KR101887903B1 - An apparatus and a method for testing a failure of resistive sensors - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 저항성 센서 고장 진단 장치는, 저항성 센서; 동작 전원과 연결되며 정상 모드에서 상기 저항성 센서와 전압 분배 회로를 형성하는 풀업 저항; 상기 전압 분배 회로의 출력부와 연결되며 마이크로프로세서 유닛의 입력부에 연결되는 입력 저항; 풀다운 저항 및 스위칭부를 포함하며, 상기 입력 저항과 상기 마이크로프로세서 유닛 사이에 연결되며, 상기 마이크로프로세서 유닛에 의하여 선택적으로 접지부와 연결되거나, 플로팅되는 풀다운 저항 형성부를 포함하며, 상기 입력 저항 및 상기 풀다운 저항 사이의 진단 노드에 인가된 진단 전압에 기초하여 상기 저항성 센서 배선의 고장 원인을 판정하도록 구성되는 상기 마이크로프로세서 유닛을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 저항성 센서를 사용하는 각종 제어기에서 단락/단선 고장의 원인을 정확하게 알 수 있으며, 이러한 각종 고장의 원인을 파악할 수 있기 때문에 차량 안전의 향상 및 개선에 큰 도움이 될 수 있다.A resistive sensor fault diagnosis apparatus according to the present invention comprises: a resistive sensor; A pull-up resistor connected to the operating power source and forming a voltage divider circuit with the resistive sensor in a normal mode; An input resistor coupled to an output of the voltage divider circuit and coupled to an input of the microprocessor unit; And a pull-down resistance forming unit connected between the input resistor and the microprocessor unit and selectively connected to the ground unit by the microprocessor unit, the pull-down resistor forming unit including a pull-down resistor and a switching unit, And a microprocessor unit configured to determine a cause of the fault of the resistive sensor wiring based on the diagnostic voltage applied to the diagnostic node between the resistors. Therefore, according to the present invention, it is possible to accurately identify the cause of the short-circuit / disconnection fault in various controllers using the resistive sensor, and to grasp the cause of such various faults, .

Description

저항성 센서의 고장 진단 장치 및 진단 방법{AN APPARATUS AND A METHOD FOR TESTING A FAILURE OF RESISTIVE SENSORS}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a fault diagnosis apparatus,

본 발명은 저항성 센서의 고장 진단 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저항성 센서의 단락, 단선 등의 고장 여부를 진단하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for diagnosing a fault of a resistive sensor, and more particularly, to an apparatus and method for diagnosing a fault of a short circuit, a disconnection, or the like of a resistive sensor.

차량에는 구동계, 차량제어, 승객편의, 배기제어, 충돌회피, 안전 등 다양한 이유로 여러 종류의 센서들이 탑재되어 있다. 특히, 온도 센서, 압력 센서, 가속도 센서 등 압전 소자들의 저항 변동을 측정하여 차량 내외부의 정보를 감지하는 센서들이 다수 설치되어 있다.Various types of sensors are mounted on the vehicle for various reasons such as driveline, vehicle control, passenger convenience, exhaust control, collision avoidance, and safety. In particular, a large number of sensors are provided for measuring the resistance variation of piezoelectric elements such as a temperature sensor, a pressure sensor, and an acceleration sensor and detecting information inside and outside the vehicle.

이러한 차량용 센서들은 차량의 다양한 부분의 상황 변화를 감지하기 위하여 제어기로부터 이격된 위치에 설치될 수도 있고, 긴 배선 및 커넥터가 필요할 수 있어서 단선/단락 등의 고장 위험에 노출되어 있다. Such automotive sensors may be installed at a position spaced apart from the controller to detect changes in the state of various parts of the vehicle, and long wiring and connectors may be required, which may expose them to breakdowns such as short circuit / short circuit.

특히, 최신 차량의 경우 엔진 제어기 등 수많은 제어기들이 센서와 연동되어 동작되므로 센서의 단선/단락 고장 시 차량의 일부 동작이 멈출 수 있고, 엔진 제어기와 같이 중요한 제어기의 동작 정지는 차량의 안전에 중대한 영향을 미칠 수 있다.In particular, in the case of modern vehicles, a number of controllers such as an engine controller are operated in conjunction with the sensor, so that a partial operation of the vehicle may be stopped when the sensor is broken or broken, Lt; / RTI >

도 5는 종래기술에 따른 저항성 센서 및 제어기 구성을 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating a resistive sensor and controller configuration according to the prior art.

도 5는 저항성 센서(Resistive Sensor, 510)에서 센싱 정보를 수신하며 마이크로컨트롤러 유닛(Micro-Controller Unit, MCU)(620)를 포함하는 제어기(500)의 일반적인 구조를 나타내고 있다.5 shows a general structure of a controller 500 that receives sensing information from a resistive sensor 510 and includes a micro-controller unit (MCU) 620.

기존 제어기의 구성을 살펴보면, 저항성 센서(510)에 인가되는 전압이 풀업 저항(530)과 저항성 센서(510)로 구성되는 전압 분배기(Voltage Divider) 회로를 통하여 마이크로컨트롤러 유닛(520)으로 입력된다. 마이크로컨트롤러 유닛(520)은 입력되는 전압에 기초하여 저항성 센서(510)에서 센싱한 정보를 제어기(500)에 반영할 수 있다.A voltage applied to the resistive sensor 510 is input to the microcontroller unit 520 through a voltage divider circuit including a pull-up resistor 530 and a resistive sensor 510. [ The microcontroller unit 520 may reflect the information sensed by the resistive sensor 510 to the controller 500 based on the input voltage.

기존 제어기는 SCB(Short Circuit to Battery), 5V 전원 단락, 단선 등의 고장은 다양한 고장 원인을 검출하기가 어렵다. 따라서, 저항성 센서를 이용하는 각종 제어기의 고장 원인을 분석할 수 있는 기술의 구현이 절실히 요구되고 있었다.In the conventional controller, it is difficult to detect various fault sources such as short circuit to battery (SCB), short circuit of 5V power source, and disconnection. Therefore, it is urgently required to implement a technique for analyzing the cause of failure of various controllers using resistive sensors.

본 발명은 상기와 같은 요구에 부응하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명에 따르면, 간단한 구성을 통하여 저항성 센서를 사용하는 각종 제어기에서 단락/단선 고장의 원인을 정확하게 알 수 있으며, 이러한 각종 고장의 원인을 정확하게 분석할 수 있는 저항성 센서의 고장 진단 장치 및 방법이 제공될 수 있다.According to the present invention, it is possible to accurately identify the cause of a short-circuit / disconnection fault in various controllers using a resistive sensor through a simple configuration, A fault diagnosis apparatus and method of a resistive sensor capable of accurately analyzing can be provided.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 저항성 센서 고장 진단 장치는 저항성 센서; 동작 전원과 연결되며 정상 모드에서 상기 저항성 센서와 전압 분배 회로를 형성하는 풀업 저항; 상기 전압 분배 회로의 출력부와 연결되며 마이크로프로세서 유닛의 입력부에 연결되는 입력 저항; 풀다운 저항 및 스위칭부를 포함하며, 상기 입력 저항과 상기 마이크로프로세서 유닛 사이에 연결되며, 상기 마이크로프로세서 유닛에 의하여 선택적으로 접지부와 연결되거나, 플로팅되는 풀다운 저항 형성부를 포함하며, 상기 입력 저항 및 상기 풀다운 저항 사이의 진단 노드에 인가된 진단 전압에 기초하여 상기 저항성 센서 배선의 고장 원인을 판정하도록 구성되는 상기 마이크로프로세서 유닛을 포함할 수 있다.In order to accomplish the above object, the present invention provides a resistive sensor fault diagnosis apparatus comprising: a resistive sensor; A pull-up resistor connected to the operating power source and forming a voltage divider circuit with the resistive sensor in a normal mode; An input resistor coupled to an output of the voltage divider circuit and coupled to an input of the microprocessor unit; And a pull-down resistance forming unit connected between the input resistor and the microprocessor unit and selectively connected to the ground unit by the microprocessor unit, the pull-down resistor forming unit including a pull-down resistor and a switching unit, And a microprocessor unit configured to determine a cause of the fault of the resistive sensor wiring based on the diagnostic voltage applied to the diagnostic node between the resistors.

이 경우, 상기 풀다운 저항 형성부는 상기 스위칭부를 상기 마이크로프로세서 유닛의 제어에 의하여 온(On)시켜서 상기 풀다운 저항과 상기 접지부를 연결시키거나, 또는 상기 스위칭부를 상기 마이크로프로세서 유닛의 제어에 의하여 오프 (Off)시켜서 상기 풀다운 저항을 플로팅시킬 수 있다.In this case, the pull-down resistor forming part may turn on the switching part by controlling the microprocessor unit to connect the pull-down resistor and the ground part, or the switching part may be turned off by the control of the microprocessor unit ) To float the pull-down resistor.

또한, 상기 스위칭부는 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) 트랜지스터로 구현될 수 있다.Also, the switching unit may be implemented as a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) transistor.

또한, 상기 저항성 센서 배선의 고장 원인은, 접지 단락 고장, 배터리 단락 고장, 5V 전원 단락 고장 및 단선 고장을 포함할 수 있다.In addition, the cause of failure of the resistive sensor wiring may include a ground short-circuit fault, a battery short-circuit fault, a 5V power short-circuit failure, and a short-circuit failure.

또한, 상기 마이크로프로세서 유닛은 상기 풀다운 저항이 해제된 상태에서 상기 진단 노드의 전압을 측정하여 상기 접지 단락 고장을 진단하도록 구성될 수 있다.In addition, the microprocessor unit may be configured to diagnose the ground short fault by measuring the voltage of the diagnostic node with the pull down resistance released.

또한, 상기 마이크로프로세서 유닛은 상기 풀다운 저항이 형성된 상태에서 상기 진단 노드의 전압을 측정하여 상기 배터리 단락 고장, 상기 5V 전원 단락 고장 및 상기 단선 고장을 진단하도록 구성될 수 있다.Also, the microprocessor unit may be configured to diagnose the battery short-circuit fault, the 5V power short-circuit fault, and the wire breakdown fault by measuring the voltage of the diagnostic node in a state where the pull-down resistance is formed.

또한, 상기 마이크로프로세서 유닛은 제 1 임계 전압, 제 2 임계 전압, 제3 임계 전압, 및 제 4 임계 전압을 포함하는 진단 영역에 대한 정보를 저장하며, 상기 제 1 임계 전압, 상기 제 2 임계 전압, 상기 제3 임계 전압, 상기 제 4 임계 전압은 순서대로 높은 전압을 가지며, 상기 마이크로프로세서 유닛은, 상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 1 임계 전압 이상인 경우, 상기 배터리 단락 고장으로 판단하고, 상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 1 임계 전압과 상기 제 2 임계 전압 사이인 경우에는 상기 5V 전압 단락 고장으로 판단하고, 상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 2 임계 전압과 상기 제 3 임계 전압 사이인 경우에는 상기 단선 고장으로 판단하고, 상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 3 임계 전압과 상기 제 4 임계 전압 사이인 경우에는 정상으로 판단하고, 상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 4 임계 전압 이하인 경우에는 상기 접지 단락 고장으로 판단하도록 구성될 수 있다.Also, the microprocessor unit stores information on a diagnostic region including a first threshold voltage, a second threshold voltage, a third threshold voltage, and a fourth threshold voltage, and the first threshold voltage, the second threshold voltage , The third threshold voltage and the fourth threshold voltage have a high voltage in order and the microprocessor unit determines that the battery short-circuit fault occurs when the voltage applied to the diagnostic node is equal to or higher than the first threshold voltage, And a voltage applied to the diagnostic node is determined as a voltage difference between the second threshold voltage and the third threshold voltage when the voltage applied to the diagnostic node is between the first threshold voltage and the second threshold voltage, And if the voltage applied to the diagnostic node is between the third threshold voltage and the fourth threshold voltage And determines that the fault is a short to ground if the voltage applied to the diagnostic node is equal to or less than the fourth threshold voltage.

또한, 상기 마이크로프로세서 유닛은 상기 제 1 임계 전압, 상기 제 2 임계 전압, 상기 제3 임계 전압, 상기 제 4 임계 전압을 포함하는 진단 영역을 저장하도록 구성될 수 있다. In addition, the microprocessor unit may be configured to store a diagnostic region including the first threshold voltage, the second threshold voltage, the third threshold voltage, and the fourth threshold voltage.

한편, 본 발명에 따른 저항성 센서 고장 진단 방법은, 상기 저항성 센서 고장 진단 장치에서, 상기 풀다운 저항을 해제하고 상기 진단 노드의 전압을 측정하여 접지 단락 고장 여부를 판별하는 단계; 상기 풀다운 저항을 형성하는 단계; 상기 진단 노드의 전압을 측정하여 배터리 단락 고장, 5V 전원 단락 고장 및 단선 고장을 진단하는 단계를 포함할 수 있다.Meanwhile, in the resistive sensor failure diagnosis method according to the present invention, in the resistive sensor failure diagnosis apparatus, the step of releasing the pull-down resistance and measuring the voltage of the diagnosis node, Forming the pull-down resistor; And measuring the voltage of the diagnostic node to diagnose a battery short-circuit fault, a 5V power short-circuit fault, and a short-circuit fault.

또한, 상기 마이크로프로세서 유닛은 제 1 임계 전압, 제 2 임계 전압, 제3 임계 전압, 및 제 4 임계 전압을 포함하는 진단 영역에 대한 정보를 저장하며, 상기 제 1 임계 전압, 상기 제 2 임계 전압, 상기 제3 임계 전압, 상기 제 4 임계 전압은 순서대로 높은 전압을 가지며, 상기 마이크로프로세서 유닛은, 상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 1 임계 전압 이상인 경우, 상기 배터리 단락 고장으로 판단하고, 상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 1 임계 전압과 상기 제 2 임계 전압 사이인 경우에는 상기 5V 전압 단락 고장으로 판단하고, 상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 2 임계 전압과 상기 제 3 임계 전압 사이인 경우에는 상기 단선 고장으로 판단하고, 상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 3 임계 전압과 상기 제 4 임계 전압 사이인 경우에는 정상으로 판단하고, 상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 4 임계 전압 이하인 경우에는 상기 접지 단락 고장으로 판단하도록 구성될 수 있다.Also, the microprocessor unit stores information on a diagnostic region including a first threshold voltage, a second threshold voltage, a third threshold voltage, and a fourth threshold voltage, and the first threshold voltage, the second threshold voltage , The third threshold voltage and the fourth threshold voltage have a high voltage in order and the microprocessor unit determines that the battery short-circuit fault occurs when the voltage applied to the diagnostic node is equal to or higher than the first threshold voltage, And a voltage applied to the diagnostic node is determined as a voltage difference between the second threshold voltage and the third threshold voltage when the voltage applied to the diagnostic node is between the first threshold voltage and the second threshold voltage, And if the voltage applied to the diagnostic node is between the third threshold voltage and the fourth threshold voltage And determines that the fault is a short to ground if the voltage applied to the diagnostic node is equal to or less than the fourth threshold voltage.

본 발명에 따르면, 저항성 센서를 사용하는 각종 제어기에서 단락/단선 고장의 원인을 정확하게 알 수 있으며, 이러한 각종 고장의 원인을 파악할 수 있기 때문에 차량 안전의 향상 및 개선에 큰 도움이 될 수 있다.According to the present invention, it is possible to know precisely the cause of the short circuit / disconnection fault in various controllers using the resistive sensor, and to grasp the cause of such various faults, which can greatly contribute to improvement and improvement of vehicle safety.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 저항성 센서 고장 진단 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 각종 단락/단선 고장의 예를 나타낸 도면이다.
도 3은 각종 단락/단선 고장 시 진단 전압의 진단 영역을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 저항성 센서 고장 진단 방법을 나타낸 도면이다.
도 5는 종래 기술에 따른 제어기 구성을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a block diagram of a fault diagnosis apparatus for a resistive sensor according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
2 is a diagram showing an example of various short-circuit / disconnection faults.
Fig. 3 is a diagram showing a diagnosis area of the diagnosis voltage when various short-circuit / short-circuit fault occurs.
4 is a diagram illustrating a method for diagnosing a resistance sensor according to an embodiment of the present invention.
5 is a block diagram illustrating a controller according to the related art.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한, 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, Is provided to fully inform the user. In addition, for convenience of explanation, components may be exaggerated or reduced in size.

또한, 이하의 실시예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.The following embodiments are to be considered as illustrative and not restrictive, and the scope of the present invention is limited only by the following embodiments. It is not.

이하에서는 도 1을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 저항성 센서의 고장 진단 장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a fault diagnosis apparatus for a resistive sensor according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 저항성 센서의 고장 진단 장치는 저항성 센서(110), 풀업 저항(130), 입력 저항(140), 마이크로프로세서 유닛(120) 및 풀다운 저항 형성부(150)를 포함한다.1, a fault diagnosis apparatus for a resistive sensor according to an embodiment of the present invention includes a resistive sensor 110, a pull-up resistor 130, an input resistor 140, a microprocessor unit 120, and a pull- 150).

저항성 센서(110)는 차량 제어기(100)에 각종 내/외부 환경에 대한 정보를 주기 위하여 제어기 내/외부에 설치된 센서 중, 압전 소자 등을 이용하여 주변 환경이 변화하는 경우에 저항값이 변동하는 센서를 의미한다. 예컨대, 저항성 센서(110)는 온도 센서, 압력 센서, 가속도 센서 등이 될 수 있다.The resistive sensor 110 detects a change in the resistance value when the surrounding environment is changed by using a piezoelectric element or the like among the sensors installed inside / outside the controller to give information on various internal / external environments to the vehicle controller 100 Sensor. For example, the resistive sensor 110 may be a temperature sensor, a pressure sensor, an acceleration sensor, or the like.

풀업 저항(130)은 전원(VDD), 저항성 센서(110) 및 입력 저항(140)과 연결되어 있다. 풀업 저항(130)은 풀다운 저항 형성부(150)에서 풀다운 저항이 형성되어 있지 않는 경우에는, 저항성 센서(110)과 함께 전압 분배(Voltage Divider) 회로를 형성한다. 분배된 전압은 입력 저항(140)을 통해 마이크로프로세서 유닛(120)의 아날로그-디지털 변환기(ADC, 122)로 입력된다. The pull-up resistor 130 is connected to the power supply VDD, the resistive sensor 110 and the input resistor 140. The pull-up resistor 130 forms a voltage divider circuit together with the resistive sensor 110 when a pull-down resistor is not formed in the pull-down resistor forming unit 150. The distributed voltage is input to the analog-to-digital converter (ADC) 122 of the microprocessor unit 120 via the input resistor 140.

이러한 구성을 통하여 측정된 센서 전압은 제어기(100)를 구동하는 기초 정보가 된다. 예를 들어, 가속도 센서는 제어기(100)의 마이크로프로세서 유닛(120)에 차량의 운동 방향에 대한 정보를 제공하며, 또는, 온도 센서는 마이크로프로세서 유닛(120)에 운행 중인 차량 엔진의 온도 등에 대한 정보를 제공할 수 있다.The measured sensor voltage through this configuration is basic information for driving the controller 100. [ For example, the acceleration sensor provides information on the direction of movement of the vehicle to the microprocessor unit 120 of the controller 100, or the temperature sensor provides information about the temperature of the vehicle engine running on the microprocessor unit 120, Information can be provided.

입력 저항(140)은 마이크로프로세서 유닛(120)과 상기 전압 분배 회로 사이에 삽입되며, 아날로그-디지털 변환기(122)의 입력 조건(입력 전압/전류 등)을 맞추기 위하여 삽입된다.An input resistor 140 is inserted between the microprocessor unit 120 and the voltage divider circuit and inserted to match the input conditions of the analog-to-digital converter 122 (input voltage / current, etc.).

풀다운 저항 형성부(150)는 고장 진단 모드에서 마이크로프로세서 유닛(120)의 제어에 따라 선택적으로 풀다운 저항을 형성시켜 준다. 특히, 배터리 단락이나, 5V 전원과의 단락시에 고장 원인을 판단하기 위해서는 풀다운 저항이 반드시 필요하지만, 풀 다운 저항이 고정적으로 있는 경우에는 저항성 센서(110)가 마이크로컨트롤러 유닛(120)에 정보를 제공하는 것에 제약이 될 수 있다. 따라서, 고장 진단 모드에서만 풀다운 저항이 형성되도록 제어할 수 있는 고장 진단 모드 스위치(155)를 포함할 수 있다. The pull-down resistor forming unit 150 selectively forms a pull-down resistor under the control of the microprocessor unit 120 in the failure diagnosis mode. In particular, a pull-down resistor is indispensable in order to determine the cause of the fault when the battery is short-circuited or short-circuited to the 5V power source. However, when the pull-down resistance is fixed, the resistance sensor 110 transmits information to the microcontroller unit 120 It may be a limitation to provide. Therefore, it may include a failure diagnosis mode switch 155 that can control so that a pull-down resistor is formed only in the failure diagnosis mode.

고장 진단 모드 스위치(155)는 예컨대, MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)로 구현된 스위치 일 수 있으며, 고장 진단 모드 제어부(125)에서 제어된다. 고장 진단 모드 제어부(125)는 선택적으로 고장 진단 모드 스위치(155)를 온(On) 또는 오프(Off) 시킬 수 있다.The fault diagnosis mode switch 155 may be, for example, a switch implemented by a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET), and is controlled by the fault diagnosis mode control unit 125. The failure diagnosis mode control unit 125 can selectively turn the failure diagnosis mode switch 155 on or off.

본 발명의 실시예에 따른 풀다운 저항(152)은 고장 진단 모드에서 아날로그-디지털 변환기(122)의 입력을 고장 원인에 따라 구별시켜 주는 저항이다. 풀다운 저항(152)은 고장 진단 모드 중 선택적으로 접지부와 연결되거나 플로팅(Floating) 된다. 따라서, 저항성 센서의 고장 진단 장치는 저항성 센서(110)의 단선/단락 고장 시 고장 원인을 진단할 수 있다.The pull-down resistor 152 according to the embodiment of the present invention is a resistor that distinguishes the input of the analog-to-digital converter 122 in the failure diagnosis mode according to the cause of the failure. The pull-down resistor 152 is selectively connected to the ground or floated during the fault diagnosis mode. Therefore, the fault diagnosis apparatus of the resistance sensor can diagnose the cause of the fault when the resistance sensor 110 is disconnected / short-circuited.

이하에서는 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 동작 원리에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation principle of the present invention will be described with reference to FIG. 2 and FIG.

제어기(100)는 정상 상태(단락/단선 고장이 일어나지 않은 상황)에서 도 1과 같이 구성되어 동작된다. 이 경우에는 앞서 상술한 바와 같이, 풀업 저항(130) 및 저항성 센서(110)가 전압 분배 회로를 형성하고, 분배된 전압 값이 아날로그-디지털 변환기(122)로 입력된다. 풀다운 저항(152)은 플로팅되어 있으므로, 풀다운 저항(152)에 전압이 걸리지 않는다. The controller 100 is configured and operated as shown in FIG. 1 in a normal state (a state in which no short-circuit / disconnection failure has occurred). In this case, as described above, the pull-up resistor 130 and the resistive sensor 110 form a voltage divider circuit, and the divided voltage value is input to the analog-to-digital converter 122. Since the pull-down resistor 152 is floating, no voltage is applied to the pull-down resistor 152.

도 2의 (a) 내지 (d)는 각종 고장 상황 및 각종 고장을 본 발명의 실시예의 고장 진단 장치를 통하여 검출하는 것을 상세하게 나타낸 도면이다.Figs. 2 (a) to 2 (d) are diagrams showing details of detecting various fault conditions and various faults through the fault diagnosis apparatus of the embodiment of the present invention.

도 2(a)는 접지 단락(Short Circuit to Ground) 고장(210)을 나타낸 도면이다. 커넥터 불량, 또는 전선 피복이 벗겨지거나 하는 다양한 이유에서 접지측 예를 들어 차량의 샤시 등과 저항성 센서(110)-제어기(100) 사이의 배선에서 접지 단락 고장이 발생할 수 있다. FIG. 2 (a) shows a short circuit to ground fault 210. FIG. A short circuit failure may occur in the wiring between the resistive sensor 110 and the controller 100 on the ground side, for example, the chassis of the vehicle or the like, for various reasons such as a defective connector, or a wire covering is peeled off.

이 경우, 센서 입력 노드(215)의 전위는 접지 전압, 즉 0V가 되며, 아날로그-디지털 변환기(122)의 입력부에 접지 전압에 매우 가까운 전압이 인가되게 된다. 따라서, 풀다운 저항(152)을 해제시킨 후, 아날로그-디지털 변환기(122)에 접지 전압에 가까운 전압(도 3에서 제 4 임계 전압(Vth4)이하의 전압)이 인가되는지를 확인하여 접지 단락 고장의 발생 여부를 확인할 수 있다. 본 명세서에서는 풀다운 저항(152)를 플로팅 시키는 경우를 “해제한다”라고 표현하도록 한다.In this case, the potential of the sensor input node 215 becomes the ground voltage, that is, 0 V, and a voltage very close to the ground voltage is applied to the input of the analog-to-digital converter 122. Therefore, after the pull-down resistor 152 is released, it is checked whether a voltage close to the ground voltage (voltage lower than the fourth threshold voltage Vth4 in FIG. 3) is applied to the analog-to-digital converter 122, Can be confirmed. In the present specification, the case of floating the pull-down resistor 152 is referred to as " releasing ".

도 2(b)는 5V 전원 단락 고장(220)을 나타낸 도면이다. 5V 전원 단락 고장(220)은 저항성 센서(110)-제어기(100) 사이의 배선과 전원 IC에서 생성한 5V 전원이 단락되는 고장을 말하며, 접지 단락 고장의 경우와 같이 다양한 이유로 고장이 발생할 수 있다. FIG. 2 (b) shows a 5V power short circuit failure 220. FIG. The 5V power short circuit 220 indicates a short circuit between the wiring between the resistive sensor 110 and the controller 100 and the 5V power generated by the power IC and may cause a failure for various reasons such as a short circuit failure .

이 경우, 센서 입력 노드(215)의 전위는 5V가 된다. 고장 진단 모드에서 풀다운 저항(152)를 접지와 연결시킨 상태에서 즉, 풀다운 저항(152)을 형성시킨 상태에서 아날로그-디지털 변환기(122)로 전위를 측정한다. 고장 진단 모드에서 아날로그-디지털 변환기(122)의 입력부에는 풀업 저항(130), 입력 저항(140) 및 풀다운 저항(152)으로 형성되는 전압 분배 회로에서 풀다운 저항(152)에 걸리는 전압이 인가되게 된다. 고장 진단모드에서 고장이 일어나지 않은 경우에는 저항성 센서(110)의 저항도 영향을 주기 때문에 5V 전원 단락 고장의 경우보다는 낮은 전압이 걸리게 된다.In this case, the potential of the sensor input node 215 becomes 5V. In the failure diagnosis mode, the pull-down resistor 152 is connected to the ground, that is, the pull-down resistor 152 is formed, and the potential is measured by the analog-to-digital converter 122. In the fault diagnosis mode, a voltage across the pull-down resistor 152 is applied to the input of the analog-to-digital converter 122 in the voltage divider circuit formed by the pull-up resistor 130, the input resistor 140 and the pull-down resistor 152 . If the failure does not occur in the failure diagnosis mode, the resistance of the resistance sensor 110 is also affected, so that the voltage is lower than that of the failure of the 5V power short circuit.

따라서, 고장이 일어나지 않은 경우에는 도 3의 제 3 임계 전압(Vth3)과 제 4 임계 전압(Vth4) 사이의 전압이 아날로그-디지털 변환기(122)에 인가되게 되며, 5V 전원 단락 고장의 경우에는 도 3의 제 1 임계 전압(Vth1)과 제 2 임계 전압(Vth2) 사이의 전압이 인가되게 된다. 이 경우, 제 1 임계 전압(Vth1), 제 2 임계 전압(Vth2), 제 3 임계 전압(Vth3) 및 제 4 임계 전압(Vth4)은 전압이 높은 것부터 낮은 것으로 순서대로 나열된 것이다. Therefore, when no failure occurs, a voltage between the third threshold voltage V th3 and the fourth threshold voltage V th4 of FIG. 3 is applied to the analog-to-digital converter 122, and in the case of a 5 V power short- The voltage between the first threshold voltage V th1 and the second threshold voltage V th2 of FIG. 3 is applied. In this case, the first threshold voltage V th1 , the second threshold voltage V th2 , the third threshold voltage V th3 , and the fourth threshold voltage V th4 are listed in order from high voltage to low voltage.

도 2(c)는 배터리 단락(Short Circuit to Battery) 고장(230)을 나타낸 도면이다. 배터리 단락 고장은 배터리 배선와 저항성 센서(110)-제어기(100) 사이의 배선과의 단락 고장을 말하며, 상술한 바와 같이 다양한 이유로 고장이 발생할 수 있다. FIG. 2 (c) is a diagram showing a short circuit to battery failure 230. FIG. The battery short circuit failure refers to a short circuit failure between the battery wiring and the wiring between the resistive sensor 110 and the controller 100. As described above, a failure may occur for various reasons.

이 경우, 센서 입력 노드(215)의 전위는 배터리 전압이 된다. 차량용 배터리 전압은 통상적으로 12V 정도이며, 하이브리드 자동차나 전기 자동차 등에서는 수백 볼트의 높은 전압이 사용될 수도 있다. 배터리 단락 고장은 고장 진단 모드에서 풀다운 저항(152)을 형성시킨 상태에서 아날로그-디지털 변환기(122)로 전위를 측정한다. 고장 진단 모드에서 아날로그-디지털 변환기(122)의 입력부에는 풀업 저항(130), 입력 저항(140) 및 풀다운 저항(152)으로 형성되는 전압 분배 회로에서 풀다운 저항(152)에 걸리는 전압이 인가되게 된다. In this case, the potential of the sensor input node 215 becomes the battery voltage. The vehicle battery voltage is usually about 12 V, and a high voltage of several hundreds of volts may be used in hybrid cars, electric vehicles, and the like. The battery short-circuit failure measures the potential to the analog-to-digital converter 122 with the pull-down resistor 152 formed in the failure diagnosis mode. In the fault diagnosis mode, a voltage across the pull-down resistor 152 is applied to the input of the analog-to-digital converter 122 in the voltage divider circuit formed by the pull-up resistor 130, the input resistor 140 and the pull-down resistor 152 .

배터리 전압은 통상적으로 5V 보다는 높기 때문에, 배터리 단락 고장시 5V 전원 단락 고장보다 높은 전압이 아날로그-디지털 변환기(122)에 인가되게 되며, 예컨대, 도 3의 제 1 임계 전압(Vth1) 이상의 전압이 인가될 수 있다.Since the battery voltage is typically higher than 5V, a voltage higher than the 5V power short circuit failure is applied to the analog-to-digital converter 122 during a battery short fault, for example, a voltage greater than or equal to the first threshold voltage V th1 .

도 4 (d)는 단선(open) 고장(240)을 나타낸 도면이다. 단선(open) 고장(240)은 저항성 센서(110)-제어기(100) 사이의 배선이 단선되는 고장을 말하며, 상술한 바와 같이 다양한 이유로 고장이 발생할 수 있다. 단선 고장은 고장 진단 모드에서 풀다운 저항(152)를 형성시킨 상태에서 아날로그-디지털 변환기(122)로 전위를 측정한다. FIG. 4 (d) is a diagram showing an open fault 240. The open fault 240 refers to a fault in which the wiring between the resistive sensor 110 and the controller 100 is disconnected and a failure may occur for various reasons as described above. The disconnection failure measures the potential to the analog-to-digital converter 122 with the pull-down resistor 152 formed in the failure diagnosis mode.

이 경우, 센서 입력 노드(215)의 전위는 풀업 저항(130), 입력 저항(140) 및 풀다운 저항(152)이 형성하는 전압 분배 회로에서 입력 저항(140) 및 풀다운 저항(152)에 걸리는 전압의 합이 된다. 그리고, 고장 진단 모드에서 아날로그-디지털 변환기(122)의 입력부에는 상술한 전압 분배 회로에서 풀다운 저항(152)에 걸리는 전압이 인가되게 된다. In this case, the potential of the sensor input node 215 is higher than the voltage applied to the input resistor 140 and the pull-down resistor 152 in the voltage dividing circuit formed by the pull-up resistor 130, the input resistor 140 and the pull- . In the failure diagnosis mode, a voltage across the pull-down resistor 152 is applied to the input of the analog-to-digital converter 122 in the voltage divider circuit described above.

단선 고장(240) 시 정상 상태의 신호 범위와 5V 전원 단락 진단 범위의 중간 영역, 도 3의 제 2 임계 전압(Vth2)과 제 3 임계 전압(Vth3) 사이의 전압이 아날로그-디지털 변환기(122)에 인가되게 된다.The voltage between the steady state signal range during the open circuit failure 240 and the middle region between the 5V power short circuit diagnosis range and the second threshold voltage V th2 and the third threshold voltage V th3 in FIG. 122).

이하에서는 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 배터리 단락 진단 방법에 대하여 설명한다. Hereinafter, a battery shortage diagnosis method according to the present invention will be described with reference to FIG.

처음으로 고장을 진단하기 위한 고장 진단 모드를 시작한다(S410). The fault diagnosis mode for diagnosing the fault is started for the first time (S410).

그리고, 풀다운 저항(152)을 해제시킨 후, 접지 단락 고장 여부를 진단한다(S430). 즉, 진단 전압(Vs)(이 경우에는 센서 노드(215)의 전위(Vs))를 측정하여, 제 4 임계 전압(Vth4)과 비교한다. 여기서 진단 전압(Vs)은 입력 저항(140)과 풀다운 저항 형성부(150) 사이의 진단 노드의 전압을 의미한다. Then, after the pull-down resistor 152 is released, diagnosis is made as to whether or not there is a short-circuited fault (S430). That is, the diagnostic voltage V s (the potential V s of the sensor node 215 in this case) is measured and compared with the fourth threshold voltage V th4 . Here, the diagnostic voltage V s means the voltage of the diagnostic node between the input resistor 140 and the pull-down resistor forming unit 150.

센서 노드(215)의 전위(Vs)가 제 4 임계 전압(Vth4)보다 낮은 경우에는 접지 단락 고장으로 진단하고(S470) 고장 모드에 진입할 수 있다. 고장 모드는 예컨대, 차량을 안전하게 정비소까지 이동할 수 있게 하는 모드인 림프홈 모드 등이 될 수 있다. 또는 가장 간략하게는 차량 계기판에 고장 센서와 관련되는 경고등을 점등할 수도 있다.If the potential V s of the sensor node 215 is lower than the fourth threshold voltage V th4 , it is diagnosed as a short-circuit fault (S470), and a failure mode can be entered. The failure mode may be, for example, a limp home mode, which is a mode for safely moving the vehicle to a workshop. Or most simply, a warning light associated with the fault sensor on the vehicle instrument panel.

접지 단락 고장이 아닌 경우에, 풀다운 저항(152)을 형성한다(S440). 즉, 풀 다운 저항(152)를 플로팅된 상태에서 접지와 연결된 상태로 스위치를 제어한다.If not a ground short fault, a pull down resistor 152 is formed (S440). That is, the pull-down resistor 152 is controlled in a floating state while being connected to the ground.

풀다운 저항(152)이 형성된 후, 풀다운 저항(152)에 걸린 전압이 아날로그-디지털 변환기(122)에 입력된다. 도 4에서 Vs는 아날로그-디지털 변환기(122)에 입력되는 전압을 의미하며 풀다운 저항(152) 해제 시에는 센싱 노드(215)의 전위가 되고, 풀다운 저항(152) 형성시에는 풀다운 저항(152)에 걸린 전압을 의미한다. After the pull-down resistor 152 is formed, the voltage across the pull-down resistor 152 is input to the analog-to-digital converter 122. 4, Vs denotes a voltage input to the analog-to-digital converter 122. When the pull-down resistor 152 is released, the voltage Vs is the potential of the sensing node 215. When the pull-down resistor 152 is formed, . ≪ / RTI >

이 때, 아날로그-디지털 변환기(122)에 입력된 진단 전압(Vs)이 어떤 영역에 있는지를 판단한다. 앞서 설명한 바와 같이, 저항성 센서의 고장 진단 장치는 진단 전압(Vs)이 제 1 임계 전압(Vth1) 이상인 경우에 배터리 전원 단락, 제 1 임계 전압(Vth1)과 제 2 임계 전압(Vth2)인 경우에 5V 전원 단락, 제 2 임계 전압(Vth2)과 제 3 임계 전압(Vth3)인 경우에 단선 고장, 제 3 임계 전압(Vth3)과 제 4 임계 전압(Vth4)인 경우에 정상 범위로 판단할 수 있다.At this time, it is determined which region the diagnostic voltage V s input to the analog-to-digital converter 122 is in. , Failure diagnosis apparatus for a resistive sensor diagnostic voltage (Vs) is a first battery power source short circuit if more than a threshold voltage (V th1), the first threshold voltage (V th1) and a second threshold voltage (V th2), as described previously , A short-circuit failure in the case of the second threshold voltage V th2 and the third threshold voltage V th3 , and a short-circuit failure in the case of the third threshold voltage V th3 and the fourth threshold voltage V th4 It can be judged as a normal range.

상술한 제 1 임계 전압(Vth1), 제 2 임계 전압(Vth2), 제 3 임계 전압(Vth3) 및 제 4 임계 전압(Vth4)을 포함하는 진단 영역은 상술한 마이크로프로세서 유닛(120)에 예컨대, 룩업 테이블(Look-up table)의 형태로 저장될 수 있다. 또는 마이크로프로세서 유닛(120)은 판단하는 모듈을 소프트웨어 모듈로 구현하여 저장할 수도 있다. The diagnosis area including the first threshold voltage Vth1 , the second threshold voltage Vth2 , the third threshold voltage Vth3 and the fourth threshold voltage Vth4 is determined by the microprocessor unit 120 For example, in the form of a look-up table. Alternatively, the microprocessor unit 120 may implement and store a module to be determined by a software module.

진단 전압(Vs)이 정상 범위에 있는 경우에는 풀다운 저항을 해제하고 다시 정상 모드로 진입하여 정상적인 동작을 계속할 수 있다. 각종 고장으로 진단된 경우에는 앞서 설명한 바와 같이, 고장 모드로 돌입할 수도 있다.If the diagnostic voltage Vs is in the normal range, the pull-down resistor is released and the normal operation can be continued by entering the normal mode again. In the case of diagnosing various faults, it is possible to enter the fault mode as described above.

따라서, 본 발명에 따르면, 저항성 센서를 사용하는 각종 제어기에서 단락/단선 고장의 원인을 정확하게 알 수 있으며, 이러한 각종 고장의 원인을 파악할 수 있기 때문에 차량 안전의 향상 및 개선에 큰 도움이 될 수 있다.Therefore, according to the present invention, it is possible to accurately identify the cause of the short-circuit / disconnection fault in various controllers using the resistive sensor, and to grasp the cause of such various faults, .

한편, 본 발명의 상세한 설명 및 첨부도면에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명은 개시된 실시예에 한정되지 않고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들을 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and similarities. Accordingly, the scope of the present invention should be construed as being limited to the embodiments described, and it is intended that the scope of the present invention encompasses not only the following claims, but also equivalents thereto.

100: 제어기
110: 저항성 센서
120: 마이크로컨트롤러 유닛
130: 풀업 저항
140: 입력 저항
150: 풀다운 저항 형성부 100:
110: Resistive sensor
120: Microcontroller unit
130: Pullup resistor
140: Input resistance
150: pull-down resistance forming portion

Claims (10)

저항성 센서;
동작 전원과 연결되며 정상 모드에서 상기 저항성 센서와 전압 분배 회로를 형성하는 풀업 저항;
상기 전압 분배 회로의 출력부와 연결되며 마이크로프로세서 유닛의 입력부에 연결되는 입력 저항;
풀다운 저항 및 스위칭부를 포함하며, 상기 입력 저항과 상기 마이크로프로세서 유닛 사이에 연결되며, 상기 마이크로프로세서 유닛에 의하여 선택적으로 접지부와 연결되거나, 플로팅되는 풀다운 저항 형성부를 포함하며,
상기 입력 저항 및 상기 풀다운 저항 사이의 진단 노드에 인가된 진단 전압에 기초하여 상기 저항성 센서 배선의 고장 원인을 판정하도록 구성되는 상기 마이크로프로세서 유닛을 포함하며,
상기 저항성 센서 배선의 고장 원인은, 접지 단락 고장, 배터리 단락 고장, 5V 전원 단락 고장 및 단선 고장을 포함하며,
상기 마이크로프로세서 유닛은 상기 풀다운 저항이 형성된 상태에서 상기 진단 노드의 전압을 측정하여 상기 배터리 단락 고장, 상기 5V 전원 단락 고장 및 상기 단선 고장을 각각 구분하여 진단하는,
저항성 센서 고장 진단 장치.
Resistive sensor;
A pull-up resistor connected to the operating power source and forming a voltage divider circuit with the resistive sensor in a normal mode;
An input resistor coupled to an output of the voltage divider circuit and coupled to an input of the microprocessor unit;
And a pull-down resistor forming part connected between the input resistor and the microprocessor unit and selectively connected to the ground or floated by the microprocessor unit,
And a microprocessor unit configured to determine a cause of the fault in the resistive sensor wiring based on a diagnostic voltage applied to a diagnostic node between the input resistor and the pull-
The cause of failure of the resistive sensor wiring includes a ground short fault, a battery short fault, a 5V power short fault,
Wherein the microprocessor unit measures the voltage of the diagnostic node in a state in which the pull-down resistor is formed to separately diagnose the battery short circuit fault, the 5V power supply short circuit breakdown,
Resistive sensor fault diagnosis device.
제 1 항에 있어서,
상기 풀다운 저항 형성부는 상기 스위칭부를 상기 마이크로프로세서 유닛의 제어에 의하여 온(On)시켜서 상기 풀다운 저항과 상기 접지부를 연결시키거나, 또는 상기 스위칭부를 상기 마이크로프로세서 유닛의 제어에 의하여 오프 (Off)시켜서 상기 풀다운 저항을 플로팅시키는,
저항성 센서 고장 진단 장치.
The method according to claim 1,
The pull-down resistor forming part turns on the switching part by the control of the microprocessor unit to connect the pull-down resistor and the ground part, or turns off the switching part by the control of the microprocessor unit, Floating resistor to float,
Resistive sensor fault diagnosis device.
제 2 항에 있어서,
상기 스위칭부는 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) 트랜지스터로 구현되는,
저항성 센서 고장 진단 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the switching unit is implemented as a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)
Resistive sensor fault diagnosis device.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 마이크로프로세서 유닛은 상기 풀다운 저항이 해제된 상태에서 상기 진단 노드의 전압을 측정하여 상기 접지 단락 고장을 진단하도록 구성되는,
저항성 센서 고장 진단 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the microprocessor unit is configured to diagnose the ground short fault by measuring a voltage of the diagnostic node with the pull-
Resistive sensor fault diagnosis device.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 마이크로프로세서 유닛은 제 1 임계 전압, 제 2 임계 전압, 제3 임계 전압, 및 제 4 임계 전압을 포함하는 진단 영역에 대한 정보를 저장하며,
상기 제 1 임계 전압, 상기 제 2 임계 전압, 상기 제3 임계 전압, 상기 제 4 임계 전압은 순서대로 높은 전압을 가지며,
상기 마이크로프로세서 유닛은,
상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 1 임계 전압 이상인 경우, 상기 배터리 단락 고장으로 판단하고,
상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 1 임계 전압과 상기 제 2 임계 전압 사이인 경우에는 상기 5V 전원 단락 고장으로 판단하고,
상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 2 임계 전압과 상기 제 3 임계 전압 사이인 경우에는 상기 단선 고장으로 판단하고,
상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 3 임계 전압과 상기 제 4 임계 전압 사이인 경우에는 정상으로 판단하고,
상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 4 임계 전압 이하인 경우에는 상기 접지 단락 고장으로 판단하도록 구성되는,
저항성 센서 고장 진단 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the microprocessor unit stores information about a diagnostic region including a first threshold voltage, a second threshold voltage, a third threshold voltage, and a fourth threshold voltage,
Wherein the first threshold voltage, the second threshold voltage, the third threshold voltage, and the fourth threshold voltage have a high voltage in order,
Wherein the microprocessor unit comprises:
When the voltage applied to the diagnostic node is equal to or greater than the first threshold voltage,
If the voltage applied to the diagnostic node is between the first threshold voltage and the second threshold voltage,
If the voltage applied to the diagnostic node is between the second threshold voltage and the third threshold voltage,
If the voltage applied to the diagnostic node is between the third threshold voltage and the fourth threshold voltage,
And if the voltage applied to the diagnostic node is equal to or less than the fourth threshold voltage,
Resistive sensor fault diagnosis device.
제 7 항에 있어서,
상기 마이크로프로세서 유닛은 상기 제 1 임계 전압, 상기 제 2 임계 전압, 상기 제3 임계 전압, 상기 제 4 임계 전압을 포함하는 진단 영역을 저장하도록 구성되는,
저항성 센서 고장 진단 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the microprocessor unit is configured to store a diagnostic region comprising the first threshold voltage, the second threshold voltage, the third threshold voltage, and the fourth threshold voltage,
Resistive sensor fault diagnosis device.
제 1 항의 저항성 센서 고장 진단 장치에서,
상기 풀다운 저항을 해제하고 상기 진단 노드의 전압을 측정하여 접지 단락 고장 여부를 판별하는 단계;
상기 풀다운 저항을 형성하는 단계;
상기 진단 노드의 전압을 측정하여 배터리 단락 고장, 5V 전원 단락 고장 및 단선 고장을 각각 구분하여 진단하는 단계를 포함하는,
저항성 센서 고장 진단 방법.
In the resistive sensor fault diagnosis apparatus according to claim 1,
Releasing the pull-down resistor and measuring a voltage of the diagnostic node to determine whether or not a short-circuit fault has occurred;
Forming the pull-down resistor;
And diagnosing each of the battery short-circuit fault, the 5-V power short-circuit fault, and the single-wire fault by measuring the voltage of the diagnosis node,
Fault diagnosis method for resistive sensors.
제 9 항에 있어서,
상기 마이크로프로세서 유닛은 제 1 임계 전압, 제 2 임계 전압, 제3 임계 전압, 및 제 4 임계 전압을 포함하는 진단 영역에 대한 정보를 저장하며,
상기 제 1 임계 전압, 상기 제 2 임계 전압, 상기 제3 임계 전압, 상기 제 4 임계 전압은 순서대로 높은 전압을 가지며,
상기 마이크로프로세서 유닛은,
상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 1 임계 전압 이상인 경우, 상기 배터리 단락 고장으로 판단하고,
상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 1 임계 전압과 상기 제 2 임계 전압 사이인 경우에는 상기 5V 전원 단락 고장으로 판단하고,
상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 2 임계 전압과 상기 제 3 임계 전압 사이인 경우에는 상기 단선 고장으로 판단하고,
상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 3 임계 전압과 상기 제 4 임계 전압 사이인 경우에는 정상으로 판단하고,
상기 진단 노드에 인가된 전압이 상기 제 4 임계 전압 이하인 경우에는 상기 접지 단락 고장으로 판단하도록 구성되는,
저항성 센서 고장 진단 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the microprocessor unit stores information about a diagnostic region including a first threshold voltage, a second threshold voltage, a third threshold voltage, and a fourth threshold voltage,
Wherein the first threshold voltage, the second threshold voltage, the third threshold voltage, and the fourth threshold voltage have a high voltage in order,
Wherein the microprocessor unit comprises:
When the voltage applied to the diagnostic node is equal to or greater than the first threshold voltage,
If the voltage applied to the diagnostic node is between the first threshold voltage and the second threshold voltage,
If the voltage applied to the diagnostic node is between the second threshold voltage and the third threshold voltage,
If the voltage applied to the diagnostic node is between the third threshold voltage and the fourth threshold voltage,
And if the voltage applied to the diagnostic node is equal to or less than the fourth threshold voltage,
Fault diagnosis method for resistive sensors.
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