JP5350970B2 - Method for manufacturing light emitting device - Google Patents

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Description

本発明はLED素子を用いた発光装置の製造方法に関し、特に無機材質基板とガラス蓋による気密封止構造により高信頼性を実現した発光装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device using an LED element, and more particularly to a method for manufacturing a light emitting device that achieves high reliability by an airtight sealing structure using an inorganic material substrate and a glass lid.

近年、LED素子を用いた発光装置が普及するに至り、車載用、大型テレビ、ノートPC等の需要が急速に拡大している。これに伴ってLED素子を用いた発光装置に対する長寿命、高信頼性、省エネ等の要望が強くなっており、これを実現するための新しい技術開発が望まれている。   In recent years, light-emitting devices using LED elements have become widespread, and demand for in-vehicle devices, large-sized televisions, notebook PCs, and the like is rapidly expanding. Along with this, demands for long life, high reliability, energy saving, and the like for light emitting devices using LED elements have become strong, and new technology development for realizing this has been desired.

上記要望に対して色々な新しい技術開発が行われているが、例えば特許文献1には無機材質基板に複数の凹部を形成し、各々の凹部にLED素子を実装した後に、ガラス蓋による気密封止を行って複数の発光装置を同時に作成する製造方法が記載されている。そして各発光装置間を切断分離する方法として、無機材質基板とガラス蓋の双方向からダイシング加工により板厚の4分の3ほどの深さの溝を形成し、2個の溝の間をへき開して切断分離することにより個々の発光装置を完成させている。   Various new technological developments have been made to meet the above requirements. For example, in Patent Document 1, a plurality of recesses are formed in an inorganic material substrate, and LED elements are mounted in each recess, and then air-tight with a glass lid. A manufacturing method is described in which a plurality of light emitting devices are produced simultaneously by stopping. As a method of cutting and separating each light emitting device, a groove having a depth of about three-fourths of the plate thickness is formed by dicing from both directions of the inorganic material substrate and the glass lid, and the two grooves are cleaved. Thus, individual light emitting devices are completed by cutting and separating.

また表示装置におけるガラス蓋の加工方法としては、特許文献2にはガラス板の切断方法として、ガラス板の両面よりフッ酸によるエッチングを行って対抗溝を形成し、この対向溝間をへき開して切断分離を行う方法が記載されている。   In addition, as a method for processing a glass lid in a display device, Patent Document 2 discloses a method for cutting a glass plate. Etching with hydrofluoric acid is performed on both sides of the glass plate to form a counter groove, and the gap between the opposing grooves is cleaved. A method of cutting and separating is described.

さらに特許文献3にはガラス蓋の作成方法として、ガラス板の片面に耐フッ酸膜を形成し、この耐フッ酸膜上に蓋の凹部を形成するための開口を有する耐ブラスト膜を形成する。そして耐ブラスト膜によるブラスト加工によって凹部を形成し、さらに耐フッ酸膜によって凹部内をエチングにより面仕上げを行う方法が記載されている。   Furthermore, in Patent Document 3, as a method for producing a glass lid, a hydrofluoric acid resistant film is formed on one surface of a glass plate, and a blast resistant film having an opening for forming a concave portion of the lid is formed on the hydrofluoric acid resistant film. . A method is described in which a recess is formed by blasting with a blast resistant film, and surface finishing is performed by etching in the recess with a hydrofluoric acid resistant film.

特開2007−184426号公報JP 2007-184426 A 特開平3−232731号公報Japanese Patent Laid-Open No. 3-232731 特開2005−139039号公報JP 2005-139039 A

上記するように特許文献1に示す発光装置の製造方法は、各発光装置間を切断分離する方法として無機材質基板とガラス蓋の双方向からダイシング加工により板厚の4分の3ほどの深さの溝を形成し、2個の溝の間をへき開して切断分離する方法である。従ってこの方法の場合はダイシング加工を2回行う必要があり、加工工数が多くなって製造価格が高くなると共に、発光装置の場合、ガラス蓋の側面にへき開による破断面があることは発光形状に乱反射が生じて好ましくないとされている。   As described above, the manufacturing method of the light emitting device disclosed in Patent Document 1 is a method of cutting and separating the light emitting devices from each other with a depth of about three-quarters of the plate thickness by dicing from both directions of the inorganic material substrate and the glass lid. In this method, a groove is formed, and the two grooves are cleaved and cut and separated. Therefore, in this method, it is necessary to perform dicing twice, which increases the number of processing steps and increases the manufacturing cost, and in the case of a light emitting device, the fact that there is a fractured surface due to cleavage on the side surface of the glass lid is a light emitting shape. It is considered undesirable because of irregular reflection.

また特許文献2に示すガラス製品の分割方法も発光装置に使用した場合にはガラス蓋の側面にへき開による破断面が残り、発光形状に乱反射が生じて好ましくない。   Further, when the glass product dividing method shown in Patent Document 2 is also used in a light emitting device, a broken surface due to cleavage remains on the side surface of the glass lid, and irregular reflection occurs in the light emitting shape, which is not preferable.

本発明の目的は、引用文献3に示すようなガラス蓋の製造方法を応用し、発光形状が良く、製造価格の安い、LED素子をガラス蓋で封止した発光装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a light emitting device in which an LED element is sealed with a glass lid by applying a method for manufacturing a glass lid as shown in cited document 3 and having a good light emission shape and low manufacturing cost.

上記目的を達成するための本発明の製造方法は、無機材質基板上にLED素子を実装し、前記無機材質基板上のLED素子実装領域の周囲にガラス蓋を接着して密封する発光装置の製造方法において、前記ガラス蓋は平板ガラスの一方の面にサンドブラスト加工によって凹部を形成すると共に、前記平板ガラスの他方の面における凹部周囲の切断位置にスクライブ加工によって溝を形成した後に、フッ酸加工によって前記凹部と前記溝の面取り加工を行い、前記凹部形成面側よりダイシング加工によって溝の位置を切断することを特徴とする。   The manufacturing method of the present invention for achieving the above object is to manufacture a light emitting device in which an LED element is mounted on an inorganic material substrate, and a glass lid is adhered and sealed around the LED element mounting region on the inorganic material substrate. In the method, the glass lid forms a recess by sandblasting on one surface of the flat glass, and after forming a groove by scribing around the recess on the other surface of the flat glass, by hydrofluoric acid processing The recess and the groove are chamfered, and the position of the groove is cut by dicing from the recess forming surface side.

上記製造方法によれば、ガラス蓋加工における、サンドブラストによる凹部とスクライブ加工による溝の面取加工を1回のフッ酸加工によって同時に行うことができるため、ガラス蓋のダイシング加工時の欠けや割れを防止することができ、またガラス蓋の生産性が良くなり、コストダウンが可能となる。   According to the above manufacturing method, since chamfering of the recess by sandblasting and the groove by scribing in the glass lid processing can be performed simultaneously by one hydrofluoric acid processing, chipping and cracking at the time of dicing processing of the glass lid are prevented. In addition, the productivity of the glass lid can be improved and the cost can be reduced.

前記無機材質基板とガラス蓋との接着を金属材料による溶着によって行うと良い。   The inorganic material substrate and the glass lid may be bonded by welding with a metal material.

前記無機材質基板とガラス蓋とを溶着した後に、前記無機材質基板側からガラス蓋の溝の位置に向かってダイシング加工を行うことにより切断すると良い。   After the inorganic material substrate and the glass lid are welded, it may be cut by performing a dicing process from the inorganic material substrate side toward the groove of the glass lid.

また本発明の製造方法は大判の無機材質基板に各パターンを形成後、LED素子をFC実装した状態の発光部分を複数個整列して形成する大判基板形成工程と、大判の平板ガラスに一方の面にサンドブラスト加工によってガラス蓋の凹部を複数個整列して形成する凹部形成工程、凹部を形成した大判平板ガラスの他方の面における凹部周囲の切断位置にスクライブ加工によって溝を形成する溝形成工程、凹部及び溝を形成した大判平板ガラスをフッ酸加工によって前記凹部と前記溝の面取り加工を行フッ酸加工工程とによって大判ガラス蓋を形成する大判ガラス蓋形成工程と、前記大判基板と大判ガラス蓋とを溶着して一体化する大判発光装置形成工程と、前記大判発光装置を無機材質基板側から大判ガラス蓋の溝位置に向かってダイシング加工することにより、切断分離して個々の発光装置を作成する切断分離工程とを有することを特徴とする。   In addition, the manufacturing method of the present invention includes a large-sized substrate forming step in which each pattern is formed on a large-sized inorganic material substrate and then a plurality of light-emitting portions in a state where the LED elements are FC-mounted are aligned, A recess forming step for aligning and forming a plurality of recesses of the glass lid by sandblasting on the surface, a groove forming step for forming grooves by scribing at a cutting position around the recess on the other surface of the large flat glass having the recesses, A large glass cover forming step for forming a large glass cover by chamfering the concave portion and the groove by a hydrofluoric acid process on a large flat glass having recesses and grooves formed thereon, and the large substrate and the large glass cover. Forming a large-sized light-emitting device that is integrated by welding, and dicing the large-sized light-emitting device from the inorganic material substrate side toward the groove position of the large-sized glass lid By engineering, characterized in that it is cut and separated with a cutting and separating step of creating the individual light emitting devices.

上記製造方法によれば、大判基板と大判のガラス蓋を使用することによって発光装置の大量生産ができると共に、大判ガラス蓋加工における、サンドブラストによる凹部とスクライブ加工による溝の面取加工を1回のフッ酸加工によって同時に行うことができるため、ガラス蓋のダイシング加工時の欠けや割れを防止することができ、またガラス蓋の生産性が良くなり、コストダウンが可能となる。   According to the above manufacturing method, mass production of light-emitting devices can be performed by using a large-sized substrate and a large-sized glass lid, and chamfering of a recess by sandblasting and a groove by scribing is performed once in large-sized glass lid processing. Since it can be performed simultaneously by hydrofluoric acid processing, chipping and cracking during the dicing processing of the glass lid can be prevented, the productivity of the glass lid is improved, and the cost can be reduced.

前記大判基板形成工程における発光部分は、さらにLED素子実装部の周囲に波長変換層を設けると良い。   The light emitting portion in the large-sized substrate forming step is preferably provided with a wavelength conversion layer around the LED element mounting portion.

以上のように本発明の製造方法においては、ガラス蓋加工における、サンドブラストによる凹部とスクライブ加工による溝の面取加工を1回のフッ酸加工によって同時に行うことができるため、ガラス蓋のダイシング加工時の欠けや割れを防止することができ、またガラス蓋の生産性が良くなり、コストダウンが可能となる。   As described above, in the manufacturing method of the present invention, the chamfering of the recess by sandblasting and the groove by scribing can be simultaneously performed by one hydrofluoric acid processing in the glass lid processing. Chipping and cracking can be prevented, the productivity of the glass lid is improved, and the cost can be reduced.

本発明の第1実施形態における発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device in 1st Embodiment of this invention. 図1に示す発光装置におけるガラス蓋の部分拡大断面図である。It is the elements on larger scale of the glass cover in the light-emitting device shown in FIG. 図1に示す発光装置の製造工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing process of the light-emitting device shown in FIG. 図1示す発光装置に用いられるガラス蓋の加工工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the process process of the glass cover used for the light-emitting device shown in FIG. 図1に示す発光装置の製造工程を示す工程図であり、各要素の断面を示している。It is process drawing which shows the manufacturing process of the light-emitting device shown in FIG. 1, and has shown the cross section of each element. 本発明における無機材質基板とガラス蓋との特性及び組み合わせを示す特性表である。It is a characteristic table | surface which shows the characteristic and combination of the inorganic material board | substrate and glass cover in this invention. 本発明の第2実施形態におけるガラス蓋を同時に複数個作成するための大判平板ガラスの下面側の斜視図である。It is a perspective view of the lower surface side of the large format flat glass for producing simultaneously the glass cover in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態におけるガラス蓋を同時に複数個作成するための大判平板ガラスの上面側の斜視図である。It is a perspective view of the upper surface side of the large sized flat glass for producing simultaneously the glass cover in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態における無機材質基板を同時に複数個作成するための大判基板の斜視図である。It is a perspective view of the large format board | substrate for producing several inorganic material board | substrates simultaneously in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態における大判発光装置の斜視図である。It is a perspective view of the large format light-emitting device in 2nd Embodiment of this invention. 図10に示す大判発光装置を切断分離した発光装置の斜視図である。It is a perspective view of the light-emitting device which cut | disconnected and separated the large sized light-emitting device shown in FIG.

(第1実施形態)
以下、本発明の実施形態の発光装置の製造方法について図面により説明する。図1〜図5は本発明の第1実施形態における発光装置及びガラス蓋を示すものであり、図1は発光装置の断面図、図2は図1に示すガラス蓋の部分拡大断面図、図3は図1に示す発光装置の製造工程を示す工程図、図4は図1に示す発光装置に用いられるガラス蓋の加工工程を示す工程図、図5は図1に示す発光装置の製造工程を示す各要素の断面図である。
(First embodiment)
Hereinafter, a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 5 show a light emitting device and a glass lid according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a sectional view of the light emitting device, FIG. 2 is a partially enlarged sectional view of the glass lid shown in FIG. 3 is a process diagram showing a manufacturing process of the light emitting device shown in FIG. 1, FIG. 4 is a process diagram showing a processing process of a glass lid used in the light emitting device shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a manufacturing process of the light emitting device shown in FIG. It is sectional drawing of each element which shows.

図1は発光装置10の断面図であり、無機材質基板2の上面側には配線パターン2a、裏面には出力電極2bが形成されており、上面側の配線パターン2aと裏面の出力電極2bとはスルーホール2cによって接続されている。そして無機材質基板2の配線パターン2aにはLED素子1がフリップチップ実装(以後FC実装と略記する)されており、このLED素子1の周囲は蛍光粒子を混入した樹脂層またはガラス層よりなる波長変換層3で被覆されている。さらに無機材質基板2の上面側におけるLED素子1の実装領域の周囲に形成された溶着層7により、ガラス蓋5を溶着密封することにより発光装置10が完成する。なおガラス蓋5の上面コーナ部には後述するダイシング加工による切断分離時にガラス蓋の割れや欠けを防止するための面取り部5mが形成されており、図2にその拡大断面を示している。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device 10. A wiring pattern 2 a is formed on the upper surface side of the inorganic material substrate 2, and an output electrode 2 b is formed on the back surface. Are connected by a through hole 2c. The LED element 1 is flip-chip mounted (hereinafter abbreviated as FC mounting) on the wiring pattern 2a of the inorganic material substrate 2, and the LED element 1 is surrounded by a resin layer or glass layer mixed with fluorescent particles. The conversion layer 3 is covered. Further, the light emitting device 10 is completed by welding and sealing the glass lid 5 with the welding layer 7 formed around the mounting region of the LED element 1 on the upper surface side of the inorganic material substrate 2. A chamfered portion 5m is formed at the upper corner portion of the glass lid 5 to prevent breakage and chipping of the glass lid at the time of cutting and separating by dicing, which will be described later. FIG.

次に図3により、発光装置10の製造工程を説明する。まず基板工程においては無機材質基板2としてはAIN(窒化アルミ)、Al2O3(酸化アルミ)、Si(シリコン)等の無機材質基板を使用し、この無機材質基板2にはLED素子1をFC実装するための接着層としてAuSn電極、ガラス蓋5を溶着するための溶着下地層としてAu層を形成しておく。また、LED素子工程としては、LED素子1にFC実装するためのAuバンプを形成しておく。FC実装工程においては300℃の加圧条件下において、AuSnの共晶接合によってFC実装をおこなう。波長変換層被覆工程においては、蛍光体成形工程において作成したシリコン樹脂成型またはガラス成型によって作成した蛍光体混入の蛍光体キャップをLED素子1に被せるか、または蛍光体が混入したシリコン樹脂をディスペンサーやスキージーによりLED素子1に直接被覆することによって波長変換層3を形成する。   Next, the manufacturing process of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. First, in the substrate process, an inorganic material substrate such as AIN (aluminum nitride), Al2O3 (aluminum oxide), Si (silicon) or the like is used as the inorganic material substrate 2, and the LED element 1 is FC mounted on the inorganic material substrate 2. An Au layer is formed as a bonding underlayer for depositing an AuSn electrode and a glass lid 5 as an adhesive layer. As the LED element process, Au bumps for FC mounting on the LED element 1 are formed in advance. In the FC mounting process, FC mounting is performed by eutectic bonding of AuSn under a pressurized condition of 300 ° C. In the wavelength conversion layer coating step, the phosphor cap mixed with the phosphor created by the silicon resin molding or the glass molding created in the phosphor molding step is put on the LED element 1 or the silicon resin mixed with the phosphor is dispenser or The wavelength conversion layer 3 is formed by directly covering the LED element 1 with a squeegee.

ガラス蓋加工工程においては平板ガラスの一方の面にサンドブラスト加工によって凹部を形成すると共に、前記平板ガラスの他方の面における凹部周囲の切断位置にスクライブ加工によって溝を形成した後に、フッ酸加工によって前記凹部と溝の面取り加工(機械加工によって荒れた面や、形成された角部を滑らかに加工する)を行う。さらに形成された凹部の周囲、すなわち無機材質基板2に溶着される位置に溶着下地層としてAuSn層を形成したガラス蓋5を作成する。ガラス蓋溶着工程においては無機材質基板2に形成した溶着下地層Auと、ガラス蓋5に形成した溶着下地層AuSnにより、300℃の加圧条件下においてAuSnの共晶接合によって無機材質基板2とガラス蓋5とを溶着する。なおこのガラス蓋溶着工程を真空中、または不活性ガス中で行うことにより、封止されたケース内部を真空または不活性ガス雰囲気にして、LED素子1及び有機材質であるシリコン樹脂によって形成された波長変換層3の劣化を防止することができる。最後に特性測定工程において完成した発光装置10の電気的特性及び色度測定を行いその結果に従ってランク分けを行う。   In the glass lid processing step, a concave portion is formed by sandblasting on one surface of the flat glass, and a groove is formed by scribing around the concave portion on the other surface of the flat glass, followed by hydrofluoric acid processing. Chamfering of the recesses and grooves is performed (surfaces roughened by machining, and formed corners are processed smoothly). Further, a glass lid 5 is prepared in which an AuSn layer is formed as a welding base layer around the formed recess, that is, at a position where it is welded to the inorganic material substrate 2. In the glass lid welding process, the base material Au formed on the inorganic material substrate 2 and the base material AuSn formed on the glass lid 5 are bonded to the inorganic material substrate 2 by eutectic bonding of AuSn under a pressure condition of 300 ° C. A glass lid 5 is welded. In addition, this glass lid welding process was performed in vacuum or in an inert gas, whereby the sealed case was made in a vacuum or an inert gas atmosphere, and the LED element 1 and the organic resin silicon resin were formed. Deterioration of the wavelength conversion layer 3 can be prevented. Finally, the electrical characteristics and chromaticity of the completed light emitting device 10 are measured in the characteristic measurement step, and ranking is performed according to the result.

次に図4によりガラス蓋5の製造工程を説明する。まず工程Aは平板ガラス50の一方の面に、ガラス蓋5の凹部5aに対応する開口部15aを有するマスク15を取り付けると共に、平板ガラス50の他方の面における凹部5aが形成される位置の周囲の切断位置に、スクライブ加工によって溝5bを形成する。次に工程Bにおいてサンド粒子25を高圧で噴射することにより凹部5aを形成する。なお、サンド粒子25の噴射によって形成される凹部5aの内部の形状は、コーナーには丸みが形成され、内面全体には梨地模様が形成される。このときのマスクとしては樹脂レジストやメタルマスクが使用され、サンド粒径、噴射速度、噴射時間を調整することにより凹部5aの形状は任意に形成することができる。また1枚の大型平板ガラス50に複数の凹部5aに対応した開口15aを有するマスク15を用いて同時に複数の凹部5aを形成することが出来る(本実施形態では2個の凹部を同時形成した例を示している)。   Next, the manufacturing process of the glass lid 5 will be described with reference to FIG. First, in step A, a mask 15 having an opening 15a corresponding to the concave portion 5a of the glass lid 5 is attached to one surface of the flat glass 50, and around the position where the concave portion 5a is formed on the other surface of the flat glass 50. The groove 5b is formed at the cutting position by scribing. Next, in step B, the sand particles 25 are jetted at a high pressure to form the recesses 5a. In addition, as for the internal shape of the recessed part 5a formed by the injection | pouring of the sand particle 25, a roundness is formed in a corner and a satin pattern is formed in the whole inner surface. As the mask at this time, a resin resist or a metal mask is used, and the shape of the recess 5a can be arbitrarily formed by adjusting the sand particle size, the spraying speed, and the spraying time. In addition, a plurality of recesses 5a can be simultaneously formed on a single large flat glass 50 using a mask 15 having openings 15a corresponding to the plurality of recesses 5a (in this embodiment, two recesses are simultaneously formed). Is shown).

次に工程Cにおいてフッ酸加工(エッチング)を行う。このフッ酸加工の結果凹部5aの内部は、サンドブラスト加工によって荒れた面の透過性が良くなり、かつ加工衝撃等による割れや欠けの発生が防止される。また溝5bの内面も図示の如くスクライブ加工によって荒れた面が、緩やかな面形状に面取り加工される。すなわち本発明の特徴は、サンドブラスト加工及びスクライブ加工によって荒れた面形状の凹部5aと溝5bとを1回のフッ酸加工によって同時に面取り加工ができることである。   Next, hydrofluoric acid processing (etching) is performed in step C. As a result of the hydrofluoric acid processing, the inside of the concave portion 5a is improved in the permeability of the surface roughened by the sand blast processing, and the generation of cracks and chips due to processing impacts is prevented. Further, the inner surface of the groove 5b is chamfered into a gentle surface shape by roughening the surface by scribing as shown in the figure. That is, a feature of the present invention is that chamfering can be simultaneously performed by one hydrofluoric acid processing on the concave portions 5a and the grooves 5b having a rough surface shape by sandblasting and scribing.

次に工程Dにおいて、ダイヤモンドブレード等を用いたダイシング加工によって切断することにより、個々のガラス蓋5に分離される。このダイシング加工は凹部5aを形成した面側から溝5bの中心に向かって切断するとき、切断の終了面側に溝による面取り部が形成してあることによってダイシング加工時にガラス端面の欠けや割れが発生しない。なおこのダイシング加工に先立って凹部5aの周囲の接合面5cにAuSnの溶着下地層5dを形成することによりガラス蓋5が完成する。   Next, in step D, each glass lid 5 is separated by cutting by a dicing process using a diamond blade or the like. In this dicing process, when cutting from the surface side where the recess 5a is formed toward the center of the groove 5b, the chamfered portion by the groove is formed on the end surface side of the cutting, so that chipping or cracking of the glass end surface is caused during the dicing process. Does not occur. Prior to the dicing process, the glass cover 5 is completed by forming the AuSn welding base layer 5d on the bonding surface 5c around the recess 5a.

また本実施形態においては、この溶着下地層5dの形成を工程Dで行うようにしたが、これに限らず、例えば最初の工程Aにおいて平板ガラスの凹部5aの形成面全体に溶着下地層5dを形成し、この溶着下地層5dの上にマスク15を形成してもよい。   In this embodiment, the formation of the welding base layer 5d is performed in the step D. However, the present invention is not limited to this. For example, in the first step A, the welding base layer 5d is formed on the entire surface of the flat glass recess 5a. Then, a mask 15 may be formed on the welded underlayer 5d.

次に本実施形態における発光装置の製造方法を説明する。
図5も発光装置10の製造工程を示すもので、各要素の断面を示している。すなわち基板工程Aでは無機材質基板2に配線パターン2a、スルーホ−ル2c、出力電極2b、ガラス蓋5を溶着するための溶着下地層2dであるAu層が形成されている。FC実装工程Bでは無機材質基板2の配線パターン2aにLED素子1がFC実装される。波長変換層被覆工程CではLED素子1の周囲に波長変換層3として、シリコン樹脂成形によって作成した蛍光体キャップを被せて被覆する。ガラス蓋溶着工程Dにおいては、図4で作成されたガラス蓋5の接合面5cに形成されたAuSnの溶着下地層5dと、無機材質基板2に形成されたAuの溶着下地層2dとによるAuSnの共晶接合により溶着層7が形成され、発光装置10が完成する。なお、このガラス蓋溶着工程Dを真空中または不活性ガス雰囲気中で行うことで、気密封止による信頼性がさらに増すことは前述の通りである。
Next, a method for manufacturing the light emitting device in the present embodiment will be described.
FIG. 5 also shows a manufacturing process of the light emitting device 10 and shows a cross section of each element. That is, in the substrate process A, an Au layer which is a welding base layer 2d for welding the wiring pattern 2a, the through hole 2c, the output electrode 2b, and the glass lid 5 is formed on the inorganic material substrate 2. In the FC mounting process B, the LED element 1 is FC mounted on the wiring pattern 2 a of the inorganic material substrate 2. In the wavelength conversion layer coating step C, the LED element 1 is covered with a phosphor cap formed by silicon resin molding as the wavelength conversion layer 3. In the glass lid welding step D, AuSn is formed by the AuSn welding ground layer 5d formed on the bonding surface 5c of the glass lid 5 created in FIG. 4 and the Au welding ground layer 2d formed on the inorganic material substrate 2. By this eutectic bonding, the weld layer 7 is formed, and the light emitting device 10 is completed. As described above, the reliability of the hermetic sealing is further increased by performing the glass lid welding step D in a vacuum or in an inert gas atmosphere.

次に無機材質基板2とガラス蓋5との組み合わせについて説明する。図6は無機材質基板2とガラス蓋5との特性及び組み合わせを示す特性表であり、無機材質基板2の3種類を表1に、またガラス蓋5の3種類を表2に示し、表1及び表2の間に設けた矢印は組み合わせを示している。すなわち表1には無機材質基板2の基板材料としてAIN(窒化アルミ)、Si(シリコン)、Al2O3(酸化アルミ)の3種類について熱伝導率、線膨張係数を示しており、また表2にはガラス蓋5のガラス材料としてホウケイ酸ガラス(1)、ホウケイ酸ガラス(2)、ホウケイ酸クラウンガラスの3種類について線膨張係数を示している。   Next, the combination of the inorganic material substrate 2 and the glass lid 5 will be described. FIG. 6 is a characteristic table showing the characteristics and combinations of the inorganic material substrate 2 and the glass lid 5. Table 1 shows three types of the inorganic material substrate 2, and Table 3 shows three types of the glass lid 5. And the arrow provided between Table 2 has shown the combination. That is, Table 1 shows thermal conductivity and linear expansion coefficient for three kinds of substrate materials of the inorganic material substrate 2: AIN (aluminum nitride), Si (silicon), and Al2O3 (aluminum oxide). As the glass material of the glass lid 5, linear expansion coefficients are shown for three types of borosilicate glass (1), borosilicate glass (2), and borosilicate crown glass.

表1及び表2について線膨張係数に着目すると、無機材質基板2の基板材料ではAINが44[×10−7/℃]、Siが30[×10−7/℃]、Al2O3が74[×10−7/℃]でるのに対し、ガラス蓋5のガラス材料であるホウケイ酸ガラス(1)が47[×10−7/℃]、ホウケイ酸ガラス(2)が33[×10−7/℃]、ホウケイ酸クラウンガラスが74[×10−7/℃]であることがわかる。これらの各3種類の材料の関係を見ると、矢印で示す如く無機材質基板2の基板材料であるAINが線膨張係数44[×10−7/℃]に対し、ガラス蓋のガラス材料であるホウケイ酸ガラス(1)が47[×10−7/℃]で近似した値を示しており、また基板材料Siの線膨張係数が30[×10−7/℃]であるのに対し、ガラス材料のホウケイ酸ガラス(2)が33[×10−7/℃]と近似しており、同様に基板材料Al2O3の線膨張係数が74[×10−7/℃]でるのに対し、ガラス材料のホウケイ酸クラウンガラスの線膨張係数が74[×10−7/℃]と近似している。   Focusing on the linear expansion coefficient in Tables 1 and 2, the substrate material of the inorganic substrate 2 is AIN of 44 [× 10 −7 / ° C.], Si of 30 [× 10 −7 / ° C.], and Al 2 O 3 of 74 [× 10-7 / ° C], whereas borosilicate glass (1), which is a glass material of the glass lid 5, is 47 [× 10-7 / ° C], and borosilicate glass (2) is 33 [× 10-7 / ° C]. [° C.] and borosilicate crown glass is 74 [× 10 −7 / ° C.]. Looking at the relationship between these three types of materials, as indicated by arrows, AIN, which is the substrate material of the inorganic material substrate 2, is a glass material for the glass lid with respect to a linear expansion coefficient of 44 [× 10−7 / ° C.]. The borosilicate glass (1) shows an approximate value of 47 [× 10 −7 / ° C.], and the linear expansion coefficient of the substrate material Si is 30 [× 10 −7 / ° C.], whereas glass The material borosilicate glass (2) approximates 33 [× 10 −7 / ° C.], and similarly the linear expansion coefficient of the substrate material Al 2 O 3 is 74 [× 10 −7 / ° C.], whereas the glass material The linear expansion coefficient of borosilicate crown glass is approximately 74 [× 10 −7 / ° C.].

図3で説明したように、無機材質基板2とガラス蓋5とをAuSn共晶接合を行う場合には300℃の高温となるため、無機材質基板2とガラス蓋5との線膨張係数が異なると線膨張係数の差によって割れや欠けのトラブルが発生するので、この無機材質基板2とガラス蓋5との線膨張係数はできるだけ近似した材料を選定する必要がある。この意味において表1,表2に示す如く矢印によって示されている材料の組み合わせが望ましいことがわかる。また表2に示すガラス材料で、市場で入手可能な材料としてホウケイ酸ガラス(1)としては「VIDREX(登録商標)」(株式会社ビートレックスの商品名)があり、またホウケイ酸ガラス(2)としては「パイレックス(登録商標)」(コーニング社の商品名)がこの特性を有するものである。   As described with reference to FIG. 3, when the AuSn eutectic bonding is performed between the inorganic material substrate 2 and the glass lid 5, since the temperature becomes 300 ° C., the linear expansion coefficients of the inorganic material substrate 2 and the glass lid 5 are different. Therefore, it is necessary to select a material that approximates the linear expansion coefficient of the inorganic material substrate 2 and the glass lid 5 as much as possible. In this sense, it can be seen that combinations of materials indicated by arrows as shown in Tables 1 and 2 are desirable. In addition, as a glass material shown in Table 2, commercially available borosilicate glass (1) includes “VIDREX (registered trademark)” (trade name of Beatrex Co., Ltd.), and borosilicate glass (2). "Pyrex (registered trademark)" (a product name of Corning) has this characteristic.

(第2実施形態)
次に図7〜図11により本発明の第2実施形態における集合基板方式による発光装置の製造方法及び構成を説明する。図7は図4に示すガラス蓋5を同時に複数個作成するための大判平板ガラス50Lの斜視図であり、大判の平板ガラス50Lの一方の面である下面側50aにはサンドブラスト加工によって凹部5aが複数個整列して形成されている。図8は図7に示す大判平板ガラス50Lの他の面である上面側50bを示す斜視図であり、点線で示す複数個整列して形成された凹部5aの周囲の切断位置にスクライブ加工によって複数の溝5bが縦横に形成されている。さらに大判平板ガラス50Lがフッ酸加工されたことによって、サンドブラスト加工による凹部5a及びスクライブ加工による溝5bは面取り加工されて滑らかな内面形状となっている。
(Second Embodiment)
Next, a manufacturing method and a structure of a light emitting device by the collective substrate method in the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a perspective view of a large flat glass 50L for simultaneously producing a plurality of glass lids 5 shown in FIG. 4, and a recess 5a is formed on the lower surface side 50a, which is one surface of the large flat glass 50L, by sandblasting. A plurality are arranged. FIG. 8 is a perspective view showing the upper surface side 50b, which is the other surface of the large flat glass 50L shown in FIG. 7, and a plurality of cutting positions around the recessed portions 5a formed by arranging a plurality of lines are indicated by a scribe process. The grooves 5b are formed vertically and horizontally. Further, the large flat glass 50L is hydrofluoric acid processed, so that the recess 5a by sandblasting and the groove 5b by scribing are chamfered to form a smooth inner surface shape.

図9は図5に示す無機材質基板2を同時に複数個作成するための大判基板20の斜視図であり、図5(C)に示す状態、すなわち無機材質基板2に各パターンを形成後、LED素子1をFC実装し、さらに波長変換層3を設けた状態の発光部分1aが複数個整列して形成されている状態に相当する。そして、図9の複数個整列して形成された発光部分1aは、図7の複数個整列して形成されたガラス蓋5の凹部5aに、その配置位置及び個数が同じになっている。   FIG. 9 is a perspective view of a large-sized substrate 20 for simultaneously producing a plurality of inorganic material substrates 2 shown in FIG. 5, and in the state shown in FIG. 5C, that is, after forming each pattern on the inorganic material substrate 2, This corresponds to a state in which a plurality of light emitting portions 1a in which the element 1 is FC-mounted and the wavelength conversion layer 3 is provided are aligned. The plurality of light emitting portions 1a formed in alignment in FIG. 9 have the same arrangement position and the same number as the concave portions 5a of the glass lid 5 formed in alignment in FIG.

図10は大判発光装置10Lの斜視図であり、大判基板20の上面側に大判平板ガラス50Lを図8に示す状態で積層一体化している。従って大判平板ガラス50Lの上面側50bにはガラス蓋5における凹部5aの底の部分、すなわち発光窓部分を点線で示している。この完成した大判発光装置10Lを大判基板20の下面側よりX及びYの切断ラインに従ってダイヤモンドブレード等を用いたダイシング加工にて切断することにより、個々の発光装置10が完成する。そしてこのダイシング加工は大判平板ガラス50Lの上面側50bに設けた溝5bの中心に向かって切断が行われる。   FIG. 10 is a perspective view of the large format light emitting device 10L, in which a large format flat glass 50L is laminated and integrated on the upper surface side of the large format substrate 20 in the state shown in FIG. Therefore, on the upper surface side 50b of the large flat glass 50L, the bottom portion of the concave portion 5a in the glass lid 5, that is, the light emission window portion is indicated by a dotted line. The completed large-sized light emitting device 10L is cut by dicing using a diamond blade or the like along the X and Y cutting lines from the lower surface side of the large-sized substrate 20 to complete each light emitting device 10. In the dicing process, cutting is performed toward the center of the groove 5b provided on the upper surface side 50b of the large flat glass 50L.

図11はこの完成した発光装置10の斜視図であり、無機材質基板2にガラス蓋5が溶着一体化され、無機材質基板2の下面側からダイシング加工されたガラス蓋5の上面側の各コーナー部分には溝5bによって形成された面取り部5mが形成されており、この面取り部5mの存在によって切断時の衝撃や、取り扱い時の衝撃に対して割れや欠けの発生を防止している。そして発光動作としてはガラス蓋5における凹部5aの底の発光窓部分から、波長変換層3を通してLED素子1の発光が行われる。   FIG. 11 is a perspective view of the completed light-emitting device 10. Each corner on the upper surface side of the glass lid 5 is formed by welding and integrating the glass lid 5 on the inorganic material substrate 2 and dicing from the lower surface side of the inorganic material substrate 2. A chamfered portion 5m formed by the groove 5b is formed in the portion, and the presence of the chamfered portion 5m prevents the occurrence of cracking and chipping against an impact at the time of cutting and an impact at the time of handling. As a light emitting operation, the LED element 1 emits light through the wavelength conversion layer 3 from the light emitting window portion at the bottom of the concave portion 5 a in the glass lid 5.

上記の如く、集合基板方式による発光装置の製造方法において、ガラス蓋5を構成するのに大判平板ガラス50Lを使用し、この大判平板ガラス50Lに複数の凹部5aと複数の溝5bとを、サンドブラスト加工及びスクライブ加工によって形成し、この加工による凹部5aと溝5bの荒れた加工面を1回のフッ酸加工によって面取りを行い、この大判平板ガラス50Lと大判基板20とを溶着一体化した後に、ダイシング加工によって切断分離することにより、ガラス蓋5のコーナー部に面取りを行った発光装置10を容易に量産することができる。   As described above, in the method for manufacturing a light emitting device by the collective substrate method, the large-sized flat glass 50L is used to constitute the glass lid 5, and a plurality of concave portions 5a and a plurality of grooves 5b are formed on the large-sized flat glass 50L by sandblasting. Formed by processing and scribing, chamfering the rough processed surface of the recess 5a and groove 5b by this processing by one hydrofluoric acid processing, and welding and integrating the large flat glass 50L and the large substrate 20, By cutting and separating by dicing, the light-emitting device 10 in which the corner portion of the glass lid 5 is chamfered can be easily mass-produced.

以上、本発明における発光装置について、実施形態で使ったLED素子1と蛍光体は、青色LED素子とYAG蛍光体の組み合や、近紫外LED素子とRGB蛍光体の組み合わせが適用可能であり、さらに本発明は、蛍光体を有さないLED素子単体等の場合にも適用可能である。また本発明におけるガラス蓋は、LED素子以外の素子の封止にも有効である。   As described above, for the light emitting device in the present invention, the LED element 1 and the phosphor used in the embodiment can be a combination of a blue LED element and a YAG phosphor, or a combination of a near ultraviolet LED element and an RGB phosphor, Furthermore, the present invention can also be applied to the case of a single LED element having no phosphor. The glass lid in the present invention is also effective for sealing elements other than LED elements.

1 LED素子
1a 発光部分
2 無機材質基板
2a 配線パターン
2b 出力電極
2c スルーホール
2d 溶着下地層
3 波長変換層
5 ガラス蓋
5a 凹部
5b 溝
5c 接合面
5d 溶着下地層
5m 面取り部
7 溶着層
10 発光装置
10L 大判発光装置
15 マスク
15a 開口
20 大判基板
25 サンド粒子
50 平板ガラス
50a 下面側
50b 上面側
50L 大判平板ガラス
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 LED element 1a Light emission part 2 Inorganic material board | substrate 2a Wiring pattern 2b Output electrode 2c Through-hole 2d Welding base layer 3 Wavelength conversion layer 5 Glass cover 5a Recess 5b Groove 5c Joining surface 5d Welding base layer 5m Chamfer 7 Welding layer 10 Light emitting device 10L Large Format Light Emitting Device 15 Mask 15a Opening 20 Large Format Substrate 25 Sand Particle 50 Flat Glass 50a Lower Side 50b Upper Side 50L Large Format Flat Glass

Claims (5)

無機材質基板上にLED素子を実装し、前記無機材質基板上のLED素子実装領域の周囲にガラス蓋を溶着して密封する発光装置の製造方法において、前記ガラス蓋は平板ガラスの一方の面にサンドブラスト加工によって凹部を形成すると共に、前記平板ガラスの他方の面における凹部周囲の切断位置にスクライブ加工によって溝を形成した後に、フッ酸加工によって前記凹部と前記溝の面取り加工を行い、前記凹部形成面側よりダイシング加工によって前記溝の位置を切断することを特徴とする発光装置の製造方法。   In the method of manufacturing a light emitting device, in which an LED element is mounted on an inorganic material substrate, and a glass lid is welded and sealed around the LED element mounting region on the inorganic material substrate, the glass lid is formed on one surface of the flat glass. A recess is formed by sandblasting, and a groove is formed by scribing at a cutting position around the recess on the other surface of the flat glass, and then the recess and the groove are chamfered by hydrofluoric acid processing to form the recess. A method for manufacturing a light emitting device, comprising cutting the position of the groove by dicing from a surface side. 前記無機材質基板と前記ガラス蓋との接着を金属材料による溶着によって行う請求項1記載の発光装置の製造方法。   The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the inorganic material substrate and the glass lid are bonded by welding with a metal material. 前記無機材質基板と前記ガラス蓋とを溶着した後に、前記無機材質基板側から前記ガラス蓋の前記溝の位置に向かってダイシング加工を行うことにより切断する請求項2記載の発光装置の製造方法。   3. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 2, wherein the inorganic material substrate and the glass lid are welded and then cut by dicing from the inorganic material substrate side toward the groove of the glass lid. 大判の無機材質基板に各パターンを形成後、LED素子をFC実装した状態の発光部分を複数個整列して形成する大判基板形成工程と、
大判の平板ガラスに一方の面にサンドブラスト加工によってガラス蓋の凹部を複数個整列して形成する凹部形成工程、前記凹部を形成した前記大判平板ガラスの他方の面における前記凹部周囲の切断位置にスクライブ加工によって溝を形成する溝形成工程、前記凹部及び前記溝を形成した前記大判平板ガラスをフッ酸加工によって前記凹部と前記溝の面取り加工を行うフッ酸加工工程とによって大判ガラス蓋を形成する大判ガラス蓋形成工程と、
前記大判基板と前記大判ガラス蓋とを溶着して一体化する大判発光装置形成工程と、
前記大判発光装置を前記無機材質基板側から前記大判ガラス蓋の前記溝位置に向かってダイシング加工することにより、切断分離して個々の発光装置を作成する切断分離工程と、
を有する発光装置の製造方法。
After forming each pattern on a large-sized inorganic material substrate, a large-sized substrate forming step in which a plurality of light emitting portions with LED elements mounted in FC are aligned and formed,
A recess forming step in which a plurality of recesses of the glass lid are aligned and formed on one surface by sandblasting on a large flat glass, and a scribing is performed at a cutting position around the recess on the other surface of the large flat glass on which the recesses are formed. A large-sized glass lid is formed by a groove forming step of forming grooves by processing, and a hydrofluoric acid processing step of chamfering the recesses and the grooves by hydrofluoric acid processing of the large flat glass having the concave portions and the grooves formed therein. A glass lid forming step;
A large-sized light emitting device forming step of welding and integrating the large-sized substrate and the large-sized glass lid;
A cutting and separating step of creating individual light emitting devices by cutting and separating by dicing the large light emitting device from the inorganic material substrate side toward the groove position of the large size glass lid;
A method for manufacturing a light emitting device.
前記大判基板形成工程における発光部分は、さらにLED素子実装部の周囲に波長変換層を設けた請求項4記載の発光装置の製造方法。
The light emitting device manufacturing method according to claim 4, wherein the light emitting portion in the large format substrate forming step further includes a wavelength conversion layer around the LED element mounting portion.
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