JP5519389B2 - Support pin - Google Patents

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Description

本発明は、半導体製造プロセスに用いられるウェハあるいはウェハを載置させるサセプタを支持する支持ピンに関する。   The present invention relates to a support pin for supporting a wafer used in a semiconductor manufacturing process or a susceptor on which a wafer is placed.

従来、半導体製造プロセスにおいて、加熱されたウェハあるいはウェハを載置させるサセプタを支持する目的で、セラミック部材からなる柱状の支持ピンが用いられている。この支持ピンには、耐熱性が要求されることにより、炭化珪素が用いられることが多い。しかし、炭化珪素は、耐熱性に優れた素材ではあるが、熱伝導率が高く熱容量も大きいために、ウェハの熱を吸収してしまうことによって、ウェハに熱を伝え難くなるという問題があり、その問題を解決する方法が考えられている。   Conventionally, in a semiconductor manufacturing process, columnar support pins made of a ceramic member are used for the purpose of supporting a heated wafer or a susceptor on which the wafer is placed. Since the support pins are required to have heat resistance, silicon carbide is often used. However, although silicon carbide is a material with excellent heat resistance, it has a problem that it is difficult to transfer heat to the wafer by absorbing the heat of the wafer because of its high thermal conductivity and large heat capacity. A method for solving the problem is considered.

例えば、放電加工法により薄肉中空形状部を設ける支持ピン（導電性セラミックス成形品）の製造方法が知られている（例えば特許文献１参照）。   For example, a manufacturing method of a support pin (conductive ceramic molded product) in which a thin hollow portion is provided by an electric discharge machining method is known (for example, see Patent Document 1).

特開２００４−１６０５７６号公報JP 2004-160576 A

しかしながら、上述した従来の支持ピンには、次のような問題があった。すなわち、この製造方法によると、放電電極を導電性セラミックス塊に当接し、放電電極を回転させつつ当接面に対して水平方向に揺動させながら、当接面に対して垂直方向（長手方向）に移動させるという非常に細緻な加工が必要となる。すなわち、導電性セラミックス塊を長手方向に沿って孔を空ける方法は、その加工が難しく、また完成品の精度を高めるためには多くの作業時間が必要となり、結果として支持ピンの製造コストが高くなってしまう。   However, the conventional support pins described above have the following problems. That is, according to this manufacturing method, the discharge electrode is brought into contact with the conductive ceramic mass, and the discharge electrode is rotated in the horizontal direction with respect to the contact surface while being rotated. ) Is required to be very finely processed. That is, the method of drilling holes along the longitudinal direction of the conductive ceramic mass is difficult to process, and requires a lot of work time to improve the accuracy of the finished product, resulting in high manufacturing cost of the support pins. turn into.

そこで、本発明は、加工が容易なため、支持ピンを製造するための作業時間を短縮することができるとともに、製造コストを抑制することが可能となる支持ピンの提供を目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to provide a support pin that can be easily processed and can reduce the work time for manufacturing the support pin and can reduce the manufacturing cost.

上述した課題を解決するため、本発明は、次のような特徴を有している。まず、本願発明の第１の特徴は、半導体製造プロセスにおいて、ウェハ（ウェハＷ）あるいはウェハを載置させるサセプタ（サセプタ２０）を支持する支持ピン（支持ピン１）であって、支持ピンは、長手方向の端部の間に、前記長手方向に沿って延び、前記長手方向に直交する方向に沿って、前記支持ピンを貫通するスリット状の孔（第１孔１１，第２孔１２）が形成されていることを要旨とする。   In order to solve the above-described problems, the present invention has the following features. First, the first feature of the present invention is a support pin (support pin 1) that supports a wafer (wafer W) or a susceptor (susceptor 20) on which a wafer is placed in a semiconductor manufacturing process. Between the end portions in the longitudinal direction, slit-like holes (first hole 11 and second hole 12) extending along the longitudinal direction and penetrating the support pins along the direction orthogonal to the longitudinal direction. The gist is that it is formed.

かかる特徴によれば、肉厚を均一にしつつ、長手方向に沿って孔が形成される従来の支持ピンに比べて、長手方向の長さよりも短い長手方向に直交する方向に沿って孔を形成するため加工が容易となる。従って、加工が容易なため、支持ピンを製造するための作業時間を短縮することができるとともに、精度の高い支持ピンを形成することができる。結果として支持ピンを製造するコストを抑制することが可能となる。   According to such a feature, the hole is formed along the direction orthogonal to the longitudinal direction, which is shorter than the length in the longitudinal direction, compared to the conventional support pin in which the hole is formed along the longitudinal direction while making the thickness uniform. Therefore, processing becomes easy. Therefore, since processing is easy, the working time for manufacturing the support pin can be shortened, and a highly accurate support pin can be formed. As a result, the cost for manufacturing the support pin can be suppressed.

本発明の第２の特徴は、本発明の第１の特徴に係り、支持ピンには、スリット状の孔が複数形成されており、複数形成されたスリット状の孔のうち、一つのスリット状の孔は、長手方向に直交する断面において、他のスリット状の孔と交差することを要旨とする。   The second feature of the present invention is related to the first feature of the present invention, wherein the support pin has a plurality of slit-shaped holes, and one slit-shaped of the plurality of formed slit-shaped holes. The gist of this hole is that it intersects with other slit-like holes in a cross section perpendicular to the longitudinal direction.

かかる特徴によれば、支持ピンには、複数のスリット状の孔が形成されているため、スリット状の孔が形成されていない場合と比べて、支持ピンを構成する炭化珪素の量が少ない。このため、支持ピンの熱容量を抑制することができる。すなわち、半導体製造プロセスにおいて、ウェハを加熱するための熱が支持ピンに伝導してしまうことによって、ウェハに対する加熱が不十分となってしまうことを抑制できる。その結果、ウェハに対して十分な熱を供給することが可能となる。   According to such a feature, since the support pin has a plurality of slit-shaped holes, the amount of silicon carbide constituting the support pin is small as compared with the case where the slit-shaped holes are not formed. For this reason, the heat capacity of the support pin can be suppressed. That is, in the semiconductor manufacturing process, heat for heating the wafer is conducted to the support pins, so that it is possible to suppress heating of the wafer from being insufficient. As a result, sufficient heat can be supplied to the wafer.

本発明の第３の特徴は、本発明の第１または２の特徴に係り、支持ピンは、円柱形状であることを要旨とする。   A third feature of the present invention relates to the first or second feature of the present invention, and is summarized in that the support pin has a cylindrical shape.

かかる特徴によれば、支持ピンの径方向の長さは、支持ピンの長手方向全体に渡って同一である。このため、スリット状の孔を支持ピンに形成する工程において、放電電極等の加工装置を径方向に移動させる細緻な加工が必要がなく、長手方向に沿って移動させるだけで、スリット状の孔を形成することができる。その結果、支持ピンを製造するための作業時間を短縮することができる。   According to this feature, the length of the support pin in the radial direction is the same over the entire length of the support pin. For this reason, in the process of forming the slit-shaped hole in the support pin, there is no need for fine processing for moving the processing device such as the discharge electrode in the radial direction, and the slit-shaped hole can be simply moved along the longitudinal direction. Can be formed. As a result, the work time for manufacturing the support pin can be shortened.

本発明の第４の特徴は、本発明の第１乃至第３の特徴に係り、支持ピンは、炭化珪素によって形成されていることを要旨とする。   A fourth feature of the present invention relates to the first to third features of the present invention, and is summarized in that the support pin is formed of silicon carbide.

かかる特徴によれば、炭化珪素は耐熱性が高いため、半導体製造プロセスにおいて、ウェハを加熱するための熱が支持ピンに伝導した場合でも、支持ピンは安定した形状を保つことができる。従って、ウェハあるいはウェハを載置させるサセプタを安定して支持することが可能となる。   According to such a feature, since silicon carbide has high heat resistance, even when heat for heating the wafer is conducted to the support pins in the semiconductor manufacturing process, the support pins can maintain a stable shape. Therefore, the wafer or the susceptor on which the wafer is placed can be stably supported.

本発明の特徴によれば、加工が容易なため、製造するための作業時間を短縮することができるとともに、製造コストを抑制することが可能となる支持ピンを提供することができる。   According to the features of the present invention, since the processing is easy, it is possible to provide a support pin that can reduce the working time for manufacturing and reduce the manufacturing cost.

図１は、本実施形態に係る支持ピン１と、支持ピン１に支えられているウェハＷを示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a support pin 1 according to this embodiment and a wafer W supported by the support pin 1. 図２は、本実施形態に係る支持ピン１と、支持ピン１に支えられているサセプタ２０、ウェハＷを示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the support pins 1, the susceptor 20 supported by the support pins 1, and the wafer W according to the present embodiment. 図３は、本実施形態に係る支持ピン１を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing the support pin 1 according to the present embodiment. 図４は、本実施形態に係る支持ピン１を示す断面図（図３のＡ−Ａ’線の位置における断面図）断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the support pin 1 according to the present embodiment (a cross-sectional view taken along the line A-A ′ in FIG. 3). 図５は、変更例に係る支持ピン１００、１１０を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the support pins 100 and 110 according to the modified example.

次に、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一または類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。   Next, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic and ratios of dimensions and the like are different from actual ones.

したがって、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。   Accordingly, specific dimensions and the like should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.

［実施形態］
本実施形態に係る半導体製造装置について説明する。具体的には、（１）支持ピン１の構成、（２）支持ピン１の製造方法、（３）作用・効果、（４）その他の実施形態、（５）変更例について説明する。 [Embodiment]
A semiconductor manufacturing apparatus according to this embodiment will be described. Specifically, (1) the structure of the support pin 1, (2) the manufacturing method of the support pin 1, (3) operation and effect, (4) other embodiments, and (5) the modified example will be described.

（１）支持ピン１の構成
まず、第１実施形態に係る支持ピン１の構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る支持ピン１と、支持ピン１に支えられているウェハＷを示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る支持ピン１と、支持ピン１に支えられているサセプタ２０、ウェハＷを示す斜視図である。図３は、本実施形態に係る支持ピン１を示す斜視図である。図４は、本実施形態に係る支持ピン１を示す断面図（図３のＡ−Ａ’線の位置における断面図）断面図である。 (1) Configuration of Support Pin 1 First, the configuration of the support pin 1 according to the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a support pin 1 according to this embodiment and a wafer W supported by the support pin 1. FIG. 2 is a perspective view showing the support pins 1, the susceptor 20 supported by the support pins 1, and the wafer W according to the present embodiment. FIG. 3 is a perspective view showing the support pin 1 according to the present embodiment. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the support pin 1 according to this embodiment (a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 3).

図１に示すように、支持ピン１は、半導体製造プロセスにおいて、ウェハＷを支持するために用いられる。また、図２に示すように、半導体製造プロセスにおいて、ウェハＷを載置させるサセプタ２０を支持するために用いられる。   As shown in FIG. 1, the support pins 1 are used to support the wafer W in the semiconductor manufacturing process. Further, as shown in FIG. 2, it is used for supporting a susceptor 20 on which a wafer W is placed in a semiconductor manufacturing process.

ここで、半導体製造プロセスにおける半導体製造方法としては、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法などが挙げられ、本実施形態にかかる支持ピン１は、それらの方法において、ウェハＷあるいは、ウェハＷを載置させるサセプタ２０を支持するために用いられる。   Here, as a semiconductor manufacturing method in the semiconductor manufacturing process, a CVD method, a PVD method, and the like can be cited. Used to support

図３及び図４に示すように、本実施形態に係る支持ピン１は、長手方向の長さＬ１が、径方向の長さＤ１よりも長い縦長の円柱形状である。   As shown in FIGS. 3 and 4, the support pin 1 according to the present embodiment has a vertically long cylindrical shape in which the length L1 in the longitudinal direction is longer than the length D1 in the radial direction.

支持ピン１には、支持ピン１を径方向に貫通し、互いに直交する第１孔１１と第２孔１２とが形成されている。なお、第１孔１１と第２孔１２とは、支持ピン１の長手方向に直交する断面の中心である中心部Ｃを含む孔である。   The support pin 1 is formed with a first hole 11 and a second hole 12 that penetrate the support pin 1 in the radial direction and are orthogonal to each other. The first hole 11 and the second hole 12 are holes including a central portion C that is the center of a cross section orthogonal to the longitudinal direction of the support pin 1.

長手方向において、第１孔１１と第２孔１２とは、同一の長さＬ２で形成されており、第１孔１１及び第２孔１２の長さＬ２は、支持ピン１の長さＬ１よりも短い。すなわち、長手方向において、第１孔１１及び第２孔１２は、支持ピン１を貫通することはない。   In the longitudinal direction, the first hole 11 and the second hole 12 are formed with the same length L2, and the length L2 of the first hole 11 and the second hole 12 is greater than the length L1 of the support pin 1. Also short. That is, in the longitudinal direction, the first hole 11 and the second hole 12 do not penetrate the support pin 1.

支持ピン１は、長手方向両端部において、第１孔１１及び第２孔１２が形成されていない非孔部１ａ，１ｂを有する。長手方向において、非孔部１ａの長さＬ３と、非孔部１ｂの長さＬ４は同一である。また、支持ピン１は、Ｌ２＞Ｌ３＋Ｌ４となるように構成されている。なお、本実施形態においては、支持ピン１は、炭化珪素から形成されている。   The support pin 1 has non-hole parts 1a and 1b in which the first hole 11 and the second hole 12 are not formed at both ends in the longitudinal direction. In the longitudinal direction, the length L3 of the non-hole portion 1a and the length L4 of the non-hole portion 1b are the same. Further, the support pin 1 is configured to satisfy L2> L3 + L4. In the present embodiment, the support pin 1 is made of silicon carbide.

（２）支持ピン１の製造方法
本実施形態に係る支持ピン１は、以下に示す方法にて製造される。まず、炭化珪素からなる円柱形状の部材に、細穴放電加工機にて所定の位置に径方向に貫通する一つ目の孔を開ける。次に、円柱形状の部材を、円周方向に９０度回転させ、一つ目の孔と長手方向における同じ位置に、径方向に貫通する二つ目の孔をあける。この工程により、孔を開けた部分には、十字形状の孔が形成されている。次に、前記円柱形状の部材をワイヤー放電加工機に横に倒した状態で固定する。そして、一つ目の穴にワイヤーを通し、長手方向に沿って放電加工することにより、一つ目のスリット状の孔である第１孔１１が形成される。次に、円柱形状の部材を、円周方向に９０度回転させ、二つ目の孔にワイヤーを通し、長手方向に沿って放電加工をすることにより、２つ目のスリット状の孔である第２孔１２が形成される。 (2) Manufacturing method of support pin 1 The support pin 1 which concerns on this embodiment is manufactured by the method shown below. First, a first hole penetrating in a radial direction at a predetermined position is formed in a cylindrical member made of silicon carbide at a predetermined position by a fine hole electric discharge machine. Next, the cylindrical member is rotated 90 degrees in the circumferential direction, and a second hole penetrating in the radial direction is formed at the same position in the longitudinal direction as the first hole. By this step, a cross-shaped hole is formed in the holed portion. Next, the cylindrical member is fixed to the wire electric discharge machine in a state where it is tilted sideways. And the 1st hole 11 which is the 1st slit-shaped hole is formed by passing a wire through the 1st hole and carrying out electrical discharge machining along a longitudinal direction. Next, the cylindrical member is rotated 90 degrees in the circumferential direction, a wire is passed through the second hole, and electric discharge machining is performed along the longitudinal direction, thereby forming the second slit-like hole. A second hole 12 is formed.

（３）作用・効果
上述した本実施形態に係る支持ピン１は、長手方向の端部の間に、長手方向に沿って延び、径方向（長手方向に直交する方向）に沿って支持ピン１を貫通するスリット状の第１孔１１及び第２孔１２が形成されている。これによれば、長手方向に沿って孔が加工される従来の中空形状を有する支持ピンとは異なり、径方向に貫通する孔を加工することによって、第１孔１１及び第２孔１２が形成される。すなわち、支持ピン１は、長手方向の長さＬ１よりも、径方向の長さＤ１が短いため、加工が容易となる。さらに、第１孔１１及び第２孔１２は、支持ピン１を径方向に貫通する孔であるため、細緻な加工が不要となる。このため、加工方法が容易なため、精度の高い支持ピン１を製造することが可能となるとともに、支持ピン１を製造するための作業時間が短縮できる。その結果、支持ピン１の製造コストを抑制することが可能となる。 (3) Action / Effect The support pin 1 according to this embodiment described above extends along the longitudinal direction between the end portions in the longitudinal direction, and supports the pin 1 along the radial direction (direction perpendicular to the longitudinal direction). A slit-shaped first hole 11 and second hole 12 are formed. According to this, unlike the conventional support pin having a hollow shape in which holes are machined along the longitudinal direction, the first hole 11 and the second hole 12 are formed by machining the holes penetrating in the radial direction. The That is, the support pin 1 is easy to process because the radial length D1 is shorter than the longitudinal length L1. Furthermore, since the 1st hole 11 and the 2nd hole 12 are the holes which penetrate the support pin 1 to radial direction, a detailed process becomes unnecessary. For this reason, since a processing method is easy, while being able to manufacture the support pin 1 with high precision, the working time for manufacturing the support pin 1 can be shortened. As a result, the manufacturing cost of the support pin 1 can be suppressed.

また、支持ピン１には、第１孔１１及び第２孔１２が形成されているため、第１孔１１及び第２孔１２が形成されていない場合と比べて、支持ピン１を構成する炭化珪素の量が少ない。このため、支持ピン１の熱容量を抑制することができる。すなわち、半導体製造プロセスにおいて、ウェハＷを加熱するための熱が支持ピン１に伝導してしまうことによって、ウェハＷに対する加熱が不十分となってしまうことを抑制できる。その結果、ウェハＷに対して十分な熱を供給することが可能となる。   Moreover, since the 1st hole 11 and the 2nd hole 12 are formed in the support pin 1, compared with the case where the 1st hole 11 and the 2nd hole 12 are not formed, the carbonization which comprises the support pin 1 is comprised. The amount of silicon is small. For this reason, the heat capacity of the support pin 1 can be suppressed. That is, in the semiconductor manufacturing process, the heat for heating the wafer W is conducted to the support pins 1, thereby suppressing the heating of the wafer W from becoming insufficient. As a result, sufficient heat can be supplied to the wafer W.

また、本実施形態に係る支持ピン１は、スリット状の第１孔１１及び第２孔１２が形成されており、第１孔１１と第２孔１２とは、長手方向に直交する断面において交差している。これによれば、支持ピン１に、効率よく第１孔１１及び第２孔１２を加工することができる。特に、本実施形態に係る支持ピン１に形成されている第１孔１１と第２孔１２とは長手方向に直交する断面において直交しているため、直交していない場合と比較して、一度の加工で十分な孔を形成することができ、作業時間を短縮させることが可能となる。さらには、第１孔１１と第２孔１２との位置の設定が容易となる。具体的には、第１孔１１と第２孔１２とを加工する位置を設定する工程において、支持ピン１を、支持ピン１の長手方向と直交する断面である円形状の円周方向に回転させるだけでよい。すなわち、支持ピン１を長手方向または径方向に動かすような細緻な加工をする必要がないため、作業時間を短縮させることができる。   Further, the support pin 1 according to the present embodiment is formed with slit-shaped first holes 11 and second holes 12, and the first holes 11 and the second holes 12 intersect in a cross section orthogonal to the longitudinal direction. doing. According to this, the first hole 11 and the second hole 12 can be efficiently processed in the support pin 1. In particular, since the first hole 11 and the second hole 12 formed in the support pin 1 according to the present embodiment are orthogonal to each other in a cross section orthogonal to the longitudinal direction, compared with a case where they are not orthogonal, With this processing, sufficient holes can be formed, and the working time can be shortened. Furthermore, the position of the first hole 11 and the second hole 12 can be easily set. Specifically, in the step of setting the positions where the first hole 11 and the second hole 12 are processed, the support pin 1 is rotated in a circular circumferential direction having a cross section orthogonal to the longitudinal direction of the support pin 1. All you need to do is That is, since it is not necessary to carry out a fine process that moves the support pin 1 in the longitudinal direction or the radial direction, the working time can be shortened.

また、本実施形態に係る支持ピン１は、円柱形状である。すなわち、支持ピン１の長手方向と直交する断面は円形状である。このため、中心部Ｃを通る直線の長さは、支持ピン１の径方向の長さＤ１と同一であり、支持ピン１の長手方向全体に渡って同一である。従って、第１孔１１及び第２孔１２を形成する工程において、放電電極を径方向に移動させて調整する必要がなく、長手方向に沿って移動させるだけで、第１孔１１及び第２孔１２を形成することができる。また、第１孔１１を形成した後、第２孔１２を形成する工程においても、支持ピン１の径方向の長さＤ１が変わらないため、支持ピン１を円周方向に容易に回転させるだけでよい。従って、効率よく支持ピン１を加工することができるため、作業時間を短縮することができ、結果として、製造コストを抑制することが可能となる。   Further, the support pin 1 according to the present embodiment has a cylindrical shape. That is, the cross section orthogonal to the longitudinal direction of the support pin 1 is circular. For this reason, the length of the straight line passing through the central portion C is the same as the length D1 of the support pin 1 in the radial direction, and is the same over the entire longitudinal direction of the support pin 1. Therefore, in the step of forming the first hole 11 and the second hole 12, it is not necessary to adjust the discharge electrode by moving it in the radial direction, but only by moving along the longitudinal direction, the first hole 11 and the second hole. 12 can be formed. Moreover, since the radial length D1 of the support pin 1 does not change in the process of forming the second hole 12 after forming the first hole 11, the support pin 1 is simply rotated in the circumferential direction. It's okay. Therefore, since the support pin 1 can be processed efficiently, the working time can be shortened, and as a result, the manufacturing cost can be suppressed.

また、本実施形態に係る支持ピン１は、炭化珪素によって形成されている。これによれば、炭化珪素は耐熱性に優れた素材であるため、半導体製造プロセスにおいて、ウェハＷを加熱するための熱が支持ピン１に伝導した場合でも、支持ピン１は安定した形状を保つことができる。従って、ウェハＷあるいはウェハＷを載置させるサセプタ２０を安定して支持することが可能となる。   Further, the support pin 1 according to the present embodiment is made of silicon carbide. According to this, since silicon carbide is a material excellent in heat resistance, the support pin 1 maintains a stable shape even when heat for heating the wafer W is conducted to the support pin 1 in the semiconductor manufacturing process. be able to. Accordingly, the wafer W or the susceptor 20 on which the wafer W is placed can be stably supported.

（４）その他の実施形態
次に図面を参照して、その他の実施形態係る支持ピン１００，１１０について説明する。なお、第１実施形態と同一の構成には、同一の番号を付けて詳細な説明を省略する。 (4) Other Embodiments Next, support pins 100 and 110 according to other embodiments will be described with reference to the drawings. In addition, the same number is attached | subjected to the structure same as 1st Embodiment, and detailed description is abbreviate | omitted.

図５（ａ）はその他の実施形態に係る支持ピン１００の部分断面図である。図５（ｂ）は、その他の実施形態に係る支持ピン１１０の部分断面図である。   FIG. 5A is a partial cross-sectional view of a support pin 100 according to another embodiment. FIG. 5B is a partial cross-sectional view of the support pin 110 according to another embodiment.

その他の実施形態に係る支持ピン１００及び支持ピン１１０は、上述した第１実施形態の支持ピン１とは、径方向に貫通するスリット状の孔が形成される位置が異なる。   The support pin 100 and the support pin 110 according to other embodiments are different from the support pin 1 of the first embodiment described above in the positions where slit-like holes penetrating in the radial direction are formed.

具体的には、図５（ａ）に示す支持ピン１００には、長手方向と直交する断面において、並列した孔１０１と孔１０２とが設けられている。また、図５（ｂ）に示す支持ピン１１０は、並列した孔１１１及び孔１１２が形成されており、さらに、孔１１１及び孔１１２と交差する孔１１３が径方向に沿って形成されている。   Specifically, the support pin 100 shown in FIG. 5A is provided with a hole 101 and a hole 102 arranged in parallel in a cross section orthogonal to the longitudinal direction. Further, the support pin 110 shown in FIG. 5B is formed with a parallel hole 111 and a hole 112, and further, a hole 113 intersecting the hole 111 and the hole 112 is formed along the radial direction.

上述したように、本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。   Although the contents of the present invention have been disclosed through the embodiments of the present invention as described above, it should not be understood that the descriptions and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

例えば、本発明の実施形態は、次のように変更することができる。   For example, the embodiment of the present invention can be modified as follows.

（５）変更例
支持ピン１は円柱形状でなくともよい。また、支持ピン１に形成される第１孔１１と、第２孔１２とは、長手方向と直交する断面において直交していなくともよい。また、第１孔１１及び第２孔１２の長さＬ２も適宜設定することが可能である。また、非孔部１ａの長さＬ３と、非孔部１ｂの長さＬ４は同一でなくともよい。また、支持ピン１を形成する材料は炭化珪素に限定されるものではない。 (5) Modification Example The support pin 1 does not have to be cylindrical. Moreover, the 1st hole 11 and the 2nd hole 12 which are formed in the support pin 1 do not need to be orthogonal in the cross section orthogonal to a longitudinal direction. Further, the length L2 of the first hole 11 and the second hole 12 can also be set as appropriate. Further, the length L3 of the non-hole portion 1a and the length L4 of the non-hole portion 1b may not be the same. Moreover, the material which forms the support pin 1 is not limited to silicon carbide.

このように、本発明は、ここでは記載していない様々な実施の形態などを含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は、上述の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。   As described above, the present invention naturally includes various embodiments that are not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.

１，１００，１１０…支持ピン、１ａ，１ｂ…非孔部、１１，１２，１４，１０１，１０２，１１１，１１２，１１３…孔、２０…サセプタ、１１，１２，１４，１０１，１０２，１１１，１１２，１１３…孔、Ｃ…中心部、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｄ１…長さ、Ｗ…ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100,110 ... Support pin, 1a, 1b ... Non-hole part, 11, 12, 14, 101, 102, 111, 112, 113 ... Hole, 20 ... Susceptor, 11, 12, 14, 101, 102, 111 112, 113 ... hole, C ... center, L1, L2, L3, L4, D1 ... length, W ... wafer

Claims (3)

半導体製造プロセスにおいて、ウェハあるいはウェハを載置させるサセプタを支持する支持ピンであって、
前記支持ピンは、炭化珪素によって形成されており、前記支持ピンの長手方向に沿って延びるとともに、前記長手方向に直交する方向に沿って前記支持ピンを貫通するスリット状の孔と、前記スリット状の孔が形成されていない１対の長手方向端部とを有しており、
前記長手方向において、前記スリット状の孔の長さは、前記支持ピンの長さよりも短いことを特徴とする支持ピン。 In a semiconductor manufacturing process, a support pin for supporting a wafer or a susceptor on which the wafer is placed,
The support pin is formed by silicon carbide, said extends along the longitudinal direction of the support pin, and the slit-like holes through the support pin along a direction perpendicular to the longitudinal direction, the slit-shaped A pair of longitudinal ends in which no holes are formed,
In the longitudinal direction, the length of the slit-like hole is shorter than the length of the support pin. 前記支持ピンには、
前記スリット状の孔が複数形成されており、
複数形成された前記スリット状の孔のうち、一つのスリット状の孔は、
長手方向に直交する断面において、
他のスリット状の孔と交差することを特徴とする請求項１に記載の支持ピン。 The support pin includes
A plurality of the slit-shaped holes are formed,
Among the plurality of slit-shaped holes, one slit-shaped hole is
In the cross section perpendicular to the longitudinal direction,
The support pin according to claim 1, wherein the support pin intersects with another slit-shaped hole. 前記支持ピンは、
円柱形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の支持ピン。 The support pin is
The support pin according to claim 1, wherein the support pin has a cylindrical shape.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62228325A (en) * 1986-03-31 1987-10-07 Fuji Electric Co Ltd Wire cut electric discharge machine
JPH0390291A (en) * 1989-08-31 1991-04-16 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Production of tip having discharge hole for spinning mouthpiece
JP4390872B2 (en) * 1997-06-20 2009-12-24 株式会社ブリヂストン Semiconductor manufacturing apparatus member and method for manufacturing semiconductor manufacturing apparatus member
EP1171905A1 (en) * 1999-04-15 2002-01-16 Integrated Materials, Inc. Silicon fixtures for wafer processing and method of fabrication
JP2004160576A (en) * 2002-11-12 2004-06-10 Bridgestone Corp Manufacturing method for conductive ceramic molded article having thin wall hollow shaped part
JP2008053340A (en) * 2006-08-23 2008-03-06 Bridgestone Corp Method for manufacturing silicon carbide membrane

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230079551A (en) * 2021-11-29 2023-06-07 주식회사 건테크 Spin chuck pin mounted on cleaning equipment of wet pin chuck stage made of low-resistance SiC material

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