KR101680721B1 - 포토리소그래픽 패턴 형성 방법 - Google Patents

포토리소그래픽 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

네가티브 톤(tone) 현상 공정을 이용하여 포토리소그래픽 패턴을 형성하는 방법이 제공된다. 또한 상기 방법에 의해 형성된 코팅된 기판 및 전자 장비가 제공된다. 본 방법은 특히 전자 장비의 제조에 적용가능하다.

Description

포토리소그래픽 패턴 형성 방법{METHODS OF FORMING PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERNS}
본 발명은 일반적으로 전자 장비의 제조에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 특정 유기 물질을 현상제로서 사용하며 네거티브 톤 (negative tone) 현상 공정을 사용하여 미세 패턴을 형성하는 포토리소그래픽 공정에 관한 것이다.
반도체 제조 산업분야에서, 포토레지스트 물질은 이미지를 반도체 기판 자체 뿐 아니라 상기 기판 상에 증착된 하나 이상의 하부층, 예컨대 금속, 반도체 또는 유전체층에 전달하는데 사용된다. 반도체 장비의 통합 밀도(integration density)를 증가시키고, 나노미터(nm) 범위의 치수를 갖는 구조의 형성을 위하여, 포토레지스트 및 포토리소그래피 공정 툴은 고해상능을 가지도록 개발되어 왔다.
반도체 장비에서 nm-스케일 크기를 달성하기 위한 접근법 중 하나는 예컨대 193 nm 이하의 단파장의 광선을 화학 증폭 포토레시스트 노광 동안 사용하는 것이다. 이머젼 리소그래피(Immersion lithography)는 효과적으로 KrF 또는 ArF 광원을 갖는 스케너와 같은 이미징 장비의 렌즈의 개구수(NA)를 증가시킨다. 이는 비교적 높은 굴절률을 갖는 유액(예, 이머전 액)을 이미징 장비의 최표면과 반도체 웨이퍼의 상부 표면 사이에 사용함으로써 달성된다. 이머젼액은 공기나 불활성 기체 매질을 사용하였을 때보다 더 많은 양의 광선이 레지스트층에 집중되도록 한다. 물을 이머젼액으로 사용하는 경우, 최대 개구수는 예를 들어 1.2에서 1.35로 증가할 수 있다. 이러한 개구수의 증가와 함께, 단일 노광 공정 동안 40 nm 하프-피치 해상도(40 nm half-pitch resolution)를 달성할 수 있으며, 이로써 디자인 수축(design shrink)이 개선될 수 있다. 그러나 이러한 표준 이머젼 리소그래피 공정은 일반적으로 더 큰 정도의 해상도, 예컨대 32　nm 및 22　nm 하프-피치 노드를 위한 해상도를 필요로 하는 장비의 제조에는 적합하지 않다.
기존 장비툴의 해상도를 더 높이면서 성능을 증대시키려는 노력으로, 이중-패턴화(피치 스플리팅으로 지칭되기도 함)와 같은 진전된 패턴화 기술이 제안되었다. 그러나 다양한 이중-패턴화 기술은 여러 가지 문제점이 있는데, 예컨대 웨이퍼를 포토리소그래피와 에칭 프로세싱 모듈 사이에 앞뒤로 이동시키는 것, 및 에칭과 레지스트 이동 공정 자체에 기인하는 오염 및 결함의 증가; 공정 단계수 증가로 인한 생산량 감소; 및 지나치게 높은 레지스트 경화 온도에 따른 레지스트 패턴 변형을 들 수 있다.
미세 리소그래피 패턴을 얻는 또 다른 패턴화 기술은 전통적인 포지티브-타입의 화학증폭 포토레지스트에 네거티브 톤 현상을 사용하는 것이다. 이러한 레지스트는 일반적으로 산-불안정성 그룹을 갖는 수지 및 광산(photoacid) 발생제를 사용한다. 화학 조사선(actinic radiation)에 노광하면 산 발생제가 산을 발생하고 이 산은 노광-후 베이킹 동안 수지내 산-불안정성 그룹의 절단을 유발한다. 이는 레지스트의 노광 및 비노광 영역 간 용해 특성의 변화를 초래한다. 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)와 같은 수성 알칼리 현상제를 사용한 종래의 현상 공정에서, 레지스트의 노광 영역은 현상제에 용해되며 기판 표면에서 제거되는 반면, 비노광 영역은 현상제에 불용성이기 때문에, 현상 후에도 남아 포지티브 이미지를 형성한다. 네거티브 톤 현상에서는, 특정 유기용매 내에서 현상함으로써 전통적으로 포지티브-타입의 레지스트로부터 네거티브 이미지를 얻을 수 있다. 이러한 공정은 예를 들면 미국 특허 제 6,790,579호 (Goodall 등)에 기재되어 있다. 이 문헌은 산-발생 개시제 및 폴리머 백본을 따라 순환 산불안정 펜던트기를 함유하는 폴리사이클릭 폴리머를 포함하는 포토레지스트 조성물을 개시하고 있다. 알칼리 현상제로 노광 영역을 선택적으로 제거하거나, 또는 네거티브 톤 현상에 사용되는 적합한 비극성 용매로 비노광 영역을 처리하여 이를 선택적으로 제거할 수 있다.
현재 네거티브 톤 현상을 위해 제안되는 현상제는 n-부틸 아세테이트 (NBA)이다. 그러나 이 물질의 사용은 여러 이유에서 바람직하지 않다. 먼저, 안정성의 측면에서, NBA는 22℃의 비교적 낮은 인화점을 갖는 점에서 문제가 있는데, 일반적으로 공정 장치들이 용매 증기-공기 혼합물을 점화시키는 전기적 또는 정전기적 스파크를 생성시킬 수 있는 이동하는 기계적 전기적 부품을 가지므로 화재나 폭발 위험이 크다. 또한, NBA를 사용할 경우 노광 위도(exposure latitude)가 비교적 낮아 원하는 공정 윈도우(processing window)보다 적은 범위를 제공하는 것으로 밝혀졌다.
이상에서 본 바와 같이 현 기술의 여러 문제점을 해결하고, 전자 장비 가공에서 미세 패턴을 형성할 수 있는, 포토리소그래픽 패턴화 공정을 위한 기술이 요구된다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 포토리소그래픽 패턴을 형성하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 (a) 패턴화될 하나 이상의 층을 표면상에 포함하는 기판을 제공하는 단계; (b) 산 절단성 그룹을 포함하는 수지 및 산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물 층을 패턴화될 하나 이상의 층 상에 도포하는 단계; (c) 포토레지스트 조성물 층을 화학조사선에 노광시켜 패턴화하는 단계; 및 (d) 현상제를 포토레지스트 조성물 층에 도포하는 단계를 포함하며, 이때 포토레지스트 층의 비노광 부분은 현상제로 제거되어 하나 이상의 패턴화될 층상에 포토레지스 패턴이 남게 된다. 현상제는 2-헵타논 및/또는 5-메틸-2-헥사논을 포함한다.
추가적인 측면에 따라, 전술한 방법으로 형성된 전자 장비가 제공된다.
추가적인 측면에 따라 코팅된 기판이 제공된다. 코팅된 기판은 하나 이상의 패턴화될 층을 표면상에 포함하고 있는 기판; 하나 이상의 패턴화될 기판상에 위치하는, 산절단성 그룹을 포함하는 수지 및 산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물의 노광층; 및 포토레지스트 조성물의 노광층과 접촉하는 현상제 용액을 포함하며, 이 때, 현상제는 2-헵타논 및/또는 5-메틸-2-헥사논을 포함한다.
본 발명은 후술하는 도면을 참조하여 더욱 자세히 설명되며, 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 특징 요소를 나타낸다.
도 1a 내지 1e는 본 발명의 제1 예시적 측면에 따라 포토리소그래픽 패턴을 형성하는 공정 흐름을 도시한 것이다.
도 2a 내지 2f는 본 발명의 추가적인 예시적 측면에 따라, 이중 노광에 의해 포토리소그래픽 패턴을 형성하는 공정 흐름을 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 패턴화된 기판의 평면도이다.
도 4는 실시예에 기술된 바와 같이 형성된 패턴화된 기판의 탑다운(top-down) SEM 현미경사진을 나타낸다.
이하, 본 발명이 본 발명에 따라 네거티브 톤 현상에 의해 포토리소그래피 패턴을 형성하기 위한 제1 예시 공정 흐름을 보여주는 도 1A 내지 E를 참조로 하여 기술될 것이다.
도 1A는 다양한 층 및 피처를 포함할 수 있는 기판 (100)의 단면을 나타낸다. 기판은 반도체, 예컨대 실리콘 또는 화합물 반도체 (예: III-V 또는 II-VI), 유리, 석영, 세라믹, 구리 등의 물질로 이루어질 수 있다. 전형적으로, 기판은 반도체 웨이퍼, 예컨대 단결정 실리콘 또는 화합물 반도체 웨이퍼이며, 그의 표면상에 형성된 하나 이상의 층 및 패턴화된 피처를 가질 수 있다. 패턴화될 하나 이상의 층 (102)이 기판　(100) 위에 제공될 수 있다. 임의로는 예를 들어, 기판 물질에 트렌치(trenche)를 형성하는 것이 요구되는 경우, 하부 베이스 기판 물질 자체가 패턴화될 수 있다. 베이스 기판 물질 자체가 패턴화되는 경우, 패턴은 기판층에 형성되도록 고려될 것이다.
층은, 예를 들어, 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 탄탈룸, 티탄, 텅스텐, 합금, 이들 금속의 질화물 또는 규화물, 도핑된 무정형 실리콘 또는 도핑된 폴리실리콘 층과 같은 하나 이상의 전도층, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 옥시질화물, 또는 금속 산화물 층과 같은 하나 이상의 유전체 층, 반도체 층, 예컨대 단결정 실리콘, 및 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 에칭층은 다양한 기술, 예를 들면, 플라즈마 촉진 CVD, 저압 CVD 또는 에피택셜(epitaxial) 성장과 같은 화학증착(CVD), 스퍼터링 또는 증발과 같은 물리적 증착(PVD), 또는 전기도금으로 형성될 수 있다. 에칭될 하나 이상의 층 (102)의 특정 두께는 재료 및 형성할 특정 장치에 따라 달라질 것이다.
에칭될 특정 층, 막 두께 및 사용되는 포토리소그래피 물질 및 공정에 따라서, 층 (102) 상에 하드마스크 층 (104) 및/또는 포토레지스트 층 (108)이 위에 코팅되는 하부 반사방지 코팅 (BARC) (106)이 배치될 수 있다. 에칭될 층이 상당한 에칭 깊이를 필요로 하고/하거나 특정 에칭제의 레지스트 선택성이 좋지 않을 경우 에는, 예를 들어 매우 얇은 레지스트 층의 하드마스크 층 (104)을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 하드마스크 층을 사용할 경우, 형성될 레지스트 패턴을 하드마스크 층으로 전사시킨 후에, 에칭 하부 층　(102)용 마스크로 사용할 수 있다. 적절한 하드마스크 물질 및 형성방법은 업계에 공지되었다. 전형적인 물질로는 예를 들어, 텅스텐, 티탄, 티탄 질화물, 티탄 산화물, 자르코늄 산화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 옥시질화물, 하프늄 산화물, 무정형 탄소, 실리콘 옥시질화물 및 실리콘 질화물을 들 수 있다. 하드마스크 층 (104)은 상이한 물질의 단일층 또는 다수의 층을 포함할 수 있다. 하드마스크 층은, 예를 들어, 화학 또는 물리적 증착 기술로 형성될 수 있다.
포토레지스트 노광동안 기판 및/또는 하부 층이 상당량의 입사 조사선을 반사하여 형성 패턴의 질에 불리한 영향을 준다면 하부 반사방지 코팅 (106)이 요구될 수 있다. 이러한 코팅은 초점 깊이, 노출 관용도, 선폭 균일도 및 CD 제어를 향상시킬 수 있다. 레지스트가 심자외선(300 nm 이하), 예를 들어, KrF 엑시머 레이저 광(248 nm) 또는 ArF 엑시머 레이저 광(193 nm)에 노광되는 경우, 반사방지 코팅이 전형적으로 사용된다. 반사방지 코팅 (106)은 단일층 또는 다수의 상이한 층을 포함할 수 있다. 적합한 반사방지 물질 및 형성방법은 업계에 공지되었다. 반사방지 물질은, 예를 들어 롬앤드하스 일렉트로닉 머티리얼사(Rohm and Haas Electronic Materials LLC, Marlborough, MA USA)에서 ARTM 등록상표로 시판되고 있는 것, 예컨대 ARTM40A 및 ARTM124 반사방지 물질과 같이 상업적으로 입수할 수 있다.
포토레지스트 조성물을 반사방지 층 (106)(존재할 경우) 위 기판상에 도포하여 포토레지스트 층　(108)을 형성한다. 포토레지스트 조성물은 광산 발생제 및 산 절단성 그룹을 포함하는 수지를 포함한다. 포토레지스트 조성물은 전형적으로 수성 알칼리 현상제에서 현상되는 경우 포지티브-작용성 물질이지만, 특정 유기 현상제에서 현상되는 경우에는 네거티브-작용성 물질이다. 적합한 포토레지스트 물질은 언계에 공지되었으며, 예를 들면, 아크릴레이트, 노볼락 및 실리콘 화학을 기반으로 한 것을 포함한다. 적절한 레지스트가 예를 들어, 미국 출원 공보 제US20090117489 A1호, US20080193872 A1호, US20060246373 A1호, US20090117489 A1호, US20090123869 A1호 및 미국 특허 제 7,332,616호에 기술되었다. 적합한 물질은 레지스트 코팅층의 노광 영역이 비노광 영역보다 수성 현상제에 더 잘 용해되도록 조성물의 하나 이상의 성분에서 산 불안정성 그룹이 광산-촉진된 탈보호 반응을 겪은 화학적으로 증폭된 포토레지스트를 포함한다. 포토레지스트 수지의 전형적인 광산-불안정성 그룹은 삼차 비사이클릭 알킬 탄소 (예: t-부틸) 또는 삼차 지환식 탄소 (예: 메틸아다만틸)가 에스테르의 카복실 산소에 공유적으로 결합되어 있는 에스테르 그룹을 포함한다. 아세탈 광산-불안정성 그룹이 또한 전형적이다.
제1 광감성 조성물의 수지는 바람직하게는 레지스트 조성물에 알칼리성 수성 현상성을 부여하는 작용성 그룹을 가진다. 예를 들면, 하이드록실 또는 카복실레이트와 같은 극성 작용성 그룹을 가지는 수지 결합제가 대표적이다. 수지 성분은 조성물중에 유기 현상제 용액에서 비노광 영역이 현상될 수 있도록 하기에 충분한 양으로 사용된다. 수지 성분은 전형적으로 레지스트 총 고체의 약 70 내지 약 97 wt%로 포함된다.
감광성 조성물은 활성화 조사선에 노광시 조성물의 코팅층에 잠상을 발생하기에 충분한 양으로 사용되는 광산 발생제(PAG)를 추가로 포함한다. 예를들어, 광산 발생제는 레지스트 총 고체의 약 1 내지 20 wt%의 양으로 적절히 존재할 것이다. 적합한 PAG는 화학 증폭형 포토레지스트 업계에 알려져 있으며, 예를 들면 오늄염, 이를테면 트리페닐 설포늄염, 니트로벤질 유도체, 설폰산 에스테르, 디아조메탄 유도체, 글리옥심 유도체, N-하이드록시이미드 화합물의 설폰산 에스테르 유도체 및 할로겐-함유 트리아진 화합물을 포함한다.
포토레지스트 조성물은 그밖에 현상된 레지스트 릴리프 이미지의 해상성을 향상시킬 수 있는 첨가 염기, 특히 테트라부틸암모늄 수산화물(TBAH), 또는 테트라부틸암모늄 락테이트를 추가로 포함할 수 있다. 193 nm에서 이미지화되는 레지스트의 경우, 전형적인 첨가 염기는 디아자비사이클로 운데센 또는 디아자비사이클로노넨과 같은 입체장해 아민이다. 첨가 염기는 비교적 소량, 예를 들면 총 고체에 대해 약 0.03 내지 5 wt%의 양으로 적절히 사용된다.
본 발명의 방법에서 사용되는 포토레지스트는 또한 계면활성제를 포함할 수 있다. 전형적인 계면활성제는 양쪽성 성질을 나타내는 것들을 포함하며, 이들은 동시에 친수성과 소수성일 수 있다는 의미이다. 양쪽성 계면활성제는 물에 대한 강한 친화성을 가지는 친수성의 상단 그룹 또는 그룹들과, 친유기성이고 물과 반발하는 소수성의 긴 말단을 포함한다. 적합한 계면활성제는 이온성(즉, 음이온성, 양이온성)이거나 비이온성일 수 있다. 계면활성제의 다른 예로는, 실리콘 계면활성제, 폴리(알킬렌 옥사이드) 계면활성제, 및 플루오로케미칼 계면활성제 등이 있다. 수용액에서 사용하기 위한 적합한 비이온성 계면활성제로는, 제한적인 것은 아니나, 옥틸 및 노닐 페놀 에톡실레이트, 예를 들면 TRITON® X-114, X-100, X-45, X-15 및 측쇄 2차 알콜 에톡실레이트, 예를 들면 TERGITOLTM TMN-6 (The Dow Chemical Company, Midland, Michigan USA) 등이 있다. 또다른 계면활성제의 예로는 알콜(1차 및 2차) 에톡실레이트, 아민 에톡실레이트, 글루코시드, 글루카민, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리(에틸렌 글리콜-코-프로필렌 글리콜) 또는 제조업체인 Confectioners Publishing Co. of Glen Rock, N.J에서 간행한 McCutcheon's Emulsifiers and Detergents, North American Edition for the Year 2000에 기술된 다른 계면활성제 등이 있다.
아세틸렌 디올 유도체인 비이온성 계면활성제가 또한 적합할 수 있으며, 다음 화학식의 계면활성제를 포함한다:
Figure 112011016153372-pat00001
상기 식에서, R1 및 R4는 3개 내지 10개의 탄소원자를 가지는 직쇄 또는 측쇄 알킬 사슬이고; R2 및 R3는 H이거나 또는 1개 내지 5개의 탄소원자를 적합하게 가지는 알킬 사슬이고; m, n, p, 및 q는 0 내지 20까지의 수이다. 이러한 계면활성제는 상표명 SURFYNOL® 및 DYNOL®의 제품으로 Air Products and Chemicals, Inc.(Allentown, Pa.)로부터 구매할 수 있다.
또다른 적합한 계면활성제로는 기타 폴리머성 화합물, 예를 들면 트리-블록 EO-PO-EO 코폴리머 PLURONIC® 25R2, L121, L123, L31, L81, L101 및 P123 (BASF, Inc.) 등이 있다.
포토레지스트는 추가적인 임의의 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 다른 임의의 첨가물로는 찰흔 방지제, 가소제 및 속도 강화제 등이 있다. 이러한 임의의 첨가제는 전형적으로 포토레지스 조성물 중에 소량으로 존재하게 되며, 상대적으로 많은 농도, 예를 들면 레지스트 건조 성분의 전체 중량에 대해 약 0.1 내지 10 중량%의 양으로 존재할 수 있는 충전제와 염료는 예외이다.
본 발명에서 유용한 포토레지스트는 일반적으로 공지된 방법에 따라 제조된다. 예를 들면, 포토레지스트 성분을 적합한 용매에 용해하여 레지스트를 코팅 조성물로서 제조할 수 있으며, 상기 적합한 용매로는 글리콜 에테르, 예를 들면 2-메톡시에틸 에테르(디글라임), 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트; 락테이트, 예를 들면 에틸 락테이트 또는 메틸 락테이트; 프로피오네이트, 특히 메틸 프로피오네이트, 에틸 프로피오네이트 및 에틸 에톡시 프로피오네이트; 셀로솔브 에스테르, 예를 들면 메틸 셀로솔브 아세테이트; 방향족 탄화수소, 예를 들면 톨루엔 또는 자일렌; 또는 케톤, 예를 들면 메틸에틸 케톤, 시클로헥사논 및 2-헵타논 등이 있다. 전형적으로 포토레지스트의 고체 함량은 포토레지스트 조성물 전체 중량에 대하여 약 2 내지 25중량%의 범위이다. 또한 이러한 용매들의 블렌드가 적합하다.
본 발명의 방법은 다양한 이미지 파장, 예를 들면 400 nm 이하, 300 nm 이하 또는 200 nm 이하의 노광 파장을 가지는 조사선, I-line (365 nm), 248　nm 및 193 nm인 전형적인 노광 파장, 및 EUV (13.5 nm) 및 157 nm 등과 함께 사용될 수 있다. 예시적 측면에서, 포토레지스트는 200 nm 이하의 파장, 예를 들면 193 nm를 사용하여 이미지화하는데 적합하다. 이러한 파장에서, 액침 공정이 사용되지 않을 수도 있지만 액침 리소그래피의 사용이 전형적이다. 액침 리소그래피에서, 약 1 내지 약 2의 굴절률을 가지는 액체(즉, 액침액)가 노광하는 동안 노광 도구와 포토레지스트 층 사이에서 유지된다. 탑코트(topcoat)층은 액침액과 포토레지스트층 간의 직접적인 접촉을 방지하기 위해 전형적으로 포토레지스트층 위에 위치되어 포토레지스트의 성분이 액침액으로 침출되지 않게 한다.
포토레지스트 조성물을 스핀 코팅, 딥핑, 롤러 코팅 또는 다른 종래의 코팅 기술에 의해 기판에 도포할 수 있다. 이들 중 스핀 코팅이 전형적이다. 스핀 코팅에 있어서는, 코팅용액의 고체 함량을 조절하여 사용된 특정 코팅 장비, 용액의 점도, 코팅 도구의 스피드 및 스피닝에 허용되는 시간 등에 따라 원하는 필름 두께를 제공할 수 있다. 포토레지스트층(108)의 전형적인 두께는 약 500 내지 1500 Å이다. 다음으로, 포토레지스트층을 소프트베이크하여 층 내의 용매량을 최소화하여, 택프리(tack-free) 코팅을 형성하고 기판에 상기 층의 접착을 개선한다. 소프트베이크는 핫플레이트 또는 오븐에서 실시될 수 있으며, 핫플레이트가 전형적이다. 소프트베이크 온도와 시간은, 예를 들면 포토레지스트의 특정 물질과 두께에 따라 달라질 수 있다. 전형적인 소프트베이크는 약 90 내지 150 ℃와 약 30 내지 90 초 동안 실시된다.
포토레지스트층(108)이 액침 리소그래피 도구, 예를 들면 193 nm 액침 스캐너와 노광되는 것이라면, 탑코트층(나타내지 않음)을 포토레지스트층(108) 상에 배치할 수 있다. 이러한 탑코트층을 사용하여 액침액과 하부 포토레지스트층 사이에 배리어로서 작용할 수 있다. 이러한 방법으로, 광학 렌즈의 오염과, 효과적인 굴절률 및 액침액의 전달 특성의 변화를 야기할 수 있는 포토레지스트 조성물 성분의 액침액으로의 침출을 최소화하거나 피할 수 있다. 적합한 탑코트 조성물은, 예를 들면 OPTICOATTM 탑코트 물질, 예를 들면 OCTM 2000(Rohm and Haas Electronic Materials) 등을 상업적으로서 구입할 수 있으며, 이외에, 예를 들면 미국 특허출원 공개 제2006/0246373A1호 및 2009년 12월 31일자로 출원된 미국 가특허출원 제12/655,598호에 기술되어 있는 것 등이 당분야에 알려져 있다. 이러한 조성물들은 포토레지스트 조성물과 관련하여 상기에서 기술된 바와 같은 적합한 방법으로 포토레지스트층에 도포할 수 있으며, 스핀 코팅이 전형적이다. 탑코트층의 두께는 전형적으로 λ/4n(또는 그의 홀수 배수(odd multiple))이며, 여기에서 λ는 노광 조사의 파장이며, n은 탑코트층의 굴절률이다. 탑코트층이 존재하면, 포토레지스트층(108)은 탑코트 도포 전 보다는 오히려 탑코트층 조성물을 도포한 후에 소프트베이크할 수 있다. 이러한 방법으로 두개 층의 용매를 하나의 열처리 단계로 제거할 수 있다.
포토레지스트 층 (108)은 이어서 제1 포토마스크 (112)를 통해 활성 조사선 (110)에 노광되어 노광 영역와 비노광 영역 간의 용해도의 차이를 발생시킨다. 포토마스크는 광학적으로 투명한 영역 및 광학적으로 불투명한 영역 (113, 114)을 가지는데, 이들은 각각 이후의 현상 단계에서 감광성 층의 잔류하는 영역 및 제거되는 영역에 대응한다. 노광 에너지는 노광 도구 및 감광성 조성물의 성분에 좌우되며, 전형적으로 약 20 내지 80 mJ/cm2이다. 여기서, 포토레지스트 조성물을 상기 조성물을 활성화시키는 조사선에 노광시키는 것은 상기 조사선이 포토레지스트 조성물의 잠재적 이미지를 형성할 수 있다는 것을 의미한다. 감광성 조성물은 전형적으로, EUV (13.5 nm) 및 157　nm 뿐만 아니라, 전형적인 노광 파장인 I-선(365 nm), 248　nm 및 193 nm과 함께, 짧은 노광 파장, 특히 서브-400 nm, 서브-300 또는 서브-200 nm 노광 파장에 의해 광활성화된다.
도 1B에 나타난 바와 같이, 노광된 레지스트 층은 비노광 영역 및 노광 영역 (108a) 및 (108b)로 구성된다. 포토레지스트 층 (108)의 노광에 이어서, 노광후 베이크(post-exposure bake, PEB)가 전형적으로 상기 층의 연화점보다 높은 온도에서 수행된다. PEB는, 예를 들어 열판 상 또는 오븐 내에서 수행될 수 있다. PEB를 위한 조건은, 예를 들어 포토레지스트 층의 특정 물질 및 두께에 좌우된다. PEB는 전형적으로 약 80 내지 150℃의 온도에서 약 30 내지 90초의 시간 동안 수행된다.
노광된 포토레지스트 층은 이어서 현상되어 비노광 영역 (108a)를 제거하고, 노광 영역 (108b)를 남겨 도 1C에 나타난 바와 같은 레지스트 패턴을 형성한다. 현상제는 2-헵타논, 5-메틸-2-헥사논 또는 이들의 조합을 포함한다. 2-헵타논 및 5-메틸-2-헥사논은 각각 39℃ 및 40℃의 상대적으로 높은 인화점을 가지며, 이로 인해 n-부틸 아세테이트와 같은 물질의 가연성과 관련된 문제점을 회피한다. 현상제는 2-헵타논 또는 5-메틸-2-헥사논, 또는 이들 물질 중 어느 하나 또는 양자 모두와 다른 현상제 및/또는 첨가제와의 조합의 형태를 취할 수 있다. 상기 2-헵타논 또는 5-메틸-2-헥사논은 실질적으로 순수 물질, 예를 들면, 현상제의 총 중량을 기준으로 95 wt% 초과, 98 wt% 초과 또는 99 wt% 초과의 양으로 존재할 수 있다. 2-헵타논 및/또는 5-메틸-2-헥사논이 다른 현상제 용매와 배합 사용되는 경우, 상기 용매의 끓는점은 바람직하게 유사하다. 적절한 추가의 용매는, 예를 들어, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸 락테이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 메틸에틸 케톤, 사이클로헥사논 또는 포토레지스트 조성물에 사용되는 용매를 포함한다. 2-헵타논 및/또는 5-메틸-2-헥사논은 전형적으로 현상제의 총 중량을 기준으로 50 wt% 내지 100 wt%, 보다 전형적으로는 80 wt% 내지 100 wt%의 배합량으로 현상제 내에 존재한다.
현상제 물질은 임의의 첨가제, 예를 들어, 포토레지스트와 관련하여 상기 언급된 바와 같은 계면활성제를 포함할 수 있다. 이러한 임의의 첨가제는 전형적으로 별로 많지 않은 농도, 예를 들면 현상제의 총 중량을 기준으로 약 0.01 내지 5 wt%의 양으로 존재할 것이다.
현상제는 공지된 기술, 예를 들어, 스핀-코팅 또는 퍼들-코팅에 의해 기판에 도포될 수 있다. 현상 시간은 포토레지스트의 비노광 영역을 제거하는데 유효한 기간이며, 전형적으로 5 내지 30초의 시간이며, 전형적으로 상온에서 수행된다.
바람직하게, 현상 과정은 현상 후 클리닝 세정의 사용 없이 수행될 수 있다. 이와 관련하여, 현상 과정이 그러한 추가의 세정 단계를 불필요하게 하는 잔류물이 없는 웨이퍼 표면을 수득할 수 있다는 것이 밝혀졌다.
BARC 층 (106)은 존재한다면, 레지스트 패턴 (108b)를 에칭 마스크로서 사용하여 선택적으로 에칭되어, 도 1D에 나타난 바와 같이, 하부 하드마스크 층 (104)를 노광시킨다. 하드마스크 층은 이어서 다시 레지스트 패턴 (108b)를 에칭 마스크로서 사용하여 선택적으로 에칭되어, 패턴화된 BARC 및 하드마스크 층 (106', 104')가 된다. BARC 층 및 하드마스크 층을 에칭하기 위한 적절한 에칭 기술 및 화학 반응은 당업계에 공지되어 있고, 예를 들어, 이러한 층들의 특정 물질에 의존한다. 반응성 이온 에칭과 같은 건조-에칭 과정은 전형적이다. 레지스트 패턴 (108b) 및 패턴화된 BARC 층 (106')은 이어서 공지의 기술, 예를 들어 산소 플라즈마 회분화(ashing)를 사용하여 기판으로부터 제거된다.
하드마스크 패턴 (104')를 에칭 마스크로 사용하여, 하나 이상의 층 (102)이 선택적으로 에칭된다. 하부층 (102)를 에칭하기 위한 적절한 에칭 기술 및 화학 반응을 당업계에 공지되어 있고, 반응성 이온 에칭과 같은 건조-에칭 과정은 전형적이다. 패턴화된 하드마스크 층 (104')는 이어서 공지의 기술, 예를 들어 반응성 이온 에칭과 같은 건조-에칭 과정을 사용하여 기판 표면으로부터 제거될 수 있다. 수득된 구조는 도 1E에 도시된 바와 같은 에칭된 형상 (102')이다. 대체가능한 예시적 방법에 있어서, 하드마스크 층 (104)를 사용하지 않고 레지스트 패턴 (108b)를 직접적으로 사용하여 층 (102)를 패턴화하는 것이 바람직할 수 있다. 직접적 패턴화를 채택할지 여부는 사용된 물질, 레지스트 선택성, 레지스트 패턴 두께 및 패턴 치수와 같은 인자에 의존한다.
본 발명의 또 다른 예시적 측면은 이중 노광 포토리소그래픽 과정을 사용하여 접촉 구멍을 형성하는 공정 흐름도를 도시하고 있는 도 2A 내지 2F를 참조하여 설명한다. 이 과정은 도 1을 참고하여 설명된 기술의 변형으로서 제1 노광과는 다른 패턴에서의 포토레지스트 층의 추가 노광을 사용한다. 다르게 언급되는 경우를 제외하고는, 도 1과 관련한 상기의 설명은 도 2의 공정 흐름도에도 적용된다.
도 2A에 나타난 바와 같이, 포토레지스트 층 (108)은 제1 노광 단계에서 포토마스크 (112)를 통해 화학 조사선에 노광된다. 나타난 바와 같이 포토마스크 (112)는 마스크의 불투명한 영역 (114)를 형성하는 일련의 평행선을 포함한다. 제1 노광에 이어서, 포토 레지스트 층 (108)의 제2 노광은 도 2B에 도시된 바와 같은 포토마스크 (116)을 통해 수행된다. 제2 포토마스크 (116)은 제1 포토마스크의 일련의 선들에 대해 수직 방향인 일련의 선들을 포함한다. 이러한 패턴은 제1 포토마스크를 단순히 90° 회전시킴으로써 만들 수 있다. 수득된 포토레지스트 층은 도 2C에 나타난 바와 같이, 비노광 영역 (108a), 1회-노광 영역 (108b) 및 2회-노광 영역 (108c)를 포함한다.
제2 노광에 이어서, 포토레지스트 층은 전형적으로 약 80 내지 150℃의 온도에서 약 30 내지 90초의 시간 동안 노광후 베이크된다. 포토레지스트 층은 이어서 상기 언급한 바와 같은 현상제를 사용하여 현상되어 비노광 영역 (108a)를 제거하고, 1회-노광 및 2회-노광 영역 (108b, 108c)를 남겨 도 2D에 나타난 바와 같은 레지스트 패턴을 형성한다.
수득된 구조는 이어서 도 1을 참조하여 상기 언급된 바와 같이 패턴화되고 이는 도 2E 및 2F에 나타난 바와 같다. 수득된 구조는 도 2F에 도시된 바와 같은 에칭된 형상 (120)이다. 이러한 방법은 전자 장치의 제조에 있어서 접촉 구멍을 형성하는데 특히 적합하다.
실시예
비교예
TEL CLEAN TRACK™ LITHIUS™ i+ 코팅기(coater) 상에서 300mm 실리콘 웨이퍼를 AR™40A 반사방지제(Rohm and Haas Electronic Materials)로 스핀코팅하여 제1 하부 반사방지 코팅(BARC)을 형성하였다. 웨이퍼를 215℃에서 60초간 베이크하여 75nm 두께의 제1 BARC 필름을 수득하였다. 다음으로, 제1 BARC 위에 제2 BARC 층을 AR™124 반사방지제(Rohm and Haas Electronic Materials)를 사용하여 코팅하고, 205℃에서 60초간 베이크하여 23nm의 상부(top) BARC 층을 생성하였다. 다음으로, 이중 BARC 상에 EPIC™2389 포토레지스트(Rohm and Haas Electronic Materials)를 코팅하고, 코팅기 상에서 100℃에서 60초간 소프트-베이크하여 110Å 두께의 레지스트 필름을 제공하였다. 다음으로, 레지스트 층을 OC™2000 탑코트 물질(Rohm and Haas Electronic Materials)로 코팅하고, 83nm 마스크 CD(임계 치수, critical dimensions)를 갖는 6% 약화된 상 전이(6% attenuated-phase shift) 포스트 마스크를 통해 노광하였다: 110nm 피치에서 60nm의 타겟 사이즈, ASML TWINSCAN™ XT:1900i 침지 스캐너 사용, 1.20의 수 개구부(numerical aperture), 및 22.5 내지 61.5 mJ/cm2 사이에서 1.3 mJ/cm2의 증가량으로 다양한 노광 투여분(dose)에서의 환형 조명조건하(XY-편광에서 0.96 외부 시그마/0.69 내부 시그마). 웨이퍼는 이어서 100℃에서 60초간 노광후 베이크(PEB)되었다. 이미지화된 레지스트 층은 다음으로 n-부틸 아세테이트 현상제를 사용하여 25초간 현상되었다. 웨이퍼는 1-헥산올(Sigma-Aldrich)로 15초간 세정되었다. 결과 이론 구조는 도 3에서 볼 수 있으며, 여기서 d는 접촉홀 직경이고, p는 접촉홀 피치(pitch)이다.
다음으로, 탑-다운 이미지가 도 4에 나타낸 바와 같이 만들어졌고, 각 노광 용량(dose)/다이(die)에 대하여 CD가 Hitachi CG 4000 SEM(Hitachi High Technologies America, Inc)상에서 측정되었다. 60nm의 타겟 CD를 제공하는 노광 용량은 36.80 mJ/cm2이었다. 이 타겟 CD 조건에서, 다양한 사이즈의 접촉홀 및 누락(missing) 홀 패턴들이 관찰되었다. 타겟 CD에 맞는 다이의 CD 균일도(3σ)는 SEM에 의해 8.35로 계산되었으며, 이는 다이 내의 약 170개의 접촉홀 CD 측정을 기준으로 한 것이었다. 공정 윈도우(process window)를 나타내며 현상된 포토레지스트가 과하게 또는 부족하게 노광될 수 있으나 여전히 수용가능한 결과를 얻을 수 있는 정도로 정의되는 노광 위도(exposure latitude)가 계산되었다. 이를 위하여, 타겟 CD로부터 ±10%의 변위를 허용하는 노광 에너지의 범위가 하기 식에 따른 계산을 위하여 사용되었다:
EL = 100(ED하부 - ED상부)/ED타겟
상기 식에서 EL은 노광 위도이고, ED하부는 하부(-10%) CD 한계에서의 노광 용량이며, ED상부는 상부(+10%) CD 한계에서의 노광 용량이고, ED타겟은 타겟 CD에서의 노광 용량이다. 계산된 노광 위도는 13%이었다. 이 결과 및 다른 데이터와 관찰결과가 하기 표 1에 제공된다.
실시예 1
n-부틸 아세테이트 현상제를 5-메틸-2-헥사논으로 대체한 것을 제외하고는 비교예 1의 과정이 반복되었다. 60nm의 타겟 CD(측정치: 61.25nm)를 제공하는 노광 용량은 39.40 mJ/cm2이었다. 이 조건에서, 균일한 크기 및 모양을 갖는 접촉홀의 정확한 패터닝이 얻어졌다. 결과 노광 위도는 15%이었고, CD 균일도(3σ)는 7.22이었다.
실시예 2
n-부틸 아세테이트 현상제를 2-헵타논으로 대체한 것을 제외하고는 비교예 1의 과정이 반복되었다. 현상후 육안 검사 결과, 웨이퍼 표면상에 아무런 잔류물도 없었다. 60nm의 타겟 CD(측정치: 60.73nm)를 제공하는 노광 용량은 51.10 mJ/cm2이었다. 이 조건에서, 균일한 크기 및 모양을 갖는 접촉홀의 정확한 패터닝이 얻어졌다. 결과 노광 위도는 32%이었고, CD 균일도(3σ)는 7.07이었다.
표 1
Figure 112011016153372-pat00002

Claims (12)

  1. (a) 패턴화될 하나 이상의 층을 표면 위에 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    (b) 상기 패턴화될 하나 이상의 층 위에, 산 절단성(cleavable) 그룹을 포함하는 수지 및 산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물의 층을 도포하는 단계;
    (c) 상기 포토레지스트 조성물의 층을 화학 조사선에 패턴화 노광하는 단계; 및
    (d) 상기 포토레지스트 조성물의 층에 현상제를 적용하는 단계를 포함하며,
    여기에서 포토레지스트 조성물의 층의 비노광된 부분은 현상제에 의해 제거되어 패턴화될 하나 이상의 층 위에 포토레지스트 패턴을 남기고, 상기 현상제는 2-헵타논 및 5-메틸-2-헥사논으로부터 선택되는 용매 성분을 포함하는,
    포토리소그래픽 패턴의 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 포토레지스트 패턴의 패턴을 포토레지스트 마스크 하부에 놓여진 하나 이상의 층에 전달하는 단계를 추가로 포함하고, 여기서 패턴의 전달은 에칭 공정에 의해 수행되며, 현상제 적용단계와 에칭 공정 사이에 현상후 세정(post-development rinse)을 하지 않는 것을 특징으로 하는 포토리소그래픽 패턴의 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 현상제의 용매 성분이 2-헵타논인 것을 특징으로 하는 포토리소그래픽 패턴의 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 현상제의 용매 성분이 5-메틸-2-헥사논인 것을 특징으로 하는 포토리소그래픽 패턴의 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 1차 패턴화 노광후 현상제 적용전에 화학 조사선에 포토레지스트 조성물 층을 2차 패턴화 노광하는 단계를 추가로 포함하고, 여기서 2차 패턴화 노광의 패턴은 1차 패턴화 노광의 패턴과 다른 것을 특징으로 하는 포토리소그래픽 패턴의 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 현상제가 용매 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래픽 패턴의 형성 방법.
  7. 패턴화될 하나 이상의 층을 표면 위에 포함하는 기판;
    상기 패턴화될 하나 이상의 층 위에, 산 절단성 그룹을 포함하는 수지 및 산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물의 노광된 층; 및
    상기 포토레지스트 조성물의 노광된 층과 접촉하는 현상제 용액을 포함하며,
    여기서 상기 현상제는 2-헵타논 및 5-메틸-2-헥사논으로부터 선택되는 용매 성분을 포함하는,
    코팅된 기판.
  8. 제7항에 있어서, 현상제의 용매 성분이 2-헵타논인 것을 특징으로 하는, 코팅된 기판.
  9. 제7항에 있어서, 현상제의 용매 성분이 5-메틸-2-헥사논인 것을 특징으로 하는, 코팅된 기판.
  10. 제1항에 있어서, 산 절단성 그룹이, 에스테르의 카복실 산소에 공유적으로 결합되어 있는 삼차 비사이클릭 알킬 탄소 또는 삼차 지환식 탄소를 포함하는 에스테르 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토리소그래픽 패턴의 형성 방법.
  11. 제1항에 있어서, 산 절단성 그룹이 아세탈 그룹인 것을 특징으로 하는 포토리소그래픽 패턴의 형성 방법.
  12. 제1항에 있어서, 포토레지스트 조성물이, 수성 알칼리 현상제에서 현상시 포지티브-작용성이고, 2-헵타논 및 5-메틸-2-헥사논으로부터 선택되는 용매 성분을 포함하는 현상제에서 현상시 네거티브-작용성인 것을 특징으로 하는 포토리소그래픽 패턴의 형성 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5629520B2 (ja) * 2010-07-28 2014-11-19 富士フイルム株式会社 パターン形成方法及びこの方法に用いられる有機系処理液
JP5767919B2 (ja) * 2010-09-17 2015-08-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP6118500B2 (ja) 2011-02-28 2017-04-19 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ フォトレジスト組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法
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US8703401B2 (en) 2011-06-01 2014-04-22 Jsr Corporation Method for forming pattern and developer
JP5835148B2 (ja) * 2011-08-26 2015-12-24 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト組成物
JP2013061648A (ja) * 2011-09-09 2013-04-04 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フォトレジスト上塗り組成物および電子デバイスを形成する方法
JP2013061647A (ja) * 2011-09-09 2013-04-04 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フォトリソグラフィ方法
US8790867B2 (en) 2011-11-03 2014-07-29 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Methods of forming photolithographic patterns by negative tone development
US8852967B2 (en) * 2012-12-20 2014-10-07 Intermolecular, Inc. Dissolution rate monitor
US9411237B2 (en) 2013-03-14 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Resist hardening and development processes for semiconductor device manufacturing
US8791024B1 (en) * 2013-05-14 2014-07-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method to define multiple layer patterns using a single exposure
US9412647B2 (en) 2013-09-11 2016-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Via definition scheme
US9252048B2 (en) 2013-05-14 2016-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metal and via definition scheme
CN103309160B (zh) * 2013-07-03 2015-08-26 北京科华微电子材料有限公司 一种负性化学放大光刻胶及其成像方法
KR102198023B1 (ko) 2013-10-30 2021-01-05 삼성전자주식회사 반도체 소자의 패턴 형성방법
KR102324819B1 (ko) 2014-12-12 2021-11-11 삼성전자주식회사 포토레지스트용 고분자, 포토레지스트 조성물, 패턴 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
CN107922742B (zh) * 2015-08-31 2021-01-15 日本瑞翁株式会社 树脂组合物
KR102634069B1 (ko) * 2015-09-30 2024-02-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 극자외선 리소그래피를 사용하여 기판을 패터닝하기 위한 방법
US11112698B2 (en) * 2016-11-29 2021-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist with gradient composition for improved uniformity
US10520813B2 (en) * 2016-12-15 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Extreme ultraviolet photoresist with high-efficiency electron transfer
CN107219723B (zh) * 2017-08-02 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种金属光栅的制作方法、金属光栅及显示装置
CN112444162B (zh) * 2019-09-02 2023-10-13 西安尚道电子科技有限公司 一种导电布精度靶板制造方法
US11799001B2 (en) * 2021-03-09 2023-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Back-end-of-line devices
CN121186914A (zh) * 2025-11-24 2025-12-23 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于间距相等的非均匀金属偏振光栅结构及制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020172901A1 (en) 1998-11-09 2002-11-21 Nec Corporation Method of exposing a lattice pattern onto a photo-resist film

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3780357A (en) 1973-02-16 1973-12-18 Hewlett Packard Co Electroluminescent semiconductor display apparatus and method of fabricating the same
CA1164261A (en) * 1981-04-21 1984-03-27 Tsukasa Tada PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERNS BY DEVELOPING A POLYMER CONTAINING TRIFLUOROETHYL-.alpha.- CHLOROCRYLATE UNITS WITH SPECIFIC KETONE COMPOUNDS
JPS57173833A (en) * 1981-04-21 1982-10-26 Toshiba Corp Formation of radiation resist image
JPS57173832A (en) * 1981-04-21 1982-10-26 Toshiba Corp Formation of resist image
US4397938A (en) * 1981-12-14 1983-08-09 Rca Corporation Method of forming resist patterns using X-rays or electron beam
DE4120172A1 (de) 1991-06-19 1992-12-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, das als bindemittel neue polymere mit einheiten aus amiden von (alpha),(beta)-ungesaettigten carbonsaeuren enthaelt
US6056421A (en) 1995-08-25 2000-05-02 Michael Brian Johnson Architectural lighting devices with photosensitive lens
WO1997033198A1 (en) 1996-03-07 1997-09-12 The B.F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
US6770420B2 (en) 1996-09-02 2004-08-03 Ciba Specialty Chemicals Corporation Alkylsulfonyloximes for high-resolution i-line photoresists of high sensitivity
JP3448441B2 (ja) 1996-11-29 2003-09-22 三洋電機株式会社 発光装置
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
CN2310925Y (zh) 1997-09-26 1999-03-17 陈兴 发光二极管的新结构
US6580097B1 (en) 1998-02-06 2003-06-17 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6504180B1 (en) 1998-07-28 2003-01-07 Imec Vzw And Vrije Universiteit Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom
JP3775081B2 (ja) 1998-11-27 2006-05-17 松下電器産業株式会社 半導体発光装置
JP3943741B2 (ja) 1999-01-07 2007-07-11 株式会社東芝 パターン形成方法
JP4256968B2 (ja) 1999-01-14 2009-04-22 スタンレー電気株式会社 発光ダイオードの製造方法
KR20010090354A (ko) 1999-03-26 2001-10-18 가나이 쓰토무 반도체 모듈 및 그 실장 방법
JP3337000B2 (ja) 1999-06-07 2002-10-21 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
JP2001099953A (ja) 1999-09-30 2001-04-13 Rhythm Watch Co Ltd 時計の蓋体開閉機構
US6522065B1 (en) 2000-03-27 2003-02-18 General Electric Company Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device
TW588220B (en) * 2000-04-04 2004-05-21 Daikin Ind Ltd Novel fluorine-containing polymer having group reactive with acid and chemically amplifying type photo resist composition prepared by using same
US6653765B1 (en) 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
JP3589187B2 (ja) 2000-07-31 2004-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の形成方法
TW516247B (en) 2001-02-26 2003-01-01 Arima Optoelectronics Corp Light emitting diode with light conversion using scattering optical media
CN1131037C (zh) 2001-02-28 2003-12-17 中国人民解放军第三军医大学 N－乙酰－d－氨基葡萄糖在制备防治性功能障碍药物中的应用
JP4529319B2 (ja) 2001-06-27 2010-08-25 日亜化学工業株式会社 半導体チップとその製造方法
JP3749243B2 (ja) 2001-09-03 2006-02-22 松下電器産業株式会社 半導体発光デバイス，発光装置及び半導体発光デバイスの製造方法
JP2004031856A (ja) 2002-06-28 2004-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ＺｎＳｅ系発光装置およびその製造方法
TWI249075B (en) * 2002-08-30 2006-02-11 Toyo Gosei Co Ltd Radiation-sensitive negative-type resist composition for pattern formation and pattern formation method
AU2003261921A1 (en) * 2002-09-09 2004-03-29 Nec Corporation Resist and method of forming resist pattern
JP4222850B2 (ja) * 2003-02-10 2009-02-12 Ｓｐａｎｓｉｏｎ Ｊａｐａｎ株式会社 感放射線性樹脂組成物、その製造法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法
JP4415572B2 (ja) 2003-06-05 2010-02-17 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US7232641B2 (en) 2003-10-08 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable compound, polymer, positive-resist composition, and patterning process using the same
JP2005252222A (ja) 2004-02-03 2005-09-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法
JP4294521B2 (ja) * 2004-03-19 2009-07-15 東京応化工業株式会社 ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
CN1942997B (zh) 2004-04-15 2011-03-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 电可控色彩转换单元
JP4471729B2 (ja) 2004-04-30 2010-06-02 シチズン電子株式会社 液晶レンズ付き発光装置
EP1601030B1 (en) 2004-05-24 2019-04-03 OSRAM OLED GmbH Light-emitting electronic component
WO2005121641A1 (en) 2004-06-11 2005-12-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system
US7217496B2 (en) * 2004-11-12 2007-05-15 International Business Machines Corporation Fluorinated photoresist materials with improved etch resistant properties
US7932111B2 (en) 2005-02-23 2011-04-26 Cree, Inc. Substrate removal process for high light extraction LEDs
JP2006245020A (ja) 2005-02-28 2006-09-14 Sharp Corp 発光ダイオード素子とその製造方法
JP4601464B2 (ja) 2005-03-10 2010-12-22 株式会社沖データ 半導体装置、プリントヘッド、及びそれを用いた画像形成装置
EP1720072B1 (en) 2005-05-01 2019-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositons and processes for immersion lithography
TWI395761B (zh) * 2005-07-20 2013-05-11 Adeka Corp A fluorine-containing copolymer, an alkaline developing resin composition, and an alkaline developing photosensitive resin composition
US7564070B2 (en) 2005-11-23 2009-07-21 Visteon Global Technologies, Inc. Light emitting diode device having a shield and/or filter
DE102005058127A1 (de) 2005-11-30 2007-06-06 Schefenacker Vision Systems Germany Gmbh Fahrzeugleuchte
WO2007107903A1 (en) 2006-03-23 2007-09-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-based lighting device with colour control
CN102253596B (zh) 2006-10-30 2014-05-14 罗门哈斯电子材料有限公司 浸渍平版印刷用组合物和浸渍平版印刷方法
JP2008153373A (ja) 2006-12-15 2008-07-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
EP1935452A1 (en) 2006-12-19 2008-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrochromic device and photodynamic treatment device comprising such an electrochromic device
JP4554665B2 (ja) * 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
KR100990106B1 (ko) * 2007-04-13 2010-10-29 후지필름 가부시키가이샤 패턴형성방법, 이 패턴형성방법에 사용되는 레지스트 조성물, 현상액 및 린스액
DE102007022090A1 (de) 2007-05-11 2008-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement
JP4590431B2 (ja) 2007-06-12 2010-12-01 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
US8257902B2 (en) 2007-11-05 2012-09-04 Deyan Wang Compositons and processes for immersion lithography
ES2370758T3 (es) 2007-11-09 2011-12-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dispositivo de salida de luz.
US20090268461A1 (en) 2008-04-28 2009-10-29 Deak David G Photon energy conversion structure
US8432500B2 (en) 2008-09-23 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device with thermally variable reflecting element
JP5601884B2 (ja) * 2009-06-04 2014-10-08 富士フイルム株式会社 感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法及びパターン
JP5634115B2 (ja) * 2009-06-17 2014-12-03 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
JP5440468B2 (ja) * 2010-01-20 2014-03-12 信越化学工業株式会社 パターン形成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020172901A1 (en) 1998-11-09 2002-11-21 Nec Corporation Method of exposing a lattice pattern onto a photo-resist film

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