KR101021544B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method thereof - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR101021544B1
KR101021544B1 KR1020080105854A KR20080105854A KR101021544B1 KR 101021544 B1 KR101021544 B1 KR 101021544B1 KR 1020080105854 A KR1020080105854 A KR 1020080105854A KR 20080105854 A KR20080105854 A KR 20080105854A KR 101021544 B1 KR101021544 B1 KR 101021544B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
pure water
chemical liquid
processing apparatus
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020080105854A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100046827A (en
Inventor
박선용
김우명
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020080105854A priority Critical patent/KR101021544B1/en
Publication of KR20100046827A publication Critical patent/KR20100046827A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101021544B1 publication Critical patent/KR101021544B1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H10P72/0411Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H10P72/0414Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 약액의 회수를 용이하게 하기 위한 기판 처리 장치 및 그의 처리 방법에 관한 것이다. 기판 처리 장치는 제 1 내지 제 3 바울들이 상하로 배치된다. 기판 처리 장치는 복수의 단위 공정들을 구비하는 공정 처리시, 공정에서 사용된 약액들 중 재사용할 약액을 회수하기 위하여 제 1 바울에서 약액이 회수되도록 마지막 단위 공정을 처리한다. 예컨대, 마지막 단위 공정은 순수를 이용하는 린스 공정이다. 린스 공정은 제 2 바울에 대응하는 위치에서 1 차 린스하고, 제 1 바울에 대응하는 위치에서 2 차 린스한다. 본 발명에 의하면, 2 차 린스에 사용된 순수는 전량 회수 가능하다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing method thereof for facilitating recovery of chemical liquids. In the substrate processing apparatus, the first to third pauls are arranged up and down. The substrate treating apparatus processes the last unit process so that the chemical liquid is recovered from the first Paul in order to recover the chemical liquid to be reused among the chemical liquids used in the process during the process treatment having a plurality of unit processes. For example, the last unit process is a rinse process using pure water. The rinse process is primarily rinsed in the position corresponding to the second Paul and rinsed second in the position corresponding to the first Paul. According to the present invention, the pure water used in the secondary rinse can be recovered in its entirety.

기판 처리 장치, 매엽식, 다단 바울, 순수, 회수, 세정, 린스 Substrate Processing Unit, Sheetfed, Multi-Stage Paul, Pure Water, Recovery, Cleaning, Rinse

Description

기판 처리 장치 및 그의 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and its substrate processing method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 약액의 회수를 용이하기 위한 다단 바울을 구비하는 기판 처리 장치 및 그의 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus having a multi-stage Paul for facilitating recovery of a chemical liquid, and a processing method thereof.

일반적으로 반도체 제조 장치는 증착, 포토리소그래피, 식각, 화학적 기계적 연마, 세정, 건조 등과 같은 단위 공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다. 이러한 단위 공정들 중 세정 및 건조 공정은 각각의 단위 공정들을 수행하는 동안 반도체 기판 표면에 잔류하는 이물질 또는 불필요한 막을 제거하는 공정이다.In general, semiconductor manufacturing apparatus are manufactured by repetitive performance of unit processes such as deposition, photolithography, etching, chemical mechanical polishing, cleaning, drying, and the like. Among these unit processes, a cleaning and drying process is a process of removing foreign matter or unnecessary film remaining on the surface of the semiconductor substrate during each unit process.

세정 및 건조 공정을 수행하는 장치는 다수의 기판을 동시에 세정하는 배치식 세정 장치와 낱장 단위로 기판을 세정하는 매엽식 세정 장치로 구분된다. 이 중 매엽식 세정 장치는 낱장의 기판을 지지하는 척과 기판 처리면에 처리 유체들을 공급하는 적어도 하나의 노즐을 포함한다. 매엽식 세정 장치의 공정이 개시되면, 척에 기판이 안착되고 노즐은 세정액, 린스액 및 건조 가스를 순차적으로 분사하여 기판을 세정 및 건조시킨다.The apparatus for performing the cleaning and drying process is divided into a batch type cleaning apparatus for simultaneously cleaning a plurality of substrates and a sheet type cleaning apparatus for cleaning substrates in sheet units. Among them, the single wafer cleaning apparatus includes a chuck for supporting the sheet of substrate and at least one nozzle for supplying processing fluids to the substrate processing surface. When the process of the single wafer cleaning apparatus is started, the substrate is seated on the chuck and the nozzle is sequentially sprayed with the cleaning liquid, the rinse liquid and the drying gas to clean and dry the substrate.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(2)는 예를 들어, 기판의 세정 및 건조 공정을 처리하는 매엽식 세정 장치로서, 상부가 개방된 원통형으로 구비되어 내부에 공정 처리를 위한 공간이 형성된 공정 챔버(10)와, 공정 챔버(10) 내부에 구비되어 기판을 안착하고, 세정 공정을 위해 공급되는 약액에 대응하여 상하 이동 및 회전하는 스핀헤드(4)와, 공정 챔버(10)로 다수의 약액들을 공급하는 약액 공급부(30)와 연결되어 기판 표면으로 약액을 분사하는 노즐부(20)와, 공정 챔버(10)에 구비되어 다수의 약액들을 회수하기 위하여 회전 가능한 다수의 바울(12 ~ 16)들 및, 바울(12 ~ 16)들로부터 회수된 약액들을 배출하는 배출 배관(32 ~ 36)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 2 is, for example, a single wafer type cleaning apparatus that processes a substrate cleaning and drying process, and is provided with an open cylindrical upper portion to form a space for processing therein. The chamber 10 and the spin head 4 which is provided inside the process chamber 10 and seats the substrate, moves up and down and rotates corresponding to the chemical liquid supplied for the cleaning process, and the process chamber 10 includes a plurality of process chambers. A nozzle unit 20 connected to a chemical liquid supply unit 30 supplying chemical liquids and spraying the chemical liquid to the surface of the substrate, and a plurality of Paul (12 ~ 16) rotatable in the process chamber 10 to recover a plurality of chemical liquids ) And a discharge pipe (32 to 36) for discharging the chemical liquids recovered from the Paul (12 to 16).

또 기판 처리 장치(2)는 스핀헤드(4)와 노즐부(20)에 각각 연결되어 각각 상하 이동 및/또는 회전 이동시키는 구동부(6, 26)와, 구동부(6, 26)를 제어하는 제어부(8)를 포함한다. 또 기판 처리 장치(2)는 바울(12 ~ 16)들을 회전시키는 구동부(미도시됨)를 포함한다. 또 기판 처리 장치(2)는 공정 챔버(10) 상부에 기판(W)을 반전시켜서 스핀헤드(2)로 제공하는 반전 유닛(미도시됨)이 설치된다.In addition, the substrate processing apparatus 2 is connected to the spin head 4 and the nozzle unit 20, respectively, the driving unit (6, 26) for moving up and down and / or rotation, respectively, and the control unit for controlling the driving unit (6, 26) It includes (8). The substrate processing apparatus 2 also includes a driver (not shown) for rotating the pauls 12 to 16. In addition, the substrate processing apparatus 2 is provided with an inversion unit (not shown) which inverts the substrate W and provides the spin head 2 to the upper portion of the process chamber 10.

스핀헤드(4)는 공정시 기판(W)을 지지하고, 공정 챔버(10) 내부에서 상하 이동 및 회전한다. 스핀헤드(4)는 기판(W)이 안착되면, 구동부(6)에 의해 현재 공급되는 약액에 따른 공정 위치(적어도 3 개의 위치 즉, P1, P2, P3)로 상하 이동되고, 공정 처리 시 회전된다. 또 스핀헤드는 대기 위치(P4)에서 기판(W)을 로딩 및 언로딩한다.The spin head 4 supports the substrate W during the process and moves and rotates up and down inside the process chamber 10. When the substrate W is seated, the spin head 4 is vertically moved to a process position (at least three positions, that is, P1, P2, and P3) according to the chemical liquid currently supplied by the driver 6, and rotates during the process. do. The spin head also loads and unloads the substrate W at the standby position P4.

노즐부(20)는 예를 들어, 스윙 노즐로 구비되어, 복수 개의 약액 공급부(30)로부터 서로 다른 약액들 예를 들어, 식각액, 세정액 등을 공급받아서 기판(W)으로 약액을 분사하는 복수 개의 노즐(22)들을 구비하고, 적어도 하나의 노즐 지지대(24)에 의해 노즐(22)들과, 노즐(22)들을 공정 위치 및 대기 위치에 따라 상하 이동 및 회전 이동시키는 구동부(26)와 체결된다.The nozzle unit 20 is provided with, for example, a swing nozzle, and receives a plurality of different chemical liquids, for example, an etchant, a cleaning liquid, and the like from the plurality of chemical liquid supply units 30 to inject the chemical liquid onto the substrate W. The nozzles 22 are fastened to the nozzles 22 by the at least one nozzle support 24 and the driving part 26 for vertically moving and rotating the nozzles 22 according to the process position and the standby position. .

약액 공급부(30)는 각각의 공급 라인을 통해 노즐부(20)로 다양한 약액들 예를 들어, 식각액, 세정액, 순수(DIW) 및 건조 가스 등을 공급한다.The chemical liquid supply unit 30 supplies various chemical liquids, for example, etching liquid, cleaning liquid, pure water (DIW), and dry gas, to the nozzle unit 20 through each supply line.

구동부(6, 26)는 제어부(102)의 제어를 받아서 스핀헤드(4) 및 노즐부(20)를 구동한다. 즉, 제 1 구동부(6)는 공정 진행 중에 노즐부(160)로부터 공급되는 약액에 대응하여 스핀헤드(4)의 위치를 상하로 구동시키고, 스핀헤드(4)를 회전시킨다. 제 2 구동부(미도시됨)는 예를 들어, 바울(12 ~ 16)들에 대응하여 복수 개의 모터(미도시됨) 등을 구비하고, 각각의 모터들을 이용하여 각각의 바울들(110)을 회전시킨다. 이는 노즐부(20)로부터 공급되는 약액들에 대응하여 스핀헤드(4)의 공정 위치(P1 ~ P3)에서 약액을 회수하는 바울(12 ~ 16)들을 개별적으로 회전시킨다.The driving units 6 and 26 are driven by the control unit 102 to drive the spin head 4 and the nozzle unit 20. That is, the first driver 6 drives the position of the spin head 4 up and down in response to the chemical liquid supplied from the nozzle unit 160 during the process, and rotates the spin head 4. The second driving unit (not shown) includes, for example, a plurality of motors (not shown) corresponding to the Pauls 12 to 16, and uses the respective motors to drive the respective Pauls 110. Rotate This individually rotates the pauls 12 to 16 recovering the chemical liquid at the process positions P1 to P3 of the spin head 4 in response to the chemical liquids supplied from the nozzle unit 20.

바울(12 ~ 16)들은 예를 들어, 공정 챔버(10)에 복수 개의 바울(bowl)(12 ~ 16)들로 구비되어, 공정시 사용되는 약액들을 각각 회수한다. 제 1 내지 제 3 바울(12 ~ 16)은 각각 상부가 개방되고 스핀헤드(4)의 측부에서 상하로 적층된다. 제 1 바울 내지 제 3 바울(12 ~ 16)은 각각 내부에 공정시 사용된 제 1 내지 제 3 약액이 수용되는 공간이 제공된다. 이러한 제 1 내지 제 3 바울(12 ~ 16)은 각각 배출 배관(32 ~ 36)들을 통해 공간에 포집된 약액들을 회수한다.For example, the pauls 12 to 16 are provided with a plurality of pauls 12 to 16 in the process chamber 10, respectively, to recover the chemical liquids used in the process. The first to third pauls 12 to 16 are each open at the top and stacked up and down on the side of the spin head 4. Each of the first to third pauls 12 to 16 is provided with a space for accommodating the first to third chemical liquids used in the process. The first to third pauls 12 to 16 respectively collect the chemical liquids collected in the space through the discharge pipes 32 to 36.

구체적으로, 바울(12 ~ 16)는 노즐부(20)로부터 공급되는 약액들을 각각 포집하여 약액의 재사용이 가능하도록 한다. 바울(12 ~ 16)는 내부에 스핀헤드(4)가 배치되고, 스핀헤드(4)의 복수 개의 공정 위치(P1 ~ P3)에 대응하여 서로 다른 약액들을 포집한다.Specifically, Paul 12 to 16 collect the chemical liquids supplied from the nozzle unit 20 so that the chemical liquids can be reused. Paul 12 to 16 are disposed inside the spin head 4, and collects different chemical liquids corresponding to the plurality of process positions (P1 ~ P3) of the spin head (4).

그리고 제어부(8)는 기판 처리 장치(2)의 세정 및 건조 공정을 처리하는 제반 동작을 제어한다. 즉, 제어부(8)는 제 1 구동부(6)를 제어하여 공정 처리시 스핀헤드(4)의 위치 및 회전 속도를 제어한다. 그리고, 제어부(8)는 제 2 구동부(미도시됨)를 제어하여 각각의 바울(12 ~ 16)들을 동작시킨다. 따라서 제어부(8)는 공정 처리시, 스핀헤드(4)의 공정 위치(P1 ~ P3)에 대응되는 바울을 스핀헤드(4)와 동시에 또는 따로 동일한 방향으로 회전시켜서 약액을 포집하도록 제어한다.And the control part 8 controls the general operation | movement which processes the washing | cleaning and drying process of the substrate processing apparatus 2. That is, the controller 8 controls the first driver 6 to control the position and rotation speed of the spin head 4 during the process. In addition, the controller 8 controls the second driver (not shown) to operate the respective Pauls 12 to 16. Therefore, during the process, the controller 8 controls to collect the chemical liquid by rotating the paul corresponding to the process positions P1 to P3 of the spin head 4 simultaneously or separately from the spin head 4 in the same direction.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(2)는 단계 S40에서 스핀헤드(4)를 대기 위치(P4)로 이동하여 기판(W)을 로딩한다. 단계 S42에서 노즐부(20)로부터 공급되는 약액에 대응하는 공정 위치(P1 ~ P3)로 스핀헤드(4)를 상하 이동시킨다. 예를 들어, 스핀헤드(4)는 공정 처리 시, 복수 개의 약액 공급부(30)로부터 공급되는 제 1 내지 제 3 약액 각각에 대응하여 제 1 내지 제 3 공정 위치(P1 ~ P3)로 순차적으로 이동된다. 단계 S44에서 제 1 내지 제 3 공정 위치에서 공정이 완료되면, 다시 스핀헤드(4)를 제 1 공정 위치(P1)으로 이동하여 세정 공정 즉, 린스 및 건조 공정을 처리한다. 이어서 단계 S46에서 스핀헤드(4)를 대기 위치(P4)로 이동하여 기판을 언로딩한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 2 moves the spin head 4 to the standby position P4 in step S40 to load the substrate W. In FIG. In step S42, the spin head 4 is moved up and down to the process positions P1 to P3 corresponding to the chemical liquid supplied from the nozzle unit 20. FIG. For example, during the process, the spin head 4 sequentially moves to the first to third process positions P1 to P3 corresponding to each of the first to third chemical liquids supplied from the plurality of chemical liquid supply units 30. do. When the process is completed in the first to the third process position in step S44, the spin head 4 is moved to the first process position P1 again to process the cleaning process, that is, the rinsing and drying process. Next, in step S46, the spin head 4 is moved to the standby position P4 to unload the substrate.

상술한 바와 같이, 기판 처리 장치(2)는 대기 위치(P4)로 이동하여 기판을 로딩하고, 제 1 내지 제 3 공정 위치(P1 ~ P3)에서 노즐부(20)로부터 각각의 약액들을 공급받아서 약액 공정을 처리하고, 약액 공정이 완료되면, 다시 제 1 공정 위 치(P1)로 이동하고, 기판으로 순수를 공급하여 린스 공정을 처리한다. 그리고 세정 공정이 완료되면, 다시 대기 위치(P4)로 이동하여 기판을 언로딩한다.As described above, the substrate processing apparatus 2 moves to the standby position P4 to load the substrate, and receives respective chemical liquids from the nozzle unit 20 at the first to third process positions P1 to P3. The chemical liquid process is processed, and when the chemical liquid process is completed, the chemical liquid process is moved to the first process position P1 again, and pure water is supplied to the substrate to process the rinse process. When the cleaning process is completed, the substrate is moved to the standby position P4 again to unload the substrate.

그러므로 기판 처리 장치(2)는 제 1 내지 제 3 공정 위치(P1 ~ P3)에서 사용되는 약액이 제 1 공정 위치(P1)에서 사용되는 순수(DIW)를 오염시키게 되어 순수(DIW)의 회수율이 저하된다.Therefore, the substrate processing apparatus 2 causes the chemical liquid used at the first to third process positions P1 to P3 to contaminate the pure water DIW used at the first process position P1, so that the recovery rate of the pure water DIW is increased. Degrades.

뿐 만 아니라, 순수의 회수율을 향상시키기 위하여 기판 처리 장치(2)는 제 1 공정 위치(P1)가 아닌 다른 공정 위치(P2 또는 P3)에서 린스 공정을 진행하는 경우, 해당 공정 위치(P2 또는 P3)에 대응하여 노즐부(20)를 상하 이동, 직선 이동 및 회전시켜서 기판(W)으로 약액들을 공급해야 하는데, 이 때, 공정 챔버(10) 상단에 배치된 반전 유닛(미도시됨)과 바울(12 ~ 16)들의 사이 공간이 협소하여 노즐부(20)가 외측에 위치하는 바울(12)의 상단에 걸리거나 부딪히는 현상이 발생된다. 따라서 기존의 기판 처리 장치(2)는 순수의 회수율을 향상시키기 위해서는 노즐부(20)의 간섭이 발생되는 문제점이 있다.In addition, in order to improve the recovery rate of pure water, when the substrate processing apparatus 2 performs the rinsing process at a process position P2 or P3 other than the first process position P1, the process position P2 or P3 In order to supply the chemical liquids to the substrate W by vertically moving, linearly moving and rotating the nozzle unit 20, the inverting unit (not shown) and the Paul disposed on the process chamber 10 are disposed. Since the space between the 12 to 16 is narrow, the phenomenon that the nozzle portion 20 is caught or hit the upper end of the pole 12 is located outside. Therefore, the conventional substrate processing apparatus 2 has a problem that interference of the nozzle unit 20 is generated to improve the recovery rate of pure water.

본 발명의 목적은 세정 공정 시, 순수의 회수를 용이하게 하는 기판 처리 장치 및 그의 처리 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a processing method thereof that facilitate recovery of pure water during a washing step.

본 발명의 다른 목적은 린스 공정에서 사용되는 순수를 전량 회수하기 위한 다단 바울을 구비하는 기판 처리 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a method including a multi-stage Paul for recovering the total amount of pure water used in the rinsing process.

상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 다단 바울을 갖는 기판 처리 장치는 순수를 이용하여 기판을 2 단계로 린스하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 기판 처리 장치는 공정에서 사용된 순수의 회수율을 향상시킬 수 있다.To achieve the above objects, the substrate processing apparatus having the multi-stage Paul of the present invention is characterized by rinsing the substrate in two stages using pure water. Thus, the substrate processing apparatus can improve the recovery rate of the pure water used at the process.

본 발명의 기판 처리 장치는, 상하로 배치되는 제 1 내지 제 3 바울들을 갖는 처리조와; 공정 시, 기판을 지지하고, 상기 제 1 내지 제 3 바울들에 대응하여 제 1 내지 제 3 공정 위치로 이동 가능한 스핀헤드와; 상기 제 1 내지 상기 제 3 공정 위치 중 어느 하나에서 상기 스핀헤드에 지지된 기판으로 공정을 처리하는 약액들을 공급하는 이동 가능한 적어도 하나의 노즐 및; 상기 제 1 내지 상기 제 3 공정 위치에서 사용된 약액들 중 재사용할 약액은 상기 제 1 공정 위치에서 공급하여 공정을 처리하도록 제어하는 제어부를 포함한다.A substrate processing apparatus of the present invention includes: a processing tank having first to third pauls arranged up and down; During the process, the spinhead supporting the substrate and movable to the first to third processing positions corresponding to the first to third pauls; At least one movable nozzle for supplying chemical liquids for processing the process to a substrate supported by the spin head at any one of the first to third processing positions; The chemical liquid to be reused among the chemical liquids used in the first to third process positions may be supplied from the first process position to control the process to process the process.

한 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 장치는; 상기 노즐을 상기 스핀헤드에 지지된 기판으로 상하 이동, 직선 이동 및 회전 이동되도록 구동하는 구동부를 더 포함한다. 여기서 상기 구동부는 상기 노즐의 상하 이동 시, 다단으로 구동한다.In one embodiment, the substrate processing apparatus; The apparatus may further include a driving unit configured to drive the nozzle to the substrate supported by the spin head to vertically move, linearly move, and rotate. Here, the driving unit drives in multiple stages when the nozzle moves up and down.

다른 실시예에 있어서, 상기 구동부는; 상기 노즐과 연결되어 상기 노즐을 2 단 업다운하는 적어도 하나의 실린더를 포함한다.In another embodiment, the driving unit; And at least one cylinder connected to the nozzle to up-down the nozzle two steps.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 제 2 공정 위치 또는 상기 제 3 공정 위치에서 기판을 세정 처리한 후, 상기 제 1 공정 위치에서 린스 공정을 처리하도록 제어한다.In another embodiment, the control unit; After cleaning the substrate at the second process position or the third process position, the control is performed to process the rinse process at the first process position.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 제 2 공정 위치 또는 상기 제 3 공정 위치에서 다른 약액을 이용하여 기판을 세정 처리한 후, 상기 제 2 공정 위치에서 1 차 린스 공정을 처리하고, 이어서 상기 제 1 공정 위치에서 2 차 린스 공정을 처리한다. 여기서 상기 재사용할 약액은 상기 2 차 린스 공정에서 사용된 약액이다.In another embodiment, the control unit; After cleaning the substrate using another chemical liquid at the second process position or the third process position, the first rinse process is performed at the second process position, and then the second rinse process is performed at the first process position. Process. Wherein the chemical liquid to be reused is the chemical liquid used in the secondary rinse process.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 재사용할 약액은 순수이다.In another embodiment, the chemical to be reused is pure water.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 상하로 배치되는 제 1 내지 제 3 바울들을 구비하는 기판 처리 장치의 기판 처리 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 세정 공정에서 처리된 약액들 중 재사용할 약액의 회수율을 향상시킬 수 있다.According to another feature of the present invention, there is provided a substrate processing method of a substrate processing apparatus having first to third pauls arranged up and down. According to this method, the recovery rate of the chemical liquid to be reused among the chemical liquids treated in the washing process can be improved.

이 방법은, 기판을 로딩한다. 상기 기판을 상기 제 2 바울에 대응하는 제 2 공정 위치 또는 상기 제 3 바울에 대응하는 제 3 공정 위치로 이동하여 상기 기판으로 약액을 공급하여 약액 공정을 처리한다. 상기 약액 공정이 처리된 상기 기판을 상기 제 2 공정 위치에서 상기 기판으로 순수를 공급하여 제 1 린스 공정을 처리한다. 상기 제 1 린스 공정이 처리된 상기 기판을 상기 제 1 바울에 대응하는 제 1 공정 위치로 이동하여 상기 기판으로 순수를 공급하여 제 2 린스 공정을 처리한다. 이어서 상기 기판을 언로딩한다.This method loads a substrate. The substrate is moved to a second process position corresponding to the second Paul or a third process position corresponding to the third Paul, and the chemical liquid is supplied to the substrate to process the chemical liquid process. The substrate subjected to the chemical liquid process is supplied with pure water to the substrate at the second process position to process a first rinse process. The substrate subjected to the first rinse process is moved to a first process position corresponding to the first Paul to supply pure water to the substrate to process a second rinse process. The substrate is then unloaded.

한 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 방법은; 상기 제 2 린스 공정에서 사용된 순수를 재사용하도록 전량 회수가 가능하다.In one embodiment, the substrate processing method; The entire amount can be recovered to reuse the pure water used in the second rinse process.

다른 실시예에 있어서, 상기 약액 공정을 처리하는 것은; 상기 기판을 상기 제 2 공정 위치로 이동하여 상기 기판으로 제 1 약액을 공급하여 제 1 약액 공정을 처리한다. 이어서 상기 제 1 약액 공정이 처리된 상기 기판을 상기 제 3 공정 위치로 이동하여 상기 기판으로 제 2 약액을 공급하여 제 2 약액 공정을 처리한다.In another embodiment, treating the chemical process; The substrate is moved to the second process position to supply a first chemical liquid to the substrate to process the first chemical liquid process. Subsequently, the substrate having been subjected to the first chemical process is moved to the third process position to supply a second chemical solution to the substrate to process the second chemical process.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 순수를 공급하는 것은; 상기 제 1 내지 상기 제 3 공정 위치의 기판으로 이동 가능한 적어도 하나의 노즐로 순수를 공급한다.In yet another embodiment, the supply of pure water; Pure water is supplied to at least one nozzle which is movable to the substrate of the first to third process positions.

상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치는 재사용할 약액을 공정 처리 시, 공정의 마지막 단위 공정을 제 1 바울에서 처리하여 약액을 회수함으로써, 회수된 약액이 다른 약액에 의해 오염되지 않게 할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus of the present invention can recover the chemical liquid by treating the last unit process of the process in the first Paul when the chemical liquid to be reused is processed, thereby preventing the recovered chemical liquid from being contaminated by other chemical liquids. have.

또한 본 발명의 기판 처리 장치는 재사용할 약액을 회수하기 위하여, 이동 가능한 노즐을 상하 2 단으로 구동함으로써, 기판 처리 장치의 챔버 상단에 배치된 반전 유닛과 바울들 사이의 협소한 공간에 의해 노즐이 바울에 걸리거나 부딪히는 현상을 방지할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus of the present invention drives the movable nozzle up and down two stages in order to recover the chemical liquid to be reused, so that the nozzle is closed by a narrow space between the inverting unit and the pauls disposed on the upper chamber of the substrate processing apparatus. You can prevent Paul from getting caught or bumping into you.

따라서 본 발명의 기판 처리 장치는 린스 공정에서 사용되는 순수의 회수량을 향상시킬 수 있다.Therefore, the substrate processing apparatus of this invention can improve the recovery | recovery amount of the pure water used at a rinse process.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shapes and the like of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer explanation.

이하 첨부된 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6.

도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면들이다.3 and 4 are diagrams showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치는 다양한 약액들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 매엽식 세정 장치로서, 챔버(102), 처리조(110), 기판 지지부재(120) 및 복수 개의 약액 공급부재(130, 140)를 포함한다. 그리고 기판 처리 장치(100)는 제반 동작을 제어하는 제어부(104)를 포함한다. 제어부(104)는 린스 공정에서 사용된 순수의 회수율을 향상시키기 위하여, 기판(W)을 2 차적으로 린스(rinse) 공정 처리하도록 제어한다.Referring to FIGS. 3 and 4, the substrate treating apparatus is a sheet type cleaning apparatus that removes foreign matter and film remaining on the substrate surface using various chemical liquids, and includes a chamber 102, a treatment tank 110, and a substrate supporting member ( 120) and a plurality of chemical liquid supply members (130, 140). In addition, the substrate processing apparatus 100 includes a controller 104 that controls overall operations. The controller 104 controls the substrate W to be rinsed secondary to improve the recovery rate of pure water used in the rinsing process.

챔버(102)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 내부에 처리조(110)가 설치된다.The chamber 102 provides a sealed inner space, and the treatment tank 110 is installed therein.

처리조(110)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리조(110)의 개구된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(120)가 위치된다. 기판 지지부재(120)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다.The treatment tank 110 has a cylindrical shape with an open upper portion, and provides a process space for treating the substrate W. FIG. The opened upper surface of the processing tank 110 serves as a carrying-out and carrying-in passage of the substrate W. As shown in FIG. The substrate support member 120 is positioned in the process space. The substrate support member 120 supports the substrate W during the process and rotates the substrate.

처리조(110)는 스핀헤드(122)가 위치되는 상부 공간과, 상부 공간과는 격리되며 처리조 내부를 배기하는 배기부재(150)가 스핀헤드(122) 하단부에 설치된 하부 공간을 제공한다. 처리조(110)의 상부 공간에는 회전되는 기판 상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 다단 바울(110)이 배치된다. 예를 들어, 다단 바울(110)은 제 1 내지 제 3 바울(112 ~ 116)들이 적층되어 다단으로 배치된다.The treatment tank 110 provides an upper space in which the spin head 122 is located, and a lower space in which the exhaust member 150 exhausting the inside of the treatment tank is provided at a lower end of the spin head 122. In the upper space of the processing tank 110, an annular multi-stage Paul 110 for introducing and sucking chemicals and gases scattered on a rotating substrate is disposed. For example, the multi-stage Paul 110 is arranged in a multi-stage by stacking the first to third Paul (112 to 116).

제 1 내지 제 3 바울(112 ~ 116)들은 기판(W)의 공정 처리 시, 기판(W)으로 공급되는 처리액을 회수한다. 즉, 기판 처리 장치(100)는 기판(W)을 기판 지지부재(120)에 의해 회전시키면서 처리액을 이용하여 기판(W)을 처리한다. 이에 따라, 기판(W)으로 공급된 처리액이 비산되며, 기판(W)으로부터 비산된 처리액은 제 1 내지 제 3 바울(112 ~ 116)들을 통해 회수된다.The first to third pauls 112 to 116 recover the processing liquid supplied to the substrate W when the substrate W is processed. That is, the substrate processing apparatus 100 processes the substrate W using the processing liquid while rotating the substrate W by the substrate support member 120. Accordingly, the processing liquid supplied to the substrate W is scattered, and the processing liquid scattered from the substrate W is recovered through the first to third pauls 112 to 116.

구체적으로, 제 1 내지 제 3 바울(112 ~ 116)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 갖는다. 제 2 바울(114)은 제 3 바울(116)을 둘러싸고, 제 3 바울(116)으로부터 이격되어 위치한다. 제 1 바울(112)은 제 2 바울(114)을 둘러싸고, 제 2 바울(114)으로부터 이격되어 위치한다.Specifically, the first to third pauls 112 to 116 each have a bottom surface having an annular ring shape and a side wall extending from the bottom surface and having a cylindrical shape. The second Paul 114 surrounds the third Paul 116 and is located away from the third Paul 116. The first Paul 112 surrounds the second Paul 114 and is located away from the second Paul 114.

제 1 내지 제 3 바울(112 ~ 116)은 기판(W)으로부터 비산된 처리액 및 흄(fume)이 포함된 기류가 유입되는 제 1 내지 제 3 회수 공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제 1 회수 공간(RS1)은 제 3 바울(116)에 의해 정의되고, 기판(W)을 1 차적으로 처리하는 제 1 처리액을 회수한다. 제 2 회수 공간(RS2)은 제 2 바울(114)과 제 3 바울(116) 간의 이격 공간에 의해 정의되고, 기판(W)을 2 차적으로 처리하는 제 2 처리액을 회수한다. 제 3 회수 공간(RS3)은 제 1 바울(112)과 제 2 바울(114) 간의 이격 공간에 의해 정의되고, 기판(W)을 3 차적으로 처리하는 제 3 처리액을 회수한다.The first to third pauls 112 to 116 provide the first to third recovery spaces RS1, RS2, and RS3 into which the air flow containing the treatment liquid and the fume scattered from the substrate W flows. . The 1st collection space RS1 is defined by the 3rd Paul 116, and collect | recovers the 1st process liquid which processes the board | substrate W primarily. The second recovery space RS2 is defined by the separation space between the second paul 114 and the third paul 116, and recovers the second processing liquid for secondarily treating the substrate W. As shown in FIG. The third recovery space RS3 is defined by the separation space between the first paul 112 and the second paul 114, and recovers a third treatment liquid for tertiarily treating the substrate W. FIG.

따라서 처리조(110)는 기판(W)으로부터 비산된 처리액을 제 1 내지 제 3 바울(112 ~ 116)의 상면들을 따라 제 1 내지 제 3 회수 공간(RS1 ~ RS3)들으로 수집된다. 또 제 1 내지 제 3 회수 공간(RS1 ~ RS3)에 유입된 제 1 내지 제 3 처리액들 은 제 1 내지 제 3 회수 라인(142 ~ 146)을 통해 각각 외부로 배출된다.Therefore, the treatment tank 110 collects the treatment liquid scattered from the substrate W into the first to third recovery spaces RS1 to RS3 along the upper surfaces of the first to third pauls 112 to 116. In addition, the first to third processing liquids introduced into the first to third recovery spaces RS1 to RS3 are discharged to the outside through the first to third recovery lines 142 to 146, respectively.

또, 처리조(110)는 처리조(110)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(160)와 결합된다. 승강 유닛(160)은 처리조(110)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리조(110)가 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(122)에 대한 처리조(110)의 상대 높이가 변경된다.In addition, the treatment tank 110 is coupled to the lifting unit 160 for changing the vertical position of the treatment tank 110. The lifting unit 160 linearly moves the processing tank 110 in the vertical direction. As the treatment tank 110 is moved up and down, the relative height of the treatment tank 110 with respect to the spin head 122 is changed.

기판(W)이 스핀헤드(122)에 로딩되거나, 스핀헤드(122)로부터 언로딩될 때, 스핀헤드(122)가 처리조(1100)의 상부로 돌출되도록 스핀헤드(122)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 바울(112, 114 또는 116)로 유입될 수 있도록 처리조(110)의 높이가 조절한다. 이에 따라, 처리조(110)와 기판(W) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리조(110)는 각 회수 공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액을 다르게 할 수 있다. 여기서 기판 처리 장치(100)는 처리조(110)를 수직 이동시켜 처리조(110)와 기판 지지부재(120) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리 장치(100)는 기판 지지부재(120)를 수직 이동시켜 처리조(110)와 기판 지지부재(120) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.When the substrate W is loaded onto the spin head 122 or unloaded from the spin head 122, the spin head 122 descends so that the spin head 122 protrudes above the processing tank 1100. In addition, when the process is in progress, the height of the treatment tank 110 is adjusted to allow the treatment liquid to flow into the preset paul 112, 114, or 116 according to the type of treatment liquid supplied to the substrate W. Accordingly, the relative vertical position between the processing tank 110 and the substrate W is changed. Therefore, the treatment tank 110 may vary the treatment liquid recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3. The substrate processing apparatus 100 changes the relative vertical position between the processing tank 110 and the substrate supporting member 120 by vertically moving the processing tank 110. However, the substrate processing apparatus 100 may change the relative vertical position between the processing tank 110 and the substrate supporting member 120 by vertically moving the substrate supporting member 120.

기판 지지부재(120)는 처리조(110)의 내측에 설치된다. 기판 지지부재(120)는 원형의 상부면에 기판(W)이 안착되는 스핀헤드(122)와, 스핀헤드(122)의 하부에 스핀헤드(122)를 지지하는 지지축(124)이 연결되며, 지지축(124) 하단에 연결되어 지지축(124)을 회전 및 상하 이동시키는 구동부(126)을 포함한다. 스핀헤드(122)는 상부면에 기판(W)을 지지하는 복수 개의 지지핀(108)들과, 상부면에 안착된 기 판(W)을 고정시키는 복수 개의 척킹핀(106)들을 가진다. 기판 지지부재(120)는 구동부(126)에 의해 지지축(124)이 상하 이동 및 회전함에 따라 스핀헤드(122) 및 기판(W)이 상하 이동 및 회전한다. 따라서 기판 지지부재(120)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 구동부(126)에 의해 회전된다. The substrate support member 120 is installed inside the treatment tank 110. The substrate support member 120 includes a spin head 122 on which a substrate W is seated on a circular upper surface, and a support shaft 124 supporting the spin head 122 at a lower portion of the spin head 122. The driving unit 126 is connected to the lower end of the support shaft 124 to rotate and move the support shaft 124 up and down. The spin head 122 has a plurality of support pins 108 for supporting the substrate W on the upper surface and a plurality of chucking pins 106 for fixing the substrate W seated on the upper surface. As the support shaft 124 moves up and down by the driving unit 126, the substrate support member 120 moves and rotates the spin head 122 and the substrate W up and down. Therefore, the substrate support member 120 supports the substrate W during the process and is rotated by the driving unit 126 in which the process is performed.

약액 공급부재(130, 140)는 처리조(110)의 외측에 위치되어 상하 이동 및 회전 가능한 복수 개의 제 1 노즐(130 : 132, 134)들과, 처리조 외측에 고정 설치되는 복수 개의 제 2 노즐(140)들을 포함한다. 제 1 및 제 2 노즐(130, 140)들은 기판(W)을 세정 또는 식각하기 위한 처리액(약액, 린스액, 세정액 등)이나 처리 가스(건조 가스)를 기판 지지부재(120)에 고정된 기판(W)로 공급한다. 예를 들어, 처리액은 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 오존수, 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 린스액으로는 순수(DIW : DeIonized Water)가 사용될 수 있고, 건조 가스로는 이소프로필 알코올(IPA : IsoPropyl Alcohol) 가스가 사용될 수 있다.The chemical liquid supply members 130 and 140 are positioned outside the processing tank 110 and are capable of moving up and down and rotatable, and the plurality of first nozzles 130: 132 and 134 and a plurality of second fixedly installed outside the processing tank. Nozzles 140. The first and second nozzles 130 and 140 may fix a processing liquid (chemical liquid, rinse liquid, cleaning liquid, etc.) or processing gas (dry gas) for cleaning or etching the substrate W to the substrate support member 120. It supplies to the board | substrate W. For example, the treatment solution may be hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid (H3SO4), nitric acid (HNO3), phosphoric acid (H3PO4), ozone water, and SC-1 solution (ammonium hydroxide (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O 2 )). And it may be at least one selected from the group consisting of water (mixture of H 2 O). Pure water (DIW: DeIonized Water) may be used as the rinse liquid, and isopropyl alcohol (IPA) gas may be used as the dry gas.

제 1 노즐(130)은 예컨대, 스윙 노즐로 구비되어, 구동부(136)에 의해 상하 이동, 직선 이동 및 회전된다. 구동부(136)는 제 1 노즐(130 : 132, 134)들을 개별적으로 구동하거나 동시에 구동 가능하다. 구동부(136)은 예를 들어, 하나의 브라켓(미도시됨)에 제 1 노즐(130)들에 대응하여 복수 개의 실린더(미도시됨)가 나란히 설치되어고, 각각의 실린더가 제 1 노즐(132, 134)들을 다단으로 상하 이동시키 거나, 복수 개의 실린더(미도시됨)가 상하로 설치되어 상하 각각의 실린더가 제 1 노즐(132, 134)들을 다단으로 상하 이동시키는 구조를 가진다.For example, the first nozzle 130 is provided as a swing nozzle, and is vertically moved, linearly moved, and rotated by the driving unit 136. The driving unit 136 may drive the first nozzles 130: 132 and 134 individually or simultaneously. For example, the driving unit 136 is provided with a plurality of cylinders (not shown) side by side corresponding to the first nozzles 130 in one bracket (not shown), each cylinder is a first nozzle ( 132, 134 is moved up and down in multiple stages, or a plurality of cylinders (not shown) are installed up and down so that each cylinder up and down has the structure to move the first nozzle (132, 134) up and down in multiple stages.

그리고 제어부(104)는 예를 들어, 컴퓨터 장치, 프로그램어블 로직 컨트롤러(PLC) 및 컨트롤러 등으로 구비된다. 제어부(104)는 린스 공정에서 사용되는 순수의 회수를 향상시키기 위하여, 제 1 노즐(130)들의 상하 이동을 다단 제어한다. 또 제어부(104)는 린스 공정을 2 차적으로 처리하여 순수의 회수율을 향상시킨다.The controller 104 is provided with, for example, a computer device, a programmable logic controller (PLC), a controller, and the like. The controller 104 controls the vertical movement of the first nozzles 130 in multiple stages to improve the recovery of the pure water used in the rinsing process. The control unit 104 further processes the rinse step to improve the recovery rate of pure water.

예를 들어, 제어부(104)는 기판(W)을 제 2 또는 제 3 공정 위치(P2, P3)로 이동시켜서 약액 공정을 처리한 후, 제 1 공정 위치(P1)에서 순수(DIW)로 린스 공정을 처리하도록 제어한다. 이 때, 제어부는 순수를 공급하는 제 1 노즐들을 2 단으로 업하고, 기판 상부로 이동하고 다시 2 단 다운하도록 구동부를 제어한다. 이 경우, 제 1 공정 위치에서 사용된 순수는 다른 약액에 의해 오염되지 않으므로, 제 3 회수 공간(RS3)을 통해 전량으로 회수 가능하다.For example, the controller 104 processes the chemical liquid process by moving the substrate W to the second or third process positions P2 and P3, and then rinses with pure water DIW at the first process position P1. Control to process the process. At this time, the control unit controls the driving unit to move up the first nozzles for supplying the pure water to the second stage, move the upper portion of the substrate, and down the second stage again. In this case, since the pure water used in the first process position is not contaminated by other chemical liquids, it is possible to recover the whole amount through the third recovery space RS3.

계속해서, 도 5a 내지 도 6을 이용하여 본 발명의 기판 처리 장치의 처리 동작을 설명한다.Subsequently, the processing operation of the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 6.

즉, 도 5a 내지 도 5e는 도 4에 도시된 기판 처리 장치의 동작 상태를 나타내는 도면들이고, 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 처리 수순을 도시한 흐름도이다. 여기서 도 5a 내지 도 5e의 구성 요소들에 대한 설명은 도 3 및 도 4에 도시된 각 구성 요소들과 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.That is, FIGS. 5A to 5E are views showing an operating state of the substrate processing apparatus shown in FIG. 4, and FIG. 6 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing apparatus according to the present invention. Here, the descriptions of the components of FIGS. 5A to 5E are the same as those of FIGS. 3 and 4, and thus, detailed descriptions thereof will be omitted.

도 6을 참조하면, 기판 처리 장치는 단계 S200에서 스핀헤드(122)를 대기 위치(도 5e의 P0)로 이동하여 기판(W)을 로딩한다. 단계 S202에서 스핀헤드(122)를 제 2 단 즉, 제 2 공정 위치(도 5a의 P2)으로 이동하여 제 1 약액 공정을 처리한다. 이 때, 기판(W)은 제 2 공정 위치(P2)에서 노즐부(130)로부터 제 1 약액을 공급받아서 제 1 약액 공정을 처리한다.Referring to FIG. 6, in operation S200, the substrate processing apparatus moves the spin head 122 to a standby position (PO in FIG. 5E) to load the substrate W. In FIG. In step S202, the spin head 122 is moved to the second stage, that is, the second process position (P2 in FIG. 5A) to process the first chemical liquid process. At this time, the substrate W receives the first chemical solution from the nozzle unit 130 at the second process position P2 to process the first chemical solution process.

단계 S204에서 제 3 단 즉, 제 3 공정 위치(도 5b의 P3)에서 제 2 약액 공정을 처리한다. 이 때, 기판(W)은 제 3 공정 위치(P3)에서 노즐부(130)로부터 제 2 약액을 공급받아서 제 2 약액 공정을 처리한다.In step S204, the second chemical liquid process is processed at the third stage, that is, at the third process position (P3 in FIG. 5B). At this time, the substrate W receives the second chemical solution from the nozzle unit 130 at the third process position P3 to process the second chemical solution process.

단계 S206에서 다시 기판을 제 2 단 즉, 제 2 공정 위치(도 5c의 P2)로 이동하여 순수(DIW)를 공급하여 기판(W)을 제 1 린스 공정 처리한다. 이 때, 제 2 회수 공간(RS2)에 수집된 순수(DIW)는 단계 202에서 사용된 제 1 약액이 포함되어 있므로, 순수를 재사용할 수 없다.In step S206, the substrate is moved to the second stage, that is, the second process position (P2 of FIG. 5C), and the pure water DIW is supplied to process the substrate W in a first rinse process. At this time, since the pure water DIW collected in the second recovery space RS2 contains the first chemical liquid used in step 202, the pure water cannot be reused.

단계 S208에서 기판을 제 1 단 즉, 제 1 공정 위치(도 5d의 P1)로 이동하여 제 2 린스 공정을 처리한다. 이 때, 순수를 공급하는 제 1 노즐(130)들은 처리조(110) 상부에 구비되는 반전 유닛(미도시됨)과 처리조(110) 사이의 공간에서 간섭없이 이동되도록 상부 방향으로 2 단 업(up)되고, 이어서 직선 이동(또는 회전 이동)되어 기판(W) 상부에 위치하고, 다시 하부 방향으로 2 단 다운(down)되어 제 1 공정 위치(P1)의 기판(W)으로 순수(DIW)를 공급한다. 따라서 제 1 공정 위치(P1)에서 기판을 처리한 순수(DIW)는 다른 약액의 영향을 받지 않고 제 3 회수 공간(RS3)으로 수집되어 전량 회수가 가능하다.In step S208, the substrate is moved to the first stage, that is, the first process position (P1 in FIG. 5D) to process the second rinse process. At this time, the first nozzles 130 for supplying pure water are provided in two stages in an upward direction so as to move without interference in the space between the inverting unit (not shown) and the treatment tank 110 provided above the treatment tank 110. (up), and then linearly moved (or rotated) to be positioned above the substrate W, and then down two stages in the downward direction again to the substrate W at the first process position P1 to be pure water (DIW). To supply. Therefore, the pure water DIW having processed the substrate at the first process position P1 is collected into the third recovery space RS3 without being affected by other chemical liquids, so that the entire amount can be recovered.

이어서 단계 S210에서 스핀헤드(122)를 다시 대기 위치(도 5e의 P0)로 이동하여 기판 언로딩한다.Subsequently, in step S210, the spin head 122 is moved back to the standby position (PO in FIG. 5E) to unload the substrate.

이상에서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, the configuration and operation of the substrate processing apparatus according to the present invention are shown in accordance with the detailed description and drawings, which are merely described by way of example, and various changes and modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. It is possible.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면;1 is a diagram showing the configuration of a general substrate processing apparatus;

도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 처리 수순을 도시한 흐름도;2 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1;

도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도;3 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention;

도 4는 도 3에 도시된 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면;4 is a diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus shown in FIG. 3;

도 5a 내지 도 5e는 도 4에 도시된 기판 처리 장치의 동작 상태를 나타내는 도면들; 그리고5A to 5E are views showing an operating state of the substrate processing apparatus shown in FIG. 4; And

도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 처리 수순을 도시한 흐름도이다.6 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 기판 처리 장치 102 : 챔버100 substrate processing apparatus 102 chamber

104 : 제어부 106 : 척킹핀104: control unit 106: chucking pin

108 : 지지핀 110 : 처리조108: support pin 110: treatment tank

120 : 기판 지지부재 130 ~ 140 : 노즐120: substrate support member 130 to 140: nozzle

Claims (10)

기판처리장치에 있어서,In the substrate processing apparatus, 상하로 배치되어 약액 또는 순수를 회수하는 제1바울 및 제2바울을 구비하는 처리조와;A treatment tank disposed vertically and having a first bowl and a second bowl for recovering the chemical liquid or the pure water; 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드와;A spin head for supporting and rotating the substrate; 상기 제1바울에 대응되는 제1공정위치 및 상기 제2바울에 대응되는 제2공정위치 간에 상기 기판의 상대높이를 조절하는 승강유닛과;A lifting unit for adjusting a relative height of the substrate between a first process position corresponding to the first bowl and a second process position corresponding to the second bowl; 상기 기판으로 약액을 공급하는 노즐과;A nozzle for supplying a chemical liquid to the substrate; 상기 제2공정위치에서 상기 기판을 약액으로 처리하고, 이후에 순차적으로 상기 제2공정위치에서 상기 기판을 순수로 처리하는 1차린스공정 및 상기 제1공정위치에서 상기 기판을 순수로 처리하는 2차린스공정을 수행하며, 상기 2차린스공정에 사용된 순수는 재사용 되도록 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The first rinse step of treating the substrate with the chemical liquid at the second processing position, and subsequently sequentially treating the substrate with pure water at the second processing position, and the two treating the substrate with pure water at the first processing position. And a controller for performing a rinse process and controlling the pure water used in the secondary rinse process to be reused. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 처리 장치는;The substrate processing apparatus; 상기 노즐을 상기 스핀헤드에 지지된 기판으로 상하 이동, 직선 이동 및 회전 이동되도록 구동하는 구동부를 더 포함하되;A driving unit for driving the nozzle to move vertically, linearly, and rotationally to a substrate supported by the spin head; 상기 구동부는 상기 노즐의 상하 이동 시, 다단으로 구동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the driving unit drives in multiple stages when the nozzle moves up and down. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 구동부는;The driving unit; 상기 노즐과 연결되어 상기 노즐을 2 단 업다운하는 적어도 하나의 실린더를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And at least one cylinder connected to the nozzle for up-downing the nozzle by two stages. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 상하로 배치되는 제1바울 및 제2바울을 구비하는 기판처리장치의 기판처리방법에 있어서;A substrate processing method of a substrate processing apparatus having a first bowl and a second bowl disposed up and down; 기판을 로딩하고;Load the substrate; 상기 기판에 대해 상기 제2바울에 대응하는 제2공정위치에 위치된 상기 기판으로 약액을 공급하여 약액 공정을 처리하고;Processing a chemical liquid process by supplying a chemical liquid to the substrate at a second process position corresponding to the second bowl with respect to the substrate; 상기 약액 공정이 처리된 상기 기판에 대해 상기 제2공정위치에 위치된 상기 기판으로 순수를 공급하여 1차린스공정을 처리하고;Supplying pure water to the substrate located at the second process position with respect to the substrate subjected to the chemical liquid process to process a primary rinse process; 상기 1차린스공정이 처리된 상기 기판에 대해 상기 제1바울에 대응하는 제1공정위치에 위치된 상기 기판으로 순수를 공급하여 2차린스공정을 처리하고; Treating the secondary rinse process by supplying pure water to the substrate located at a first process position corresponding to the first bowl with respect to the substrate subjected to the primary rinse process; 상기 기판을 언로딩하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And unloading the substrate. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판 처리 방법은;The substrate processing method; 상기 제 2 린스 공정에서 사용된 순수를 재사용하도록 전량 회수가 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.It is possible to recover the entire amount to reuse the pure water used in the second rinse step. 삭제delete 삭제delete
KR1020080105854A 2008-10-28 2008-10-28 Substrate processing apparatus and substrate processing method thereof Active KR101021544B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080105854A KR101021544B1 (en) 2008-10-28 2008-10-28 Substrate processing apparatus and substrate processing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080105854A KR101021544B1 (en) 2008-10-28 2008-10-28 Substrate processing apparatus and substrate processing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100046827A KR20100046827A (en) 2010-05-07
KR101021544B1 true KR101021544B1 (en) 2011-03-16

Family

ID=42274025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080105854A Active KR101021544B1 (en) 2008-10-28 2008-10-28 Substrate processing apparatus and substrate processing method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101021544B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108428644A (en) * 2017-02-15 2018-08-21 辛耘企业股份有限公司 Substrate processing apparatus

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102262112B1 (en) * 2014-05-26 2021-06-10 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
KR102288983B1 (en) * 2014-12-30 2021-08-13 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102288982B1 (en) * 2014-12-30 2021-08-13 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100749549B1 (en) * 2006-08-24 2007-08-14 세메스 주식회사 Substrate Processing Apparatus and Method
KR20080062741A (en) * 2006-12-29 2008-07-03 주식회사 하이닉스반도체 Substrate cleaning device and cleaning method using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100749549B1 (en) * 2006-08-24 2007-08-14 세메스 주식회사 Substrate Processing Apparatus and Method
KR20080062741A (en) * 2006-12-29 2008-07-03 주식회사 하이닉스반도체 Substrate cleaning device and cleaning method using the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108428644A (en) * 2017-02-15 2018-08-21 辛耘企业股份有限公司 Substrate processing apparatus
CN108428644B (en) * 2017-02-15 2020-10-09 辛耘企业股份有限公司 Substrate processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100046827A (en) 2010-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103531503B (en) For the method and apparatus processing substrate
JP7149087B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN110364431A (en) Substrate processing method and substrate processing device
KR20100046800A (en) Single type substrate treating apparatus and method of exhausting in the apparatus
CN111095512A (en) Method and device for cleaning semiconductor silicon wafer
KR101021544B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method thereof
KR20220017573A (en) Apparatus for processing substrate and method for cleaning nozzle using the same
KR20100066366A (en) Liquid processing method, liquid processing apparatus and storage medium
KR100871821B1 (en) Substrate processing equipment
KR20120023296A (en) Apparatus for treating a substrate
JP4787038B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20100060094A (en) Method for cleanning back-side of substrate
KR101605713B1 (en) Substrate processing apparatus
KR100797081B1 (en) Substrate Processing Apparatus and Method
KR101010311B1 (en) Sheet type substrate processing apparatus and method
KR101044409B1 (en) Substrate Cleaning Method
KR102578764B1 (en) Substrate processing apparatus and processing substrate method
JP5080885B2 (en) Substrate processing apparatus and processing chamber cleaning method
KR101570167B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20120015660A (en) Nozzle unit
KR100749549B1 (en) Substrate Processing Apparatus and Method
KR100765900B1 (en) Substrate edge etching apparatus and substrate processing equipment comprising the apparatus, and substrate processing method
KR20220152611A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20080009838A (en) Substrate Processing Apparatus and Method
KR102008305B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140304

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150305

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160307

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170227

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180306

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200225

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 12

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 13

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 14

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 15

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000