JPH0693538B2 - Ceramic printed circuit board and method for manufacturing the same - Google Patents

Ceramic printed circuit board and method for manufacturing the same

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JPH0693538B2
JPH0693538B2 JP1305809A JP30580989A JPH0693538B2 JP H0693538 B2 JPH0693538 B2 JP H0693538B2 JP 1305809 A JP1305809 A JP 1305809A JP 30580989 A JP30580989 A JP 30580989A JP H0693538 B2 JPH0693538 B2 JP H0693538B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、セラミック配線回路板およびその製造方法
に関し、詳しくは、半導体搭載用配線回路板等として利
用され、配線回路に外部接続用の端子ピン等の外部金属
部材をろう付けして用いるセラミック配線回路板と、こ
のようなセラミック配線回路板を製造する方法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic wiring circuit board and a method for manufacturing the same, and more specifically, it is used as a semiconductor mounting wiring circuit board or the like, and is a terminal for external connection to a wiring circuit. The present invention relates to a ceramic wiring circuit board used by brazing an external metal member such as a pin and a method for manufacturing such a ceramic wiring circuit board.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、セラミック配線回路板の製造方法としては、テレ
フンケン法、活性金属法、金属ペースト法等の方法が採
用されている。また、近年、配線回路を構成する導体金
属層として、銅をセラミック絶縁基板上に直接メタライ
ズする方法が提案されている。銅は導電性や耐マイグレ
ーション性に優れた卑金属であり、微細配線化や低コス
ト化を図ることができるとし、様々な製造方法が検討さ
れている。
Conventionally, methods such as a telefunken method, an active metal method, and a metal paste method have been adopted as a method for manufacturing a ceramic wiring circuit board. Further, in recent years, a method of directly metalizing copper on a ceramic insulating substrate has been proposed as a conductor metal layer forming a wiring circuit. Since copper is a base metal having excellent conductivity and migration resistance, it is possible to achieve fine wiring and cost reduction, and various manufacturing methods have been studied.

一方、セラミック配線回路板を半導体パッケージにおけ
る半導体搭載基板等として利用する場合には、外部回路
に電気的および機械的に接続するための端子ピンをセラ
ミック配線回路板の配線回路に接合しておく必要があ
る。端子ピンを配線回路に接合するには、銀ろう材等を
用いたろう付け法が採用されている。セラミック配線回
路板は、上記半導体搭載基板の他にも、各種の用途にお
いて、端子ピン等の金属部材をろう付けで接合しなけれ
ばならない場合がある。
On the other hand, when the ceramic wiring circuit board is used as a semiconductor mounting board in a semiconductor package, it is necessary to bond terminal pins for electrically and mechanically connecting to an external circuit to the wiring circuit of the ceramic wiring circuit board. There is. A brazing method using a silver brazing material or the like is adopted for joining the terminal pin to the wiring circuit. In addition to the above-mentioned semiconductor mounting substrate, the ceramic printed circuit board may have to be joined by brazing metal members such as terminal pins in various applications.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

ところが、前記した銅層からなる配線回路を備えたセラ
ミック配線回路板は、端子ピン等をろう付けして使用す
るには、多くの問題を有している。
However, the above-mentioned ceramic wiring circuit board having a wiring circuit made of a copper layer has many problems when brazing terminal pins and the like for use.

すなわち、銅の直接メタライズ法でセラミック絶縁基板
上に形成された銅層に、銀ろう材を用いて端子ピンを接
合しようとすると、銅がろう材中に含まれる銀に食われ
てしまうという問題がある。そこで、従来は、銅層の表
面をニッケルで被覆して、このニッケル層を銀に対する
バリア層とすることが行われている。このニッケルバリ
ア層の厚みを厚くすれば、銀の拡散を良好に防止して銅
層を保護できることになる。しかし、ニッケルバリア層
が厚くなると、内部応力が増大してセラミック絶縁基板
と銅層との密着力が低下するという問題がある。そのた
め、ニッケルバリア層の厚み増大には限度があり、充分
なバリア性を発揮させることができなかった。また、ろ
う付け工程における加熱で、銅とニッケルの拡散が生じ
てしまい、銀の拡散に対するニッケルバリア層のバリア
効果が実質的に大きく低下するという問題もあった。
That is, when attempting to bond a terminal pin to a copper layer formed on a ceramic insulating substrate by a copper direct metallization method using a silver brazing material, the copper contained in the brazing material is eaten by the silver. There is. Therefore, conventionally, the surface of the copper layer is coated with nickel, and the nickel layer is used as a barrier layer against silver. By increasing the thickness of this nickel barrier layer, the diffusion of silver can be effectively prevented and the copper layer can be protected. However, when the nickel barrier layer becomes thicker, there is a problem that the internal stress increases and the adhesion between the ceramic insulating substrate and the copper layer decreases. Therefore, there is a limit to the increase in the thickness of the nickel barrier layer, and it was not possible to exhibit sufficient barrier properties. Further, there is a problem that the heating in the brazing process causes diffusion of copper and nickel, and the barrier effect of the nickel barrier layer against the diffusion of silver is substantially reduced.

上記のような問題を改善するには、ニッケル層の膜厚や
膜質、銀ろう材の量やろう付け温度、時間等の処理条件
を厳密に管理する必要があるが、生産現場において、こ
れらの条件を厳密に管理するのは非常に困難であり、ろ
う付け工程の歩留まりが低い原因となっていた。
In order to improve the above problems, it is necessary to strictly control the processing conditions such as the thickness and film quality of the nickel layer, the amount of silver brazing material, the brazing temperature, and the time. It is very difficult to strictly control the conditions, which causes the low yield of the brazing process.

そこで、この発明の課題は、ろう付けで端子ピン等の外
部金属部材を接合するセラミック配線回路板において、
ろう付け工程で前記したような厳密な工程管理を必要と
せず、簡単かつ確実にろう付けを行うことができ、ろう
付接合強度の高いセラミック配線回路板を提供するとと
もに、このようなセラミック配線板を能率的に製造する
方法を提供することにある。
Then, the subject of this invention is the ceramic wiring circuit board which joins external metal members, such as a terminal pin, by brazing,
The brazing process does not require the strict process control as described above, can easily and surely perform brazing, and provides a ceramic wiring circuit board with high brazing joint strength, and at the same time, such a ceramic wiring board. The object is to provide a method for efficiently manufacturing.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

上記課題を解決する、この発明のうち、請求項1記載の
セラミック配線回路板は、配線回路に外部金属部材をろ
う付けして使用するセラミック配線回路板であって、配
線回路を構成する導体金属層のうち、少なくとも、ろう
付け個所の配線回路を構成する導体金属層が、セラミッ
ク絶縁基板に直接形成されたニッケル層であり、このニ
ッケル層からなる配線回路部分以外の配線回路部分を構
成する導体金属層が銅層であるようにしている。
In order to solve the above-mentioned problems, in the present invention, the ceramic wiring circuit board according to claim 1 is a ceramic wiring circuit board which is used by brazing an external metal member to a wiring circuit, and is a conductor metal constituting a wiring circuit. Among the layers, at least the conductor metal layer forming the wiring circuit at the brazing point is a nickel layer directly formed on the ceramic insulating substrate, and the conductor forming the wiring circuit portion other than the wiring circuit portion made of this nickel layer. The metal layer is a copper layer.

セラミック絶縁基板は、通常の配線板と同様に、アルミ
ナ、窒化アルミニウムその他、酸化物系、窒化物系、炭
化物系等の各種セラミックからなるものが用いられる。
As the ceramic insulating substrate, one made of various ceramics such as alumina, aluminum nitride, and other oxide-based, nitride-based, and carbide-based ceramics is used, as in a normal wiring board.

セラミックス配線回路板に導体金属層を形成する方法
は、スパッタ法やイオンプレーティング法等のいわゆる
乾式メッキ法、あるいは、無電解メッキ法や電解メッキ
法等の湿式メッキ法、その他、通常の配線板と同様に膜
形成手段が採用できる。配線回路の回路形成手段として
も、サブトラクティブ法やアディティブ法、セミアディ
ティブ法等、通常の配線板製造に採用されている回路形
成手段が用いられる。
The method for forming the conductor metal layer on the ceramic wiring circuit board is a so-called dry plating method such as a sputtering method or an ion plating method, or a wet plating method such as an electroless plating method or an electrolytic plating method, and other ordinary wiring boards. A film forming means can be adopted as in As the circuit forming means of the wiring circuit, the circuit forming means employed in the usual wiring board manufacturing, such as the subtractive method, the additive method, and the semi-additive method, are used.

ニッケル層は、配線回路のうち、少なくともろう付けを
行う個所に形成しておくが、ろう付け個所以外でも、必
要に応じて、配線回路の一部をニッケル層で構成するこ
とができる。ニッケル層の材料としては、純ニッケルの
ほか、ニッケルを主成分とする合金であって、ろう材に
よる食われがなく、融点がろう付け温度よりも大きなも
のであれば使用することができる。具体的には、Ni−P
(P含有率約3%)やNi−B(B含有率約1%)等が挙
げられる。
Although the nickel layer is formed at least in the wiring circuit at a portion to be brazed, a portion of the wiring circuit other than the brazing portion can be formed of a nickel layer as necessary. As a material of the nickel layer, in addition to pure nickel, an alloy containing nickel as a main component, which is not eroded by the brazing material and has a melting point higher than the brazing temperature, can be used. Specifically, Ni-P
(P content is about 3%) and Ni-B (B content is about 1%).

銅層は、配線回路のうち、前記ニッケル層が形成された
部分以外の個所に形成しておく。したがって、配線回路
は、少なくともろう付け個所はニッケル層で形成されて
いるとともに、ろう付け個所以外は、銅層のみで形成さ
れているか、または、銅層とニッケル層の両方で形成さ
れている場合がある。銅層とニッケル層は、電気的な接
続が必要な個所では、一方の導体金属層の一部に他方の
導体金属層を重ねて形成しておくことができる。ニッケ
ル層と銅層の形成は、どちらの導体金属層を先に形成し
てもよい。
The copper layer is formed in a portion of the wiring circuit other than the portion where the nickel layer is formed. Therefore, when the wiring circuit is formed at least in the brazing part with the nickel layer and is formed only with the copper layer except the brazing part, or with both the copper layer and the nickel layer. There is. The copper layer and the nickel layer can be formed by overlapping a part of one conductor metal layer with the other conductor metal layer at a place where electrical connection is required. In forming the nickel layer and the copper layer, either conductor metal layer may be formed first.

この発明にかかるセラミック配線回路板には、ろう付け
によって外部金属部材を接合するが、外部金属部材とし
ては、例えば、半導体パッケージ用の端子ピンその他、
通常の配線回路板において、電気的接続あるいは機械的
接続等に利用されている各種の金属部品を使用すること
ができる。ろう付けに用いるろう材の種類やろう付け処
理条件等も、通常の配線板製造分野で行われているろう
付け方法が適用できる。なお、ろう付け個所のニッケル
層は銅層に比べて導電性が低いので、ろう材として、銀
ろう等の高導電性ろう材を用いれば、導電性を良好にす
ることができ好ましい。
An external metal member is joined to the ceramic printed circuit board according to the present invention by brazing. Examples of the external metal member include a terminal pin for a semiconductor package and others.
In a normal printed circuit board, various metal parts used for electrical connection or mechanical connection can be used. As for the type of brazing material used for brazing, the brazing treatment conditions, etc., the brazing method used in the ordinary wiring board manufacturing field can be applied. Since the nickel layer at the brazed portion has lower conductivity than the copper layer, it is preferable to use a highly conductive brazing material such as silver brazing material as the brazing material because the conductivity can be improved.

請求項2記載のセラミック配線回路板の製造方法は、請
求項1記載のセラミック配線回路板の製造方法であっ
て、ニッケル層と銅層のうち、何れか一方の導体金属層
からなる配線回路部分を形成し、この導体金属層の表面
全体を耐蝕合金層で覆っておいて、残りの導体金属層か
らなる配線回路部分をエッチングで形成する。
A method of manufacturing a ceramic wiring circuit board according to claim 2 is the method of manufacturing a ceramic wiring circuit board according to claim 1, wherein the wiring circuit portion is formed of a conductor metal layer of either one of a nickel layer and a copper layer. Is formed, the entire surface of the conductor metal layer is covered with a corrosion-resistant alloy layer, and the wiring circuit portion made of the remaining conductor metal layer is formed by etching.

先に形成する導体金属層からなる配線回路部分の形成工
程は、通常の配線板における回路形成方法と全く同様に
行われる。この導体金属層の表面に形成する耐蝕合金層
は、後工程で残りの導体金属層からなる配線回路部分を
形成する際に、先の導体金属層を保護しておくものであ
り、耐蝕合金層の材質としては、後の回路形成工程で用
いるエッチング液等で侵されないようなものを用いる。
具体的には、後の回路形成方法やそこで用いる処理液等
によっても違うが、例えば、Pを5%以上、好ましくは
10%以上含む、Ni−P合金やNi−W−P合金等のニッケ
ルを主成分とする合金が使用できる。耐蝕合金層の形成
方法は、無電解メッキ法等の通常の膜形成手段が採用で
きる。耐蝕合金層は、先の導体金属層の上面および側面
の表面全体を覆うように形成しておく。
The step of forming the wiring circuit portion formed of the conductor metal layer, which is previously formed, is performed in exactly the same manner as the circuit forming method for a normal wiring board. The corrosion-resistant alloy layer formed on the surface of the conductor metal layer protects the conductor metal layer before the formation of the wiring circuit portion composed of the remaining conductor metal layer in a later step. As a material of the above, a material that is not corroded by an etching solution or the like used in a subsequent circuit forming process is used.
Specifically, for example, P may be 5% or more, preferably
Nickel-based alloys such as Ni-P alloys and Ni-WP alloys containing 10% or more can be used. As a method for forming the corrosion-resistant alloy layer, an ordinary film forming means such as an electroless plating method can be adopted. The corrosion-resistant alloy layer is formed so as to cover the entire top surface and side surfaces of the conductor metal layer.

耐蝕合金層が形成された後、残りの導体金属層からなる
配線回路部分を形成する方法は、通常の回路形成手段が
任意に適用できる。このとき、先に形成された導体金属
層からなる配線回路部分は耐蝕合金層で保護されている
ので、先の配線回路部分をエッチングレジストで完全に
覆ったり、先の導体金属層を侵さないような処理液を用
いたりする必要はない。
As a method of forming a wiring circuit portion composed of the remaining conductor metal layer after the corrosion-resistant alloy layer is formed, a usual circuit forming means can be arbitrarily applied. At this time, since the wiring circuit portion formed of the conductor metal layer formed earlier is protected by the corrosion-resistant alloy layer, the wiring circuit portion previously formed should not be completely covered with the etching resist or the previous conductor metal layer should be attacked. It is not necessary to use a different processing solution.

〔作用〕[Action]

請求項1記載の発明によれば、配線回路のうち、ろう付
け個所となる絶縁基板の表面に、直接ニッケル層を形成
しているので、従来の配線板のように、ろう付け個所の
銅層が銀による食われ現象を起こすという問題が生じな
い。また、ろう付け個所の銅層の上にニッケルバリア層
を形成した場合のように、銅層とニッケルバリア層の拡
散によってバリア効果が低下するという問題も生じな
い。ろう付け個所以外の信号回路部となる大部分の配線
回路には、回路材料として優れた銅層を形成しているの
で、従来の銅層のみからなる配線回路と同様に、微細配
線化や導電性能等の要求を充分に満足させることができ
る。
According to the first aspect of the present invention, the nickel layer is directly formed on the surface of the insulating substrate, which is the brazed portion, in the wiring circuit. Therefore, like the conventional wiring board, the copper layer at the brazed portion is formed. Does not cause the problem of being eaten by silver. Further, unlike the case where the nickel barrier layer is formed on the copper layer at the brazing point, the problem that the barrier effect is lowered due to the diffusion of the copper layer and the nickel barrier layer does not occur. Since most of the wiring circuits other than the brazed parts that are the signal circuit section have a copper layer excellent as a circuit material, fine wiring and conductivity It is possible to sufficiently satisfy the requirements such as performance.

請求項2記載の発明によれば、ニッケル層と銅層の2種
類の導体金属層からなる配線回路を備えた請求項1記載
のセラミック配線回路板を能率的に製造することができ
る。すなわち、2種類の導体金属層からなる配線回路を
形成するには、一方の導体金属層からなる配線回路部分
(A)を形成する第1の工程と、他方の導体金属からな
る配線回路部分(B)を形成する第2の工程を順次行う
が、この発明では、第1の工程で形成された配線回路部
分(A)を耐蝕合金層で覆った状態で第2の工程を行う
ので、第2の工程で行われるエッチング処理が、配線回
路部分(A)の導体金属層を侵したり悪影響を与えるの
を確実に防止することができる。
According to the second aspect of the present invention, it is possible to efficiently manufacture the ceramic printed circuit board according to the first aspect, which includes a wiring circuit including two kinds of conductor metal layers, that is, a nickel layer and a copper layer. That is, in order to form a wiring circuit composed of two kinds of conductor metal layers, a first step of forming a wiring circuit portion (A) composed of one conductor metal layer and a wiring circuit portion composed of the other conductor metal ( The second step of forming B) is sequentially performed. However, in the present invention, the second step is performed while the wiring circuit portion (A) formed in the first step is covered with the corrosion-resistant alloy layer. It is possible to reliably prevent the etching treatment performed in the second step from invading or adversely affecting the conductor metal layer of the wiring circuit portion (A).

特に、第2の工程で配線回路部分(B)をパターン形成
するために、エッチングレジスト層を形成する際に、第
1の工程で形成された配線回路部分(A)は耐蝕合金層
で覆われているのでエッチングレジストを形成しなくて
もよくなり、第2の工程におけるエッチングレジスト層
の形成工程が簡略化できる。
In particular, when the etching resist layer is formed in order to pattern the wiring circuit portion (B) in the second step, the wiring circuit portion (A) formed in the first step is covered with the corrosion-resistant alloy layer. Therefore, it is not necessary to form the etching resist, and the step of forming the etching resist layer in the second step can be simplified.

しかも、第1の工程で形成された配線回路部分(A)は
平坦な絶縁基板表面に凸状に形成されているので、通常
の印刷塗布等によるエッチングレジスト形成手段では、
配線回路部分(A)の上面はエッチングレジストで覆え
ても、配線回路部分(A)の側面にはエッチングレジス
トを形成することができない。もし、耐蝕合金層を形成
せず配線回路部分(A)の側面が直接露出したままで、
第2の工程におけるエッチングを行えば、配線回路部分
(A)の側面がエッチングされてしまう、いわゆるサイ
ドエッチングの問題が生じる。しかし、この発明の方法
では、配線回路部分(A)の側面にも耐蝕合金層を形成
しておくので、この部分にエッチングレジストが形成さ
れなくても、配線回路部分(A)の導体金属層がエッチ
ングされる心配がない。
Moreover, since the wiring circuit portion (A) formed in the first step is formed in a convex shape on the surface of the flat insulating substrate, the etching resist forming means by ordinary printing coating or the like
Even if the upper surface of the wiring circuit portion (A) is covered with the etching resist, the etching resist cannot be formed on the side surface of the wiring circuit portion (A). If the corrosion resistant alloy layer is not formed and the side surface of the wiring circuit portion (A) is directly exposed,
If the etching in the second step is performed, the side surface of the wiring circuit portion (A) is etched, causing a problem of so-called side etching. However, in the method of the present invention, since the corrosion-resistant alloy layer is formed also on the side surface of the wiring circuit portion (A), even if the etching resist is not formed on this portion, the conductor metal layer of the wiring circuit portion (A) is formed. There is no need to worry about etching.

〔実施例〕〔Example〕

ついで、この発明の実施例を図を参照しながら以下に詳
しく説明する。
An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

第1図はセラミック配線回路板の製造方法および外部金
属部材のろう付け方法を、順次工程にしたがって示して
いる。
FIG. 1 shows a method of manufacturing a ceramic printed circuit board and a method of brazing an external metal member in order of steps.

工程(a)に示すように、アルミナ基板等のセラミック
絶縁基板10に、スルーホール用孔11等を加工した後、第
1の導体金属層となるニッケル層20を形成し、所定の配
線回路にパターンに形成する。この実施例では、スルー
ホール用孔11の部分で外部金属部材となる端子ピンのろ
う付けを行うので、ニッケル層20は、少なくともスルー
ホール用孔11の部分を含む個所に形成されている。端子
ピンを絶縁基板10の平坦な部分にろう付けするのであれ
ば、その部分に平坦なランド部状のニッケル層20を形成
しておけばよい。
As shown in step (a), a through hole 11 is formed in a ceramic insulating substrate 10 such as an alumina substrate, and then a nickel layer 20 serving as a first conductor metal layer is formed to form a predetermined wiring circuit. Form in a pattern. In this embodiment, since the terminal pin which serves as an external metal member is brazed at the through hole hole 11, the nickel layer 20 is formed at a portion including at least the through hole hole 11. If the terminal pins are to be brazed to the flat portion of the insulating substrate 10, the flat land-shaped nickel layer 20 may be formed on the portion.

工程(b)に示すように、ニッケル層20の表面全体を覆
ってNi−P等の耐蝕合金層30を形成した後、工程(c)
に示すように、第2の導体金属層となる銅層40を形成す
る。銅層40は、絶縁基板10の表面に所定の回路パターン
にしたがって形成され、銅層40の一部は、ろう付け個所
のニッケル層20に耐蝕合金層30を介して連結されるよう
に形成して、銅層40とニッケル層20を電気的に接続して
おく。
As shown in step (b), after forming a corrosion-resistant alloy layer 30 such as Ni-P covering the entire surface of the nickel layer 20, step (c)
As shown in, a copper layer 40 to be a second conductor metal layer is formed. The copper layer 40 is formed on the surface of the insulating substrate 10 according to a predetermined circuit pattern, and a part of the copper layer 40 is formed so as to be connected to the nickel layer 20 at the brazing point through the corrosion-resistant alloy layer 30. Then, the copper layer 40 and the nickel layer 20 are electrically connected.

このようにして、この発明にかかるセラミック配線回路
板が製造されるが、このセラミック配線回路板に端子ピ
ンをろう付け接合した状態を工程(d)に示している。
In this way, the ceramic wiring circuit board according to the present invention is manufactured. The state in which the terminal pins are brazed and joined to the ceramic wiring circuit board is shown in step (d).

ろう付け個所のニッケル層20の表面(この場合は、表面
の耐蝕合金層30を介して)に銀ろう材60を介して端子ピ
ン50を配置し、通常の加熱手段で加熱すると、銀ろう材
60による接合作用で端子ピン50がニッケル層20とろう付
け接合される。
When the terminal pin 50 is arranged on the surface of the nickel layer 20 at the brazing point (in this case, via the corrosion-resistant alloy layer 30 on the surface) through the silver brazing material 60 and heated by a normal heating means, the silver brazing material
The joining action of 60 brazes the terminal pin 50 to the nickel layer 20.

つぎに、実際にセラミック配線回路板を製造し、そのろ
う付け性能を検証した結果について説明する。
Next, the result of actually manufacturing a ceramic wiring circuit board and verifying its brazing performance will be described.

−実施例1− 96%アルミナ基板を用い、スパッタ法で基板全面にニッ
ケル層を約3μmメタライズした。ついで、通常のフォ
トリソ法で所定の回路パターンを形成した。この回路パ
ターンは、少なくともろう付け個所を含むものである。
回路パターン形成工程におけるエッチング液として硫酸
と過酸化水素の混合溶液を用いた。
Example 1 Using a 96% alumina substrate, a nickel layer was metallized to a thickness of about 3 μm on the entire surface of the substrate by sputtering. Then, a predetermined circuit pattern was formed by an ordinary photolithography method. This circuit pattern includes at least a brazing point.
A mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide was used as an etching solution in the circuit pattern forming step.

つぎに、ニッケル層の表面全体に、無電解ニッケルメッ
キで、Ni−P(P含有量約13%)からなる耐蝕合金層を
3〜5μm形成した。この耐蝕合金層は、後工程で銅層
をエッチングする際のエッチング液である塩化第二銅や
塩化第二鉄等に侵されないものである。
Next, a corrosion resistant alloy layer made of Ni-P (P content of about 13%) was formed on the entire surface of the nickel layer by electroless nickel plating to a thickness of 3 to 5 μm. This corrosion-resistant alloy layer is not attacked by cupric chloride, ferric chloride, etc., which is an etching solution for etching the copper layer in a later step.

スパッタ法で、絶縁基体の全面に10μmの銅層をメタラ
イズした後、通常のフォトリソ法で、所定の回路パター
ンを形成した。銅層のエッチング液として塩化第二銅を
用いたが、Ni−P耐蝕合金層で覆われたニッケル層に
は、腐食や溶解除去は全くみられず、銅層とニッケル層
からなる所定の回路パターンを備えたセラミック配線回
路板が製造できた。
A 10 μm copper layer was metallized on the entire surface of the insulating substrate by a sputtering method, and then a predetermined circuit pattern was formed by an ordinary photolithography method. Although cupric chloride was used as an etching solution for the copper layer, no corrosion or dissolution removal was observed in the nickel layer covered with the Ni-P corrosion-resistant alloy layer, and a predetermined circuit composed of the copper layer and the nickel layer was used. A ceramic printed circuit board with a pattern could be manufactured.

得られたセラミック配線回路板に対し、ニッケル層(お
よび耐蝕合金層)の形成個所である2mmφの範囲に、0.4
5mmφの42アロイからなる端子ピンを銀ろう付けで20本
ろう付け接合した。この端子ピンが接合された試料に、
3回ピン曲げ試験を行ったところ、下記第1表に示す結
果が得られた。試験は、端子ピンを3回折り曲げた状態
で、セラミック絶縁基板と導体金属層の界面に剥離が生
じないかどうかで評価した。比較例1は、実施例1と同
じ絶縁基板にスパッタリングで8μmの銅層を形成した
後、銅層の表面に無電解ニッケルメッキでニッケルバリ
ア層(P含有率約13%)を5〜8μm形成したものに対
して、前記同様に2mmφの範囲に20本の端子ピンをろう
付けして、実施例1と同じ試験を行った。
For the obtained ceramic printed circuit board, 0.4 mm within the range of 2 mmφ where nickel layer (and corrosion resistant alloy layer) is formed.
20 terminal pins made of 42 alloy of 5 mmφ were brazed and joined by silver brazing. To the sample to which this terminal pin is joined,
When the pin bending test was conducted three times, the results shown in Table 1 below were obtained. In the test, the terminal pin was bent three times and evaluated for peeling at the interface between the ceramic insulating substrate and the conductive metal layer. In Comparative Example 1, an 8 μm copper layer was formed on the same insulating substrate as in Example 1 by sputtering, and then a nickel barrier layer (P content ratio of about 13%) was formed on the surface of the copper layer by 5 to 8 μm. The same test as in Example 1 was conducted by brazing 20 terminal pins in the range of 2 mmφ in the same manner as above.

上記試験の結果、この発明のセラミック配線回路板は、
従来のものに比べて、端子ピンに対するろう付け接合強
度がはかるに優れていることが実証できた。
As a result of the above test, the ceramic wiring circuit board of the present invention,
It was proved that the brazing joint strength to the terminal pin was significantly superior to the conventional one.

−実施例2− 窒化アルミニウム基板を用い、基板全面にスパッタ法で
約10μmの銅層をメタライズした後、通常のフォトリソ
法で所定の回路パターンを形成した。この回路パターン
は、後述のろう付け個所を除く配線回路部分に形成され
ている。回路形成の際のエッチング液として塩化第二銅
溶液を用いた。
Example 2 Using an aluminum nitride substrate, a copper layer of about 10 μm was metallized on the entire surface of the substrate by a sputtering method, and then a predetermined circuit pattern was formed by an ordinary photolithography method. This circuit pattern is formed in the wiring circuit portion excluding the brazing portion described later. A cupric chloride solution was used as an etching solution for forming a circuit.

つぎに、銅層の表面全体に、無電解メッキ法でNi−P耐
蝕合金層(P含有率約13%)を3〜5μm形成した。こ
のNi−P耐蝕合金層は、ニッケル層に対するエッチグ液
である硫酸+過酸化水素混合溶液や過硫酸アンモニウム
溶液等に侵されないものである。
Next, a Ni—P corrosion-resistant alloy layer (P content ratio of about 13%) was formed in an amount of 3 to 5 μm on the entire surface of the copper layer by electroless plating. This Ni-P corrosion resistant alloy layer is not attacked by a sulfuric acid + hydrogen peroxide mixed solution or an ammonium persulfate solution which is an etching solution for the nickel layer.

つぎに、スパッタ法で基板全面にニッケル層をメタライ
ズした後、通常のフォトリソ法で所定の回路パターンを
形成した。この回路パターンは、少なくともろう付け個
所では、銅層を介さず、ニッケル層が絶縁基板の表面に
直接形成された状態になっている。ニッケル層のエッチ
ング液として硫酸と過酸化水素の混合溶液を用いたが、
Ni−P耐蝕合金層で覆われた銅層には、腐食や溶解除去
は全くみられず、銅層とニッケル層からなる所定の回路
パターンを備えたセラミック配線回路板が製造できた。
Next, after a nickel layer was metallized on the entire surface of the substrate by a sputtering method, a predetermined circuit pattern was formed by an ordinary photolithography method. This circuit pattern is in a state where the nickel layer is directly formed on the surface of the insulating substrate without interposing the copper layer at least at the brazing portion. A mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide was used as an etching solution for the nickel layer.
No corrosion or dissolution removal was observed in the copper layer covered with the Ni-P corrosion resistant alloy layer, and a ceramic wiring circuit board having a predetermined circuit pattern composed of the copper layer and the nickel layer could be manufactured.

得られたセラミック配線回路板に対し、実施例1と同様
に端子ピンをろう付け接合して3回ピン曲げ試験を行っ
た結果を、第2表に示している。なお、比較例2は、実
施例2と同じ絶縁基板にスパッタリングで8μmの銅層
を形成した後、銅層の表面に無電解メッキでニッケルバ
リア層(P含有率約13%)を5〜8μm形成したものに
対して、実施例2と同じように端子ピンをろう付けした
ものを用いた。
Table 2 shows the results of three-time pin bending test performed by brazing terminal pins to the obtained ceramic printed circuit board in the same manner as in Example 1. In Comparative Example 2, after forming a copper layer of 8 μm on the same insulating substrate as in Example 2 by sputtering, a nickel barrier layer (P content ratio of about 13%) of 5 to 8 μm was formed on the surface of the copper layer by electroless plating. What was brazed to the formed terminal pins in the same manner as in Example 2 was used.

上記試験の結果と前記実施例1の試験結果と比べれば、
この発明にかかるセラミック配線回路板は、銅層とニッ
ケル層のどちらを先に形成しても、良好な結果が得られ
ることが判る。
Comparing the results of the above test and the test results of Example 1 above,
It can be seen that the ceramic printed circuit board according to the present invention can obtain good results regardless of which of the copper layer and the nickel layer is formed first.

−実施例3− 酸またはアルカリで表面を粗面化した96%アルミナ基板
を用い、基板全面に無電解メッキ法で約1〜3μmのNi
−P(P含有率約3%)またはNi−B(B含有率約1
%)からなるニッケル層をメタライズした後、通常のフ
ォトリソ法でろう付け個所を含む所定の回路パターンを
形成した。回路形成の際のエッチング液には硫酸と過酸
化水素の混合溶液を用いた。
-Example 3-Using a 96% alumina substrate whose surface is roughened with an acid or an alkali, the entire surface of the substrate is electroless plated to form Ni of about 1 to 3 μm.
-P (P content approximately 3%) or Ni-B (B content approximately 1)
%) Was metallized, and then a predetermined circuit pattern including a brazed portion was formed by an ordinary photolithography method. A mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide was used as an etching solution for forming a circuit.

つぎに、ニッケル層の表面全体に、さらに無電解メッキ
法でNi−P耐蝕合金層(P含有率約13%)を3〜5μm
形成した。
Next, a Ni-P corrosion-resistant alloy layer (P content of about 13%) is further applied to the entire surface of the nickel layer by electroless plating to a thickness of 3 to 5 μm.
Formed.

つぎに、無電解メッキ法で基板全面に銅層を10μmメタ
ライズした後、通常のフォトリソ法で所定の回路パター
ンを形成した。銅層のエッチング液として塩化第二銅を
用いたが、Ni−P耐蝕合金層で覆われたニッケル層に
は、腐食や溶解除去は全くみられず、銅層とニッケル層
からなる所定の回路パターンを備えたセラミック配線回
路板が製造できた。
Next, a copper layer was metallized to a thickness of 10 μm on the entire surface of the substrate by electroless plating, and then a predetermined circuit pattern was formed by ordinary photolithography. Although cupric chloride was used as an etching solution for the copper layer, no corrosion or dissolution removal was observed in the nickel layer covered with the Ni-P corrosion-resistant alloy layer, and a predetermined circuit composed of the copper layer and the nickel layer was used. A ceramic printed circuit board with a pattern could be manufactured.

得られたセラミック配線回路板に対し、実施例1と同様
に端子ピンをろう付け接合して3回ピン曲げ試験を行っ
た結果を、第3表に示している。なお、比較例3は、実
施例3と同じ絶縁基板に無電解メッキ法で10μmの銅層
を形成した後、銅層の表面に無電解メッキでニッケルバ
リヤ層(P含有率約13%)を5〜8μm形成したものに
対して、実施例3と同じように端子ピンをろう付けした
ものを用いた。
Table 3 shows the results of performing a pin bending test three times by brazing terminal pins to the obtained ceramic wiring circuit board in the same manner as in Example 1. In Comparative Example 3, after forming a 10 μm copper layer on the same insulating substrate as in Example 3 by electroless plating, a nickel barrier layer (P content ratio of about 13%) was formed on the surface of the copper layer by electroless plating. A terminal pin was brazed in the same manner as in Example 3 with respect to the one having a thickness of 5 to 8 μm.

−実施例4− 酸またはアルカリで表面を粗面化した96%アルミナ基板
を用い、基板全面に無電解メッキ法で銅層をメタライズ
した後、通常のフォトリソ法で所定の回路パターンを形
成した。この回路パターンは、後述のろう付け個所を除
く配線回路部分に形成されている。回路形成の際のエッ
チング液には塩化第二銅溶液を用いた。
-Example 4-A 96% alumina substrate whose surface was roughened with an acid or an alkali was used, and after a copper layer was metallized on the entire surface of the substrate by an electroless plating method, a predetermined circuit pattern was formed by an ordinary photolithography method. This circuit pattern is formed in the wiring circuit portion excluding the brazing portion described later. A cupric chloride solution was used as an etching solution for forming a circuit.

つぎに、銅層の表面全体に、無電解メッキ法でNi−P耐
蝕合金層(P含有率約13%)を形成した。
Next, a Ni-P corrosion-resistant alloy layer (P content ratio of about 13%) was formed on the entire surface of the copper layer by electroless plating.

つぎに、無電解メッキ法で基板全面にNi−P(P含有率
約3%)またはNi−B(B含有率約1%)からなるニッ
ケル層を10μmメタライズした後、通常のフォトリソ法
で所定の回路パターンを形成した。ニッケル層のエッチ
ング液として硫酸と過酸化水素の混合溶液を用いたが、
Ni−P耐蝕合金層で覆われた銅層には、腐食や溶解除去
は全くみられず、銅層とニッケル層からなる所定の回路
パターンを備えたセラミック配線回路板が製造できた。
Next, a nickel layer made of Ni-P (P content of about 3%) or Ni-B (B content of about 1%) was metallized to a thickness of 10 μm on the entire surface of the substrate by electroless plating, and then a predetermined photolithography method was used. The circuit pattern was formed. A mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide was used as an etching solution for the nickel layer.
No corrosion or dissolution removal was observed in the copper layer covered with the Ni-P corrosion resistant alloy layer, and a ceramic wiring circuit board having a predetermined circuit pattern composed of the copper layer and the nickel layer could be manufactured.

得られたセラミック配線回路板に対し、実施例1と同様
に端子ピンをろう付け接合して3回ピン曲げ試験を行っ
た結果を、第4表に示している。なお、比較例4は、実
施例4と同じ絶縁基板に無電解メッキ法で10μmの銅層
を形成した後、銅層の表面に無電解メッキでニッケルバ
リア層(P含有率約13%)を5〜8μm形成したものに
対して、実施例4と同じように端子ピンをろう付けした
ものを用いた。
Table 4 shows the results of three-time pin bending test conducted by brazing terminal pins to the obtained ceramic wiring circuit board in the same manner as in Example 1. In Comparative Example 4, after forming a 10 μm copper layer on the same insulating substrate as in Example 4 by electroless plating, a nickel barrier layer (P content rate of about 13%) was formed on the surface of the copper layer by electroless plating. The terminal pins were brazed in the same manner as in Example 4 with respect to those having a thickness of 5 to 8 μm.

上記試験および実施例3の試験結果をみれば、この発明
のセラミック配線回路板は、ニッケル層として、純ニッ
ケルだけでなく、比較的少量のPやBを含むニッケル合
金を用いても優れた性能を発揮できることが実証され
た。
From the above test and the test results of Example 3, the ceramic wiring circuit board of the present invention has excellent performance even when not only pure nickel but also a nickel alloy containing a relatively small amount of P or B is used as the nickel layer. It was proved that it can exhibit.

−実施例5− アルカリで表面を粗面化した窒化アルミニウム基板を用
い、基板全面に無電解メッキ法でNi−P(P含有率約3
%)またはNi−B(B含有率約1%)からなるニッケル
層を1〜3μmメタライズした。ニッケル層の回路パタ
ーンと逆パターンに現像形成されたドライフィルムをメ
ッキレジストとしてニッケル層の上に形成した後、無電
解メッキ法でNi−P耐蝕合金層(P含有率約13%)を形
成した。つぎに、ドライフィルムからなるレジストを剥
離した後、硫酸よび過酸化水素の混合溶液をエッチング
液に用いて、Ni−P耐蝕合金層で覆われていない不要な
部分のニッケル層を選択的にエッチング除去して、所定
の回路パターンを有するニッケル層を形成した。ニッケ
ル層の表面は耐蝕合金層で覆われたままである。
-Example 5-Using an aluminum nitride substrate whose surface is roughened with an alkali, the entire surface of the substrate is subjected to Ni-P (P content of about 3) by electroless plating.
%) Or Ni-B (B content of about 1%) was metallized to a thickness of 1 to 3 μm. A dry film developed in the reverse pattern of the circuit pattern of the nickel layer was formed on the nickel layer as a plating resist, and then a Ni-P corrosion resistant alloy layer (P content ratio of about 13%) was formed by electroless plating. . Next, after removing the resist made of a dry film, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide is used as an etching solution to selectively etch an unnecessary nickel layer not covered with the Ni-P corrosion-resistant alloy layer. By removing, a nickel layer having a predetermined circuit pattern was formed. The surface of the nickel layer remains covered with the corrosion resistant alloy layer.

つぎに、無電解メッキ法で基板全面に10μmの銅層を形
成した後、通常のフォトリソ法で所定の回路パターンを
形成した。銅層のエッチング液として塩化第二銅を用い
たが、Ni−P耐蝕合金層で覆われたニッケル層には、腐
食や溶解除去は全くみられず、銅層とニッケル層からな
る所定の回路パターンを備えたセラミック配線回路板が
製造できた。
Next, a 10 μm copper layer was formed on the entire surface of the substrate by electroless plating, and then a predetermined circuit pattern was formed by ordinary photolithography. Although cupric chloride was used as an etching solution for the copper layer, no corrosion or dissolution removal was observed in the nickel layer covered with the Ni-P corrosion-resistant alloy layer, and a predetermined circuit composed of the copper layer and the nickel layer was used. A ceramic printed circuit board with a pattern could be manufactured.

得られたセラミック配線回路板に対し、実施例1と同様
に端子ピンをろう付け接合して3回ピン曲げ試験を行っ
た結果を、第5表に示している。なお、比較例5は、実
施例5と同じ絶縁基板に無電解メッキ法で10μmの銅層
を形成した後、銅層の表面に無電解メッキでニッケルバ
リア層(P含有率約13%)を5〜8μm形成したものに
対して、実施例5と同じように端子ピンをろう付けした
ものを用いた。
Table 5 shows the results of three-time pin bending test performed by brazing terminal pins to the obtained ceramic wiring circuit board in the same manner as in Example 1. In Comparative Example 5, after forming a 10 μm copper layer on the same insulating substrate as in Example 5 by electroless plating, a nickel barrier layer (P content ratio of about 13%) was formed on the surface of the copper layer by electroless plating. The terminal pins were brazed in the same manner as in Example 5 with respect to the elements having a thickness of 5 to 8 μm.

〔発明の効果〕 以上に述べた、この発明にかかるセラミック配線回路板
は、セラミック絶縁基板に形成された導体金属層からな
る配線回路のうち、少なくとも、ろう付け個所ではニッ
ケル層が直接基板表面に形成されているので、このニッ
ケル層部分に外部金属部材のろう付けを行えば、銅の食
われ現象や銅とニッケルバリア層の拡散によるバリア効
果の低下等の問題が発生せず、絶縁基板とろう付け個所
の配線回路との密着力を充分に維持することができ、従
来のセラミック配線回路基板に比べて、ろう付け接合強
度を格段に向上させることができる。また、ニッケル層
以外の配線回路部分は、導電性等に優れた銅層で形成さ
れているので、電気的な性能については、従来の銅層の
みからなる配線回路基体に劣らず良好であって、微細配
線回路にも適用できるものである。
[Effects of the Invention] As described above, the ceramic wiring circuit board according to the present invention is such that, in the wiring circuit formed of the conductor metal layer formed on the ceramic insulating substrate, at least at the brazing portion, the nickel layer is directly formed on the substrate surface. Since it is formed, if an external metal member is brazed to this nickel layer portion, problems such as copper erosion phenomenon and reduction of barrier effect due to diffusion of copper and nickel barrier layer do not occur, Adhesion with the wiring circuit at the brazing point can be sufficiently maintained, and the brazing joint strength can be significantly improved as compared with the conventional ceramic wiring circuit board. In addition, since the wiring circuit portion other than the nickel layer is formed of a copper layer having excellent conductivity, the electrical performance is as good as that of the conventional wiring circuit substrate made of only a copper layer. It can also be applied to fine wiring circuits.

しかも、従来のセラミック配線回路板のように、銅層に
ろう付けを行ったり、銅層の上にニッケルバリア層を形
成してろう付けを行う方法では、ろう付け工程の厳密な
管理が必要であったが、この発明のセラミック配線基板
であれば、そのような厳密な管理を行わずとも、ろう付
け個所のニッケル層と絶縁基板との密着力は強力である
ため、ろう付け作業が容易になり、作業能率を高めるこ
とができる。
Moreover, as in the conventional ceramic wiring circuit board, the method of brazing the copper layer or forming the nickel barrier layer on the copper layer and brazing requires strict control of the brazing process. However, with the ceramic wiring board of the present invention, the adhesion between the nickel layer at the brazing point and the insulating substrate is strong without the need for such strict control, so that the brazing work is easy. And work efficiency can be improved.

請求項2記載のセラミック配線基板の製造方法によれ
ば、ニッケル層による配線回路部分の形成工程と、銅層
による配線回路部分の形成工程を別工程で行う際に、先
に形成された配線回路部分を耐蝕合金層で覆っておくこ
とによって、後の配線回路部分をエッチング形成する際
に先の配線回路部分が腐食されたり破損するのを確実に
防止することができ、ニッケル層および銅層が混在する
セラミック配線回路板である前記請求項1記載の発明の
作用効果を良好に発揮できるとともに、電気的な回路性
能等にも優れた配線回路を備えたセラミック配線回路板
を能率的に製造することができる。
According to the method of manufacturing a ceramic wiring board according to claim 2, when the step of forming the wiring circuit portion using the nickel layer and the step of forming the wiring circuit portion using the copper layer are performed in different steps, the wiring circuit previously formed By covering the part with the corrosion-resistant alloy layer, it is possible to reliably prevent the previous wiring circuit part from being corroded or damaged when etching the subsequent wiring circuit part, and the nickel layer and the copper layer are prevented. Efficiently manufacturing a ceramic wiring circuit board having wiring circuits excellent in the function and effect of the invention according to claim 1 which are mixed ceramic wiring circuit boards and excellent in electrical circuit performance and the like. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の実施例を示すセラミック配線回路板
の製造工程およびろう付け工程を段階的に示す模式的断
面図である。 10…絶縁基板、20…ニッケル層、30…耐蝕合金層、40…
銅層、50…端子ピン、60…銀ろう材
FIG. 1 is a schematic sectional view showing stepwise a manufacturing process and a brazing process of a ceramic wiring circuit board showing an embodiment of the present invention. 10 ... Insulating substrate, 20 ... Nickel layer, 30 ... Corrosion resistant alloy layer, 40 ...
Copper layer, 50 ... Terminal pin, 60 ... Silver brazing material

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】配線回路に外部金属部材をろう付けして使
用するセラミック配線回路板であって、配線回路を構成
する導体金属層のうち、少なくとも、ろう付け個所の配
線回路を構成する導体金属層がセラミック絶縁基板に直
接形成されたニッケル層であり、このニッケル層からな
る配線回路部分以外の配線回路部分を構成する導体金属
層が銅層であることを特徴とするセラミック配線回路
板。
1. A ceramic wiring circuit board used by brazing an external metal member to a wiring circuit, wherein at least a conductor metal of a conductor metal layer constituting the wiring circuit constitutes a wiring circuit at a brazing point. A ceramic wiring circuit board, wherein the layer is a nickel layer directly formed on a ceramic insulating substrate, and a conductor metal layer constituting a wiring circuit portion other than the wiring circuit portion made of the nickel layer is a copper layer.
【請求項2】請求項1記載のセラミック配線回路板の製
造方法であって、ニッケル層と銅層のうち、何れか一方
の導体金属層からなる配線回路部分をまず形成し、この
導体金属層の表面全体を耐蝕合金層で覆っておいて、残
りの導体金属層からなる配線回路部分をエッチングで形
成するようにするセラミック配線回路板の製造方法。
2. A method of manufacturing a ceramic wiring circuit board according to claim 1, wherein a wiring circuit portion made of one of a nickel metal layer and a copper metal layer is first formed, and the metal wiring layer is formed. A method for manufacturing a ceramic wiring circuit board, wherein the entire surface of the substrate is covered with a corrosion-resistant alloy layer, and the wiring circuit portion made of the remaining conductor metal layer is formed by etching.
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