JP3975579B2 - Image sensor - Google Patents

Description

【００２４】
電子輸送性発光層は、化学式２に示すＢｅｂｑ２で形成される。
【００２５】
【化２】

【００２６】
有機ＥＬ層１２は、所定の電圧を印加されると所定の波長域の光を発光する。この場合、有機ＥＬ層１２は緑色の波長域の光を発し、この波長域は、後述する撮像部２０の光導電層２３が有する分光感度特性に含まれるものとなる。この有機ＥＬ層１２で発せられた光は、アドレス導光路２に入射され、アドレス導光路２中を伝わって、撮像部２０中に放射される。
【００２７】
カソード電極１３は、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等で形成された電極であり、有機ＥＬ層１２上の全面に形成される。また、カソード電極１３の電位は、ゼロとなるように接地されている。
【００２８】
封止膜１４は、有機ＥＬ層１２、カソード電極１３等への酸素又は水の浸入を防止するために、図１（ｂ）に示すように、カソード電極１３上に形成される。なお、封止膜１４は、無機又は有機樹脂等を積層したものでもよい。
【００２９】
撮像部２０は、データ電極２１と、遮光層２２と、光導電層２３と、透明電極２４と、保護フィルム２５と、から構成されている。
【００３０】
遮光層２２は、アドレス導光路２から伝搬される光を遮光する材料からなり、図１（ａ）に示すように、アドレス導光路２に対して実質的に垂直になるように、ある所定間隔で互いに実質的に平行に複数のアドレス導光路２にまたがって形成される。
【００３１】
データ電極２１は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、遮光層２２上に形成される。ただし、アドレス導光路２から放射された光が、データ電極２１の上部に直接入射しないようにするため、データ電極２１は、図に示すように、遮光層２２の幅よりも狭く形成される。また、データ電極２１は、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等で形成される。
【００３２】
光導電層２３は、図１（ｂ）に示すように、アドレス導光路２、遮光層２２、及び、データ電極２１上に形成される。この光導電層２３は、ＣｄＳ（硫化カドミウム）や、化学式３に示すエオシン（eosine）を含むＺｎＯ（酸化亜鉛）等の、可視光線（波長：約４００ｎｍ〜８００ｎｍ）に分光感度特性を有する光導電物質である。
【００３３】
【化３】

【００３４】
光導電層２３では、可視光線（以下、単に「光」という）を吸収すると、光が吸収された箇所の内部にキャリア、即ち正孔と電子が生成される。従って、光が照射された箇所では、抵抗が小さくなる。一方、光導電層２３の光が入射されない箇所は、抵抗値が高く、絶縁状態になっている。図１（ｂ）からわかるように、アドレス導光路２から光が放射されたとき、その光は遮光層２２によって妨げられるため、データ電極２１の上部の光導電層２３はアドレス導光路２からの光により直接導電性を示すことはない。
【００３５】
透明電極２４は、ＩＴＯ等で形成された可視光を透過する電極であり、図１（ｂ）に示すように、光導電層２３上の全面に形成され接地されている。
【００３６】
保護フィルム２５は、透明のガラス、プラスチック等であり、透明電極２４上に形成され、撮像部２０を外部環境（ほこり等）から保護する。物体の像は、保護フィルム２５を通して得られるので、２００ＤＰＩ以上の解像度を得る場合は、保護フィルム２５の厚さは６０μｍ以下であることが望ましい。
【００３７】
以上に示したアドレス順次ＥＬ発光部１０と撮像部２０は、図１（ｂ）に示すように、同一基板１上に形成され、アドレス導光路２でつながっているが、互いに離間した位置に形成されている。従って、高温等に弱い有機分子を用いた有機ＥＬ層１２を、撮像部２０を形成した後に形成する方が望ましい。
【００３８】
なお、アドレス導光路２は、上記したように、アドレス順次ＥＬ発光部１０で発せられた光を、撮像部２０中に放射できるような屈折率を有する。すなわち、基板１の屈折率がアドレス導光路２の屈折率より小さく設定されているため、アドレス順次ＥＬ発光部１０で発せられた光は、アドレス導光路２を透過し、アドレス導光路２中をほぼ反射しながら損失が少なく伝わり、撮像部２０中では、アドレス導光路２の屈折率が光導電層２３の屈折率と等しいか小さく設定されているため、アドレス導光路２と光導電層２３との界面から光導電層２３中に放射される。
【００３９】
次に、上記の撮像部２０とアドレス順次ＥＬ発光部１０の駆動システムについて説明する。
【００４０】
図２は、この駆動システムの構成を示す図である。
【００４１】
アドレス順次ＥＬ発光部１０と撮像部２０の駆動システムは、図２に示すアドレスドライバ回路３０と、データライン信号読み出し回路４０と、コントロール部５０と、から構成される。
【００４２】
撮像部２０の部分は、等価回路を示している。図中の破線は、アドレス導光路２を示しており、可変抵抗は、アドレス導光路２とデータ電極２１とが交差する位置付近のデータ電極２１上の光導電層２３を示している。上記したように、光導電層２３は、光が入射していない状態では絶縁状態になっているので、この可変抵抗の抵抗値は最大になっている。
【００４３】
アドレスドライバ回路３０は、複数のアノード電極１１に接続され、コントロール部５０からの制御信号に従って、アノード電極１１に順次電圧を印加し、アドレス導光路２に選択的に光を入射させる。従って、アドレス導光路２は、一本ずつ選択されて、光を撮像部２０中に放射する。
【００４４】
データライン信号読み出し回路４０は、複数のデータ電極２１に接続され、コントロール部５０からの制御信号に応答して、データ電極２１をある一定の電位にする。上記したように、アドレス導光路２から選択されて放射された光は遮光層２２によって遮られているので、この状態からは光導電層２３の抵抗値は変化しない。しかし、撮像部２０上に物体があり、この物体の光反射率が高いと、アドレス導光路２から放射された光は反射され、光導電層２３に再入射する。この反射光は、いくらか角度を持って反射されているので、物体が存在する付近にある光導電層２３（特にアドレス導光路２とデータ電極２１とが交差する位置（この位置には、アドレス導光路２から直接光が放射されない））の抵抗値が局所的に低下する。
【００４５】
例えば、可変抵抗Ｒの上部に光反射性の高い物体が存在すると、再入射した反射光によって抵抗Ｒの抵抗値が低下する。そして、この抵抗Ｒにつながっているデータ電極２１では、蓄えられていた電荷が抵抗Ｒを通って透明電極２４へ逃げて、その電位が変化する。データライン信号読み出し回路４０は、このデータ電極２１の電位変化も検出し、その検出結果を検出信号としてコントロール部５０に出力する。
【００４６】
コントロール部５０は、後述する種々の制御信号を出力して、アドレスドライバ回路３０とデータライン信号読み出し回路４０の動作をコントロールする。
【００４７】
次に、以上のような構成のフォトセンサの動作について、図３を参照して説明する。
【００４８】
図３は、撮像部２０上に撮像対象物（例えば、指紋）を置き、その像を読みとっている状態を示している。
【００４９】
初めに、コントロール部５０は、データライン信号読み出し回路４０に、データ電極２１を一定の電位（０Ｖ以外）にするよう命令する帯電信号を出力する。
【００５０】
データライン信号読み出し回路４０は、コントロール部５０からの帯電信号に応答して、データ電極２１を正又は負に帯電させる。
【００５１】
次に、コントロール部５０は、アドレス順次ＥＬ発光部１０のアノード電極１１に選択的に電圧を印加するよう、アドレスドライバ回路３０に電圧印加信号を出力する。なお、アノード電極１１への電圧印加は、一本ずつ順に行われる。
【００５２】
アドレスドライバ回路３０は、コントロール部５０からの電圧印加信号に従って、アノード電極１１に電圧を印加する。
【００５３】
アドレス順次ＥＬ発光部１０では、アノード電極１１に電圧が印加されると、その部分の有機ＥＬ層１２に、膜厚方向の電圧が印加される。従って、電圧が印加された部分の有機ＥＬ層１２が発光する。
【００５４】
有機ＥＬ層１２が発光した光は、光が発光された部分にあるアドレス導光路２に入射される。
【００５５】
アドレス導光路２に入射された光は、アドレス導光路２中を伝わりながら、撮像部２０では、光導電層２３との界面から光導電層２３中に放射される。以上のようにして、アドレス導光路２は、一本ずつ選択され、光を光導電層２３中に放射する。
【００５６】
アドレス導光路２から選択されて放射された光は、撮像部２０の遮光層２２の間から、図３に示すように、光導電層２３、透明電極２４、及び、保護フィルム２５を透過して、撮像対象物に照射される。
【００５７】
撮像対象物が、例えば指紋の場合、この光は、指紋の凹部に対応する保護フィルム２５の界面で反射され、撮像部２０に再入射する。一方指紋の凸部に対応する保護フィルム２５の界面では、光が指紋凸部を介して保護フィルム２５から外に逃げるために対応するデータ電極２１上の光導電層２３にはほとんど入射されない。この反射光の入射強度は、図３に示すように、撮像対象物の形状、即ち、撮像対象物が保護フィルム２５に接しているか否かということに応じて変化する。撮像対象物が保護フィルム２５に接している部分では、光は効率よく反射されないが、保護フィルム２５に接していない部分では、光は効率よく反射される。
【００５８】
撮像対象物が保護フィルム２５に接していない部分で反射された光は、撮像部２０の光導電層２３（特に、アドレス導光路２とデータ電極２１とが交差する位置）に再入射する。
【００５９】
アドレス導光路２とデータ電極２１とが交差する位置における光導電層２３で反射光が入射した部分では、上記したように、正孔−電子対が生成されるため、その部分の抵抗が小さくなる。従って、撮像対象物（指紋凹部）での反射光によって光導電層２３の抵抗が小さくなった部分に相当するデータ電極２１に蓄えられている電荷が光導電層２３を通って透明電極２４に流れ、そのデータ電極２１の電位が変化する。
【００６０】
データライン信号読み出し回路４０は、コントロール部５０からの制御信号に従ってデータ電極２１の電位変化を検出し、検出信号としてコントロール部５０に出力する。
【００６１】
コントロール部５０は、データライン信号読み出し回路４０から入力された検出信号をデータとして蓄積する。
【００６２】
そして、コントロール部５０は、次の行のアドレス導光路２を発光させて撮像するために、データライン信号読み出し回路４０に帯電信号を出力する。
【００６３】
以後の動作は、上記と同様である。また、以上の動作は、アドレス順次ＥＬ発光部１０のアノード電極１１に、順に電圧を印加していき、全てのアノード電極１１に電圧が印加されるまで繰り返される。即ち、アドレス導光路２に順に光が入射され、全てのアドレス導光路２に光が入射されるまで繰り返される。そして、蓄積された撮像対象物の像は、像の再生や照合に使用される。
【００６４】
次に、以上に示した処理によって得られる像について、図４を用いて、説明する。
【００６５】
図４は、撮像部２０上にドーナツ状の凹部を有し、凹部以外が平坦である物体が載置された状態を示している。
【００６６】
撮像部２０を通っているアドレス導光路２とデータ電極２１は、図４に示すように、それぞれ、１１本（Ａ１〜Ａ１１）、１３本（Ｄ１〜Ｄ１３）あるとする。また、物体の底面は撮像部２０の保護フィルム２５に接触しているとする。従って、物体の凹部により保護フィルム２５に接触していない部分に対応するアドレス導光路２とデータ電極２１との交点は、図４の丸で囲んだ点である。
【００６７】
初めに、データライン信号読み出し回路４０が、データ電極２１を帯電させる。撮像部２０の光導電層２３にはまだ光が入射していないので、光導電層２３は、絶縁状態である。
【００６８】
次に、アドレスドライバ回路３０が、順にアノード電極１１に電圧を印加する。これにより、有機ＥＬ層１２が発光し、順にアドレス導光路２に光が入射される。
【００６９】
アドレス導光路２から放射された光が、撮像対象物の凹部によって保護フィルム２５で反射されて撮像部２０に再入射すると、その部分の光導電層２３の抵抗が小さくなる。図４では、アドレス導光路Ａ３が光を放射したとき、物体の凹部が存在する部分に相当する光導電層２３の部分、即ちアドレス導光路Ａ３のＡ３−１からＡ３−２に相当する部分近傍の光導電層２３の抵抗が小さくなる。
【００７０】
この抵抗値の低下によって、データ電極２１に蓄えられている電荷は、光導電層２３の抵抗値が低下した部分を通って透明電極２４から逃げていく。従って、撮像対象物が接触していない部分に相当するデータ電極２１の電位が変化する。即ち、データ電極Ｄ６、Ｄ７、及び、Ｄ８の電位が変化する。
【００７１】
コントロール部５０は、アドレス導光路Ａ３に光を入射するようにアドレスドライバ回路３０に電圧印加信号を出力し、また、データライン信号読み出し回路４０から、データ電極Ｄ６、Ｄ７、及び、Ｄ８の電位が低下したという検出信号を受け取る。従って、コントロール部５０は、例えば、（Ａ３，Ｄ６）、（Ａ３，Ｄ７）、（Ａ３，Ｄ８）というようにして、物体が存在しない部分に対応する点（図４の点ａ、ｂ、ｃ）をデータとして蓄積することができる。
【００７２】
アドレス導光路Ａ１１まで光が入射されると、物体が接触していない部分に対応する点（図４で、丸で囲んだ点）が、データとして蓄積される。
【００７３】
このデータを使用して、例えば、データ電極のＤ１からＤ１３をＸ座標、アドレス導光路のＡ１からＡ１１をＹ座標にすれば、図４の丸で囲んだ点が、図５のように再現される。この再現像は、アドレス導光路２とデータ電極２１の本数を増やし、点の数を多くすることによって、より正確に物体の像を表すことができる。このアドレス導光路２とデータ電極２１の本数は、撮像の目的に応じて、実験等によって決定される。
【００７４】
以上のようにアドレス導光路２とデータ電極２１を目的に応じて設定し、それに伴ってアノード電極１１と遮光層２２を微細加工しておけば、光導電層２３、透明電極２４、有機ＥＬ層１２、及び、カソード電極１３をパターニングする必要がなくなる。また、基板１に高融点ガラスを使用する必要もなくなり、撮像部２０の生産コストを低減することができる。
【００７５】
また、上記したように、有機ＥＬ層１２によって発せられた光がアドレス導光路２を介して撮像対象物に照射されるので、直角プリズム等を使用する必要がなくなり、フォトセンサ全体を薄型に構成することができる。
【００７６】
また、以上のようにして得られる物体の形状をデータとして予めメモリ等に記憶しておき、撮像で得られた物体の形状が、メモリ内のデータに合うか否かということを判定することもできる。これは、例えば、指紋の照合等に応用できる。
【００７７】
次に、本発明の第２の実施の形態にかかるフォトセンサについて説明する。
【００７８】
このフォトセンサは、第１の実施の形態で示したフォトセンサのアドレス順次ＥＬ発光部１０が、基板を挟んで撮像部２０と対向するような構成になっている。
【００７９】
図６は、このフォトセンサの構成を示す図である。図６（ａ）は、フォトセンサを上から見た平面図である。図６（ｂ）は、（ａ）のフォトセンサをＢ−Ｂで切断したときの断面の構造を示している。図６（ｃ）は、（ａ）のフォトセンサをＣ−Ｃで切断したときの断面の構造を示している。また、図中で参照番号が図１中の番号と同じものは、図１と同じものを示す。
【００８０】
このフォトセンサが、第１の実施の形態で示したフォトセンサと大きく異なる点は、アドレス導光路を使用せず、ルーバー基板４を用い、撮像部２０が形成されている面と異なる面に、アノード電極１１’、有機ＥＬ層１２’、カソード電極１３’及び封止膜１４’から成るアドレス順次ＥＬ発光部１０’が形成されていることである。
【００８１】
ルーバー基板４は、アノード電極１１’に沿って設けられたアドレス光に対し透過率の高い導光部４ａと導光部４ａの両側をアドレス光に対し高い反射性を示す反射部４ｂを有する。したがって、複数のうち所定のアノード電極１１’から入射された光は、ルーバー基板４の複数の導光部４ａのうちの所定ものにのみ入射され、そのまま導光部４ａのみを透過し光導電層２３に向けて直進するか、反射部４ｂで反射を繰り返してほぼ進行方向が直進方向に制御されてから導光部４ａから光導電層２３に向けて出射される。
【００８２】
複数のアノード電極１１’には、第１の実施の形態と同様に、一つずつ順に電圧が印加される。なお、アノード電極１１’は、図６に示すように、実質的にデータ電極２１に直交するように、互いに平行に形成されている。
【００８３】
そして、アノード電極１１’へ所定の電圧を印加することによって有機ＥＬ層１２’で発せられた光は、ルーバー基板４の反射部４ｂ間で反射され、隣に漏れることはないので、実質的にアドレス導光路２と同様の機能を果たすことになる。
【００８４】
これ以外の部分の機能や動作、その駆動システムや撮像方法は、第１の実施の形態で示したのと実質的に同様である。
【００８５】
以上のように有機ＥＬ層１２’とデータ電極２１を目的に応じて設定し、それに伴ってアノード電極１１’と遮光層２２を微細加工しておけば、光導電層２３、透明電極２４、有機ＥＬ層１２’、及び、カソード電極１３’をパターニングする必要がなくなる。また、基板に高融点ガラスを使用する必要もなくなり、フォトセンサの生産コストを低減することができる。
【００８６】
また、上記したように、有機ＥＬ層１２’によって発せられた光が直接、撮像対象物に照射されるので、直角プリズム等を使用する必要がなくなり、フォトセンサ全体を薄型に構成することができる。
【００８７】
本発明は、上記の第１、第２の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な上記の実施の形態の変形態様について、説明する。
【００８８】
第１の実施の形態で示したアドレス導光路２は、基板に溝等を形成し、この溝を導光路としてもよい。
【００８９】
また、光導電層２３は、画素（アドレス導光路２又はアノード電極１１’とデータ電極２１との交点）に応じて島状、又は、図７に示すように、データ電極２１より狭い幅で、ライン状に形成してもよい。このようにすると、データ電極２１によって、アドレス導光路２から光導電層２３に入射する光が妨げられるので、遮光層２２を省くことができる。この場合、光導電層２３の間は、光を透過する層間絶縁樹脂２７で形成される。
【００９０】
さらに、保護フィルム２５は、薄膜フィルムとしてもよい。この場合は、光導電層２３が外部環境に対して強いものとなる。
【００９１】
また、透明電極２４及びカソード電極１３は、一枚でなく、それぞれデータ電極２１とアノード電極１１に対応するように、同じパターンで形成されてもよい。さらに、透明電極２４は、画素（アドレス導光路２又はアノード電極１１’とデータ電極２１との交点）に対応する位置にのみ形成されてもよい。
【００９２】
第２の実施の形態で示した基板（ルーバー基板４）は、ルーバー基板を備えたガラス基板でもよく、ルーバー基板の代わりに光ファイバプレートを薄く切り出した基板でもよい。光ファイバプレートは、長尺方向がアノード電極１１’と光導電層２３とを結ぶ最短の線分の方向に実質的に等しい透明な複数のファイバが束になった状態で光反射性のハニカム形状の筒内に収容された構造であり、アノード電極１１’から入射された光が光導電層２３に向けて進行するように設定されている。
【００９３】
また、フォトセンサは、撮像部２０の光導電層２３に入射する反射光量の違いによる、光導電層２３の抵抗値の変化を利用しているので、撮像対象物は、指紋のように凹凸のある物だけでなく、反射率の異なるものであれば何でもよい。例えば、白い紙の上に黒で書かれた像では、その白の部分と黒の部分の反射率は異なるので、その像を上記の方法で読みとることができる。従って、以上で示したフォトセンサは、スキャナとしても使用できる。
【００９４】
さらに、以上で示したフォトセンサで、光の入射に対してその抵抗値が緩やかに変化する光導電層２３を使用し、予め入射光量に対する抵抗値の時間変化等がわかっている場合は、データ電極２１の電位を時間のタイミングを取って計測することによって、撮像対象物の階調を読むことができる。また、光導電層２３にこのようなものが適用できる場合には、カーボンブラックのようにデータ電極２１が光に対して非透過性を有すれば、これが遮光層２２を兼ねることができる。
【００９５】
また、第１の実施の形態で示した撮像部２０は、基板１上に透明電極２４、光導電層２３が順に積層されて形成され、光導電層２３上にデータ電極２１、遮光層２２が形成され、その上に保護フィルム２５が積層されて形成された構成にしてもよい。この場合は、光を保護フィルム２５から基板１の方向に入射し、撮像対象物を基板１の表面に接触させるようにする。
【００９６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明により、撮像装置に直角プリズムを使用する必要がなくなる。また、発光層や導電層で複雑なパターニングを行う必要がない。
【００９７】
従って、良好な撮像を行い、生産コストを低減した撮像素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態にかかるフォトセンサの撮像部とアドレス順次ＥＬ発光部の構成を示す図である。
【図２】撮像部とアドレス順次ＥＬ発光部の駆動システムを示す図である。
【図３】撮像対象物の像を撮像している状態を示す図である。
【図４】撮像対象物を読みとるときの動作を説明するための図である。
【図５】撮像のデータを再現した状態を示す図である。
【図６】第２の実施の形態にかかるフォトセンサの構成を示す図である。
【図７】撮像部の光導電層の他の構成を示す図である。
【図８】従来の撮像装置の構成例を示す図である。
【符号の説明】
１・・・基板、２・・・アドレス導光路、４・・・ルーバー基板、４ａ・・・導光部、４ｂ・・・反射部、１０・・・アドレス順次ＥＬ発光部、１１・・・アノード電極、１２・・・有機ＥＬ層、１３・・・カソード電極、１４・・・封止膜、１０’・・・アドレス順次ＥＬ発光部、１１’・・・アノード電極、１２’・・・有機ＥＬ層、１３’・・・カソード電極、１４’・・・封止膜、２０・・・撮像部、２１・・・データ電極、２２・・・遮光層、２３・・・光導電層、２４・・・透明電極、２５・・・保護フィルム、２７・・・層間絶縁樹脂、３０・・・アドレスドライバ回路、４０・・・データライン信号読み出し回路、５０・・・コントロール部、６０・・・直角プリズム、６０ａ・・・全反射フィルム、６１・・・光源、６２・・・レンズ、６３・・・ＣＣＤ、ＦＧ・・・指[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an image sensor that reads an image of an object, and more particularly to an image sensor that reads an image of an object using light.
[0002]
[Prior art]
A fingerprint sensor is known as an imaging device that reads an image of an object using light.
[0003]
The fingerprint has a shape unique to each individual, and since it is easy to perform collation by pattern matching, the fingerprint sensor is widely used to identify a specific individual.
[0004]
An example of a fingerprint sensor using a CCD (Charge Coupled Device) as an image pickup element that reads an object image is shown in FIG.
[0005]
The fingerprint sensor shown in FIG. 8 includes a right-angle prism 60 to which a total reflection film 60 a is attached, a light source 61, a lens 62, and a CCD 63. When a fingerprint pattern is read by this fingerprint sensor, the finger FG is placed on the right-angle prism 60 so that the surface of the fingerprint to be read is brought into contact with the total reflection film 60a.
[0006]
In this state, the light incident on the right-angle prism 60 from the light source 61 is absorbed by the convex portion of the fingerprint of the total reflection film 60a (in fact, only this portion is in contact with the total reflection film 60a). The light is almost reflected by the concave portion of the fingerprint and imaged on the CCD 63 by the lens 62. The CCD 63 reads the imaged light to read the fingerprint pattern.
[0007]
In addition, as an imaging device other than the above, there is an imaging device that uses a double-gate TFT (Thin Film Transistor) instead of a CCD as an imaging device.
[0008]
In a two-dimensional imaging device using such a TFT, the TFT is assembled in an XY matrix array, and image information for each pixel is read from the data line.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described fingerprint sensor, it is necessary to change the angle of light from the light source 61 by the right-angle prism 60, and it is necessary to form an image on the CCD 63 by the lens 62. For this reason, there exists a problem that it is difficult to comprise the whole apparatus thinly.
[0010]
On the other hand, an imaging device using a TFT with a double gate structure has a problem that the production cost is high because refractory glass is used for the substrate and CVD (Chemical Vapor Deposition) is performed for element formation. .
[0011]
Accordingly, an object of the present invention is to provide an image pickup device capable of forming the entire apparatus thin.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an imaging device according to a first aspect of the present invention includes a plurality of light guides that are spaced apart from each other and formed substantially in parallel and guide incident light, and the plurality of light guides. A plurality of light emitting elements that are formed corresponding to each of the optical paths, emit light according to an applied voltage, and guide the light to each of the plurality of light guide paths; And a plurality of first electrodes formed at positions where the plurality of light guides form a predetermined angle and the plurality of light emitting elements are not formed, at least the plurality of light guides and the plurality of firsts. The photoconductive layer is formed by laminating with the first electrode at the position of the intersection with the electrode, and changes its resistance value when light in a predetermined wavelength region is incident on the photoconductive layer. Light blocking means for blocking the light so that the emitted light does not enter directly; Characterized in that it comprises a second electrode formed by laminating the photoconductive layer opposite to the plurality of first electrodes corresponding to the position where the photoconductive layer is formed.
[0013]
According to the present invention, it is possible to irradiate light on an imaging object, and to detect the shape and shading of the imaging object by a change in the resistance value of the photoconductive layer due to light reflected according to the imaging object. Can do. Moreover, the light with which the imaging object is irradiated may be guided from the corresponding light emitting element through a plurality of light guide paths. Therefore, in an imaging apparatus to which this imaging element is applied, it is not necessary to use a right-angle prism or the like, and the entire imaging apparatus can be configured to be thin.
[0014]
Further, if the light guide path and the first or second electrode are finely configured, the photoconductive layer need not be subjected to a process such as photolithography or etching to be complicatedly patterned. Accordingly, the production cost of the imaging device can be reduced.
[0015]
The light emitting element and the photoconductive layer may be spaced apart so as not to overlap each other in the layer thickness direction.
[0016]
The plurality of first electrodes may be made of a material that does not transmit light, and may be formed between the photoconductive layer and the plurality of light guides, and may also serve as the light blocking unit. .
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the photosensor according to the first embodiment of the present invention will be described.
[0018]
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an imaging unit 20 and an address sequential EL light emitting unit 10 constituting a photosensor. FIG. 1A is a plan view showing a configuration when the imaging unit 20 and the address sequential EL light emitting unit 10 are viewed from above. FIG.1 (b) has shown the structure of the cross section when cut | disconnecting along AA of Fig.1 (a).
[0019]
As shown in FIGS. 1A and 1B, a plurality of address light guides 2 extending between the imaging unit 20 and the address sequential EL light emitting unit 10 are provided on a substrate 1 made of glass or the like. They are formed substantially parallel to each other. The address light guide 2 guides light emitted from the address sequential EL light emitting unit 10 and radiates the light into the photoconductive layer 23 to irradiate the imaging target.
[0020]
The address sequential EL light emitting unit 10 includes an anode electrode 11, an organic EL (electroluminescence) layer 12, a cathode electrode 13, and a sealing film 14.
[0021]
The anode electrode 11 is a transparent electrode made of ITO (Indium Tin Oxide) or the like. The anode electrodes 11 are formed in the same number as the address light guides 2 as shown in FIG. 1A, and are formed on one end of the address light guides 2 as shown in FIG.
[0022]
The organic EL layer 12 is formed on the entire surface of the address sequential EL light emitting unit 10 so as to cover a part of the anode electrode 11. For example, a hole transport layer (not shown) and cathode electrode formed on the anode electrode 11 side. And an electron-transporting light emitting layer (not shown) formed on the 13th side. The hole transport layer is formed of α-NPD represented by Chemical Formula 1.
[0023]
[Chemical 1]

[0024]
The electron-transporting light-emitting layer is formed of Bebq2 shown in Chemical Formula 2.
[0025]
[Chemical formula 2]

[0026]
The organic EL layer 12 emits light in a predetermined wavelength region when a predetermined voltage is applied. In this case, the organic EL layer 12 emits light in the green wavelength range, and this wavelength range is included in the spectral sensitivity characteristics of the photoconductive layer 23 of the imaging unit 20 described later. Light emitted from the organic EL layer 12 enters the address light guide 2, travels through the address light guide 2, and is radiated into the imaging unit 20.
[0027]
The cathode electrode 13 is an electrode formed of MgAg, MgIn, AlLi or the like, and is formed on the entire surface of the organic EL layer 12. The potential of the cathode electrode 13 is grounded so as to be zero.
[0028]
The sealing film 14 is formed on the cathode electrode 13 as shown in FIG. 1B in order to prevent oxygen or water from entering the organic EL layer 12, the cathode electrode 13, and the like. The sealing film 14 may be a laminate of inorganic or organic resins.
[0029]
The imaging unit 20 includes a data electrode 21, a light shielding layer 22, a photoconductive layer 23, a transparent electrode 24, and a protective film 25.
[0030]
The light shielding layer 22 is made of a material that shields light propagating from the address light guide 2 and has a predetermined interval so as to be substantially perpendicular to the address light guide 2 as shown in FIG. Are formed across a plurality of address light guide paths 2 substantially parallel to each other.
[0031]
The data electrode 21 is formed on the light shielding layer 22 as shown in FIGS. However, in order to prevent light emitted from the address light guide path 2 from directly entering the upper portion of the data electrode 21, the data electrode 21 is formed to be narrower than the width of the light shielding layer 22, as shown in the figure. The data electrode 21 is made of MgAg, MgIn, AlLi, or the like.
[0032]
As shown in FIG. 1B, the photoconductive layer 23 is formed on the address light guide path 2, the light shielding layer 22, and the data electrode 21. This photoconductive layer 23 is a photoconductive material having spectral sensitivity characteristics in visible light (wavelength: about 400 nm to 800 nm), such as CdS (cadmium sulfide) and ZnO (zinc oxide) containing eosin (eosine) shown in Chemical Formula 3. It is a substance.
[0033]
[Chemical 3]

[0034]
In the photoconductive layer 23, when visible light (hereinafter simply referred to as “light”) is absorbed, carriers, that is, holes and electrons are generated inside the portion where the light is absorbed. Accordingly, the resistance is reduced at the portion irradiated with light. On the other hand, the portion of the photoconductive layer 23 where the light is not incident has a high resistance value and is in an insulating state. As can be seen from FIG. 1B, when light is emitted from the address light guide 2, the light is blocked by the light shielding layer 22, so that the photoconductive layer 23 on the upper side of the data electrode 21 is separated from the address light guide 2. There is no direct conductivity by light.
[0035]
The transparent electrode 24 is an electrode made of ITO or the like that transmits visible light, and is formed on the entire surface of the photoconductive layer 23 and grounded as shown in FIG.
[0036]
The protective film 25 is made of transparent glass, plastic, or the like, and is formed on the transparent electrode 24 to protect the imaging unit 20 from the external environment (dust or the like). Since the image of the object is obtained through the protective film 25, the thickness of the protective film 25 is desirably 60 μm or less in order to obtain a resolution of 200 DPI or more.
[0037]
As shown in FIG. 1B, the address sequential EL light emitting unit 10 and the imaging unit 20 described above are formed on the same substrate 1 and connected by the address light guide path 2, but formed at positions separated from each other. Has been. Therefore, it is desirable to form the organic EL layer 12 using organic molecules that are weak at high temperatures or the like after the imaging unit 20 is formed.
[0038]
Note that the address light guide 2 has a refractive index that allows the light emitted from the address sequential EL light emitting unit 10 to be emitted into the imaging unit 20 as described above. That is, since the refractive index of the substrate 1 is set to be smaller than the refractive index of the address light guide 2, the light emitted from the address sequential EL light emitting unit 10 passes through the address light guide 2 and passes through the address light guide 2. Loss is transmitted with little loss while being substantially reflected, and since the refractive index of the address light guide 2 is set to be equal to or smaller than the refractive index of the photoconductive layer 23 in the imaging unit 20, the address light guide 2 and the photoconductive layer 23 Is emitted into the photoconductive layer 23.
[0039]
Next, a driving system for the imaging unit 20 and the address sequential EL light emitting unit 10 will be described.
[0040]
FIG. 2 is a diagram showing the configuration of this drive system.
[0041]
The drive system for the address sequential EL light emitting unit 10 and the imaging unit 20 includes the address driver circuit 30, the data line signal readout circuit 40, and the control unit 50 shown in FIG.
[0042]
The part of the imaging unit 20 shows an equivalent circuit. The broken line in the figure indicates the address light guide 2, and the variable resistor indicates the photoconductive layer 23 on the data electrode 21 near the position where the address light guide 2 and the data electrode 21 intersect. As described above, since the photoconductive layer 23 is in an insulated state when no light is incident, the resistance value of the variable resistor is maximized.
[0043]
The address driver circuit 30 is connected to the plurality of anode electrodes 11, sequentially applies a voltage to the anode electrodes 11 in accordance with a control signal from the control unit 50, and selectively causes light to enter the address light guide path 2. Accordingly, the address light guide paths 2 are selected one by one and emit light into the imaging unit 20.
[0044]
The data line signal readout circuit 40 is connected to the plurality of data electrodes 21 and makes the data electrodes 21 have a certain potential in response to a control signal from the control unit 50. As described above, since the light selected and emitted from the address light guide path 2 is blocked by the light blocking layer 22, the resistance value of the photoconductive layer 23 does not change from this state. However, if there is an object on the imaging unit 20 and the light reflectance of the object is high, the light emitted from the address light guide 2 is reflected and reenters the photoconductive layer 23. Since this reflected light is reflected at an angle, the photoconductive layer 23 in the vicinity where the object exists (especially, the position where the address light guide 2 and the data electrode 21 intersect (this position includes the address guide)). No direct light is emitted from the optical path 2), and the resistance value locally decreases.
[0045]
For example, when an object having high light reflectivity exists above the variable resistor R, the resistance value of the resistor R is lowered by the re-incident reflected light. In the data electrode 21 connected to the resistor R, the stored charge escapes to the transparent electrode 24 through the resistor R, and the potential thereof changes. The data line signal readout circuit 40 also detects the potential change of the data electrode 21 and outputs the detection result to the control unit 50 as a detection signal.
[0046]
The control unit 50 outputs various control signals, which will be described later, and controls the operations of the address driver circuit 30 and the data line signal read circuit 40.
[0047]
Next, the operation of the photosensor having the above configuration will be described with reference to FIG.
[0048]
FIG. 3 shows a state where an imaging object (for example, a fingerprint) is placed on the imaging unit 20 and the image is read.
[0049]
First, the control unit 50 outputs a charging signal that instructs the data line signal reading circuit 40 to set the data electrode 21 to a constant potential (other than 0 V).
[0050]
The data line signal readout circuit 40 charges the data electrode 21 positively or negatively in response to a charging signal from the control unit 50.
[0051]
Next, the control unit 50 outputs a voltage application signal to the address driver circuit 30 so as to selectively apply a voltage to the anode electrode 11 of the address sequential EL light emitting unit 10. In addition, the voltage application to the anode electrode 11 is sequentially performed one by one.
[0052]
The address driver circuit 30 applies a voltage to the anode electrode 11 in accordance with a voltage application signal from the control unit 50.
[0053]
In the address sequential EL light emitting unit 10, when a voltage is applied to the anode electrode 11, a voltage in the film thickness direction is applied to the organic EL layer 12 in that portion. Accordingly, the portion of the organic EL layer 12 to which the voltage is applied emits light.
[0054]
The light emitted from the organic EL layer 12 enters the address light guide path 2 in the portion where the light is emitted.
[0055]
The light incident on the address light guide 2 is radiated into the photoconductive layer 23 from the interface with the photoconductive layer 23 in the imaging unit 20 while traveling through the address light guide 2. As described above, the address light guide paths 2 are selected one by one and emit light into the photoconductive layer 23.
[0056]
The light selected and emitted from the address light guide path 2 passes through the photoconductive layer 23, the transparent electrode 24, and the protective film 25 from between the light shielding layers 22 of the imaging unit 20 as shown in FIG. The object to be imaged is irradiated.
[0057]
When the imaging target is a fingerprint, for example, this light is reflected at the interface of the protective film 25 corresponding to the concave portion of the fingerprint and re-enters the imaging unit 20. On the other hand, at the interface of the protective film 25 corresponding to the convex portion of the fingerprint, light escapes from the protective film 25 through the fingerprint convex portion, so that it hardly enters the photoconductive layer 23 on the corresponding data electrode 21. As shown in FIG. 3, the incident intensity of the reflected light varies depending on the shape of the imaging target, that is, whether or not the imaging target is in contact with the protective film 25. Light is not efficiently reflected at a portion where the imaging object is in contact with the protective film 25, but light is efficiently reflected at a portion which is not in contact with the protective film 25.
[0058]
The light reflected by the part where the imaging object is not in contact with the protective film 25 reenters the photoconductive layer 23 of the imaging unit 20 (particularly, the position where the address light guide path 2 and the data electrode 21 intersect).
[0059]
In the portion where the reflected light is incident on the photoconductive layer 23 at the position where the address light guide path 2 and the data electrode 21 intersect with each other, the hole-electron pair is generated as described above, so that the resistance of the portion becomes small. . Accordingly, the charge stored in the data electrode 21 corresponding to the portion where the resistance of the photoconductive layer 23 is reduced by the reflected light from the imaging object (fingerprint recess) flows through the photoconductive layer 23 to the transparent electrode 24. The potential of the data electrode 21 changes.
[0060]
The data line signal readout circuit 40 detects a potential change of the data electrode 21 in accordance with a control signal from the control unit 50 and outputs it to the control unit 50 as a detection signal.
[0061]
The control unit 50 accumulates the detection signal input from the data line signal readout circuit 40 as data.
[0062]
Then, the control unit 50 outputs a charging signal to the data line signal reading circuit 40 in order to capture an image by causing the address light guide path 2 in the next row to emit light.
[0063]
The subsequent operation is the same as described above. Further, the above operation is repeated until voltage is applied to the anode electrodes 11 of the address sequential EL light emitting unit 10 in order, and voltage is applied to all the anode electrodes 11. That is, light is incident on the address light guides 2 in order, and the process is repeated until light enters all the address light guides 2. The accumulated image of the imaging object is used for image reproduction and verification.
[0064]
Next, an image obtained by the processing described above will be described with reference to FIG.
[0065]
FIG. 4 shows a state in which an object having a donut-shaped recess on the imaging unit 20 and a flat surface other than the recess is placed.
[0066]
As shown in FIG. 4, it is assumed that there are 11 (A1 to A11) and 13 (D1 to D13) address light guide paths 2 and data electrodes 21 passing through the imaging unit 20, respectively. Further, it is assumed that the bottom surface of the object is in contact with the protective film 25 of the imaging unit 20. Therefore, the intersection of the address light guide path 2 and the data electrode 21 corresponding to the portion not in contact with the protective film 25 due to the concave portion of the object is the point circled in FIG.
[0067]
First, the data line signal readout circuit 40 charges the data electrode 21. Since light has not yet entered the photoconductive layer 23 of the imaging unit 20, the photoconductive layer 23 is in an insulated state.
[0068]
Next, the address driver circuit 30 sequentially applies a voltage to the anode electrode 11. Thereby, the organic EL layer 12 emits light, and light enters the address light guide path 2 in order.
[0069]
When the light radiated from the address light guide path 2 is reflected by the protective film 25 by the concave portion of the imaging target and re-enters the imaging unit 20, the resistance of the photoconductive layer 23 at that part decreases. In FIG. 4, when the address light guide A3 emits light, the portion of the photoconductive layer 23 corresponding to the portion where the concave portion of the object exists, that is, the vicinity of the portion corresponding to A3-1 to A3-2 of the address light guide A3. The resistance of the photoconductive layer 23 is reduced.
[0070]
Due to the decrease in the resistance value, the charge stored in the data electrode 21 escapes from the transparent electrode 24 through the portion of the photoconductive layer 23 where the resistance value has decreased. Therefore, the potential of the data electrode 21 corresponding to the portion where the imaging object is not in contact changes. That is, the potentials of the data electrodes D6, D7, and D8 change.
[0071]
The control unit 50 outputs a voltage application signal to the address driver circuit 30 so that light enters the address light guide A3, and the potentials of the data electrodes D6, D7, and D8 are output from the data line signal read circuit 40. Receives a detection signal that it has dropped. Therefore, the control unit 50, for example (A3, D6), (A3, D7), (A3, D8), corresponds to a point corresponding to a portion where no object exists (points a, b, c in FIG. 4). ) Can be stored as data.
[0072]
When light enters the address light guide A11, points corresponding to portions where the object is not in contact (dotted points in FIG. 4) are accumulated as data.
[0073]
Using this data, for example, if D1 to D13 of the data electrode are set to the X coordinate and A1 to A11 of the address light guide are set to the Y coordinate, the circled points in FIG. 4 are reproduced as shown in FIG. The This redevelopment can more accurately represent the image of the object by increasing the number of address light guides 2 and data electrodes 21 and increasing the number of points. The number of the address light guides 2 and the data electrodes 21 is determined by experiments or the like according to the purpose of imaging.
[0074]
As described above, if the address light guide 2 and the data electrode 21 are set according to the purpose, and the anode electrode 11 and the light shielding layer 22 are finely processed accordingly, the photoconductive layer 23, the transparent electrode 24, the organic EL layer 12 and the cathode electrode 13 need not be patterned. Further, it is not necessary to use a high melting point glass for the substrate 1, and the production cost of the imaging unit 20 can be reduced.
[0075]
In addition, as described above, the light emitted from the organic EL layer 12 is irradiated onto the object to be imaged via the address light guide path 2, so that it is not necessary to use a right-angle prism or the like, and the entire photosensor is configured to be thin. can do.
[0076]
In addition, the shape of the object obtained as described above may be stored in advance in a memory or the like as data, and it may be determined whether or not the shape of the object obtained by imaging matches the data in the memory. it can. This can be applied to, for example, fingerprint verification.
[0077]
Next, a photosensor according to a second embodiment of the present invention will be described.
[0078]
This photosensor is configured such that the address sequential EL light emitting unit 10 of the photosensor shown in the first embodiment faces the imaging unit 20 with the substrate interposed therebetween.
[0079]
FIG. 6 is a diagram showing the configuration of this photosensor. FIG. 6A is a plan view of the photosensor as viewed from above. FIG. 6B shows a cross-sectional structure when the photosensor of FIG. FIG. 6C shows a cross-sectional structure when the photosensor of FIG. Also, the same reference numerals in FIG. 1 as those in FIG. 1 indicate the same elements as in FIG.
[0080]
The difference between this photosensor and the photosensor shown in the first embodiment is that the address light guide is not used, the louver substrate 4 is used, and the surface different from the surface on which the imaging unit 20 is formed, That is, an address sequential EL light emitting unit 10 ′ composed of an anode electrode 11 ′, an organic EL layer 12 ′, a cathode electrode 13 ′, and a sealing film 14 ′ is formed.
[0081]
The louver substrate 4 includes a light guide 4a having a high transmittance with respect to the address light provided along the anode electrode 11 'and a reflecting portion 4b having high reflectivity with respect to the address light on both sides of the light guide 4a. Therefore, the light incident from the predetermined anode electrode 11 ′ among the plurality is incident only on a predetermined one of the plurality of light guide portions 4 a of the louver substrate 4, and is transmitted through only the light guide portion 4 a as it is to be a photoconductive layer. The light travels straight toward the light source 23 or is repeatedly reflected by the reflecting portion 4b so that the traveling direction is substantially controlled to the straight traveling direction, and then emitted from the light guide portion 4a toward the photoconductive layer 23.
[0082]
As in the first embodiment, voltages are sequentially applied to the plurality of anode electrodes 11 ′ one by one. As shown in FIG. 6, the anode electrodes 11 ′ are formed in parallel to each other so as to be substantially orthogonal to the data electrodes 21.
[0083]
The light emitted from the organic EL layer 12 ′ by applying a predetermined voltage to the anode electrode 11 ′ is reflected between the reflecting portions 4b of the louver substrate 4 and does not leak to the adjacent side. The same function as the address light guide path 2 is achieved.
[0084]
The functions and operations of other parts, the driving system and the imaging method are substantially the same as those described in the first embodiment.
[0085]
As described above, if the organic EL layer 12 ′ and the data electrode 21 are set according to the purpose and the anode electrode 11 ′ and the light shielding layer 22 are finely processed accordingly, the photoconductive layer 23, the transparent electrode 24, the organic There is no need to pattern the EL layer 12 'and the cathode electrode 13'. Further, it is not necessary to use a high melting point glass for the substrate, and the production cost of the photosensor can be reduced.
[0086]
Further, as described above, the light emitted from the organic EL layer 12 ′ is directly applied to the imaging target, so that it is not necessary to use a right-angle prism or the like, and the entire photosensor can be configured to be thin. .
[0087]
The present invention is not limited to the first and second embodiments described above, and various modifications and applications are possible. Hereinafter, modifications of the above-described embodiment applicable to the present invention will be described.
[0088]
In the address light guide 2 shown in the first embodiment, a groove or the like may be formed in the substrate, and this groove may be used as the light guide.
[0089]
Further, the photoconductive layer 23 has an island shape depending on the pixel (the intersection of the address light guide path 2 or the anode electrode 11 ′ and the data electrode 21) or a width narrower than the data electrode 21 as shown in FIG. You may form in a line form. In this case, the light incident on the photoconductive layer 23 from the address light guide path 2 is blocked by the data electrode 21, so that the light shielding layer 22 can be omitted. In this case, the space between the photoconductive layers 23 is formed of an interlayer insulating resin 27 that transmits light.
[0090]
Furthermore, the protective film 25 may be a thin film. In this case, the photoconductive layer 23 is strong against the external environment.
[0091]
Further, the transparent electrode 24 and the cathode electrode 13 may be formed in the same pattern so as to correspond to the data electrode 21 and the anode electrode 11, respectively, instead of a single sheet. Further, the transparent electrode 24 may be formed only at a position corresponding to the pixel (the intersection of the address light guide path 2 or the anode electrode 11 ′ and the data electrode 21).
[0092]
The substrate (louver substrate 4) shown in the second embodiment may be a glass substrate provided with a louver substrate, or a substrate obtained by thinly cutting an optical fiber plate instead of the louver substrate. The optical fiber plate has a light-reflective honeycomb shape in which a plurality of transparent fibers whose length direction is substantially equal to the direction of the shortest line segment connecting the anode electrode 11 ′ and the photoconductive layer 23 are bundled. And is set so that light incident from the anode electrode 11 ′ travels toward the photoconductive layer 23.
[0093]
In addition, since the photosensor uses a change in the resistance value of the photoconductive layer 23 due to a difference in the amount of reflected light incident on the photoconductive layer 23 of the imaging unit 20, the imaging target has an uneven surface like a fingerprint. Not only a certain thing but anything with a different reflectance may be used. For example, in an image written in black on white paper, the reflectance of the white portion and the black portion is different, so that the image can be read by the above method. Therefore, the photosensor described above can also be used as a scanner.
[0094]
Furthermore, in the photosensor described above, when the photoconductive layer 23 whose resistance value changes gently with respect to the incidence of light is used and the temporal change of the resistance value with respect to the incident light amount is known in advance, the data By measuring the potential of the electrode 21 with timing, it is possible to read the gradation of the imaging object. Further, in the case where such a material can be applied to the photoconductive layer 23, if the data electrode 21 is non-transmissive to light like carbon black, this can also serve as the light shielding layer 22.
[0095]
The imaging unit 20 shown in the first embodiment is formed by sequentially laminating a transparent electrode 24 and a photoconductive layer 23 on the substrate 1, and a data electrode 21 and a light shielding layer 22 are formed on the photoconductive layer 23. It may be configured to be formed and a protective film 25 is laminated thereon. In this case, light is incident from the protective film 25 toward the substrate 1 so that the object to be imaged is brought into contact with the surface of the substrate 1.
[0096]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, the present invention eliminates the need to use a right-angle prism in the imaging device. Further, it is not necessary to perform complicated patterning on the light emitting layer or the conductive layer.
[0097]
Therefore, it is possible to provide an imaging device that performs favorable imaging and reduces production costs.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an imaging unit and an address sequential EL light emitting unit of a photosensor according to a first embodiment.
FIG. 2 is a diagram illustrating a driving system for an imaging unit and an address sequential EL light emitting unit.
FIG. 3 is a diagram illustrating a state in which an image of an imaging target is being captured.
FIG. 4 is a diagram for explaining an operation when reading an imaging object;
FIG. 5 is a diagram illustrating a state in which imaging data is reproduced.
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of a photosensor according to a second embodiment.
FIG. 7 is a diagram illustrating another configuration of the photoconductive layer of the imaging unit.
FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration example of a conventional imaging device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate, 2 ... Address light guide path, 4 ... Louver board, 4a ... Light guide part, 4b ... Reflection part, 10 ... Address sequential EL light emission part, 11 ... Anode electrode, 12 ... organic EL layer, 13 ... cathode electrode, 14 ... sealing film, 10 '... address sequential EL light emitting part, 11' ... anode electrode, 12 '... Organic EL layer, 13 '... cathode electrode, 14' ... sealing film, 20 ... imaging part, 21 ... data electrode, 22 ... light shielding layer, 23 ... photoconductive layer, 24 ... Transparent electrode, 25 ... Protective film, 27 ... Interlayer insulating resin, 30 ... Address driver circuit, 40 ... Data line signal readout circuit, 50 ... Control unit, 60 ... Right angle prism, 60a ... Total reflection film, 61 ... Light source, 62 ... Lens, 63 ··· CCD, FG ··· finger

Claims (3)

A plurality of light guides that are spaced apart from each other and formed substantially parallel to guide incident light;
A plurality of light emitting elements formed corresponding to each of the plurality of light guide paths, emitting light according to an applied voltage, and guiding light to each of the plurality of light guide paths;
A plurality of first electrodes that are spaced apart from each other and substantially parallel to each other, form a predetermined angle with the plurality of light guide paths, and are formed at positions where the plurality of light emitting elements are not formed;
A photoconductive layer formed by laminating with the first electrode at least at the intersection of the plurality of light guides and the plurality of first electrodes, and having a resistance value that changes when light in a predetermined wavelength region is incident. Layers,
Light blocking means for blocking light so that light emitted from the light guide does not directly enter the photoconductive layer;
A second electrode formed by laminating the photoconductive layer so as to face the plurality of first electrodes corresponding to the position where the photoconductive layer is formed;
An image pickup device comprising: The imaging device according to claim 1, wherein the light emitting element and the photoconductive layer are arranged so as not to overlap each other in the layer thickness direction. The plurality of first electrodes are made of a material that does not transmit light, and are formed between the photoconductive layer and the plurality of light guide paths, and also serve as the light blocking means. The imaging device according to claim 1 or 2.

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