JPH06204604A - Semiconductor laser device - Google Patents
Semiconductor laser deviceInfo
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- JPH06204604A JPH06204604A JP50A JP55393A JPH06204604A JP H06204604 A JPH06204604 A JP H06204604A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 55393 A JP55393 A JP 55393A JP H06204604 A JPH06204604 A JP H06204604A
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- semiconductor laser
- laser chip
- light
- light receiving
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気的構造及び放熱効果を考慮した上で、薄
型化及び製造コスト面で有利にするとともに、製造の効
率化を計っている。
【構成】 パッケージ8内に半導体レーザーチップ1及
び受光素子2を配置する凹部9を形成し、該凹部9によ
り半導体レーザーチップ1の後方の出射口と受光素子2
との間隙を透明材料4により埋めるとともに、前記凹部
9の側壁の所定部分を削除する。また、取り付け用突出
片10a,10bをパッケージ8の側面から突出させる
とともに、半導体レーザーチップ1がマウントされる基
板3を取り付ける台座11を前記突出片10a,10b
とアース用リード端子7と一体的に連結して形成する。
(57) [Abstract] [Purpose] In consideration of the electrical structure and heat dissipation effect, we have made it thinner and made it more advantageous in terms of manufacturing cost, and have also attempted to improve manufacturing efficiency. [Structure] A recess 9 for arranging a semiconductor laser chip 1 and a light receiving element 2 is formed in a package 8, and the recess 9 forms a rear exit of the semiconductor laser chip 1 and a light receiving element 2.
The gap between and is filled with the transparent material 4, and a predetermined portion of the side wall of the recess 9 is removed. In addition, the projecting pieces 10a, 10b are mounted on the pedestal 11 for mounting the substrate 3 on which the semiconductor laser chip 1 is mounted, while projecting the mounting projecting pieces 10a, 10b from the side surface of the package 8.
And the ground lead terminal 7 are integrally connected.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光学的に信号を再生し
たり、あるいは記録する為の光ピックアップのレーザー
光源となる半導体レーザー装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device which serves as a laser light source for an optical pickup for optically reproducing or recording a signal.
【0002】[0002]
【従来の技術】光学的に信号再生、あるいは信号記録を
行う為の光ピックアップのレーザー光源となる半導体レ
ーザー装置は、周知の如く、レーザー光を前方及び後方
に出射する半導体レーザーチップを備え、該半導体レー
ザーチップの後方からのレーザー光をモニター用の受光
素子により受光し、そのレーザー光の光強度を監視して
信号再生、あるいは信号記録に使用する前方からのレー
ザー光の強度を制御している。2. Description of the Related Art As is well known, a semiconductor laser device, which serves as a laser light source of an optical pickup for optically reproducing or recording a signal, comprises a semiconductor laser chip for emitting a laser beam forward and backward, The laser light from the back of the semiconductor laser chip is received by the light receiving element for monitoring, and the light intensity of the laser light is monitored to control the intensity of the laser light from the front used for signal reproduction or signal recording. .
【0003】このような半導体レーザー装置としては、
従来、例えば実開平3−109362号公報に示される
如く、レーザーチップの後方の出射口と受光素子の受光
面との間隙を透明材料により埋めることにより、半導体
レーザーチップ及び受光素子をキャンタイプのパッケー
ジにより密封しなくても安定したレーザー光の出射を行
えるようにしたものがある。このキャンタイプのパッケ
ージを用いない半導体レーザー装置は、構成が簡素化さ
れるので、製造コストの低減が計れ、また、小型化を推
進するのに有利である。As such a semiconductor laser device,
Conventionally, as disclosed in, for example, Japanese Utility Model Laid-Open No. 3-109362, a semiconductor laser chip and a light receiving element can be packaged in a can type by filling a gap between a light emitting surface at the rear of the laser chip and a light receiving surface of the light receiving element with a transparent material. In some cases, stable laser light can be emitted without sealing. The semiconductor laser device that does not use the can type package has a simplified structure, which is advantageous in reducing manufacturing cost and promoting miniaturization.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述の公報
に示される半導体レーザー装置は、電気的構造上及び放
熱の為に用いられる金属基板に対応して半導体レーザー
チップと受光素子との間を埋める樹脂を広範囲に形成す
ることによりその樹脂によりパッケージ自体を形成する
構成であるので、レーザー光の劣化や樹脂層の溶解が生
じないようにする為、半導体レーザーチップの前方の出
射口部分に樹脂モールドが行われないように形成するこ
とが困難である。By the way, in the semiconductor laser device disclosed in the above-mentioned publication, the space between the semiconductor laser chip and the light receiving element is buried in terms of electrical structure and corresponding to the metal substrate used for heat dissipation. Since the package itself is formed by forming the resin over a wide area, a resin mold is applied to the front emission port of the semiconductor laser chip to prevent deterioration of laser light and dissolution of the resin layer. It is difficult to form so that it does not occur.
【0005】また、前述の公報の半導体レーザー装置
は、半導体レーザーチップへの給電を行う為、及び受光
素子により得られる受光出力を導出する為の各リード端
子が埋め込まれた樹脂層が金属基板上に重ねられる2段
重ね構造であるので、薄型化を推進するのに不利である
とともに、特別に製造工程の効率化が計られてはいなか
った。Further, in the semiconductor laser device of the above-mentioned publication, the resin layer in which the lead terminals are embedded for supplying power to the semiconductor laser chip and for deriving the light reception output obtained by the light receiving element is provided on the metal substrate. Since it is a two-tiered structure that can be stacked on top of one another, it is disadvantageous in promoting the reduction in thickness, and the efficiency of the manufacturing process has not been specifically designed.
【0006】本発明は前述の点に鑑み、電気的構造及び
放熱効果を考慮した上で、薄型化を推進するのに有利で
あるとともに、製造の効率化を計った半導体レーザー装
置を提供するものである。In view of the above-mentioned points, the present invention provides a semiconductor laser device which is advantageous for promoting the thinning in consideration of the electric structure and the heat radiation effect and has the manufacturing efficiency improved. Is.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂モールド
に形成されるとともに、半導体レーザーチップ及び受光
素子を配置する部分に凹部が形成されたパッケージと、
該パッケージ内に埋め込まれるとともに、半導体レーザ
ーチップへの給電を行う為、及び受光素子により得られ
る受光出力を導出する為の各リード端子とを備え、前記
凹部により半導体レーザーチップの後方の出射口と受光
素子との間隙を埋める透明材料のモールドを行う空間を
確保するとともに、半導体レーザーチップの前方の出射
口が向けられる方向において、前記凹部の側壁が削除さ
れた構成にしている。According to the present invention, there is provided a package which is formed in a resin mold and has a recess formed in a portion where a semiconductor laser chip and a light receiving element are arranged.
Each of the lead terminals is embedded in the package and is for supplying power to the semiconductor laser chip and for deriving a light reception output obtained by the light receiving element, and the recess is provided with an emission port at the rear of the semiconductor laser chip. A space for molding a transparent material to fill the gap with the light receiving element is secured, and the side wall of the recess is removed in the direction in which the front emission port of the semiconductor laser chip is directed.
【0008】また、半導体レーザーチップへの給電を行
う為、及び受光素子により得られる受光出力を導出する
為の各リード端子と、樹脂モールドにより形成されると
ともに、半導体レーザーチップ及び受光素子がマウント
された台座が取り付けられ、前記各リード端子が埋め込
まれるパッケージとを備え、他部品に取り付ける際に用
いられる取り付け用突出片を前記パッケージの側面から
突出させて設けるとともに、前記台座を前記突出片とリ
ード端子の中のアース端子と一体的に連結して形成して
いる。Further, the semiconductor laser chip and the light receiving element are mounted together with the lead terminals for supplying power to the semiconductor laser chip and for leading out the light receiving output obtained by the light receiving element, and the resin molding. A pedestal is attached, and each of the lead terminals is embedded in the package, and an attaching protrusion piece used when attaching to another component is provided so as to protrude from a side surface of the package. It is formed integrally with the ground terminal in the terminal.
【0009】[0009]
【作用】本発明は、各リード端子を埋め込むパッケージ
内に半導体レーザーチップ及び受光素子を配置する凹部
を形成し、該凹部により半導体レーザーチップの後方の
出射口と受光素子との間隙を埋める透明材料のモールド
を行う空間を確保するとともに、前記凹部の側壁の所定
部分を削除した構成にすることにより半導体レーザーチ
ップの前方から出射されるレーザー光の通路を確保した
ものである。According to the present invention, a transparent material is formed in which a recess for arranging a semiconductor laser chip and a light receiving element is formed in a package in which each lead terminal is embedded, and the recess fills a gap between the light emitting element and the emission port behind the semiconductor laser chip. In addition to ensuring a space for molding, a predetermined portion of the side wall of the recess is removed to secure a passage for laser light emitted from the front of the semiconductor laser chip.
【0010】また、本発明は、他部品に取り付ける際に
用いられる取り付け用突出片をパッケージの側面から突
出させるとともに、電気的な結合の為に半導体レーザー
チップ及び受光素子がマウントされる台座を前記突出片
とリード端子中のアース端子と一体的に連結して形成す
ることにより前記突出片を放熱板と兼用させるととも
に、該突出片及び前記台座と各リード端子とを同一面上
に配置するようにしたものである。Further, according to the present invention, the mounting projection used for mounting to another component is projected from the side surface of the package, and the pedestal on which the semiconductor laser chip and the light receiving element are mounted for electrical coupling is described above. By forming the projecting piece and the ground terminal in the lead terminal integrally with each other, the projecting piece also serves as a heat radiating plate, and the projecting piece and the pedestal are arranged on the same plane with each lead terminal. It is the one.
【0011】[0011]
【実施例】図1は本発明の一実施例を示す平面図であ
り、図2は図1の側面図である。また、図3は側方から
の主要部分の拡大部分断面図である。同図において、1
はレーザー光を前方及び後方に出射する半導体レーザー
チップ、2は該半導体レーザーチップ1から後方に出射
されるレーザー光を受光する受光素子、3は半導体材料
から構成され、前記受光素子2がエッチングにより形成
されるとともに、前記半導体レーザーチップ1がマウン
トされる基板、4は前記半導体レーザーチップ1の後方
の出射口と前記受光素子2との間隙を埋めるべく透明樹
脂のモールドにより形成された被覆部、5乃至7は前記
半導体レーザーチップ1への給電を行う為、及び前記受
光素子2により得られる受光出力を導出する為の各リー
ド端子、8は各リード端子5乃至7が埋め込まれるとと
もに、前記基板3を配置する部分に凹部9が形成された
樹脂モールド製のパッケージ、10a及び10bは光ピ
ックアップの構成部品となる各光学素子が組み込まれる
光学ブロックベース(図示せず)に取り付ける際に用い
られる取り付け用突出片である。1 is a plan view showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view of FIG. Further, FIG. 3 is an enlarged partial cross-sectional view of the main part from the side. In the figure, 1
Is a semiconductor laser chip that emits laser light forward and backward, 2 is a light receiving element that receives the laser light emitted backward from the semiconductor laser chip 1, 3 is a semiconductor material, and the light receiving element 2 is formed by etching. A substrate 4 on which the semiconductor laser chip 1 is mounted is formed, and a covering portion 4 is formed by a transparent resin mold so as to fill a gap between the light emitting element 2 and the rear emission port of the semiconductor laser chip 1, 5 to 7 are lead terminals for supplying power to the semiconductor laser chip 1 and for deriving a light reception output obtained by the light receiving element 2, and 8 are embedded with the lead terminals 5 to 7, and the substrate is also provided. 3 is a resin-molded package in which a concave portion 9 is formed in a portion where 3 is arranged, and 10a and 10b are optical pickup configurations. Each optical element to be goods is mounting projection piece which is used in attaching the optical block base (not shown) incorporated is.
【0012】更に、主要な構成の詳細を説明すると、図
3に示す如く、パッケージ8の凹部9の底面は、導電性
の金属板により台座部11と成され、該台座部11に基
板3が導電性接着剤により取り付けられている。Further, the details of the main structure will be explained. As shown in FIG. 3, the bottom surface of the recess 9 of the package 8 is made of a conductive metal plate to form a pedestal 11, and the pedestal 11 is provided with the substrate 3 thereon. It is attached with a conductive adhesive.
【0013】一方、半導体レーザーチップ1と基板3と
は、負の電極を介して接合されている。On the other hand, the semiconductor laser chip 1 and the substrate 3 are joined together via a negative electrode.
【0014】また、半導体レーザーチップ1の正の電極
はリード端子5にボンディングによりワイヤー12で接
続され、受光素子2の正の電極はリード端子6にボンデ
ィングによりワイヤー13で接続されている。The positive electrode of the semiconductor laser chip 1 is connected to the lead terminal 5 by the wire 12 by bonding, and the positive electrode of the light receiving element 2 is connected to the lead terminal 6 by the wire 13 by bonding.
【0015】また、台座部11は、突出片10a,10
bと一体的に連結されて形成されているとともに、リー
ド端子7とも一体的に連結されて形成されている。その
為、前記リード端子7は、アース端子となり、リード端
子5及び7間に電圧を印加することにより半導体レーザ
ーチップ1に電流を流して該半導体レーザーチップ1を
発光させることが出来るとともに、リード端子6及び7
間から受光素子2により得られる受光出力を導出するこ
とが出来る。Further, the pedestal portion 11 includes the projecting pieces 10a, 10
It is integrally formed with the lead terminal 7b and is also integrally formed with the lead terminal 7. Therefore, the lead terminal 7 becomes an earth terminal, and by applying a voltage between the lead terminals 5 and 7, a current can be passed through the semiconductor laser chip 1 to cause the semiconductor laser chip 1 to emit light, and at the same time, the lead terminal can be emitted. 6 and 7
The light receiving output obtained by the light receiving element 2 can be derived from the space.
【0016】ここで、受光素子2は半導体レーザーチッ
プ1の後方から出射されるレーザー光を受光し、その受
光されるレーザー光の光強度に応じて前記半導体レーザ
ーチップ1に印加される電圧が制御されるので、該半導
体レーザーチップ1から発光されるレーザー光の光強度
が一定に制御される。そして、前記半導体レーザーチッ
プ1の後方の出射口と受光素子2との間隙には、透明な
被覆部4が形成されているので、前記出射口、あるいは
前記受光素子2の受光面が結露されることはなく、半導
体レーザーチップ1により発光されるレーザー光の光強
度が結露により悪影響を及ぼされることが防止される。Here, the light receiving element 2 receives the laser light emitted from the rear of the semiconductor laser chip 1, and the voltage applied to the semiconductor laser chip 1 is controlled according to the light intensity of the received laser light. Therefore, the light intensity of the laser light emitted from the semiconductor laser chip 1 is controlled to be constant. Since the transparent coating 4 is formed in the gap between the light emitting element 2 and the light emitting element at the rear of the semiconductor laser chip 1, the light emitting surface or the light receiving surface of the light receiving element 2 is condensed. Therefore, the light intensity of the laser light emitted by the semiconductor laser chip 1 is prevented from being adversely affected by dew condensation.
【0017】また、半導体レーザーチップ1の前方の出
射口から出射されるレーザー光は、信号再生、あるいは
信号記録を行う為に使用されるが、この場合、前記前方
の出射口が向けられる方向において、パッケージ8の凹
部9の側面が削除された構成であるので、半導体レーザ
ーチップ1の前方からのレーザー光がパッケージ8に阻
害されることはない。The laser light emitted from the front emission port of the semiconductor laser chip 1 is used for signal reproduction or signal recording. In this case, in the direction in which the front emission port is directed. Since the side surface of the recess 9 of the package 8 is removed, the laser light from the front of the semiconductor laser chip 1 is not blocked by the package 8.
【0018】また、半導体レーザーチップ1は発振の為
に発熱するが、この熱は基板3及び台座部11を介して
突出片10a,10bに伝達され、放熱が行われるとと
もに、更に前記突出片10a,10bの部分が固定され
る光学ブロックベースに伝達されて放熱が行われる。
尚、前記突出片10a,10bに形成された円弧状の切
り欠きは、ネジ止めの為に使用される。Further, the semiconductor laser chip 1 generates heat due to oscillation, but this heat is transmitted to the projecting pieces 10a and 10b through the substrate 3 and the pedestal portion 11 to release heat, and further the projecting piece 10a. , 10b are transmitted to the fixed optical block base to radiate heat.
The arcuate notches formed in the protruding pieces 10a and 10b are used for screwing.
【0019】次に、製造工程に付いて説明する。Next, the manufacturing process will be described.
【0020】まず、金属板をプレス加工により切断し、
各リード端子5,6,7、突出片10a,10b及び台
座部11を一体的に形成する。この場合、完成時に他の
部分と切り離されるリード端子5,6はアース用リード
端子7と連結用の不要部分により連結して形成される。
前記不要部分は、例えば図1の1点鎖線に示す如く形成
される。First, a metal plate is cut by pressing,
The lead terminals 5, 6, 7 and the protruding pieces 10a, 10b and the pedestal portion 11 are integrally formed. In this case, the lead terminals 5 and 6 which are separated from other portions at the time of completion are connected to the grounding lead terminal 7 by an unnecessary portion for connection.
The unnecessary portion is formed, for example, as shown by the alternate long and short dash line in FIG.
【0021】一方、半導体レーザーチップ1を基板3に
マウントしておき、その基板3をプレス加工により他の
部分と一体的に形成された台座部11に接合する。その
後、各ワイヤー12,13をボンディングすることによ
り半導体レーザーチップ1とリード端子5との結線、及
び受光素子2とリード端子6との結線を行う。On the other hand, the semiconductor laser chip 1 is mounted on a substrate 3, and the substrate 3 is joined by press working to a pedestal portion 11 formed integrally with other portions. Then, the wires 12 and 13 are bonded to connect the semiconductor laser chip 1 to the lead terminal 5 and the light receiving element 2 to the lead terminal 6.
【0022】そして、樹脂モールドによりパッケージ8
を成形し、その後、半導体レーザーチップ1の後方の出
射口と受光素子2との間隙に透明な樹脂をモールドして
被覆部4を形成する。Then, the package 8 is formed by resin molding.
After that, a transparent resin is molded in the gap between the light emitting element 2 and the rear emission port of the semiconductor laser chip 1 to form the covering portion 4.
【0023】最後に、リード端子5,6とアース用リー
ド端子7とを連結している不要部分を切断して削除すれ
ば完了する。Finally, the unnecessary portion connecting the lead terminals 5 and 6 and the grounding lead terminal 7 is cut and deleted to complete the process.
【0024】ところで、基板3が配置される部分にパッ
ケージ8を形成する樹脂が及ばないように該パッケージ
8に凹部9を設けているので、パッケージ8を形成した
後に被覆部4を形成することが出来、かつ該被覆部4を
形成する範囲が微少となる。その為、エポキシ系等の樹
脂(接着剤を含む)を垂らすだけで容易に被覆部4を形
成することが出来るとともに、半導体レーザーチップ1
の前方の出射口の方まで前記被覆部4が及ばないように
することが容易に達成出来る。By the way, since the concave portion 9 is provided in the package 8 so that the resin forming the package 8 does not reach the portion where the substrate 3 is arranged, it is possible to form the covering portion 4 after forming the package 8. The area that can be formed and the covering portion 4 is formed is small. Therefore, the coating portion 4 can be easily formed only by dropping an epoxy resin (including an adhesive), and the semiconductor laser chip 1 can be formed.
It can be easily achieved that the covering portion 4 does not reach the emission port in front of the.
【0025】また、台座部11をアース用のリード端子
7と放熱及び取り付け用の突出片10a,10bと一体
的に連結して形成しており、かつ、リード端子5,6も
含めて金属板により形成される各部分が同一平面上に配
置される構成にしているので、製造の効率化が計れ、容
易に薄型化が達成出来る。The pedestal portion 11 is integrally formed with the grounding lead terminal 7 and the projecting pieces 10a and 10b for heat dissipation and mounting, and the lead terminal 5 and 6 are also included in the metal plate. Since the respective parts formed by the above are arranged on the same plane, the manufacturing efficiency can be improved and the thinning can be easily achieved.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上述べた如く、本発明に依れば、半導
体レーザーチップの前方の出射口に及ばないように半導
体レーザーチップの後方の出射口と受光素子との間隙に
透明材料のモールドを容易に行うことが可能な半導体レ
ーザー装置を提供することが出来る。As described above, according to the present invention, a transparent material mold is formed in the gap between the light emitting element and the rear emission port of the semiconductor laser chip so as not to reach the front emission port of the semiconductor laser chip. A semiconductor laser device that can be easily manufactured can be provided.
【0027】また、本発明に依れば、製造し易く、薄型
化に有利な半導体レーザー装置を提供することが出来
る。Further, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor laser device which is easy to manufacture and advantageous in thinning.
【図1】本発明の一実施例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention.
【図2】図1の側面図である。FIG. 2 is a side view of FIG.
【図3】側方からの主要部分の拡大部分断面図である。FIG. 3 is an enlarged partial sectional view of a main part from the side.
1 半導体レーザーチップ 2 受光素子 3 基板 4 被覆部 5,6,7 リード端子 8 パッケージ 9 凹部 10a,10b 突出片 11 台座部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser chip 2 Light receiving element 3 Substrate 4 Cover part 5, 6, 7 Lead terminal 8 Package 9 Recesses 10a, 10b Projecting piece 11 Pedestal part
Claims (2)
導体レーザーチップと、該半導体レーザーチップの後方
から出射されるレーザー光を受光し、そのレーザー光の
光強度を検出する為のモニター用の受光素子とが設けら
れた半導体レーザー装置であって、樹脂モールドにより
形成されるとともに、前記半導体レーザーチップ及び受
光素子を配置する部分に凹部が形成されたパッケージ
と、該パッケージ内に埋め込まれるとともに、前記半導
体レーザーチップへの給電を行う為、及び前記受光素子
により得られる受光出力を導出する為の各リード端子と
を備え、前記凹部により半導体レーザーチップの後方の
出射口と受光素子との間隙を埋める透明材料のモールド
を行う空間を確保するとともに、前記半導体レーザーチ
ップの前方の出射口が向けられる方向において、前記凹
部の側壁が削除された構成にすることを特徴とする半導
体レーザー装置。1. A semiconductor laser chip that emits laser light forward and backward, and a light-receiving light for monitoring that receives the laser light emitted from the rear of the semiconductor laser chip and detects the light intensity of the laser light. A semiconductor laser device provided with an element, which is formed by resin molding and has a recess formed in a portion where the semiconductor laser chip and the light receiving element are arranged; and a package embedded in the package, and The semiconductor laser chip is provided with respective lead terminals for supplying power to the semiconductor laser chip and for deriving a light receiving output obtained by the light receiving element, and the concave portion fills a gap between the light emitting element and the rear emission port of the semiconductor laser chip. A space for molding the transparent material is secured, and the front emission port of the semiconductor laser chip is A semiconductor laser device having a configuration in which a side wall of the recess is removed in a direction in which the semiconductor laser device is oriented.
導体レーザーチップ及び該半導体レーザーチップの後方
から出射されるレーザー光を受光する受光素子を備える
とともに、電気的な結合の為に前記半導体レーザーチッ
プ及び前記受光素子が導電性の台座にマウントされた半
導体レーザー装置であって、前記半導体レーザーチップ
への給電を行う為、及び前記受光素子により得られる受
光出力を導出する為の各リード端子と、樹脂モールドに
より形成されるとともに、前記台座及び前記各リード端
子が埋め込まれるパッケージとを備え、他部品に取り付
ける際に用いられる取り付け用突出片を前記パッケージ
の側面から突出させて設けるとともに、前記台座を前記
突出片とリード端子の中のアース端子と一体的に連結し
て形成したことを特徴とする半導体レーザー装置。2. A semiconductor laser chip for emitting laser light forward and backward, and a light receiving element for receiving laser light emitted from the rear of the semiconductor laser chip, and the semiconductor laser chip for electrical coupling. And a semiconductor laser device in which the light receiving element is mounted on a conductive pedestal, for supplying power to the semiconductor laser chip, and lead terminals for deriving a light receiving output obtained by the light receiving element, The package is formed by a resin mold, and includes the pedestal and the package in which the lead terminals are embedded, and a mounting projection piece used when mounting to another component is provided so as to project from a side surface of the package, and the pedestal is mounted. It is formed by integrally connecting the projecting piece and the ground terminal in the lead terminal. Semiconductor laser device to be collected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06204604A (en) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06204604A (en) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | Semiconductor laser device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204604A true JPH06204604A (en) | 1994-07-22 |
Family
ID=11476920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50A Pending JPH06204604A (en) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204604A (en) |
Cited By (8)
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