KR101021544B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 약액의 회수를 용이하게 하기 위한 기판 처리 장치 및 그의 처리 방법에 관한 것이다. 기판 처리 장치는 제 1 내지 제 3 바울들이 상하로 배치된다. 기판 처리 장치는 복수의 단위 공정들을 구비하는 공정 처리시, 공정에서 사용된 약액들 중 재사용할 약액을 회수하기 위하여 제 1 바울에서 약액이 회수되도록 마지막 단위 공정을 처리한다. 예컨대, 마지막 단위 공정은 순수를 이용하는 린스 공정이다. 린스 공정은 제 2 바울에 대응하는 위치에서 1 차 린스하고, 제 1 바울에 대응하는 위치에서 2 차 린스한다. 본 발명에 의하면, 2 차 린스에 사용된 순수는 전량 회수 가능하다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing method thereof for facilitating recovery of chemical liquids. In the substrate processing apparatus, the first to third pauls are arranged up and down. The substrate treating apparatus processes the last unit process so that the chemical liquid is recovered from the first Paul in order to recover the chemical liquid to be reused among the chemical liquids used in the process during the process treatment having a plurality of unit processes. For example, the last unit process is a rinse process using pure water. The rinse process is primarily rinsed in the position corresponding to the second Paul and rinsed second in the position corresponding to the first Paul. According to the present invention, the pure water used in the secondary rinse can be recovered in its entirety.
기판 처리 장치, 매엽식, 다단 바울, 순수, 회수, 세정, 린스 Substrate Processing Unit, Sheetfed, Multi-Stage Paul, Pure Water, Recovery, Cleaning, Rinse
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 약액의 회수를 용이하기 위한 다단 바울을 구비하는 기판 처리 장치 및 그의 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus having a multi-stage Paul for facilitating recovery of a chemical liquid, and a processing method thereof.
일반적으로 반도체 제조 장치는 증착, 포토리소그래피, 식각, 화학적 기계적 연마, 세정, 건조 등과 같은 단위 공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다. 이러한 단위 공정들 중 세정 및 건조 공정은 각각의 단위 공정들을 수행하는 동안 반도체 기판 표면에 잔류하는 이물질 또는 불필요한 막을 제거하는 공정이다.In general, semiconductor manufacturing apparatus are manufactured by repetitive performance of unit processes such as deposition, photolithography, etching, chemical mechanical polishing, cleaning, drying, and the like. Among these unit processes, a cleaning and drying process is a process of removing foreign matter or unnecessary film remaining on the surface of the semiconductor substrate during each unit process.
세정 및 건조 공정을 수행하는 장치는 다수의 기판을 동시에 세정하는 배치식 세정 장치와 낱장 단위로 기판을 세정하는 매엽식 세정 장치로 구분된다. 이 중 매엽식 세정 장치는 낱장의 기판을 지지하는 척과 기판 처리면에 처리 유체들을 공급하는 적어도 하나의 노즐을 포함한다. 매엽식 세정 장치의 공정이 개시되면, 척에 기판이 안착되고 노즐은 세정액, 린스액 및 건조 가스를 순차적으로 분사하여 기판을 세정 및 건조시킨다.The apparatus for performing the cleaning and drying process is divided into a batch type cleaning apparatus for simultaneously cleaning a plurality of substrates and a sheet type cleaning apparatus for cleaning substrates in sheet units. Among them, the single wafer cleaning apparatus includes a chuck for supporting the sheet of substrate and at least one nozzle for supplying processing fluids to the substrate processing surface. When the process of the single wafer cleaning apparatus is started, the substrate is seated on the chuck and the nozzle is sequentially sprayed with the cleaning liquid, the rinse liquid and the drying gas to clean and dry the substrate.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(2)는 예를 들어, 기판의 세정 및 건조 공정을 처리하는 매엽식 세정 장치로서, 상부가 개방된 원통형으로 구비되어 내부에 공정 처리를 위한 공간이 형성된 공정 챔버(10)와, 공정 챔버(10) 내부에 구비되어 기판을 안착하고, 세정 공정을 위해 공급되는 약액에 대응하여 상하 이동 및 회전하는 스핀헤드(4)와, 공정 챔버(10)로 다수의 약액들을 공급하는 약액 공급부(30)와 연결되어 기판 표면으로 약액을 분사하는 노즐부(20)와, 공정 챔버(10)에 구비되어 다수의 약액들을 회수하기 위하여 회전 가능한 다수의 바울(12 ~ 16)들 및, 바울(12 ~ 16)들로부터 회수된 약액들을 배출하는 배출 배관(32 ~ 36)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 2 is, for example, a single wafer type cleaning apparatus that processes a substrate cleaning and drying process, and is provided with an open cylindrical upper portion to form a space for processing therein. The
또 기판 처리 장치(2)는 스핀헤드(4)와 노즐부(20)에 각각 연결되어 각각 상하 이동 및/또는 회전 이동시키는 구동부(6, 26)와, 구동부(6, 26)를 제어하는 제어부(8)를 포함한다. 또 기판 처리 장치(2)는 바울(12 ~ 16)들을 회전시키는 구동부(미도시됨)를 포함한다. 또 기판 처리 장치(2)는 공정 챔버(10) 상부에 기판(W)을 반전시켜서 스핀헤드(2)로 제공하는 반전 유닛(미도시됨)이 설치된다.In addition, the substrate processing apparatus 2 is connected to the
스핀헤드(4)는 공정시 기판(W)을 지지하고, 공정 챔버(10) 내부에서 상하 이동 및 회전한다. 스핀헤드(4)는 기판(W)이 안착되면, 구동부(6)에 의해 현재 공급되는 약액에 따른 공정 위치(적어도 3 개의 위치 즉, P1, P2, P3)로 상하 이동되고, 공정 처리 시 회전된다. 또 스핀헤드는 대기 위치(P4)에서 기판(W)을 로딩 및 언로딩한다.The
노즐부(20)는 예를 들어, 스윙 노즐로 구비되어, 복수 개의 약액 공급부(30)로부터 서로 다른 약액들 예를 들어, 식각액, 세정액 등을 공급받아서 기판(W)으로 약액을 분사하는 복수 개의 노즐(22)들을 구비하고, 적어도 하나의 노즐 지지대(24)에 의해 노즐(22)들과, 노즐(22)들을 공정 위치 및 대기 위치에 따라 상하 이동 및 회전 이동시키는 구동부(26)와 체결된다.The
약액 공급부(30)는 각각의 공급 라인을 통해 노즐부(20)로 다양한 약액들 예를 들어, 식각액, 세정액, 순수(DIW) 및 건조 가스 등을 공급한다.The chemical
구동부(6, 26)는 제어부(102)의 제어를 받아서 스핀헤드(4) 및 노즐부(20)를 구동한다. 즉, 제 1 구동부(6)는 공정 진행 중에 노즐부(160)로부터 공급되는 약액에 대응하여 스핀헤드(4)의 위치를 상하로 구동시키고, 스핀헤드(4)를 회전시킨다. 제 2 구동부(미도시됨)는 예를 들어, 바울(12 ~ 16)들에 대응하여 복수 개의 모터(미도시됨) 등을 구비하고, 각각의 모터들을 이용하여 각각의 바울들(110)을 회전시킨다. 이는 노즐부(20)로부터 공급되는 약액들에 대응하여 스핀헤드(4)의 공정 위치(P1 ~ P3)에서 약액을 회수하는 바울(12 ~ 16)들을 개별적으로 회전시킨다.The
바울(12 ~ 16)들은 예를 들어, 공정 챔버(10)에 복수 개의 바울(bowl)(12 ~ 16)들로 구비되어, 공정시 사용되는 약액들을 각각 회수한다. 제 1 내지 제 3 바울(12 ~ 16)은 각각 상부가 개방되고 스핀헤드(4)의 측부에서 상하로 적층된다. 제 1 바울 내지 제 3 바울(12 ~ 16)은 각각 내부에 공정시 사용된 제 1 내지 제 3 약액이 수용되는 공간이 제공된다. 이러한 제 1 내지 제 3 바울(12 ~ 16)은 각각 배출 배관(32 ~ 36)들을 통해 공간에 포집된 약액들을 회수한다.For example, the
구체적으로, 바울(12 ~ 16)는 노즐부(20)로부터 공급되는 약액들을 각각 포집하여 약액의 재사용이 가능하도록 한다. 바울(12 ~ 16)는 내부에 스핀헤드(4)가 배치되고, 스핀헤드(4)의 복수 개의 공정 위치(P1 ~ P3)에 대응하여 서로 다른 약액들을 포집한다.Specifically, Paul 12 to 16 collect the chemical liquids supplied from the
그리고 제어부(8)는 기판 처리 장치(2)의 세정 및 건조 공정을 처리하는 제반 동작을 제어한다. 즉, 제어부(8)는 제 1 구동부(6)를 제어하여 공정 처리시 스핀헤드(4)의 위치 및 회전 속도를 제어한다. 그리고, 제어부(8)는 제 2 구동부(미도시됨)를 제어하여 각각의 바울(12 ~ 16)들을 동작시킨다. 따라서 제어부(8)는 공정 처리시, 스핀헤드(4)의 공정 위치(P1 ~ P3)에 대응되는 바울을 스핀헤드(4)와 동시에 또는 따로 동일한 방향으로 회전시켜서 약액을 포집하도록 제어한다.And the control part 8 controls the general operation | movement which processes the washing | cleaning and drying process of the substrate processing apparatus 2. That is, the controller 8 controls the
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(2)는 단계 S40에서 스핀헤드(4)를 대기 위치(P4)로 이동하여 기판(W)을 로딩한다. 단계 S42에서 노즐부(20)로부터 공급되는 약액에 대응하는 공정 위치(P1 ~ P3)로 스핀헤드(4)를 상하 이동시킨다. 예를 들어, 스핀헤드(4)는 공정 처리 시, 복수 개의 약액 공급부(30)로부터 공급되는 제 1 내지 제 3 약액 각각에 대응하여 제 1 내지 제 3 공정 위치(P1 ~ P3)로 순차적으로 이동된다. 단계 S44에서 제 1 내지 제 3 공정 위치에서 공정이 완료되면, 다시 스핀헤드(4)를 제 1 공정 위치(P1)으로 이동하여 세정 공정 즉, 린스 및 건조 공정을 처리한다. 이어서 단계 S46에서 스핀헤드(4)를 대기 위치(P4)로 이동하여 기판을 언로딩한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 2 moves the
상술한 바와 같이, 기판 처리 장치(2)는 대기 위치(P4)로 이동하여 기판을 로딩하고, 제 1 내지 제 3 공정 위치(P1 ~ P3)에서 노즐부(20)로부터 각각의 약액들을 공급받아서 약액 공정을 처리하고, 약액 공정이 완료되면, 다시 제 1 공정 위 치(P1)로 이동하고, 기판으로 순수를 공급하여 린스 공정을 처리한다. 그리고 세정 공정이 완료되면, 다시 대기 위치(P4)로 이동하여 기판을 언로딩한다.As described above, the substrate processing apparatus 2 moves to the standby position P4 to load the substrate, and receives respective chemical liquids from the
그러므로 기판 처리 장치(2)는 제 1 내지 제 3 공정 위치(P1 ~ P3)에서 사용되는 약액이 제 1 공정 위치(P1)에서 사용되는 순수(DIW)를 오염시키게 되어 순수(DIW)의 회수율이 저하된다.Therefore, the substrate processing apparatus 2 causes the chemical liquid used at the first to third process positions P1 to P3 to contaminate the pure water DIW used at the first process position P1, so that the recovery rate of the pure water DIW is increased. Degrades.
뿐 만 아니라, 순수의 회수율을 향상시키기 위하여 기판 처리 장치(2)는 제 1 공정 위치(P1)가 아닌 다른 공정 위치(P2 또는 P3)에서 린스 공정을 진행하는 경우, 해당 공정 위치(P2 또는 P3)에 대응하여 노즐부(20)를 상하 이동, 직선 이동 및 회전시켜서 기판(W)으로 약액들을 공급해야 하는데, 이 때, 공정 챔버(10) 상단에 배치된 반전 유닛(미도시됨)과 바울(12 ~ 16)들의 사이 공간이 협소하여 노즐부(20)가 외측에 위치하는 바울(12)의 상단에 걸리거나 부딪히는 현상이 발생된다. 따라서 기존의 기판 처리 장치(2)는 순수의 회수율을 향상시키기 위해서는 노즐부(20)의 간섭이 발생되는 문제점이 있다.In addition, in order to improve the recovery rate of pure water, when the substrate processing apparatus 2 performs the rinsing process at a process position P2 or P3 other than the first process position P1, the process position P2 or P3 In order to supply the chemical liquids to the substrate W by vertically moving, linearly moving and rotating the
본 발명의 목적은 세정 공정 시, 순수의 회수를 용이하게 하는 기판 처리 장치 및 그의 처리 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a processing method thereof that facilitate recovery of pure water during a washing step.
본 발명의 다른 목적은 린스 공정에서 사용되는 순수를 전량 회수하기 위한 다단 바울을 구비하는 기판 처리 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a method including a multi-stage Paul for recovering the total amount of pure water used in the rinsing process.
상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 다단 바울을 갖는 기판 처리 장치는 순수를 이용하여 기판을 2 단계로 린스하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 기판 처리 장치는 공정에서 사용된 순수의 회수율을 향상시킬 수 있다.To achieve the above objects, the substrate processing apparatus having the multi-stage Paul of the present invention is characterized by rinsing the substrate in two stages using pure water. Thus, the substrate processing apparatus can improve the recovery rate of the pure water used at the process.
본 발명의 기판 처리 장치는, 상하로 배치되는 제 1 내지 제 3 바울들을 갖는 처리조와; 공정 시, 기판을 지지하고, 상기 제 1 내지 제 3 바울들에 대응하여 제 1 내지 제 3 공정 위치로 이동 가능한 스핀헤드와; 상기 제 1 내지 상기 제 3 공정 위치 중 어느 하나에서 상기 스핀헤드에 지지된 기판으로 공정을 처리하는 약액들을 공급하는 이동 가능한 적어도 하나의 노즐 및; 상기 제 1 내지 상기 제 3 공정 위치에서 사용된 약액들 중 재사용할 약액은 상기 제 1 공정 위치에서 공급하여 공정을 처리하도록 제어하는 제어부를 포함한다.A substrate processing apparatus of the present invention includes: a processing tank having first to third pauls arranged up and down; During the process, the spinhead supporting the substrate and movable to the first to third processing positions corresponding to the first to third pauls; At least one movable nozzle for supplying chemical liquids for processing the process to a substrate supported by the spin head at any one of the first to third processing positions; The chemical liquid to be reused among the chemical liquids used in the first to third process positions may be supplied from the first process position to control the process to process the process.
한 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 장치는; 상기 노즐을 상기 스핀헤드에 지지된 기판으로 상하 이동, 직선 이동 및 회전 이동되도록 구동하는 구동부를 더 포함한다. 여기서 상기 구동부는 상기 노즐의 상하 이동 시, 다단으로 구동한다.In one embodiment, the substrate processing apparatus; The apparatus may further include a driving unit configured to drive the nozzle to the substrate supported by the spin head to vertically move, linearly move, and rotate. Here, the driving unit drives in multiple stages when the nozzle moves up and down.
다른 실시예에 있어서, 상기 구동부는; 상기 노즐과 연결되어 상기 노즐을 2 단 업다운하는 적어도 하나의 실린더를 포함한다.In another embodiment, the driving unit; And at least one cylinder connected to the nozzle to up-down the nozzle two steps.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 제 2 공정 위치 또는 상기 제 3 공정 위치에서 기판을 세정 처리한 후, 상기 제 1 공정 위치에서 린스 공정을 처리하도록 제어한다.In another embodiment, the control unit; After cleaning the substrate at the second process position or the third process position, the control is performed to process the rinse process at the first process position.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 제 2 공정 위치 또는 상기 제 3 공정 위치에서 다른 약액을 이용하여 기판을 세정 처리한 후, 상기 제 2 공정 위치에서 1 차 린스 공정을 처리하고, 이어서 상기 제 1 공정 위치에서 2 차 린스 공정을 처리한다. 여기서 상기 재사용할 약액은 상기 2 차 린스 공정에서 사용된 약액이다.In another embodiment, the control unit; After cleaning the substrate using another chemical liquid at the second process position or the third process position, the first rinse process is performed at the second process position, and then the second rinse process is performed at the first process position. Process. Wherein the chemical liquid to be reused is the chemical liquid used in the secondary rinse process.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 재사용할 약액은 순수이다.In another embodiment, the chemical to be reused is pure water.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상하로 배치되는 제 1 내지 제 3 바울들을 구비하는 기판 처리 장치의 기판 처리 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 세정 공정에서 처리된 약액들 중 재사용할 약액의 회수율을 향상시킬 수 있다.According to another feature of the present invention, there is provided a substrate processing method of a substrate processing apparatus having first to third pauls arranged up and down. According to this method, the recovery rate of the chemical liquid to be reused among the chemical liquids treated in the washing process can be improved.
이 방법은, 기판을 로딩한다. 상기 기판을 상기 제 2 바울에 대응하는 제 2 공정 위치 또는 상기 제 3 바울에 대응하는 제 3 공정 위치로 이동하여 상기 기판으로 약액을 공급하여 약액 공정을 처리한다. 상기 약액 공정이 처리된 상기 기판을 상기 제 2 공정 위치에서 상기 기판으로 순수를 공급하여 제 1 린스 공정을 처리한다. 상기 제 1 린스 공정이 처리된 상기 기판을 상기 제 1 바울에 대응하는 제 1 공정 위치로 이동하여 상기 기판으로 순수를 공급하여 제 2 린스 공정을 처리한다. 이어서 상기 기판을 언로딩한다.This method loads a substrate. The substrate is moved to a second process position corresponding to the second Paul or a third process position corresponding to the third Paul, and the chemical liquid is supplied to the substrate to process the chemical liquid process. The substrate subjected to the chemical liquid process is supplied with pure water to the substrate at the second process position to process a first rinse process. The substrate subjected to the first rinse process is moved to a first process position corresponding to the first Paul to supply pure water to the substrate to process a second rinse process. The substrate is then unloaded.
한 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 방법은; 상기 제 2 린스 공정에서 사용된 순수를 재사용하도록 전량 회수가 가능하다.In one embodiment, the substrate processing method; The entire amount can be recovered to reuse the pure water used in the second rinse process.
다른 실시예에 있어서, 상기 약액 공정을 처리하는 것은; 상기 기판을 상기 제 2 공정 위치로 이동하여 상기 기판으로 제 1 약액을 공급하여 제 1 약액 공정을 처리한다. 이어서 상기 제 1 약액 공정이 처리된 상기 기판을 상기 제 3 공정 위치로 이동하여 상기 기판으로 제 2 약액을 공급하여 제 2 약액 공정을 처리한다.In another embodiment, treating the chemical process; The substrate is moved to the second process position to supply a first chemical liquid to the substrate to process the first chemical liquid process. Subsequently, the substrate having been subjected to the first chemical process is moved to the third process position to supply a second chemical solution to the substrate to process the second chemical process.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 순수를 공급하는 것은; 상기 제 1 내지 상기 제 3 공정 위치의 기판으로 이동 가능한 적어도 하나의 노즐로 순수를 공급한다.In yet another embodiment, the supply of pure water; Pure water is supplied to at least one nozzle which is movable to the substrate of the first to third process positions.
상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치는 재사용할 약액을 공정 처리 시, 공정의 마지막 단위 공정을 제 1 바울에서 처리하여 약액을 회수함으로써, 회수된 약액이 다른 약액에 의해 오염되지 않게 할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus of the present invention can recover the chemical liquid by treating the last unit process of the process in the first Paul when the chemical liquid to be reused is processed, thereby preventing the recovered chemical liquid from being contaminated by other chemical liquids. have.
또한 본 발명의 기판 처리 장치는 재사용할 약액을 회수하기 위하여, 이동 가능한 노즐을 상하 2 단으로 구동함으로써, 기판 처리 장치의 챔버 상단에 배치된 반전 유닛과 바울들 사이의 협소한 공간에 의해 노즐이 바울에 걸리거나 부딪히는 현상을 방지할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus of the present invention drives the movable nozzle up and down two stages in order to recover the chemical liquid to be reused, so that the nozzle is closed by a narrow space between the inverting unit and the pauls disposed on the upper chamber of the substrate processing apparatus. You can prevent Paul from getting caught or bumping into you.
따라서 본 발명의 기판 처리 장치는 린스 공정에서 사용되는 순수의 회수량을 향상시킬 수 있다.Therefore, the substrate processing apparatus of this invention can improve the recovery | recovery amount of the pure water used at a rinse process.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shapes and the like of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer explanation.
이하 첨부된 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면들이다.3 and 4 are diagrams showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
도 3 및 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치는 다양한 약액들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 매엽식 세정 장치로서, 챔버(102), 처리조(110), 기판 지지부재(120) 및 복수 개의 약액 공급부재(130, 140)를 포함한다. 그리고 기판 처리 장치(100)는 제반 동작을 제어하는 제어부(104)를 포함한다. 제어부(104)는 린스 공정에서 사용된 순수의 회수율을 향상시키기 위하여, 기판(W)을 2 차적으로 린스(rinse) 공정 처리하도록 제어한다.Referring to FIGS. 3 and 4, the substrate treating apparatus is a sheet type cleaning apparatus that removes foreign matter and film remaining on the substrate surface using various chemical liquids, and includes a
챔버(102)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 내부에 처리조(110)가 설치된다.The
처리조(110)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리조(110)의 개구된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(120)가 위치된다. 기판 지지부재(120)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다.The
처리조(110)는 스핀헤드(122)가 위치되는 상부 공간과, 상부 공간과는 격리되며 처리조 내부를 배기하는 배기부재(150)가 스핀헤드(122) 하단부에 설치된 하부 공간을 제공한다. 처리조(110)의 상부 공간에는 회전되는 기판 상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 다단 바울(110)이 배치된다. 예를 들어, 다단 바울(110)은 제 1 내지 제 3 바울(112 ~ 116)들이 적층되어 다단으로 배치된다.The
제 1 내지 제 3 바울(112 ~ 116)들은 기판(W)의 공정 처리 시, 기판(W)으로 공급되는 처리액을 회수한다. 즉, 기판 처리 장치(100)는 기판(W)을 기판 지지부재(120)에 의해 회전시키면서 처리액을 이용하여 기판(W)을 처리한다. 이에 따라, 기판(W)으로 공급된 처리액이 비산되며, 기판(W)으로부터 비산된 처리액은 제 1 내지 제 3 바울(112 ~ 116)들을 통해 회수된다.The first to
구체적으로, 제 1 내지 제 3 바울(112 ~ 116)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 갖는다. 제 2 바울(114)은 제 3 바울(116)을 둘러싸고, 제 3 바울(116)으로부터 이격되어 위치한다. 제 1 바울(112)은 제 2 바울(114)을 둘러싸고, 제 2 바울(114)으로부터 이격되어 위치한다.Specifically, the first to
제 1 내지 제 3 바울(112 ~ 116)은 기판(W)으로부터 비산된 처리액 및 흄(fume)이 포함된 기류가 유입되는 제 1 내지 제 3 회수 공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제 1 회수 공간(RS1)은 제 3 바울(116)에 의해 정의되고, 기판(W)을 1 차적으로 처리하는 제 1 처리액을 회수한다. 제 2 회수 공간(RS2)은 제 2 바울(114)과 제 3 바울(116) 간의 이격 공간에 의해 정의되고, 기판(W)을 2 차적으로 처리하는 제 2 처리액을 회수한다. 제 3 회수 공간(RS3)은 제 1 바울(112)과 제 2 바울(114) 간의 이격 공간에 의해 정의되고, 기판(W)을 3 차적으로 처리하는 제 3 처리액을 회수한다.The first to
따라서 처리조(110)는 기판(W)으로부터 비산된 처리액을 제 1 내지 제 3 바울(112 ~ 116)의 상면들을 따라 제 1 내지 제 3 회수 공간(RS1 ~ RS3)들으로 수집된다. 또 제 1 내지 제 3 회수 공간(RS1 ~ RS3)에 유입된 제 1 내지 제 3 처리액들 은 제 1 내지 제 3 회수 라인(142 ~ 146)을 통해 각각 외부로 배출된다.Therefore, the
또, 처리조(110)는 처리조(110)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(160)와 결합된다. 승강 유닛(160)은 처리조(110)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리조(110)가 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(122)에 대한 처리조(110)의 상대 높이가 변경된다.In addition, the
기판(W)이 스핀헤드(122)에 로딩되거나, 스핀헤드(122)로부터 언로딩될 때, 스핀헤드(122)가 처리조(1100)의 상부로 돌출되도록 스핀헤드(122)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 바울(112, 114 또는 116)로 유입될 수 있도록 처리조(110)의 높이가 조절한다. 이에 따라, 처리조(110)와 기판(W) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리조(110)는 각 회수 공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액을 다르게 할 수 있다. 여기서 기판 처리 장치(100)는 처리조(110)를 수직 이동시켜 처리조(110)와 기판 지지부재(120) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리 장치(100)는 기판 지지부재(120)를 수직 이동시켜 처리조(110)와 기판 지지부재(120) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.When the substrate W is loaded onto the
기판 지지부재(120)는 처리조(110)의 내측에 설치된다. 기판 지지부재(120)는 원형의 상부면에 기판(W)이 안착되는 스핀헤드(122)와, 스핀헤드(122)의 하부에 스핀헤드(122)를 지지하는 지지축(124)이 연결되며, 지지축(124) 하단에 연결되어 지지축(124)을 회전 및 상하 이동시키는 구동부(126)을 포함한다. 스핀헤드(122)는 상부면에 기판(W)을 지지하는 복수 개의 지지핀(108)들과, 상부면에 안착된 기 판(W)을 고정시키는 복수 개의 척킹핀(106)들을 가진다. 기판 지지부재(120)는 구동부(126)에 의해 지지축(124)이 상하 이동 및 회전함에 따라 스핀헤드(122) 및 기판(W)이 상하 이동 및 회전한다. 따라서 기판 지지부재(120)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 구동부(126)에 의해 회전된다. The
약액 공급부재(130, 140)는 처리조(110)의 외측에 위치되어 상하 이동 및 회전 가능한 복수 개의 제 1 노즐(130 : 132, 134)들과, 처리조 외측에 고정 설치되는 복수 개의 제 2 노즐(140)들을 포함한다. 제 1 및 제 2 노즐(130, 140)들은 기판(W)을 세정 또는 식각하기 위한 처리액(약액, 린스액, 세정액 등)이나 처리 가스(건조 가스)를 기판 지지부재(120)에 고정된 기판(W)로 공급한다. 예를 들어, 처리액은 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 오존수, 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 린스액으로는 순수(DIW : DeIonized Water)가 사용될 수 있고, 건조 가스로는 이소프로필 알코올(IPA : IsoPropyl Alcohol) 가스가 사용될 수 있다.The chemical
제 1 노즐(130)은 예컨대, 스윙 노즐로 구비되어, 구동부(136)에 의해 상하 이동, 직선 이동 및 회전된다. 구동부(136)는 제 1 노즐(130 : 132, 134)들을 개별적으로 구동하거나 동시에 구동 가능하다. 구동부(136)은 예를 들어, 하나의 브라켓(미도시됨)에 제 1 노즐(130)들에 대응하여 복수 개의 실린더(미도시됨)가 나란히 설치되어고, 각각의 실린더가 제 1 노즐(132, 134)들을 다단으로 상하 이동시키 거나, 복수 개의 실린더(미도시됨)가 상하로 설치되어 상하 각각의 실린더가 제 1 노즐(132, 134)들을 다단으로 상하 이동시키는 구조를 가진다.For example, the
그리고 제어부(104)는 예를 들어, 컴퓨터 장치, 프로그램어블 로직 컨트롤러(PLC) 및 컨트롤러 등으로 구비된다. 제어부(104)는 린스 공정에서 사용되는 순수의 회수를 향상시키기 위하여, 제 1 노즐(130)들의 상하 이동을 다단 제어한다. 또 제어부(104)는 린스 공정을 2 차적으로 처리하여 순수의 회수율을 향상시킨다.The
예를 들어, 제어부(104)는 기판(W)을 제 2 또는 제 3 공정 위치(P2, P3)로 이동시켜서 약액 공정을 처리한 후, 제 1 공정 위치(P1)에서 순수(DIW)로 린스 공정을 처리하도록 제어한다. 이 때, 제어부는 순수를 공급하는 제 1 노즐들을 2 단으로 업하고, 기판 상부로 이동하고 다시 2 단 다운하도록 구동부를 제어한다. 이 경우, 제 1 공정 위치에서 사용된 순수는 다른 약액에 의해 오염되지 않으므로, 제 3 회수 공간(RS3)을 통해 전량으로 회수 가능하다.For example, the
계속해서, 도 5a 내지 도 6을 이용하여 본 발명의 기판 처리 장치의 처리 동작을 설명한다.Subsequently, the processing operation of the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 6.
즉, 도 5a 내지 도 5e는 도 4에 도시된 기판 처리 장치의 동작 상태를 나타내는 도면들이고, 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 처리 수순을 도시한 흐름도이다. 여기서 도 5a 내지 도 5e의 구성 요소들에 대한 설명은 도 3 및 도 4에 도시된 각 구성 요소들과 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.That is, FIGS. 5A to 5E are views showing an operating state of the substrate processing apparatus shown in FIG. 4, and FIG. 6 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing apparatus according to the present invention. Here, the descriptions of the components of FIGS. 5A to 5E are the same as those of FIGS. 3 and 4, and thus, detailed descriptions thereof will be omitted.
도 6을 참조하면, 기판 처리 장치는 단계 S200에서 스핀헤드(122)를 대기 위치(도 5e의 P0)로 이동하여 기판(W)을 로딩한다. 단계 S202에서 스핀헤드(122)를 제 2 단 즉, 제 2 공정 위치(도 5a의 P2)으로 이동하여 제 1 약액 공정을 처리한다. 이 때, 기판(W)은 제 2 공정 위치(P2)에서 노즐부(130)로부터 제 1 약액을 공급받아서 제 1 약액 공정을 처리한다.Referring to FIG. 6, in operation S200, the substrate processing apparatus moves the
단계 S204에서 제 3 단 즉, 제 3 공정 위치(도 5b의 P3)에서 제 2 약액 공정을 처리한다. 이 때, 기판(W)은 제 3 공정 위치(P3)에서 노즐부(130)로부터 제 2 약액을 공급받아서 제 2 약액 공정을 처리한다.In step S204, the second chemical liquid process is processed at the third stage, that is, at the third process position (P3 in FIG. 5B). At this time, the substrate W receives the second chemical solution from the
단계 S206에서 다시 기판을 제 2 단 즉, 제 2 공정 위치(도 5c의 P2)로 이동하여 순수(DIW)를 공급하여 기판(W)을 제 1 린스 공정 처리한다. 이 때, 제 2 회수 공간(RS2)에 수집된 순수(DIW)는 단계 202에서 사용된 제 1 약액이 포함되어 있므로, 순수를 재사용할 수 없다.In step S206, the substrate is moved to the second stage, that is, the second process position (P2 of FIG. 5C), and the pure water DIW is supplied to process the substrate W in a first rinse process. At this time, since the pure water DIW collected in the second recovery space RS2 contains the first chemical liquid used in step 202, the pure water cannot be reused.
단계 S208에서 기판을 제 1 단 즉, 제 1 공정 위치(도 5d의 P1)로 이동하여 제 2 린스 공정을 처리한다. 이 때, 순수를 공급하는 제 1 노즐(130)들은 처리조(110) 상부에 구비되는 반전 유닛(미도시됨)과 처리조(110) 사이의 공간에서 간섭없이 이동되도록 상부 방향으로 2 단 업(up)되고, 이어서 직선 이동(또는 회전 이동)되어 기판(W) 상부에 위치하고, 다시 하부 방향으로 2 단 다운(down)되어 제 1 공정 위치(P1)의 기판(W)으로 순수(DIW)를 공급한다. 따라서 제 1 공정 위치(P1)에서 기판을 처리한 순수(DIW)는 다른 약액의 영향을 받지 않고 제 3 회수 공간(RS3)으로 수집되어 전량 회수가 가능하다.In step S208, the substrate is moved to the first stage, that is, the first process position (P1 in FIG. 5D) to process the second rinse process. At this time, the
이어서 단계 S210에서 스핀헤드(122)를 다시 대기 위치(도 5e의 P0)로 이동하여 기판 언로딩한다.Subsequently, in step S210, the
이상에서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, the configuration and operation of the substrate processing apparatus according to the present invention are shown in accordance with the detailed description and drawings, which are merely described by way of example, and various changes and modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. It is possible.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면;1 is a diagram showing the configuration of a general substrate processing apparatus;
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 처리 수순을 도시한 흐름도;2 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1;
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도;3 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention;
도 4는 도 3에 도시된 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면;4 is a diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus shown in FIG. 3;
도 5a 내지 도 5e는 도 4에 도시된 기판 처리 장치의 동작 상태를 나타내는 도면들; 그리고5A to 5E are views showing an operating state of the substrate processing apparatus shown in FIG. 4; And
도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 처리 수순을 도시한 흐름도이다.6 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100 : 기판 처리 장치 102 : 챔버100
104 : 제어부 106 : 척킹핀104: control unit 106: chucking pin
108 : 지지핀 110 : 처리조108: support pin 110: treatment tank
120 : 기판 지지부재 130 ~ 140 : 노즐120:
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