JPWO2019159614A1 - 無線通信半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

無線通信半導体装置は、回路基板と、回路基板に実装された半導体チップと、回路基板に設けられた薄膜トランジスタと、回路基板に設けられたアンテナと、を備える。無線通信半導体装置の１つ１つに異なるユニークＩＤが付与される場合であっても、シリコン系無線通信半導体装置と比較して、１つあたりの製造コストがより十分に低減され、かつ動作速度および信頼性の低下がより十分に防止される。

Description

本開示は、外部リーダ装置からの電波を受信し、かつユニークＩＤ（unique identification）情報に基づく電波を外部リーダ装置へ返信する、ＲＦＩＤ（radio frequency identification）タグおよびＩＣ（integrated circuits）タグ等の無線通信半導体装置およびその製造方法に関する。本開示は特に、外部リーダ装置から駆動電力を受け取り、かつユニークＩＤ情報を外部リーダ装置へ返信する、ＲＦＩＤタグおよびＩＣタグ等の無線通信半導体装置およびその製造方法に関する。

ＲＦＩＤタグおよびＩＣタグ等の無線通信半導体装置は外部リーダ装置から離れていても、外部リーダ装置からの電波が届く範囲（例えば、数ミリメートル〜数十メートル）内であれば、外部リーダ装置をかざすだけで、複数の無線通信半導体装置の情報を一括して読み取ることができる。このため、無線通信半導体装置は、コンビニエンスストアおよびスーパーマーケット等の小売業界、アパレル業界、運輸業界、ならびに出版業界（図書館）等において、流通管理（物流管理）、生産管理、在庫管理、場所管理、履歴管理等に極めて有用である。

無線通信半導体装置は典型的には、アンテナおよびＩＣチップを含む。ＩＣチップは典型的には、アンテナが受信する受信波を処理する無線回路部；無線回路部における受信信号等を記憶するメモリ部；駆動電力を生成する電源回路部；およびメモリ部に受信信号等を記憶させる制御回路部等を有する（特許文献１〜２）。

無線回路部、メモリ部、電源回路部および制御回路部のいずれも、薄膜トランジスタに備わっている無線通信半導体装置が報告されている（ベルギー・アイメック（imec）、ホルスト・センター（Holst Centre）（オランダのＴＮＯ（応用科学研究機構）とベルギー・アイメックが共同で運営する研究開発機関）およびカルタムンディ（Cartamundi）、２０１７年２月５日〜９日、米国サンフランシスコ、「インターナショナル・ソリッド−ステート・サーキット・カンファレンス（International Solid-State Circuits Conference）２０１７（ＩＳＳＣＣ ２０１７）」）。

特許第４７６１７７９号公報 特開２００６−２４０８７号公報

本開示における無線通信装置は、
回路基板と、
前記回路基板に実装された半導体チップと、
前記回路基板に設けられた薄膜トランジスタと、
前記回路基板に設けられたアンテナと、
を備える。

本開示における無線通信装置の製造方法は、
回路基板に半導体チップを実装するステップと、
前記回路基板に、薄膜トランジスタと、アンテナと、配線と、を印刷法により形成するステップと、
を含む。

本開示の無線通信装置は、その１つ１つに異なるユニークＩＤが付与される場合であっても、シリコン系無線通信装置と比較して、１つあたりの製造コストがより十分に低減され、かつ動作速度および動作安定性に関する信頼性の低下がより十分に防止されている。

図１は本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の構造の一例を示す模式的概念図である。 図２は本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の別の一例を示す模式的平面図である。 図３は本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の回路構成の一例を示すブロック図である。 図４Ａは本開示の実施態様Ａに包含される実施態様１に係る無線通信装置の回路構成における、無線回路部ＲＦ、メモリ部ＭＥ（ＭＥ１およびＭＥ２）、電源回路部ＰＷおよび制御回路部ＬＯ（ＬＯ１およびＬＯ２）の配置を示す、模式的回路構成図である。 図４Ｂは本開示の実施態様Ａに包含される実施態様２に係る無線通信装置の回路構成における、無線回路部ＲＦ、メモリ部ＭＥ（ＭＥ１およびＭＥ２）、電源回路部ＰＷおよび制御回路部ＬＯ（ＬＯ１およびＬＯ２）の配置を示す、模式的回路構成図である。 図４Ｃは本開示の実施態様Ａに包含される実施態様３に係る無線通信装置の回路構成における、無線回路部ＲＦ、メモリ部ＭＥ（ＭＥ１およびＭＥ２）、電源回路部ＰＷおよび制御回路部ＬＯ（ＬＯ１およびＬＯ２）の配置を示す、模式的回路構成図である。 図５Ａは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における支持基板の準備ステップを説明するための模式的見取り図である。 図５Ｂは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における回路基板の製造ステップを説明するための模式的見取り図である。 図５Ｃは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法におけるゲート電極形成ステップを説明するための模式的見取り図である。 図５Ｄは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における絶縁層形成ステップを説明するための模式的見取り図である。 図５Ｅは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における半導体層形成ステップを説明するための模式的見取り図である。 図５Ｆは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法におけるソース電極およびドレイン電極の形成ステップを説明するための模式的見取り図である。 図５Ｇは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における半導体チップの実装ステップを説明するための模式的見取り図である。 図５Ｈは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法におけるアンテナおよび配線の形成ステップを説明するための模式的見取り図である。 図５Ｉは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における保護膜形成ステップを説明するための模式的見取り図である。 図５Ｊは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における支持基板剥離ステップを説明するための模式的見取り図である。 図６Ａは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における支持基板の準備ステップを説明するための模式的断面図である。 図６Ｂは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における回路基板の製造ステップを説明するための模式的断面図である。 図６Ｃは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法におけるゲート電極形成ステップを説明するための模式的断面図である。 図６Ｄは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における絶縁層形成ステップを説明するための模式的断面図である。 図６Ｅは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における半導体層形成ステップを説明するための模式的断面図である。 図６Ｆは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法におけるソース電極およびドレイン電極の形成ステップを説明するための模式的断面図である。 図６Ｇは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における半導体チップの実装ステップを説明するための模式的断面図である。 図６Ｈは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法におけるアンテナおよび配線の形成ステップを説明するための模式的断面図である。 図６Ｉは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における保護膜形成ステップを説明するための模式的断面図である。 図６Ｊは本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法における支持基板剥離ステップを説明するための模式的断面図である。 図７Ａは本開示の実施態様Ｂに包含される実施態様ｂ１に係る無線通信装置の模式的断面図である。 図７Ｂはより一層、十分な追記が可能となった図７Ａの無線通信装置の模式的断面図である。 図８Ａは本開示の実施態様Ｂに包含される実施態様ｂ２に係る無線通信装置の模式的断面図である。 図８Ｂはより一層、十分な追記が可能となった図８Ａの無線通信装置の模式的断面図である。

以下に本開示の実施態様に係る無線通信装置を説明する。

従来の無線通信半導体装置の一例においてはシリコンチップが搭載されており、無線回路部、メモリ部、電源回路部および制御回路部はいずれも、シリコンチップに備わっている。このような無線通信半導体装置を、以下、「シリコン系無線通信半導体装置」または「シリコン系無線通信装置」ということがある。シリコンチップは高速動作が可能で、小型で、信頼性が高く、大量生産に向いているが、シリコン系無線通信半導体装置の１つ１つに異なるユニークＩＤが付与される場合、無線通信半導体装置の１つあたりの製造コストが著しく増大する。

International Solid-State Circuits Conference ２０１７で報告された無線通信半導体装置は、シリコンチップの代わりに薄膜トランジスタを搭載している。このような無線通信半導体装置を、以下、「ＴＦＴ系無線通信半導体装置」または「ＴＦＴ系無線通信装置」ということがある。薄膜トランジスタ（特に有機薄膜トランジスタ）は印刷法による製造が可能で、少量生産に向いており、ＴＦＴ系無線通信半導体装置の１つ１つに異なるユニークＩＤが付与される場合において、無線通信半導体装置の１つあたりの製造コストを低減することができる。しかしながら、薄膜トランジスタ（特に有機薄膜トランジスタ）は、シリコンチップと比較して、動作速度が遅く（すなわち、動作周波数が低く）、動作安定性に関する信頼性が低い。このため、ＴＦＴ系無線通信半導体装置は、シリコン系無線通信半導体装置よりも、動作速度（すなわち、動作周波数）および動作安定性に関する信頼性が著しく低下する。ＴＦＴ系無線通信半導体装置は例えば９２０ＭＨｚ帯では、所望の動作速度（例えば動作周波数９２０ＭＨｚ）を実現することはできない。

他方、本開示の発明者等は以下の状況において新たな課題を見い出した。１つの無線通信半導体装置に対して、色々なシーンで色々なユニークＩＤまたは当該ユニークＩＤに紐付けられる情報をその都度、付与することを試みた。このような試みにおいて、例えば、自転車等の貸し出し物品に無線通信半導体装置を取り付け、当該無線通信半導体装置に対して、各シーンで、ユニークＩＤまたは当該ユニークＩＤに紐付けられる情報として、その借り入れ者の氏名および住所等の情報を付与することにより、返却を促進することができる。また例えば、牛、豚等の家畜に無線通信半導体装置を取り付け、当該無線通信半導体装置に対して、出産、飼育などの各シーンで、ユニークＩＤまたは当該ユニークＩＤに紐付けられる情報として、その位置情報および所有者等の情報を付与することにより、家畜の個体ごとの産地およびブランド銘柄を保証することができる。しかしながら、本開示の発明者等は、シリコン系無線通信半導体装置では、偽装および偽造等のセキュリティに関する問題が生じることを見い出した。詳しくは、シリコン系無線通信半導体装置では、メモリ部はシリコンチップに備わっており、ユニークＩＤおよび当該ユニークＩＤに紐付けられる情報はシリコンチップ内の書き換え可能な領域に記憶させる必要があり、その都度、書き換えることができるため、偽装および偽造等のセキュリティに関する問題が生じた。以下、本明細書及び請求の範囲において、ユニークＩＤまたは当該ユニークＩＤに紐付けられる情報をユニークＩＤ関連情報ということもある。

本開示は、無線通信半導体装置の１つ１つに異なるユニークＩＤが付与される場合であっても、シリコン系無線通信半導体装置と比較して、１つあたりの製造コストがより十分に低減され、かつ動作速度および動作安定性に関する信頼性の低下がより十分に防止された無線通信半導体装置およびその製造方法を提供する。

本開示はまた、無線通信半導体装置の１つ１つに異なるユニークＩＤが付与される場合であっても、シリコン系無線通信半導体装置と比較して、１つあたりの製造コストがより十分に低減され、かつ動作速度および動作安定性に関する信頼性の低下がより十分に防止されているだけでなく、より簡便な構造で、偽装および偽造等のセキュリティに関する問題をより十分に防止することができる無線通信半導体装置およびその製造方法を提供する。

本明細書中、無線通信半導体装置は「無線通信装置」ということがある。

本開示において、ユニークＩＤとは、無線通信装置（例えば、ＲＦＩＤタグ）の１つ１つに割り当てられた固有のＩＤ情報のことである。このようなユニークＩＤに紐付けられ得る追加の情報の具体例として、例えば、以下の情報が挙げられる：
・無線通信装置を家畜に取り付ける場合における家畜の個体番号、出産場所、飼育場所および所有者履歴；
・無線通信装置をシェアリングエコノミーの対象物に取り付ける場合におけるシェアリングの履歴（対象物の種類、対象物を借りた人と時期）；
・無線通信装置を取り付ける物品（例えば、食品）のトレーサビリティ（例えば、生産段階から消費または廃棄段階までの流通経路の履歴）；
・高額芸術作品の所有者履歴；および
・無線通信装置を取り付ける物品（例えば、食品）の温度履歴。

このようなユニークＩＤに紐付けられ得る追加の情報は、無線通信装置（例えばＲＦＩＤタグ）の書き換え可能メモリに格納されていてもよいし、ユニークＩＤに紐付けられてクラウド上で管理されていてもよいし、または後述のＲＡＭもしくはＲＯＭに格納されてもよい。ユニークＩＤに紐付けられるとは、ユニークＩＤに関連付けて記憶されるもしくは管理されるという意味である。

［実施態様Ａに係る無線通信装置］
本開示の実施態様Ａに係る無線通信装置においては、半導体チップおよび薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」ということがある）が併用される。すなわち、本実施態様の無線通信装置においては、後で詳述する無線回路部、メモリ部、電源回路部および制御回路部等の部材の全てが半導体チップに備わっているのではなく、これらの部材のうちの一部の部材はＴＦＴに備わっており、また別の一部の部材（その他の部材）は半導体チップに備わっている。このため、本実施態様の無線通信装置は、従来のシリコン系無線通信装置と比較して、動作速度および信頼性の低下がより十分に防止されながら、１つあたりの製造コストがより十分に低減される。本実施態様の無線通信装置は、半導体チップおよびＴＦＴの併用（組み合わせの使用）を鑑みて、「ハイブリッド系無線通信装置」と呼ぶこともできる。

本実施態様の無線通信装置１０は、詳しくは、図１に示すように、回路基板１と、半導体チップ２と、ＴＦＴ３と、アンテナ４とを備えており、さらに配線５および／または保護膜６も備えていてもよい。すなわち、無線通信装置１０は、配線５と保護膜６との少なくとも１つをさらに備えていてもよい。図１は、本実施態様の無線通信装置の構造の一例を示す模式的概念図であって、保護膜６が透明であるときの図である。

回路基板１は、半導体チップ２等の電子部品を取り付け、配置または位置付けするためのシート状または板状の部材である。回路基板１は、いわゆる電気絶縁性を有する限り特に限定されず、例えば、ポリマー基板であってもよいし、または半導体チップ等の形成面にポリマー層を有する無機基板（例えば、金属基板、ガラス基板またはセラミック基板）であってもよい。本実施態様では、回路基板１は、ポリマー基板である。電気絶縁性とは、例えば、抵抗率が１０^８Ωｍ以上であり、好ましくは１０^８〜１０^１７Ωｍであることをいう。ポリマー基板およびポリマー層を構成するポリマーとしては、例えば、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフテレート樹脂）、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂（例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂）、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂などから成る群から選択される少なくとも１種の樹脂材料であってもよい。好ましくはポリイミド樹脂である。

回路基板１の厚みは特に限定されず、本実施態様の無線通信装置の用途（例えば、無線通信装置の取付対象の種類）に応じて適宜決定されればよい。回路基板１の厚みは、例えば、１００μｍ以上であってよく、好ましくは２００μｍ以上である。回路基板１の厚みの上限は特に限定されず、当該厚みは好ましくは１０ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下である。

半導体チップ２は回路基板１に実装される半導体素子であり、半導体集積回路とも呼ばれる電子デバイスのことである。半導体チップ２は、主として、シリコンチップ、化合物半導体チップ等の固体回路が使用される。半導体チップは、後述の無線回路部、メモリ部、電源回路部および制御回路部等の部材を構成し得る半導体デバイスであれば特に限定されず、例えば、市場にて最小単位で流通および入手可能な部品であってもよい。半導体チップ２は１つの無線通信装置あたり１つ以上で使用され、本実施態様では１つで使用される。

半導体チップ（特にシリコンチップ）２は、パッドが上に向くように配置される。ここで「上」とは、半導体チップを略水平面としての回路基板表面に載置したときの「上方向」のことである。載置は、例えば半導体チップの最大面積の面を底面にした載置である。

本実施態様では、半導体チップ２の動作周波数は、後述のＴＦＴ３の動作周波数より高い。これにより、より高速な動作が可能で、かつ製造が容易な無線通信装置を提供することができる。本実施態様では、半導体チップ２の動作周波数は、０．１〜２４５０ＭＨｚであり、無線通信装置のより一層の高速な動作の観点から、好ましくは８６０〜２４５０ＭＨｚである。

ＴＦＴ３は、ゲート電極の電位を制御することにより、ソース電極からドレイン電極に電気を流すスイッチであり、後述の無線回路部、メモリ部、電源回路部および制御回路部等の部材を構成し得る半導体薄膜デバイスであれば特に限定されない。ＴＦＴは公知のあらゆるＴＦＴであってよく、例えば、ソース電極とドレイン電極との間のチャネル部（層）が有機系半導体材料からなる有機ＴＦＴであってもよいし、またはチャネル部（層）が無機系半導体材料からなる無機ＴＦＴであってもよい。有機ＴＦＴは、例えば、高分子材料（例えば、ポリチオフェン又はその誘導体）、低分子材料（例えば、ペンタセン、可溶化ペンタセン）の他、ナノカーボン材料（例えば、カーボンナノチューブ、ＳｉＧｅナノワイヤー、フラーレン、修飾フラーレン）、および／または無機有機混合材料（例えば、（Ｃ_６Ｈ_５Ｃ_２Ｈ_４ＮＨ_３）とＳｎＩ_４との複合系）などであってもよい。無機ＴＦＴは、例えば、アモルファスシリコン系ＴＦＴ、多結晶シリコン系ＴＦＴ等のシリコン系ＴＦＴであってもよい。

ＴＦＴ（特に有機ＴＦＴ）３の構造は公知のあらゆる構造であってもよく、例えば、いわゆるボトムゲート−ボトムコンタクト型、トップゲート−ボトムコンタクト型、ボトムゲート−トップコンタクト型、およびトップゲート−トップコンタクト型等であってもよい。製造コストのさらなる低減、およびＴＦＴの製造容易性のさらなる向上の観点から、ＴＦＴはボトムゲート−トップコンタクト型有機ＴＦＴが好ましい。

ＴＦＴ３は、製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上、およびＴＦＴの製造容易性のさらなる向上の観点から、印刷部品であることが好ましい。ＴＦＴ３が印刷部品であるとは、ＴＦＴ３が後述の印刷法によって製造された部品であるという意味である。

ＴＦＴ３は、製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上、およびＴＦＴの製造容易性のさらなる向上の観点から、有機ＴＦＴが好ましい。有機ＴＦＴは、後述のように、印刷法（特にインクジェット印刷法）により、より簡易な構造で容易に製造可能でありながら、セキュリティ性能がさらに向上するためである。

本実施態様では、ＴＦＴ３は、１つの無線通信装置あたり、１つ以上で使用される。本実施態様の無線通信装置は後述の保護膜６を有する場合、全てのＴＦＴ３はいずれも、保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される配線５により、半導体チップ２と電気的に接続されていてもよい。もしくは、ＴＦＴ３同士が上記配線５により接続されていて、全てのＴＦＴ３のうち１つ以上のＴＦＴ３が半導体チップ２と上記配線５により接続されていてもよい。例えば、ＴＦＴ３−１とＴＦＴ３−２が接続されていて、ＴＦＴ３−１と半導体チップ２とが接続されているとき、ＴＦＴ３−２と半導体チップ２とは接続されていなくてもよい。

アンテナ４は、外部リーダ装置１０１からの電波である受信波を受信可能で、かつ無線通信装置のユニークＩＤに基づく電波である送信波を外部リーダ装置１０１に送信可能であれば特に限定されない。詳細には、アンテナ４は受信波を受信して、受信波により発生した受信波信号を出力する。さらに、アンテナ４は送信波信号が入力されて、送信波信号により送信波を生成して外部リーダ装置１０１に送信する。アンテナ４の種類は、電波の周波数により決定されてもよく、例えば、図１に示すようなループアンテナ、スパイラルアンテナ、ダイポールアンテナ、パッチアンテナ、または図２に示すようなダイポールアンテナを折り曲げたものであってもよい。特に電波の周波数が８６０〜２４５０ＭＨｚである場合、ダイポールアンテナが好ましい。図２は、本実施態様の無線通信装置の一例を示す模式的平面図であって、保護膜を省略したときの図である。平面図とは、対象物（例えば、無線通信装置）を載置してその厚み（高さ）方向の真上から見たときの図のことである。

アンテナ４の厚みは特に限定されず、例えば、１０ｎｍ以上、特に５０ｎｍ以上であってよく、本実施態様では、１０ｎｍ〜１００μｍである。

アンテナ４の寸法は特に限定されない。例えば、図２に示すようなダイポールアンテナを折り曲げたものの場合において、長手方向の長さは、本実施態様では、１０〜２００ｍｍ、好ましくは５０〜１００ｍｍであり、例えば１つ例示すると７０ｍｍであり、長手方向に対して垂直な幅方向の長さは、本実施態様では、５〜５０ｍｍ、好ましくは５〜２０ｍｍであり、例えば１つ例示すると９．５ｍｍである。

アンテナ４は、製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上、およびアンテナの製造容易性のさらなる向上の観点から、印刷部品であることが好ましい。アンテナ４が印刷部品であるとは、アンテナ４が後述の印刷法によって製造された部品であるという意味である。

アンテナ４は、導電性を有する材料からなっていれば特に限定されず、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料からなっていてもよい。

配線５は、半導体チップ２、ＴＦＴ３およびアンテナ４を相互に電気的に接続するための配線である。詳しくは、配線５は、少なくとも半導体チップ２とＴＦＴ３とを電気的に接続する配線を含み、半導体チップ２とアンテナ４とを電気的に接続する配線をさらに含んでいてもよい。配線５は、ＴＦＴ３とアンテナ４とを電気的に接続する配線を含んでもよい。

配線５の厚みは特に限定されず、例えば、１０ｎｍ以上、特に５０ｎｍ以上であってよく、本実施態様では、１０ｎｍ〜１００μｍである。

配線５は、製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上、および配線の製造容易性のさらなる向上の観点から、印刷部品であることが好ましい。配線５が印刷部品であるとは、配線５が後述の印刷法によって製造された部品であるという意味である。

配線５は、導電性を有する材料からなっていれば特に限定されず、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料からなっていてもよい。

保護膜６は、回路基板１における半導体チップ２、ＴＦＴ３、アンテナ４および配線５（以下、「半導体チップ２等」という）の形成面側で少なくとも半導体チップ２等を覆うように形成され、半導体チップ２等を保護および封止する。図１において、保護膜６は他の部材の説明のために透明であるものとして示されているが、これに限定されず、不透明であってもよい。

保護膜６を構成する材料としては、空気中の水分や酸素、外部からの衝撃から半導体チップ２等を保護できれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド（ＰＩ）樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、フッ素樹脂、または、それらの複合物等を挙げることができる。好ましくはフッ素樹脂である。

保護膜６の厚みは特に限定されず、例えば、１００ｎｍ以上、好ましくは約１μｍ〜約１０μｍの範囲であり、例えば１μｍ程度である。

保護膜６は、製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上、および保護膜の製造容易性のさらなる向上の観点から、印刷部品であることが好ましい。保護膜６が印刷部品であるとは、保護膜６が後述の印刷法によって製造された部品であるという意味である。

図１において、無線通信装置１０は、半導体チップ２、ＴＦＴ３、アンテナ４、配線５および保護膜６を、回路基板１の一方の面のみに有しているが、半導体チップ２、ＴＦＴ３、アンテナ４および配線５が相互に電気的に接続される限り、それぞれ独立して両方の面に有していてもよい。例えば、無線通信装置１０は、半導体チップ２および保護膜６を一方の面に、ＴＦＴ３および保護膜６を他方の面に有し、半導体チップ２およびＴＦＴ３をビア型配線５で接続してもよい。このとき、無線通信装置１０は、アンテナ４およびさらなる配線５をそれぞれ独立して、少なくとも一方の面に有していてもよい。ビアとは半導体技術におけるビアホール（via hole）またはスルーホール（through hole）のことである。

本実施態様の無線通信装置は、図３に示すように、回路構成において、無線回路部ＲＦおよびメモリ部ＭＥを含み、好ましくはさらに電源回路部ＰＷおよび制御回路部ＬＯを含む。無線回路部ＲＦ、メモリ部ＭＥ、電源回路部ＰＷ、および制御回路部ＬＯは、本実施態様では、図３に示すように、相互に電気的に接続されながら、ＩＣチップを構成する。アンテナ４は、本実施態様では、無線回路部ＲＦに電気的に接続されている。図３は、本実施態様の無線通信装置の回路構成の一例を示すブロック図である。

無線回路部ＲＦは、アンテナ４で受信する受信波によりアンテナ４で生成した受信波信号を処理して受信信号を生成し、かつアンテナ４が返信のために送信信号を送信するための送信波信号を生成する。無線回路部ＲＦは、詳しくは、クロック生成部、復調回路、および変調回路から構成されている。クロック生成部は、受信波信号をもとに、後述の制御回路部が動作するために必要なクロック信号を発生する。例えば、数ＭＨｚの受信波信号から数十〜数百ｋＨｚのクロック信号を生成する。復調回路は、受信波信号から受信信号（データ）を復調する。変調回路は、送信しようとする送信信号（データ）を搬送波に乗せて送信波信号を生成するための変調を行う。送信波信号はアンテナ４に供給され、アンテナ４は送信波信号により送信波を発生して外部リーダ装置１０１に送信する。

無線回路部ＲＦは、本実施態様では、半導体チップ２に備わっている。これにより、無線通信装置のより一層の高速な動作を実現することができる。

無線回路部ＲＦが半導体チップ２に備わっているとは、半導体チップ２またはその一部を無線回路部として使用する、または半導体チップ２またはその一部に無線回路部の機能を担わせる、という意味である。

メモリ部ＭＥは、ユニークＩＤを記憶する。メモリ部ＭＥは当該ユニークＩＤに紐付けられる情報をさらに記憶してもよい。メモリ部ＭＥは無線回路部ＲＦにおける受信信号および／または送信信号を記憶してもよい、すなわち受信信号と送信信号との少なくとも１つを記憶してもよい。メモリ部ＭＥは、本実施態様では、ユニークＩＤを記憶するユニークＩＤメモリ部ＭＥ１を含み、ユニークＩＤ以外の情報（例えば無線回路部ＲＦにおける受信信号および／または送信信号、すなわち受信信号と送信信号との少なくとも１つ）を記憶するその他のメモリ部ＭＥ２をさらに含んでもよい。受信信号および送信信号を記憶するのは、ユニークＩＤメモリ部ＭＥ１またはその他のメモリ部ＭＥ２であってもよいが、本実施態様では、その他のメモリ部ＭＥ２である。メモリ部ＭＥは、その他のメモリ部ＭＥ２を含んでもよいし、または含まなくてもよい。

メモリ部ＭＥの少なくとも一部はＴＦＴに備わっている。すなわちメモリ部ＭＥの少なくともユニークＩＤメモリ部ＭＥ１はＴＦＴ３に備わっており、その他のメモリ部ＭＥ２は半導体チップ２に備わっていてもよいし、またはＴＦＴ３に備わっていてもよい。その他のメモリ部ＭＥ２は、半導体チップ２およびＴＦＴ３のどちらにも、備わっていなくてもよい。これにより、簡便な構造で、偽装および偽造等のセキュリティに関する問題をより一層、十分に防止することができる。ユニークＩＤメモリ部ＭＥ１が半導体チップ２に備わっていると、ユニークＩＤを色々なシーンでその都度、書き換えることができるため、偽装および偽造等のセキュリティに関する問題が生じる。

ユニークＩＤメモリ部ＭＥ１がＴＦＴ３に備わっているとは、ＴＦＴ３またはその一部をユニークＩＤメモリ部ＭＥ１として使用する、またはＴＦＴ３またはその一部にユニークＩＤメモリ部ＭＥ１の機能を担わせる、という意味である。

その他のメモリ部ＭＥ２が半導体チップ２に備わっているとは、半導体チップ２またはその一部をその他のメモリ部ＭＥ２として使用する、または半導体チップ２またはその一部にその他のメモリ部ＭＥ２の機能を担わせる、という意味である。

その他のメモリ部ＭＥ２がＴＦＴ３に備わっているとは、ＴＦＴ３またはその一部をその他のメモリ部ＭＥ２として使用する、またはＴＦＴ３またはその一部にその他のメモリ部ＭＥ２の機能を担わせる、という意味である。

ユニークＩＤメモリ部ＭＥ１には、読出し専用のＲＯＭ（Read Only Memory）（読み出し専用メモリ）が使用される。これにより、簡便な構造で、偽装および偽造等のセキュリティに関する問題をより一層、十分に防止することができる。ユニークＩＤメモリ部ＭＥ１に、読み書き可能なＲＡＭ（Random Access Memory）（揮発性メモリ）が使用されると、ユニークＩＤを色々なシーンでその都度、書き換えることができるため、偽装および偽造等のセキュリティに関する問題が生じる。

その他のメモリ部ＭＥ２には、読出し専用のＲＯＭが使用されてもよいし、または読み書き可能なＲＡＭが使用されてもよい。必要に応じてメモリの内容を書き換えられることから、その他のメモリ部ＭＥ２には読み書き可能なＲＡＭが使用されることが好ましい。

その他のメモリ部ＭＥ２は無線経由で書き換え可能な領域を提供することができる。このとき、その他のメモリ部ＭＥ２には、ＲＡＭが使用される。その他のメモリ部ＭＥ２は、半導体チップ２に備わっていてもよいし、ＴＦＴ３に備わっていてもよいし、またはこれらの両方に備わっていてもよい。

電源回路部ＰＷは、無線通信装置１０の駆動電力を生成する。電源回路部ＰＷは、電池を含む電源回路部であってもよいが、より一層、簡便な無線通信装置構造の観点から、電池を含まず、アンテナが受信する受信波で生成される受信波信号の整流により駆動電力を生成する電源回路部であることが好ましい。

電源回路部ＰＷは整流回路を含むことが好ましく、さらに昇圧回路を含むことがより好ましい。整流回路は、受信波信号を整流し、無線回路部ＲＦ、メモリ部ＭＥ、後述の制御回路部ＬＯに直流電圧を供給する。昇圧回路は、整流回路において生成された起電力を更に高い電圧に昇圧する。

電源回路部ＰＷは、本実施態様では、半導体チップ２に備わっている。このとき、整流回路および昇圧回路は半導体チップ２に備わっている。これにより、無線通信装置のより一層の高速な動作を実現することができる。

電源回路部ＰＷが半導体チップ２に備わっているとは、半導体チップ２またはその一部を電源回路部ＰＷとして使用する、または半導体チップ２またはその一部に電源回路部ＰＷの機能を担わせる、という意味である。

制御回路部ＬＯは、メモリ部ＭＥに、受信信号および／または送信信号すなわち受信信号と送信信号との少なくとも１つと、ユニークＩＤと、所望により当該ユニークＩＤに紐づけられた情報とを記憶させ、かつ無線回路部ＲＦに受信信号および搬送波を生成させる。すなわち、制御回路部ＬＯは、メモリ部ＭＥに、少なくともユニークＩＤを記憶させ、受信信号および／または送信信号すなわち受信信号と送信信号との少なくとも１つと、所望により当該ユニークＩＤに紐づけられた情報とを記憶させてもよいし、または記憶させなくてもよい。メモリ部ＭＥは無線回路部ＲＦに受信信号および搬送波を生成させる。制御回路部ＬＯは、メモリ部ＭＥに、受信信号および／または送信信号すなわち受信信号と送信信号とのうちの少なくとも１つと、ユニークＩＤと、所望により当該ユニークＩＤに紐づけられた情報とを記憶させるメモリ制御回路部ＬＯ１を含み、無線回路部ＲＦに受信信号および搬送波を生成させ、無線半導体装置全体を制御するその他の制御回路部ＬＯ２をさらに含んでもよい。メモリ制御回路部ＬＯ１は、メモリ部ＭＥに、ユニークＩＤに紐づけられた情報を記憶させなくてもよい。その他の制御回路部ＬＯ２は、無線半導体装置の動作モード（例えば、ローパワーモード、通常モードの切り替え、書き換え不可モードなど）を制御してもよい。

メモリ制御回路部ＬＯ１は詳しくは、アンテナが受信する受信波に基づく受信信号のメモリ部への書き込み、および／またはアンテナが送信する送信信号のメモリ部からの読み出しを行う。すなわち、メモリ制御回路部ＬＯ１は、受信信号のメモリ部への書き込みと送信信号のメモリ部からの読み出しとの少なくとも1つを行う。メモリ制御回路部ＬＯ１には、無線通信装置１０の信頼性のさらなる向上の観点から、受信信号（データ）のパリティーチェックをする回路、および／または複数の無線通信装置１０が存在した場合に各々を識別しあうためのアンチコリジョン回路等が付加されてもよい。すなわち、メモリ制御回路部ＬＯ１には、パリティーチェックをする回路とアンチコリジョン回路との少なくとも１つが付加されてもよい。

その他の制御回路部ＬＯ２は、復号化回路、符号化回路、シリアルＩ／Ｏ（Input/Output：入出力）、およびコマンド処理回路を含んでもよい。復号化回路は、受信信号（データ）をＰＰＭ（Pulse Position Modulation）（パルス位置変調）方式等により復号化する。符号化回路では送信信号（データ）をマンチェスタ方式等により符号化する。シリアルＩ／Ｏは、データ列のシリアル／パラレル変換を行う。コマンド処理回路は、これらの信号の流れを制御する。

制御回路部ＬＯは半導体チップ２またはＴＦＴ３に備わっている。詳しくは、制御回路部ＬＯはその全部が半導体チップ２またはＴＦＴ３に備わっていてもよいし、または一部が半導体チップ２に、他の部分がＴＦＴ３に備わっていてもよい。

より詳しくは、メモリ制御回路部ＬＯ１およびその他の制御回路部ＬＯ２は、それぞれ独立して、半導体チップ２またはＴＦＴ３に備わっていてもよい。

メモリ制御回路部ＬＯ１が半導体チップ２に備わっているとは、半導体チップ２またはその一部をメモリ制御回路部ＬＯ１として使用する、または半導体チップ２またはその一部にメモリ制御回路部ＬＯ１の機能を担わせる、という意味である。

メモリ制御回路部ＬＯ１がＴＦＴ３に備わっているとは、ＴＦＴ３またはその一部をメモリ制御回路部ＬＯ１として使用する、またはＴＦＴ３またはその一部にメモリ制御回路部ＬＯ１の機能を担わせる、という意味である。

その他の制御回路部ＬＯ２が半導体チップ２に備わっているとは、半導体チップ２またはその一部をその他の制御回路部ＬＯ２として使用する、または半導体チップ２またはその一部にその他の制御回路部ＬＯ２の機能を担わせる、という意味である。

その他の制御回路部ＬＯ２がＴＦＴ３に備わっているとは、ＴＦＴ３またはその一部をその他の制御回路部ＬＯ２として使用する、またはＴＦＴ３またはその一部にその他の制御回路部ＬＯ２の機能を担わせる、という意味である。

無線通信装置のより一層の高速な動作の観点から、その他の制御回路部ＬＯ２は半導体チップ２に備わっていることが好ましい。このとき、メモリ制御回路部ＬＯ１は、半導体チップ２またはＴＦＴ３に備わっていてもよい。無線通信装置のより一層の高速な動作の観点から、メモリ制御回路部ＬＯ１は半導体チップ２に備わっていることが好ましい。無線通信装置のより一層の配線数の低減の観点から、メモリ制御回路部ＬＯ１はＴＦＴ３に備わっていることが好ましい。

本実施態様の無線通信装置においては、無線回路部、メモリ部、電源回路部および制御回路部等の部材の全てがＴＦＴまたは半導体チップの一方に備わっているのではなく、これらの部材のうちの一部の部材（例えば、少なくとも無線回路部および電源回路部）は半導体チップに備わっており、また別の一部の部材（その他の部材）（例えば、少なくともメモリ部、特にユニークＩＤメモリ部）はＴＦＴに備わっている。好ましくは、半導体チップ（またはその一部）に、少なくとも無線回路部および電源回路部を担わせ、かつＴＦＴ（またはその一部）に、少なくともメモリ部（特にユニークＩＤメモリ部）を担わせる。これにより、従来のＴＦＴ系無線通信装置と比較して、１つあたりの製造コストの増大を十分に抑えながらも、従来のＴＦＴ系無線通信装置では実現できない動作速度および信頼性が達成される。

ただし、本実施態様の無線通信装置はメモリ部がＴＦＴに備わっているものに限定されない。無線通信装置間の共通回路（例えば、無線回路、電源回路）は半導体チップに備わっており、個々の無線通信装置毎に変更されうる回路（例えば、メモリ部、制御回路部）がＴＦＴに備わっている構成でもよい。

本実施態様の無線通信装置を実施態様によりさらに詳しく説明する。以下の実施態様のうち、無線通信装置１つあたりの製造コストのさらなる低減、ならびに動作速度および信頼性の低下のさらなる防止の観点から、実施態様１〜３の無線通信装置１０Ａ〜１０Ｃが好ましく、実施態様２〜３の無線通信装置１０Ｂ〜１０Ｃがより好ましく、実施態様２の無線通信装置１０Ｂがさらに好ましい。

（実施態様１）
実施態様１の無線通信装置１０Ａは、図４Ａに示すように、回路基板と、回路基板に実装された半導体チップ２と、回路基板に設けられたＴＦＴ３と、回路基板に設けられたアンテナ４と、配線５と、保護膜と、を備えている。図４Ａは、本実施態様に包含される実施態様１に係る無線通信装置の回路構成における、無線回路部ＲＦ、メモリ部ＭＥ（ＭＥ１およびＭＥ２）、電源回路部ＰＷおよび制御回路部ＬＯ（ＬＯ１およびＬＯ２）の配置を示す、模式的回路構成図である。なお、図４Ａにおいては、回路基板および保護膜が省略されている。

本実施態様において、無線回路部ＲＦおよび電源回路部ＰＷは半導体チップ２に備わっている。

メモリ部ＭＥは少なくともユニークＩＤメモリ部ＭＥ１を含み、その他のメモリ部ＭＥ２は含まれてもよいし、または含まれなくてもよい。ユニークＩＤメモリ部ＭＥ１はＴＦＴ３に備わっており、ＲＯＭが使用される。メモリ部ＭＥがその他のメモリ部ＭＥ２を含む場合、その他のメモリ部ＭＥ２は半導体チップ２に備わっており、ＲＡＭが使用される。

制御回路部ＬＯはメモリ制御回路部ＬＯ１およびその他の制御回路部ＬＯ２を含む。メモリ制御回路部ＬＯ１およびその他の制御回路部ＬＯ２はいずれも半導体チップ２に備わっている。

（実施態様２）
実施態様２の無線通信装置１０Ｂは、図４Ｂに示すように、回路基板と、回路基板に実装された半導体チップ２と、回路基板に設けられたＴＦＴ３と、回路基板に設けられたアンテナ４と、配線５と、保護膜と、を備えている。図４Ｂは、本実施態様に包含される実施態様２に係る無線通信装置の回路構成における、無線回路部ＲＦ、メモリ部ＭＥ（ＭＥ１およびＭＥ２）、電源回路部ＰＷおよび制御回路部ＬＯ（ＬＯ１およびＬＯ２）の配置を示す、模式的回路構成図である。なお、図４Ｂにおいては、回路基板および保護膜が省略されている。

本実施態様において、無線回路部ＲＦおよび電源回路部ＰＷは半導体チップ２に備わっている。

メモリ部ＭＥはユニークＩＤメモリ部ＭＥ１およびその他のメモリ部ＭＥ２を含む。ユニークＩＤメモリ部ＭＥ１およびその他のメモリ部ＭＥ２はＴＦＴ３に備わっている。ユニークＩＤメモリ部ＭＥ１にはＲＯＭが使用される。その他のメモリ部ＭＥ２にはＲＡＭが使用される。

制御回路部ＬＯはメモリ制御回路部ＬＯ１およびその他の制御回路部ＬＯ２を含む。メモリ制御回路部ＬＯ１はＴＦＴ３に備わっている。その他の制御回路部ＬＯ２は半導体チップ２に備わっている。

（実施態様３）
実施態様３の無線通信装置１０Ｃは、図４Ｃに示すように、回路基板と、回路基板に実装された半導体チップ２と、回路基板に設けられたＴＦＴ３と、回路基板に設けられたアンテナ４と、配線５と、保護膜と、を備えている。図４Ｃは、本実施態様に包含される実施態様３に係る無線通信装置の回路構成における、無線回路部ＲＦ、メモリ部ＭＥ（ＭＥ１およびＭＥ２）、電源回路部ＰＷおよび制御回路部ＬＯ（ＬＯ１およびＬＯ２）の配置を示す、模式的回路構成図である。なお、図４Ｃにおいては、回路基板および保護膜が省略されている。

本実施態様において、無線回路部ＲＦおよび電源回路部ＰＷは半導体チップ２に備わっている。

メモリ部ＭＥは少なくともユニークＩＤメモリ部ＭＥ１を含み、その他のメモリ部ＭＥ２は含まれてもよいし、または含まれなくてもよい。ユニークＩＤメモリ部ＭＥ１はＴＦＴ３に備わっており、ＲＯＭが使用される。メモリ部ＭＥがその他のメモリ部ＭＥ２を含む場合、その他のメモリ部ＭＥ２は半導体チップ２に備わっており、ＲＡＭが使用される。

制御回路部ＬＯはメモリ制御回路部ＬＯ１およびその他の制御回路部ＬＯ２を含む。メモリ制御回路部ＬＯ１はＴＦＴ３に備わっている。その他の制御回路部ＬＯ２は半導体チップ２に備わっている。

［実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法］
実施態様Ａに係る無線通信装置は以下のステップを含む方法により製造することができる：
回路基板１に半導体チップ２を実装するステップＰ；および
回路基板１に、ＴＦＴ３と、アンテナ４と、配線５と、を印刷法により形成するステップＱ。

ステップＰとステップＱの実施順序は、本実施態様の無線通信装置の製造が可能な限り特に限定されない。例えば、ステップＰの後でステップＱを実施してもよいし、ステップＱの実施途中でステップＰを行った後、残りのステップＱを行ってもよいし、またはステップＱの後でステップＰを実施してもよい。製造コストのさらなる低減および製造容易性のさらなる向上の観点から好ましい無線通信装置の製造方法においては、ステップＱにおいてＴＦＴ３を印刷法により形成し、ステップＰにおいて半導体チップ２を実装した後、ステップＱにおいてアンテナ４および配線５を印刷法により形成する。

以下、上記した好ましい無線通信装置の製造方法について説明する。

無線通信装置の製造方法は、
回路基板１にＴＦＴ３を印刷法により形成するステップＡ；
回路基板１に半導体チップ２を実装するステップＢ；および
回路基板１にアンテナ４および配線５を印刷法により形成するステップＣ
を含む。

無線通信装置の製造方法は、本実施態様では、
回路基板１ならびに回路基板１上に実装または形成された半導体チップ２、ＴＦＴ３、アンテナ４および配線５の上に保護膜６を印刷法により形成するステップＤ
をさらに含む。

（ステップＡ）
ステップＡにおいては、回路基板１として、その厚みに応じて、支持基板Ｓの上に形成された回路基板１を用いてもよい。例えば、製造または使用される回路基板１の厚みに応じて、図５Ａおよび図６Ａに示すように支持基板Ｓを準備し、図５Ｂおよび図６Ｂに示すように支持基板Ｓ上に回路基板１を製造した後、回路基板１にＴＦＴ３を印刷法により形成する。回路基板１の厚みが、回路基板１による半導体チップ２等の支持に十分な場合は、支持基板Ｓを使用することなく、回路基板１を製造および使用すればよい。図５Ａおよび図６Ａはそれぞれ、本実施態様の無線通信装置の製造方法における支持基板の準備ステップを説明するための模式的見取り図および模式的断面図である。図５Ｂおよび図６Ｂはそれぞれ、本実施態様の無線通信装置の製造方法における回路基板の製造ステップを説明するための模式的見取り図および模式的断面図である。

支持基板Ｓの材質としては、ガラス、アルミナ、ガラス−アルミナ複合材、シリコン、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはステンレス鋼などを挙げることができる。本実施形態は支持基板Ｓとしてガラス基板を用いる。支持基板Ｓの厚さは、好ましくは約５０μｍ〜約１８００μｍの範囲、より好ましくは約２００μｍ〜約８００μｍの範囲（例えば約７００μｍ）である。支持基板Ｓは、本実施態様では、無線通信装置の製造後、無線通信装置から剥離される。

回路基板１はあらゆる成形または塗布技術によって製造され得る。そのような成形または塗布技術として、例えば、射出成形法、射出圧縮成形法、圧縮成形法、押出成形法、ブロー成形法、プレス成形法、発泡成形法等の成形法；スピンコート法、ワイヤーバーコーティング法、はけ塗りコーティング法、スプレーコーティング法、グラビアロールコーティング法等のコーティング法；インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、リバースオフセット印刷法、フレキソ印刷法等の印刷法等が挙げられる。製造コストのさらなる低減、および回路基板の製造容易性のさらなる向上の観点から、回路基板はコーティング法（特にスピンコート法）により製造されることが好ましい。回路基板製造のためのコーティング法で使用されるコート液または印刷法で使用されるインクは、所望の回路基板材料（ポリマー）が溶媒中に分散されていてもよいし、または当該ポリマーが溶媒中に溶解されていてもよい。コーティング法または印刷法による回路基板製造後は、本実施態様では、溶媒の乾燥を行う。このとき、必要により硬化が起こってもよい。乾燥温度（硬化温度）は、本実施態様では、１５０〜２５０℃、好ましくは１５０〜２２０℃であり、例えば１つ例示すると１８０℃である。

ＴＦＴ３は印刷法により形成されるが、印刷法により形成されなければならないというわけではなく、あらゆる薄膜形成技術によって形成されてもよい。印刷法としては、例えば、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、リバースオフセット印刷法、フレキソ印刷法等が挙げられる。薄膜形成技術として、例えば、上記した印刷法の他、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等の真空成膜法等が挙げられる。製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上およびＴＦＴの製造容易性のさらなる向上の観点から、ＴＦＴは印刷法（特にインクジェット法）により形成されることが好ましい。

以下、ＴＦＴ３の印刷法による形成方法について詳しく説明する。なお、ＴＦＴ３としてボトムゲート−トップコンタクト型有機ＴＦＴを形成する方法について説明するが、他のＴＦＴを公知の方法により形成してもよい。

ＴＦＴ３は以下のステップを含む方法により形成され得る：
ゲート電極３１を形成するステップ；
ゲート電極３１の上に絶縁層３２を形成するステップ；
絶縁層３２の上に半導体層３３を形成するステップ；および
ソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄを、平面視において、半導体層３３がソース電極とドレイン電極との間に配置されるように形成するステップ。

・ゲート電極を形成するステップ
ゲート電極３１は、図５Ｃおよび図６Ｃに示すように、回路基板１上の所定の位置に形成される。ゲート電極３１の材質としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）および／または亜鉛（Ｚｎ）等の金属材料、あるいは、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ_２）、酸化イリジウム（ＩｒＯ_２）、酸化白金（ＰｔＯ_２）などの導電性酸化物などを挙げることができる。図５Ｃおよび図６Ｃはそれぞれ、本実施態様の無線通信装置の製造方法におけるゲート電極形成ステップを説明するための模式的見取り図および模式的断面図である。

ゲート電極の形成方法は、特に制限されるものではなく、常套の電極形成法を採用してよい。製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上およびＴＦＴの製造容易性のさらなる向上の観点から、ゲート電極３１は印刷法（特にインクジェット印刷法）によって形成することが好ましい。本実施形態としては、インクジェット印刷法で銀ナノインクにより銀を成膜することによってゲート電極を形成する。ゲート電極３１の厚さは、好ましくは約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲、より好ましくは約１５ｎｍ〜約５０ｎｍの範囲（例えば約３０ｎｍ）である。ゲート電極形成のための印刷法で使用されるインクは、上記した金属材料および／または導電性酸化物等の導電性材料すなわち金属材料と導電性酸化物の少なくとも１つを含むインク（例えば銀ナノインク）である。ゲート電極形成用インクは、本実施態様では、導電性材料が溶媒中に分散されているインクである。ゲート電極形成後は、本実施態様では、溶媒の乾燥を行う。乾燥温度は、本実施態様では、１００〜２００℃、好ましくは１２０〜１８０℃であり、例えば１つ例示すると１５０℃である。

・絶縁層を形成するステップ
絶縁層３２は、図５Ｄおよび図６Ｄに示すように、ゲート電極３１の上に形成される。絶縁層３２は樹脂系または無機絶縁物系の絶縁膜であり得る。樹脂系の絶縁膜としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド（ＰＩ）樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂（ＰＰＯ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）樹脂などから成る膜を挙げることができる。一方、無機絶縁物系の絶縁膜としては、例えば、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５等）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３等）、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２等）、ゼオライト酸化物（ＺｒＯ_２等）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２等）、イットリウム酸化物（Ｙ_２Ｏ_３等）、ランタン酸化物（Ｌａ_２Ｏ_３等）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ_２等）などの金属酸化物や、それらの金属の窒化物などから成る膜を挙げることができる。チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）などの誘電体から成る膜を挙げることができる。好ましい絶縁層３２は樹脂系絶縁膜（特にポリイミド樹脂膜）である。図５Ｄおよび図６Ｄはそれぞれ、本実施態様の無線通信装置の製造方法における絶縁層形成ステップを説明するための模式的見取り図および模式的断面図である。

絶縁層３２の形成は印刷法によって行ってもよいし、あるいは、真空蒸着法やスパッタ法などを使用してもよい。樹脂系絶縁膜の形成の場合では特に、樹脂材料を媒体に混合させたコーティング剤（感光剤を含むレジストであってもよい）を被形成位置に対して塗布した後で乾燥に付し、熱処理を施して硬化させることによって、絶縁層３２を形成することができる。一方、無機絶縁物系の場合では、マスクを用いた薄膜形成法（スパッタ法など）などによって絶縁層３２を形成することができる。製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上およびＴＦＴの製造容易性のさらなる向上の観点から、絶縁層３２は印刷法（特にインクジェット印刷法）によって形成することが好ましい。本実施形態としては、インクジェット印刷法でポリイミド溶液または分散液のインクによりポリイミド絶縁層を形成する。絶縁層３２の厚さは、好ましくは約０．１μｍ〜約２μｍの範囲、より好ましくは約０．２μｍ〜約１μｍの範囲（例えば約０．３μｍ）である。印刷法による絶縁層形成後は、本実施態様では、溶媒の乾燥を行う。このとき、必要により硬化が起こってもよい。乾燥温度（硬化温度）は、本実施態様では、１５０〜２５０℃、好ましくは１５０〜２２０℃であり、例えば１つ例示すると１８０℃である。

・半導体層を形成するステップ
半導体層３３は、図５Ｅおよび図６Ｅに示すように、絶縁層３２の上に形成される。半導体層３３は有機半導体であることが好ましい。有機半導体の材料としては、移動度が高い材料が好ましく、例えば、ペンタセンを挙げることができる。また、それに限定されず、本実施態様に用いることができる有機半導体材料としては、高分子材料（例えば、ポリチオフェン又はその誘導体）、低分子材料（例えば、ペンタセン、可溶化ペンタセン）の他、ナノカーボン材料（例えば、カーボンナノチューブ、ＳｉＧｅナノワイヤー、フラーレン、修飾フラーレン）、無機有機混合材料（例えば、（Ｃ_６Ｈ_５Ｃ_２Ｈ_４ＮＨ_３）とＳｎＩ_４との複合系）などを挙げることができる。図５Ｅおよび図６Ｅはそれぞれ、本実施態様の無線通信装置の製造方法における半導体層形成ステップを説明するための模式的見取り図および模式的断面図である。

半導体層３３の形成方法は、特に限定されるわけではなく、絶縁層３２の上に半導体層を形成することができるならば、いずれの方法を用いてもよい。本実施態様の製造方法では特に、製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上およびＴＦＴの製造容易性のさらなる向上の観点から、半導体層３３を印刷法（特にインクジェット印刷法）によって形成することが好ましい。本実施形態としては、例えば、高分子有機半導体層（例えばポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）などのポリチオフェン又はその誘導体）を形成する場合では、印刷法を好適に利用することができる。より具体的に説明すると、例えばＰ３ＨＴ溶液をインクジェット法により絶縁膜上に噴射し、次いで乾燥させることにより、半導体層３３を形成することができる。尚、低分子有機半導体（例えばペンタセン）の場合では、蒸着プロセスによって有機半導体層３３を形成してもよい。半導体層３３の厚さは、好ましくは約５０ｎｍ〜約１５０ｎｍの範囲、より好ましくは約８０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲であり、例えば１００ｎｍ程度である。印刷法による半導体層形成後は、本実施態様では、溶媒の乾燥を行う。乾燥温度は、本実施態様では、１５０〜２５０℃、好ましくは１８０〜２２０℃であり、例えば１つ例示すると２００℃である。

・ソース電極およびドレイン電極を形成するステップ
ソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄは、平面視において、半導体層３３がソース電極３４ｓとドレイン電極３４ｄとの間に配置されるように、形成される。平面視とは、ＴＦＴの厚み方向において上から見たときの平面図という意味である。ここで「上」とは、ＴＦＴを略水平面としての回路基板表面に形成したときの「上方向」のことである。詳しくは、ソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄは、図５Ｆおよび図６Ｆに示すように、半導体層３３の上に、相互に離間して形成されてもよいし、または絶縁層３２の上で、半導体層３３と接するように形成されてもよい。より詳しくは、ソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄは、半導体層３３の上において、相互に離れて形成されてもよい。別法として、ソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄは、半導体層３３が絶縁層３２上においてソース電極３４ｓとドレイン電極３４ｄとの間に配置され、かつ、これらの電極と接するように、絶縁層３２上において相互に離間して形成されてもよい。図５Ｆおよび図６Ｆはそれぞれ、本実施態様の無線通信装置の製造方法におけるソース電極およびドレイン電極の形成ステップを説明するための模式的見取り図および模式的断面図である。

ソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄの材料としては、良好な導電性を持つ金属が好ましく、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料を使用することができる。ソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄの形成は、特に制限されるものではなく、常套の電極形成法を採用してよい。即ち、ソース電極およびドレイン電極の形成を印刷法によって行ってよいし、あるいは、真空蒸着法やスパッタ法などを使用してもよい。製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上およびＴＦＴの製造容易性のさらなる向上の観点から、ソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄは印刷法（特にインクジェット印刷法）によって形成することが好ましい。本実施形態としては、インクジェット印刷法で銀ナノインクにより銀を成膜することによってソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄを形成する。ソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄの各厚さは、好ましくは約０．０２μｍ〜約１０μｍの範囲、より好ましくは約０．０３μｍ〜約１μｍの範囲（例えば約０．１μｍ）である。ソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄの形成のための印刷法で使用されるインクは、上記した金属材料を含むインク（例えば銀ナノインク）である。ソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄの形成用インクは、本実施態様では、金属材料が溶媒中に分散されているインクである。ソース電極３４ｓおよびドレイン電極３４ｄの形成後は、本実施態様では、溶媒の乾燥を行う。乾燥温度は、本実施態様では、１００〜２００℃、好ましくは１２０〜１８０℃であり、例えば１つ例示すると１５０℃である。

（ステップＢ）
ステップＢにおいては、図５Ｇおよび図６Ｇに示すように、回路基板１に半導体チップ２を実装する。「実装」とは、予め製造または入手された半導体チップ２を接着剤２１等の公知の結合手段により回路基板に結合することである。半導体チップ（特にシリコンチップ）としては、例えば、ＮＸＰ社、Ｉｍｐｉｎｊ社、Ａｌｉｅｎ社等の市販品が使用可能である。接着剤は、半導体チップの分野で基板への結合に従来から使用されているものであればよい。図５Ｇおよび図６Ｇはそれぞれ、本実施態様の無線通信装置の製造方法における半導体チップの実装ステップを説明するための模式的見取り図および模式的断面図である。

（ステップＣ）
ステップＣにおいては、図５Ｈおよび図６Ｈに示すように、回路基板１にアンテナ４および配線５を印刷法により形成する。アンテナ４および配線５は印刷法により形成されるが、印刷法により形成されなければならないというわけではなく、ＴＦＴ３と同様に、あらゆる薄膜形成技術によって形成されてもよい。アンテナ４および配線５の形成のための薄膜形成技術として、例えば、ＴＦＴ３の説明で例示された薄膜形成技術と同様の薄膜形成技術が挙げられる。製造コストのさらなる低減、および製造容易性のさらなる向上の観点から、アンテナ４および配線５は印刷法（特にインクジェット印刷法）により製造されることが好ましい。アンテナ４および配線５の形成のための印刷法で使用されるインクは、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）等の導電性材料を含むインク（例えば銀ナノインク）である。アンテナ４および配線５の形成用インクは、本実施態様では、導電性材料が溶媒中に分散されているインクである。アンテナ４および配線５の形成後は、本実施態様では、溶媒の乾燥を行う。乾燥温度は、本実施態様では、１００〜２００℃、好ましくは１２０〜１８０℃であり、例えば１つ例示すると１５０℃である。図５Ｈおよび図６Ｈはそれぞれ、本実施態様の無線通信装置の製造方法におけるアンテナおよび配線の形成ステップを説明するための模式的見取り図および模式的断面図である。

（ステップＤ）
ステップＤにおいては、図５Ｉおよび図６Ｉに示すように、回路基板１ならびに回路基板１上に実装または形成された半導体チップ２、ＴＦＴ３、アンテナ４および配線５の上に保護膜６を印刷法により形成する。図５Ｉおよび図６Ｉはそれぞれ、本実施態様の無線通信装置の製造方法における保護膜形成ステップを説明するための模式的見取り図および模式的断面図である。

保護膜６の形成方法は特に限定されず、例えば、回路基板１の説明で例示されたあらゆるコーティング法および印刷法によって形成され得る。製造コストのさらなる低減、および配線の製造容易性のさらなる向上の観点から、保護膜は印刷法（特にインクジェット印刷法）により製造されることが好ましい。保護膜製造のための印刷法で使用されるインクは、所望のポリマーを含むインクである。保護膜形成用インクは当該ポリマーが溶媒中に分散されていてもよいし、または当該ポリマーが溶媒中に溶解されていてもよい。保護膜形成後は、本実施態様では、溶媒の乾燥を行う。このとき、必要により硬化が起こってもよい。乾燥温度（硬化温度）は、本実施態様では、１５０〜２５０℃、好ましくは１５０〜２２０℃であり、例えば１つ例示すると１８０℃である。

保護膜６を形成した後は、本実施態様では、図５Ｊおよび図６Ｊに示すように、支持基板Ｓを剥離して、無線通信装置が得られる。図５Ｊおよび図６Ｊはそれぞれ、本実施態様の無線通信装置の製造方法における支持基板剥離ステップを説明するための模式的見取り図および模式的断面図である。図５Ｊおよび図６Ｊにおいては、見かけ上、全てのＴＦＴ３は半導体チップ２と電気的に接続されていないように見えるが、保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される配線５の複雑化を配慮して、配線５を単純化して示している。実際には、全てのＴＦＴ３は、保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される配線５により、半導体チップ２と、直接的または間接的に、電気的に接続されている。図５Ｊおよび図６Ｊにおける配線５の単純化は、図５Ｈ〜図５Ｉおよび図６Ｈ〜図６Ｉにおいても同様である。ＴＦＴは半導体チップと直接的に接続されているとは、ＴＦＴと半導体チップとの接続が、それらの間に配線以外の部材（例えば、別のＴＦＴ等）の介在なしに、配線により達成されているという意味である。ＴＦＴは半導体チップと間接的に接続されているとは、ＴＦＴと半導体チップとの接続が、それらの間に介在する配線以外の部材（例えば、別のＴＦＴ等）および配線により達成されているという意味である。

［実施態様Ｂに係る無線通信装置］
本開示の実施態様Ｂに係る無線通信装置は、前記した実施態様Ａに係る無線通信装置において、情報（例えばユニークＩＤ、および／または当該ユニークＩＤに紐付けられた情報、すなわちユニークＩＤと当該ユニークＩＤに紐付けられた情報との少なくとも１つ）の追記に特に有用な無線通信装置である。本開示の実施態様Ｂは、以下の実施態様ｂ１およびｂ２を包含し、当該実施態様ｂ１およびｂ２を複合的に含む実施態様であってもよい。

（実施態様ｂ１）
実施態様ｂ１の無線通信装置は、主として以下の事項（ｂ１−１）〜（ｂ１−３）以外、前記した実施態様Ａに係る無線通信装置と同様である（図７Ａおよび図７Ｂ参照）。
（ｂ１−１）本実施態様の無線通信装置は、回路基板１における半導体チップ２等の形成面側に保護膜６を有することが必要である。
（ｂ１−２）本実施態様の無線通信装置は、ＴＦＴ３として、１つ以上の「接続ＴＦＴ」、および１つ以上の「非接続ＴＦＴ」を含む。接続ＴＦＴは、保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される配線５により、半導体チップ２と電気的に接続されているＴＦＴであり、図７Ａおよび図７Ｂ中、「３ａ」で示す。これらの図中、ＴＦＴ３ａは半導体チップ２と電気的に接続されていないように見えるが、保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される配線５の複雑化を配慮して、配線５を単純化して示している。実際には、ＴＦＴ３ａは、保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される配線５により、半導体チップ２と、直接的または間接的に、電気的に接続されている。非接続ＴＦＴは、保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される配線５によっては、半導体チップ２と電気的に接続されていないＴＦＴであり、図７Ａおよび図７Ｂ中、「３ｂ」で示す。接続ＴＦＴ３ａおよび非接続ＴＦＴ３ｂは、本実施態様では、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される。
（ｂ１−３）本実施態様の無線通信装置においては、非接続ＴＦＴ３ｂは、図７Ａに示すように、端子７を有し、当該端子７は少なくとも一部で保護膜６から露出する露出表面７０を有している露出端子である。端子７は、非接続ＴＦＴ３ｂの所望の電極に接続されている。端子７の数は特に限定されず、例えば、１つの非接続ＴＦＴ３ｂあたり、１つ以上であってもよい。露出表面７０は、保護膜６の形成に際し、端子７の少なくとも一部の表面をマスキングすること等によって、容易に形成することができる。すなわち、保護膜６に窓部を形成することにより、当該窓部から端子７の少なくとも一部の表面（露出表面７０）を露出させることができる。

本実施態様の無線通信装置においては、非接続ＴＦＴ３ｂが、少なくとも一部で保護膜６からの露出表面７０を有している端子７を有する代わりに、または当該端子７を有することに加えて、半導体チップ２が、少なくとも一部で保護膜からの露出表面を有している露出端子を有してもよい。このような端子は、半導体チップの所望の部位に接続されている。当該露出端子の数は特に限定されず、例えば、１つの半導体チップあたり、１つ以上であってもよい。露出端子の露出表面は、端子７の露出表面７０を同様の方法により、形成することができる。

端子７の材料としては、良好な導電性を持つ金属が好ましく、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料を使用することができる。後述する還元反応の容易さの観点から、好ましい端子７は銀端子である。端子７は、製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上、および配線の製造容易性のさらなる向上の観点から、印刷部品であることが好ましい。

本実施態様の無線通信装置においては、上記の構造において、非接続ＴＦＴ３ｂが露出した露出端子である端子７を有する場合、当該非接続ＴＦＴ３ｂは、端子７における保護膜６からの露出表面７０で、図７Ｂに示すように、保護膜６上に形成される配線５１により、半導体チップ２と、電気的な接続が可能となる。半導体チップ２が露出端子を有する場合、当該半導体チップは、当該露出端子における保護膜からの露出表面で、保護膜上に形成される配線により、非接続ＴＦＴ３ｂと、電気的な接続が可能である。このため、本実施態様の無線通信装置は、製造完了後であっても、色々なシーンで保護膜６の上に配線５１を印刷法（特にインクジェット印刷法）等の簡便な方法により形成するだけで、ＴＦＴ（特にメモリ部ＭＥ（好ましくはＲＯＭ））の実質的な増設が達成される。その結果、無線通信装置の１つ１つに異なるユニークＩＤが付与される場合であっても、シリコン系無線通信装置と比較して、１つあたりの製造コストがより一層、十分に低減され、かつ動作速度および信頼性の低下がより一層、十分に防止されるだけでなく、より一層、簡便な構造で、偽装および偽造等のセキュリティに関する問題をより一層、十分に防止することができる。特に、本実施態様の無線通信装置は、ＴＦＴ（特にメモリ部ＭＥ（好ましくはＲＯＭ））の実質的な増設が達成され、情報（特にユニークＩＤ、および／または当該ユニークＩＤに紐付けられた情報、すなわちユニークＩＤと当該ユニークＩＤに紐付けられた情報との少なくとも１つ）を書き換え不可能にすることができるので、偽装および偽造等のセキュリティに関する問題をより一層、十分に防止することができる。

露出端子である端子７は保護膜６からの露出表面７０に金属酸化物層を有していてもよい。端子７の露出表面にはその表面の露出により酸化して金属酸化物層が生成される。例えば、端子７が銀端子の場合、露出表面７０には酸化銀層が形成される。端子７が露出表面７０に金属酸化物層を有していても、色々なシーンで追記を行う時など、ＴＦＴの実質的な増設が求められる時において、金属酸化物層を除去すればよい。例えば、酸化銀層は、還元剤を使用しなくても、２００℃程度で容易に還元反応を引き起こして銀となる。また例えば、酸化銀層は、還元剤を使用すると、より低温で、より容易に還元反応を引き起こして銀となる。金属酸化物層の除去方法としては、例えば、所定温度の還元剤溶液を印刷法（特にインクジェット印刷法）により金属酸化物層に噴射する方法が挙げられる。

配線５１は、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、一端においては、端子７と電気的に接続されており、他端においては、一部で保護膜６から露出する露出表面５０を有している配線５と電気的に接続されている。配線５１の他端の接続対象は配線５に限定されるものではなく、例えば、半導体チップ２に形成された端子であって、少なくとも一部で保護膜６から露出する露出表面を有している端子であってもよいし、または一部で保護膜６から露出する露出表面５０を有しているアンテナであってもよい。

配線５１は、製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上、および配線の製造容易性のさらなる向上の観点から、印刷部品であることが好ましい。配線５１が印刷部品であるとは、配線５１が印刷法によって製造された部品であるという意味である。

配線５１の厚みは、配線５の厚みと同様の範囲内から選択されてもよい。

配線５１は、導電性を有する材料からなっていれば特に限定されず、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料からなっていてもよい。

本実施態様の無線通信装置は、端子７を形成すること、端子７の少なくとも一部の表面に露出表面７０を形成すること、および配線５１の他端が電気的に接続するための露出表面（例えば露出表面５０）を形成すること以外、実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法と同様の方法により製造可能である。

本実施態様の無線通信装置は、配線５１の上にさらなる保護膜を有していてもよい。さらなる保護膜は上記保護膜６と同様の範囲内から選択されてもよい。さらなる保護膜は上記保護膜６が形成され得る方法により形成されてもよい。

（実施態様ｂ２）
実施態様ｂ２の無線通信装置は、主として以下の事項（ｂ２−１）〜（ｂ２−３）以外、前記した実施態様Ａに係る無線通信装置と同様である（図８Ａおよび図８Ｂ参照）。
（ｂ２−１）本実施態様の無線通信装置は、回路基板１における半導体チップ２等の形成面側に保護膜６を有することが必要である。
（ｂ２−２）本実施態様の無線通信装置は、ＴＦＴ３として、１つ以上の「接続ＴＦＴ」を含む。接続ＴＦＴは、保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される配線により、半導体チップ２と電気的に接続されているＴＦＴであり、図８Ａおよび図８Ｂ中、「３ａ」で示す。これらの図中、ＴＦＴ３ａは半導体チップ２と電気的に接続されていないように見えるが、保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される配線の複雑化を配慮して、配線を省略している。実際には、ＴＦＴ３ａは、保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される配線により、半導体チップ２と、直接的または間接的に、電気的に接続されている。接続ＴＦＴ３ａは、本実施態様では、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される。
（ｂ２−３）本実施態様の無線通信装置においては、半導体チップ２は、図８Ａに示すように、端子８を有し、当該端子８は少なくとも一部で保護膜６から露出する露出表面８０を有している露出端子である。端子８は、半導体チップ２の所望の部位に接続されていている。端子８の数は特に限定されず、例えば、１つの半導体チップ２あたり、１つ以上であってもよい。露出表面８０は、保護膜６の形成に際し、端子８の少なくとも一部の表面をマスキングすること等によって、容易に形成することができる。すなわち、保護膜６に窓部を形成することにより、当該窓部から端子８の少なくとも一部の表面を露出させることができる。

本実施態様の無線通信装置においては、半導体チップ２が、少なくとも一部で保護膜６から露出する露出表面８０を有している端子８を有する代わりに、または当該端子８を有することに加えて、ＴＦＴ３ａが、少なくとも一部で保護膜から露出する露出表面を有している露出端子を有してもよい。当該露出端子は、ＴＦＴ３ａの所望の部位に接続されている。当該露出端子の数は特に限定されず、例えば、１つのＴＦＴ３ａあたり、１つ以上であってもよい。露出端子の露出表面は、端子８の露出表面８０と同様の方法により、形成することができる。

端子８の材料としては、良好な導電性を持つ金属が好ましく、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料を使用することができる。後述する還元反応の容易さの観点から、好ましい端子８は銀端子である。端子８は、製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上、および配線の製造容易性のさらなる向上の観点から、印刷部品であることが好ましい。

本実施態様の無線通信装置においては、図８Ｂに示すように、端子８における保護膜６から露出する露出表面８０で半導体チップ２および／もしくはＴＦＴ３ａと電気的に接続される接続ＴＦＴ３ｃの追加的形成が可能である。なお、図８Ｂでは、端子８における保護膜６から露出する露出表面８０で半導体チップ２と電気的に接続される接続ＴＦＴ３ｃが追加的に形成されている。ここでいう「追加的形成」とは、無線通信装置の製造が一旦、完了した後に追加的に形成すること、好ましくは無線通信装置の製造が一旦、完了した後に、使用（利用）の最中において色々なシーンで追加的に形成することである。追加的ＴＦＴ３ｃは、図８Ｂに示すように、保護膜６上に形成されてもよいし、または保護膜６を剥離して、回路基板１上に形成されてもよい。追加的ＴＦＴ３ｃが保護膜６上に形成される場合、追加的ＴＦＴ３ｃは、図８Ｂに示すように、保護膜６上に形成される配線５２により、半導体チップ２および／もしくはＴＦＴ３ａと、電気的な接続が達成されてもよい。追加的ＴＦＴ３ｃが回路基板１上に形成される場合、追加的ＴＦＴ３ｃは、保護膜６上に形成される配線５２および／または保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される配線により、すなわち配線５２と保護膜６下に形成される配線との少なくとも１つにより、半導体チップ２および／もしくはＴＦＴ３ａすなわち半導体チップ２とＴＦＴ３ａとの少なくとも１つに、電気的に接続されていてもよい。本実施態様の無線通信装置は、製造完了後であっても、色々なシーンで、半導体チップ２および／もしくはＴＦＴ３ａと電気的に接続される追加的ＴＦＴ３ｃおよび保護膜６上に形成される配線５２ならびに所望により保護膜６下（すなわち回路基板１と保護膜６との間）に形成される配線を印刷法（特にインクジェット印刷法）等の簡便な方法により形成するだけで、ＴＦＴ（特にメモリ部ＭＥ（好ましくはＲＯＭ））の実質的な増設が達成される。その結果、無線通信装置の１つ１つに異なるユニークＩＤが付与される場合であっても、シリコン系無線通信装置と比較して、１つあたりの製造コストがより一層、十分に低減され、かつ動作速度および信頼性の低下がより一層、十分に防止されるだけでなく、より一層、簡便な構造で、偽装および偽造等のセキュリティに関する問題をより一層、十分に防止することができる。特に、本実施態様の無線通信装置は、ＴＦＴ（特にメモリ部ＭＥ（好ましくはＲＯＭ））の実質的な増設が達成され、情報（特にユニークＩＤ）を書き換え不可能にすることができるので、偽装および偽造等のセキュリティに関する問題をより一層、十分に防止することができる。

端子８は、上記した端子７と同様に、保護膜６から露出する露出表面８０に金属酸化物層を有していてもよい。端子８は、端子７と同様に、銀端子であることが好ましい。

配線５２は、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、一端においては、追加的ＴＦＴ３ｃと電気的に接続されており、他端においては、一部で保護膜６から露出する露出表面８０を有している端子８と電気的に接続されている。配線５２の他端の接続対象は端子８に限定されるものではなく、例えば、半導体チップ２と電気的に接続されている配線であって、少なくとも一部で保護膜６から露出する露出表面８０を有している配線であってもよいし、または一部で保護膜６から露出する露出表面を有しているアンテナであってもよい。

配線５２は、製造コストのさらなる低減、簡便な構造でのセキュリティ性能のさらなる向上、および配線の製造容易性のさらなる向上の観点から、印刷部品であることが好ましい。配線５２が印刷部品であるとは、配線５２が印刷法によって製造された部品であるという意味である。

配線５２の厚みは、配線５の厚みと同様の範囲内から選択されてもよい。

配線５２は、導電性を有する材料からなっていれば特に限定されず、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料からなっていてもよい。

本実施態様の無線通信装置は、端子８を形成すること、および端子８の少なくとも一部の表面に露出表面８０を形成すること以外、実施態様Ａに係る無線通信装置の製造方法と同様の方法により製造可能である。

本実施態様の無線通信装置は、追加的ＴＦＴ３ｃおよび配線５２の上にさらなる保護膜を有していてもよい。さらなる保護膜は上記保護膜６と同様の範囲内から選択されてもよい。さらなる保護膜は上記保護膜６が形成され得る方法により形成されてもよい。

［実施態様Ｃに係る無線通信装置］
本開示の実施態様Ｃに係る無線通信装置は、前記した実施態様Ａまたは実施態様Ｂに係る無線通信装置において、プライバシーの保護に特に有用な無線通信装置である。

本実施態様の無線通信装置は、主として以下の事項以外、前記した実施態様Ａまたは実施態様Ｂに係る無線通信装置と同様である。

無線通信装置（例えばＲＦＩＤタグ）では仕様上、外部リーダ装置１０１から電力が供給されると、当該無線通信装置が記憶するユニークＩＤおよび／または当該ユニークＩＤに紐付けられ得る追加の格納情報（以下、単に「情報」ということがある）を返送してしまう。そのため、同一規格の受信機があれば、あらゆる無線通信装置（例えばＲＦＩＤタグ）の情報を入手可能になる。従って、プライバシーの保護のために、無線通信装置（特にメモリ部ＭＥ）に記憶されている情報（例えば、ユニークＩＤ）を暗号化する。すなわち、無線通信装置（特にメモリ部ＭＥ）は暗号化された情報を記憶する。また無線通信装置は、暗号化された情報を復号化するための鍵を有している。例えば、無線通信装置は、当該無線通信装置のいずれかの領域（例えば、回路基板の裏面、表面等）への印刷により当該鍵を有していてもよい。復号化とは、暗号化された情報を再び平文に戻すことである。復号化するためには鍵が必要となる。当該鍵は、例えば、文字列、バーコード、または二次元コードとして印刷しておき、外部リーダ装置１０１のカメラで読み取られ、外部リーダ装置１０１に入力されても良い。外部リーダ装置１０１が復号化のための鍵を持つ外部リーダ装置１０１であれば、当該外部リーダ装置１０１は復号化された情報を入手することができる。一旦、上記の設定すなわち鍵の記憶を行った後は、暗号化のない無線通信装置と同様に使用することができる。外部リーダ装置１０１が復号化のための鍵を持たない外部リーダ装置１０１であれば、当該外部リーダ装置１０１は暗号化されていない情報しか入手できないため、復号化された情報を入手することはできず、結果としてプライバシーが保護される。すなわち、鍵が外部リーダ装置１０１に入力された場合に外部リーダ装置１０１は暗号化された情報を復号化できる。鍵が外部リーダ装置１０１に入力されない場合に外部リーダ装置１０１は暗号化された情報を復号化することができない。

本開示の無線通信装置は、いわゆるＲＦＩＤタグおよびＩＣタグ等を包含するものであり、コンビニエンスストアおよびスーパーマーケット等の小売業界、アパレル業界、運輸業界、ならびに出版業界（図書館）等において、流通管理（物流管理）、生産管理、在庫管理、場所管理、履歴管理等に極めて有用である。

１ 回路基板
２ 半導体チップ
２１ 接着剤
３ ＴＦＴ
３ａ 接続ＴＦＴ
３ｂ 非接続ＴＦＴ
３１ ゲート電極
３２ 絶縁層
３３ 半導体層
３４ｓ ソース電極
３４ｄ ドレイン電極
４ アンテナ
５ 配線
６ 保護膜
７ 露出端子
７０ 露出表面
１０ 無線通信装置

Claims (20)

1. 回路基板と、
   前記回路基板に実装された半導体チップと、
   前記回路基板に設けられた薄膜トランジスタと、
   前記回路基板に設けられたアンテナと、
   を備えた無線通信半導体装置。
2. 前記半導体チップの動作周波数は前記薄膜トランジスタの動作周波数より高い、請求項１に記載の無線通信半導体装置。
3. 前記半導体チップはシリコンチップである、請求項１又は２に記載の無線通信半導体装置。
4. 前記薄膜トランジスタは有機薄膜トランジスタである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の無線通信半導体装置。
5. 前記有機薄膜トランジスタは印刷部品である、請求項４に記載の無線通信半導体装置。
6. 前記アンテナが受信する受信波信号を処理して受信信号を生成し、かつ前記アンテナが送信信号を送信するための送信波信号を生成する無線回路部と、
   前記受信信号と前記送信信号とのうちの少なくとも１つと、ユニークＩＤに関連するユニークＩＤ関連情報とを記憶するメモリ部と、
   をさらに備え、
   前記無線回路部は前記半導体チップに備わっており、
   前記メモリ部の少なくとも一部は前記薄膜トランジスタに備わっている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の無線通信半導体装置。
7. 前記メモリ部は、
   前記ユニークＩＤを記憶するユニークＩＤメモリ部と、
   前記ユニークＩＤ以外の情報を記憶するその他のメモリ部と、
   を含み、
   前記ユニークＩＤメモリ部は前記薄膜トランジスタに備わっており、
   前記その他のメモリ部は前記半導体チップまたは前記薄膜トランジスタに備わっている、請求項６に記載の無線通信半導体装置。
8. 前記回路基板は、前記半導体チップと前記薄膜トランジスタとが形成されている形成面を有し、
   前記無線通信半導体装置は、前記半導体チップと前記薄膜トランジスタと前記回路基板の前記形成面を覆う保護膜をさらに備え、
   前記薄膜トランジスタは、
   前記保護膜と前記回路基板との間の配線により前記半導体チップと電気的に接続されている接続薄膜トランジスタと、
   前記保護膜と前記回路基板との間の配線によっては前記半導体チップと電気的に接続されていない非接続薄膜トランジスタと、
   を含み、
   前記非接続薄膜トランジスタ又は前記半導体チップは、前記保護膜から露出した露出表面を有する露出端子を有する、請求項６または７に記載の無線通信半導体装置。
9. 前記非接続薄膜トランジスタが前記露出端子を有する場合、前記非接続薄膜トランジスタは、前記露出端子の前記露出表面で、前記保護膜上に形成される配線により、前記半導体チップと、電気的な接続が可能であり、
   前記半導体チップは前記露出した端子を有する場合、前記半導体チップは、前記露出端子の前記露出表面で、前記保護膜上に形成される配線により、前記非接続薄膜トランジスタと、電気的な接続が可能である、請求項８に記載の無線通信半導体装置。
10. 前記回路基板は、前記半導体チップと前記薄膜トランジスタとが形成されている形成面を有し、
    前記無線通信半導体装置は、前記半導体チップと前記薄膜トランジスタと前記回路基板の前記形成面とを覆う保護膜をさらに備え、
    前記薄膜トランジスタは、前記保護膜下の配線により前記半導体チップと電気的に接続されておりかつ前記保護膜と前記回路基板との間に位置する接続薄膜トランジスタを含み、
    前記半導体チップと前記接続薄膜トランジスタとの少なくとも１つは、前記保護膜から露出した露出表面を有する露出端子を有する、請求項６または７に記載の無線通信半導体装置。
11. 前記半導体チップと前記接続薄膜トランジスタとの前記少なくとも１つに前記露出端子の前記露出表面で電気的に接続される薄膜トランジスタの追加的形成が可能である、請求項１０に記載の無線通信半導体装置。
12. 前記露出端子は、前記露出表面に形成された金属酸化物層を有する、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の無線通信半導体装置。
13. 前記露出端子は銀端子である、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の無線通信半導体装置。
14. 前記無線通信半導体装置を駆動する駆動電力を生成する電源回路部と、
    前記メモリ部に、前記受信信号と前記送信信号との前記少なくとも１つと前記ユニークＩＤ関連前記情報とを記憶させ、かつ前記無線回路部に前記受信信号と前記送信信号とを生成させる制御回路部と、
    をさらに備え、
    前記電源回路部は前記半導体チップに備わっており、
    前記制御回路部は前記半導体チップまたは前記薄膜トランジスタに備わっている、請求項６〜１３のいずれか一項に記載の無線通信半導体装置。
15. 前記制御回路部は、
    前記メモリ部に、前記受信信号と前記送信信号とのうちの前記少なくとも１つと前記ユニークＩＤ関連情報とを記憶させるメモリ制御回路部と、
    前記無線回路部に前記受信信号と前記送信信号を生成させるその他の制御回路部と、
    を含み、
    前記メモリ制御回路部および前記その他の制御回路部は、それぞれ独立して、前記半導体チップまたは前記薄膜トランジスタに備わっている、請求項１４に記載の無線通信半導体装置。
16. 前記無線通信半導体装置は、外部リーダ装置から駆動電力を受け取り、かつ前記メモリ部が記憶するユニークＩＤ関連情報を前記外部リーダ装置へ返信する、請求項６〜１５のいずれか一項に記載の無線通信半導体装置。
17. 前記無線通信半導体装置は、前記ユニークＩＤ関連情報を含む暗号化された情報を記憶しており、
    前記暗号化された情報を復号化するための鍵をさらに備えた、請求項６〜１６のいずれか一項に記載の無線通信半導体装置。
18. 前記鍵を外部リーダ装置に入力することができ、
    前記鍵が外部リーダ装置に入力された場合に前記外部リーダ装置は前記暗号化された情報を復号化でき、
    前記鍵が前記外部リーダ装置に入力されない場合に前記外部リーダ装置は前記暗号化された情報を復号化することができない、請求項１７に記載の無線通信半導体装置。
19. 回路基板に半導体チップを実装するステップと、
    前記回路基板に、薄膜トランジスタと、アンテナと、配線と、を印刷法により形成するステップと、
    を含む、無線通信半導体装置の製造方法。
20. 前記無線通信半導体装置は暗号化された情報を記憶しており、
    前記暗号化された情報を復号化するための鍵を印刷により前記無線通信半導体装置に形成するステップをさらに含む、請求項１９に記載の無線通信半導体装置の製造方法。

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