JPWO2018235875A1 - 弾性波装置、フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents

弾性波装置、フロントエンド回路及び通信装置 Download PDF

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Abstract

弾性波装置（１）は、素子基板（１０）の第１主面（１０ａ）上に設けられている機能電極（２１）と、機能電極（２１）と電気的に接続され、第１主面（１０ａ）と背向する第２主面（１０ｂ）上にて互いに隣り合う引き出し配線（２２１ｂ、２２２ｂ）と、引き出し配線（２２１ｂ、２２２ｂ）のそれぞれと接続され、第２主面（１０ｂ）上に設けられている外部端子（５１、５２）と、弾性波装置（１）を封止する第１樹脂部（３１）と、素子基板（１０）と第１樹脂部（３１）との間であって第２主面（１０ｂ）上に設けられている第２樹脂部（３２）と、を備えている。第２樹脂部（３２）は、第１樹脂部（３１）よりもヤング率が小さく、第１樹脂部（３１）及び第２樹脂部（３２）は接しており、第１樹脂部（３１）及び第２樹脂部（３２）が接する界面（ｆ１）は、引き出し配線（２２１ｂ、２２２ｂ）よりも実装基板（６０）側に位置している。

Description

本発明は、封止樹脂を備える弾性波装置、この弾性波装置を備えるフロントエンド回路及び通信装置に関する。
従来、帯域フィルタとして弾性波装置が広く用いられている。この弾性波装置の一例として、特許文献１には、素子基板と、機能電極と、機能電極に接続されて素子基板の裏面（実装面）側に引き出されている引き出し配線と、裏面側の引き出し配線に接続されている外部端子と、を備える弾性波装置が記載されている。この弾性波装置では、素子基板の裏面に樹脂材料からなる保護層が設けられ、さらに保護層を覆うように封止樹脂層が形成されている。
特開２００７−２４３９１５号公報
しかしながら、特許文献１に記載されている弾性波装置では、保護層と封止樹脂層との界面が隣り合う引き出し配線の双方に接しているため、この界面に沿って、引き出し配線を構成する金属物質が外に移動する、いわゆるマイグレーションが発生する場合がある。マイグレーションが発生すると、隣り合う一方の引き出し配線から他方の引き出し配線に金属物質が到達し、隣り合う引き出し配線同士でショートするという問題が起きる。
本発明の目的は、封止樹脂を備える弾性波装置において、引き出し配線を構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制することである。
本発明の一態様に係る弾性波装置は、互いに背向する第１主面及び第２主面を有し、少なくとも一部に圧電性を有する素子基板と、素子基板における第１主面上に直接又は間接的に設けられている機能電極と、素子基板における第２主面上に直接又は間接的に設けられ、機能電極と電気的に接続されており、互いに隣り合う第１引き出し配線及び第２引き出し配線と、第１引き出し配線と電気的に接続され、素子基板における第２主面上に直接又は間接的に設けられている第１外部端子と、第２引き出し配線と電気的に接続され、素子基板における第２主面上に直接又は間接的に設けられている第２外部端子と、弾性波装置を封止するように設けられている第１樹脂部と、少なくとも、素子基板と第１樹脂部との間であって第２主面上に設けられている第２樹脂部と、を備え、第２樹脂部は、第１樹脂部よりもヤング率が小さく、第１樹脂部及び第２樹脂部は接しており、第１樹脂部及び第２樹脂部が接する界面は、第１引き出し配線及び第２引き出し配線よりも実装基板側に位置している。
このように、第１樹脂部と第２樹脂部との界面を、第１引き出し配線及び第２引き出し配線よりも実装基板側に位置する構造とすることで、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を構成する金属物質が上記界面に沿って移動することを抑制できる。これにより、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。また、第２樹脂部のヤング率を第１樹脂部のヤング率よりも小さくすることで、素子基板と第２樹脂部との界面におけるマイグレーションを抑制することができる。
本発明の一態様に係る弾性波装置は、互いに背向する第１主面及び第２主面を有し、少なくとも一部に圧電性を有する素子基板と、素子基板における第１主面に設けられている機能電極と、素子基板における第２主面に設けられ、機能電極と電気的に接続されており、互いに隣り合う第１引き出し配線及び第２引き出し配線と、第１引き出し配線と電気的に接続され、素子基板における第２主面上に直接又は間接的に設けられている第１外部端子と、第２引き出し配線と電気的に接続され、素子基板における第２主面上に直接又は間接的に設けられている第２外部端子と、弾性波装置を封止するように設けられている第１樹脂部と、少なくとも、素子基板と第１樹脂部との間であって第２主面上に設けられている第２樹脂部と、を備え、第１樹脂部は、第２樹脂部よりもフィラーの含有率が小さく、第１樹脂部及び第２樹脂部は接しており、第１樹脂部及び第２樹脂部が接する界面は、第１引き出し配線及び第２引き出し配線よりも実装基板側に位置している。
このように、第１樹脂部と第２樹脂部との界面を、第１引き出し配線及び第２引き出し配線よりも実装基板側に位置する構造とすることで、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を構成する金属物質が上記界面に沿って移動することを抑制できる。これにより、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。また、第２樹脂部のフィラーの含有率を第１樹脂部のフィラーの含有率よりも小さくすることで、素子基板と第２樹脂部との界面におけるマイグレーションを抑制することができる。
第１樹脂部及び第２樹脂部が接する界面は、第１外部端子、第２外部端子、絶縁部材、又は、空間と接していてもよい。
このように、上記界面を第１外部端子、第２外部端子、絶縁部材、又は、空間に接する構造とすることで、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を構成する金属物質の移動を遮ることができる。これにより、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
また、第１外部端子及び第２外部端子は、第１引き出し配線及び第２引き出し配線に含まれる金属材料よりもイオン化傾向が低い金属材料を含んでいてもよい。
このように、第１外部端子及び第２外部端子をイオン化傾向が低い金属材料とすることで、引き出し配線を構成する金属物質の移動を第１外部端子及び第２外部端子で遮ることができる。これにより、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
また、第１樹脂部及び第２樹脂部は、第１外部端子と第２外部端子との間に設けられていてもよい。
これによれば、第１外部端子と第２外部端子との間に設けられた第１樹脂部及び第２樹脂部の界面においてマイグレーションが発生することを抑制することができる。
また、第１引き出し配線及び第２引き出し配線はＣｕを含み、第１外部端子及び第２外部端子はＳｎを含んでいてもよい。
このように、第１引き出し配線及び第２引き出し配線が、金属物質の移動が起きやすいＣｕを含む場合であっても、Ｓｎを含む第１外部端子及び第２外部端子にて金属物質の移動を遮ることができる。これにより、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
また、第１引き出し配線及び第２引き出し配線は、第１樹脂部に接しておらず、第２樹脂部に接していてもよい。
このように、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を、第１樹脂部でなく第２樹脂部に接する構造とすることで、素子基板と封止樹脂との界面にて発生しやすいマイグレーションを抑制することができる。
また、機能電極は、ＩＤＴ電極であってもよい。
これによれば、ＩＤＴ電極に接続された第１引き出し配線及び第２引き出し配線を構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制ができる。
また、第１引き出し配線及び第２引き出し配線は、第１主面から、第１主面と第２主面とを繋ぐ側面、及び第２主面側に至るように設けられていてもよい。
これによれば、素子基板の第１主面にて発生した熱を、側面を経由して第２主面に伝達し、放熱することができる。
また、弾性波装置は、少なくとも、側面に設けられている第１引き出し配線及び第２引き出し配線と、第１樹脂部との間に設けられている第３樹脂部をさらに備え、第３樹脂部は、第１樹脂部よりもヤング率が小さくてもよい。
このように、第３樹脂部のヤング率を第１樹脂部のヤング率よりも小さくすることで、弾性波装置に外力が加えられた場合であっても、側面の第１引き出し配線及び第２引き出し配線に加えられる力が緩和され、第１引き出し配線及び第２引き出し配線の断線を抑制することができる。
また、弾性波装置は、少なくとも、側面に設けられている第１引き出し配線及び第２引き出し配線と、第１樹脂部との間に設けられている第３樹脂部をさらに備え、第３樹脂部は、第１樹脂部よりもフィラーの含有率が小さくてもよい。
このように、第３樹脂部のフィラーの含有率を第１樹脂部のフィラーの含有率よりも小さくすることで、弾性波装置に外力が加えられた場合であっても、側面の第１引き出し配線及び第２引き出し配線に加えられる力が緩和され、第１引き出し配線及び第２引き出し配線の断線を抑制することができる。
また、第３樹脂部は、さらに、第１主面に沿う方向において、機能電極の周囲に設けられ、弾性波装置は、さらに、第１主面に垂直な方向において機能電極を覆うように第３樹脂部上に設けられているカバー層を備えていてもよい。
このように、第３樹脂部を素子基板の側面及び第１主面に形成することで、弾性波装置の構造を簡略化することができる。
また、素子基板は、シリコン材料を含む支持基板と、支持基板上に直接又は間接的に形成された圧電体層と、を少なくとも有し、弾性波装置は、さらに、第１引き出し配線及び第２引き出し配線と、支持基板との間に設けられている絶縁層を備えていてもよい。
このように、シリコン材料を含む支持基板と引き出し配線との間に絶縁層を設けることで、支持基板内にリーク電流が流れることを抑制できる。
また、素子基板は、支持基板と、支持基板上に直接又は間接的に形成された圧電体層と、を少なくとも有し、素子基板を第１主面に垂直な方向から断面視した場合に、圧電体層の側面は、素子基板の側面よりも内側に位置し、第１引き出し配線及び第２引き出し配線は、第１主面から、圧電体層の側面、及び、素子基板の側面に至るように設けられていてもよい。
これによれば、例えば、複数の素子基板からなるマザー基板を、ダイシングブレードを用いてカットして弾性波装置を製造する場合に、ダイシングブレードが圧電体層に触れることを防ぐことができ、圧電体層の割れや界面剥離を抑制することができる。
また、素子基板は、支持基板と、支持基板上に直接形成された圧電体層と、を有し、機能電極は、圧電体層上に設けられ、支持基板は、圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速であってもよい。
これによれば、圧電体層から伝搬した弾性波を、支持基板と圧電体層との界面で反射し、圧電体層に戻すことができる。これにより、弾性波エネルギーを圧電体層内に効率的に閉じ込めることができる。
また、素子基板は、支持基板と、支持基板上に間接的に形成された圧電体層と、支持基板と圧電体層との間に設けられた中間層と、を有し、機能電極は、圧電体層上に設けられ、中間層は、圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速であり、支持基板は、圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速であってもよい。
これによれば、圧電体層から中間層に伝搬した弾性波を、支持基板と中間層との界面で反射し、圧電体層に戻すことができる。これにより、弾性波エネルギーを圧電体層内に効率的に閉じ込めることができる。
また、素子基板は、支持基板と、支持基板上に間接的に形成された圧電体層と、支持基板と圧電体層との間に設けられた中間層と、を有し、機能電極は、圧電体層上に設けられ、中間層は、圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速膜とを有し、低音速膜は、圧電体層と支持基板との間に設けられ、高音速膜は、低音速膜と支持基板との間に設けられていてもよい。
これによれば、圧電体層から低音速膜に伝搬した弾性波を、高音速膜と低音速膜との界面で反射し、圧電体層に戻すことができる。これにより、弾性波エネルギーを圧電体層内に効率的に閉じ込めることができる。
また、本発明の一態様に係るフロントエンド回路は、上記弾性波装置を備える。
これによれば、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を構成する金属物質のマイグレーションが抑制された弾性波装置を有するフロントエンド回路を提供することができる。
また、本発明の一態様に係る通信装置は、上記フロントエンド回路と、高周波信号を処理する信号処理回路と、を備える。
これによれば、通信装置の信頼性を向上することができる。
本発明によれば、封止樹脂を備える弾性波装置において、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
図１は、実施の形態１に係る弾性波装置の一例を示す断面図である。 図２Ａは、実施の形態１に係る弾性波装置の素子基板、機能電極、第１引き出し配線及び第２引き出し配線の一例を示す斜視図である。 図２Ｂは、図２Ａに示す素子基板、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を裏面側から見た場合の斜視図である。 図３は、実施の形態１に係る弾性波装置の他の一例を示す断面図である。 図４は、実施の形態１に係る弾性波装置の製造方法を示すフローチャートである。 図５は、実施の形態１に係る弾性波装置の製造方法を示す図である。 図６は、図５につづき、実施の形態１に係る弾性波装置の製造方法を示す図である。 図７は、図６につづき、実施の形態１に係る弾性波装置の製造方法を示す図である。 図８は、実施の形態１の変形例１に係る弾性波装置を示す断面図である。 図９は、実施の形態１の変形例２に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１０は、実施の形態１の変形例３に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１１は、実施の形態１の変形例４に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１２は、実施の形態１の変形例５に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１３は、実施の形態１の変形例６に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１４は、その他の形態に係る弾性波装置の一部を示す断面図である。 図１５は、実施の形態２に係るフロントエンド回路及び通信装置を示す回路構成図である。 図１６は、比較例の弾性波装置を示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、実施の形態及び図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ又は大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
（実施の形態１）
［１−１．弾性波装置の構成］
図１は、実施の形態１に係る弾性波装置１の一例を示す断面図である。図２Ａは、弾性波装置１の素子基板１０、機能電極２１、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２の一例を示す斜視図である。図２Ｂは、図２Ａに示す弾性波装置１の素子基板１０、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２を裏面側から見た場合の斜視図である。なお、図２Ａ及び図２Ｂでは、第１樹脂部３１、第２樹脂部３２、第３樹脂部３３、カバー層４０、第１外部端子５１及び第２外部端子５２の記載を省略している。
図１に示すように弾性波装置１は、素子基板１０と、素子基板１０に設けられている機能電極２１、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２と、機能電極２１を覆うカバー層４０と、第１引き出し配線２２１に接続されている第１外部端子５１と、第２引き出し配線に接続されている第２外部端子５２とを備える。また、弾性波装置１は、弾性波装置１を封止するように設けられた第１樹脂部３１と、素子基板１０の実装面（裏面）側において素子基板１０と第１樹脂部３１との間に設けられている第２樹脂部３２とを備える。さらに、弾性波装置１は、素子基板１０の側面側に設けられている第３樹脂部３３を備える。弾性波装置１は、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を介して実装基板６０に実装される。
素子基板１０は、平板状であり、互いに背向する第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂと、第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂの両方に交わる面であって第１主面１０ａと第２主面１０ｂとを繋ぐ側面１０ｃとを有する。第２主面１０ｂは、弾性波装置１が実装基板６０に実装される場合に、実装基板６０側に位置する面である。素子基板１０は、第１主面１０ａと側面１０ｃとが交わる部分である第２角部１７を有し、また、第２主面１０ｂと側面１０ｃとが交わる部分である第１角部１６を有している。図１に示す断面図には、２つの側面１０ｃ、２つの第２角部１７及び２つの第１角部１６が表わされている。なお、側面１０ｃは、第１主面１０ａ又は第２主面１０ｂに対して傾いて設けられてもよい。第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂは、互いに平行でなくてもよい。素子基板１０の断面は、台形状、平行四辺形状又は四角形状であってもよい。
また、素子基板１０は、支持基板１２と、支持基板１２上に直接設けられた圧電体層１１とを有している。圧電体層１１の上面は、前述した第１主面１０ａとなり、支持基板１２の下面は、前述した第２主面１０ｂとなっている。圧電体層１１は、例えばＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶、又は、圧電セラミックスからなる。支持基板１２は、絶縁体もしくは半導体からなる。支持基板１２の材料は、例えばＳｉ、Ａｌ２Ｏ３などである。支持基板１２は、圧電体層１１を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である。
機能電極２１は、素子基板１０の第１主面１０ａに設けられている金属膜である。機能電極２１は、例えば、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極及び反射器である。図２Ａには、ＩＤＴ電極及び反射器によって構成される弾性波共振子ｉ１〜ｉ７が示されている。図２Ａにおいて、弾性波共振子ｉ１〜ｉ７は、Ｘを矩形の枠で囲んだ記号で略図的に示されている。弾性波共振子ｉ１〜ｉ７は、第１主面１０ａ上にて電気的に接続され、ラダー型フィルタなどのフィルタ回路を形成している。機能電極２１は、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＣｕ合金などの金属もしくは合金からなる。また、機能電極２１は、単一の金属膜に限らず、複数の金属膜が積層された積層金属膜によって形成されていてもよい。なお、弾性波共振子ｉ１〜ｉ７は、弾性表面波共振子に限られず、弾性境界波共振子であってもよい。
第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２のそれぞれは、帯状であり、素子基板１０の第１主面１０ａ、側面１０ｃ及び第２主面１０ｂのそれぞれに設けられている。具体的には、第１引き出し配線２２１は、互いに接続されている第１引き出し配線２２１ａ及び第１引き出し配線２２１ｂを有している。第１引き出し配線２２１ａは、機能電極２１に電気的に接続され、第１主面１０ａ側から第２角部１７を経て側面１０ｃに至るように設けられている。第１引き出し配線２２１ｂは、側面１０ｃに設けられた第１引き出し配線２２１ａの端部に接続され、第１角部１６から第２主面１０ｂに至るように設けられている。
第２引き出し配線２２２は、互いに接続されている第２引き出し配線２２２ａ及び第２引き出し配線２２２ｂを有している。第２引き出し配線２２２ａは、機能電極２１に電気的に接続され、第１主面１０ａ側から第２角部１７を経て側面１０ｃに至るように設けられている。第２引き出し配線２２２ｂは、側面１０ｃに設けられた第２引き出し配線２２２ａの端部に接続され、第１角部１６から第２主面１０ｂに至るように設けられている。
第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂは、第２主面１０ｂ上において互いに隣り合っている。
この弾性波装置１では、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２のそれぞれが素子基板１０の外周に沿って引き回されており、機能電極２１の駆動によって第１主面１０ａ側にて発生した熱を、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２を介して第２主面１０ｂ側に伝達して、放熱できる構造となっている。また、機能電極２１が第１主面１０ａに設けられ、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２が、機能電極２１から第１主面１０ａ及び側面１０ｃを介して第２主面１０ｂに至るまで延設されているので、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２の長さが長くなり、放熱性を向上できる構造となっている。
第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２のそれぞれは、例えばＣｕを含む金属材料によって形成されている。なお、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２は、Ｃｕに限られず、Ａｌを含む金属材料によって形成されていてもよい。また、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２は、金めっきなどの被覆層を有していてもよい。
第１外部端子５１は、第２主面１０ｂに設けられた第１引き出し配線２２１ｂに電気的に接続されている。第２外部端子５２は、第２主面１０ｂに設けられた第２引き出し配線２２２ｂに電気的に接続されている。第１外部端子５１及び第２外部端子５２のそれぞれは、マイグレーションが発生しにくい材料によって形成されている。具体的には、第１外部端子５１及び第２外部端子５２は、Ｃｕよりもマイグレーションが発生しにくいＳｎを含んでいる。また、第１外部端子５１及び第２外部端子５２は、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２に含まれる金属材料よりもイオン化傾向が低い金属材料を含んでいる。具体的には第１外部端子５１及び第２外部端子５２は、Ｃｕよりもイオン化傾向が低いＡｇを含んでいる。素子基板１０は、この第１外部端子５１及び第２外部端子５２を介して実装基板６０の一方の主面６０ａに接合される。
弾性波装置１は、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を有し、第１外部端子５１及び第２外部端子５２の間には、後述する第１樹脂部３１及び第２樹脂部３２が設けられている。
第３樹脂部３３は、素子基板１０の第１主面１０ａ側及び側面１０ｃ側に設けられている。第３樹脂部３３は、第１主面１０ａに垂直な方向から見た場合、第１主面１０ａに沿う方向において、機能電極２１を取り囲むように機能電極２１の周囲に設けられている。また、第３樹脂部３３は、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａを覆うように設けられている。第１主面１０ａ側における第３樹脂部３３の高さは、機能電極２１の高さよりも高い。なお、側面１０ｃ側における第３樹脂部３３の構成については後述する。
カバー層４０は、シート状のポリイミド樹脂であり、第１主面１０ａに垂直な方向において、機能電極２１を覆うように第３樹脂部３３上に設けられている。カバー層４０は、機能電極２１に対して所定の間隔をあけて配置されている。弾性波装置１には、カバー層４０、第３樹脂部３３及び素子基板１０によって囲まれた密閉空間Ａが形成されている。
第１樹脂部３１は、弾性波装置１を封止する封止樹脂である。第１樹脂部３１は、素子基板１０、機能電極２１、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２を囲むように、素子基板１０の第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ及び側面１０ｃのそれぞれの外側に設けられている。また、前述したように第１樹脂部３１は、実装基板６０の一方の主面６０ａを覆っている。
第１樹脂部３１は、フィラーを含む絶縁性材料であり、例えば、シリカ粒子を含むエポキシ樹脂によって形成されている。例えば、このエポキシ樹脂のヤング率（弾性係数）は１７ＧＰａである。
第２樹脂部３２は、素子基板１０の第２主面１０ｂの外側において、第１引き出し配線２２１ｂと第１樹脂部３１との間、及び、第２引き出し配線２２２ｂと第１樹脂部３１との間に設けられている。すなわち、第２樹脂部３２は、素子基板１０と第１樹脂部３１との間であって、第２主面１０ｂ上に設けられている。また、第２樹脂部３２は、第２主面１０ｂの第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂが形成されていない領域において、支持基板１２と第１樹脂部３１との間に設けられている。また、第２樹脂部３２は、第１角部１６の外側において、第１引き出し配線２２１ｂと第１樹脂部３１との間、及び、第２引き出し配線２２２ｂと第１樹脂部３１との間に設けられている。第２樹脂部３２は、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂに接しているのに対し、第１樹脂部３１は、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂに接していない。
本実施の形態では、第１樹脂部３１及び第２樹脂部３２は互いに接しており、第１樹脂部３１及び第２樹脂部３２が互いに接する界面ｆ１は、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂよりも実装基板６０側に位置している。また、界面ｆ１は、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂに接しておらず、第１外部端子５１及び第２外部端子５２に接している。具体的には図１の断面図に示すように、界面ｆ１の一端は第１外部端子５１に接し、界面ｆ１の他端は第２外部端子５２に接している。弾性波装置１では、上記界面ｆ１が第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂに接していないため、界面ｆ１に沿って、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂの金属物質が移動するというマイグレーションが発生しにくい構造となっている。
また、第２樹脂部３２の吸水率は、第１樹脂部３１の吸水率よりも小さい。そのため弾性波装置１では、第２主面１０ｂに沿って隣り合う第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂ間において、マイグレーションが発生しにくい構造となっている。
また、第２樹脂部３２は、絶縁性の樹脂材料で形成され、例えば、ポリアミック酸エステル及び乳酸エチルを含む。例えば、第２樹脂部３２の樹脂材料のヤング率は３．５ＧＰａである。第２樹脂部３２のヤング率は、第１樹脂部３１のヤング率よりも小さいため、第２樹脂部３２のヤング率を第１樹脂部３１のヤング率よりも小さくすることが可能となるので、弾性波装置１に外力が加えられた場合であっても、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂに加えられる力が緩和される構造となっている。また、第２樹脂部３２のヤング率を第１樹脂部３１のヤング率よりも小さくすることで、例えば第２樹脂部３２を有さず第１樹脂部３１が支持基板１２と接触している場合（図１６参照）における、支持基板１２と第１樹脂部３１との界面におけるマイグレーションと比較して、支持基板１２と第２樹脂部３２との界面におけるマイグレーションを抑制することができる。
なお、第２樹脂部３２のフィラーの含有率が第１樹脂部３１のフィラーの含有率よりも小さければ、第２樹脂部３２のヤング率を第１樹脂部３１のヤング率よりも小さくすることが可能となるので、弾性波装置１に外力が加えられた場合であっても、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂに加えられる力を緩和せることが可能となる。
また、第２樹脂部３２の線膨張係数を第１樹脂部３１よりも引き出し配線２２１ｂ、２２２ｂの線膨張係数に近づけることで、引き出し配線２２１ｂ、２２２ｂにかかる外力だけでなく、引き出し配線２２１ｂ、２２２ｂにかかる熱応力を抑制することが可能となる。
第３樹脂部３３は、素子基板１０の側面１０ｃの外側において、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａと第１樹脂部３１との間に設けられている。また、第３樹脂部３３は、第２角部１７の外側において、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａと第１樹脂部３１との間に設けられている。第３樹脂部３３は、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａに接しているのに対し、第１樹脂部３１は、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａに接していない。
第３樹脂部３３は、絶縁性材料であり、例えば、エポキシ樹脂によって形成されている。例えば、このエポキシ樹脂のヤング率は２ＧＰａである。第３樹脂部３３のヤング率は、第１樹脂部３１のヤング率よりも小さいため、弾性波装置１では、外力が加えられた場合であっても、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａに加えられる力が緩和される構造となっている。
なお、第３樹脂部３３のフィラーの含有率が第１樹脂部３１のフィラーの含有率よりも小さければ、第３樹脂部３３のヤング率を第１樹脂部３１のヤング率よりも小さくすることが可能となるので、弾性波装置１に外力が加えられた場合であっても、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａに加えられる力を緩和せることが可能となる。
また、第３樹脂部３３の線膨張係数を第１樹脂部３１よりも引き出し配線２２１ａ、２２２ａの線膨張係数に近づけることで、引き出し配線２２１ａ、２２２ａにかかる外力だけでなく、引き出し配線２２１ａ、２２２ａにかかる熱応力を抑制することが可能となる。
図３は、弾性波装置１の他の一例を示す断面図であり、弾性波装置１が高周波モジュールの一部となっている。高周波モジュールは、例えば、弾性波装置１と、実装部品６５と、実装基板６０とによって構成されている。
実装基板６０は、プリント回路基板であり、実装基板６０の一方の主面６０ａには、ランド電極６１が形成されている。弾性波装置１の第１外部端子５１及び第２外部端子５２は、このランド電極６１を介して実装基板６０に接続されている。実装基板６０には、弾性波装置１の他に、実装部品６５である積層セラミック部品及びＩＣチップが実装されている。第１樹脂部３１は、弾性波装置１及び実装部品６５を覆うように、実装基板６０の一方の主面６０ａ側に設けられている。このように、弾性波装置１が実装基板６０と一体となった状態で高周波モジュールを形成していてもよい。
［１−２．弾性波装置の製造方法］
次に、弾性波装置１の製造方法について説明する。図４は、弾性波装置１の製造方法を示すフローチャートである。図５は、弾性波装置１の製造方法を示す図であり、図６は、図５につづき、弾性波装置１の製造方法を示す図であり、図７は、図６につづき、弾性波装置１の製造方法を示す図である。
まず、図５の（ａ）に示すように、素子基板１０に機能電極２１を形成する（Ｓ１１）。機能電極２１が形成される面は、圧電体層１１の上面である第１主面１０ａである。機能電極２１は、例えば、ＩＤＴ電極及び反射器となる電極膜である。素子基板１０は、個片化される前のマザー基板の状態である。図５の（ａ）には、一例として２つの素子基板１０が示されている。
次に、図５の（ｂ）に示すように、素子基板１０に溝ｃ１を形成する（Ｓ１２）。溝ｃ１は、第１主面１０ａに垂直な方向から見て格子状に形成される。この溝ｃ１の形成によって、素子基板１０の側面１０ｃが形成される。
次に、図５の（ｃ）に示すように、溝ｃ１の表面及び素子基板１０の表面に第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａを形成する（Ｓ１３）。第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａは、溝ｃ１の側面である素子基板１０の側面１０ｃ、及び、素子基板１０の第１主面１０ａに沿って所定の膜厚で形成される。第１主面１０ａ側の第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａは、機能電極２１と接続するように形成される。
次に、図５の（ｄ）に示すように、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａが形成された溝ｃ１及び第１主面１０ａ上に第３の樹脂材料ｂ３を塗布する（Ｓ１４）。樹脂材料ｂ３は、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａを覆うように形成される。また、樹脂材料ｂ３は、第１主面１０ａに沿う方向において機能電極２１を取り囲むように、高さ方向において機能電極２１よりも高くなるように形成される。この樹脂材料ｂ３が塗布硬化されることで、素子基板１０の側面１０ｃの外側及び第２角部１７の外側に第３樹脂部３３が形成される。
次に、図６の（ａ）に示すように、第３樹脂部３３上にカバー層４０が形成される（Ｓ１５）。カバー層４０は、シート状のポリイミド樹脂であり、接着によって第３樹脂部３３に貼り付けられる。このカバー層４０の形成により、機能電極２１上に密閉空間Ａが形成される。
次に、図６の（ｂ）に示すように、素子基板１０の裏面をグラインダ等によって除去する（Ｓ１６）。この除去によって、素子基板１０の第２主面１０ｂが形成され、また、溝ｃ１に形成された第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａの一部及び第３樹脂部３３の一部が露出する。
次に、図６の（ｃ）に示すように、露出した第２主面１０ｂに第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを延設する（Ｓ１７）。この第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂのそれぞれは、ステップＳ１３にて形成した第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａのそれぞれと接続するように形成される。
次に、図６の（ｄ）に示すように、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂが形成された第２主面１０ｂ上に第２の樹脂材料ｂ２を塗布する（Ｓ１８）。樹脂材料ｂ２は、第１外部端子５１及び第２外部端子５２が形成される領域を除いて、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを覆うように、かつ、第２主面１０ｂを覆うように形成される。この樹脂材料ｂ２が塗布硬化されることで、素子基板１０の第２主面１０ｂの外側及び第１角部１６の外側に、第２樹脂部３２が形成される。第２樹脂部３２が形成されていない領域は、凹状となり、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂが露出している。
次に、図７の（ａ）に示すように、第２樹脂部３２が形成されていない領域に第１外部端子５１及び第２外部端子５２を形成する（Ｓ１９）。第１外部端子５１及び第２外部端子５２は、例えば、金属バンプである。この第１外部端子５１及び第２外部端子５２の形成によって、第１引き出し配線２２１ｂと第１外部端子５１とが接続され、第２引き出し配線２２２ｂと第２外部端子５２とが接続される。
次に、図７の（ｂ）に示すように、複数の素子基板１０を有するマザー基板をカットして個片化する（Ｓ２０）。カットする際のブレードの幅は、ステップＳ１２における溝ｃ１の幅よりも小さい。このカットによって、弾性波装置１の一部である素子ｄ１が形成され、また、カバー層４０、第３樹脂部３３及び第２樹脂部３２のそれぞれの側面が形成される。
次に、図７の（ｃ）に示すように、個片化された素子ｄ１を実装基板６０に実装する（Ｓ２１）。素子ｄ１は、はんだ等によって実装基板６０のランド電極６１に接合される。
そして、素子ｄ１を覆うように実装基板６０の一方の主面６０ａに第１の樹脂材料を塗布し、硬化する（Ｓ２２）。第１の樹脂材料の硬化により、第１樹脂部３１が、素子基板１０、機能電極２１、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２を囲み、さらに、その外側のカバー層４０、第２樹脂部３２、第３樹脂部３３を囲むように設けられ、図１に示すような弾性波装置１が形成される。
［１−３．効果等］
上記構成を有する弾性波装置１では、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。この理解を容易にするために、比較例における弾性波装置の構成を説明する。
図１６は、比較例の弾性波装置５０１を示す断面図である。比較例の弾性波装置５０１は、素子基板１０と、素子基板１０に設けられている機能電極２１、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２と、機能電極２１を覆うカバー層４０と、第１引き出し配線２２１に接続されている第１外部端子５１と、第２引き出し配線２２２に接続されている第２外部端子５２とを備える。また、弾性波装置５０１は、素子基板１０の第２主面１０ｂに形成されている第２樹脂部３２と、素子基板１０、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２、カバー層４０及び第２樹脂部３２の全体を囲む第１樹脂部３１を備える。
比較例の弾性波装置５０１では、第２樹脂部３２と第１樹脂部３１とによって形成される界面ｆ１が、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２に接している。そのため、弾性波装置５０１では、高周波電圧が印加されると、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２を構成する金属物質が界面ｆ１に沿って移動し、エレクトロマイグレーションが発生する。
それに対し、本実施の形態に係る弾性波装置１は、以下の構成を有している。すなわち、弾性波装置１は、互いに背向する第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂを有し、少なくとも一部に圧電性を有する素子基板１０と、素子基板１０における第１主面１０ａ上に直接又は間接的に設けられている機能電極２１と、素子基板１０における第２主面１０ｂ上に直接又は間接的に設けられ、機能電極２１と電気的に接続されており、互いに隣り合う第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂと、第１引き出し配線２２１ｂと電気的に接続され、素子基板１０における第２主面１０ｂ上に直接又は間接的に設けられている第１外部端子５１と、第２引き出し配線２２２ｂと電気的に接続され、素子基板１０における第２主面１０ｂ上に直接又は間接的に設けられている第２外部端子５２子と、弾性波装置１を封止するように設けられている第１樹脂部３１と、少なくとも、素子基板１０と第１樹脂部３１との間であって第２主面１０ｂ上に設けられている第２樹脂部３２と、を備えている。第２樹脂部３２は、第１樹脂部３１よりもヤング率が小さく、第１樹脂部３１及び第２樹脂部３２は接しており、第１樹脂部３１及び第２樹脂部３２が接する界面ｆ１は、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂよりも実装基板６０側に位置している。
このように、第１樹脂部３１と第２樹脂部３２との界面ｆ１を、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂよりも実装基板６０側に位置する構造とすることで、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質が上記界面ｆ１に沿って移動することを抑制できる。これにより、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
また、本実施の形態では、第２樹脂部３２のヤング率を第１樹脂部３１のヤング率よりも小さくすることで、例えば第２樹脂部３２を有さず第１樹脂部３１が支持基板１２と接触している場合（図１６参照）における、支持基板１２と第１樹脂部３１との界面におけるマイグレーションと比較して、支持基板１２と第２樹脂部３２との界面におけるマイグレーションを抑制することができる。
また、弾性波装置１では、第１樹脂部３１及び第２樹脂部３２が互いに接する界面ｆ１は、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂに接しておらず、第１外部端子５１及び第２外部端子５２に接している。
このように、第１樹脂部３１と第２樹脂部３２との界面ｆ１を、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂに接触させず、第１外部端子５１及び第２外部端子５２に接触する構造とすることで、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質が上記界面ｆ１に沿って移動することを抑制できる。これにより、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
なお、本実施の形態において、上記界面ｆ１が接する第１外部端子５１及び第２外部端子５２は、マイグレーションが発生しにくい材料によって形成されているので、界面ｆ１が第１外部端子５１及び第２外部端子５２に接している場合であっても、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を構成する金属物質のマイグレーションを抑制することができる。
［１−４．実施の形態１の変形例１］
図８は、実施の形態１の変形例１に係る弾性波装置１Ａを示す断面図である。図８には、実装基板６０に実装される前の状態の弾性波装置１Ａが示されている。弾性波装置１Ａでは、第１樹脂部３１が実装基板６０に設けられておらず、弾性波装置１Ａのみに設けられている点で、第１樹脂部３１が実装基板６０に設けられている上記実施の形態１と異なる。このような第１樹脂部３１は、例えば、印刷法、浸漬法等によって形成することができる。
変形例１の弾性波装置１Ａでも、第１樹脂部３１と第２樹脂部３２との界面ｆ１が、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂよりも実装基板６０側に位置している。このような構造とすることで、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質が上記界面ｆ１に沿って移動することを抑制できる。これにより、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
［１−５．実施の形態１の変形例２］
図９は、実施の形態１の変形例２に係る弾性波装置１Ｂを示す断面図である。図９に示す弾性波装置１Ｂは、素子基板１０が圧電体層のみで形成されている点で、素子基板１０が支持基板１２と圧電体層１１とで構成されている上記実施の形態１と異なる。
変形例２の弾性波装置１Ｂでも、第１樹脂部３１と第２樹脂部３２との界面ｆ１が、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂよりも実装基板６０側に位置している。このような構造とすることで、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質が上記界面ｆ１に沿って移動することを抑制できる。これにより、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
［１−６．実施の形態１の変形例３］
図１０は、実施の形態１の変形例３に係る弾性波装置１Ｃを示す断面図である。図１０１示す弾性波装置１Ｃは、機能電極２１が支持基板１２と圧電体層１１との間、及び、圧電体層１１上に設けられている点で、機能電極２１が支持基板１２と圧電体層１１との間に存在しない上記実施の形態１と異なる。第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａは、第１主面１０ａ側である圧電体層１１上の機能電極２１に接続されている。
変形例３の弾性波装置１Ｃでも、第１樹脂部３１と第２樹脂部３２との界面ｆ１が、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂよりも実装基板６０側に位置している。このような構造とすることで、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質が上記界面ｆ１に沿って移動することを抑制できる。これにより、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
［１−７．実施の形態１の変形例４］
図１１は、実施の形態１の変形例４に係る弾性波装置１Ｄを示す断面図である。変形例４の弾性波装置１Ｄは、素子基板１０が、シリコン材料を含む支持基板１２と、支持基板１２上に設けられた中間層１４と、中間層１４上に設けられた圧電体層１１とによって構成されている点で、素子基板１０が支持基板１２と圧電体層１１とで構成されている上記実施の形態１と異なる。弾性波装置１Ｄの圧電体層１１は、支持基板１２上に間接的に形成されている。支持基板１２は、素子基板１０の第２主面１０ｂと同じ面である他方主面１２ｂと、他方主面１２ｂの反対の面である一方主面１２ａとを有している。
中間層１４は、高次モード漏洩層１３ａ、高音速膜１３ｂ及び低音速膜１３ｃによって構成されている。具体的には、支持基板１２上に高次モードの漏洩を遮断する膜からなる高次モード漏洩層１３ａが積層され、高次モード漏洩層１３ａ上に音速が相対的に高い高音速膜１３ｂが積層され、高音速膜１３ｂ上に音速が相対的に低い低音速膜１３ｃが積層され、低音速膜１３ｃ上に圧電体層１１が積層されている。なお、中間層１４と支持基板１２の間に適宜の材料が形成されていても良い。
高次モード漏洩層１３ａは、高次モードの漏洩を遮断する適宜の材料により形成することができる。このような材料としては、酸化ケイ素などを挙げることができる。
高音速膜１３ｂは、弾性波が高音速膜１３ｂより下側に漏れないように、弾性波を圧電体層１１及び低音速膜１３ｃが積層されている部分に閉じ込める機能を有している。高音速膜１３ｂは、例えば窒化アルミニウムからなる。もっとも、上記弾性波を閉じ込め得る限り、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜又はダイヤモンド、これらの材料を主成分とする媒質、これらの材料の混合物を主成分とする媒質等のさまざまな高音速材料を用いることができる。弾性波を圧電体層１１及び低音速膜１３ｃが積層されている部分に閉じ込めるには、高音速膜１３ｂの膜厚は厚いほど望ましく、弾性波の波長λの０．１倍以上、さらには１．５倍以上であることが望ましい。
低音速膜１３ｃは酸化ケイ素からなる。もっとも、低音速膜１３ｃを構成する材料としては圧電体層１１を伝搬するバルク波よりも低音速のバルク波音速を有する適宜の材料を用いることができる。このような材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素を加えた化合物など、上記材料を主成分とした媒質を用いることができる。
なお、高音速膜１３ｂとは、圧電体層１１を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速膜１３ｂ中のバルク波の音速が高速となる膜をいうものとする。また、低音速膜１３ｃとは、圧電体層１１を伝搬するバルク波よりも、低音速膜１３ｃ中のバルク波の音速が低速となる膜をいうものとする。
このように圧電体層１１と、支持基板１２との間に高次モード漏洩層１３ａ、高音速膜１３ｂ及び低音速膜１３ｃを配置することで、Ｑ値を高めることができる。
また、弾性波装置１Ｄでは、第１主面１０ａに垂直な方向から見た場合、圧電体層１１及び中間層１４は支持基板１２よりも外形が小さく、断面視した場合、圧電体層１１及び中間層１４の側面１０ｄは素子基板１０の側面１０ｃよりも内側に位置している。
例えば、圧電体層１１及び中間層１４の側面１０ｄが素子基板１０の側面１０ｃよりも内側に位置するように予め形成しておくことで、マザー基板を個片化する工程（図７の（ｂ）参照）でダイシングブレードを用いてカットする場合に、ダイシングブレードが圧電体層１１及び中間層１４に触れることを防ぐことができ、圧電体層１１及び中間層１４の割れや界面剥離を抑制することができる。
第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａは、第１主面１０ａ側から圧電体層１１及び中間層１４の側面１０ｄ、支持基板１２の一方主面１２ａに沿って形成され、側面１０ｃ側に至っている。
変形例４の弾性波装置１Ｄでも、第１樹脂部３１と第２樹脂部３２との界面ｆ１が、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂよりも実装基板６０側に位置している。このような構造とすることで、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質が上記界面ｆ１に沿って移動することを抑制できる。これにより、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
また、弾性波装置１Ｄでは、素子基板１０の側面１０ｃ及び支持基板１２の一方主面１２ａに第４樹脂部３４が形成されている。すなわち、素子基板１０の側面１０ｃ及び支持基板１２の一方主面１２ａと、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａとの間に第４樹脂部３４が設けられている。例えば、素子基板１０の側面１０ｃと第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａとが接している場合、支持基板１２内にリーク電流が流れやすい。それに対して弾性波装置１Ｄのように、素子基板１０の側面１０ｃと第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａとの間に第４樹脂部３４を設けることで、支持基板１２内にリーク電流が流れることを抑制できる。
なお、本実施の形態において、素子基板１０は以下の積層構造を有していてもよい。
素子基板１０は、支持基板１２と、支持基板１２上に設けられた中間層１４と、中間層１４上に設けられた圧電体層１１とによって構成される。圧電体層１１は、支持基板１２上に間接的に形成されている。
支持基板１２は、互いに対向する一方主面１２ａ及び他方主面１２ｂを有する。支持基板１２は、圧電体層１１を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速となる材料によって形成される。支持基板１２の材料としては、例えば、Ｓｉなどの半導体、サファイア、ＬｉＴａＯ３（以下、「ＬＴ」と称する）、ＬｉＮｂＯ３（以下、「ＬＮ」と称する）、ガラスなどが挙げられる。これらの材料は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
中間層１４は、支持基板１２の一方主面１２ａ上に設けられている。また、中間層１４は、圧電体層１１の直下に位置し、圧電体層１１に接している。中間層１４が圧電体層１１に接していることで、圧電体層１１を伝搬する弾性波のエネルギーが、厚み方向に漏洩するのを防止することができる。
中間層１４は、圧電体層１１を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速となる材料によって形成される。中間層１４は、例えば、多結晶、アモルファス又は一軸配向された膜により形成され、結晶粒子Ｇ１及び粒界Ｇ２を有している。
具体的には、中間層１４はＳｉＯ２層により形成されている。もっとも、中間層１４を形成する材料としては、ＳｉＯ２の他に、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどを用いることができる。これらは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。また、支持基板１２との密着性を高める観点からは、中間層１４を構成する材料として、ＳｉＯ２を用いることが望ましい。
圧電体層１１は、中間層１４上に設けられている。圧電体層１１は薄膜状であり、圧電体層１１の厚みは、弾性波の波長をλとした場合に、例えば、厚み３．５λ以下であることが望ましい。その場合、弾性波をより励振させることができる。圧電体層１１は、ＬＴにより構成されている。もっとも、圧電体層１１を構成する材料としては、ＬＮなどの他の圧電単結晶を用いてもよいし、圧電セラミックスを用いてもよい。
［１−８．実施の形態１の変形例５］
図１２は、実施の形態１の変形例５に係る弾性波装置１Ｅを示す断面図である。変形例５の弾性波装置１Ｅは、支持基板１２の一方主面１２ａ、他方主面１２ｂ及び側面１２ｃと第１引き出し配線２２１との間、ならびに、支持基板１２の一方主面１２ａ、他方主面１２ｂ及び側面１２ｃと第２引き出し配線２２２との間に絶縁層４５が設けられている点で、絶縁層４５が設けられていない上記実施の形態１と異なる。
弾性波装置１Ｅの素子基板１０は、シリコン材料を含む支持基板１２と、支持基板１２上に設けられた中間層１４と、中間層１４上に設けられた圧電体層１１とによって構成されている。
弾性波装置１Ｅでは、第１主面１０ａに垂直な方向から見た場合、圧電体層１１及び中間層１４は支持基板１２よりも外形が小さく、断面視した場合、圧電体層１１及び中間層１４の側面１０ｄは素子基板１０の側面１０ｃよりも内側に位置している。例えば、圧電体層１１及び中間層１４の側面１０ｄが素子基板１０の側面１０ｃよりも内側に位置するように予め形成しておくことで、マザー基板を個片化する工程（図７の（ｂ）参照）でダイシングブレードを用いてカットする場合に、ダイシングブレードが圧電体層１１及び中間層１４に触れることを防ぐことができ、圧電体層１１及び中間層１４の割れや界面剥離を抑制することができる。
上記構造の素子基板１０は、断面が凸状の形状を有している。具体的には、素子基板１０は、第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ、側面１０ｃ及び側面１０ｄを有している。側面１０ｃは、第２主面１０ｂに交わる面であり、第２主面１０ｂに接続されている。側面１０ｄは、第１主面１０ａに交わる面であり、第１主面１０ａに接続されている。ここでいう素子基板１０の側面１０ｄは、前述した圧電体層１１及び中間層１４の側面１０ｄと同じである。また、素子基板１０を構成する支持基板１２は、一方主面１２ａ、他方主面１２ｂ及び側面１２ｃを有している。支持基板１２の他方主面１２ｂは、第２主面１０ｂと同じ面であり、支持基板１２の側面１２ｃは、側面１０ｃと同じ面である。支持基板１２の一方主面１２ａは、側面１０ｄ及び側面１０ｃの両方に交わり、一方主面１２ａの一部は、側面１０ｄ及び側面１０ｃを繋いでいる。なお、側面１０ｃ、１２ｃは、第１主面１０ａ又は第２主面１０ｂに対して傾いて設けられてもよい。第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ及び一方主面１２ａは、平行でなくてもよい。
また、素子基板１０は、第２主面１０ｂと側面１０ｃとが交わる部分である第１角部１６を有し、第１主面１０ａと側面１０ｄとが交わる部分である第２角部１７を有し、一方主面１２ａと側面１０ｃとが交わる部分である第３角部１８を有している。
第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａは、圧電体層１１の側面１０ｄ、及び、圧電体層１１の側面１０ｄと素子基板１０の側面１０ｃとを繋ぐ経路に沿って設けられている。より具体的には、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａは、第１主面１０ａから第２角部１７、側面１０ｄ、一方主面１２ａ、第３角部１８及び側面１０ｃに沿って階段状に設けられている。なお、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａは、支持基板１２の一方主面１２ａ上において圧電体層１１及び中間層１４が設けられていない面に沿って設けられている。また、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂのそれぞれは、側面１０ｃに設けられた第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａのそれぞれの端部に接続され、第１角部１６及び第２主面１０ｂに沿って設けられている。ただし、本実施の形態における第１引き出し配線２２１ａ、２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ａ、２２２ｂは、支持基板１２に接していない。
本実施の形態の弾性波装置１Ｅでは、支持基板１２の一方主面１２ａ、他方主面１２ｂ及び側面１２ｃに絶縁層４５が形成されている。具体的には、支持基板１２の一方主面１２ａと第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａとの間、及び、側面１２ｃと第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａとの間に絶縁層４５が設けられている。また、支持基板１２の他方主面１２ｂと第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂとの間に絶縁層４５が設けられている。絶縁層４５は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は窒化シリコン（ＳｉＮ）などの材料によって形成されている。絶縁層４５は、一方主面１２ａ、他方主面１２ｂ及び側面１２ｃのそれぞれの全面に設けられていてもよい。
このように、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２と、シリコン材料を含む支持基板１２との間に絶縁層４５が設けられることで、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２が支持基板１２に接していない構造となっている。例えば、シリコン材料を含む支持基板１２と第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２とが接している場合、支持基板１２内にリーク電流が流れやすい。それに対して弾性波装置１Ｅのように、支持基板１２と第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２との間に絶縁層４５を設けることで、シリコン材料を含む支持基板１２内にリーク電流が流れることを抑制でき、弾性波装置１Ｅの特性劣化を抑制することができる。
本実施の形態に係る弾性波装置１Ｅは、第１主面１０ａと、第１主面１０ａと背向する第２主面１０ｂと、第１主面１０ａと第２主面１０ｂとを繋ぐ側面１０ｃとを有し、かつ、少なくとも一部にシリコン材料を含む、素子基板１０と、素子基板１０における第１主面１０ａに設けられている機能電極２１と、機能電極２１に電気的に接続され、第１主面１０ａから側面１０ｃに至るように設けられている第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２と、側面１０ｃの外側において、素子基板１０と第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２との間に設けられている絶縁層４５とを備える。このように、シリコン材料を含む素子基板１０の側面１０ｃと第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２との間に絶縁層４５を設けることで、素子基板１０内にリーク電流が流れることを抑制できる。
また、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２は、さらに、側面１０ｃから第２主面１０ｂに至るように設けられ、絶縁層４５は、第２主面１０ｂの外側において、素子基板１０と第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２との間に設けられている。このように、素子基板１０の第２主面１０ｂと第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２との間に絶縁層４５を設けることで、シリコン材料を含む素子基板１０内にリーク電流が流れることを抑制できる。
また、素子基板１０は、第２主面１０ｂと同じ面である他方主面１２ｂと、他方主面１２ｂと背向する一方主面１２ａとを有し、シリコン材料を含む支持基板１２と、支持基板１２の一方主面１２ａ上に位置する圧電体層１１と、を有し、圧電体層１１の側面１０ｄは、素子基板１０の側面１０ｃよりも内側に位置し、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２は、さらに、圧電体層１１の側面１０ｄ、及び、圧電体層１１の側面１０ｄと素子基板１０の側面１０ｃとを繋ぐ経路であって、少なくとも支持基板１２の一方主面１２ａの一部に沿って形成され、絶縁層４５は、一方主面１２ａの外側において、支持基板１２と第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２との間に設けられている。このように、支持基板１２の一方主面１２ａと第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２との間に絶縁層４５を設けることで、シリコン材料を含む支持基板１２内にリーク電流が流れることを抑制できる。
なお、本実施の形態において、中間層１４は以下の積層構造を有している。
中間層１４は、高次モード漏洩層１３ａ、高音速膜１３ｂ及び低音速膜１３ｃによって構成されている。具体的には、支持基板１２上に高次モードの漏洩を遮断する膜からなる高次モード漏洩層１３ａが積層され、高次モード漏洩層１３ａ上に音速が相対的に高い高音速膜１３ｂが積層され、高音速膜１３ｂ上に音速が相対的に低い低音速膜１３ｃが積層され、低音速膜１３ｃ上に圧電体層１１が積層されている。なお、中間層１４と支持基板１２の間に適宜の材料が形成されていても良い。
高次モード漏洩層１３ａは、高次モードの漏洩を遮断する適宜の材料により形成することができる。このような材料としては、酸化ケイ素などを挙げることができる。
高音速膜１３ｂは、弾性波が高音速膜１３ｂより下側に漏れないように、弾性波を圧電体層１１及び低音速膜１３ｃが積層されている部分に閉じ込める機能を有している。高音速膜１３ｂは、例えば窒化アルミニウムからなる。もっとも、上記弾性波を閉じ込め得る限り、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜又はダイヤモンド、これらの材料を主成分とする媒質、これらの材料の混合物を主成分とする媒質等のさまざまな高音速材料を用いることができる。弾性波を圧電体層１１及び低音速膜１３ｃが積層されている部分に閉じ込めるには、高音速膜１３ｂの膜厚は厚いほど望ましく、弾性波の波長λの０．１倍以上、さらには１．５倍以上であることが望ましい。
低音速膜１３ｃは酸化ケイ素からなる。もっとも、低音速膜１３ｃを構成する材料としては圧電体層１１を伝搬するバルク波よりも低音速のバルク波音速を有する適宜の材料を用いることができる。このような材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素を加えた化合物など、上記材料を主成分とした媒質を用いることができる。
なお、高音速膜１３ｂとは、圧電体層１１を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速膜１３ｂ中のバルク波の音速が高速となる膜をいうものとする。また、低音速膜１３ｃとは、圧電体層１１を伝搬するバルク波よりも、低音速膜１３ｃ中のバルク波の音速が低速となる膜をいうものとする。
このように圧電体層１１と、支持基板１２との間に高次モード漏洩層１３ａ、高音速膜１３ｂ及び低音速膜１３ｃを配置することで、Ｑ値を高めることができる。
［１−９．実施の形態１の変形例６］
図１３は、実施の形態１の変形例６に係る弾性波装置１Ｆを示す断面図である。図１３に示す弾性波装置１Ｆは、機能電極２１及び第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２が、素子基板１０の第２主面１０ｂに設けられている点で、機能電極２１、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａが、第１主面１０ａに設けられている上記実施の形態と異なる。変形例６の弾性波装置１Ｆでは、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２は、素子基板１０の側面１０ｃには形成されていない。
変形例６の弾性波装置１Ｆでも、第１樹脂部３１と第２樹脂部３２との界面ｆ１が、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂよりも実装基板６０側に位置している。このような構造とすることで、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質が上記界面ｆ１に沿って移動することを抑制できる。これにより、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂを構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
［１−１０．実施の形態１のその他の変形例］
上記実施の形態１では、第１樹脂部３１及び第２樹脂部３２が互いに接する界面ｆ１を第１外部端子５１及び第２外部端子５２に接する構造としたが、それに限られない。例えば、図１４の（ａ）に示すように、界面ｆ１が第１外部端子５１及び第２外部端子５２である金属部材７１に接する構造であってもよい。また、図１４の（ｂ）に示すように、界面ｆ１が絶縁部材７２に接する構造であってもよい。また、図１４の（ｃ）に示すように、界面ｆ１が空間７３に接する構造であってもよい。このような構造でも、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２を構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
また、実施の形態１では、素子基板１０を圧電体層１１と支持基板１２とで構成しているが、それに限られず、素子基板１０を一体物とし、例えば圧電セラミック材料で形成してもよい。
また、実施の形態１において、素子基板１０の第１主面１０ａ上の電極構造は特に限定されず、機能電極２１は反射器を有していなくてもよい。機能電極２１は、少なくとも弾性波を励振する電極構造を有していればよい。
（実施の形態２）
次に、実施の形態２に係るフロントエンド回路１０８及び通信装置１０９について説明する。図１５は、実施の形態２に係るフロントエンド回路１０８及び通信装置１０９を示す回路構成図である。
このフロントエンド回路１０８及び通信装置１０９では、第１フィルタ１１１及び第２フィルタ１１２に、実施の形態１に係る弾性波装置１が含まれている。
図１５に示すフロントエンド回路１０８及び通信装置１０９では、入力された信号を増幅するため、第１端子１１６とＲＦＩＣ１０４との間、及び、第２端子１１７とＲＦＩＣ１０４との間にそれぞれＬＮＡ（Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）１０３が設けられている。また、アンテナ素子１０２との接続状態を切り替えるため、第１フィルタ１１１とアンテナ共通端子１１５との間、及び、第２フィルタ１１２とアンテナ共通端子１１５との間にマルチポートスイッチ１０５が設けられている。マルチポートスイッチ１０５は、同時にＯＮ／ＯＦＦすることができるスイッチであり、第１フィルタ１１１がアンテナ共通端子１１５に接続されているとき、すなわち、第１フィルタ１１１が信号処理をしている場合に、第２フィルタ１１２もアンテナ共通端子１１５に接続されるようにすることができる。
このような回路構成を有するフロントエンド回路１０８及び通信装置１０９においても実施の形態１と同様に、引き出し配線を構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。
また、上記実施の形態２では、第１フィルタ１１１を受信フィルタとしているが、それに限られず、弾性波装置１を含む第１フィルタ１１１を送信フィルタとしてもよい。例えば、送信フィルタである第１フィルタ１１１とＲＦＩＣ１０４との間に位置するＬＮＡ１０３をＰＡ（Ｐｏｗｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）に置き換えることで、送受信可能な通信装置１０９を構成することができる。
また、フロントエンド回路１０８及び通信装置１０９を構成する各フィルタは、弾性表面波フィルタに限られず、弾性境界波フィルタであってもよい。これによっても、上記実施の形態に係る弾性波装置１等が有する効果と同様の効果が奏される。
（その他の形態）
以上、本発明に係る弾性波装置１〜１Ｆ、フロントエンド回路１０８及び通信装置１０９について、実施の形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記実施の形態及び変形例に限定されるものではない。上記実施の形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る弾性波装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
本発明の弾性波装置は、さまざまな電子機器や通信機器に広く用いられる。
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ 弾性波装置
１０ 素子基板
１０ａ 第１主面
１０ｂ 第２主面
１０ｃ、１０ｄ 側面
１１ 圧電体層
１２ 支持基板
１２ａ 一方主面
１２ｂ 他方主面
１２ｃ 側面
１４ 中間層
１６ 第１角部
１７ 第２角部
１８ 第３角部
２１ 機能電極
３１ 第１樹脂部
３２ 第２樹脂部
３３ 第３樹脂部
３４ 第４樹脂部
４０ カバー層
４５ 絶縁層
５１ 第１外部端子
５２ 第２外部端子
６０ 実装基板
６０ａ 一方の主面
６１ ランド電極
６５ 実装部品
７１ 金属部材
７２ 絶縁部材
７３ 空間
１０２ アンテナ素子
１０３ ＬＮＡ
１０４ ＲＦＩＣ
１０５ スイッチ
１０８ フロントエンド回路
１０９ 通信装置
１１１、１１２ フィルタ
１１５、１１６、１１７ 端子
２２１、２２１ａ、２２１ｂ 第１引き出し配線
２２２、２２２ａ、２２２ｂ 第２引き出し配線
Ａ 密閉空間
ｉ１〜ｉ７ 弾性波共振子
ｂ２、ｂ３ 樹脂材料
ｃ１ 溝
ｄ１ 素子
ｆ１ 界面
本発明の一態様に係る弾性波装置は、互いに背向する第１主面及び第２主面を有し、少なくとも一部に圧電性を有する素子基板と、素子基板における第１主面に設けられている機能電極と、素子基板における第２主面に設けられ、機能電極と電気的に接続されており、互いに隣り合う第１引き出し配線及び第２引き出し配線と、第１引き出し配線と電気的に接続され、素子基板における第２主面上に直接又は間接的に設けられている第１外部端子と、第２引き出し配線と電気的に接続され、素子基板における第２主面上に直接又は間接的に設けられている第２外部端子と、弾性波装置を封止するように設けられている第１樹脂部と、少なくとも、素子基板と第１樹脂部との間であって第２主面上に設けられている第２樹脂部と、を備え、第２樹脂部は、第１樹脂部よりもフィラーの含有率が小さく、第１樹脂部及び第２樹脂部は接しており、第１樹脂部及び第２樹脂部が接する界面は、第１引き出し配線及び第２引き出し配線よりも実装基板側に位置している。
図１は、実施の形態１に係る弾性波装置の一例を示す断面図である。 図２Ａは、実施の形態１に係る弾性波装置の素子基板、機能電極、第１引き出し配線及び第２引き出し配線の一例を示す斜視図である。 図２Ｂは、図２Ａに示す素子基板、第１引き出し配線及び第２引き出し配線を裏面側から見た場合の斜視図である。 図３は、実施の形態１に係る弾性波装置の他の一例を示す断面図である。 図４は、実施の形態１に係る弾性波装置の製造方法を示すフローチャートである。 図５は、実施の形態１に係る弾性波装置の製造方法を示す図である。 図６は、図５につづき、実施の形態１に係る弾性波装置の製造方法を示す図である。 図７は、図６につづき、実施の形態１に係る弾性波装置の製造方法を示す図である。 図８は、実施の形態１の変形例１に係る弾性波装置を示す断面図である。 図９は、実施の形態１の変形例２に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１０は、実施の形態１の変形例３に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１１は、実施の形態１の変形例４に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１２は、実施の形態１の変形例５に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１３は、実施の形態１の変形例６に係る弾性波装置を示す断面図である。 図１４は、その他の変形例に係る弾性波装置の一部を示す断面図である。 図１５は、実施の形態２に係るフロントエンド回路及び通信装置を示す回路構成図である。 図１６は、比較例の弾性波装置を示す断面図である。
図１に示すように弾性波装置１は、素子基板１０と、素子基板１０に設けられている機能電極２１、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２と、機能電極２１を覆うカバー層４０と、第１引き出し配線２２１に接続されている第１外部端子５１と、第２引き出し配線２２２に接続されている第２外部端子５２とを備える。また、弾性波装置１は、弾性波装置１を封止するように設けられた第１樹脂部３１と、素子基板１０の実装面（裏面）側において素子基板１０と第１樹脂部３１との間に設けられている第２樹脂部３２とを備える。さらに、弾性波装置１は、素子基板１０の側面側に設けられている第３樹脂部３３を備える。弾性波装置１は、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を介して実装基板６０に実装される。
また、第２樹脂部３２は、絶縁性の樹脂材料で形成され、例えば、ポリアミック酸エステル及び乳酸エチルを含む。例えば、第２樹脂部３２の樹脂材料のヤング率は３．５ＧＰａである。第２樹脂部３２のヤング率は、第１樹脂部３１のヤング率よりも小さいため、第２樹脂部３２のヤング率を第１樹脂部３１のヤング率よりも小さくすることが可能となるので、弾性波装置１に外力が加えられた場合であっても、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂに加えられる力が緩和される構造となっている。また、第２樹脂部３２のヤング率を第１樹脂部３１のヤング率よりも小さくすることで、例えば第２樹脂部３２を有さず第１樹脂部３１が支持基板１２と接触している場合における、支持基板１２と第１樹脂部３１との界面におけるマイグレーションと比較して、支持基板１２と第２樹脂部３２との界面におけるマイグレーションを抑制することができる。
また、本実施の形態では、第２樹脂部３２のヤング率を第１樹脂部３１のヤング率よりも小さくすることで、例えば第２樹脂部３２を有さず第１樹脂部３１が支持基板１２と接触している場合における、支持基板１２と第１樹脂部３１との界面におけるマイグレーションと比較して、支持基板１２と第２樹脂部３２との界面におけるマイグレーションを抑制することができる。
［１−６．実施の形態１の変形例３］
図１０は、実施の形態１の変形例３に係る弾性波装置１Ｃを示す断面図である。図１０に示す弾性波装置１Ｃは、機能電極２１が支持基板１２と圧電体層１１との間、及び、圧電体層１１上に設けられている点で、機能電極２１が支持基板１２と圧電体層１１との間に存在しない上記実施の形態１と異なる。第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａは、第１主面１０ａ側である圧電体層１１上の機能電極２１に接続されている。
なお、変形例４において、素子基板１０は以下の積層構造を有していてもよい。
中間層１４は、圧電体層１１を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速となる材料によって形成される。中間層１４は、例えば、多結晶、アモルファス又は一軸配向された膜により形成され、結晶粒子及び粒界を有している。
第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａは、圧電体層１１の側面１０ｄ、及び、圧電体層１１の側面１０ｄと素子基板１０の側面１０ｃとを繋ぐ経路に沿って設けられている。より具体的には、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａは、第１主面１０ａから第２角部１７、側面１０ｄ、一方主面１２ａ、第３角部１８及び側面１０ｃに沿って階段状に設けられている。なお、第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａは、支持基板１２の一方主面１２ａ上において圧電体層１１及び中間層１４が設けられていない面に沿って設けられている。また、第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂのそれぞれは、側面１０ｃに設けられた第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａのそれぞれの端部に接続され、第１角部１６及び第２主面１０ｂに沿って設けられている。ただし、変形例５における第１引き出し配線２２１ａ、２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ａ、２２２ｂは、支持基板１２に接していない。
変形例５の弾性波装置１Ｅでは、支持基板１２の一方主面１２ａ、他方主面１２ｂ及び側面１２ｃに絶縁層４５が形成されている。具体的には、支持基板１２の一方主面１２ａと第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａとの間、及び、側面１２ｃと第１引き出し配線２２１ａ及び第２引き出し配線２２２ａとの間に絶縁層４５が設けられている。また、支持基板１２の他方主面１２ｂと第１引き出し配線２２１ｂ及び第２引き出し配線２２２ｂとの間に絶縁層４５が設けられている。絶縁層４５は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は窒化シリコン（ＳｉＮ）などの材料によって形成されている。絶縁層４５は、一方主面１２ａ、他方主面１２ｂ及び側面１２ｃのそれぞれの全面に設けられていてもよい。
変形例５に係る弾性波装置１Ｅは、第１主面１０ａと、第１主面１０ａと背向する第２主面１０ｂと、第１主面１０ａと第２主面１０ｂとを繋ぐ側面１０ｃとを有し、かつ、少なくとも一部にシリコン材料を含む、素子基板１０と、素子基板１０における第１主面１０ａに設けられている機能電極２１と、機能電極２１に電気的に接続され、第１主面１０ａから側面１０ｃに至るように設けられている第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２と、側面１０ｃの外側において、素子基板１０と第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２との間に設けられている絶縁層４５とを備える。このように、シリコン材料を含む素子基板１０の側面１０ｃと第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２との間に絶縁層４５を設けることで、素子基板１０内にリーク電流が流れることを抑制できる。
なお、変形例５において、中間層１４は以下の積層構造を有している。
変形例６の弾性波装置１Ｆでも、第１樹脂部３１と第２樹脂部３２との界面ｆ１が、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２よりも実装基板６０側に位置している。このような構造とすることで、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２を構成する金属物質が上記界面ｆ１に沿って移動することを抑制できる。これにより、第１引き出し配線２２１及び第２引き出し配線２２２を構成する金属物質にマイグレーションが発生することを抑制できる。

Claims (19)

  1. 互いに背向する第１主面及び第２主面を有し、少なくとも一部に圧電性を有する素子基板と、
    前記素子基板における前記第１主面上に直接又は間接的に設けられている機能電極と、
    前記素子基板における前記第２主面上に直接又は間接的に設けられ、前記機能電極と電気的に接続されており、互いに隣り合う第１引き出し配線及び第２引き出し配線と、
    前記第１引き出し配線と電気的に接続され、前記素子基板における前記第２主面上に直接又は間接的に設けられている第１外部端子と、
    前記第２引き出し配線と電気的に接続され、前記素子基板における前記第２主面上に直接又は間接的に設けられている第２外部端子と、
    弾性波装置を封止するように設けられている第１樹脂部と、
    少なくとも、前記素子基板と前記第１樹脂部との間であって前記第２主面上に設けられている第２樹脂部と、
    を備え、
    前記第２樹脂部は、前記第１樹脂部よりもヤング率が小さく、
    前記第１樹脂部及び前記第２樹脂部は接しており、
    前記第１樹脂部及び前記第２樹脂部が接する界面は、前記第１引き出し配線及び前記第２引き出し配線よりも実装基板側に位置している、
    弾性波装置。
  2. 互いに背向する第１主面及び第２主面を有し、少なくとも一部に圧電性を有する素子基板と、
    前記素子基板における前記第１主面に設けられている機能電極と、
    前記素子基板における前記第２主面に設けられ、前記機能電極と電気的に接続されており、互いに隣り合う第１引き出し配線及び第２引き出し配線と、
    前記第１引き出し配線と電気的に接続され、前記素子基板における前記第２主面上に直接又は間接的に設けられている第１外部端子と、
    前記第２引き出し配線と電気的に接続され、前記素子基板における前記第２主面上に直接又は間接的に設けられている第２外部端子と、
    弾性波装置を封止するように設けられている第１樹脂部と、
    少なくとも、前記素子基板と前記第１樹脂部との間であって前記第２主面上に設けられている第２樹脂部と、
    を備え、
    前記第１樹脂部は、前記第２樹脂部よりもフィラーの含有率が小さく、
    前記第１樹脂部及び前記第２樹脂部は接しており、
    前記第１樹脂部及び前記第２樹脂部が接する界面は、前記第１引き出し配線及び前記第２引き出し配線よりも実装基板側に位置している、
    弾性波装置。
  3. 前記第１樹脂部及び前記第２樹脂部が接する前記界面は、前記第１外部端子、前記第２外部端子、絶縁部材、又は、空間と接している、
    請求項１又は２に記載の弾性波装置。
  4. 前記第１外部端子及び前記第２外部端子は、前記第１引き出し配線及び前記第２引き出し配線に含まれる金属材料よりもイオン化傾向が低い金属材料を含む、
    請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 前記第１樹脂部及び前記第２樹脂部は、前記第１外部端子と前記第２外部端子との間に設けられている、
    請求項４に記載の弾性波装置。
  6. 前記第１引き出し配線及び前記第２引き出し配線はＣｕを含み、
    前記第１外部端子及び前記第２外部端子はＳｎを含む、
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 前記第１引き出し配線及び前記第２引き出し配線は、前記第１樹脂部に接しておらず、前記第２樹脂部に接している、
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 前記機能電極は、ＩＤＴ電極である、
    請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 前記第１引き出し配線及び前記第２引き出し配線は、前記第１主面から、前記第１主面と前記第２主面とを繋ぐ側面、及び前記第２主面側に至るように設けられている、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 少なくとも、前記側面に設けられている前記第１引き出し配線及び前記第２引き出し配線と、前記第１樹脂部との間に設けられている第３樹脂部をさらに備え、
    前記第３樹脂部は、前記第１樹脂部よりもヤング率が小さい、
    請求項９に記載の弾性波装置。
  11. 少なくとも、前記側面に設けられている前記第１引き出し配線及び前記第２引き出し配線と、前記第１樹脂部との間に設けられている第３樹脂部をさらに備え、
    前記第３樹脂部は、前記第１樹脂部よりもフィラーの含有率が小さい、
    請求項９に記載の弾性波装置。
  12. 前記第３樹脂部は、さらに、前記第１主面に沿う方向において、前記機能電極の周囲に設けられ、
    さらに、前記第１主面に垂直な方向において前記機能電極を覆うように前記第３樹脂部上に設けられているカバー層を備える、
    請求項１０又は１１に記載の弾性波装置。
  13. 前記素子基板は、シリコン材料を含む支持基板と、前記支持基板上に直接又は間接的に形成された圧電体層と、を少なくとも有し、
    さらに、前記第１引き出し配線及び前記第２引き出し配線と、前記支持基板との間に設けられている絶縁層を備える、
    請求項１〜１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 前記素子基板は、支持基板と、前記支持基板上に直接又は間接的に形成された圧電体層と、を少なくとも有し、
    前記素子基板を前記第１主面に垂直な方向から断面視した場合に、前記圧電体層の側面は、前記素子基板の前記側面よりも内側に位置し、
    前記第１引き出し配線及び前記第２引き出し配線は、前記第１主面から、前記圧電体層の側面、及び、前記素子基板の側面に至るように設けられている、
    請求項１〜１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  15. 前記素子基板は、支持基板と、前記支持基板上に直接形成された圧電体層と、を有し、
    前記機能電極は、前記圧電体層上に設けられ、
    前記支持基板は、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である、
    請求項１〜１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  16. 前記素子基板は、支持基板と、前記支持基板上に間接的に形成された圧電体層と、前記支持基板と前記圧電体層との間に設けられた中間層と、を有し、
    前記機能電極は、前記圧電体層上に設けられ、
    前記中間層は、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速であり、
    前記支持基板は、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である、
    請求項１〜１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  17. 前記素子基板は、支持基板と、前記支持基板上に間接的に形成された圧電体層と、前記支持基板と前記圧電体層との間に設けられた中間層と、を有し、
    前記機能電極は、前記圧電体層上に設けられ、
    前記中間層は、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速膜とを有し、
    前記低音速膜は、前記圧電体層と前記支持基板との間に設けられ、
    前記高音速膜は、前記低音速膜と前記支持基板との間に設けられている、
    請求項１〜１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  18. 請求項１〜１７のいずれか１項に記載の弾性波装置を備える、
    フロントエンド回路。
  19. 請求項１８に記載のフロントエンド回路と、
    高周波信号を処理する信号処理回路と、
    を備える通信装置。
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