JP5146618B1

JP5146618B1 - Method for manufacturing light emitting device

Info

Publication number: JP5146618B1
Application number: JP2012123336A
Authority: JP
Inventors: 英之生駒
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd; Fujifilm Business Innovation Corp
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 2012-05-30
Filing date: 2012-05-30
Publication date: 2013-02-20
Anticipated expiration: 2032-05-30
Also published as: JP2013251326A; CN103456617A; CN103456617B

Abstract

【課題】半導体ウエハを切断して発光素子を製造する際に、発光点が損傷するのを抑制することができる発光素子の製造方法を得る。
【解決手段】発光素子３０における発光点３０Ａの列に沿った一方の縁辺を形成させた後に、一方の縁辺に対して規定間隔を空けて半導体ウエハ２２を切断して、一方の縁辺３０Ｂに比して発光点３０Ａとは離れた発光素子３０の他方の縁辺３０Ｃを形成させる。このように、一方の縁辺３０Ｂに比して発光点３０Ａの列とは離れた他方の縁辺３０Ｃを形成させて発光素子３０を半導体ウエハ２２から切り離すことで、他方の縁辺３０Ｃを形成される際に、半導体ウエハ２２から切り離される側の発光素子３０がばたついても、ブレード４６と発光点３０Ａとが離れているため、発光点３０Ａの損傷が抑制される。
【選択図】図４A method of manufacturing a light emitting element capable of suppressing damage of a light emitting point when a light emitting element is manufactured by cutting a semiconductor wafer.
After forming one edge along a row of light emitting points 30A in a light emitting element 30, a semiconductor wafer 22 is cut at a predetermined interval with respect to the one edge, and compared with one edge 30B. Thus, the other edge 30C of the light emitting element 30 separated from the light emitting point 30A is formed. As described above, when the other edge 30C is formed by separating the light emitting element 30 from the semiconductor wafer 22 by forming the other edge 30C far from the row of light emitting points 30A as compared to the one edge 30B. Even if the light emitting element 30 on the side separated from the semiconductor wafer 22 flutters, damage to the light emitting point 30A is suppressed because the blade 46 and the light emitting point 30A are separated from each other.
[Selection] Figure 4

Description

本発明は、発光素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device.

特許文献１には、切断によって形成されたペレットの飛散によって生ずる切削ブレードの破損を防止することができるダイシング方法が記載されている。 Patent Document 1 describes a dicing method that can prevent breakage of a cutting blade caused by scattering of pellets formed by cutting.

具体的には、所定角度をもってして形成された複数個の第１のストリートと第２のストリートとを有する被加工物を、切削ブレードにより、第１のストリートおよび第２のストリートに沿って切断するダイシング方法であって、第１のストリートを切断した後に第２のストリートを切断するときには、切削ブレードの基台側が被加工物の未加工領域側に向くように切断するようになっている。 Specifically, a workpiece having a plurality of first streets and second streets formed at a predetermined angle is cut along the first and second streets by a cutting blade. In this dicing method, when the second street is cut after the first street is cut, the base side of the cutting blade is cut toward the unprocessed region side of the workpiece.

特開２００１−８５３６５号公報JP 2001-85365 A

本発明の課題は、半導体ウエハを切断して発光素子を製造する際に、発光点が損傷するのを抑制することである。 An object of the present invention is to suppress damage of a light emitting point when a light emitting element is manufactured by cutting a semiconductor wafer.

本発明の請求項１に係る発光素子の製造方法は、長方形状とされると共に長手方向の一方の緑辺に沿って他方の縁辺に比して近くなるように一列に並ぶ発光点が複数形成される発光素子を複数製造するために、前記発光点の列を予め規定された規定間隔で複数形成させた半導体ウエハを固定台に固定する準備工程と、前記準備工程で、前記固定台に固定された前記半導体ウエハを、前記発光点の列に沿って切断して前記発光素子の前記一方の縁辺を形成させた後に、前記一方の縁辺に対して前記規定間隔を空けて前記半導体ウエハを切断して他方の縁辺を形成させる第一切断工程と、前記第一切断工程の後、前記固定台に固定された前記半導体ウエハを、回転刃を用いて前記長手方向に対して交差する短手方向に沿って切断して前記半導体ウエハから前記発光素子を切り出す第二切断工程と、を備え、前記第一切断工程では、予め決められた総切断回数だけ、前記回転刃を構成する第一回転刃を用いて前記半導体ウエハの前記長手方向を切断すると共に、第一吐出部材を用いて前記第一回転刃に向けて切削水を吐出し、前記第一回転刃が前記半導体ウエハを切断している際に、前記総切断回数に対して残りの残切断回数又は既に前記半導体ウエハを切断した既切断回数を計数部材が数え、前記第二切断工程では、回転しながら前記半導体ウエハを切断する前記回転刃を構成する第二回転刃を用いて前記半導体ウエハの前記短手方向を切断すると共に、第二吐出部材を用いて前記第二回転刃に向けて切削水を吐出し、前記第一切断工程の際に、前記計数部材によって数えられた前記残切断回数又は前記既切断回数が、決められた回数に達するまでは、前記第二吐出部材からの切削水の吐出を停止させ、前記残切断回数又は前記既切断回数が、前記決められた回数に達した後に、前記第二吐出部材から切削水を吐出させて前記第二回転刃の温度を予め定められた範囲内とすることを特徴とする。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a light-emitting element, wherein a plurality of light-emitting points arranged in a row are formed in a rectangular shape along one green side in the longitudinal direction so as to be closer to the other side. In order to manufacture a plurality of light emitting elements to be manufactured, a preparation step of fixing a semiconductor wafer in which a plurality of rows of light emitting points are formed at a predetermined interval specified in advance to a fixing base, and fixing to the fixing base in the preparation step The semiconductor wafer is cut along the row of light emitting points to form the one edge of the light emitting element, and then the semiconductor wafer is cut with a predetermined interval from the one edge. The first cutting step of forming the other edge, and the short side direction that intersects the longitudinal direction with the rotary blade after the first cutting step using a rotary blade Cut along the semiconductor wafer. And a second cutting step of cutting said light emitting element from Ha, in the first cutting step, only the total number of cuts to a predetermined, said the semiconductor wafer using a first rotary blade constituting the rotary blade Cutting the longitudinal direction and discharging cutting water toward the first rotary blade using the first discharge member, and when the first rotary blade is cutting the semiconductor wafer, the total number of cuts The counter member counts the remaining number of remaining cuts or the number of previous cuts that have already been performed on the semiconductor wafer, and in the second cutting step, the second rotary blade constituting the rotary blade that cuts the semiconductor wafer while rotating And cutting the transverse direction of the semiconductor wafer using the second discharge member and discharging the cutting water toward the second rotary blade using the second discharge member, and by the counting member during the first cutting step The remaining counted Until the number of cuttings or the number of already cuts reaches a predetermined number of times, the discharge of cutting water from the second discharge member is stopped, and the number of remaining cuttings or the number of already cuts is set to the predetermined number of times. After reaching, the cutting water is discharged from the second discharge member, and the temperature of the second rotary blade is set within a predetermined range.

本発明の請求項２に係る発光素子の製造方法は、長方形状とされると共に長手方向の一方の緑辺に沿って他方の縁辺に比して近くなるように一列に並ぶ発光点が複数形成される発光素子を複数製造するために、前記発光点の列を予め規定された規定間隔で複数形成させた半導体ウエハを固定台に固定する準備工程と、前記準備工程で、前記固定台に固定された前記半導体ウエハを、前記発光点の列に沿って切断して前記発光素子の前記一方の縁辺を形成させた後に、前記一方の縁辺に対して前記規定間隔を空けて前記半導体ウエハを切断して他方の縁辺を形成させる第一切断工程と、前記第一切断工程の後、前記固定台に固定された前記半導体ウエハを、回転刃を用いて前記長手方向に対して交差する短手方向に沿って切断して前記半導体ウエハから前記発光素子を切り出す第二切断工程と、を備え、前記第一切断工程では、予め決められた総切断回数だけ、前記回転刃を構成する第一回転刃を用いて前記半導体ウエハの前記長手方向を切断すると共に、第一吐出部材を用いて前記第一回転刃に向けて切削水を吐出し、前記第一回転刃が前記半導体ウエハを切断している際に、前記総切断回数に対して残りの残切断回数又は既に前記半導体ウエハを切断した既切断回数を計数部材が数え、前記第二切断工程では、回転しながら前記半導体ウエハを切断する前記回転刃を構成する第二回転刃を用いて前記半導体ウエハの前記短手方向を切断すると共に、第二吐出部材を用いて前記第二回転刃に向けて切削水を吐出し、前記第一切断工程の際に、前記計数部材によって数えられた前記残切断回数又は前記既切断回数が、決められた回数に達するまでは、前記第二吐出部材からの切削水の吐出及び前記第二回転刃の回転を停止させ、前記残切断回数又は前記既切断回数が、前記決められた回数に達した後に、前記第二吐出部材から切削水を吐出させると共に前記第二回転刃を回転させて前記第二回転刃の温度を予め定められた範囲内とすることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a light emitting device, wherein a plurality of light emitting points are formed in a line so as to be rectangular and to be closer to one edge along the green side in the longitudinal direction than the other edge. In order to manufacture a plurality of light emitting elements to be manufactured, a preparation step of fixing a semiconductor wafer in which a plurality of rows of light emitting points are formed at a predetermined interval specified in advance to a fixing base, and fixing to the fixing base in the preparation step The semiconductor wafer is cut along the row of light emitting points to form the one edge of the light emitting element, and then the semiconductor wafer is cut with a predetermined interval from the one edge. The first cutting step of forming the other edge, and the short side direction that intersects the longitudinal direction with the rotary blade after the first cutting step using a rotary blade Cut along the semiconductor wafer. A second cutting step of cutting out the light emitting element from c, wherein the first cutting step uses the first rotary blade constituting the rotary blade for a predetermined total number of times of cutting. Cutting the longitudinal direction and discharging cutting water toward the first rotary blade using the first discharge member, and when the first rotary blade is cutting the semiconductor wafer, the total number of cuts In contrast, the counting member counts the number of remaining remaining cuts or the number of cuts that have already been performed on the semiconductor wafer. In the second cutting step, the second rotary blade constituting the rotary blade that cuts the semiconductor wafer while rotating. And cutting the transverse direction of the semiconductor wafer using the second discharge member and discharging the cutting water toward the second rotary blade using the second discharge member, and by the counting member during the first cutting step The remaining counted Until the number of cuts or the number of previous cuts reaches a predetermined number of times, the discharge of the cutting water from the second discharge member and the rotation of the second rotary blade are stopped, the number of remaining cuts or the number of previous cuts However, after reaching the predetermined number of times, the cutting water is discharged from the second discharge member and the second rotary blade is rotated so that the temperature of the second rotary blade is within a predetermined range. It is characterized by.

本発明の請求項１の発光素子の製造方法によれば、第二回転刃が半導体ウエハを切断する切断状態となるまで、第二吐出部材からの切削水の吐出を停止させる場合と比して、切削水の消費を抑制した上で、第二回転刃を切断状態とする際に、切断位置がずれてしまうのを抑制することができる。 According to the method for manufacturing a light emitting element of claim 1 of the present invention, as compared with the case where the discharge of the cutting water from the second discharge member is stopped until the second rotary blade is in a cutting state for cutting the semiconductor wafer. In addition, it is possible to prevent the cutting position from shifting when the second rotary blade is in a cutting state while suppressing consumption of the cutting water.

本発明の請求項２の発光素子の製造方法によれば、第二回転刃が半導体ウエハを切断する切断状態となるまで、第二吐出部材からの切削水の吐出、及び第二回転刃の回転を停止させる場合と比して、切削水の消費を抑制した上で、第二回転刃を切断状態とする際に、切断位置がずれてしまうのを抑制することができる。 According to the method for manufacturing a light emitting element of claim 2 of the present invention, the cutting water is discharged from the second discharge member and the second rotating blade is rotated until the second rotating blade is in a cutting state for cutting the semiconductor wafer. As compared with the case where the cutting is stopped, the cutting position can be prevented from shifting when the cutting blade is consumed and the second rotary blade is cut.

本実施形態に係るウエハ切断装置に採用された第一吐出ユニット及び第二吐出ユニットを示した斜視図である。It is the perspective view which showed the 1st discharge unit and the 2nd discharge unit which were employ | adopted as the wafer cutting device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るウエハ切断装置に採用された第一吐出ユニット及び第二吐出ユニットを示した平面図である。It is the top view which showed the 1st discharge unit and the 2nd discharge unit which were employ | adopted as the wafer cutting device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るウエハ切断装置に採用された第一吐出ユニット及び第二吐出ユニットを示した正面図である。It is the front view which showed the 1st discharge unit and the 2nd discharge unit which were employ | adopted for the wafer cutting device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るウエハ切断装置に採用された第一切断ユニットよって半導体ウエハが切断される切断工程を示した工程図である。It is process drawing which showed the cutting process in which a semiconductor wafer is cut | disconnected by the 1st cutting unit employ | adopted as the wafer cutting device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るウエハ切断装置に採用された制御部の制御系統を示したブロック図である。It is the block diagram which showed the control system of the control part employ | adopted as the wafer cutting device which concerns on this embodiment. （Ａ）（Ｂ）本実施形態に係るウエハ切断装置に採用された第一切断ユニット及び第二切断ユニット等を示した断面図である。(A) (B) It is sectional drawing which showed the 1st cutting unit, the 2nd cutting unit, etc. which were employ | adopted as the wafer cutting device which concerns on this embodiment. （Ａ）（Ｂ）本実施形態に係るウエハ切断装置に採用された第一切断ユニット及び第二切断ユニット等を示した断面図である。(A) (B) It is sectional drawing which showed the 1st cutting unit, the 2nd cutting unit, etc. which were employ | adopted as the wafer cutting device which concerns on this embodiment. （Ａ）（Ｂ）本実施形態に係るウエハ切断装置に採用された第一切断ユニット及び第二切断ユニット等を示した平面図である。(A) (B) It is the top view which showed the 1st cutting unit, the 2nd cutting unit, etc. which were employ | adopted for the wafer cutting device which concerns on this embodiment. （Ａ）（Ｂ）本実施形態に係るウエハ切断装置に採用された第一切断ユニット及び第二切断ユニット等を示した平面図である。(A) (B) It is the top view which showed the 1st cutting unit, the 2nd cutting unit, etc. which were employ | adopted for the wafer cutting device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るウエハ切断装置に採用された第二切断ユニット等を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the 2nd cutting unit etc. which were employ | adopted for the wafer cutting device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体素子の製造方法によって製造される発光素子（半導体素子）を示した平面図である。It is the top view which showed the light emitting element (semiconductor element) manufactured by the manufacturing method of the semiconductor element which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るウエハ切断装置によって切断される半導体ウエハを示した平面図である。It is a top view showing a semiconductor wafer cut with a wafer cutting device concerning this embodiment. 本実施形態に係るウエハ切断装置に採用された第一切断ユニット及び第二切断ユニット等を示した斜視図である。It is the perspective view which showed the 1st cutting unit, the 2nd cutting unit, etc. which were employ | adopted for the wafer cutting device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るウエハ切断装置を示した斜視図である。It is the perspective view which showed the wafer cutting device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るウエハ切断装置に採用された第一切断ユニットよって半導体ウエハが切断される切断工程に対して変形例を示した工程図である。It is process drawing which showed the modification with respect to the cutting process in which a semiconductor wafer is cut | disconnected by the 1st cutting unit employ | adopted as the wafer cutting device which concerns on this embodiment.

本発明の実施形態に係る発光素子の製造方法の一例について図１〜図１５に従って説明する。先ず、この発光素子の製造方法に用いられるウエハ切断装置について説明する。なお、図中に示す矢印Ｚは、鉛直方向上方を示す。 An example of a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First, a wafer cutting apparatus used in this method for manufacturing a light emitting element will be described. In addition, the arrow Z shown in a figure shows the perpendicular direction upper direction.

（全体構成）
図１４に示されるように、ウエハ切断装置１０（ダイシング装置）は、半導体ウエハ２２が積載される収納ボックス１８と、切断される半導体ウエハ２２が固定される固定台の一例としてのチャックテーブル１２と、収納ボックス１８に収納されている半導体ウエハ２２をチャックテーブル１２に搬送する搬送ユニット１４と、チャックテーブル１２を移動させる移動ユニット３２と、移動ユニット３２によって移動するチャックテーブル１２に固定された半導体ウエハ２２を切断する切断ユニット３５と、切断ユニット３５に向けて切削水を吐出する吐出ユニット６０と、を含んで構成されている。 (overall structure)
As shown in FIG. 14, the wafer cutting apparatus 10 (dicing apparatus) includes a storage box 18 on which semiconductor wafers 22 are stacked, a chuck table 12 as an example of a fixing table on which the semiconductor wafers 22 to be cut are fixed, The transfer unit 14 for transferring the semiconductor wafer 22 stored in the storage box 18 to the chuck table 12, the moving unit 32 for moving the chuck table 12, and the semiconductor wafer fixed to the chuck table 12 moved by the moving unit 32. And a discharge unit 60 that discharges cutting water toward the cutting unit 35.

〔収納ボックス〕
ウエハ切断装置１０の筐体２０は、直方体状とされた本体部位２０Ａと、本体部位２０Ａの一端側から鉛直方向上方に突出した突出部位２０Ｂと、を備えている。〔Storage box〕
The housing 20 of the wafer cutting apparatus 10 includes a main body portion 20A having a rectangular parallelepiped shape, and a protruding portion 20B that protrudes vertically upward from one end side of the main body portion 20A.

半導体ウエハ２２が積載される収納ボックス１８は、本体部位２０Ａの他端側の角部に配置され、収納ボックス１８の上部は開放されている。 The storage box 18 on which the semiconductor wafer 22 is loaded is disposed at the corner on the other end side of the main body portion 20A, and the upper portion of the storage box 18 is open.

また、収納ボックス１８には、積載された半導体ウエハ２２を昇降させる図示せぬ昇降部材が備えられており、最上位の半導体ウエハ２２が一定の位置に配置されるようになっている。 The storage box 18 is provided with a lifting member (not shown) that lifts and lowers the stacked semiconductor wafers 22 so that the uppermost semiconductor wafer 22 is arranged at a fixed position.

〔半導体ウエハ〕
収納ボックス１８に収納される半導体ウエハ２２は、円形の一部が切りかかれた形状とされ、図１２に示されるように、ダイシングテープ２６の上に貼り付けられている。さらに、このダイシングテープ２６の外周側は、リング状の基本リング２８に貼り付けられている。このように、半導体ウエハ２２は、基本リング２８にダイシングテープ２６を介して支持された状態で、前述した収納ボックス１８に積載されている。 [Semiconductor wafer]
The semiconductor wafer 22 stored in the storage box 18 has a shape in which a part of a circle is cut off, and is affixed on a dicing tape 26 as shown in FIG. Further, the outer peripheral side of the dicing tape 26 is attached to a ring-shaped basic ring 28. As described above, the semiconductor wafer 22 is loaded on the storage box 18 described above while being supported on the basic ring 28 via the dicing tape 26.

また、図中の半導体ウエハ２２に記載されている二点鎖線は、切断ユニット１６によって切断される切断位置である。この二点差線からも分かるように、半導体ウエハ２２を切断ユニット１６によって切断することで製造される半導体素子の一例としての発光素子３０は、長方形状とされる。 In addition, a two-dot chain line described in the semiconductor wafer 22 in the figure is a cutting position where the cutting unit 16 cuts. As can be seen from this two-dot difference line, the light emitting element 30 as an example of a semiconductor element manufactured by cutting the semiconductor wafer 22 with the cutting unit 16 is rectangular.

この発光素子３０には、図１１に示されるように、長手方向の一方の緑辺３０Ｂに沿って、他方の縁辺３０Ｃに比して近くなるように一列に並ぶ発光点３０Ａが複数形成されている。このような、発光素子３０を製造するため、半導体ウエハ２２には、図４に示されるように、発光点３０Ａの列が予め規定された規定間隔（図中に示す間隔Ｈ）で複数形成されている。 As shown in FIG. 11, the light emitting element 30 has a plurality of light emitting points 30A arranged in a line along one green side 30B in the longitudinal direction so as to be closer to the other side 30C. Yes. In order to manufacture such a light emitting element 30, a plurality of rows of light emitting points 30A are formed on the semiconductor wafer 22 at a predetermined interval (interval H shown in the drawing) on the semiconductor wafer 22, as shown in FIG. ing.

〔搬送ユニット〕
チャックテーブル１２に半導体ウエハ２２を搬送する搬送ユニット１４は、図１４に示されるように、基端部が突出部位２０Ｂの内部に支持されると共に水平方向に移動可能とされるアーム部位１４Ａと、アーム部位１４Ａの先端部に基端部が取り付けられると共に鉛直方向に伸縮可能とされる伸縮部位１４Ｂと、伸縮部位１４Ｂの先端部に取り付けられると共に基本リング２８を吸着する吸着部位１４Ｃと、を備えている。 [Transport unit]
As shown in FIG. 14, the transfer unit 14 that transfers the semiconductor wafer 22 to the chuck table 12 includes an arm part 14 A whose base end is supported inside the protruding part 20 B and is movable in the horizontal direction. A base end portion is attached to the distal end portion of the arm portion 14A, and an expansion / contraction portion 14B that can be expanded and contracted in the vertical direction, and an adsorption portion 14C that is attached to the distal end portion of the expansion / contraction portion 14B and adsorbs the basic ring 28 are provided. ing.

この構成により、搬送ユニット１４は、収納ボックス１８に収容された最上位の半導体ウエハ２２を、基本リング２８を介して持ち上げてチャックテーブル１２に向けて搬送するようになっている。 With this configuration, the transport unit 14 lifts the uppermost semiconductor wafer 22 stored in the storage box 18 via the basic ring 28 and transports it toward the chuck table 12.

〔チャックテーブル〕
チャックテーブル１２は、図１０に示されるように、半導体ウエハ２２を下方から支持する支持部位１２Ａを備えている。支持部位１２Ａは、平面視で円形状とされ、支持部位１２Ａには、半導体ウエハ２２を、ダイシングテープ２６を介して吸着するための図示せぬ吸引孔が複数形成されている。 [Chuck table]
As shown in FIG. 10, the chuck table 12 includes a support portion 12 A that supports the semiconductor wafer 22 from below. The support part 12A has a circular shape in plan view, and a plurality of suction holes (not shown) for adsorbing the semiconductor wafer 22 via the dicing tape 26 are formed in the support part 12A.

さらに、チャックテーブル１２は、支持部位１２Ａを支持部位１２Ａの周方向に回転移動させる回転移動装置２４を、支持部位１２Ａの下側に備えている。 Further, the chuck table 12 includes a rotation moving device 24 that rotates and moves the support part 12A in the circumferential direction of the support part 12A.

〔移動ユニット〕
また、図１４に示されるように、チャックテーブル１２を、搬送ユニット１４によって搬送される半導体ウエハ２２を受け取り可能な受取可能位置（図１４参照）と、切断ユニット１６によって半導体ウエハ２２が切断可能とされる切断可能位置と、の間で移動させる前述した移動ユニット３２が備えられている。 [Mobile unit]
Further, as shown in FIG. 14, the chuck table 12 can receive the semiconductor wafer 22 transported by the transport unit 14 (see FIG. 14), and the cutting unit 16 can cut the semiconductor wafer 22. The above-described moving unit 32 is provided for moving between the cuttable position.

移動ユニット３２は、鉛直方向に対して直交する第一方向（図中矢印Ｘ方向）にチャックテーブル１２を移動させるようになっている。そして、移動ユニット３２が、切断可能位置に配置されたチャックテーブル１２を第一方向に往復移動させることで、切断ユニット１６によって半導体ウエハ２２が切断されるようになっている。 The moving unit 32 moves the chuck table 12 in a first direction (arrow X direction in the figure) orthogonal to the vertical direction. Then, the semiconductor unit 22 is cut by the cutting unit 16 by the moving unit 32 reciprocatingly moving the chuck table 12 arranged at the cuttable position in the first direction.

なお、半導体ウエハ２２を切断する工程については、詳細を後述する。 Details of the process of cutting the semiconductor wafer 22 will be described later.

〔切断ユニット〕
切断ユニット３５は、切断可能位置に配置されたチャックテーブル１２の鉛直方向の上方に配置され、図１３、図１４に示されるように、第一回転刃の一例としての第一切断ユニット３６と、第一切断ユニット３６の隣に配置された第二回転刃の一例としての第二切断ユニット３８と、を備えている。第一切断ユニット３６と第二切断ユニット３８とは、同様の構成であるため、ここでは、第一切断ユニット３６について具体的に説明し、第二切断ユニット３８の説明は省略する。 [Cut unit]
The cutting unit 35 is arranged above the chuck table 12 arranged in the cuttable position in the vertical direction, and as shown in FIGS. 13 and 14, a first cutting unit 36 as an example of the first rotary blade, And a second cutting unit 38 as an example of a second rotary blade disposed next to the first cutting unit 36. Since the first cutting unit 36 and the second cutting unit 38 have the same configuration, the first cutting unit 36 will be specifically described here, and the description of the second cutting unit 38 will be omitted.

第一切断ユニット３６は、円筒状のハウジング４０によって回転可能に支持されたスピンドル４２と、スピンドル４２の先端に取り付けられたフランジ４４によって固定される円形のブレード４６と、ブレード４６を上方から覆うカバー部材７０と、を備えている。 The first cutting unit 36 includes a spindle 42 rotatably supported by a cylindrical housing 40, a circular blade 46 fixed by a flange 44 attached to the tip of the spindle 42, and a cover that covers the blade 46 from above. And a member 70.

ハウジング４０は、鉛直方向及び第一方向に対して直交する第二方向（図中矢印Ｙ方向）に延びる円筒状に形成されている。また、ハウジング４０の基端側には、ハウジング４０の基端部を支持する駆動ユニット４８が備えられている。 The housing 40 is formed in a cylindrical shape extending in a vertical direction and a second direction (the arrow Y direction in the drawing) orthogonal to the first direction. A drive unit 48 that supports the base end portion of the housing 40 is provided on the base end side of the housing 40.

この駆動ユニット４８が、ハウジング４０を鉛直方向（Ｚ方向）及び第二方向（Ｙ方向）に移動させると共に、スピンドル４２を介して半導体ウエハ２２を切断するためのブレード４６を回転させるようになっている。 The drive unit 48 moves the housing 40 in the vertical direction (Z direction) and the second direction (Y direction), and rotates the blade 46 for cutting the semiconductor wafer 22 via the spindle 42. Yes.

具体的に鉛直方向（Ｚ方向）については、駆動ユニット４８は、ブレード４６を用いて半導体ウエハ２２を切断可能な稼動位置（図６（Ａ）参照）と、ブレード４６を半導体ウエハ２２から退避させる退避位置（図６（Ｂ）参照）とにハウジング４０を移動させるようになっている。 Specifically, in the vertical direction (Z direction), the drive unit 48 retracts the blade 46 from the semiconductor wafer 22 and an operating position where the blade 46 can be used to cut the semiconductor wafer 22 (see FIG. 6A). The housing 40 is moved to the retracted position (see FIG. 6B).

具体的に第二方向（Ｙ方向）については、駆動ユニット４８は、第一切断ユニット３６を第二方向に移動させて、第二方向における半導体ウエハ２２の切断位置を変えるようになっている（図４参照）。 Specifically, in the second direction (Y direction), the drive unit 48 moves the first cutting unit 36 in the second direction to change the cutting position of the semiconductor wafer 22 in the second direction ( (See FIG. 4 ).

この第一切断ユニット３６に備えられた各部材と同様に、第二切断ユニット３８は、ハウジング５０と、スピンドル５２と、フランジ５４と、ブレード５６と、駆動ユニット５８と、カバー部材７２と、を備えている。 Like each member provided in the first cutting unit 36, the second cutting unit 38 includes a housing 50, a spindle 52, a flange 54, a blade 56, a drive unit 58, and a cover member 72. I have.

〔吐出ユニット〕
切削水を吐出する吐出ユニット６０は、第一切断ユニット３６に向けて切削水を吐出する第一吐出部材の一例としての第一吐出ユニット６２と、第二切断ユニット３８に向けて切削水を吐出する第二吐出部材の一例としての第二吐出ユニット６４と、を備えている。 [Discharge unit]
The discharge unit 60 that discharges the cutting water discharges the cutting water toward the first cutting unit 36 as an example of the first discharging member that discharges the cutting water toward the first cutting unit 36 and the second cutting unit 38. And a second discharge unit 64 as an example of a second discharge member.

第一吐出ユニット６２と第二吐出ユニット６４とは、同様の構成であるため、ここでは、第一吐出ユニット６２について具体的に説明する。 Since the first discharge unit 62 and the second discharge unit 64 have the same configuration, the first discharge unit 62 will be specifically described here.

第一吐出ユニット６２は、図２、図３に示されるように、ブレード４６の表面及び裏面に向けて切削水を吐出する吐出管７２Ａ及び吐出管７２Ｂと、ブレード４６の外周端面に向けて切削水を吐出する吐出管７４と、ブレード４６によって切断される半導体ウエハ２２の切断部位に向けて切削水を吐出する一対の吐出管７６と、を備えている。そして、吐出管７２Ａ、７２Ｂ、吐出管７４、及び吐出管７６は、カバー部材７０に固定されており、第一切断ユニット３６の移動に伴って一緒に移動するようになっている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the first discharge unit 62 includes a discharge pipe 72 A and a discharge pipe 72 B that discharge cutting water toward the front and back surfaces of the blade 46, and cutting toward the outer peripheral end face of the blade 46. A discharge pipe 74 that discharges water and a pair of discharge pipes 76 that discharge cutting water toward a cutting portion of the semiconductor wafer 22 cut by the blade 46 are provided. The discharge pipes 72A, 72B, the discharge pipe 74, and the discharge pipe 76 are fixed to the cover member 70, and move together with the movement of the first cutting unit 36.

吐出管７２Ａ、７２Ｂは、図３に示されるように、第二方向から見て、第一方向に延びるように配置され、吐出管７２Ａは、ブレード４６の表面（フランジ４４が配置される側の面）と対向するように配置され、吐出管７２Ｂは、ブレード４６の裏面と対向するように配置されている。 As shown in FIG. 3, the discharge pipes 72A and 72B are disposed so as to extend in the first direction when viewed from the second direction, and the discharge pipe 72A is disposed on the surface of the blade 46 (on the side where the flange 44 is disposed). The discharge pipe 72 B is disposed so as to face the back surface of the blade 46.

吐出管７２Ａ、７２Ｂには、図２に示されるように、ブレード４６の表面又は裏面と対向するように複数の開孔７３が形成されている。そして、吐出管７２Ａ、７２Ｂを流れる切削水は、吐出管７２Ａ、７２Ｂの先端部及び開孔７３から、ブレード４６の表面及び裏面に向けて吐出されるようになっている。 As shown in FIG. 2, a plurality of openings 73 are formed in the discharge pipes 72 A and 72 B so as to face the front surface or the back surface of the blade 46. The cutting water flowing through the discharge pipes 72A and 72B is discharged toward the front and back surfaces of the blade 46 from the front ends and the opening 73 of the discharge pipes 72A and 72B.

吐出管７４の先端部は、図２、図３に示されるように、ブレード４６の外周端面と対向している。これにより、吐出管７４を流れる切削水は、吐出管７４の先端部から、ブレード４６の外周端面に向けて吐出されるようになっている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the distal end portion of the discharge pipe 74 faces the outer peripheral end surface of the blade 46. Thereby, the cutting water flowing through the discharge pipe 74 is discharged from the tip end portion of the discharge pipe 74 toward the outer peripheral end face of the blade 46.

一対の吐出管７６は、図２に示されるように、第二方向において、吐出管７４を挟むように配置されている。そして、吐出管７６の先端部は、図３に示されるように、ブレード４６によって切断される半導体ウエハ２２の切断部位に対向している。これにより、吐出管７６を流れる切削水は、吐出管７６の先端部から半導体ウエハ２２の切断部位に向けて吐出されるようになっている。 As shown in FIG. 2, the pair of discharge pipes 76 is arranged so as to sandwich the discharge pipe 74 in the second direction. As shown in FIG. 3, the distal end portion of the discharge pipe 76 faces the cutting portion of the semiconductor wafer 22 cut by the blade 46. As a result, the cutting water flowing through the discharge pipe 76 is discharged from the distal end portion of the discharge pipe 76 toward the cut portion of the semiconductor wafer 22.

さらに、吐出管７２Ａ、７２Ｂ、吐出管７４、及び吐出管７６には、図１に示されるように、バルブ７８Ａ、７８Ｂ、バルブ８０、及びバルブ８２が接続され、バルブ７８Ａ、７８Ｂ、バルブ８０、及びバルブ８２を介して切削水が供給されるようになっている。そして、各バルブの開閉は、後述する制御部材の一例としての制御部８４によって制御されるようになっている。 Further, as shown in FIG. 1, valves 78A, 78B, a valve 80, and a valve 82 are connected to the discharge pipes 72A, 72B, the discharge pipe 74, and the discharge pipe 76, and the valves 78A, 78B, 80, The cutting water is supplied through the valve 82. And the opening and closing of each valve is controlled by the control part 84 as an example of the control member mentioned later.

この第一吐出ユニット６２と同様に、第二吐出ユニット６４は、吐出管８６Ａ、８６Ｂ、吐出管８８及び吐出管９０、並びにバルブ９２Ａ、９２Ｂ、バルブ９４及びバルブ９６を備えている。 Similar to the first discharge unit 62, the second discharge unit 64 includes discharge pipes 86A and 86B, a discharge pipe 88 and a discharge pipe 90, and valves 92A and 92B, a valve 94 and a valve 96.

〔計数部材〕
前述した第一切断ユニット３６は、支持部位１２Ａに固定された半導体ウエハ２２を、予め決められた総切断回数（一枚の半導体ウエハ２２において第一方向に切断する合計回数）だけ回転しながら切断するようになっている。そして、第一切断ユニット３６が半導体ウエハ２２を切断している際に、前述した総切断回数に対して残りの残切断回数を数える計数部材３４（図５参照）が、ウエハ切断装置１０に備えられている。 [Counting member]
The above-described first cutting unit 36 cuts the semiconductor wafer 22 fixed to the support portion 12A while rotating the semiconductor wafer 22 by a predetermined total number of times of cutting (the total number of times of cutting the semiconductor wafer 22 in the first direction). It is supposed to be. When the first cutting unit 36 is cutting the semiconductor wafer 22, the wafer cutting apparatus 10 includes a counting member 34 (see FIG. 5) that counts the remaining number of remaining cuttings with respect to the total number of cuttings described above. It has been.

〔制御部〕
ウエハ切断装置１０は、チャックテーブル１２の支持部位１２Ａを回転移動させる回転移動装置２４（図１０参照）と、チャックテーブル１２を第一方向に移動させる移動ユニット３２（図１４参照）と、第一切断ユニット３６に備えられた駆動ユニット４８と、第二切断ユニット３６に備えられた駆動ユニット５８（図１３参照）と、各バルブの開閉と、を制御する制御部８４を備えている（図５参照）。 (Control part)
The wafer cutting device 10 includes a rotation moving device 24 (see FIG. 10) that rotates and moves the support portion 12A of the chuck table 12, a moving unit 32 (see FIG. 14) that moves the chuck table 12 in the first direction, A drive unit 48 provided in the cutting unit 36, a drive unit 58 (see FIG. 13) provided in the second cutting unit 36, and a controller 84 for controlling the opening and closing of each valve are provided (FIG. 5). reference).

また、この制御部８４は、図５に示されるように、計数部材３４によって数えられた残切断回数に基づいて、バルブ９２Ａ、９２Ｂ、バルブ９４及びバルブ９６を制御して、第二吐出ユニット６４から切削水を吐出させるようになっている。 Further, as shown in FIG. 5, the control unit 84 controls the valves 92 A, 92 B, the valve 94, and the valve 96 based on the number of remaining cuts counted by the counting member 34, and the second discharge unit 64. The cutting water is discharged from.

なお、制御部８４による各部材の制御については、後述する発光素子３０の製造工程（製造方法）で説明する。 In addition, control of each member by the control part 84 is demonstrated in the manufacturing process (manufacturing method) of the light emitting element 30 mentioned later.

（作用）
次に、ウエハ切断装置１０の作用について、ウエハ切断装置１０を用いて発光素子３０を製造する製造工程（製造方法）に基づいて説明する。以下の説明において用いられる図面においては、各工程の理解を容易にするため、適宜部品を省略して記載する。 (Function)
Next, the operation of the wafer cutting apparatus 10 will be described based on a manufacturing process (manufacturing method) for manufacturing the light emitting element 30 using the wafer cutting apparatus 10. In the drawings used in the following description, parts are omitted as appropriate for easy understanding of each process.

発光点３０Ａの列が予め規定された規定間隔（図４に示す間隔Ｈ）で複数形成させた板状の半導体ウエハ２２は、ダイシングテープ２６を介して基本リング２８（図１２参照）に支持され、図１４に示されるように、収納ボックス１８に積載されている。 A plate-shaped semiconductor wafer 22 in which a plurality of rows of light emitting points 30A are formed at predetermined intervals (interval H shown in FIG. 4) is supported by a basic ring 28 (see FIG. 12) via a dicing tape 26. As shown in FIG. 14, the storage box 18 is loaded.

〔準備工程〕
チャックテーブル１２は、予め受取可能位置に配置されている。搬送ユニット１４は、収納ボックス１８に積載された最上位の半導体ウエハ２２を、基本リング２８を介して持ち上げ、受取可能位置に配置されるチャックテーブル１２に向けて搬送する。 [Preparation process]
The chuck table 12 is arranged in advance at a receivable position. The transport unit 14 lifts the uppermost semiconductor wafer 22 loaded in the storage box 18 through the basic ring 28 and transports the semiconductor wafer 22 toward the chuck table 12 disposed at the receivable position.

チャックテーブル１２に搬送された半導体ウエハ２２は、チャックテーブル１２の支持部位１２Ａに吸着されて固定される。なお、この状態で、半導体ウエハ２２から製造される（切り出される）発光素子３０の長手方向が第一方向に沿うように、半導体ウエハ２２が支持部位１２Ａに固定されている。 The semiconductor wafer 22 transported to the chuck table 12 is adsorbed and fixed to the support portion 12A of the chuck table 12. In this state, the semiconductor wafer 22 is fixed to the support portion 12A so that the longitudinal direction of the light emitting element 30 manufactured (cut out) from the semiconductor wafer 22 is along the first direction.

〔第一切断工程〕
準備工程において、半導体ウエハ２２がチャックテーブル１２に固定された後、半導体ウエハ２２を第一切断ユニット３６によって切断することで、発光素子３０の長手方向の縁辺を形成する。なお、第一切断ユニット３６及び第二切断ユニット３８は、予め退避位置に配置されている。 [First cutting step]
In the preparation step, after the semiconductor wafer 22 is fixed to the chuck table 12, the semiconductor wafer 22 is cut by the first cutting unit 36, thereby forming a longitudinal edge of the light emitting element 30. In addition, the 1st cutting unit 36 and the 2nd cutting unit 38 are arrange | positioned in the retracted position previously.

具体的には、制御部８４が、駆動ユニット４８を制御して、図６（Ａ）に示されるように、第一切断ユニット３６を稼動位置へ移動させる。 Specifically, the control unit 84 controls the drive unit 48 to move the first cutting unit 36 to the operating position as shown in FIG.

さらに、制御部８４が、駆動ユニット４８及び移動ユニット３２を制御し、図６（Ａ）に示されるように、ブレード４６を矢印方向に回転させ、チャックテーブル１２を第一方向における一方側（図中左側）に移動させる。これにより、第一方向に並んだ発光素子３０における長手方向の縁辺が、第一方向における一方側（図中左側）から他方側（図中右側）に向かって形成される（切断回数１回）。 Further, the control unit 84 controls the driving unit 48 and the moving unit 32, and as shown in FIG. 6A, the blade 46 is rotated in the direction of the arrow, and the chuck table 12 is moved to one side in the first direction (see FIG. Move to the middle left). Thereby, the edge in the longitudinal direction of the light emitting elements 30 arranged in the first direction is formed from one side (left side in the figure) to the other side (right side in the figure) in the first direction (number of times of cutting once). .

発光素子３０における長手方向の一辺が形成されると、制御部８４が、駆動ユニット４８及び移動ユニット３２を制御して、第一切断ユニット３６を退避位置へ移動させ、さらに、チャックテーブル１２を第一方向における他方側に向けて移動させる。 When one side in the longitudinal direction of the light emitting element 30 is formed, the control unit 84 controls the drive unit 48 and the moving unit 32 to move the first cutting unit 36 to the retracted position, and further moves the chuck table 12 to the first position. Move toward the other side in one direction.

第一切断ユニット３６が退避位置へ移動した後、制御部８４が、駆動ユニット４８を制御して、退避位置の第一切断ユニット３６を、第二方向における一方側（図８（Ａ）に示す右側）に移動させて半導体ウエハ２２の切断位置を変える。 After the first cutting unit 36 has moved to the retracted position, the control unit 84 controls the drive unit 48 so that the first cutting unit 36 at the retracted position is on one side in the second direction (shown in FIG. 8A). And the cutting position of the semiconductor wafer 22 is changed.

そして、前述したように、制御部８４が、図６（Ａ）に示されるように、第一切断ユニット３６を稼動位置へ移動させ、さらに、チャックテーブル１２を第一方向における一方側（図中左側）に向けて移動させる。これにより、発光素子３０における長手方向の縁辺が、第一方向における一方側（図中左側）から他方側（図中右側）に向かって形成される（切断回数２回）。 As described above, the control unit 84 moves the first cutting unit 36 to the operating position as shown in FIG. 6A, and further moves the chuck table 12 to one side in the first direction (in the drawing). Move to the left). Thereby, the edge of the longitudinal direction in the light emitting element 30 is formed toward the other side (right side in a figure) from the one side (left side in a figure) in a 1st direction (2 times of cutting | disconnection times).

この手順を繰り返すことで、図８（Ａ）に示されるように、発光素子３０における長手方向の縁辺が、第二方向における他方側（図中左側）から順に形成される。つまり、発光素子３０における長手方向の縁辺が形成される第一切断工程では、第一切断ユニット３６のブレード４６が回転して第一切断ユニット３６が切断状態とり、第二切断ユニット３８のブレード５６の回転が停止して第二切断ユニット３８が切断休止状態となっている。これにより、発光素子３０の長手方向の縁辺３０Ｂ、３０Ｃが全て形成される。 By repeating this procedure, as shown in FIG. 8A, the longitudinal edge of the light emitting element 30 is formed in order from the other side (left side in the drawing) in the second direction. That is, in the first cutting step in which the longitudinal edge of the light emitting element 30 is formed, the blade 46 of the first cutting unit 36 rotates to bring the first cutting unit 36 into a cutting state, and the blade 56 of the second cutting unit 38. Is stopped and the second cutting unit 38 is in a cutting pause state. Thereby, all of the edges 30B and 30C in the longitudinal direction of the light emitting element 30 are formed.

ここで、第一切断ユニット３６を用いて半導体ウエハ２２を切断する際には、半導体ウエハ２２を切断して発光素子３０における発光点３０Ａの列に沿った一方の縁辺３０Ｂ（図１１参照）を形成させた後に、一方の縁辺３０Ｂに対して前述した規定間隔（図１１に示す間隔Ｈ）を空けて半導体ウエハ２２を切断して、一方の縁辺３０Ｂに比して発光点３０Ａとは離れた発光素子３０の他方の縁辺３０Ｃ（図１１参照）を形成させる（図４参照）。 Here, when the semiconductor wafer 22 is cut using the first cutting unit 36, the semiconductor wafer 22 is cut so that one edge 30 B (see FIG. 11) along the row of the light emitting points 30 A in the light emitting element 30. After the formation, the semiconductor wafer 22 is cut at the predetermined interval (interval H shown in FIG. 11) with respect to one edge 30B, and is separated from the light emitting point 30A as compared with the one edge 30B. The other edge 30C (see FIG. 11) of the light emitting element 30 is formed (see FIG. 4).

一方、第一切断ユニット３６が切断状態で第二切断ユニット３８が切断休止状態の際に、制御部８４は、図１に示されるように、バルブ７８Ａ、７８Ｂ、バルブ８０、及びバルブ８２の開閉を制御し、第一吐出ユニット６２を構成する各吐出管７４、７６、７８から切削水を吐出させる。 On the other hand, when the first cutting unit 36 is in the cut state and the second cutting unit 38 is in the cut-off state, the controller 84 opens and closes the valves 78A and 78B, the valve 80, and the valve 82 as shown in FIG. And the cutting water is discharged from the discharge pipes 74, 76, 78 constituting the first discharge unit 62.

さらに、制御部８４は、バルブ９２Ａ、９２Ｂ、バルブ９４及びバルブ９６の開閉を制御し、計数部材３４によって数えられた残切断回数が、決められた回数に達するまでは、第二吐出ユニット６４を構成する各吐出管からの切削水の吐出を停止させる。また、制御部８４は、バルブ９２Ａ、９２Ｂ、バルブ９４及びバルブ９６の開閉を制御し、計数部材３４によって数えられた残切断回数が決められた回数に達した後に、切断休止状態の第二切断ユニット３８に向けて第二吐出ユニット６４を構成する各吐出管から切削水を吐出させる。つまり、残切断回数が決められた回数に達した後に、切断休止状態の第二切断ユニット３８に向けて第二吐出ユニット６４を構成する各吐出管から切削水が吐出される。 Further, the control unit 84 controls the opening and closing of the valves 92A and 92B, the valve 94, and the valve 96. The second discharge unit 64 is controlled until the remaining number of cuttings counted by the counting member 34 reaches a predetermined number. The discharge of the cutting water from each discharge pipe which comprises is stopped. The control unit 84 controls the opening and closing of the valves 92A and 92B, the valve 94, and the valve 96, and after the number of remaining cuts counted by the counting member 34 has reached a predetermined number, Cutting water is discharged from the discharge pipes constituting the second discharge unit 64 toward the unit 38. That is, after the number of remaining cuts reaches a predetermined number, the cutting water is discharged from each discharge pipe constituting the second discharge unit 64 toward the second cutting unit 38 in the cutting pause state.

〔第二切断工程〕
第一切断工程において、第一切断ユニット３６が半導体ウエハ２２を総切断回数だけ切断して発光素子３０の長手方向の縁辺が形成された後、発光素子３０の短手方向の縁辺を第二切断ユニット３８によって形成する。 [Second cutting step]
In the first cutting step, the first cutting unit 36 cuts the semiconductor wafer 22 by the total number of times of cutting to form the longitudinal edge of the light emitting element 30, and then the second edge of the light emitting element 30 is second cut. Formed by unit 38.

具体的には、制御部８４は、駆動ユニット４８を制御して、第一切断ユニット３６を退避位置へ移動させ、さらに、移動ユニット３２を制御して、チャックテーブル１２を第一方向における他方側（図１４に示す右側）に移動させて半導体ウエハ２２を切断ユニット３５から離間させる。さらに、制御部８４が、回転移動装置２４を制御して、チャックテーブル１２を９０度だけ回転させる。 Specifically, the control unit 84 controls the drive unit 48 to move the first cutting unit 36 to the retracted position, and further controls the moving unit 32 to move the chuck table 12 to the other side in the first direction. The semiconductor wafer 22 is moved away from the cutting unit 35 (right side shown in FIG. 14). Further, the control unit 84 controls the rotational movement device 24 to rotate the chuck table 12 by 90 degrees.

そして、制御部８４が、駆動ユニット５８を制御して、図６（Ｂ）に示されるように、第二切断ユニット３８を稼動位置へ移動させる。 And the control part 84 controls the drive unit 58, and moves the 2nd cutting unit 38 to an operation position, as FIG. 6 (B) shows.

さらに、制御部８４が、駆動ユニット５８及び移動ユニット３２を制御し、図６（Ｂ）に示されるように、ブレード５６を矢印方向に回転させ、チャックテーブル１２を第一方向における一方側（図中左側）に移動させる。これにより、発光素子３０における短手方向の縁辺３０Ｄ（図１１参照）が、第一方向における一方側（図中左側）から他方側（図中右側）に向かって形成される。 Further, the control unit 84 controls the drive unit 58 and the moving unit 32, and as shown in FIG. 6B, the blade 56 is rotated in the arrow direction, and the chuck table 12 is moved to one side in the first direction (see FIG. Move to the middle left). Thereby, a short side edge 30D (see FIG. 11) of the light emitting element 30 is formed from one side (left side in the figure) to the other side (right side in the figure) in the first direction.

発光素子３０における短手方向の一辺が形成されると、制御部８４が、駆動ユニット５８及び移動ユニット３２を制御して、第二切断ユニット３８を退避位置へ移動させ、さらに、チャックテーブル１２を第一方向における他方側に移動させる。 When one side of the light emitting element 30 in the short direction is formed, the control unit 84 controls the drive unit 58 and the moving unit 32 to move the second cutting unit 38 to the retracted position. Move to the other side in the first direction.

そして、制御部８４が、駆動ユニット４８を制御して、退避位置の第二切断ユニット３８を、第二方向における一方側（図８（Ｂ）に示す右側）に移動させて半導体ウエハ２２の切断位置を変える。 Then, the control unit 84 controls the drive unit 48 to move the second cutting unit 38 in the retracted position to one side in the second direction (the right side shown in FIG. 8B) to cut the semiconductor wafer 22. Change position.

また、前述したように、制御部８４が、図６（Ｂ）に示されるように、第二切断ユニット３８を稼動位置へ移動させ、さらに、チャックテーブル１２を第一方向における一方側（図中左側）に向けて移動させる。これにより、発光素子３０における短手方向の縁辺３０Ｄが、第一方向における一方側（図中左側）から他方側（図中右側）に向かって形成される。 Further, as described above, the controller 84 moves the second cutting unit 38 to the operating position as shown in FIG. 6B, and further moves the chuck table 12 to one side in the first direction (in the drawing). Move to the left). Thereby, the short side edge 30D of the light emitting element 30 is formed from one side (left side in the figure) to the other side (right side in the figure) in the first direction.

ここで、発光素子３０の短手方向の縁辺３０Ｄは、図８（Ｂ）に示されるように、半導体ウエハ２２における第二方向の中央側から第二方向における一方側（図中右側）に順に形成される。このため、図８（Ｂ）に示す半導体ウエハ２２の右側について、発光素子３０の短手方向の縁辺３０Ｄが形成される。 Here, the short side edge 30D of the light emitting element 30 is in order from the center side of the second direction in the semiconductor wafer 22 to the one side (right side in the figure) in the second direction as shown in FIG. 8B. It is formed. Therefore, a short side edge 30D of the light emitting element 30 is formed on the right side of the semiconductor wafer 22 shown in FIG. 8B.

図８（Ｂ）に示す半導体ウエハ２２の右側について、発光素子３０の短手方向の縁辺３０Ｄ（図１１参照）が形成されると、制御部８４は、駆動ユニット５８及び移動ユニット３２を制御して、第二切断ユニット３８を退避位置へ移動させ、さらに、チャックテーブル１２を第一方向における他方側に移動させる。 When the lateral edge 30D (see FIG. 11) of the light emitting element 30 is formed on the right side of the semiconductor wafer 22 shown in FIG. 8B, the control unit 84 controls the driving unit 58 and the moving unit 32. The second cutting unit 38 is moved to the retracted position, and the chuck table 12 is moved to the other side in the first direction.

そして、制御部８４は、回転移動装置２４を制御して、チャックテーブル１２を１８０度だけ回転させる。これにより、半導体ウエハ２２において、発光素子３０の短手方向の縁辺３０Ｄが形成れた範囲が、第二方向において入れ代わる。 Then, the control unit 84 controls the rotational movement device 24 to rotate the chuck table 12 by 180 degrees. Thereby, in the semiconductor wafer 22, the range in which the short side edge 30D of the light emitting element 30 is formed is replaced in the second direction.

さらに、制御部８４が、駆動ユニット５８を制御して、図７（Ａ）に示されるように、第二切断ユニット３８を稼動位置へ移動させる。 Further, the control unit 84 controls the drive unit 58 to move the second cutting unit 38 to the operating position as shown in FIG.

また、前述したのと同様の工程を繰り返すことで、発光素子３０の短手方向の縁辺３０Ｄが、図９（Ａ）に示されるように、半導体ウエハ２２における第二方向の中央側から第二方向における一方側（図中右側）に順に形成される。これにより、発光素子３０の短手方向の縁辺３０Ｄが全て形成される。 Further, by repeating the same process as described above, the short side edge 30D of the light emitting element 30 is second from the center side in the second direction in the semiconductor wafer 22, as shown in FIG. It forms in order in the one side (right side in a figure) in a direction. As a result, the short side edge 30D of the light emitting element 30 is formed.

発光素子３０の縁辺３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ（図１１参照）が全て形成されると、制御部８４は、駆動ユニット４８及び駆動ユニット５８を制御して、図７（Ｂ）、図９（Ｂ）に示されるように、第一切断ユニット３６及び第二切断ユニット３８を退避位置へ移動させる。このように、ウエハ切断装置１０を用いて半導体ウエハ２２を切断することで複数の発光素子３０が製造される。 When all of the edges 30B, 30C, and 30D (see FIG. 11) of the light emitting element 30 are formed, the control unit 84 controls the drive unit 48 and the drive unit 58, and FIG. 7 (B) and FIG. 9 (B). As shown, the first cutting unit 36 and the second cutting unit 38 are moved to the retracted position. In this way, the plurality of light emitting elements 30 are manufactured by cutting the semiconductor wafer 22 using the wafer cutting apparatus 10.

ここで、第一切断ユニット３６が切断休止状態で第二切断ユニット３８が切断状態の際に、制御部８４は、バルブ９２Ａ、９２Ｂ、バルブ９４及びバルブ９６の開閉を制御し、第二吐出ユニット６４を構成する各吐出管から切削水を吐出させる。 Here, when the first cutting unit 36 is in the cutting pause state and the second cutting unit 38 is in the cutting state, the control unit 84 controls the opening and closing of the valves 92A, 92B, the valve 94, and the valve 96, and the second discharge unit The cutting water is discharged from each discharge pipe constituting 64.

つまり、第二吐出ユニット６４を構成する各吐出管からは、第一切断工程において、残切断回数が決められた回数に達した後、継続して切削水が吐出される。 That is, cutting water is continuously discharged from each discharge pipe constituting the second discharge unit 64 after the number of remaining cuts reaches a predetermined number in the first cutting step.

以上説明したように、第一切断ユニット３６が切断状態で第二切断ユニット３８が切断休止状態の際に、制御部８４は、計数部材３４によって数えられた残切断回数が決められた回数に達するまでは、第二吐出ユニット６４を構成する各吐出管からの切削水の吐出を停止させ、残切断回数が、決められた回数に達した後に、第二吐出ユニット６４から切削水を吐出させる。 As described above, when the first cutting unit 36 is in the cutting state and the second cutting unit 38 is in the cutting pause state, the control unit 84 reaches the number of times that the remaining cutting number counted by the counting member 34 is determined. Until, the discharge of the cutting water from each discharge pipe constituting the second discharge unit 64 is stopped, and the cutting water is discharged from the second discharge unit 64 after the remaining number of cutting times reaches a predetermined number.

これにより、第二切断ユニット３８を用いて半導体ウエハ２２を切断する際には、ブレード５６の温度が予め決められた範囲内となるため、切削水を常に吐出させる場合と比して、切削水の消費を抑制した上で、切断休止状態とされた第二切断ユニット３８を切断状態させる際に、切断位置がずれてしまうのが抑制される。 As a result, when the semiconductor wafer 22 is cut using the second cutting unit 38, the temperature of the blade 56 is within a predetermined range. It is possible to prevent the cutting position from being shifted when the second cutting unit 38 that is in the cutting pause state is cut while the consumption of the cutting is suppressed.

また、切断位置のずれが抑制されることで、発光素子３０の外形の寸法ばらつきが抑制され、発光素子３０の外形の寸法が許容範囲内に入る。 In addition, by suppressing the shift of the cutting position, the dimensional variation in the outer shape of the light emitting element 30 is suppressed, and the outer dimension of the light emitting element 30 falls within the allowable range.

また、第一切断工程において、発光素子３０における発光点３０Ａの列に沿った一方の縁辺３０Ｂ（図１１参照）を形成させた後に、一方の縁辺３０Ｂに対して規定間隔（図４、図１１に示す間隔Ｈ）を空けて半導体ウエハ２２を切断して、一方の縁辺３０Ｂに比して発光点３０Ａとは離れた発光素子３０の他方の縁辺３０Ｃ（図１１参照）を形成させる。 Further, in the first cutting step, after one edge 30B (see FIG. 11) along the row of light emitting points 30A in the light emitting element 30 is formed, a prescribed interval (FIGS. 4 and 11) is formed with respect to the one edge 30B. The semiconductor wafer 22 is cut at an interval H), and the other edge 30C (see FIG. 11) of the light emitting element 30 that is farther from the light emitting point 30A than the one edge 30B is formed.

このように、一方の縁辺３０Ｂに比して発光点３０Ａの列とは離れた他方の縁辺３０Ｃを形成させて発光素子３０を半導体ウエハ２２から切り離すことで、他方の縁辺３０Ｃを形成される際に、半導体ウエハ２２から切り離される側の発光素子３０がばたついても、ブレード４６と発光点３０Ａとが離れているため、発光点３０Ａの損傷が抑制される。 As described above, when the other edge 30C is formed by separating the light emitting element 30 from the semiconductor wafer 22 by forming the other edge 30C far from the row of light emitting points 30A as compared to the one edge 30B. Even if the light emitting element 30 on the side separated from the semiconductor wafer 22 flutters, damage to the light emitting point 30A is suppressed because the blade 46 and the light emitting point 30A are separated from each other.

また、発光素子３０の短手方向の縁辺３０Ｄは、図８（Ｂ）に示されるように、半導体ウエハ２２における第二方向の中央側から第二方向における一方側（図中右側）に順に形成される。 Further, the short side edge 30D of the light emitting element 30 is formed in order from the center side in the second direction in the semiconductor wafer 22 to one side in the second direction (right side in the figure), as shown in FIG. 8B. Is done.

このため、半導体ウエハ２２を切断することにより不要となる発光素子３０に比して小さな破片１０２（図９（Ｂ）参照）は、図１０に示されるように、第二切断ユニット３８のフランジ５４側ではなく、ハウジング５０側に飛び散る。フランジ５４側に飛び散ってフランジ５４の傾斜面５４Ａに当たって半導体ウエハ２２に跳ね返されるようなことが生じないため、発光点３０Ａの損傷が抑制される。 For this reason, the fragment 102 (see FIG. 9B), which is smaller than the light emitting element 30 that becomes unnecessary by cutting the semiconductor wafer 22, is converted into the flange 54 of the second cutting unit 38 as shown in FIG. It scatters to the housing 50 side, not the side. The light emitting point 30 A is prevented from being damaged because it does not scatter to the flange 54 side and hit the inclined surface 54 A of the flange 54 and bounce back to the semiconductor wafer 22.

なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態をとることが可能であることは当業者にとって明らかである。例えば、上記実施形態では、制御部８４は、計数部材３４によって数えられた残切断回数が決められた回数に達した後に、切断休止状態の第二切断ユニット３８に向けて第二吐出ユニット６４を構成する各吐出管から切削水を吐出させたが、残切断回数が決められた回数に達した後に、第二吐出ユニット６４を構成する各吐出管から切削水を吐出させる際に、制御部８４が、駆動ユニット５８を制御してブレード５６を回転させてもよい。このように、切断休止状態の第二切断ユニット３８のブレード５６を回転させることで、ブレード５６全体の温度が、一様に予め決められた範囲内となる。 Although the present invention has been described in detail with respect to specific embodiments, the present invention is not limited to such embodiments, and various other embodiments can be taken within the scope of the present invention. This will be apparent to those skilled in the art. For example, in the above-described embodiment, the control unit 84 moves the second discharge unit 64 toward the second cutting unit 38 in the cutting pause state after the number of remaining cuttings counted by the counting member 34 reaches a predetermined number. When the cutting water is discharged from each of the discharge pipes constituting the control unit 84, when the cutting water is discharged from each of the discharge pipes constituting the second discharge unit 64 after the number of remaining cuttings reaches the predetermined number of times, the control unit 84. However, the blade 56 may be rotated by controlling the drive unit 58. In this way, by rotating the blade 56 of the second cutting unit 38 in the cutting pause state, the temperature of the entire blade 56 is uniformly within a predetermined range.

また、上記実施形態では、計数部材３４が、残切断回数を形成したが、半導体ウエハを既に切断した既切断回数を数えてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although the count member 34 formed the number of remaining cuts, you may count the already cut number of times which already cut | disconnected the semiconductor wafer.

また、上記実施形態では、バルブが夫々の吐出管毎に備えられたが、バルブを第一吐出ユニット６２及び第二吐出ユニット６４に夫々１個ずつとしてもよい。 Further, in the above embodiment, a valve is provided for each discharge pipe, but one valve may be provided for each of the first discharge unit 62 and the second discharge unit 64.

また、上記実施形態では、第一切断ユニット３６を第二方向における一方側に移動させることで、第一切断工程において、発光素子３０における発光点３０Ａの列に沿った一方の縁辺３０Ｂを形成させた後に、一方の縁辺３０Ｂに比して発光点３０Ａとは離れた発光素子３０の他方の縁辺３０Ｃを形成させたが（図４参照）、発光点１１０Ａが、図１５に示されるように、本実施形態とは対称に、配置されている場合には、第一切断ユニット３６を第二方向における一方側から他方側に移動させて発光素子１１０における発光点１１０Ａの列に沿った一方の縁辺１１０Ｂを形成させた後に、一方の縁辺１１０Ｂに比して発光点１１０Ａとは離れた発光素子１１０の他方の縁辺１１０Ｃを形成させてもよい。 Moreover, in the said embodiment, by moving the 1st cutting | disconnection unit 36 to the one side in a 2nd direction, one edge 30B along the row | line | column of the light emission point 30A in the light emitting element 30 is formed in a 1st cutting process. After that, the other edge 30C of the light emitting element 30 that is separated from the light emitting point 30A as compared with the one edge 30B was formed (see FIG. 4). However, as shown in FIG. When arranged symmetrically with the present embodiment, the first cutting unit 36 is moved from one side to the other side in the second direction, and one edge along the row of the light emitting points 110A in the light emitting element 110 is arranged. After forming 110B, the other edge 110C of the light-emitting element 110 that is farther from the light emitting point 110A than the one edge 110B may be formed.

１０ウエハ切断装置
１２チャックテーブル（固定台の一例）
２２半導体ウエハ
３０発光素子（半導体素子の一例）
３０Ａ発光点
３０Ｂ一方の縁辺
３０Ｃ他方の縁辺
３４計数部材
３６第一切断ユニット（第一回転刃の一例）
３８第二切断ユニット（第二回転刃の一例）
６２第一吐出ユニット（第一吐出部材の一例）
６４第二吐出ユニット（第二吐出部材の一例）
８４制御部（制御部材の一例） 10 Wafer cutting device 12 Chuck table (an example of a fixed base)
22 Semiconductor wafer 30 Light emitting element (an example of a semiconductor element)
30A Light emitting point 30B One edge 30C The other edge 34 Counting member 36 First cutting unit (an example of a first rotary blade)
38 Second cutting unit (an example of a second rotary blade)
62 1st discharge unit (an example of the 1st discharge member)
64 Second discharge unit (an example of a second discharge member)
84 Control part (an example of a control member)

Claims

In order to manufacture a plurality of light emitting elements having a rectangular shape and a plurality of light emitting points arranged in a row so as to be closer to the other edge along one green side in the longitudinal direction, A preparatory step of fixing a plurality of semiconductor wafers formed in rows at predetermined intervals to a fixed base;
In the preparation step, the semiconductor wafer fixed to the fixing base is cut along the row of the light emitting points to form the one edge of the light emitting element, and then the one edge is compared with the one edge. A first cutting step of cutting the semiconductor wafer at a specified interval to form the other edge;
After the first cutting step, the semiconductor wafer fixed to the fixing base is cut along a short direction intersecting the longitudinal direction using a rotary blade to remove the light emitting element from the semiconductor wafer. A second cutting step of cutting,
Equipped with a,
In the first cutting step,
Cut the longitudinal direction of the semiconductor wafer by using a first rotary blade constituting the rotary blade for a predetermined total number of times of cutting, and cut toward the first rotary blade by using a first discharge member. Discharging water,
When the first rotary blade is cutting the semiconductor wafer, the counting member counts the remaining number of remaining cuts or the number of previous cuts that have already cut the semiconductor wafer with respect to the total number of cuts,
In the second cutting step,
Cutting the short side direction of the semiconductor wafer using a second rotary blade constituting the rotary blade that cuts the semiconductor wafer while rotating, and using the second discharge member toward the second rotary blade Discharging cutting water,
During the first cutting step, the discharge of the cutting water from the second discharge member is stopped until the number of remaining cuts or the number of already cuts counted by the counting member reaches a predetermined number. Then, after the number of remaining cuts or the number of previous cuts reaches the predetermined number of times, the cutting water is discharged from the second discharge member so that the temperature of the second rotary blade is within a predetermined range. Manufacturing method of light emitting element.

In order to manufacture a plurality of light emitting elements having a rectangular shape and a plurality of light emitting points arranged in a row so as to be closer to the other edge along one green side in the longitudinal direction, A preparatory step of fixing a plurality of semiconductor wafers formed in rows at predetermined intervals to a fixed base;
  In the preparation step, the semiconductor wafer fixed to the fixing base is cut along the row of the light emitting points to form the one edge of the light emitting element, and then the one edge is compared with the one edge. A first cutting step of cutting the semiconductor wafer at a specified interval to form the other edge;
  After the first cutting step, the semiconductor wafer fixed to the fixing base is cut along a short direction intersecting the longitudinal direction using a rotary blade to remove the light emitting element from the semiconductor wafer. A second cutting step of cutting,
With
  In the first cutting step,
  Cut the longitudinal direction of the semiconductor wafer by using a first rotary blade constituting the rotary blade for a predetermined total number of times of cutting, and cut toward the first rotary blade by using a first discharge member. Discharging water,
  When the first rotary blade is cutting the semiconductor wafer, the counting member counts the remaining number of remaining cuts or the number of previous cuts that have already cut the semiconductor wafer with respect to the total number of cuts,
  In the second cutting step,
  Cutting the short side direction of the semiconductor wafer using a second rotary blade constituting the rotary blade that cuts the semiconductor wafer while rotating, and using the second discharge member toward the second rotary blade Discharging cutting water,
  During the first cutting step, until the number of remaining cuts or the number of already cuts counted by the counting member reaches a predetermined number, the discharge of the cutting water from the second discharge member and the first The rotation of the two rotary blades is stopped, and after the number of remaining cuts or the number of already cuts reaches the determined number, the cutting water is discharged from the second discharge member and the second rotary blade is rotated. A method for manufacturing a light emitting device, wherein the temperature of the second rotary blade is within a predetermined range.