JP5157394B2 - 光学機能付きｒｆｉｄ転写箔、光学機能付きｒｆｉｄタグおよびそのタグを備えた情報記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、目視で光学的な効果を呈する光学機能としてのＯＶＤ層を備え、かつ非接触で外部装置との間でデータの送受信を行うことができる光学機能付きＲＦＩＤタグを製造する光学機能付きＲＦＩＤ転写箔に関する。

従来より、小売店やレンタル店での商品の管理において、ＩＣチップとアンテナを備えたＲＦＩＤタグが利用されている。これはＲＦＩＤタグを商品に取り付け、専用のデー
タ読み書き装置によって商品のデータを読み書きし、商品の出入庫管理、在庫管理、貸し出し管理等を行うものである。ＩＣチップを備えている為、商品コードだけでなく、入荷日、担当者などの豊富な情報を商品と一体で管理することができる。

また、ＲＦＩＤタグが普及するにつれ、ＲＦＩＤタグにＯＶＤ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｄｅｖｉｃｅ）を付与することが期待されている。ＯＶＤとは、光の干
渉を用いて立体画像や特殊な装飾画像を表現できるホログラムや回折格子、光学特性の異なる薄膜を重ねることにより見る角度により色の変化を生じる多層薄膜の総称である。これらのＯＶＤは立体画像や色の変化といった独特な印象を与えるため、優れた装飾効果を有しており、各種包装材や絵本、カタログ等の一般的な印刷物に利用されている。さらに、
このＯＶＤは高度な製造技術を要することから偽造防止手段としてクレジットカード、有価証券、証明書類等に形成されている。近年ではその偽造防止効果の高さから各国の紙幣で採用されている。

ＯＶＤがＲＦＩＤタグに形成されると下記のようなメリットがある。例えば、ＲＦＩＤタグとＯＶＤが別々に商品等に形成されていた場合には、ＲＦＩＤタグとＯＶＤ を一体化して同時に形成することができる。また、ＯＶＤをＲＦＩＤタグに形成することによって、意匠性や高級感、偽造防止効果を与えることができる。偽造防止効果例については、ＯＶＤをＲＦＩＤタグに形成する事により、データ読み書き装置と目視の双方からＲＦＩＤタグの真偽判定が可能となる。例えばデータ読み書き装置がない場合でも、目視にてＲＦＩＤタグの真偽判定が可能となる。また、更に高度な偽造防止媒体として利用する場合は、ＯＶＤに機械読み取り可能な光学情報を記録しておき、ＲＦＩＤタグのＩＣチップ内の情報と関連付ける事によって、さらに高度な偽造防止効果を生み出すことが可能となる。

上記の様にＯＶＤ を形成したＲＦＩＤタグは様々なアプリケーションへの展開が期待できるが、ＲＦＩＤタグにＯＶＤを形成する事によって、データ読み書き装置とＲＦＩＤタグとの通信に不具合を生じる場合がある。これはＯＶＤの光学的効果を持たせる目的でアルミ蒸着等の導電体でなる層が設けられているために生じる。すなわち、この導電性を有する層は、ＯＶＤとＲＦＩＤタグのアンテナが近い場合、データ読み書き装置からの電波を遮蔽してしまう。あるいは、ＲＦＩＤタグのアンテナに影響して共振周波数がずれてしまい、データ読み書き装置とＲＦＩＤタグとの通信距離が短くなってしまうことや、通信不能となってしまうという問題があった。

この課題に考慮し、特許文献１の発明においては、アンテナコイルにＯＶＤを設ける手法が提案されている。また特許文献２には導電性を有していないＯＶＤを設け、通信を妨害しない手法が提案されている。

しかしながら、特許文献１ではデザインに対して制約が生じる。特許文献１では細いアンテナの上部にしかＯＶＤが設けられない。そのためデザインの制約が大きく、意匠性、目視確認性に劣る。

また、特許文献２ではＳｎの海島状の蒸着や、網点状に残したＡｌ蒸着等が利用されており、全面にＡｌ蒸着を施したＯＶＤよりも回折効率が劣るが、参考文献１に比べ意匠性、装飾性に優れている、しかし、熱や溶剤を用いて接着層を溶融あるいは溶解させ貼り替えを行う不正行為を完全に防ぐことはできない。剥がした際に、ＯＶＤは破壊されてしまうとしても、ＩＣインレット（アンテナを有するＩＣチップ）部分は容易に貼り替え可能であり、貼り替え後も通信が可能であるため、完全に貼り替えを防止することは不可能であった。

下記に公知文献を記す。
特開２００２−４２０７５号公報 特開２００４−０７８７２５号公報

本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、その課題とするところは、装飾性、意匠性に優れており、かつ、溶剤や熱を与えて貼り替える偽造を完全に防止可能とする光学機能付きＲＦＩＤタグを容易に製造可能な光学機能付きＲＦＩＤ転写箔を、光学機能付きＲＦＩＤタグおよびそのタグを備えた情報記録媒体を提供する。

請求項１に記載の発明は、支持体の下面に少なくとも、剥離保護層、ＯＶＤ層、絶縁層、第一のアンテナを有するＩＣチップ、接着層を順次積層して成る、非接触で外部装置とデータの送受信を行うＲＦＩＤタグを形成する光学機能付きＲＦＩＤ転写箔であって、
前記ＯＶＤ層を構成する一部が第二のアンテナとして機能する導電性材料からなり、容量結合によって第一のアンテナと電気的に接続するために、その構成の厚さ方向において、ＯＶＤ層および第一のアンテナが部分的に重ねられていることを特徴とする光学機能付きＲＦＩＤ転写箔である。

請求項２に記載の発明は、前記第一のアンテナが単独ではアンテナ機能を有しておらず、第二のアンテナとなる前記ＯＶＤ層と共働によってアンテナ機能を果たすことを特徴とする請求項１記載の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔である。

請求項３に記載の発明は、前記第一のアンテナがダイポールアンテナ用として長尺状に形成されており、その長さが、通信を行う搬送波の波長に対して通信可能な長さよりも短く設定され、重ねられた前記第一のアンテナと第二のアンテナとなるＯＶＤ層とを組み合わせた全体の長手方向の長さが、通信可能な長さに設定されていることを特徴とする請求項２記載の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔である。

請求項４に記載の発明は、前記第１アンテナは、導電性粒子を樹脂バインダー中に分散した導電性ペーストを用い、印刷方式で設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔である。

請求項５に記載の発明は、前記絶縁層がガラス点移転１８０℃以上の樹脂層でなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔である。

請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔を用いて光学機能付きＲＦＩＤタグが転写によって形成されることを特徴とする光学機能付きＲＦＩＤタグである。

請求項７に記載の発明は、請求項６記載の光学機能付きＲＦＩＤタグを備えることを特徴とする情報記録媒体である。

本発明は、光学機能としてのＯＶＤ層をアンテナとして利用する光学機能付きＲＦＩＤタグを容易に製造可能とする光学機能付きＲＦＩＤ転写箔であり、ほぼ全面にＯＶＤ層を設けることができ、装飾性、意匠性に優れている光学機能付きＲＦＩＤタグを作製可能とする。この光学機能付きＲＦＩＤ転写箔を用いて形成された光学機能付きＲＦＩＤタグは、支持体が溶剤や熱に強い強靭なフィルムで構成される部分を有しておらず、薄い転写箔構成であるゆえ、溶剤や熱を与えて貼り替える偽造を試みると、アンテナの役割を持つＯＶＤ部分が破壊し、ＩＣタグとしての機能が損なわれため、完全に貼り替えを防止することが可能である。そして、本発明の光学機能付きＲＦＩＤタグを備える情報記録媒体を提供できる。

以下、図面に基づいて本発明を説明する。図１および図２は、本発明の光学的機能付きＲＦＩＤ転写箔の一実施形態についてその外観を示す平面図である。図３乃至図５は、本発明の光学的機能付きＲＦＩＤ転写箔の一実施形態についてその層構成を示す断面図である。

図１で示す、本発明の一実施形態としての光学機能付きＲＦＩＤ転写箔１は、ＯＶＤ部２、ＩＣチップ４、第一のアンテナ部３、スリット部５を有している。ここで、第一のアンテナ３は必ず必要になるものではなく、ＯＶＤ部２にＩＣチップ４を直接接合するのであれば、不要である。また、スリット部５はＯＶＤ部２を右と左のアンテナに分割するために導電性を有するＯＶＤ層を一部除去した部分であり、図１のように完全に２分割する必要はなく、図２のようにＩＣチップ４の周辺のみ左右の導通が取れないようにスリット部５を設けてあれば、通信可能である。さらに、ＯＶＤの形状も丸型に限定されず、アンテナとして利用可能であればいかなる形状でも適宜適用可能である。

次に、本発明の一実施形態としての光学機能付きＲＦＩＤ転写箔の断面図（図３乃至図５）に基づいてその層構成を詳細に説明する。図３のＲＦＩＤ転写箔は支持体１１の下面に少なくとも、剥離性保護層１２とＯＶＤ形成層１３ａ、ＯＶＤ効果層１３ｂから構成さ
れるＯＶＤ層１３、ＩＣチップ４、接着層１５を順次積層して成り、ＯＶＤ効果層１３ｂとＩＣチップ４が直接結合され、ＯＶＤ効果層１３ｂがアンテナとして機能する構成である。

一方、図４に示したＲＦＩＤ転写箔は支持体１１の下面に少なくとも、剥離性保護層１２とＯＶＤ形成層１３ａ、ＯＶＤ効果層１３ｂから構成されるＯＶＤ層１３、絶縁層１６、第一のアンテナ１７を有するＩＣチップ４、接着層１５を順次積層して成り、第一のアンテナ１７とＯＶＤ効果層１３ｂが絶縁層１６を介して電気的な容量結合にて接合され、ている。この容量結合は通信周波数が２．４５ＧＨｚの場合最低でも１ＰＦ前後の容量を有していれば高周波的には導通が得られる。実験の結果の一例としては、電波方式の通信で周波数が２．４５ＧＨｚのＩＣインレットとＯＶＤ（アルミ蒸着層を持つレリーフ型ホログラム）で双方が重なる面積約１．５ｍｍ×約１．５ｍｍ、間隔約１００μｍでも必要な結合容量が得られ、外部のリーダーライタ装置とＲＦＩＤタグが通信できた。当然、間隔が狭ければ、重なる面積が少なくても通信可能であった。

さらに、図３の断面図に基づいてその構成材料、加工方法に関して詳しく説明する。まず、支持体１１としては厚みが安定しており、かつ耐熱性の高いポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムを用いるのが一般的であるが、これに限るものではない。その他の材料としては、ポリエチレンナフタレート樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム等が耐熱性の高いフィルムとして知られており、同様の目的で使用することが可能である。また、他のフィルム、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、耐熱塩化ビニル等の材料でも、塗液の塗工条件、さらに言えば乾燥条件が許せば使用可能である。また、転写条件等により剥離性保護層１２の剥離が困難である場合には、支持体側に別途従来既知の離形層を設けても良く、剥離が軽すぎる場合には同様に従来既知の易接着処理を行って剥離を調整しても良い。また、転写層への影響が無い限りは、帯電防止処理やマット加工、エンボス処理等の加工も何ら問題は無い。

剥離性保護層１２は支持体１１から剥がれる層であり、さらに云えば、剥離した後はＯＶＤ層１３の上を覆うように形成されていることになって、機械的損傷や携帯時の擦り等の外部損傷、生活物質（酒、水等）に対する耐性を備える。用いられる材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線あるいは電子線硬化性樹脂等の有機高分子樹脂であって、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、セルロース系樹脂、ビニル系樹脂等の熱可塑性樹脂や、反応性水酸基を有するアクリルポリオールやポリエステルポリオール等にポリイソシアネートを架橋剤として添加、架橋したウレタン樹脂や、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂等の熱硬化樹脂、エポキシ（メタ）アクリル、ウレタン（メタ）アクリレート等の電離放射線（紫外線あるいは電子線）硬化樹脂を、単独もしくはこれらを複合して使用できる。また、上記以外のものであっても、支持体１１から剥離しＯＶＤ層１３を保護する透明な樹脂であれば適宜使用できる。これらの樹脂はグラビアコーティング、ホットメルトコーティング等の公知の各種コーティング法によって１〜２０μｍ程度形成される。また、これらの樹脂にさらに耐摩耗性を付与すべく公知のワックスや滑剤、フィラー等を適宜添加することも可能である。

次に、ＯＶＤ層１３であるが、ＯＶＤとは前述した通り見る角度によって色が変化するものの総称であり、従ってＯＶＤ層１３には、光の干渉を利用したホログラム、回折格子、多層薄膜などを用いる。ホログラムや回折格子のようなＯＶＤとしては、光の干渉縞を微細な凹凸パターンとして平面に記録するレリーフ型や体積方向に干渉縞を記録する体積型がある。また、見る角度により色の変化（カラーシフト）を生じる多層薄膜のようなＯＶＤとしては、光学特性の異なるセラミックスや金属の薄膜を積層したものがある。この他に、光の干渉を利用した固有の像や色の変化を生じるものであればこれらに限られるものではない。これらのＯＶＤの中では、量産性やコストを考慮した場合には、レリーフ型ホログラム（回折格子）や多層薄膜が好ましい。

レリーフ型ホログラム（回折格子）は、光学的な撮影方法により微細な凹凸パターンからなるレリーフ型のマスターホログラムを作製し、次に、このマスターホログラムから電気メッキ法により凹凸パターンを複製したニッケル製のプレス版を用いて、ＯＶＤ形成層１３ａに押し当てて凹凸パターンを複製し大量に作製されている
このＯＶＤ形成層１３ａの材料としては熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線あるいは電子線硬化性樹脂のいずれであっても良く、例えば、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、セルロース系樹脂、ビニル系樹脂等の熱可塑性樹脂や、反応性水酸基を有するアクリルポリオールやポリエステルポリオール等にポリイソシアネートを架橋剤として添加、架橋したウレタン樹脂や、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂等の熱硬化樹脂、エポキシ（メタ）アクリル、ウレタン（メタ）アクリレート等の電離放射線（紫外線あるいは電子線）硬化樹脂を、単独もしくはこれらを複合して使用できる。また、上記以外のものであっても、ＯＶＤ画像を形成可能であれば適宜使用可能である。

さらに、ＯＶＤにレリーフ型ホログラム（回折格子）を用いた場合、その回折効率を高めるため反射層となるＯＶＤ効果層１３ｂが設けられる。この層を設けることにより、回折効率が向上し、より鮮明な画像や色の変化をもたらすものになる。用いる材料としては、一般的に屈折率がＯＶＤ形成層３ａと異なるＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＺｎＳなどの高屈折率材料や、より反射効果の高いＡｌ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ等の金属材料が代表的な材料であり、これらの材料を単独あるいは積層して使用できる。これらの材料は真空蒸着法、スパッタリング等の公知の薄膜形成技術にて５０〜１００００Å程度で形成される。

一方、多層薄膜でＯＶＤが形成されるＯＶＤ層（図示せず）は、異なる光学適性を有する多層薄膜層からなり、金属薄膜、セラミックス薄膜またはそれらを併設してなる複合薄膜として積層形成される。たとえば、屈折率の異なる薄膜を積層する場合、高屈折率の薄膜と低屈折率の薄膜を組み合わせても良く、また特定の組み合わせを交互に積層するようにしてもよい。それらの組み合わせにより、所望の多層薄膜を得ることができる。

本発明においては、上記ＯＶＤ層１３（あるいはＯＶＤ効果層１３ｂ）はＲＦＩＤタグのアンテナとして使用され、導電性を有することが不可欠である。すなわち、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｎｉ等の金属材料等、導電性を示す薄膜が用いられるが、これ等に限定されるものではなく、光学的に反射層となり、導電性を示す材料であれば適宜使用可能である。

次に、ＩＣチップ４であるがチップとしては８５０〜９５０ＭＨｚで通信するＵＨＦ波帯および２．４〜５ＧＨｚで通信するマイクロ波帯で通信する電波通信方式を利用したチップが適用される。特に本発明の転写箔は偽造防止性を高めるために薄膜化されているため、そのサイズが０．４ｍｍ角で厚み１００μｍ程度となる日立製作所製ミューチップ（ＴＭ）（通信周波数２．４５ＧＨｚ）のような小さくかつ薄いものを利用することが好ましい。

図３においては、ＯＶＤ効果層１３ｂとＩＣチップ４が、電気的接合部を介して接続している構成を示した。電気的接合部としては、フリップチップ実装やワイヤーボンディング等によって接続される。

本発明において、上記ＯＶＤ効果層１３ｂはＲＦＩＤタグのアンテナとして使われため、その造形がアンテナのパターンとなる。その形としては、例えば図１のように中央にＩＣチップ４のバンプが跨ぐようにスリット部５が設けられている。このスリット部５は、アンテナを左右に分割するためにもうけられた非導電性の部分であり、前述したようにＩＣチップ４の周辺に設けられていればよい。このスリット部５を有したＯＶＤ層１３の製造方法としては、ＯＶＤ効果層１３ｂをスリット部５以外の部位に部分的に設ける。あるいは、全面に設けられたＯＶＤ効果層１３ｂを後加工で部分的に除去する等の手法が挙げられる。

より具体的には、ＯＶＤ効果層１３ｂを部分的に設ける方法として、粒径の細かい金属粒子を分散した導電インキをＯＶＤ効果層１３ｂとして部分的に印刷する手法が挙げられる。

一方、全面に設けられたＯＶＤ効果層１３ｂを後加工で部分的に除去する方法は、
予めスリットとなる部分に水溶性樹脂を塗布し、導電性薄膜の蒸着を施した後に水溶性樹脂部分を洗い流す手法や、レーザーを用いて部分的に導電性薄膜を破壊する手法等が挙げられる。

以上は一例であり、これら以外でも部分的にスリット部を設けることが可能な公知の手法であれば、適宜利用可能である。

接着層１５は様々な被転写材、例えば、紙幣や商品券等の紙素材や、ＩＤカードやクレジットカード等のプラスチック素材に接した状態で熱や圧力を与えられることにより、被転写材に接着する機能を有する公知の接着材料が使用される。例えばアクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、塩ビ・酢ビ共重合体等が挙げられるが、これらに限定されるものでなく公知の感熱もしくは感圧性接着材料であれば適宜利用可能である。

以上、図３を用いて説明してきたが、以降図４に関して説明する。図３の構成との違いは絶縁層１６および第一のアンテナ１７を有しており、第一のアンテナ１７が絶縁層１６を介してＯＶＤ効果層１３ｂと電気的に容量結合している点である。絶縁層としては導電性を示さない有機高分子樹脂が適用される。例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、セルロース系樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ビニル系樹脂等の熱可塑性樹脂や、反応性水酸基を有するアクリルポリオールやポリエステルポリオール等にポリイソシアネートを架橋剤として添加、架橋したウレタン樹脂や、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂等の熱硬化樹脂、エポキシ（メタ）アクリル、ウレタン（メタ）アクリレート等の電離放射線（紫外線あるいは電子線）硬化樹脂を、単独もしくはこれらを複合して使用できる。

特に、絶縁層１６に第一のアンテナ１７を設けその後ＩＣチップ４を直接実装する場合には、実装時の加工で１２０℃〜１８０℃の熱が数秒かかるために、この絶縁層１６に耐熱性を付与することが好ましい。耐熱性がない場合は実装加工時の熱でＯＶＤ形成層１３ａおよびＯＶＤ効果層１３ｂが変形してしまうため、ＯＶＤ画像が白く濁ってしまう。発明者等の実験によるとＴｇ１８０℃以上の樹脂を用いれば、この問題を生じないことが判明した。

その樹脂の例としては、ポリアリレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のＴｇの高い熱可塑性樹脂や、架橋したウレタン樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂等の熱硬化樹脂、エポキシ（メタ）アクリル、ウレタン（メタ）アクリレート等の電離放射線（紫外線あるいは電子線）硬化樹脂が挙げられる。

次に、第一のアンテナ１７であるが、一般的にアンテナとして使用される導電性を有する材料で構成されている。予めこのアンテナにＩＣチップ４を実装したインレットを絶縁層に貼りつけることも可能であるが、偽造防止の観点からより破壊しやすいようにするため、第一のアンテナ１７を絶縁層１６に形成した後、ＩＣチップ４を実装することが好ま
しい。

直接アンテナを設ける方法としては導電性のインキを印刷して形成する方法が特に好ましく、この手法によれば厚さ１〜１０μｍ程度で第一のアンテナ１７の役割を果たすことが可能である。すなわち、その厚みがあれば、十分に第二のアンテナとなるＯＶＤ形成層１３ｂと厚さ方向での重なり部分２９を介して容量結合しコンデンサーのごとく電気的に接続されため、ＯＶＤ形成層１３ｂと共動し一つのアンテナとして機能することができる。

導電性のインキの材料としては、銀系が好ましく、バインダーの樹脂、溶剤、銀粉を含みそれらの接触により導電性を得る蒸発乾燥型の銀ペーストがあげられる。ただし、導電性材料としては、銀系に限らず、銅、ニッケルなどの金属粉末、導電性カーボン粉末、導電性繊維、導電性ウィスカーなどをバインダーとともに溶媒に溶解または分散したものも適宜使用できる。

一方、アンテナの形状としては半波長ダイポールアンテナが好ましい。波長ダイポールアンテナは、電波の指向性はそれほどよくないが、面積が小さく、最も低コストで作製できるアンテナである。通常、通信波長に応じて最適な長さに設定されているが、本発明おいては、この第一のアンテナが単体で機能する必要はなく、かつ、アンテナおよびＩＣチップを再利用しようとする不正行為を防ぐために、単独で機能できない長さで設けることが好ましい。その場合でも、前述したようにＯＶＤ形成層１３ｂと容量結合し、アンテナとして共動で機能することができるため、通信に問題はない。

図５に示した一実施形態は、図４からなる構成のＲＦＩＤ転写箔のＯＶＤ層１３あるいはＩＣチップ４と接着層５の間に、ＩＣチップの段差を解消する、クッション層１８を設けたことを特徴とした構成である。図では層間のＩＣチップ４以外の場所に形成し、段差を解消する構成を示しているが、このクッション層は層間の全面（ＩＣチップ４も含む）に形成することも可能である。

このクッション層１８としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、セルロース系樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ビニル系樹脂等の熱可塑性樹脂や、反応性水酸基を有するアクリルポリオールやポリエステルポリオール等にポリイソシアネートを架橋剤として添加、架橋したウレタン樹脂や、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂等の熱硬化樹脂、エポキシ（メタ）アクリル、ウレタン（メタ）アクリレート等の電離放射線（紫外線あるいは電子線）硬化樹脂を、単独もしくはこれらを複合して使用できる。また、このクッション層１８は、貼り替え偽造の防止を考慮し脆質化を図ることが好ましく、有機あるいは無機顔料や、発泡剤等を混入し脆質化することが可能である。さらには、発泡剤を混入した発泡インキを層間の全面（ＩＣチップ４も含む）に塗布・形成し、タグにかかる圧力等の外的衝撃からＩＣチップ４を保護する役割も兼ねるように形成されることも可能である。一方、その厚みは、ＩＣチップ４や第一のアンテナ１７の厚みによるが、５〜２００μｍ程度で設けられる。

以上、図３、４，５の断面図を用いて詳細に本発明を説明してきたが、意匠性を向上すべく各層を着色することや印刷を施した層を設ける等、使用の目的により適宜利用可能である。また、各層の接着性を鑑み、各層間に接着アンカー層を設けることや、貼り替え防止性を向上すべく各層の層間に部分的に剥離剤を設けることも適宜適用可能である。さらには、偽造防止効果を付与するために各層に外部刺激（紫外線、赤外線、等の１以上）を照射すると、（発光材料によるが、例えば紫外線の場合、又は、赤外線の場合に）発光が生じる発光材料を適宜添加することや、これら材料を含有してなるインキで印刷層を設けることも適宜可能である。

以下に、本発明の具体的な実施例について説明する。

＜実施例１＞
図３のように厚み２５μｍの透明ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムから成る支持体１１に下記の剥離性保護層１２、下記のＯＶＤ形成層１３ａをグラビア法にて各々１μｍ塗布し、次いで、ロールエンボス法によりＯＶＤレリーフパターンを形成した。その後、図２の如きスリット部のパターン（巾１００μｍ）を下記水洗インキを用いて１μｍ印刷した後に真空蒸着法を用いて膜厚０．０５μｍのＡｌ薄膜層（ＯＶＤ効果層１３ｂ）を設け、下記の水洗インキを水で洗い流し、図２のようにスリット状にＯＶＤ効果層３ｂを除去したＯＶＤシートを得た。さらに、ＩＣチップ４として日立製作所製ミューチップ（ＴＭ）（０．４ｍｍ角）を、スリット部を跨ぐ位置に配置させ、左右のＯＶＤ効果層１３ｂにＡＣＰ（異方導電性ペースト）を用いて結合させた。その後、下記の接着層１５を１０μｍ設け本発明の転写箔を作製した。

〔剥離保護層〕
アクリル １０重量部
ポリエチレンＷＡＸ ０．１重量部
ＭＥＫ（メチルエチルケトン） ５９．９重量部
トルエン ３０重量部
〔ＯＶＤ形成層〕
ウレタン樹脂 ２５重量部
ＭＥＫ ５０重量部
トルエン ２５重量部
〔水洗インキ〕
ポリビニルアルコール １０重量部
水 ９０重量部
〔接着層〕
塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体 １５重量部
アクリル樹脂 ５重量部
酢酸エチル ５０重量部
酢酸ブチル ３０重量部
こうして得られた転写箔を２５０μｍのコート紙に重ね、ロール転写法にて貼り合わせた後、支持体となるＰＥＴフィルムを剥がして本発明のＲＦＩＤタグを形成した紙カードを作成した。尚、転写条件は温度１６０℃、速度５ｍ／ｍｉｎ．である。

<実施例２>
実施例１と同様に厚み２５μｍの透明ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムから成る支持体１１に剥離性保護層１２、ＯＶＤ形成層１３ａをグラビア法にて各々１μｍ塗布し、次いで、ロールエンボス法によりＯＶＤレリーフパターンを形成した。次に、真空蒸着法を用いて膜厚０．０５μｍのＡｌ薄膜層（ＯＶＤ効果層１３ｂ）を設けた後、図２の如きスリット部以外の部分に下記の絶縁層１６を１μｍ印刷した。その後、アルカリエッチング法を用いて、絶縁層１６が設けられていないスリット部５のＡｌ蒸着を除去した。さらに、第一のアンテナ１７有するＩＣチップ４（ＩＣインレット）を、下記の粘着剤を用いて、絶縁層に貼りつけた。ここで、第一のアンテナ１７はそれ単体では通信不可能であるが、ＯＶＤ効果層１３ｂを第二のアンテナとして利用し、通信可能となるように調整されており、通常のアンテナよりも短くＩＣチップの左右に各々２ｍｍ長さのアンテナである。その後、接着層１５を１０μｍ設け本発明の転写箔を作製した。

〔絶縁層〕
塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体 １５重量部
酢酸エチル ５５重量部
酢酸ブチル ３０重量部
〔粘着剤〕
アクリル系粘着剤 ４０重量部
酢酸エチル ３０重量部
酢酸ブチル ３０重量部
こうして得られた転写箔を２５０μｍのコート紙に重ね、ロール転写法にて貼り合わせた後、支持体となるＰＥＴフィルムを剥がして本発明のＲＦＩＤタグを形成した紙カードを作成した。尚、転写条件は温度１６０℃、速度５ｍ／ｍｉｎ．である。

＜実施例３＞
実施例１と同様に厚み２５μｍの透明ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムから成る支持体１１に以下の組成の剥離性保護層１２、ＯＶＤ形成層１３ａをグラビア法にて各々１μｍ塗布し、次いで、ロールエンボス法によりＯＶＤレリーフパターンを形成し、次いで、真空蒸着法を用いて膜厚０．０５μｍのＡｌ薄膜層（ＯＶＤ効果層１３ｂ）を設けた。その後、図２の如きスリット部５以外の部分に絶縁層１６を１μｍ印刷した後、アルカリエッチング法を用いて、絶縁層１６が設けられていないスリット部のＡｌ蒸着を除去した。さらに、そのスリット部５に第一のアンテナ１７として、下記の導電性インキを用いて５μｍの厚みでアンテナを印刷した。その後、第一のアンテナ１７にＩＣチップ４を、ＡＣＰ（異方導電性ペースト）を用いて結合させ、接着層１５を１０μｍ設け本発明の転写箔を作製した。

〔導電性インキ（第一のアンテナ）〕
銀ペースト ３０重量部
ポリエステル樹脂 ５重両部
酢酸エチル ４５重量部
酢酸ブチル ２０重量部
こうして得られた転写箔を２５０μｍのコート紙に重ね、ロール転写法にて貼り合わせた後、支持体となるＰＥＴフィルムを剥がして本発明のＲＦＩＤタグを形成した紙カードを作成した。尚、転写条件は温度１６０℃、速度５ｍ／ｍｉｎ．である。

＜比較例１＞（ステッカー構成）
実施例２の構成を利用した比較例としてステッカーの作製を行った。
厚み５０μｍの透明ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムから成る支持体１１に、ＯＶＤ形成層１３ａをグラビア法にて各々１μｍ塗布し、次いで、ロールエンボス法によりＯＶＤレリーフパターンを形成した。その後、真空蒸着法を用いて膜厚０．０５μｍのＡｌ薄膜層（ＯＶＤ効果層１３ｂ）を設け、図１の如きスリット部５以外の部分に絶縁層１６を１μｍ印刷した後、アルカリエッチング法を用いて、絶縁層１６が設けられていないスリット部５のＡｌ蒸着を除去した。さらに、実施例２と同じ第一のアンテナ１７有するＩＣチップ４を、粘着剤を用いて、絶縁層１６に貼りつけた。その後、下記の粘着層を２０μｍ設け比較例１のスッテカータイプのＲＦＩＤタグを得た。

〔粘着層〕
アクリル系粘着剤 ４０重量部
酢酸エチル ３０重量部
酢酸ブチル ３０重量部
こうして得られたステッカーを２５０μｍのコート紙に貼付し比較例のＲＦＩＤタグを形成した紙カードを作製した。

＜比較例２＞（特許文献２における非導電ＯＶＤ構成の転写箔）
実施例２の構成を利用してＳｎの海島状蒸着を有する転写箔を作成した。厚み２５μｍの透明ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムから成る支持体１に以下の組成の剥離性保護層１２、ＯＶＤ形成層１３ａをグラビア法にて各々１μｍ塗布し、次いで、ロールエンボス法によりＯＶＤレリーフパターンを形成し、真空蒸着法を用いて膜厚０．０３μｍのＳｎ海島構造を有する薄膜層（ＯＶＤ効果層１３ｂ）を設けた。その後、図２の如きスリット部５以外の部分に絶縁層を１μｍ印刷した後、アルカリエッチング法を用いて、絶縁層１６が設けられていないスリット部５の蒸着を除去した。さらに、第一のアンテナ１７有するＩＣチップ４を、粘着剤を用いて、絶縁層１６に貼りつけた。本比較例ではＯＶＤ効果層１３ｂに導電性を有していないためアンテナとして利用不可能なため、第一のアンテナ１７はそれ単体で通信可能に調整されたもの（長手方向に長いもの）を用いた。

その後、接着層１５を１０μｍ設け本発明本発明の転写箔を作製した。こうして得られた転写箔を２５０μｍのコート紙に重ね、ロール転写法にて貼り合わせた後、支持体となるＰＥＴフィルムを剥がして本発明のＲＦＩＤタグを形成した紙カードを作成した。尚、転写条件は温度１６０℃、速度５ｍ／ｍｉｎ．である。

これら得られた、実施例１乃至３および比較例１又は２のＲＦＩＤタグは、ほぼ全面にＯＶＤを有しており、意匠性の高い光学機能付きＲＦＩＤタグであった。これらを用いて以下の評価を行った。その結果を表１に示す。
１）通信性
タグが通信可能であるか確認した。
２）貼り替え防止性
タグ部分を熱あるいは溶剤で剥がし、別なカードに貼りつけ通信可能であるか確認した。評価基準としては、○の場合：ＯＶＤが破壊され外観が異なる、かつ、貼り替えたタグは通信不可能である。△の場合：ＯＶＤが破壊され外観は異なるが、ＩＣチップとアンテナは貼り替え可能であり、貼り替えたものでも通信可能である。×の場合：ＯＶＤが破壊せず、貼り替えたものの外観がほぼ同じであり、タグの通信特性も元の状態と変わらない。

以上のように、本発明の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔転写箔を用いて製造された光学機能付きＲＦＩＤタグは、ほぼ全面にＯＶＤを有するために意匠性、装飾性に優れており、溶剤や熱による貼り替えを試みると、ＯＶＤが破壊すると同時にタグの通信機能を損なわれるため、完全に貼り替えによる偽造を防止することが可能である。

本発明の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔の一実施形態を示す平面図である。 本発明の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔の一実施形態を示す平面図である。 本発明の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔の一実施形態を示す断面図である。 本発明の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔の一実施形態を示す断面図である。 本発明の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔の一実施形態を示す断面図である。

符号の説明

１ 光学機能付きＲＦＩＤ転写箔
２ ＯＶＤ
３ 第一のアンテナ
４ ＩＣチップ
５ スリット部
１１ 支持体
１２ 剥離性保護層
１３ ＯＶＤ層
１３ａ ＯＶＤ形成層
１３ｂ ＯＶＤ効果層
１５ 接着層
１６ 絶縁層
１７ 第一のアンテナ
１８ クッション層
２９ 重なり部分

Claims (7)

1. 支持体の下面に少なくとも、剥離保護層、ＯＶＤ層、絶縁層、第一のアンテナを有するＩＣチップ、接着層を順次積層して成る、非接触で外部装置とデータの送受信を行うＲＦＩＤタグを形成する光学機能付きＲＦＩＤ転写箔であって、
   前記ＯＶＤ層を構成する一部が第二のアンテナとして機能する導電性材料からなり、容量結合によって第一のアンテナと電気的に接続するために、その構成の厚さ方向においてＯＶＤ層および第一のアンテナが部分的に重ねられていることを特徴とする光学機能付きＲＦＩＤ転写箔。
2. 前記第一のアンテナが単独ではアンテナ機能を有しておらず、第二のアンテナとなる前記ＯＶＤ層と共働によってアンテナ機能を果たすことを特徴とする請求項１記載の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔。
3. 前記第一のアンテナがダイポールアンテナ用として長尺状に形成されており、その長さが、通信を行う搬送波の波長に対して通信可能な長さよりも短く設定され、重ねられた前記第一のアンテナと第二のアンテナとなるＯＶＤ層とを組み合わせた全体の長手方向の長さが、通信可能な長さに設定されていることを特徴とする請求項２記載の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔。
4. 前記第１アンテナは、導電性粒子を樹脂バインダー中に分散した導電性ペーストを用い、印刷方式で設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔。
5. 前記絶縁層がガラス転移点１８０℃以上の樹脂層でなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学機能付きＲＦＩＤ転写箔を用いて光学機能付きＲＦＩＤタグが転写によって形成されることを特徴とする光学機能付きＲＦＩＤタグ。
7. 請求項６記載の光学機能付きＲＦＩＤタグを備えることを特徴とする情報記録媒体。