JP6686420B2 - 配線基板、電子装置、および配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は配線基板、電子装置、および配線基板の製造方法に関する。

近年、人間の身体等に装着可能なウェアラブルデバイス等の開発が盛んになされており、これに関連して、伸縮性を有する配線基板の機能向上が求められている。

伸縮性を有する配線基板に関し、特許文献１には、エラストマーと、該エラストマー中に充填されている導電材と、を有する導電層と、該導電層を被覆するように配置されているエラストマー製の保護層と、を備えてなる導電膜が開示されている。特許文献１の記載によれば、係る導電膜は、伸長されても電気抵抗が増加しにくく、また、破断するおそれも少ないことが示されている。

特開２０１０−１５３８２１号公報

しかし、装置全体をさらに小型化する要求が高まってきていることもあり、配線基板の耐久性について、さらなる向上の要求がある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、耐久性に優れた配線基板を提供するものである。

本発明によれば、
第１のエラストマーを含む基板と、
第２のエラストマーおよび導電性フィラーを含む導電性樹脂組成物により構成されており、前記基板の少なくとも一方の面に設けられた導電部と、
第３のエラストマーを含み、前記導電部の前記基板側とは反対側の面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備え、
前記第１のエラストマーがシリカ粒子（Ｂ）を含み、
前記導電性フィラーが銀粉を含み、前記第２のエラストマーがシリコーンゴムを含み、
前記導電性樹脂組成物中の前記導電性フィラーの含有量が、前記導電性樹脂組成物の固形分全体中、７０質量％以上９０質量％以下であり、
前記第１のエラストマーおよび前記第３のエラストマーは、シリコーンゴムを含む、配線基板が提供される。

本発明によれば、
上記の配線基板および電子部品を含む電子装置
が提供される。

本発明によれば、
第１のエラストマーを含む基板を準備する工程と、
前記基板の少なくとも一方の面に、第２のエラストマーおよび導電性フィラーを含む導電性樹脂組成物により構成された導電部を設ける工程と、
前記第１のエラストマーがシリカ粒子（Ｂ）を含み、
前記導電性フィラーが銀粉を含み、前記第２のエラストマーがシリコーンゴムを含み、
前記導電性樹脂組成物中の前記導電性フィラーの含有量が、前記導電性樹脂組成物の固形分全体中、７０質量％以上９０質量％以下であり、
第３のエラストマーを含み、前記導電部の前記基板側とは反対側の面の少なくとも一部を被覆する被覆層を形成する工程とを含み、
前記第１のエラストマーおよび前記第３のエラストマーは、シリコーンゴムを含む、配線基板の製造方法が提供される。

本発明によれば、耐久性に優れた配線基板を提供できる。

実施形態に係る配線基板の構成を示す図である。 実施形態に係る電子装置の構成を示す図である。 実施形態に係る電子装置の構成の変形例を示す図である。 実施形態に係る配線基板の構成の変形例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

また、以下においては説明を簡単にするため、電子装置１００および配線基板５０の各構成要素の位置関係（上下関係等）が各図に示す関係であるものとして説明を行う場合がある。ただし、この説明における位置関係は、電子装置１００および配線基板５０の使用時や製造時の位置関係とは無関係である。

なお、「〜」は特に断りがなければ、「以上」から「以下」を表す。

図１は、本実施形態に係る配線基板５０の構成を示す図である。
本実施形態に係る配線基板５０は、第１のエラストマーを含む基板２０と、第２のエラストマーおよび導電性フィラーを含む導電部１０と、第３のエラストマーを含む被覆層３０とを備える。導電部１０は、基板２０の少なくとも一方の面に設けられている。被覆層３０は、導電部１０の基板２０側とは反対側の面の少なくとも一部を被覆する。第１のエラストマーおよび第３のエラストマーは、シリコーンゴムを含む。以下に詳しく説明する。

導電部１０、基板２０、および被覆層３０がいずれもエラストマーを含むため、配線基板５０は全体として伸縮性を有する。また、第１のエラストマーおよび第３のエラストマーがシリコーンゴムを含むことにより、配線基板５０は伸縮性、耐熱性、化学的安定性、絶縁性に優れ、さらには生体適合性を有する。このような配線基板５０は、フレキシブルデバイスに用いることができ、中でも特にウェアラブルデバイスに好適に用いることができる。なお、配線基板５０は、全体として伸縮状態、非伸縮状態を取ることができればよく、その一部に非伸縮性の部材が含まれていても良い。

図２は、本実施形態に係る電子装置１００の構成を示す図である。電子装置１００は、配線基板５０および電子部品６０を含む。この電子部品６０は、用途に応じ、公知の部品の中から適宜選択すればよい。具体的には、半導体素子、及び半導体素子以外の抵抗やコンデンサ等を挙げることができる。半導体素子としては、たとえば、トランジスタや、ダイオード、ＬＥＤ、コンデンサ等を挙げることができる。電子装置１００は、たとえば配線基板５０の上に電子部品６０を配置したものである。電子部品６０の電極は、配線基板５０の導電部１０の少なくとも一部と電気的に接続されて、回路を構成している。本図では、電子部品６０が導電部１０の上に配置されている例を示している。なお、電子部品６０は、配線基板５０のうち、被覆層３０が設けられていない基板２０上に配置されていても良いし、被覆層３０の上に配置されていても良い。

図３は、本実施形態に係る電子装置１００の構成の変形例を示す図である。本図の様に、電子部品６０が基板２０上に配置され、導電部１０が電子部品６０を覆うように設けられていても良い。また、被覆層３０が、導電部１０および電子部品６０を覆うように設けられていても良い。

導電部１０は、電子装置１００において配線基板５０上に配置される電子部品同士を電気的に接続する配線、または他の装置等との接続を可能とする電極パッド等を構成する導電パターンである。導電部１０は第２のエラストマーを含むため伸縮性を有し、基板２０や被覆層３０の伸縮に追従して伸縮可能である。また、導電部１０は導電性フィラーを含むため、伸縮状態および非伸縮状態のいずれにおいても、導電性を有する。なお、非伸縮状態とは、配線基板に対し、引っ張り力、圧縮力、および曲げ応力等のいずれの力も加えない状態を言う。

導電部１０のうち、特に配線である部分について、配線幅は特に限定されず、適宜設定することができる。配線幅は、たとえば０．１ｍｍ以上であり、０．３ｍｍ以上であることがより好ましい。そうすることにより、高い導電性が得られる。また、配線幅は、たとえば２ｍｍ以下であり、１ｍｍ以下であることが好ましく、０．８ｍｍ以下であることがさらに好ましい。そうすることにより、配線基板５０ひいては電子装置１００の小型化が図れる。

また、導電部１０の厚さは特に限定されず、適宜設定することができる。導電部１０の厚さは、たとえば１０μｍ以上であり、２０μｍ以上であることがより好ましい。そうすることにより、高い導電性が得られる。また、導電部１０の厚さは、たとえば１ｍｍ以下であり、５００μｍ以下であることがより好ましく、３００μｍ以下であることがさらに好ましい。そうすることにより、配線基板５０ひいては電子装置１００の小型化が図れる。

本実施形態に係る配線基板５０においては、材料や製法を工夫することにより耐久性に優れるので、配線の細線化、電子装置の小型化が可能である。

原理上、導電部については、導電性フィラーの含有量を高めることにより導電性を高めることができる。一方、導電性フィラーの含有率を高めることにより、導電部の伸縮性が損なわれる。ここで、被覆層を設けない場合には、導電部が基板の伸長に追従できず、導電部、中でも特に伸縮性基板と接しない面にひび割れ等が生じて、導電部の電気抵抗が高くなるなど、耐久性が損なわれやすい。

それに対し、図１に戻り、本実施形態に係る配線基板５０では、導電部１０は、第１面１０１が基板２０に接し、第１面１０１と反対側の第２面１０２の少なくとも一部が被覆層３０に接している。このように、第２面１０２が被覆層３０で被覆されているため、導電部１０の第２面１０２側が機械的に被覆層３０に補助され、伸長によく追従させることができる。また、たとえ伸長により導電部１０が損傷し、物理的欠陥が形成されたとしても、被覆層３０の縮もうとする力がその欠陥を閉じる方向にはたらき、非伸縮状態での電気抵抗の増大を抑制できる。

被覆層３０は、導電部１０を保護する観点から、導電部１０の第２面１０２の全体を覆っていることが好ましい。また、同様の観点から、導電部１０の全ての外面の内、基板２０と接する面および電子部品６０との接続部を除く全ての領域を被覆層３０が覆っていることがより好ましい。また、被覆層３０は、基板２０のうち導電部１０が形成されていない領域の一部または全体を覆っていても良い。

本実施形態に係る配線基板５０では、基板２０および被覆層３０が、伸縮性に優れるシリコーンゴムを含むため、被覆層３０を設けていても、配線基板５０の十分な伸縮性を確保できる。

被覆層３０の厚さは、伸縮性と導電部の耐久性向上のバランスの観点から、０．０５ｍｍ以上であることが好ましく、０．３ｍｍ以上であることがより好ましい。また、同様の観点から、２ｍｍ以下であることが好ましく、１ｍｍ以下であることがより好ましく、０．８ｍｍ以下であることがさらに好ましい。

基板２０の厚さは、伸縮性と耐久性のバランスの観点から、０．５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。また、同様の観点から、３０００μｍ以下であることが好ましく、１０００μｍ以下であることがより好ましい。

図４は、本実施形態に係る配線基板５０の構成の変形例を示す図である。配線基板５０は、導電部１０、基板２０、および被覆層３０の他に、さらに他の層を、配線基板５０の一部または全面に有していても良い。他の層は、例えば補助層４０である。補助層４０はたとえば配線基板５０の耐久性を向上させる機能を有する。補助層４０は、被覆層３０と同じ組成物からなっていてもよいし、他の組成物からなっていてもよい。補助層４０は、第４のエラストマーを含み、伸縮性を有することが好ましい。

補助層４０が、被覆層３０と同じ組成物からなる場合、被覆層３０と補助層４０との厚さの合計は、伸縮性と導電部の耐久性向上のバランスの観点から、０．０５ｍｍ以上であることが好ましく、０．３μｍ以上であることがより好ましい。また、当該合計は、同様の観点から、２ｍｍ以下であることが好ましく、１ｍｍ以下であることがより好ましく、０．８ｍｍ以下であることがさらに好ましい。

本実施形態に係る基板２０、導電部１０、および被覆層３０は、それぞれ第１、第２、および第３のエラストマーを含む樹脂組成物により構成される。以下では、各樹脂組成物について、説明する。

本実施形態に係る基板２０および被覆層３０は、それぞれ第１および第３のエラストマーとしてシリコーンゴムを含むシリコーンゴム系硬化性組成物により構成される。

本実施形態に係る導電部１０は、第２のエラストマーを含む導電性樹脂組成物により構成される。この第２のエラストマーとしては、たとえばシリコーンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム等を用いることができる。これらの中でも、化学的に安定性、機械的強度に優れる観点から、また、伸縮性向上の観点および基板２０や被覆層３０との密着性向上の観点等から、第２のエラストマーはシリコーンゴムを含むことが好ましい。その場合、導電性フィラーを多く含有させても良好な伸縮性等を確保できるため、導電性に優れる導電部１０を形成することができる。導電性樹脂組成物は、基板２０または被覆層３０を構成するシリコーンゴム系硬化性組成物に、導電性フィラーを添加して得てもよい。

以下に、シリコーンゴム系硬化性組成物について説明する。

（エラストマー（Ａ））
シリコーンゴム系硬化性組成物は、エラストマー（Ａ）として、シリコーンゴムを含む。

シリコーンゴムとしては、たとえば、分子内にシロキサン構造を有するものが用いられる。
本実施形態においては、このようなシリコーンゴムの中でも、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）を、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）で架橋してなるシリコーンゴムが好ましく用いられる。

＜ビニル基直鎖状含有オルガノポリシロキサン（Ａ−１）＞
ビニル基直鎖状含有オルガノポリシロキサン（Ａ−１）は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。

このビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）のビニル基の含有量は、特に限定されないが、０．０１〜１５モル％であるのが好ましく、０．０５〜１２モル％であるのがより好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）中におけるビニル基の量が最適化され、各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。

なお、本明細書中において、ビニル基の含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）を構成する全ユニットを１００モル％としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル％である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット１つに対して、ビニル基が１つであるものとして算出を行う。

また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）の重合度は、特に限定されないが、好ましくは３０００〜１００００、より好ましくは４０００〜８０００の範囲内である。

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）の比重は、特に限定されないが、０．９〜１．１程度の範囲であるのが好ましい。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴム系硬化性組成物の耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）としては、特に、下記式（１）で表される構造を有するものであることが好ましい。

式（１）中、Ｒ^１は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。

また、Ｒ^２は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^３は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

さらに、式（１）中のＲ^１およびＲ^２の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Ｒ^３の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（１）中、複数のＲ^１は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、Ｒ^２、およびＲ^３についても同様である。

さらに、ｍ、ｎは、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは１〜１０００の整数、ｎは３０００〜１００００の整数である。ｍは、好ましくは４０〜７００であり、ｎは、好ましくは３６００〜８０００である。

また、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）のより具体的構造としては、例えば下記式（１−１）で表されるものが挙げられる。

式（１−１）中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくともこれらのうち一つがビニル基である。

さらに、以上のようなビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）としては、ビニル基含有量が０．０５〜０．２モル％である第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））と、ビニル基含有量が０．５〜１２モル％である第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））とを含有するものであるのが好ましい。エラストマー（Ａ）として、一般的なビニル基含有量を有する第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））と、ビニル基含有量が高い第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂き強度を高めることができる。また、これにより、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物としての耐久性を飛躍的に向上させることができる。

具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）として、例えば、上記式（１−１）において、Ｒ^１がビニル基である単位および／またはＲ^２がビニル基である単位を、０．０５〜０．２モル％含む第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））と、Ｒ^１がビニル基である単位および／またはＲ^２がビニル基である単位を、０．５〜１２モル％含む第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））とを用いるのが好ましい。

また、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））は、ビニル基含有量が０．１〜０．１５モル％であるのが好ましい。また、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））は、ビニル基含有量が、０．８〜８．０モル％であるのが好ましい。

さらに、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））と第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））とを組み合わせて配合する場合、（Ａ−１（ａ））と（Ａ−１（ｂ））の比率は特に限定されないが、通常、質量比で（Ａ−１（ａ））：（Ａ−１（ｂ））が１：０．０５〜１：０．６であるのが好ましく、１：０．０８〜１：０．５であるのがより好ましい。

なお、第１および第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））および（Ａ−１（ｂ））は、それぞれ１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

＜オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）＞
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））とに分類され、本実施形態では、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））だけでもよいし、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））だけでもよいし、これらの直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））の双方を含んでもよい。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））は、直鎖構造を有し、かつ、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有する反応性基に作用し、これらの成分を架橋する重合体である。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））の分子量は特に限定されないが、重量平均分子量が２００００以下であるのが好ましく、１０００以上、１００００以下であることがより好ましい。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））の重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）により測定することができる。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））は、ビニル基を有しないものであることが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））としては、例えば、下記式（２）で表される構造を有するものが好ましく用いられる。

式（２）中、Ｒ^４は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^５は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

なお、式（２）中、複数のＲ^４は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Ｒ^５についても同様である。ただし、複数のＲ^４およびＲ^５のうち、少なくとも２つ以上がヒドリド基である。

また、Ｒ^６は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のＲ^６は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

なお、式（２）中のＲ^４，Ｒ^５，Ｒ^６の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。

さらに、ｍ、ｎは、式（２）で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは２〜５００の整数、ｎは２〜４００の整数であり、２０≦ｍ＋ｎ≦５００である。好ましくは、ｍは２〜３００の整数、ｎは２〜２００の整数であり、４０≦ｍ＋ｎ≦３００である。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））同様、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される各成分の反応性基に作用し、これらの成分を架橋する重合体である。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））の比重は、０．９〜０．９５の範囲である。

さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））としては、下記平均組成式（ｃ）で示されるものが好ましい。

平均組成式（ｃ）
（Ｈ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２）_ｍ（ＳｉＯ_４／２）_ｎ
（式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基、ａは１〜３の範囲の整数、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である）。

式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基であり、好ましくは、炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

式（ｃ）において、ａは、ヒドリド基（Ｓｉに直接結合する水素原子）の数であり、１〜３の範囲の整数であり、好ましくは１である。

また、式（ｃ）において、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Ｓｉの数を１とした時のＳｉに結合するアルキル基Ｒの数（Ｒ／Ｓｉ）が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））では１．８〜２．１、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））では０．８〜１．７の範囲となる。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、１０００℃まで昇温速度１０℃／分で加熱した際の残渣量が５％以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））の具体例としては、下記式（３）で表される構造を有するものが挙げられる。

式（３）中、Ｒ^７は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Ｒ^７の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（３）中、複数のＲ^７は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

また、式（３）中、「−Ｏ−Ｓｉ≡」は、Ｓｉが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））において、Ｓｉに直接結合する水素原子（ヒドリド基）の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、本実施形態において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）中のビニル基１モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））の合計のヒドリド基量が、０．５〜５モルとなる量が好ましく、１〜３．５モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））とでは、通常、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））が主剤として含有され、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は、上述したように、シリコーンゴムにさらに架橋密度が高い領域を形成させる場合に添加される。したがって、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））とを組み合わせて配合する場合、（Ａ−２（ａ））と（Ａ−２（ｂ））の比率は、重量比で（Ａ−２（ａ））：（Ａ−２（ｂ））が好ましくは１：０．１〜１：１に、より好ましくは１：０．２〜１：０．５に設定される。

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるエラストマー（Ａ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体に対して、３０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましく、６０質量％以上であることがさらに好ましい。また、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるエラストマー（Ａ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体に対して、８０質量％以下であることが好ましく、７５質量％以下であることがより好ましく、７０質量％以下であることがさらに好ましい。
エラストマー（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物が適度な柔軟性を持つことができる。また、エラストマー（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物の機械的強度の向上を図ることができる。
なお、本明細書中において、「固形分」とは、水や有機溶媒等の揮発性成分を除去した成分全体を指し、たとえば常温で液体を呈していたとしても、揮発の起こらない成分については、固形分であるものとして合算する。
以下、各成分についても同様である。

（シリカ粒子（Ｂ））
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、必要に応じ、シリカ粒子（Ｂ）を含んでいてもよい。このシリカ粒子（Ｂ）を含ませることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物から形成される硬化物の硬さや機械的強度の向上を図ることができる。

このシリカ粒子（Ｂ）は、比表面積が１０〜４００ｍ^２／ｇであることが好ましく、２０〜４００ｍ^２／ｇであることがより好ましい。また、そのメディアン径Ｄ_５０が１〜１００ｎｍであることが好ましく、５〜２０ｎｍであることがより好ましい。

シリカ粒子（Ｂ）として、かかる比表面積およびメディアン径の範囲内であるものを用いることにより、上述したシリカ粒子（Ｂ）としての機能を顕著に発揮させることができる。
なお、シリカ粒子（Ｂ）の粒径は、たとえば、シリコーンゴム系硬化性組成物あるいはこの硬化物について透過型電子顕微鏡等で観察の上、画像解析を行い、任意に選んだシリカ粒子２００個の平均値として定義することができる。

シリカ粒子（Ｂ）としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等を用いることができる。
なお、シリカ粒子（Ｂ）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるシリカ粒子（Ｂ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体に対して、１０質量％以上であることが好ましく、１５質量％以上であることがより好ましく、２０質量％以上であることがさらに好ましい。また、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるシリカ粒子（Ｂ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体に対して、４０質量％以下であることが好ましく、３５質量％以下であることがより好ましく、３０質量％以下であることがさらに好ましい。
シリカ粒子（Ｂ）の含有量を上記下限値以上、上限値以下とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物が適度な機械的強度を持つことができる。

（シランカップリング剤（Ｃ））
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤（Ｃ）を含んでいてもよい。このシランカップリング剤（Ｃ）は、加水分解性基を有するものであり、この加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｂ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｂ）の表面改質を行うことができる。
その他、シリカ粒子（Ｂ）が存在しない場合であっても、導電部１０、基板２０および被覆層３０の互いの密着性を向上させるという効果を発揮することができる。

また、このシランカップリング剤（Ｃ）は、疎水性基を有するものを用いることができる。これにより、シリカ粒子（Ｂ）の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中において、シリカ粒子（Ｂ）の凝集力が低下し、その結果、該組成物中のシリカ粒子の分散性が向上する。これにより、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物の機械的強度がいっそう向上する。

さらに、シランカップリング剤（Ｃ）は、ビニル基を有しているのが好ましい。これにより、シリカ粒子（Ｂ）を用いる場合にあっては、その表面にビニル基が導入される。
これにより、たとえば、エラストマー（Ａ）として、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）が含まれる場合、以下のような効果が奏される。
すなわち、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク（架橋構造）が形成される際に、シリカ粒子（Ｂ）が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子（Ｂ）も取り込まれるようになる。これにより、形成される硬化物の高硬度化および高モジュラス化を図ることができる。

このようなシランカップリング剤（Ｄ）としては、例えば、下記式（４）で表わされるものが挙げられる。

Ｙ_ｎ−Ｓｉ−（ＯＲ）_４−ｎ・・・（４）
上記式（４）中、ｎは１〜３の整数を表わす。Ｙは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、ｎが１の時は疎水性基であり、ｎが２または３の時はその少なくとも１つが疎水性基である。ＯＲは、加水分解性基を表わす。

疎水性基は、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。

また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤（Ｃ）に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。

さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられる。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式（４）中の（Ｙｎ−Ｓｉ−）の構造を２つ有するものとなる。

上記式（４）で表されるシランカップリング剤（Ｃ）の具体例は、例えば、官能基として疎水性基を有するものとして、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン；メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン；ヘキサメチルジシラザンが挙げられ、官能基としてビニル基を有するものとして、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン； ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン；ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられるが、中でも、上記記載を考慮すると、特に、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンであるのが好ましい。

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるシランカップリング剤（Ｃ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体に対して、２．０質量％以上であることが好ましく、４．０質量％以上であることがより好ましく、６．０質量％以上であることがさらに好ましい。また、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるシランカップリング剤（Ｃ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体に対して、１５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、８質量％以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤（Ｃ）の含有量を上記下限値以上、上限値以下とすることにより、導電部１０、基板２０、被覆層３０が互いに適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子（Ｂ）を用いる場合においては、硬化物全体としての機械的強度の向上に資することができる。

（白金または白金化合物（Ｄ））
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物（Ｄ）を含むことができる。
白金または白金化合物（Ｄ）は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物硬化の際の触媒として作用する成分である。

白金または白金化合物（Ｄ）としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。
なお、白金または白金化合物（Ｄ）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物（Ｄ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体に対して、０．０００５質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．００３質量％以上であることがさらに好ましい。また、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物（Ｄ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体に対して、１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以下であることがさらに好ましい。
白金または白金化合物（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物が適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物を作製する際のコストの削減に資することができる。

（水（Ｅ））
また、本実施形態の導電性組成物には、水（Ｅ）が含まれていてもよい。
これにより、先述のシランカップリング剤（Ｃ）が加水分解を起こし、所望の効能を発現しやすくなる。
なお、この水（Ｅ）の添加量は任意である。

（その他の成分）
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、樹脂組成物に配合される公知の成分を含有していてもよい。例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等が挙げられる。その他、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等を適宜配合することができる。
また、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化性を制御する観点から、適宜反応阻害剤を加えることもできる。

（シリコーンゴム系硬化性組成物の製造方法）
続いて、本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物の製造方法について説明する。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、たとえば、以下に示すような工程を経ることにより製造することができる。

［１］まず、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）と、シリカ粒子（Ｂ）と、シランカップリング剤（Ｃ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置により、混練することで、これら各成分を含有する混練物を得る。

なお、この混練物は、予めビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）とシランカップリング剤（Ｃ）とを混練し、その後、シリカ粒子（Ｂ）を混練（混合）して得るのが好ましい。これにより、シリカ粒子（Ｂ）の分散性がより向上する。

また、この混練物を得る際には、水（Ｅ）を必要に応じて、各成分に添加するようにしてもよい。

ここで、各成分の混練は、第１温度で加熱する第１ステップと、第２温度で加熱する第２ステップとを経るようにするのが好ましい。これにより、第１ステップにおいて、シリカ粒子（Ｂ）の表面をシランカップリング剤（Ｃ）で表面処理することができるとともに、第２ステップにおいて、シリカ粒子（Ｂ）とシランカップリング剤（Ｃ）との反応で生成した副生成物を混練物中から確実に除去することができる。

第１温度は、４０〜１２０℃程度であるのが好ましく、６０〜９０℃程度であるのがより好ましい。第２温度は、１３０〜２１０℃程度であるのが好ましく、１６０〜１８０℃程度であるのがより好ましい。

また、第１ステップにおける雰囲気は、窒素雰囲気下のような不活性雰囲気下であるのが好ましく、第２ステップにおける雰囲気は、減圧雰囲気下であるのが好ましい。

さらに、第１ステップの時間は、０．３〜１．５時間程度であるのが好ましく、０．５〜１．２時間程度であるのがより好ましい。第２ステップの時間は、０．７〜３．０時間程度であるのが好ましく、１．０〜２．０時間程度であるのがより好ましい。

第１ステップおよび第２ステップを、上記のような条件とすることで、前記効果をより顕著に得ることができる。

［２］次に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）と、白金または白金化合物（Ｄ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置を用いて、前記工程［１］で調製した混練物に、これら成分を混練することで、シリコーンゴム系硬化性組成物を得る。

なお、この各成分の混練の際には、予め前記工程［１］で調製した混練物とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）とを、前記工程［１］で調製した混練物と白金または白金化合物（Ｄ）とを混練し、その後、それぞれの混練物を混練するのが好ましい。これにより、各成分を確実に分散させることができる。

この工程［２］において、混練する際の温度は、ロール設定温度として、１０〜７０℃程度であるのが好ましく、２５〜３０℃程度であるのがより好ましい。
さらに、混練する時間は、５分〜１時間程度であるのが好ましく、１０〜４０分程度であるのがより好ましい。

なお、各工程［１］、［２］において使用される混練装置としては、特に限定されないが、例えば、ニーダー、２本ロール、バンバリーミキサー（連続ニーダー）、加圧ニーダー等を用いることができる。

また、本工程［２］において、混練物中に１−エチニル−１−シクロヘキサノールのような反応抑制剤を添加するようにしてもよい。これにより、混練物の温度が比較的高い温度に設定されたとしても、各成分の反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。

次いで、導電性樹脂組成物について、第２のエラストマーがシリコーンゴムを含む場合を例に説明する。

（エラストマー（Ａ））
導電性樹脂組成物は、エラストマー（Ａ）として、シリコーンゴムを含む。導電性樹脂組成物中に含まれるエラストマー（Ａ）としては、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるエラストマー（Ａ）として例示したものを用いることが可能である。また、好ましい条件についても、以下に説明する点を除いてシリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるエラストマー（Ａ）と同じである。

本実施形態において、導電性樹脂組成物中におけるエラストマー（Ａ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、５質量％以上であることが好ましく、７質量％以上であることがより好ましく、１０質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中におけるエラストマー（Ａ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、３０質量％以下であることが好ましく、２５質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以下であることがさらに好ましい。
エラストマー（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性樹脂組成物の硬化物が適度な柔軟性を持つことができる。また、エラストマー（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物の機械的強度の向上を図ることができる。

（シリカ粒子（Ｂ））
本実施形態の導電性樹脂組成物は、必要に応じ、シリカ粒子（Ｂ）を含んでいてもよい。このシリカ粒子（Ｂ）を含ませることにより、導電性樹脂組成物から形成される硬化物の硬さや機械的強度の向上を図ることができる。導電性樹脂組成物中に含まれるシリカ粒子（Ｂ）としては、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるシリカ粒子（Ｂ）として例示したものを用いることが可能である。また、好ましい条件についても、以下に説明する点を除いてシリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるシリカ粒子（Ｂ）と同じである。

本実施形態において、導電性樹脂組成物中におけるシリカ粒子（Ｂ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、２質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、４質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中におけるシリカ粒子（Ｂ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、１５質量％以下であることが好ましく、１２質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましい。
シリカ粒子（Ｂ）の含有量を上記下限値以上、上限値以下とすることにより、導電性樹脂組成物の硬化物が適度な機械的強度を持つことができる。また、シリカ粒子（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物が適度な導電特性を持つことができる。

（シランカップリング剤（Ｃ））
本実施形態の導電性樹脂組成物は、シランカップリング剤（Ｃ）を含んでいてもよい。このシランカップリング剤（Ｃ）は、加水分解性基を有するものであり、この加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｂ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｂ）の表面改質を行うことができる。
その他、シリカ粒子（Ｂ）が存在しない場合であっても、導電部１０と基板２０および被覆層３０との密着性を向上させるという効果を発揮することができる。
導電性樹脂組成物中に含まれるシランカップリング剤（Ｃ）としては、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるシランカップリング剤（Ｃ）として例示したものを用いることが可能である。また、好ましい条件についても、以下に説明する点を除いてシリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるシランカップリング剤（Ｃ）と同じである。

本実施形態において、導電性樹脂組成物中におけるシランカップリング剤（Ｃ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、０．１質量％以上であることが好ましく、０．３質量％以上であることがより好ましく、０．５質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中におけるシランカップリング剤（Ｃ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、５質量％以下であることが好ましく、４質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤（Ｃ）の含有量を上記下限値以上、上限値以下とすることにより、導電部１０が被覆層３０および基板２０と適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子（Ｂ）を用いる場合においては、硬化物全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物である導電部１０が適度な導電特性を持つことができる。

（白金または白金化合物（Ｄ））
本実施形態の導電性樹脂組成物は、白金または白金化合物（Ｄ）を含むことができる。
白金または白金化合物（Ｄ）は、本実施形態の導電性樹脂組成物硬化の際の触媒として作用する成分である。導電性樹脂組成物中に含まれる白金または白金化合物（Ｄ）としては、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれる白金または白金化合物（Ｄ）として例示したものを用いることが可能である。また、好ましい条件についても、以下に説明する点を除いてシリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれる白金または白金化合物（Ｄ）と同じである。

本実施形態において、導電性樹脂組成物中における白金または白金化合物（Ｄ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、０．０００５質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．００３質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中における白金または白金化合物（Ｄ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以下であることがさらに好ましい。
白金または白金化合物（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性樹脂組成物が適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性樹脂組成物を作製する際のコストの削減に資することができる。

（水（Ｅ））
また、本実施形態の導電性組成物には、水（Ｅ）が含まれていてもよい。
これにより、先述のシランカップリング剤（Ｃ）が加水分解を起こし、所望の効能を発現しやすくなる。
なお、この水（Ｅ）の添加量は任意である。

（導電性フィラー）
本実施形態の導電性樹脂組成物は、導電性フィラーを含む。
この導電性フィラーは特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらを合金化した金属粉、導電有機化合物、導電性カーボン材料のうちの少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。

これらのうち、導電性フィラーとしては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。
なお、これらの導電性フィラーは他種金属でコートしたものも使用できる。

本実施形態において、導電性フィラーの形状には制限がないが、樹枝状、球状、リン片状等の従来から用いられているものが使用できる。

本実施形態において、導電性樹脂組成物中における導電性フィラーの含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、６０質量％以上であることが好ましく、６５質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中における導電性フィラーの含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、９０質量％以下であることが好ましく、８８質量％以下であることがより好ましく、８５質量％以下であることがさらに好ましい。
導電性フィラーの含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性樹脂組成物の硬化物が適度な導電特性を持つことができる。また、導電性フィラーの含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物が適度な柔軟性を持つことができる。

（その他の成分）
さらに、本実施形態の導電性樹脂組成物は、上記（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、樹脂組成物に配合される公知の成分を含有していてもよい。例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等が挙げられる。その他、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等を適宜配合することができる。
また、導電性樹脂組成物の硬化性を制御する観点から、適宜反応阻害剤を加えることもできる。

（導電性樹脂組成物の製造方法）
続いて、本実施形態に係る導電性樹脂組成物の製造方法について説明する。
本実施形態の導電性樹脂組成物は、たとえば、以下に示すような工程を経ることにより製造することができる。

まず、シリコーンゴム系硬化性組成物を製造する方法の工程［１］および［２］と同様にして、シリコーンゴム系硬化性組成物を得る。導電性樹脂組成物を製造する方法の、各工程における好ましい条件は、シリコーンゴム系硬化性組成物を製造する方法で説明した条件と同じである。

得られたシリコーンゴム系硬化性組成物を溶媒に溶かし、導電性フィラーを加えることで、導電性樹脂組成物を得ることができる。
ここで用いられる溶媒は、上記の配合物を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。

具体的な溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタンなどのハロアルカン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。
溶媒は、これらのうち一種類を単独で用いても良く、二種類以上の溶媒を任意の比率で混合して用いても良い。

なお、本実施形態では、シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物を用いて導電性樹脂組成物を製造する方法について説明したが、これに限定されず、用いるエラストマーの種類に応じて、公知の方法を適宜用いることができる。

たとえば、第２のエラストマーとしてウレタンゴムを用いる場合には、ウレタンエラストマー粒子の水分散液に対し、導電性フィラーを加えることで、導電性樹脂組成物を製造できる。

配線基板５０において、基板２０を構成するシリコーンゴム系硬化性組成物と、被覆層３０を構成するシリコーンゴム系硬化性組成物とは、同一の組成であっても良いし、互いに異なる組成であってもよい。また、基板２０を構成するシリコーンゴム系硬化性組成物に含まれるエラストマーである第１のエラストマーと、被覆層３０を構成するシリコーンゴム系硬化性組成物に含まれるエラストマーである第３のエラストマーとは、互いに同一であっても良いし、異なっても良い。

第１のエラストマー、第２のエラストマー、および第３のエラストマーのうち、少なくとも１つはビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）の架橋体（ａ）を含むことが好ましく、第１のエラストマー、第２のエラストマー、および第３のエラストマーがいずれもビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）の架橋体（ａ）を含むことがより好ましい。

また、当該架橋体（ａ）は、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）との架橋体であることがより好ましい。

また、第１のエラストマー、第２のエラストマー、および第３のエラストマーのうち、少なくとも１つはシリカ粒子（Ｂ）を含むことが好ましく、第１のエラストマー、第２のエラストマー、および第３のエラストマーがいずれもシリカ粒子（Ｂ）を含むことがより好ましい。

上記配合を調整することにより、本実施形態に係る配線基板５０の１００％モジュラスを設定することができる。配線基板５０の２５℃での１００％モジュラスは、たとえば５．０ＭＰａ以下であり、より好ましくは３．０ＭＰａ以下である。また、配線基板５０の２５℃での１００％モジュラスは例えば０．１ＭＰａ以上である。そのことにより、柔軟性と伸縮性の向上が図れる。配線基板５０の１００％モジュラスは、たとえば引張試験機（島津製作所社製、オートグラフ）を用い、試験片つかみ具の移動速度を５００ｍｍ／ｍｉｎとして測定することができる。

また、上記配合を調整することにより、本実施形態に係る基板２０の引き裂き強さを設定することができる。基板２０の引き裂き強さは、たとえば２０Ｎ／ｍｍ以上であり、より好ましくは３０Ｎ／ｍ以上である。また、基板２０の引き裂き強さはたとえば７０Ｎ／ｍ以下である。そのことにより、耐久性、信頼性の向上が図れる。基板２０の引き裂き強さは、厚みを１ｍｍとした切込みありクレセント形試験片について、ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００７）の方法で測定することができる。測定条件は、たとえば試験片つかみ具の移動速度を５００ｍｍ／ｍｉｎとすることができる。

また、上記配合を調整することにより、本実施形態に係る非伸縮状態での導電部１０の体積抵抗率を設定することができる。当該体積抵抗率は、たとえば１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下であり、より好ましくは３．０×１０^−３Ω・ｃｍ以下であり、さらに好ましくは１．０×１０^−３Ω・ｃｍ以下である。また、当該体積抵抗率は、たとえば１．０×１０^−６Ω・ｃｍ以上である。配線基板５０の機能の信頼性および配線基板５０を用いて作製される電子装置１００の省エネルギー化が図れる。当該体積抵抗率は、たとえば直流電圧・電流源／モニタを用いて導電部の抵抗値を測定し、測定された抵抗値に対して配線パターンの長さ方向に垂直な断面積を乗じ、さらに長さの値で除することで求めることができる。

本実施形態に係る配線基板５０の製造方法について以下に説明する。
当該製造方法は、第１のエラストマーを含む基板２０を準備する工程、第２のエラストマーおよび導電性フィラーを含む導電部１０を設ける工程、および、第３のエラストマーを含む被覆層３０を形成する工程を含む。導電部１０を設ける工程では、基板２０の少なくとも一方の面に導電部１０を設ける。被覆層３０を形成する工程では、導電部１０の基板２０側とは反対側の面の少なくとも一部を被覆するよう被覆層３０を設ける。第１のエラストマーおよび第３のエラストマーは、シリコーンゴムを含む。以下に詳しく説明する。

まず、基板２０を準備する工程では、上記したシリコーンゴム系硬化性組成物を型枠内で熱プレスし、シート化する。この熱プレスにおいては、加熱温度をたとえば１００℃以上２５０℃以下、圧力を５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下、熱プレス時間を１分以上２０分以下とすることができる。

次いで、導電部１０を設ける工程では、基板２０に対し、スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷等の公知の方法により、上記した導電性樹脂組成物をインクとして導電部１０となるパターンを印刷する。それをオーブンで加熱し、導電部１０を形成する。このとき、加熱温度はたとえば１００℃以上３００℃以下とすることができる。また、加熱時間はたとえば１０分以上３０時間以下とすることができる。

次いで、行う被覆層３０を形成する工程は、基板２０、導電部１０、および被覆層形成用樹脂組成物が、この順に積層された積層体を加熱加圧する工程を含む。本実施形態では、具体的には、基板２０の導電部１０を設けた面上に、液状の被覆層形成用樹脂組成物を塗布する。そうすることにより、基板２０、導電部１０、および液状の被覆層形成用樹脂組成物が、この順に積層された積層体が得られる。

液状の被覆層形成用樹脂組成物は、未硬化状態であり、たとえば上記したシリコーンゴム系硬化性組成物を溶剤に溶解した溶液である。または、液状の被覆層形成用樹脂組成物は、以下の様に得られる樹脂組成物であってもよい。まず、上記したシリコーンゴム系硬化性組成物を得る工程［２］において、工程［１］で調製した混練物とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）とを混練して混練物Ａを得る。一方、工程［１］で調製した混練物と白金または白金化合物（Ｄ）とを混練して混練物Ｂを得る。そして、混練物Ａと混練物Ｂを溶媒に添加して混ぜながら溶解させて液状の樹脂組成物が得られる。

ここで、具体的な溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタンなどのハロアルカン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類が挙げられる。溶媒は、これらのうち一種類を単独で用いても良く、二種類以上の溶媒を任意の比率で混合して用いても良い。また、当該溶液におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の濃度は、たとえば２０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下とすることができる。

次いで、この積層体を、加熱加圧して被覆層形成用樹脂組成物を硬化させることにより、配線基板５０が得られる。この加熱加圧において被覆層形成用樹脂組成物から溶媒を揮発させながら、樹脂を硬化することで被覆層３０が形成される。加熱加圧においては、加熱温度をたとえば１００℃以上２５０℃以下、圧力を０．１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下、加熱加圧時間を１分以上２０分以下とすることができる。ここで、基板や配線の損傷を防ぐ観点から、加圧の圧力は０．１ＭＰａ以上５．０ＭＰａ以下とすることがより好ましい。なお、被覆層３０を形成する工程では、マスクパターンを設ける等の方法で、所望の領域にのみ被覆層３０を設けることができる。

（変形例１）
本実施形態に係る配線基板５０の製造方法の変形例１について、以下に説明する。本変形例に係る配線基板５０の製造方法は、被覆層３０を形成する工程の加熱加圧する工程において、基板２０、導電部１０、およびシート状の被覆層形成用樹脂組成物が、この順に積層された積層体を加熱加圧する点以外は、本実施形態に係る配線基板５０の製造方法と同じである。

本変形例では、シート状の被覆層形成用樹脂組成物として、たとえば未硬化の上記シリコーンゴム系硬化性組成物からなるシートを別途準備しておき、基板２０の導電部１０を設けた面上に、液状の被覆層形成用樹脂組成物を塗布する代わりに当該シートを配置して、積層体を得る。当該積層体を、実施形態に係る配線基板５０の製造方法と同様に加熱加圧してシート状の被覆層形成用樹脂組成物を硬化させることにより被覆層３０が形成され、配線基板５０が得られる。

ここで、シート状の被覆層形成用樹脂組成物は、たとえば上記したシリコーンゴム系硬化性組成物を型枠内でプレスし、シート化することにより得られる。このプレスにおいては、温度をたとえば１０℃以上４０℃以下、圧力を０．３ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下、熱プレス時間を１分以上２０分以下とすることができる。得られるシート状の被覆層形成用樹脂組成物はたとえば粘土状の固体であり、未硬化状態である。

本変形例によれば被覆層３０は、積層前にシート状に形成されることにより、液状の樹脂組成物を塗布する場合よりも厚い被覆層３０を容易に形成することができる。このことにより、配線基板５０の耐久性を向上させることができる。

（変形例２）
本実施形態に係る配線基板５０の製造方法の変形例２について、以下に説明する。本変形例に係る配線基板５０の製造方法は、被覆層３０を形成する工程の加熱加圧する工程において、基板２０と、導電部１０と、液状の被覆層形成用樹脂組成物と、第４のエラストマーを含む補助層４０とが、この順に積層された積層体を加熱加圧する点以外は、本実施形態に係る配線基板５０の製造方法と同じである。

具体的には、補助層４０としてのシートを別途準備しておき、基板２０の導電部１０を設けた面上に、実施形態で説明した液状の被覆層形成用樹脂組成物を塗布した後、補助層４０としてのシートをその上に配置して、積層体を得る。ここで、補助層４０は、未硬化状態であっても良いし、硬化されたものであっても良い。補助層４０は第４のエラストマーを含む樹脂組成物により構成される。この第４のエラストマーとしては、たとえばシリコーンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができる。これらの中でも、化学的に安定性、機械的強度に優れる観点から、また、伸縮性向上の観点および基板２０や被覆層３０との密着性向上の観点等から、シリコーンゴムを含むことが好ましい。補助層４０はたとえば上記したシリコーンゴム系硬化性組成物から形成できる。

次いで、当該積層体を実施形態に係る配線基板５０の製造方法と同様に加熱加圧して、配線基板５０が得られる。積層体における補助層４０が未硬化である場合、被覆層形成用樹脂組成物を硬化させる際に、補助層４０も合わせて硬化させることができる。

ここで、補助層４０としてのシートはたとえば上記したシリコーンゴム系硬化性組成物を型枠内で熱プレスし、シート化することにより得られる。この熱プレスにおいては、加熱温度をたとえば１００℃以上２５０℃以下、圧力を０．３ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下、熱プレス時間を１分以上２０分以下とすることができる。

本変形例によれば、補助層４０を有する配線基板５０が作製できるため、配線基板５０の耐久性の向上が図れる。

（変形例３）
本実施形態に係る配線基板５０の製造方法の変形例３について、以下に説明する。本変形例に係る配線基板５０の製造方法は、被覆層３０を形成する工程の加熱加圧する工程において、基板２０と、導電部１０と、シート状の被覆層形成用樹脂組成物と、第４のエラストマーを含む補助層４０とが、この順に積層された積層体を加熱加圧する点以外は、変形例１と同じである。

具体的には、補助層４０としてのシートを別途準備しておき、変形例１で説明したのと同様のシート状の被覆層形成用樹脂組成物を基板２０および導電部１０上に配置した後、補助層４０としてのシートをその上にさらに配置して、積層体を得る。ここで、補助層４０は、未硬化状態であっても良いし、硬化されたものであっても良い。補助層４０としてのシートは、変形例２と同様に準備できる。

次いで、当該積層体を実施形態に係る配線基板５０の製造方法と同様に加熱加圧して、配線基板５０が得られる。

本変形例によれば、変形例１および変形例２と同様の効果が得られる。

なお、本実施形態および各変形例では、被覆層３０を形成する工程において基板２０、導電部１０および被覆層形成用樹脂組成物を含む積層体を加熱加圧する例について説明したが、これに限定されない。例えば、積層体を得た後、加圧せずに加熱して硬化させても良い。その場合、配線基板５０の最上面は必ずしも平坦ではなく、導電部１０や基板２０の形状に起因する曲面からなる凹凸が生じ得る。

本実施形態によれば、材料の配合を調整し、製法上の工夫を行うことにより、より伸縮性、耐久性に優れる配線基板を得ることができる。

電子装置１００は、導電部を設ける工程の後、被覆層を形成する工程の前に基板２０上に電子部品６０を配置し、電子部品６０の電極と導電部１０とを電気的に接続することにより得ることができる。なお、これに限らず、一部に導電部１０が露出した配線基板５０を作製した後に配線基板５０上に電子部品６０を配置し、電子部品６０の電極と導電部１０とを電気的に接続しても良い。

次に、本実施形態の作用および効果について説明する。
本実施形態によれば、基板と被覆層がいずれもシリコーンゴムを含むことにより、耐久性に優れた配線基板を得られる。
以下、参考形態の例を付記する。
１． 第１のエラストマーを含む基板と、
第２のエラストマーおよび導電性フィラーを含み、前記基板の少なくとも一方の面に設けられた導電部と、
第３のエラストマーを含み、前記導電部の前記基板側とは反対側の面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備え、
前記第１のエラストマーおよび前記第３のエラストマーは、シリコーンゴムを含む、配線基板。
２． １．に記載の配線基板において、
前記第２のエラストマーはシリコーンゴムを含む、配線基板。
３． １．または２．に記載の配線基板において、
前記第１のエラストマー、前記第２のエラストマー、および前記第３のエラストマーのうち、少なくとも１つはビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）の架橋体（ａ）を含む、配線基板。
４． ３．に記載の配線基板において、
前記架橋体（ａ）は、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）との架橋体である、配線基板。
５． １．から４．のいずれか一つに記載の配線基板において、
前記第１のエラストマー、前記第２のエラストマー、および前記第３のエラストマーのうち、少なくとも１つはシリカ粒子（Ｂ）を含む、配線基板。
６． １．から５．のいずれか一つに記載の配線基板において、
厚みを１ｍｍとした切込みありクレセント形試験片について、ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００７）の方法で測定した、前記基板の引裂き強さが２０Ｎ／ｍｍ以上である、配線基板。
７． １．から６．のいずれか一つに記載の配線基板において、
伸縮性を有する、配線基板。
８． １．から７．のいずれか一つに記載の配線基板において、
２５℃での１００％モジュラスが５．０ＭＰａ以下である、配線基板。
９． １．から８．のいずれか一つに記載の配線基板および電子部品を含む電子装置。
１０． 第１のエラストマーを含む基板を準備する工程と、
前記基板の少なくとも一方の面に、第２のエラストマーおよび導電性フィラーを含む導電部を設ける工程と、
第３のエラストマーを含み、前記導電部の前記基板側とは反対側の面の少なくとも一部を被覆する被覆層を形成する工程とを含み、
前記第１のエラストマーおよび前記第３のエラストマーは、シリコーンゴムを含む、配線基板の製造方法。
１１． １０．に記載の配線基板の製造方法において、
前記被覆層を形成する工程は、前記基板、前記導電部、および被覆層形成用樹脂組成物がこの順に積層された積層体を加熱加圧する工程を含む、配線基板の製造方法。
１２． １１．に記載の配線基板の製造方法において、
前記加熱加圧する工程では、前記基板、前記導電部、および液状の前記被覆層形成用樹脂組成物が、この順に積層された積層体を加熱加圧する、配線基板の製造方法。
１３． １１．に記載の配線基板の製造方法において、
前記加熱加圧する工程では、前記基板、前記導電部、およびシート状の前記被覆層形成用樹脂組成物が、この順に積層された積層体を加熱加圧する、配線基板の製造方法。
１４． １２．または１３のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法において、
前記加熱加圧する工程では、前記基板と、前記導電部と、前記被覆層形成用樹脂組成物と、第４のエラストマーを含む補助層とが、この順に積層された積層体を加熱加圧する、配線基板の製造方法。

以下、本実施形態を、実施例を参照して詳細に説明する。なお、本実施形態は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

シリコーンゴム系組成物の調整に用いる成分の配合量（重量部）を表１に示す。また、表１中の成分は、以下に示す通りである。表１中、「エラストマー（Ａ）の含有量合計」は、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））および直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））の合計（重量部）である。

第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））：下記式にしたがって合成された、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンを使用した。

すなわち、Ａｒガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する３００ｍＬセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）、２，４，６，８−テトラメチル２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン０．０８６ｇ（０．２５ｍｍｏｌ）およびカリウムシリコネート０．１ｇを入れ、昇温し、１２０℃で３０分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。

その後、１５５℃まで昇温し、３時間攪拌を続けた。そして、３時間後、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン０．１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を添加し、さらに、１５５℃で４時間攪拌した。

さらに、４時間後、トルエン２５０ｍＬで希釈した後、水で３回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール１．５Ｌで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを６０℃で一晩減圧乾燥し、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））を得た（ビニル基含有量０．１３モル％、Ｍｎ＝２７７，７３４、Ｍｗ＝５７３，９０６、ＩＶ値（ｄｌ／ｇ）＝０．８９）。

第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））：２，４，６，８−テトラメチル２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサンを、０．８６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）用いたこと以外、上記（Ａ−１（ａ））と同様にして合成したビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンを使用した。（ビニル基含有量：０．９２モル％）。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））：以下の式（５）で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、商品名「８８４６６」、式（５）において、ｍ＝１４、ｎ＝１１）

シリカ粒子（Ｂ）：日本アエロジル社製、商品名「ＡＥＲＯＳＩＬ３００」、比表面積：３００ｍ^２／ｇ、メディアン径Ｄ_５０：７ｎｍ

シランカップリング剤（Ｃ）：ヘキサメチルジシラザン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）

白金化合物（Ｄ）：ＰＬＡＴＩＮＵＭ ＤＩＶＩＮＹＬＴＥＴＲＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＯＸＡＮＥ ＣＯＭＰＬＥＸ（ｉｎ ｘｙｌｅｎｅ） （Ｇｅｌｅｓｔ社製、商品名「ＳＩＰ６８３１．２」）

水（Ｅ）：純水

反応阻害剤：１−エチニル−１−シクロヘキサノール（東京化成社製）

（実施例１）
［シリコーンゴム系組成物１の作製］
第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））を５２．９重量部、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））を１３．３重量部、シリカ粒子（Ｂ）を２６．５重量部、シランカップリング剤（Ｃ）を６．９重量部、および、水（Ｅ）を３．５重量部、秤量し、その後、混練装置（（株）モリヤマ製、油圧式加圧型ニーダー）により、混練することで、これら各成分を含有する混練物を得た。
なお、ここでの混練は、第１ステップにおいて窒素雰囲気下、６０〜９０℃の条件下で１時間混練し、次いで第２ステップにおいて減圧雰囲気下、１６０℃で１時間混練した。

続いて、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））を０．３重量部、白金化合物（Ｄ）を０．０３重量部、反応阻害剤を０．０６重量部、秤量し、上記で得た混練物にこれら成分をさらに添加し、混練装置（関西ロール社製、ロール機）を用いて混練した。結果、シリコーンゴム系硬化性組成物としてシリコーンゴム系組成物１を得た。

［導電性樹脂組成物１の作製］
上記で得たシリコーンゴム系組成物１を、２．３３倍量のテトラデカンに浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、溶液状とした。この溶液に対し、導電性フィラー１として銀粉（ＤＯＷＡエレクトロニクス社製、商品名「３−８Ｆ」）を加えることで、導電性樹脂組成物１（表２中、組成物「Ｎｏ．１」で示す。）を得た。このとき、導電性樹脂組成物１の固形分１００質量部に対し、シリコーンゴム系組成物１の含有量を１５質量部、導電性フィラー１の含有量を８５質量部とした。

［配線基板の作製］
実施形態に係る製造方法（以下、製法「Ｎｏ．１」と呼ぶ。）で配線基板を製造した。具体的には、シリコーンゴム系組成物１を型枠内で熱プレスし、２０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの寸法にシート化して基板を得た。この熱プレスにおいては、加熱温度を１７０℃、圧力を１０ＭＰａ、熱プレス時間を５分とした。

次いで、基板に対し、スクリーン印刷により、導電性樹脂組成物１をインクとして導電部となるパターンを印刷した。それをオーブンで加熱し、導電部を形成した。このとき、加熱温度は１７０℃、加熱時間は１時間とした。導電部は幅０．５ｍｍ、長さ３０ｍｍ、厚さ５０μｍの配線とし、両端にそれぞれ３ｍｍ×３ｍｍの寸法の電極パッドを設けた。

次いで、基板の導電部を設けた面上の全領域に、シリコーンゴム系組成物１をテトラデカンに３０ｗｔ％の濃度で溶解した溶液を被覆層形成用樹脂組成物として、塗布した。そうすることにより、基板、導電部、および液状の被覆層形成用樹脂組成物の積層体を得た。そして、当該積層体を加熱加圧して、被覆層形成用樹脂組成物を硬化させることにより、配線基板を得た。この加熱加圧においては、加熱温度を１７０℃、圧力を０．５ＭＰａ、加熱加圧時間を５分とした。なお、加熱加圧前の積層体には、電極パッドに接続する導線を挟み込み、外部に引き出しておいた。

［配線基板の評価］
得られた配線基板について、以下の各評価を行った。

＜体積抵抗率＞
（株）エーディーシー製直流電圧・電流源／モニタ（６２４１Ａ）を用いて電極パッド間の抵抗値Ｒ_０を測定し、測定された抵抗値Ｒ_０に対して配線パターンの長さ方向に垂直な断面積を乗じ、さらに長さの値で除することで体積抵抗率を求めた。結果を表２中に、体積抵抗率として示す。なお、この体積抵抗率は後述の耐久性試験を行う前の測定結果である。

＜耐久性＞
得られた配線基板について、配線基板の長さ方向に２０％伸長し、この伸長を解放する操作を１００回行った。この１００回伸長操作を行った後の配線基板について、抵抗値Ｒ_１の測定および導電部の観察を行った。なお、抵抗値Ｒ_１の測定においては（株）エーディーシー製直流電圧・電流源／モニタ（６２４１Ａ）を用いて電極パッド間を測定した。

上記体積抵抗率の評価で測定した初期の抵抗値をＲ_０とし、１００回伸長操作を行った後の抵抗値（非伸縮状態）をＲ_１とした。その上で、以下の様に耐久性を評価した。結果を表１に示す。
×：２０％伸長させた状態で導電部に目視で分かるほどの断線が生じている場合
△：上記「×」に該当せず、かつ、Ｒ_１／Ｒ_０が１００以上の場合
○：上記「×」に該当せず、かつ、Ｒ_１／Ｒ_０が３０以上１００未満の場合
◎：上記「×」に該当せず、かつ、Ｒ_１／Ｒ_０が３０未満の場合

＜引裂き強さ＞
配線基板の基板から厚みを１ｍｍとした切込みありクレセント形試験片を作製し、引き裂き強さをＪＩＳ Ｋ６２５２（２００７）の方法で測定した。測定条件としては、試験片つかみ具の移動速度を５００ｍｍ／ｍｉｎとした。

＜１００％モジュラス＞
配線基板の２５℃での１００％モジュラスを、引張試験機（島津製作所社製、オートグラフ）を用いて測定した。試験片つかみ具の移動速度は５００ｍｍ／ｍｉｎとした。

（実施例２）
変形例１の製造方法（以下、製法「Ｎｏ．２」と呼ぶ。）を用いた以外は、実施例１と同様にして配線基板を得た。具体的には、以下に説明する通りである。

シリコーンゴム系組成物１を型枠内でプレスし、シート化することにより、未硬化状態のシリコーンゴム系組成物１からなるシートを準備した。このプレスにおいて加熱は行わず、常温のプレス板を用いた。また、圧力を２０ＭＰａ、プレス時間を５分とした。

次いで、実施例１と同様にして導電部を設けた基板の面上の、全領域に、当該シートを配置して積層体を得た。そして、実施例１と同様に当該積層体を加熱加圧して当該シートを硬化させることにより、配線基板を得た。

本実施例で得られた配線基板について、実施例１と同様に評価した。

（実施例３）
変形例２の製造方法（以下、製法「Ｎｏ．３」と呼ぶ。）を用いた以外は、実施例１と同様にして配線基板を得た。具体的には、以下に説明する通りである。

加熱温度１７０℃、圧力２０ＭＰａの条件で、シリコーンゴム系組成物１を型枠内で５分間熱プレスし、完全硬化したシートを得た。

次いで、実施例１と同様にして導電部を設けた基板の面上の、全領域に、被覆層となるシリコーンゴム系組成物１の溶液を塗布した後、補助層としての当該シートをその上に配置して、積層体を得た。当該積層体を実施例１と同様に加熱加圧して、配線基板を得た。

本実施例で得られた配線基板について、実施例１と同様に評価した。

（実施例４）
変形例３の製造方法（以下、製法「Ｎｏ．４」と呼ぶ。）を用いた以外は、実施例１と同様にして配線基板を得た。

具体的には、実施例２と同様に未硬化状態のシリコーンゴム系組成物１からなるシートを準備し、実施例２と同様に基板および導電部上に配置した。次いで、実施例３と同様にして準備した完全硬化したシートをその上にさらに配置して、積層体を得た。当該積層体を実施例１と同様に加熱加圧して、配線基板を得た。

本実施例で得られた配線基板について、実施例１と同様に評価した。

（実施例５）
シリコーンゴム系組成物１の代わりに以下のシリコーンゴム系組成物２を用いて基板および被覆層を形成した点、および導電性樹脂組成物１の代わりに以下の導電性樹脂組成物２を用いて導電部を形成した点以外は実施例２と同様にして配線基板を得た。具体的には以下の通りである。

［シリコーンゴム系組成物２の作製］
各成分の配合量を表１の様に変更した以外はシリコーンゴム系組成物１と同様にしてシリコーンゴム系組成物２を得た。
すなわち、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））を４８．２重量部、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））を１２．０重量部、シリカ粒子（Ｂ）を３３．１重量部、シランカップリング剤（Ｃ）を６．３重量部、および、水（Ｅ）を３．２重量部、秤量し、その後、混練装置（（株）モリヤマ製、油圧式加圧型ニーダー）により、混練することで、これら各成分を含有する混練物を得た。
なお、ここでの混練は、第１ステップにおいて窒素雰囲気下、６０〜９０℃の条件下で１時間混練し、次いで第２ステップにおいて減圧雰囲気下、１６０℃で１時間混練した。

続いて、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））を０．３重量部、白金化合物（Ｄ）を０．０３重量部、反応阻害剤を０．０６重量部、秤量し、上記で得た混練物にこれら成分をさらに添加し、混練装置（関西ロール社製、ロール機）を用いて混練した。結果、シリコーンゴム系硬化性組成物としてシリコーンゴム系組成物２を得た。

［導電性樹脂組成物２の作製］
上記で得たシリコーンゴム系組成物２を、２．３３倍量のテトラデカンに浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、溶液状とした。この溶液に対し、導電性フィラー２として銀粉（ＤＯＷＡエレクトロニクス社製、商品名「ＦＡ−Ｄ５」）を加えることで、導電性樹脂組成物２（表２中、組成物「Ｎｏ．２」で示す。）を得た。このとき、導電性樹脂組成物２の固形分１００質量部に対し、シリコーンゴム系組成物２の含有量を２０質量部、導電性フィラー２の含有量を８０質量部とした。

本実施例で得られた配線基板について、実施例１と同様に評価した。

（実施例６）
導電性樹脂組成物１の代わりに以下の導電性樹脂組成物３を用いて導電部を形成した点以外は実施例２と同様にして配線基板を得た。具体的には以下の通りである。

［導電性樹脂組成物３の作製］
上記で得たシリコーンゴム系組成物１を、２．３３倍量のテトラデカンに浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、溶液状とした。この溶液に対し、上記した導電性フィラー２を加えることで、導電性樹脂組成物３（表２中、組成物「Ｎｏ．３」で示す。）を得た。このとき、導電性樹脂組成物３の固形分１００質量部に対し、シリコーンゴム系組成物１の含有量を４０質量部、導電性フィラー２の含有量を６０質量部とした。

本実施例で得られた配線基板について、実施例１と同様に評価した。

（実施例７）
導電性樹脂組成物１の代わりに以下の導電性樹脂組成物４を用いて導電部を形成した点以外は実施例３と同様にして配線基板を得た。具体的には以下の通りである。

［導電性樹脂組成物４の作製］
ウレタンゴム１（住化バイエルウレタン社製、ディスパコールＵ４２：熱可塑性ウレタンエラストマー粒子の水分散液）に対し、上記した導電性フィラー１を加えることで、導電性樹脂組成物４（表２中、組成物「Ｎｏ．４」で示す。）を得た。このとき、導電性樹脂組成物４の固形分１００質量部に対し、ウレタンゴム１の固形分の含有量を１５質量部、導電性フィラー１の含有量を８５質量部とした。

本実施例で得られた配線基板について、実施例１と同様に評価した。

（比較例１）
被覆層を形成しなかった点以外は実施例１と同様にして配線基板を得た。すなわち、基板の上に導電部のみを設けたものを配線基板とした。

本比較例で得られた配線基板について、実施例１と同様に評価した。

（比較例２）
シリコーンゴム系組成物１の代わりに上記のウレタンゴム１を用いて被覆層および補助層を形成した点以外は実施例３と同様にして配線基板を得た。具体的には以下の通りである。

ウレタンゴム１を型に流し込み、２５℃で１２時間静置し乾燥させてウレタンゴムシートを得た。

次いで、実施例１と同様にして導電部を設けた基板の面上の、全領域に、被覆層となるウレタンゴム１（熱可塑性ウレタンエラストマー粒子の水分散液）を塗布した。その後、補助層として上記のウレタンゴムシートをその上に配置し、積層体を得た。当該積層体を実施例１と同様に加熱加圧して、配線基板を得た。

本比較例で得られた配線基板について、実施例１と同様に評価した。

（比較例３）
シリコーンゴム系組成物１の代わりにウレタンゴム１を用いて基板を形成した点、および導電性樹脂組成物１の代わりに上記の導電性樹脂組成物４を用いて導電部を形成した点以外は比較例２と同様にして配線基板を得た。

具体的には、ウレタンゴム１を型に流し込み、２５℃で１２時間静置し乾燥させて得られたウレタンゴムの基板を用いた。

本比較例で得られた配線基板について、実施例１と同様に評価した。

各実施例および比較例の構成、製法、配線基板における被覆層の厚さ、および評価結果等を表２にまとめて示す。なお、製法Ｎｏ．３およびＮｏ．４の実施例については、被覆層と補助層の厚さの和を、「被覆層の厚さ」の欄に記載している。

表２に示した耐久性の結果より、比較例１〜３では、１００回伸長操作によって配線が断線し、伸長時には配線基板が適切に機能しなくなることが分かった。一方、実施例１〜７の配線基板は１００回伸長操作後においても導電性が確保され、耐久性に優れることが確認された。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 導電部
１００ 電子装置
１０１ 第１面
１０２ 第２面
２０ 基板
３０ 被覆層
４０ 補助層
５０ 配線基板
６０ 電子部品

Claims (13)

1. 第１のエラストマーを含む基板と、
   第２のエラストマーおよび導電性フィラーを含む導電性樹脂組成物により構成されており、前記基板の少なくとも一方の面に設けられた導電部と、
   第３のエラストマーを含み、前記導電部の前記基板側とは反対側の面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備え、
   前記第１のエラストマーがシリカ粒子（Ｂ）を含み、
   前記導電性フィラーが銀粉を含み、前記第２のエラストマーがシリコーンゴムを含み、
   前記導電性樹脂組成物中の前記導電性フィラーの含有量が、前記導電性樹脂組成物の固形分全体中、７０質量％以上９０質量％以下であり、
   前記第１のエラストマーおよび前記第３のエラストマーは、シリコーンゴムを含む、配線基板。
2. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記第１のエラストマー、前記第２のエラストマー、および前記第３のエラストマーのうち、少なくとも１つはビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）の架橋体（ａ）を含む、配線基板。
3. 請求項２に記載の配線基板において、
   前記架橋体（ａ）は、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）との架橋体である、配線基板。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の配線基板において、
   前記第２のエラストマー、および前記第３のエラストマーのうち、少なくとも１つはシリカ粒子（Ｂ）を含む、配線基板。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の配線基板において、
   厚みを１ｍｍとした切込みありクレセント形試験片について、ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００７）の方法で測定した、前記基板の引裂き強さが２０Ｎ／ｍｍ以上である、配線基板。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の配線基板において、
   伸縮性を有する、配線基板。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の配線基板において、
   ２５℃での１００％モジュラスが５．０ＭＰａ以下である、配線基板。
8. 請求項１から７のいずれか一項に記載の配線基板および電子部品を含む電子装置。
9. 第１のエラストマーを含む基板を準備する工程と、
   前記基板の少なくとも一方の面に、第２のエラストマーおよび導電性フィラーを含む導電性樹脂組成物により構成された導電部を設ける工程と、
   前記第１のエラストマーがシリカ粒子（Ｂ）を含み、
   前記導電性フィラーが銀粉を含み、前記第２のエラストマーがシリコーンゴムを含み、
   前記導電性樹脂組成物中の前記導電性フィラーの含有量が、前記導電性樹脂組成物の固形分全体中、７０質量％以上９０質量％以下であり、
   第３のエラストマーを含み、前記導電部の前記基板側とは反対側の面の少なくとも一部を被覆する被覆層を形成する工程とを含み、
   前記第１のエラストマーおよび前記第３のエラストマーは、シリコーンゴムを含む、配線基板の製造方法。
10. 請求項９に記載の配線基板の製造方法において、
    前記被覆層を形成する工程は、前記基板、前記導電部、および被覆層形成用樹脂組成物がこの順に積層された積層体を加熱加圧する工程を含む、配線基板の製造方法。
11. 請求項１０に記載の配線基板の製造方法において、
    前記加熱加圧する工程では、前記基板、前記導電部、および液状の前記被覆層形成用樹脂組成物が、この順に積層された積層体を加熱加圧する、配線基板の製造方法。
12. 請求項１０に記載の配線基板の製造方法において、
    前記加熱加圧する工程では、前記基板、前記導電部、およびシート状の前記被覆層形成用樹脂組成物が、この順に積層された積層体を加熱加圧する、配線基板の製造方法。
13. 請求項１１または１２のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
    前記加熱加圧する工程では、前記基板と、前記導電部と、前記被覆層形成用樹脂組成物と、第４のエラストマーを含む補助層とが、この順に積層された積層体を加熱加圧する、配線基板の製造方法。

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