JP6629441B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。より詳しくは、絶縁膜を挟んで複数の階層に電極を有する基板を備える液晶表示装置に関するものである。

液晶表示装置は、液晶表示パネルを備え、複屈折性を有する液晶分子の配向を制御することにより光の透過／遮断（表示のオン／オフ）を制御する機器である。液晶表示装置の表示（液晶配向）モードとしては、正の誘電率異方性を有する液晶分子を基板法線方向から見たときに９０°捩れた状態で配向させるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して垂直配向させる垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード等が挙げられる。また、広視野角特性を得やすい等の理由から、正又は負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して水平配向させて液晶層に対し横電界を印加する面内スイッチング（ＩＰＳ：Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード及びフリンジ電界スイッチング（ＦＦＳ：Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等が注目を集めている。

液晶表示装置の駆動方式としては、画素ごとに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の能動素子を配置し、高画質を実現するアクティブマトリクス型の駆動方式が普及している。ＴＦＴを備える液晶表示装置としては、複数の走査信号線と複数のデータ信号線とを互いに交差するように形成し、これらの交差点ごとにＴＦＴと画素電極とを設けたアクティブマトリクス基板を有するものが挙げられる。一般的な液晶表示装置には、更に、アクティブマトリクス基板又は対向基板に共通電極が設けられ、画素電極と対向電極の一対の電極を通じて液晶層内に電圧が印加されるような仕組みとなっている。

液晶表示装置が備えるアクティブマトリクス基板の一例としては、ガラス基板と、ガラス基板上に形成された走査信号線、データ信号線、ＴＦＴ等の導電部材と、透明電極と、画素電極とを備える構成が挙げられる（例えば、特許文献１〜５）。

特許文献１の実施形態５では、ＦＦＳモードに対応した構成を有する液晶表示パネルにおいて、絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して画素電極に接続されたドレイン引き出し配線と、共通電極と同じ共通電位が供給される補助容量配線とを重畳させる構造が開示されている。特許文献１の液晶表示パネルにおいて、例えば、一部の配線や電極同士がリークすることによって、黒表示となるべき部分が輝点となった場合、ドレイン引き出し配線と補助容量配線とが重なる重畳部にレーザーを照射してレーザーメルトを行うことで、画素電極と共通電極とを同電位として欠陥絵素を黒点化し、欠陥を目立たなくすることができる。

特許文献２では、ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいて、データ信号線と重なる電極の一部に貫通孔（スルーホール）を設け、それと重なる位置をレーザーリペア用の場所として確保することで、レーザー照射を行った部位が再度の欠陥を生じないようにする技術が開示されている。

特許文献３及び４では、４マスク工程によって製作され、データ配線の両側に半導体層が露出する構造を有する、横電界方式の液晶表示装置用のアレイ基板が開示されている。該アレイ基板において、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成し、データ配線の上部に、データ配線と接触しながら半導体層による影響を遮断する第２の遮断パターンを構成することにより、波縞雑音が発生しない高画質の液晶表示装置を製作することができる技術が開示されている。

特許文献５では、走査線、信号線、層間樹脂膜、下電極、電極間絶縁膜、及び、スリット状開口が形成された上電極が形成されたアレイ基板を有する液晶表示パネルにおいて、上電極が表示領域の全面に跨って形成されていると共に、表示領域の周辺部でコモン引き回し配線と電気的に接続されて共通電極として作動し、表示領域には、走査線に平行にコモン線が形成され、上電極がコンタクトホールを経てコモン線に電気的に接続されることにより、表示領域の全サブ画素に跨って形成される共通電極の抵抗を小さくした液晶表示パネルが開示されている。

国際公開第２０１３／０２１９２６号 国際公開第２０１３／０３１８２３号 特開２０１１−１６４６５８号公報 特開２０１１−２０３７４８号公報 特開２０１１−５３４４３号公報

本発明者らは、上述したようなアクティブマトリクス基板をＦＦＳモードの液晶表示装置に適用し、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、これらの基板間に液晶を注入した後の検査工程、又は、アクティブマトリクス基板及び対向基板のいずれかに液晶を滴下し、これらの基板を貼り合わせた後の検査工程において、発見された欠陥を修正する技術について種々の検討を行った。ここで具体的な欠陥とは、例えば、一部の配線や電極同士がリークすることによって、黒表示となるべき部分の表示単位が輝点となる現象が挙げられる。このような欠陥が生じた場合、輝点が発生した画素を黒点化する修正が必要となる。

図１７は、比較形態１に係る液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の平面模式図である。図１８は、比較形態１に係る液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の断面模式図である。図１８は、図１７中に示したｖ−ｗ線に沿った断面を示している。

比較形態１に係る液晶表示装置は、ノーマリブラックのＦＦＳモードの液晶表示装置であり、第一基板１０は、絶縁基板１１上に、走査線１２、第一絶縁膜３１、データ線１３、ＴＦＴ１８、第二絶縁膜３２、画素電極１６、第三絶縁膜３３及び共通電極１５を絶縁基板１１側から順に備え、共通電極１５にはスリット状の開口部１５ａが設けられている。ＴＦＴ１８は、ゲート電極１８ａ、ソース電極１８ｂ、ドレイン電極１８ｃ及び半導体層１８ｆを有している。画素電極１６とドレイン電極１８ｃとはコンタクトホール５１を介して接続されている。共通電極１５及び画素電極１６の材料としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）等の透明導電材料、又はそれらの合金が用いられることが多い。

比較形態１に係る液晶表示装置では、走査線１２とデータ線１３との短絡や、ソース電極１８ｂ（又はデータ線１３）とドレイン電極１８ｃとの短絡等により、画素部で欠陥が生じた場合、画素電極１６をＴＦＴ１８から分離した上で、画素電極１６と共通電極１５とを短絡させることで、画素欠陥を黒点化して目立たなくすることができる。

しかしながら、画素電極１６及び共通電極１５に用いられる透明導電材料及びそれらの合金は、レーザーとほとんど干渉しない。したがって、不透明な金属を用いた場合のようにレーザーエネルギーを吸収させて溶融し、画素電極１６と共通電極１５との間の第三絶縁膜３３を破壊して画素電極１６及び共通電極１５を接続することが困難であった。

図１９は、特許文献１の実施形態５に係る液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板の平面模式図である。図２０は、特許文献１の実施形態５に係る液晶表示パネルの断面模式図である。図２０は、図１９中に示したｘ−ｙ線に沿った断面を示している。

特許文献１の実施形態５に係る液晶表示パネルは、ＦＦＳモードの液晶表示パネルであり、アクティブマトリクス基板１１０と、液晶層１４０と、対向基板１２０とをこの順に備え、アクティブマトリクス基板１１０は、ガラス基板１１１、補助容量配線１１４、第一絶縁膜１３１、ドレイン引き出し配線１１９、第二絶縁膜１３２、共通電極１１５、第三絶縁膜１３３、画素電極１１６及び配向膜１３４を、ガラス基板１１１から液晶層１４０側へ向かって順に備えており、画素電極１１６が共通電極１１５より液晶層１４０側に配置される構成を有している。画素電極１１６にはスリット１１６ａが設けられている。また、特許文献１の実施形態５に係る液晶表示パネルは、ゲートバスライン１１２及びソースバスライン１１３を備えており、ゲートバスライン１１２及びソースバスライン１１３の交点近傍にはＴＦＴ１１８を備えている。ＴＦＴ１１８は、ゲート電極１１８ａ、ソース電極１１８ｂ、ドレイン電極１１８ｃ及び半導体層１１８ｆを有している。対向基板１２０は、ガラス基板１２１と、ガラス基板１２１上の配向膜１２２と備えている。

画素電極１１６とドレイン引き出し配線１１９とはコンタクト部１５３で接続されており、画素欠陥が生じた際には、レーザー照射部１６１にレーザーを照射することで、チタン等の金属でできている補助容量配線１１４及びドレイン引き出し配線１１９を短絡させて、欠陥画素を黒点化することが可能である。

しかしながら、特許文献１の実施形態５に係る液晶表示パネルでは、レーザー照射部１６１とコンタクト部１５３とが同じ場所に位置しているため、コンタクト部１５３として必要な電極形状が限定され、アクティブマトリクス基板１１０における各構成のレイアウトの自由度が低下し、開口率が低下する場合がある。例えば、膜厚が３μｍ程度の有機膜にコンタクトホールを形成する場合、コンタクト部１５３として、８μｍ四方の形状とそれに対応するドレイン引き出し配線１１９の形状が必要となる。

また、特許文献１の実施形態５に係る液晶表示パネルでは、コンタクト部１５３がＴＦＴ１１８から離れているため、ドレイン引き出し配線１１９が断線した場合に画素欠陥が発生しやすい。

更に、特許文献１の実施形態５に係る液晶表示パネルでは、画素電極１１６とドレイン引き出し配線１１９とを接続するために多くのコンタクトホールを絶縁膜に形成する必要があり、コンタクト不良が生じやすい。また、コンタクト部１５３においては、共通電極１１５も除去する必要があるが、共通電極１１５の膜残りが生じると、画素電極１１６と共通電極１１５とが短絡する不良が生じる場合がある。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、欠陥画素を修正するためのレーザーリペアを容易に行うことができる液晶表示装置を提供することを一つ目の目的とし、コンタクト不良及び短絡の発生を抑制可能な液晶表示装置を提供することを二つ目の目的とするものである。

本発明者らは、コンタクト不良及び短絡の発生を抑制する方法、及び、欠陥画素を容易に黒点化する方法について種々の検討を行った。そして、絶縁膜を介して画素電極の上層に共通電極を設けることにより、画素電極及びスイッチング素子の間に配置される絶縁膜の数を減らし、コンタクトホールが形成される絶縁膜の数を減少させることができ、かつ、コンタクトホール形成部において共通電極を除去することなく画素電極をスイッチング素子に接続可能となることを見出した。更に、スイッチング素子及び画素電極に接続された対向電極と、共通配線とを、絶縁膜を介して対向させることで、これらの配線及び電極を、透明導電材料及びそれらの合金以外の材料で構成することが可能なレーザーリペア用の電極として設けることができることを見出した。これにより、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達した。

すなわち、本発明の一態様は、第一基板と、液晶層と、第二基板とをこの順に備える液晶表示装置であって、上記第一基板は、絶縁基板と、走査線と、データ線と、上記走査線及び上記データ線の間に介在する第一絶縁膜と、上記走査線又は上記データ線の延在方向に設けられた共通配線と、上記第一絶縁膜を介して上記共通配線と対向する対向電極と、上記走査線及び上記データ線に接続されたスイッチング素子と、第二絶縁膜と、上記スイッチング素子及び上記対向電極と接続された画素電極と、第三絶縁膜と、開口部が設けられた共通電極とを備え、上記スイッチング素子、上記第二絶縁膜、上記画素電極、上記第三絶縁膜及び上記共通電極は、上記液晶層側に向かってこの順で配置される液晶表示装置であってもよい。

上記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであり、上記対向電極上ではなく、上記薄膜トランジスタのドレイン電極上に設けられたコンタクトホールを介して、上記画素電極は、上記ドレイン電極に接続されてもよい。

上記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであり、上記薄膜トランジスタのドレイン電極上において上記第二絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、上記画素電極は、上記ドレイン電極に接続され、上記第二絶縁膜に設けられた上記コンタクトホールは、上記対向電極に比べて上記薄膜トランジスタにより近い場所に配置されてもよい。

上記コンタクトホールは、上記ドレイン電極からはみ出して設けられていてもよい。

上記第二絶縁膜は、無機膜と、上記無機膜上に積層された有機膜とを含んで構成されてもよい。

上記ドレイン電極は、アルミニウム以外の金属を含む下層と、上記下層上に積層され、かつ、アルミニウムを含む上層とを含んで構成され、上記画素電極は、上記ドレイン電極の上記下層と接触していてもよい。

上記コンタクトホール内において、上記ドレイン電極の上記上層は、上記第二絶縁膜の端部から上記第二絶縁膜の内側に後退した場所に配置されてもよい。

上記第一基板は、上記コンタクトホールに対応する領域に、上記第一絶縁膜上に積層された半導体層を更に備えてもよい。

上記共通電極は、上記対向電極上に配置されてもよい。

上記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであり、上記対向電極は、上記薄膜トランジスタのドレイン電極と同じ層に設けられ、上記対向電極及び上記ドレイン電極と同じ層に設けられたドレイン引き出し配線を介して、上記対向電極は、上記ドレイン電極と接続されてもよい。

上記対向電極上において上記第二絶縁膜に設けられた第二コンタクトホールを介して、上記画素電極は、上記対向電極に接続されてもよい。

上記対向電極は、上記共通配線に直交する方向に上記共通配線からはみ出したはみ出し部分を有し、上記はみ出し部分は、上記共通配線に直交する方向に上記第二コンタクトホールが存在する第一領域と、上記共通配線に直交する方向に上記第二コンタクトホールが存在しない第二領域とを含み、上記共通配線に直交する方向における上記第一領域の幅は、上記共通配線に直交する方向における上記第二領域の幅より小さくてもよい。

上記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであり、上記対向電極は、上記薄膜トランジスタのドレイン電極と同じ層に設けられ、かつ、当該ドレイン電極と分離して配置されてもよい。

上記共通配線は、少なくとも上記第二絶縁膜及び上記第三絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、上記共通電極と接続されてもよい。

少なくとも上記第二絶縁膜及び上記第三絶縁膜に設けられた上記コンタクトホールは、全ての画素に配置されていなくてもよい。

上記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであり、上記画素電極は、上記第二絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、上記薄膜トランジスタと電気的に接続されており、上記第二絶縁膜に設けられた上記コンタクトホールに対応する位置には、上記共通電極が設けられていなくてもよい。

本発明の液晶表示装置によれば、欠陥画素を修正するためのレーザーリペアを容易に行うことができる。

また、本発明の液晶表示装置によれば、コンタクト不良及び短絡の発生を抑制することができる。

実施形態１に係る液晶表示装置の一画素を示した平面模式図である。 実施形態１に係る液晶表示装置の共通電極部分を強調したものである。 実施形態１に係る液晶表示装置の画素電極部分を強調したものである。 実施形態１に係る液晶表示装置のブラックマトリクス部分を強調したものである。 実施形態１に係る液晶表示装置の断面模式図である。 実施形態１に係る液晶表示装置における、ＴＦＴ及びコンタクトホール部の断面模式図である。 実施形態１に係る液晶表示装置の平面模式図であり、一画素の一部を示す。 実施形態１に係る液晶表示装置の平面模式図であり、図４のＡＡで示される部分を拡大した図である。 実施形態１に係る液晶表示装置の平面模式図であり、図４のＢＢで示される部分を拡大した図の一例である。 実施形態１に係る液晶表示装置の平面模式図であり、図４のＢＢで示される部分を拡大した図の一例である。 実施形態１に係る液晶表示装置の第一基板における、共通配線及び対向電極の重畳部の断面模式図である。 実施形態１に係る液晶表示装置における、共通配線の開口部の形状の例を示した平面模式図である。 実施形態１に係る液晶表示装置における、共通配線の開口部の形状の他の例を示した平面模式図である。 実施形態２に係る液晶表示装置の平面模式図である。 実施形態２に係る液晶表示装置の平面模式図であり、ＴＦＴ及びコンタクトホール部を示す。 実施形態２に係る液晶表示装置の第一基板の断面模式図である。 実施形態２の変形例１に係る液晶表示装置の平面模式図である。 実施形態２の変形例２に係る液晶表示装置の平面模式図である。 実施形態３に係る液晶表示装置の平面模式図である。 実施形態３に係る液晶表示装置の第一基板の断面模式図である。 比較形態１に係る液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の平面模式図である。 比較形態１に係る液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の断面模式図である。 特許文献１の実施形態５に係る液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板の平面模式図である。 特許文献１の実施形態５に係る液晶表示パネルの断面模式図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。
なお、以下の説明において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、実施形態に記載された各構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよいし、変更されてもよい。

本明細書において「画素」とは、隣接する２本の走査線（ゲートバスライン）、及び、隣接する２本のデータ線（ソースバスライン）で囲まれる領域を意味する。

本明細書において「領域」とは、第一基板面の法線方向から見たときに、平面だけでなくその奥行きを含む概念である。

以下の実施形態１〜３では、共通配線と対向電極とを短絡させるレーザーリペア処理について説明する。

以下の実施形態１〜３の構成は、例えば、一部の配線や電極同士がリークすることによって、黒表示となるべき部分の表示単位が輝点となる場合において、この輝点が発生した画素を黒点化する際のレーザーリペア処理に効果的である。

以下の実施形態１〜３の表示（液晶配向）モードは、画素電極と共通電極との間で生じる横電界（フリンジ電界と呼ばれるものであってもよい）と、液晶分子をホモジニアス配向に初期配向させる配向処理（ラビング等）を施した水平配向膜と、誘電率異方性が正又は負の液晶分子を利用した、ノーマリブラックの所謂フリンジ電界スイッチング（ＦＦＳ：Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードである。実施形態１〜３は、具体的には、テレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話、カーナビ、インフォメーションディスプレイ等の液晶表示装置に適用することができる。

［実施形態１］
図１−１〜図９に基づき、実施形態１の液晶表示装置について説明する。図１−１は、実施形態１に係る液晶表示装置の一画素を示した平面模式図である。図１−２は、実施形態１に係る液晶表示装置の共通電極部分を強調したものである。図１−３は、実施形態１に係る液晶表示装置の画素電極部分を強調したものである。図１−４は、実施形態１に係る液晶表示装置のブラックマトリクス部分を強調したものである。図２は、実施形態１に係る液晶表示装置の断面模式図である。図３は、実施形態１に係る液晶表示装置における、ＴＦＴ及びコンタクトホール部の断面模式図である。図２は、図１−１中に示したａ−ｂ線に沿った断面を示している。図３は、図１−１中に示したｃ−ｄ線に沿った断面を示している。

実施形態１の液晶表示装置１００Ａは、ノーマリブラックのＦＦＳモードの液晶表示装置である。実施形態１の液晶表示装置１００Ａは、第一基板１０と、液晶層４０と、第二基板２０とをこの順に備え、第一基板１０は、絶縁基板１１と、走査線１２と、データ線１３と、走査線１２及びデータ線１３の間に介在する第一絶縁膜３１と、走査線１２又はデータ線１３の延在方向に設けられた共通配線１４と、第一絶縁膜３１を介して共通配線１４と対向する対向電極１７と、走査線１２及びデータ線１３に接続されたＴＦＴ１８と、第二絶縁膜３２と、ＴＦＴ１８及び対向電極１７と接続された画素電極１６と、第三絶縁膜３３と、開口部１５ａが設けられた共通電極１５とを備え、ＴＦＴ１８、第二絶縁膜３２、画素電極１６、第三絶縁膜３３及び共通電極１５は、液晶層４０側に向かってこの順で配置されている。

図１−１に示したように、実施形態１の液晶表示装置１００Ａは、走査線１２及びデータ線１３を有する第一基板１０を備える。第一基板１０は、アクティブマトリクス基板とも言う。第一基板１０では、走査線１２とデータ線１３とが第一絶縁膜３１を介して互いに交差するように、かつ画素電極１６を囲うように設けられている。走査線１２及びデータ線１３と、画素電極１６とは、一部重なる領域があってもよい。走査線１２とデータ線１３との交点近傍には、スイッチング素子５０としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１８が設けられている。また、第一基板１０及び第二基板２０の間には、ＴＦＴ１８に対応する位置に、一定のギャップを保持し、このギャップ間に液晶層４０を形成するために、サブスペーサ２５及びメインスペーサ２６が設けられている。サブスペーサ２５は、メインスペーサ２６よりも、例えば、０．２μｍ〜１．０μｍ程度高さの低いスペーサである。

走査線１２及びデータ線１３は、スパッタリング法等により、チタン、アルミニウム、モリブデン、銅、クロム等の金属、又は、それらの合金を、単層又は複数層で成膜し、続いて、フォトリソグラフィ法等でパターニングを行うことで形成することができる。

ＴＦＴ１８のゲート電極１８ａは走査線１２の一部で構成され、ＴＦＴ１８のソース電極１８ｂは、データ線１３の直線部分間に設けられたＵ字状部分で構成されており、ＴＦＴ１８は走査線１２及びデータ線１３と接続されている。ＴＦＴ１８のドレイン電極１８ｃからは、ドレイン引き出し配線１９が引き伸ばされている。ドレイン引き出し配線１９は、画素の中央部付近まで延び、対向電極１７と接続されている。ドレイン引き出し配線１９は、後述のスリット状の複数の開口部１５ａと重畳するように延びており、開口部１５ａと交差している。他方、ドレイン電極１８ｃは、いずれの開口部１５ａとも重畳していない。

ＴＦＴ１８を構成するゲート電極１８ａ、ソース電極１８ｂ及びドレイン電極１８ｃは、スパッタリング法等により、チタン、アルミニウム、モリブデン、銅、クロム等の金属、又は、それらの合金を、単層又は複数層で成膜し、続いて、フォトリソグラフィ法等でパターニングを行うことで形成することができる。

共通電極１５は、各画素に共通の電位を供給するものであることから、図１−２に示したように、後述する第三絶縁膜３３を介して、走査線１２及びデータ線１３を覆って、第一基板１０のほぼ全面（フリンジ電界形成用の開口部分及びＴＦＴ１８の領域を除く）に形成されており、対向電極１７上にも配置されることが好ましい。共通電極１５は、第一基板１０の外周部（額縁領域）で外部接続端子と電気的に接続されてもよい。また、各画素において共通電極１５にはスリット状の複数の開口部１５ａが設けられており、これによりフリンジ状の電界を発生させることができる。

画素電極１６は、図１−３に示したように、走査線１２及びデータ線１３で囲まれる領域ごとに配置される、開口が形成されていない面状電極であり、それぞれ略矩形を有している。また、複数の画素電極１６は、マトリクス状に配列されている。

画素電極１６は、対向電極１７上ではなく、ＴＦＴ１８のドレイン電極１８ｃ上に設けられたコンタクトホール５１を介して、ドレイン電極１８ｃに接続される。ここで、ドレイン電極１８ｃとは、ゲート電極１８ａと重畳する部分だけでなく、走査線１２近傍に延長される部分も含むものとする。すなわち、画素電極１６は、ＴＦＴ１８のドレイン電極１８ｃ上において第二絶縁膜３２に設けられたコンタクトホール５１を介して、ドレイン電極１８ｃに接続され、コンタクトホール５１は、対向電極１７に比べてＴＦＴ１８により近い場所に配置される。このような態様とすることで、ドレイン引き出し配線１９のレイアウト制限も少なく、断線による不良も低減することができる。

上述のように、画素電極１６はＴＦＴ１８のドレイン電極１８ｃと接続され、ＴＦＴ１８のドレイン電極１８ｃからはドレイン引き出し配線１９を経由して対向電極１７が形成されており、画素電極１６、ドレイン電極１８ｃ（スイッチング素子５０）及び対向電極１７は互いに電気的に接続された状態にある。

共通電極１５及び画素電極１６は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）等の透明導電材料、又は、それらの合金を、スパッタリング法等により単層又は複数層で成膜して形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることができる。

実施形態１の液晶表示装置１００Ａでは、第三絶縁膜３３を介して共通電極１５を画素電極１６の上層（液晶層４０側）に配置している。画素電極１６を共通電極１５の上層に形成した場合、画素電極１６とドレイン電極１８ｃとを接続するためのコンタクトホール５１においては、共通電極１５も除去する必要があるが、共通電極１５の膜残りが生じると、画素電極１６と共通電極１５とが短絡する不良が生じる。実施形態１の液晶表示装置１００Ａでは、共通電極１５を画素電極１６より上層に配置しており、このような不良が生じにくくなっている。

共通配線１４は、レーザーリペアに用いることができる配線であり、補助容量配線として利用してもよい。共通配線１４は、走査線１２の延在方向に設けられている。なお、本明細書において、共通配線１４が、ある配線の延在方向に設けられるとは、共通配線１４が当該配線と重畳かつ交差することなく、当該配線の延在方向に延在することを意味する。共通配線１４は、当該配線と平行でなくてもよいが、走査線１２と平行に延伸された配線であることが好ましい。また、共通配線１４は、走査線１２と同じ層に配置されることが好ましい。これにより、製造効率が向上する。

実施形態１〜３に係る液晶表示装置では、共通配線１４は走査線１２の延在方向に設けられているが、共通配線１４はデータ線１３の延在方向に設けられてもよく、この場合は、共通配線１４は、データ線１３と平行に延伸された配線であることが好ましい。このような共通配線１４は、走査線１２又はデータ線１３の延在方向における複数の画素に設けられ、それらの画素に共用される。

共通配線１４が走査線１２の延在方向に設けられる場合、実施形態１〜３に係る液晶表示装置のように縦長の画素となることが好ましいが、共通配線１４がデータ線１３の延在方向に設けられる場合は横長の画素となることが好ましい。上記横長の画素としては、例えば、実施形態１〜３に示した縦長の画素の構成に対し、走査線１２の本数を３倍に、データ線１３の本数を３分の１にしたもの（３倍ゲートスキャン）が挙げられる。また、実施形態１〜３に示した縦長の画素の構成に対し、走査線１２の本数を２倍に、データ線１３の本数を２分の１にしたもの（２倍ゲートスキャン）等も挙げられる。

このような横長の画素に本実施形態を適用した場合、例えば、データ線１３の延在方向に設けられ、かつ、走査線１２と同じ層に形成された共通配線１４を、走査線１２と交差する部分では、走査線１２と別の層（例えばデータ線１３と同じ層）に繋ぎ換えてもよい。又は、データ線１３の延在方向に設けられた共通配線１４をデータ線１３と同じ層で形成し、対向電極１７を別の層（例えば走査線１２と同じ層）で形成してもよい。

なお、共通配線１４は、一部に屈曲部、分岐部等を有していてもよい。また、平行に延伸されるとは、本発明の効果を奏する範囲において、実質的に平行に延伸されればよい。

共通配線１４の材料は、透明導電材料及びそれらの合金を除く導電材料であれば、用いるレーザーに応じて適宜選択することができるが、レーザーを効果的に吸収する観点からは、金属であることが好ましい。より具体的には、共通配線１４は、スパッタリング法等により、チタン、アルミニウム、モリブデン、銅、クロム等の金属、又は、それらの合金を、単層又は複数層で成膜し、続いて、フォトリソグラフィ法等でパターニングを行うことで形成することができる。

共通配線１４は、共通電極１５と同じ電位（実質的に同じ電位であればよい）が供給されることが好ましい。これにより、欠陥画素をより確実に黒点化することが可能となる。このような観点から、実施形態１において、共通配線１４は、共通電極１５と接続されている。なお、実施形態１において、共通配線１４は表示領域外で共通電極１５と接続されているが、共通配線１４は表示領域内の複数個所で共通電極１５と接続されてもよい。これにより、共通電極１５を低抵抗化することができるため、共通電極１５の電位をより安定化させ、シャドーイング等の表示不良を抑制することが可能となる。

対向電極１７は、ＴＦＴ１８のドレイン電極１８ｃと同じ層に設けられ、対向電極１７及びドレイン電極１８ｃと同じ層に設けられたドレイン引き出し配線１９を介して、ドレイン電極１８ｃと接続される。対向電極１７は、データ線１３と同じ層に配置されることが好ましい。これにより製造効率が向上する。

対向電極１７の材料は、透明導電材料及びそれらの合金を除く導電材料であれば、用いるレーザーに応じて適宜選択することができるが、レーザーを効果的に吸収する観点からは、金属又は合金であることが好ましい。より具体的には、対向電極１７は、スパッタリング法等により、チタン、アルミニウム、モリブデン、銅、クロム等の金属、又は、それらの合金を、単層又は複数層で成膜し、続いて、フォトリソグラフィ法等でパターニングを行うことで形成することができる。

共通配線１４の一部は、第一絶縁膜３１を介して対向電極１７の少なくとも一部と対向し（重なり）、共通配線１４と対向電極１７とが重なり合う重畳部６２が、レーザーリペア領域として用いることができる。共通配線１４及び対向電極１７には、透明導電材料及びそれらの合金以外の材料を用いることができるため、レーザーリペアを容易に行うことが可能となる。例えば、共通配線１４及び対向電極１７に金属を用いることにより、レーザーリペアをより容易に行うことが可能となる。

対向電極１７は画素電極１６と接続されているため、共通配線１４を共通電極１５と同電位とすることで、重畳部６２にレーザーを照射して対向電極１７及び共通配線１４を接続することにより、共通電極１５及び画素電極１６を同電位とすることが可能となる。共通電極１５及び画素電極１６には透明電極が用いられることが多いため、レーザー照射により両者を直接接続することは困難である。また、第一基板１０と第二基板２０とを貼り合わせ、これらの基板１０及び２０の間に液晶層４０を封入した状態で、共通電極１５と画素電極１６とに高エネルギーのレーザー照射を行った場合、液晶層４０に共通電極１５の破片が飛散したり、配向膜やカラーフィルタ、ブラックマトリクス等が破損するおそれがある。しかしながら、実施形態１の液晶表示装置１００Ａでは、共通配線１４及び対向電極１７に透明導電材料以外の材料を用いることができるため、例えば金属等の材料を用いた共通配線１４及び対向電極１７にレーザーを照射することで、透明電極である共通電極１５及び画素電極１６を同電位とすることができ、配線又は電極間のリーク等により不良となった欠陥画素を容易に黒点化することが可能となる。なお、本実施形態では、共通配線１４は共通電極１５と接続されているため、レーザー照射により対向電極１７を共通配線１４と接続すると、共通電極１５は画素電極１６と短絡し、実質的に同じ電位となる。

走査線１２、データ線１３、共通配線１４、対向電極１７、及び、ＴＦＴ１８を構成するゲート電極１８ａ、ソース電極１８ｂ及びドレイン電極１８ｃ等の各種配線及び電極は、同じ階層に形成されるものについては、それぞれ同じ材料を用いて同じ工程で形成することで製造が効率化される。

図２に示したように、実施形態１の液晶表示装置１００Ａは、第一基板１０と、第二基板２０と、第一基板１０及び第二基板２０に挟持された液晶層４０と、第一基板１０の後方（液晶層４０と反対側）に設けられたバックライト（図示省略）を備える。第二基板２０は、対向基板２０とも言う。

実施形態１の液晶表示装置１００Ａは、第一基板１０と、液晶層４０と、第二基板２０とをバックライト側からこの順に備える。第一基板１０は、第一偏光子（図示省略）、絶縁基板（例えば、ガラス基板）１１、ＴＦＴ１８（図示省略）、第二絶縁膜３２、画素電極１６、第三絶縁膜３３及び共通電極１５を液晶層４０側に向かってこの順で備える。

共通電極１５と画素電極１６とは第三絶縁膜３３を介して積層されており、共通電極１５に設けられた開口部１５ａの下には画素電極１６が存在する。これにより、画素電極１６と共通電極１５の間に電位差を生じさせると、共通電極１５の開口部１５ａの周囲にフリンジ状の電界が発生する。

第二基板２０は、対向基板であり、液晶層４０側に向かって、第二偏光子（図示省略）、絶縁基板（例えば、ガラス基板）２１、ブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３及びオーバーコート層２４が積層された構造を有する。第一偏光子及び第二偏光子は、いずれも吸収型偏光子であり、互いの偏光軸が直交したクロスニコルの配置関係にある。

絶縁基板１１、２１の材料としては、ガラスの他に、プラスチック等、透明なものであれば特に限定されない。

液晶層４０は液晶組成物を含んでいる。実施形態１の液晶表示装置１００Ａは、液晶層４０に対して電圧を印加し、印加した電圧に応じて液晶組成物中の液晶分子の配向状態を変化させることにより、光の透過量を制御するものである。

第一基板１０及び第二基板２０は、通常では、液晶層４０の周囲を囲むように設けられたシール材（図示省略）によって貼り合わされ、第一の基板１０、第二の基板２０及びシール材によって液晶層４０が所定の領域に保持される。シール材としては、例えば、無機フィラー又は有機フィラー及び硬化剤を含有するエポキシ樹脂等を用いることができる。

液晶表示装置１００Ａは、第一基板１０、液晶層４０及び第二基板２０の他に、位相差フィルム、視野角拡大フィルム、輝度向上フィルム等の光学フィルム；ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）、ＰＣＢ（プリント配線基板）等の外部回路；ベゼル（フレーム）等の部材を備えるものであってもよい。これらの部材については特に限定されず、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができるので、説明を省略する。

液晶表示装置１００Ａの表示（液晶配向）モードは、フリンジ電界スイッチング（ＦＦＳ：Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードである。

図１−１〜図１−４及び図２には図示していないが、第一基板１０及び／又は第二基板２０の液晶層４０側の表面には、通常、水平配向膜が設けられる。水平配向膜は、膜近傍に存在する液晶分子を膜面に対して平行に配向させる機能を有する。更に、水平配向膜によれば、第一基板１０に対して平行に配向した液晶分子の長軸の向きを、特定の面内方位に揃えることができる。水平配向膜は、光配向処理、ラビング処理等の配向処理が施されたものが好適である。水平配向膜は、無機材料からなる膜であってもよいし、有機材料からなる膜であってもよい。

画素電極１６と共通電極１５の間に電圧が印加されない電圧無印加状態（以下、単にオフ状態とも言う。）における液晶分子の配向は、第一基板１０に対して平行に制御される。「平行」とは、完全な平行だけでなく、当該技術分野において平行と同視可能な範囲（実質的な平行）を含む。液晶分子のプレチルト角（オフ状態における傾斜角）は、第一基板１０の表面に対して３°未満であることが好ましく、１°未満であることがより好ましい。

画素電極１６と共通電極１５の間に電圧が印加された電圧印加状態（以下、単にオン状態とも言う。）では、液晶層４０に電圧が印加され、液晶分子の配向は、第一基板１０に設けた画素電極１６、第三絶縁膜３３及び共通電極１５の積層構造によって制御される。ここで、画素電極１６は、一画素毎に設けられる電極であり、共通電極１５は、複数の画素で共用される電極である。なお、「画素」とは、１つの画素電極１６に対応する領域を意味し、一画素を分割して駆動する場合には、「サブ画素（サブピクセル）」、「ドット」又は「絵素」と呼ばれるものであってもよい。

実施形態１の液晶表示装置１００Ａでは、例えば、１８．５型ＨＤ（ＨＤ：Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）に相当するドットサイズである１００μｍ×３００μｍのもの等が用いられる。

液晶表示装置１００Ａの動作について説明する。
オフ状態において液晶層４０中には電界が形成されず、液晶分子は、第一基板１０に対して平行に配向する。液晶分子の配向方位が第一偏光子及び第二偏光子の一方の偏光軸と平行であり、第一偏光子及び第二偏光子がクロスニコルの配置関係にあることから、オフ状態の液晶表示装置１００Ａは光を透過せず、黒表示が行われる（ノーマリーブラックモード）。

オン状態において液晶層４０中には、画素電極１６と共通電極１５の電圧の大きさに応じた電界が形成される。具体的には、画素電極１６よりも液晶層４０側に設けられた共通電極１５に開口部１５ａが形成されていることにより、開口部１５ａの周囲にフリンジ状の電界が発生する。液晶分子は、電界の影響を受けて回転し、オフ状態の配向方位からオン状態の配向方位へと配向方位を変化させる。これによって、オン状態の液晶表示装置１００Ａは光を透過し、白表示が行われる。

図３は、実施形態１に係る液晶表示装置における、ＴＦＴ及びコンタクトホール部の断面模式図である。図３は、図１−１中に示したｃ−ｄ線に沿った断面を示している。

ＴＦＴ１８は、ゲート電極１８ａ、ソース電極１８ｂ、ドレイン電極１８ｃ及び半導体層１８ｆを有し、ゲート電極１８ａは走査線１２と、ソース電極１８ｂはデータ線１３と、ドレイン電極１８ｃは画素電極１６とそれぞれ接続されている。

画素電極１６は、第二絶縁膜３２に形成したコンタクトホール５１を介して、ＴＦＴ１８のドレイン電極１８ｃと接続されている。なお、ドレイン電極１８ｃと接続されたドレイン引き出し配線１９は、画素の中央部付近まで延び、対向電極１７と接続されていることから、画素電極１６はドレイン電極１８ｃだけでなく対向電極１７とも、コンタクトホール５１を介して電気的に接続されている。共通電極１５と画素電極１６との間には第三絶縁膜３３が設けられ、ゲート電極１８ａと半導体層１８ｆとは、第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）３１を介して互いに重なっている。

第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）３１及び第三絶縁膜３３としては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）等の無機膜（比誘電率ε＝５〜７）や、それらの積層膜を用いることができる。第二絶縁膜３２は無機膜３２ａと、無機膜３２ａ上に積層された有機膜３２ｂとを含むことが好ましい。これにより、データ線１３と画素電極１６との間の寄生容量や、データ線１３と共通電極１５との間の寄生容量を低減することが可能となり、かつ、データ線１３と共通電極１５とが短絡してしまうのを抑えることが可能となる。有機膜３２ｂの膜厚は、略１〜４μｍであることが好ましい。無機膜３２ａとしては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）等の無機膜（比誘電率ε＝５〜７）や、それらの積層膜が好適であり、有機膜３２ｂとしては、例えば、感光性アクリル樹脂等の無機膜３２ａよりも比誘電率の小さい有機膜（比誘電率ε＝３〜４）が好適である。

第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）３１の膜厚は、０.０５μｍ〜０．６μｍであることが好ましく、第三絶縁膜３３の膜厚は０．１μｍ〜１．０μｍであることが好ましい。また、第二絶縁膜３２は、膜厚０．１μｍ〜１．０μｍの無機膜３２ａと、膜厚１μｍ〜４μｍの有機膜３２ｂとを含むことが好ましい。

ＴＦＴ１８のソース電極１８ｂ及びドレイン電極１８ｃは、絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介さず、半導体層１８ｆの直上に形成されている。ソース電極１８ｂは半導体層１８ｆを介してドレイン電極１８ｃと接続されており、走査線１２を通じてゲート電極１８ａに入力される走査信号によって半導体層１８ｆ（チャネル）を流れる電流のオン／オフが制御され、データ線１３を通じてソース電極１８ｂ、半導体層１８ｆ、ドレイン電極１８ｃ、ドレイン引き出し配線１９、及び、画素電極１６の順に入力されるデータ信号の伝達が制御される。

ＴＦＴ１８の半導体層１８ｆは、例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン等からなる高抵抗半導体層と、アモルファスシリコンにリン等の不純物をドープしたｎ＋アモルファスシリコン等からなる低抵抗半導体層とによって構成される。なお、半導体層１８ｆの材料として、酸化亜鉛等の酸化物半導体を用いてもよい。半導体層１８ｆの形状はＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により成膜後、フォトリソグラフィ法等によりパターニングを行い、決定することができる。

図４〜図６−１を用いて画素欠陥の修復方法について説明する。図４は、実施形態１に係る液晶表示装置の平面模式図であり、一画素の一部を示す。図５は、実施形態１に係る液晶表示装置の平面模式図であり、図４のＡＡで示される部分を拡大した図である。図６−１は、実施形態１に係る液晶表示装置の平面模式図であり、図４のＢＢで示される部分を拡大した図の一例である。

共通電極１５は、走査線１２と同一の層で形成した共通配線１４に表示領域周辺部で接続され、画素電極１６は、データ線１３と同一の層で形成した対向電極１７に画素内で接続されている。画素欠陥が生じて、共通電極１５と画素電極１６とをレーザー照射により溶融して接続し、画素を黒点化する必要が生じた場合は、例えば、図５に示すように、共通配線１４及び対向電極１７の重畳部６２における×部分に向けて、第一基板１０の背面からレーザーを照射することができる。

ここで、画素欠陥が生じて修正が必要な場合とは、例えば、ＴＦＴ１８のソース電極１８ｂとドレイン電極１８ｃとが短絡した場合であり、このような場合には、図６−１における切断箇所Ａにレーザーを照射して画素電極１６をＴＦＴ１８から切り離した上で、重畳部６２にレーザーを照射することにより、共通配線１４と対向電極１７とを溶融して接続する。

また、走査線１２とデータ線１３とが短絡した場合は、図６−１における切断箇所Ａに加えて、切断箇所Ｂにおいてもレーザーを照射してデータ線１３を切断した上で、重畳部６２にレーザーを照射する。更に、切断したデータ線１３のうち、ドライバ（図示省略）からのデータ信号が入力されなくなったデータ線部分には、表示領域外に形成したバイパス配線（図示省略）を利用して、信号入力を行う。実施形態１の液晶表示装置１００Ａのように、共通配線１４を走査線１２及びデータ線１３の交差部から離れた位置（画素の中央部付近）に配置することにより、走査線１２とデータ線１３とが短絡した場合、図６−１における切断箇所Ｂでデータ線１３を切断し、画素欠陥の修正を容易にすることが可能となる。

切断箇所Ａ及びＢは適宜決められるが、例えば意図しないリークの発生等の二次欠陥が生じないように、切断する層以外の層に形成した構造物を避けるよう切断箇所を決めることが好ましい。例えば、図６−１では切断箇所Ｂの周囲１５μｍの範囲において他の配線や電極層を形成しておらず、切断箇所Ａ及びＢの周囲１０〜２０μｍの範囲には、他の配線や、共通電極１５等の電極層を形成しないことが好ましい。

なお、レーザー照射部６１では、共通電極１５及び画素電極１６が配置されている。この部分は、画素欠陥を修正するために接続すべき箇所であるため、レーザー照射によりリークしたとしても問題ない。特に、液晶分子の配向安定性を考慮した場合、レーザー照射部６１、すなわち重畳部６２に共通電極１５を配置することが好ましい。

図６−１ではコンタクトホール５１に共通電極１５を配置しているが、コンタクトホール５１の周囲の遮光が充分に確保できる場合は、コンタクトホール５１に共通電極１５を配置しなくてもよい。第二絶縁膜３２（特に有機膜３２ｂ）が厚く、コンタクトホール５１の傾斜が急峻な場合、第三絶縁膜３３のクラック等が生じやすく、共通電極１５と画素電極１６との間で短絡が生じる場合がある。コンタクトホール５１に共通電極１５を配置しないことにより、歩留まりを向上することができる。

図６−２は、実施形態１に係る液晶表示装置の平面模式図であり、図４のＢＢで示される部分を拡大した図の一例である。上述のように、コンタクトホール５１の周囲の遮光が充分に確保できる場合は、図６−２に示したように、コンタクトホール５１に共通電極１５を配置しなくてもよい。この場合、平面視において共通電極１５がコンタクトホール５１と重ならないように、コンタクトホール５１上には共通電極の開口部１５ｂが形成される。コンタクトホール５１の輪郭部分と共通電極の開口部１５ｂの輪郭部分との平面視における距離は、コンタクトホール５１のテーパとフォトリソグラフィ法を実施する際のアライメントズレを考慮して、例えば２μｍ以上とすることが好ましい。上記平面視における距離について、水平方向（行方向）の距離１５ｃは、例えば６μｍとすることができ、垂直方向（列方向）の距離１５ｄは、例えば８．５μｍとすることができる。

図４、図５及び図７を用いてレーザー照射部６１について説明する。図７は実施形態１に係る液晶表示装置の第一基板における、共通配線及び対向電極の重畳部の断面模式図である。図７は、図４中に示したｅ−ｆ線に沿った断面を示している。

図５に示すように、対向電極１７は、共通配線１４からはみ出して形成されている。これは、図７に示すように、第一基板１０側からレーザー照射する際に、照射位置を確認しやすくするためである。以下に具体的に説明する。

実施形態１の液晶表示装置１００Ａにおいて、共通配線１４は、共通電極１５の開口部１５ａの向きが互いに異なる隣接する２つの領域に境界部、すなわち、画素電極１６と共通電極１５の間に電圧を印加した時の液晶分子の回転方向が互いに異なる隣接する２つの領域の境界部に配置されている。これは、表示部としての寄与が低い境界部に、共通配線１４を配置することにより、透過率の低下を抑えるためである。更にこの境界部は、オン状態における液晶分子の配向方位が互いに異なる２つの領域の境界部であるため、応答速度が遅く、コントラストの低下や残像の原因となる。このため、対向基板２０に、図１−４及び図５に示したようなブラックマトリクス（遮光膜）２２を配置することがある。

レーザー照射の際、ブラックマトリクス２２があると、対向基板２０側からはレーザーを照射する位置を確認できないため、第一基板１０の背面側から照射位置を確認する必要がある。ここで、対向電極１７はデータ線１３と同じ層で形成されており、走査線１２と同じ層で形成されている共通配線１４より第一基板１０の背面側から離れた位置に形成されている。したがって、対向電極１７を共通配線１４の内側に形成すると、レーザー照射位置を確認することができない。このため、レーザー照射部６１において、対向電極１７は、共通配線１４からはみ出して形成されている。

図８は、実施形態１に係る液晶表示装置における、共通配線の開口部の形状の例を示した平面模式図であり、図９は、実施形態１に係る液晶表示装置における、共通配線の開口部の形状の他の例を示した平面模式図である。レーザー照射位置を確認するための他の方法としては、図８に示すように、共通配線１４に開口部１４ａを設け、開口部１４ａの一部に対向電極１７を重畳させる方法、図９に示すように、共通配線１４に開口部１４ａを設け、開口部１４ａの全体に対向電極１７を重畳させる方法等が挙げられる。

実施形態１の液晶表示装置１００Ａにおいて修正のために好適に用いられるレーザーの種類としては、ネオジムヤグレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧ Ｌａｓｅｒ：Ｎｅｏｄｙｍｉｕｍ Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ Ｌａｓｅｒ）が挙げられ、例えばＨＯＹＡ社製のレーザー発振器ＨＳＬ４０００ＩＩを用いて修正を行ってもよい。

［実施形態２］
実施形態２の液晶表示装置２００Ａは、共通電極１５の開口部１５ａの配置、コンタクトホール５１の配置及び構造が異なる点以外は、実施形態１の液晶表示装置１００Ａと同様の構成を有する。そこで、本実施形態では、本実施形態に特有の３つの特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については適宜説明を省略する。

実施形態２の液晶表示装置２００Ａにおける１つ目の特徴について説明する。図１０は実施形態２に係る液晶表示装置の平面模式図である。実施形態２の液晶表示装置２００Ａでは、走査線１２及びデータ線１３で囲まれた１つの画素において、図１０の点線で囲まれた４つの領域が存在している。４つの領域の各々において、共通電極１５の開口部１５ａの向きは同一であり、隣接する領域における開口部１５ａの向きは互いに異なっている。電圧印加時の液晶分子の回転方向は、共通電極１５の開口部１５ａの向きによって決定されるため、実施形態２に係る液晶表示装置２００Ａでは、隣接する領域における液晶分子の配向方位が互いに異なる４つの領域が存在している。

実施形態２の液晶表示装置２００Ａの１点目の特徴について更に説明する。液晶表示装置の視野角を補償するために、電圧印加時に１画素内の液晶分子を複数の方位へ回転させ、隣接する領域において液晶分子の回転方位が互いに異なる複数の液晶ドメインを形成することがある。実施形態１のように大きい画素サイズ（例えば１００μｍ×３００μｍ）の液晶表示装置に電圧を印加して複数の液晶ドメインを形成する場合、この液晶ドメインの数が少ない、すなわち、オン状態における液晶分子の配向状態が同じとなる領域が大きいと、配向領域が縞状（帯状）となって目視されることがある。そこで実施形態２の液晶表示装置２００Ａでは、オン状態における液晶分子の配向状態が同じとなる領域を小さくするために、オン状態に４つの液晶ドメインが形成されるように、共通電極１５の４つの領域にスリット状の開口部１５ａを設け、４つの領域を形成している境界のひとつに共通配線１４を配置している。

実施形態２の液晶表示装置２００Ａにおける２つ目の特徴について説明する。実施形態２の液晶表示装置２００Ａでは、画素電極１６とＴＦＴ１８とを電気的に接続するコンタクトホール５１が、共通配線１４及び対向電極１７の重畳部６２上にも配置されている。すなわち、対向電極１７上において第二絶縁膜３２に設けられた第二コンタクトホール５１を介して、画素電極１６は、対向電極１７に接続される。この場合においても、対向電極１７は共通配線１４からはみ出して形成されている。

図１０に示すように、対向電極１７は、共通配線１４に直交する方向に共通配線１４からはみ出したはみ出し部分６４を有し、はみ出し部分６４は、共通配線１４に直交する方向に第二コンタクトホール５１が存在する第一領域６４ａと、共通配線１４に直交する方向に第二コンタクトホール５１が存在しない第二領域６４ｂとを含み、共通配線１４に直交する方向における第一領域６４ａの幅（図１０の左側の上下矢印間の距離参照）は、共通配線１４に直交する方向における第二領域６４ｂの幅（図１０の右側の上下矢印間の距離参照）より小さい。このように、第二コンタクトホール５１が設けられている側のはみ出し部分６４の量を小さくすることで、第二コンタクトホール５１の位置を判別することができるようにしている。

実施形態２の液晶表示装置２００Ａの２点目の特徴について更に説明する。実施形態２の液晶表示装置２００Ａでは、画素電極１６とＴＦＴ１８とを電気的に接続する経路を、１画素あたり２つ確保することができる。これにより、画素電極１６とＴＦＴ１８との接続不良による画素欠陥を低減することができ、歩留まりを向上させることが可能となる。なお、画素サイズの小さい液晶表示装置はレイアウト上の制限を受けやすく、複数のコンタクトホール５１を設けることで開口率が低下する場合があるが、画素サイズの大きな液晶表示装置においてはレイアウト上の制限は少なく、開口率の低下も少ない。

他方、共通配線１４及び対向電極１７の重畳部６２上に第二コンタクトホール５１が配置される場合、第二コンタクトホール５１を形成する際に対向電極１７の外側で第一絶縁膜３１が完全にエッチングされると、共通配線１４と画素電極１７とが短絡してしまう。そこで、図１０に示すように、ＴＦＴ１８を構成する半導体層１８ｆとは独立して、第二コンタクトホール５１を形成する領域にも島状の半導体層１８ｆを設けることにより、第一絶縁膜３１がエッチングされるのを抑制することが可能となる。

実施形態２の液晶表示装置２００Ａにおける３つ目の特徴は、ＴＦＴ１８の近傍に形成された、画素電極１６とＴＦＴ１８とを電気的に接続するコンタクトホール５１の構造である。実施形態２の液晶表示装置２００Ａでは、画素電極１６とＴＦＴ１８とを接続するコンタクトホール５１が、ドレイン電極１８ｃからはみ出して設けられている。

実施形態２の液晶表示装置２００Ａの３点目の特徴について、図１１及び図１２を用いてより詳細に説明する。図１１は、実施形態２に係る液晶表示装置の平面模式図であり、ＴＦＴ及びコンタクトホール部を示す。図１２は、実施形態２に係る液晶表示装置の第一基板の断面模式図である。図１２は、図１１中に示したｇ−ｈ線に沿った断面を示している。

図１２に示すように、ドレイン電極１８ｃは、アルミニウム以外の金属を含む下層１８ｅと、下層１８ｅ上に積層され、かつ、アルミニウムを含む上層１８ｄを含んで構成される。下層１８ｅは、チタン等のアルミニウム以外の金属を含んで構成される。また、ＴＦＴ１８を構成する半導体層１８ｆとは独立して、コンタクトホール５１を形成する領域に島状の半導体層１８ｆが配置されている。コンタクトホール５１を形成する領域に配置された半導体層１８ｆは、高抵抗半導体層１８ｆ_ａの上に低抵抗半導体層１８ｆ_ｂが積層された構成を有する。高抵抗半導体層１８ｆ_ａは、例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン、酸化物半導体等を含み、低抵抗半導体層１８ｆ_ｂはアモルファスシリコンにリン等の不純物をドープしたｎ＋アモルファスシリコン等を含む。

第二絶縁膜３２は、無機膜３２ａと、無機膜３２ａ上に積層された有機膜３２ｂとを有する。第二絶縁膜３２にコンタクトホール５１を形成する際に、第二絶縁膜３２を構成する上層の有機膜３２ｂのパターンで、下層の無機膜３２ａと第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）３１とをエッチングする場合において、画素電極１６とＴＦＴ１８との接続を良好にするために、図１２に示すように、ドレイン電極１８ｃの上層１８ｄのアルミニウムを取り除き、ドレイン電極１８ｃの下層１８ｅと画素電極１６とを、下層１８ｅの上面（液晶層側の面）及び側面で接触させ、矢印Ｃに示すような画素電極１６及びドレイン電極１８ｃの接続経路を確保することできる。

この場合、図１２のＣＣの領域に示すように、コンタクトホール５１内において、ドレイン電極１８ｃの上層１８ｄは、第二絶縁膜３２の端部から第二絶縁膜３２の内側に後退した場所に配置され、画素電極１６が不連続になりやすい。したがって、画素電極１６とＴＦＴ１８との接続経路を確保するために、コンタクトホール５１をドレイン電極１８ｃからはみ出させて形成することが有効であるが、第二絶縁膜３２の無機膜３２ａをエッチングする際に、第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）３１をエッチングしてしまう場合がある。そこで、第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）３１のエッチング保護膜として、コンタクトホール５１に対応する領域に、第一絶縁膜３１上に積層された半導体層１８ｆを更に設けることが有効である。すなわち、図１２のＤＤの領域に示すように、コンタクトホール５１を形成する領域に、半導体層１８ｆを第一絶縁膜３１上に配置することで、第一絶縁膜３１がエッチングされるのを抑制することが可能となる。他方、第一絶縁膜３１が完全にエッチングされて絶縁基板１１が露出すると、絶縁基板１１からドレイン電極１８ｃへ乗り上げる部分で画素電極１６が不連続になりやすい。

コンタクトホール部の半導体層１８ｆは、ＴＦＴ１８の半導体層１８ｆと同じ工程で形成される。コンタクトホール部の半導体層１８ｆは、対向電極１７又はドレイン電極１８ｃと第二絶縁膜３２とに覆われていない領域では、実施形態２の液晶表示装置２００Ａの完成品において部分的に残る場合もあり、完全になくなったうえで、第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）３１の一部がエッチングされる場合もある。部分的に残る場合としては、例えば、低抵抗半導体層１８ｆｂのみ除去されて高抵抗半導体層１８ｆａの少なくとも一部が残る場合が挙げられる。

以上のような実施形態２の液晶表示装置２００Ａにおいても、実施形態１の液晶表示装置１００Ａと同じく、画素欠陥が生じた場合に、重畳部６２にレーザーを照射することで、欠陥画素を容易に黒点化することが可能である。

［実施形態２の変形例１］
図１３は、実施形態２の変形例１に係る液晶表示装置の平面模式図である。実施形態２の変形例１に係る液晶表示装置２００Ａでは、２つのコンタクトホール５１を接続するドレイン引き出し配線１９が設けられていない。実施形態２の変形例１に係る液晶表示装置２００Ａでは、対向電極１７は、ＴＦＴ１８のドレイン電極１８ｃと同じ層に設けられ、ＴＦＴ１８と対向電極１７とは画素電極１６を介して接続されているため、対向電極１７は、ドレイン電極１８ｃと分離して配置することが可能となる。これにより、液晶表示装置２００Ａの開口率を向上させることができる。

［実施形態２の変形例２］
図１４は、実施形態２の変形例２に係る液晶表示装置の平面模式図である。実施形態２の変形例２に係る液晶表示装置２００Ａでは、画素内に、第一絶縁膜３１、第二絶縁膜３２及び第三絶縁膜３３を貫通し、共通配線１４と共通電極１５とを接続する共通配線接続用コンタクトホール５２が設けられている。共通配線接続用コンタクトホール５２の外側には、画素電極１６の開口部１６ａが設けられ、共通配線接続用コンタクトホール５２は、開口部１６ａ内に形成されている。実施形態２の変形例２に係る液晶表示装置２００Ａでは、表示領域の周囲のみで共通電極１５を共通配線１４と接続する場合に比べて、共通電極１５の電位を安定させやすく、例えば、データ線１３との寄生容量による電位の揺れを小さくすることができる。また、シャドーイング等の表示不良も抑制することができる。

なお、実施形態２の変形例２に係る液晶表示装置２００Ａで示した、共通配線１４と共通電極１５とを接続する共通配線接続用コンタクトホール５２は、必ずしも全ての画素に配置する必要はなく、例えば、特定の画素のみに配置されてもよい。より具体的には、青色画素のみに配置するといった複数色のサブ画素のうちの特定の色のサブ画素のみに配置する構成によっても、一定の効果を得ることができる。共通配線接続用コンタクトホール５２を配置した場合、特に、画素の大きさが小さいと開口率（透過率）が低下する場合がある。共通配線接続用コンタクトホール５２を配置する画素を限定することで、透過率の低下を抑制しつつ、シャドーイング等の表示不良を抑制できる。

また、共通配線１４をデータ線１３と同じ層で形成した場合は、共通配線コンタクトホール５２は、第一絶縁膜３１を貫通する必要はなく、第二絶縁膜３２及び第三絶縁膜３３を貫通すればよい。

［実施形態３］
図１５は、実施形態３に係る液晶表示装置の平面模式図である。実施形態１及び実施形態２の液晶表示装置１００Ａ及び２００Ａでは、欠陥画素を容易に黒点化する効果について述べたが、実施形態３に係る液晶表示装置３００Ａでは、他の効果について説明する。

共通配線１４と対向電極１７とが重畳する重畳部６２は、第一絶縁膜３１を介して補助容量を形成することができる。補助容量は、液晶容量と並列に接続され、画素電極１６に係る寄生容量や、電圧保持期間中の電荷抜けによるフリッカ、シャドーイング、輝度変化等の表示不良を抑制するために設けられる。実施形態１及び２の液晶表示装置１００Ａ及び２００Ａにおいて、共通配線１４は共通電極１５と接続されているが、実施形態３の液晶表示装置３００Ａにおける共通配線１４は、共通電極１５に接続されていてもよいし、他の定電位配線に接続されていてもよく、共通電極１５とは異なる電圧が印加されてもよい。

図１６は、実施形態３に係る液晶表示装置の第一基板の断面模式図である。図１６は、図１５中に示したｉ−ｊ線に沿った断面を示している。

補助容量は、第三絶縁膜３３を介して共通電極１５と画素電極１６との間で形成される。補助容量の大きさは、第三絶縁膜３３の膜厚を変えるほか、共通電極１５の開口部１５ａの形状（スリットの幅等）を変えること等で調整することが可能であるが、補助容量の大きさを変更するためにこれらの方法を用いた場合、液晶分子を駆動させるための電界や歩留まりに与える影響が大きいため、製品ごとに調整することは困難である。

しかしながら、実施形態１〜３に係る液晶表示装置１００Ａ、２００Ａ及び３００Ａは、比較形態１に係る液晶表示装置とは異なり、共通配線１４と対向電極１７との重畳部６２において、追加の補助容量を形成している。このため、製造条件を製品ごとに変更せずに（例えば、第三絶縁膜３３の膜厚を製品ごとに変更することなく）、重畳部６２の形状や面積を調整することで、容易に補助容量を調整することができ、フリッカやシャドーイング等の表示不良を抑制することが可能となる。

このとき、欠陥画素の修正は目的とせず、補助容量の形成のみを目的とした場合、共通配線１４を共通電極１５と同じ電位にする必要はない。したがって、この場合、共通配線１４は、共通電極１５とは別の定電位配線に接続されていてもよい。共通配線１４を共通電極１５とは異なる電位の定電位配線に接続した場合、共通配線１４の電位を調整することで、補助容量を介して画素電極１６の電位を調整し、液晶層４０に印加される電圧を調整することができるため、ムラ等を改善することが可能となる。なお、欠陥画素の修正が必要になった場合は、共通配線１４に共通電極１５と同じ電位を印加すれば、レーザーリペアを容易に行うことができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、説明された個々の事項は、すべて本発明全般に対して適用され得るものである。

［付記］
本発明の一態様は、第一基板１０と、液晶層４０と、第二基板２０とをこの順に備える液晶表示装置１００Ａ、２００Ａ、３００Ａであって、第一基板１０は、絶縁基板１１と、走査線１２と、データ線１３と、走査線１２及びデータ線１３の間に介在する第一絶縁膜３１と、走査線１２又はデータ線１３の延在方向に設けられた共通配線１４と、第一絶縁膜３１を介して共通配線１４と対向する対向電極１７と、走査線１２及びデータ線１３に接続されたスイッチング素子５０と、第二絶縁膜３２と、スイッチング素子５０及び対向電極１７と接続された画素電極１６と、第三絶縁膜３３と、開口部１５ａが設けられた共通電極１５とを備え、スイッチング素子５０、第二絶縁膜３２、画素電極１６、第三絶縁膜３３及び共通電極１５は、液晶層４０側に向かってこの順で配置される液晶表示装置であってもよい。

このように、第三絶縁膜３３を介して画素電極１６の上層に共通電極１５を設けることにより、画素電極１６及びスイッチング素子５０の間に配置される絶縁膜の数を減らし、コンタクトホール５１が形成される絶縁膜の数を減少させ、画素電極１６とスイッチング素子５０とのコンタクト不良を改善することが可能となる。また、第三絶縁膜３３を介して画素電極１６の上層に共通電極１５を設けることにより、コンタクトホール形成部において共通電極１５を除去することなく画素電極１６をスイッチング素子５０に接続できることから、画素電極１６と共通電極１５との短絡を低減することができる。更に、スイッチング素子５０及び画素電極１６と接続された対向電極１７と、共通配線１４とを、第一絶縁膜３１を介して対向させることで、これらの共通配線１４及び対向電極１７を、透明導電材料及びそれらの合金以外の材料で構成することが可能なレーザーリペア用の電極として設けることができる。その結果、欠陥画素の修正が必要な場合は、共通配線１４を共通電極１５と同程度の電位（好ましくは共通電極１５と同じ電位）とし、レーザー照射により対向電極１７を共通配線１４と接続することによって、レーザーリペアを容易に行うことが可能となる。

スイッチング素子５０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１８であり、対向電極１７上ではなく、ＴＦＴ１８のドレイン電極１８ｃ上に設けられたコンタクトホール５１を介して、画素電極１６は、ドレイン電極１８ｃに接続されてもよい。この態様によれば、ドレイン引き出し配線１９のレイアウト制限も少なく、断線による不良も低減することができる。

スイッチング素子５０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１８であり、ＴＦＴ１８のドレイン電極１８ｃ上において第二絶縁膜３２に設けられたコンタクトホール５１を介して、画素電極１６は、ドレイン電極１８ｃに接続され、第二絶縁膜３２に設けられたコンタクトホール５１は、対向電極１７に比べてＴＦＴ１８により近い場所に配置されてもよい。この態様によれば、ドレイン引き出し配線１９のレイアウト制限も少なく、断線による不良も低減することができる。

コンタクトホール５１は、ドレイン電極１８ｃからはみ出して設けられていてもよい。この態様によれば、画素電極１６とＴＦＴ１８との接続不良による画素欠陥を低減することができ、歩留まりを向上させることが可能となる。

第二絶縁膜３２は、無機膜３２ａと、無機膜３２ａ上に積層された有機膜３２ｂとを含んで構成されてもよい。この態様によれば、データ線１３と画素電極１６との間の寄生容量、及び、データ線１３と共通電極１５との間の寄生容量を低減することが可能である、かつ、データ線１３と共通電極１５とが短絡してしまうのを抑えることが可能となる。

ドレイン電極１８ｃは、アルミニウム以外の金属を含む下層１８ｅと、下層１８ｅ上に積層され、かつ、アルミニウムを含む上層１８ｄとを含んで構成され、画素電極１６は、ドレイン電極１８ｃの下層１８ｅと接触していてもよい。この態様によれば、画素電極１６とドレイン電極１８ｃとの接続をより確実に行うことが可能である。

コンタクトホール５１内において、ドレイン電極１８ｃの上層１８ｄは、第二絶縁膜３１の端部から第二絶縁膜３１の内側に後退した場所に配置されてもよい。これにより、画素電極１６は、ドレイン電極１８ｃの下層１８ｅにより確実に接触させることができる。

第一基板１０は、コンタクトホール５１に対応する領域に、第一絶縁膜３１上に積層された半導体層１８ｆを更に備えてもよい。この態様によれば、第二絶縁膜３２をエッチングする際に、第一絶縁膜３１がエッチングされるのを抑制することが可能となる。他方、第一絶縁膜３１が完全にエッチングされて絶縁基板１１が露出すると、絶縁基板１１からドレイン電極１８ｃへ乗り上げる部分で画素電極１６が不連続になりやすい。

共通電極１５は、対向電極１７上に配置されてもよい。この態様によれば、オン状態における液晶分子の配向安定性を向上させることができる。

スイッチング素子５０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１８であり、対向電極１７は、ＴＦＴ１８のドレイン電極１８ｃと同じ層に設けられ、対向電極１７及びドレイン電極１８ｃと同じ層に設けられたドレイン引き出し配線１９を介して、対向電極１７は、ドレイン電極１８ｃと接続されてもよい。この態様によれば、対向電極１７とＴＦＴ１８との接続をより確実なものにすることができる。

対向電極１７上において第二絶縁膜３２に設けられた第二コンタクトホール５１を介して、画素電極１６は、対向電極１７に接続されてもよい。この態様によれば、画素電極１６と対向電極１７との接続をより確実なものにすることができる。

対向電極１７は、共通配線１４に直交する方向に共通配線１４からはみ出したはみ出し部分６４を有し、はみ出し部分６４は、共通配線１４に直交する方向に第二コンタクトホール５１が存在する第一領域６４ａと、共通配線１４に直交する方向に第二コンタクトホール５１が存在しない第二領域６４ｂとを含み、共通配線１４に直交する方向における第一領域６４ａの幅は、共通配線１４に直交する方向における第二領域６４ｂの幅より小さくてもよい。この態様によれば、第一基板１０側からコンタクトホール５１の位置を判別することが容易となる。

スイッチング素子５０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１８であり、対向電極１７は、ＴＦＴ１８のドレイン電極１８ｃと同じ層に設けられ、かつ、ドレイン電極１８ｃと分離して配置されてもよい。この態様によれば、開口率をより高めることが可能となる。

共通配線１４は、少なくとも第二絶縁膜３２及び第三絶縁膜３３に設けられたコンタクトホール（共通配線用コンタクトホール）５２を介して、共通電極１５と接続されてもよい。この態様によれば、表示領域の周囲のみで共通電極１５を共通配線１４と接続する場合に比べて、共通電極１５の電位を安定させやすく、例えば、データ線１３との寄生容量による電位の揺れを小さくすることができる。また、シャドーイング等の表示不良も抑制することができる。

少なくとも第二絶縁膜３２及び第三絶縁膜３３に設けられたコンタクトホール（共通配線接続用コンタクトホール）５２は、全ての画素に配置されていなくてもよい。この態様によれば、共通配線接続用コンタクトホール５２を配置する画素を限定することで、透過率の低下を抑制しつつ、シャドーイング等の表示不良を抑制できる。

スイッチング素子５０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１８であり、画素電極１６は、第二絶縁膜３２に設けられたコンタクトホール５１を介して、薄膜トランジスタ１８と電気的に接続されており、第二絶縁膜３２に設けられたコンタクトホール５１に対応する位置には、共通電極１５が設けられていなくてもよい。この態様によれば、共通電極１５と画素電極１６との間で生じる短絡を抑制することができ、歩留まりを向上させることができる。

１０：第一基板
１１、２１：絶縁基板
１２：走査線
１３：データ線
１４：共通配線
１４ａ：共通配線の開口部
１５：共通電極
１５ａ：共通電極の開口部
１５ｂ：コンタクトホール上の共通電極の開口部
１５ｃ：コンタクトホールの輪郭部分と共通電極の開口部の輪郭部分との平面視における水平方向の距離
１５ｄ：コンタクトホールの輪郭部分と共通電極の開口部の輪郭部分との平面視における垂直方向の距離
１６：画素電極
１６ａ：画素電極の開口部
１７：対向電極
１８：ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１８ａ：ゲート電極
１８ｂ：ソース電極
１８ｃ：ドレイン電極
１８ｄ：上層
１８ｅ：下層
１８ｆ：半導体層
１８ｆ_ａ：高抵抗半導体層
１８ｆ_ｂ：低抵抗半導体層
１９：ドレイン引き出し配線
２０：第二基板
２２：ブラックマトリクス
２３：カラーフィルタ
２４：オーバーコート層
２５：サブスペーサ
２６：メインスペーサ
３１：第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）
３２：第二絶縁膜
３２ａ：無機膜
３２ｂ：有機膜
３３：第三絶縁膜
４０：液晶層
５０：スイッチング素子
５１：コンタクトホール（画素電極とドレイン電極又は対向電極とを接続するために設けられたコンタクトホール）
５２：コンタクトホール（共通電極と共通配線とを接続するために設けられた共通配線接続用コンタクトホール）
６１：レーザー照射部
６２：重畳部
６４：はみ出し部分
６４ａ：はみ出し部分の第一領域
６４ｂ：はみ出し部分の第二領域
Ａ、Ｂ：切断箇所
Ｃ：画素電極とドレイン電極との接続経路
ＡＡ：重畳部及びその周辺
ＢＢ：ＴＦＴ及びその周辺
ＣＣ：画素電極が不連続になりやすい領域
ＤＤ：半導体層がエッチング保護膜として機能する領域
１００Ａ、２００Ａ、３００Ａ：液晶表示装置
１１０：アクティブマトリクス基板
１１１：ガラス基板
１１２：ゲートバスライン
１１３：ソースバスライン
１１４：補助容量配線
１１５：共通電極
１１６：画素電極
１１６ａ：画素電極のスリット
１１８：ＴＦＴ
１１８ａ：ゲート電極
１１８ｂ：ソース電極
１１８ｃ：ドレイン電極
１１８ｆ：半導体層
１１９：ドレイン引き出し配線
１２０：対向基板
１２１：ガラス基板
１２２：配向膜
１３１：第一絶縁膜
１３２：第二絶縁膜
１３３：第三絶縁膜
１３４：配向膜
１４０：液晶層
１５３：コンタクト部
１６１：レーザー照射部

Claims (16)

1. 第一基板と、液晶層と、第二基板とをこの順に備える液晶表示装置であって、
   前記第一基板は、絶縁基板と、
   走査線と、
   データ線と、
   前記走査線及び前記データ線の間に介在する第一絶縁膜と、
   前記走査線又は前記データ線の延在方向に設けられた共通配線と、
   前記第一絶縁膜を介して前記共通配線と対向する対向電極と、
   前記走査線及び前記データ線に接続されたスイッチング素子と、
   第二絶縁膜と、
   前記スイッチング素子及び前記対向電極と接続された画素電極と、
   第三絶縁膜と、
   開口部が設けられた共通電極とを備え、
   前記スイッチング素子、前記第二絶縁膜、前記画素電極、前記第三絶縁膜及び前記共通電極は、前記液晶層側に向かってこの順で配置されることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであり、
   前記対向電極上ではなく、前記薄膜トランジスタのドレイン電極上に設けられたコンタクトホールを介して、前記画素電極は、前記ドレイン電極に接続されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであり、
   前記薄膜トランジスタのドレイン電極上において前記第二絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記画素電極は、前記ドレイン電極に接続され、
   前記第二絶縁膜に設けられた前記コンタクトホールは、前記対向電極に比べて前記薄膜トランジスタにより近い場所に配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
4. 前記コンタクトホールは、前記ドレイン電極からはみ出して設けられていることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
5. 前記第二絶縁膜は、無機膜と、前記無機膜上に積層された有機膜とを含んで構成されることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記ドレイン電極は、アルミニウム以外の金属を含む下層と、
   前記下層上に積層され、かつ、アルミニウムを含む上層とを含んで構成され、
   前記画素電極は、前記ドレイン電極の前記下層と接触することを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶表示装置。
7. 前記コンタクトホール内において、前記ドレイン電極の前記上層は、前記第二絶縁膜の端部から前記第二絶縁膜の内側に後退した場所に配置されることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 前記第一基板は、前記コンタクトホールに対応する領域に、前記第一絶縁膜上に積層された半導体層を更に備えることを特徴とする請求項４〜７のいずれかに記載の液晶表示装置。
9. 前記共通電極は、前記対向電極上に配置されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の液晶表示装置。
10. 前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであり、
    前記対向電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と同じ層に設けられ、
    前記対向電極及び前記ドレイン電極と同じ層に設けられたドレイン引き出し配線を介して、前記対向電極は、前記ドレイン電極と接続されることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の液晶表示装置。
11. 前記対向電極上において前記第二絶縁膜に設けられた第二コンタクトホールを介して、前記画素電極は、前記対向電極に接続されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
12. 前記対向電極は、前記共通配線に直交する方向に前記共通配線からはみ出したはみ出し部分を有し、
    前記はみ出し部分は、前記共通配線に直交する方向に前記第二コンタクトホールが存在する第一領域と、前記共通配線に直交する方向に前記第二コンタクトホールが存在しない第二領域とを含み、
    前記共通配線に直交する方向における前記第一領域の幅は、前記共通配線に直交する方向における前記第二領域の幅より小さいことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
13. 前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであり、
    前記対向電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と同じ層に設けられ、かつ、当該ドレイン電極と分離して配置されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の液晶表示装置。
14. 前記共通配線は、少なくとも前記第二絶縁膜及び前記第三絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記共通電極と接続されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
15. 少なくとも前記第二絶縁膜及び前記第三絶縁膜に設けられた前記コンタクトホールは、全ての画素に配置されていないことを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
16. 前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであり、
    前記画素電極は、前記第二絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記薄膜トランジスタと電気的に接続されており、
    前記第二絶縁膜に設けられた前記コンタクトホールに対応する位置には、前記共通電極が設けられていないことを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の液晶表示装置。

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