하는 배기 라인을 공유하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
  21. 기판이 안착될 수 있는 주면을 가지는 기판 지지부;
    그 하면의 적어도 일부는 상기 주면의 가장자리 부분과 접촉하며, 그 상면의 적어도 일부분이 외부로 노출되는 몸체부; 및
    상기 몸체부의 내주면에 장착되며, 상기 기판 지지부와의 사이에서 반응 공간을 형성하는 플라즈마 전극부;를 포함하며,
    상기 몸체부 내부에는 상기 반응 공간으로부터, 상기 몸체부 상부에 구비된 배기구로 연장하는 가스 배기 채널이 형성되며,
    상기 몸체부와 상기 기판 지지부와 접촉하는 부분에서, 상기 몸체부 및 상기 기판 지지부 중 어느 하나에 외부와 상기 가스 배기 채널을 연결시키도록 구성된 적어도 하나의 그루브가 형성된 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 몸체부는 반응기 벽 및 상기 반응기 벽 상부에 결합되는 덕트 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 반응기 벽의 상부에는 제1 함몰부가 형성되고, 상기 덕트 부재의 일측에는 상기 제1 함몰부와 대응되는 제2 함몰부가 형성되며,
    상기 제1 함몰부와 상기 제2 함몰부는 결합되어 상기 가스 배기 채널의 일부를 이루는 배기 통로를 형성하며, 상기 배기 통로는 상기 배기구와 연결되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 반응기 벽과 상기 덕트 부재의 결합면에 배치된 밀봉 부재를 포함하는 것을 특징으로 증착 장치.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 플라즈마 전극부는 적어도 하나의 RF 연결부와 연결된 샤워헤드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  26. 내부 공간을 제공하는 외부 챔버;
    상기 내부 공간에 배치되는 적어도 하나의 증착 장치;
    상기 적어도 하나의 증착 장치에 증착 기체를 공급하는 증착 기체 소스;
    상기 적어도 하나의 증착 장치에 반응 기체를 공급하는 반응 기체 소스; 및
    상기 적어도 하나의 증착 장치와 배기 라인을 통하여 연결된 배기 펌프;를 포함하며
    상기 증착 장치는 제 21 항의 증착 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 외부 챔버의 상기 내부 공간의 압력은 상기 증착 장치 내의 압력보다 높은 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 증착 장치는 적어도 하나의 또 다른 증착 장치와 상기 증착 기체 소스, 상기 반응 기체 소스, 및 상기 적어도 하나의 증착 장치와 상기 배기 펌프를 연결하는 배기 라인을 공유하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
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