JP3152685B2 - Wafer dicing method and radiation irradiation apparatus used in the method - Google Patents

Wafer dicing method and radiation irradiation apparatus used in the method

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JP3152685B2
JP3152685B2 JP19237891A JP19237891A JP3152685B2 JP 3152685 B2 JP3152685 B2 JP 3152685B2 JP 19237891 A JP19237891 A JP 19237891A JP 19237891 A JP19237891 A JP 19237891A JP 3152685 B2 JP3152685 B2 JP 3152685B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の技術分野】本発明はウェハダイシング方法およ
び該方法に用いる放射線照射装置に関する。
The present invention relates to a wafer dicing method and a radiation irradiating apparatus used in the method.

【0002】[0002]

【発明の技術的背景】シリコン、ガリウムヒ素などの半
導体ウェハは大径の状態で製造され、このウェハは素子
小片に切断分離(ダイシング)された後に次の工程であ
るマウント工程に移されている。この際、半導体ウェハ
は予じめ粘着シートに貼着された状態でダイシング、洗
浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップ、マウン
ティングの各工程が加えられている。
BACKGROUND OF THE INVENTION Semiconductor wafers of silicon, gallium arsenide and the like are manufactured in a large diameter state, and this wafer is cut and separated (diced) into element pieces and then transferred to the next step, a mounting step. . At this time, each step of dicing, washing, drying, expanding, pickup, and mounting is added to the semiconductor wafer in a state of being pasted on the adhesive sheet in advance.

【0003】このような半導体ウェハのダイシング工程
からピックアップ工程に至る工程で用いられる粘着シー
トとしては、ダイシング工程から乾燥工程まではウェハ
チップに対して充分な接着力を有しており、ピックアッ
プ時にはウェハチップに粘着剤が付着しない程度の接着
力を有しているものが望まれている。
[0003] Such an adhesive sheet used in the steps from the dicing step to the pick-up step of a semiconductor wafer has a sufficient adhesive force to the wafer chip from the dicing step to the drying step, and the wafer is picked up during the pick-up. It is desired that the chip has such an adhesive strength that an adhesive does not adhere to the chip.

【0004】このような粘着シートとしては、特開昭6
0−196,956号公報および特開昭60−223,
139号公報に、基材面に、光照射によって三次元網状
化しうる、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少な
くとも2個以上有する低分子量化合物からなる粘着剤を
塗布した粘着シートが提案されている。これらの提案
は、放射線透過性の基材上に放射線硬化性粘着剤を塗布
した粘着テープであって、その粘着剤中に含まれる放射
線硬化性化合物を放射線照射によって硬化させ粘着剤に
三次元網状化構造を与えて、その流動性を著しく低下さ
せる原理に基づくものである。
[0004] Such an adhesive sheet is disclosed in
0-196,956 and JP-A-60-223,
No. 139, a pressure-sensitive adhesive sheet coated with a pressure-sensitive adhesive comprising a low molecular weight compound having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule, which can be three-dimensionally reticulated by light irradiation, on a substrate surface. Proposed. These proposals are pressure-sensitive adhesive tapes in which a radiation-curable pressure-sensitive adhesive is applied on a radiation-transparent substrate, and the radiation-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive is cured by irradiation with radiation to form a three-dimensional net-like adhesive. It is based on the principle that a fluidized structure is provided to significantly reduce its fluidity.

【0005】上記に例示されたような従来の粘着シート
は、特にエキスパンディング工程において次のような問
題点がある。エキスパンディング工程は、ダイシングさ
れた素子小片(チップ)の間隔を広げ、チップのピック
アップを容易にする工程である。従来のウェハ貼着用粘
着シートを用いると、ウェハが貼着された部分の伸び率
(拡張率)と、ウェハが貼着されていない部分の拡張率
との間に差があるため、所望のチップ間隔を得るのが困
難であった。すなわち、ウェハが貼着された部分の拡張
率は、ウェハが貼着されていない部分の拡張率に比べて
小さいため、エキスパンディング工程において、ウェハ
が貼着されていない部分が優先的に伸長されてしまい、
ウェハが貼着された部分があまり伸びず、充分なチップ
間隔を得るためには、過剰にエキスパンドすることが必
要であった。また上記のような問題点があるため、用い
られる基材についても限定される場合があった。
[0005] The conventional pressure-sensitive adhesive sheet as exemplified above has the following problems, particularly in the expanding step. The expanding step is a step of widening the interval between the diced element pieces (chips) and facilitating chip pickup. When the conventional adhesive sheet for attaching a wafer is used, there is a difference between an extension rate (expansion rate) of a portion where the wafer is attached and an extension rate of a portion where the wafer is not attached. It was difficult to get the spacing. That is, since the expansion rate of the portion where the wafer is attached is smaller than the expansion rate of the portion where the wafer is not attached, in the expanding step, the portion where the wafer is not attached is preferentially extended. And
The portion to which the wafer was attached did not extend much, and it was necessary to expand excessively in order to obtain a sufficient chip interval. In addition, due to the above-mentioned problems, the substrate used may be limited.

【0006】このような問題点を解決するために、たと
えば特開平2−265,258号公報には、ウェハが貼
着される基材表面部分にのみ粘着剤を塗布し、かつ該部
分にのみ紫外線照射を行なえるダイシング装置が開示さ
れている。しかしながらこの方法では工程数が多く、ま
たその効果も充分であるとはいえなかった。
In order to solve such a problem, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-265258 discloses that an adhesive is applied only to a surface portion of a base material to which a wafer is to be adhered, and only to that portion. A dicing apparatus capable of performing ultraviolet irradiation is disclosed. However, this method has a large number of steps and its effect is not sufficient.

【0007】[0007]

【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、ウェハが貼着された部分の拡
張率とウェハが貼着されていない部分の拡張率との差に
起因するエキスパンディング工程における上記問題点を
解決することを目的としている。また本発明は、上記問
題点を解決することにより、基材の材料マージンを広げ
ることを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned prior art, and has a difference between an expansion ratio of a portion to which a wafer is attached and an expansion ratio of a portion to which no wafer is attached. It is an object of the present invention to solve the above problem in the expanding step caused by the above. Another object of the present invention is to increase the material margin of the base material by solving the above problems.

【0008】[0008]

【発明の概要】本発明に係るウェハダイシング方法は、
基材と、放射線が照射されると粘着力が低下する粘着剤
層とを備えたウェハ貼着用粘着シートの粘着剤層上に貼
着されたウェハを切断して素子小片に分離し、粘着剤層
に放射線を照射して該粘着剤層の粘着力を低下させ、素
子小片のピックアップを行なうウェハダイシング方法に
おいて、粘着剤層に放射線を照射するにあたり、粘着剤
層のうちウェハが貼着されている部分に照射される放射
線量を、ウェハが貼着されていない部分に照射される放
射線量の90%以下にすることを特徴としている。
SUMMARY OF THE INVENTION A wafer dicing method according to the present invention comprises:
The wafer adhered on the adhesive layer of the adhesive sheet for attaching a wafer, which has a base material and an adhesive layer whose adhesive strength decreases when irradiated with radiation, is cut and separated into element pieces, and the adhesive is applied. In the wafer dicing method of irradiating the layer with radiation to reduce the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer and picking up element pieces, in irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with radiation, a wafer is adhered to the pressure-sensitive adhesive layer. The radiation dose applied to the portion where the wafer is not adhered is 90% or less of the radiation dose applied to the portion where the wafer is not attached.

【0009】また、本発明に係る放射線照射装置は、上
記ウェハダイシング方法に用いられるものであって、該
装置の放射線発生部と、ウェハ貼着用粘着シートの基材
との間に、ウェハ貼着用粘着シートに貼着されるウェハ
と略同一の形状を有する放射線減衰部を備えたフィルタ
ーが設けられてなることを特徴としている。
Further, the radiation irradiating apparatus according to the present invention is used in the above-mentioned wafer dicing method, wherein a wafer is attached between a radiation generating section of the apparatus and a base material of an adhesive sheet for attaching a wafer. A filter provided with a radiation attenuating portion having substantially the same shape as the wafer attached to the adhesive sheet is provided.

【0010】[0010]

【発明の具体的説明】以下本発明に係るウェハダイシン
グ方法ならびにこのダイシング方法に用いられる放射線
照射装置についてさらに具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, a wafer dicing method according to the present invention and a radiation irradiation apparatus used in the dicing method will be described more specifically.

【0011】本発明で用いられるウェハ貼着用粘着シー
ト1は、その断面図が図1に示されるように、基材2
と、粘着剤層3とから構成されている。使用前にはこの
粘着剤層3を保護するため、図2に示すように粘着剤層
3の上面に剥離性シート4を仮粘着しておくことが好ま
しい。
The pressure-sensitive adhesive sheet 1 for attaching a wafer used in the present invention has a substrate 2 as shown in FIG.
And an adhesive layer 3. Before use, in order to protect this pressure-sensitive adhesive layer 3, it is preferable to temporarily adhere a peelable sheet 4 to the upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 as shown in FIG.

【0012】本発明で用いられる粘着シートの形状は、
テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとりうる。以
下、本発明で用いられる基材2および粘着剤層3につい
て順次説明する。
The shape of the pressure-sensitive adhesive sheet used in the present invention is as follows:
It can take any shape such as a tape or a label. Hereinafter, the base material 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 used in the present invention will be sequentially described.

【0013】基材2としては、放射線透過性を有する基
材が用いられる。このような基材としては、従来より種
々のものが知られている。たとえば放射線として、紫外
線を使用する場合には、ポリエステル、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、塩化ビ
ニル、塩化ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレ
ン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)
アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ポリカー
ボネート、ポリアミドなどの樹脂製基材、さらにはこれ
ら樹脂製基材表面にシリコーン樹脂等を塗布して剥離処
理した基材等をあげることができる。また、放射線とし
て電子線を使用する場合には、フッ素樹脂や着色不透明
フィルム等が用いられる。さらに本発明の目的から基材
としては、102〜104Kg/cm2程度のヤング率を有する
基材を用いることが好ましい。
As the substrate 2, a substrate having radiation transparency is used. Various types of such base materials have been conventionally known. For example, when using ultraviolet rays as radiation, polyester, polyethylene,
Polypropylene, polybutene, polybutadiene, vinyl chloride, vinyl chloride copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth)
Substrates made of a resin such as an acrylate ester copolymer, polystyrene, polycarbonate, and polyamide, and substrates obtained by applying a silicone resin or the like to the surface of these resin substrates and subjecting them to release treatment can be used. When an electron beam is used as the radiation, a fluororesin or a colored opaque film is used. Further, for the purpose of the present invention, it is preferable to use a substrate having a Young's modulus of about 10 2 to 10 4 Kg / cm 2 .

【0014】基材2としては上記のような樹脂製フィル
ムを1種単独で用いてもよく、また2種以上を積層して
なる積層フィルムを用いてもよい。上記のような基材の
厚さは、通常10〜300μmであり、好ましくは50
〜150μmである。
As the substrate 2, one kind of the above-mentioned resin film may be used alone, or a laminated film obtained by laminating two or more kinds may be used. The thickness of the substrate as described above is usually 10 to 300 μm, preferably 50 to 300 μm.
150150 μm.

【0015】本発明の粘着シートでは、後述するよう
に、その使用に当たり、電子線(EB)や紫外線(U
V)などの放射線照射が行なわれるが、EB照射の場合
には、該基材2は透明である必要はないが、UV照射を
して用いる場合には、透明である必要がある。
[0015] In the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention, as will be described later, the electron beam (EB) or ultraviolet (U)
The substrate 2 is not required to be transparent in the case of EB irradiation, but needs to be transparent in the case of UV irradiation.

【0016】粘着剤層3を構成する粘着剤としては従来
公知のものが広く用いられうるが、アクリル系粘着剤が
好ましく、具体的には、アクリル酸エステルを主たる構
成単量体単位とする単独重合体および共重合体から選ば
れたアクリル系重合体その他の官能性単量体との共重合
体およびこれら重合体の混合物が用いられる。
As the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 3, conventionally known pressure-sensitive adhesives can be widely used, but acrylic pressure-sensitive adhesives are preferred. A copolymer with an acrylic polymer selected from a polymer and a copolymer and other functional monomers, and a mixture of these polymers are used.

【0017】さらに後述するオリゴマーとの相溶性を高
めるため、アクリル酸あるいはメタクリル酸、アクリロ
ニトリル、酢酸ビニルなどのモノマーを共重合させても
よい。これらのモノマーを重合して得られるアクリル系
重合体の分子量は、2.0×105〜10.0×105
あり、好ましくは、4.0×105〜8.0×105であ
る。
Further, in order to enhance the compatibility with the oligomer described later, a monomer such as acrylic acid or methacrylic acid, acrylonitrile, vinyl acetate or the like may be copolymerized. The molecular weight of the acrylic polymer obtained by polymerizing these monomers is 2.0 × 10 5 to 10.0 × 10 5 , preferably 4.0 × 10 5 to 8.0 × 10 5 . is there.

【0018】上記のような粘着剤層中に放射線重合性化
合物を含ませることによって、ウェハを切断分離した
後、該粘着剤層に放射線を照射することによって、粘着
力を低下させることができる。このような放射線重合性
化合物としては、たとえば特開昭60−196,956
号公報および特開昭60−223,139号公報に開示
されているような光照射によって三次元網状化しうる分
子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以
上有する低分子量化合物が広く用いられる。
By including a radiation-polymerizable compound in the pressure-sensitive adhesive layer as described above, the adhesive force can be reduced by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with radiation after cutting and separating the wafer. Examples of such a radiation polymerizable compound include, for example, JP-A-60-196,956.
Low molecular weight compounds having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule which can be three-dimensionally reticulated by light irradiation as disclosed in JP-A No. 60-223139 and JP-A-60-223139. Widely used.

【0019】さらに放射線重合性化合物として、上記の
ようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリ
レート系オリゴマーを用いることもできる。このような
ウレタンアクリレート系オリゴマーとして、特に分子量
が3000〜30000、好ましくは3000〜100
00、さらに好ましくは4000〜8000であるもの
を用いると、粘着シートとして極めて優れたものが得ら
れる。すなわち粘着シートの放射線照射前の接着力は充
分に大きく、また放射線照射後には接着力が充分に低下
してウェハチップのピックアップ時にチップ表面に粘着
剤が残存することはない。
Further, as the radiation polymerizable compound, a urethane acrylate oligomer can be used in addition to the acrylate compound described above. Such a urethane acrylate oligomer has a molecular weight of particularly 3000 to 30000, preferably 3000 to 100.
When it is 00, more preferably 4000 to 8000, an extremely excellent pressure-sensitive adhesive sheet can be obtained. That is, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive sheet before the irradiation is sufficiently large, and the adhesive force is sufficiently reduced after the radiation irradiation, so that the pressure-sensitive adhesive does not remain on the chip surface when the wafer chip is picked up.

【0020】本発明における粘着剤中のアクリル系粘着
剤とウレタンアクリレート系オリゴマーの配合比は、ア
クリル系粘着剤100重量部に対してウレタンアクリレ
ート系オリゴマーは50〜900重量部の範囲の量で用
いられることが好ましい。この場合には、得られる粘着
シートは初期の接着力が大きく、しかも放射線照射後に
は粘着力は大きく低下し、容易にウェハチップを該粘着
シートからピックアップすることができる。
The mixing ratio of the acrylic pressure-sensitive adhesive to the urethane acrylate oligomer in the pressure-sensitive adhesive of the present invention is such that the urethane acrylate oligomer is used in an amount of 50 to 900 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic pressure-sensitive adhesive. Preferably. In this case, the resulting pressure-sensitive adhesive sheet has a large initial adhesive strength, and the adhesive strength is significantly reduced after irradiation, so that wafer chips can be easily picked up from the pressure-sensitive adhesive sheet.

【0021】また必要に応じては、粘着剤層3中に、上
記のような粘着剤と放射線重合性化合物とに加えて、放
射線照射により着色する化合物を含有させることもでき
る。このような放射線照射により、着色する化合物を粘
着剤3に含ませることによって、粘着シートに放射線が
照射された後には該シートは着色され、したがって光セ
ンサーによってウェハチップを検出する際に検出精度が
高まり、ウェハチップのピックアップ時に誤動作が生ず
ることがない。また粘着シートに放射線が照射されたか
否かが目視により直ちに判明するという効果が得られ
る。
If necessary, the pressure-sensitive adhesive layer 3 may contain, in addition to the above-mentioned pressure-sensitive adhesive and a radiation-polymerizable compound, a compound which is colored by irradiation with radiation. By including a compound to be colored in the pressure-sensitive adhesive 3 by such radiation irradiation, after the pressure-sensitive adhesive sheet is irradiated with radiation, the sheet is colored, and thus the detection accuracy when detecting a wafer chip by an optical sensor is improved. As a result, malfunction does not occur when picking up a wafer chip. In addition, an effect is obtained that it is immediately possible to visually determine whether or not radiation has been applied to the adhesive sheet.

【0022】放射線照射により着色する化合物は、放射
線の照射前には無色または淡色であるが、放射線の照射
により有色となる化合物であって、この化合物の好まし
い具体例としてはロイコ染料が挙げられる。
The compound that is colored by irradiation with radiation is a compound that is colorless or pale before irradiation with radiation, but is a compound that becomes colored by irradiation with radiation. A preferred specific example of this compound is a leuco dye.

【0023】また場合によっては、粘着剤層3中に上記
のような粘着剤と放射線重合性化合物とに加えて、シリ
カ粉末、アルミナ粉末、シリカアルミナ粉末、マイカ粉
末などの光散乱性無機化合物粉末を含有させることもで
きる。このような光散乱性無機化合物粉末を粘着剤層3
に含ませることによって、たとえ半導体ウェハなどの被
着物表面が何らかの理由によって灰色化あるいは黒色化
しても、該粘着シートに紫外線などの放射線を照射する
と、灰色化あるいは黒色化した部分でもその接着力が充
分に低下し、したがってウェハチップのピックアップ時
にウェハチップ表面に粘着剤が付着してしまうことがな
く、しかも放射線の照射前には充分な接着力を有してい
るという効果が得られる。
In some cases, in addition to the above-mentioned pressure-sensitive adhesive and the radiation-polymerizable compound, the light-scattering inorganic compound powder such as silica powder, alumina powder, silica-alumina powder and mica powder may be contained in the pressure-sensitive adhesive layer 3. Can also be contained. The light scattering inorganic compound powder is applied to the pressure-sensitive adhesive layer 3
Even if the surface of an adherend such as a semiconductor wafer is grayed or blackened for some reason, when the adhesive sheet is irradiated with radiation such as ultraviolet rays, the adhesive force of the grayed or blackened portion is increased even if the grayed or blackened part is irradiated. Therefore, the effect is obtained that the adhesive is not sufficiently attached to the surface of the wafer chip when the wafer chip is picked up, and that the adhesive has sufficient adhesive strength before the irradiation of radiation.

【0024】さらに本発明では、基材中に砥粒が分散さ
れていてもよい。この砥粒は、粒径が0.5〜100μ
m、好ましくは1〜50μmであって、モース硬度は6
〜10、好ましくは7〜10である。具体的には、グリ
ーンカーボランダム、人造コランダム、オプティカルエ
メリー、ホワイトアランダム、炭化ホウ素、酸化クロム
(III)、酸化セリウム、ダイヤモンドパウダーなどが用
いられる。このような砥粒は無色あるいは白色であるこ
とが好ましい。このような砥粒は、基材2中に0.5〜
70重量%、好ましくは5〜50重量%の量で存在して
いる。このような砥粒は、切断ブレードをウェハのみな
らず基材2にまでも切り込むような深さで用いる場合
に、特に好ましく用いられる。
Further, in the present invention, abrasive grains may be dispersed in the base material. This abrasive has a particle size of 0.5 to 100 μm.
m, preferably 1 to 50 μm, and a Mohs hardness of 6
-10, preferably 7-10. Specifically, green carborundum, artificial corundum, optical emery, white alundum, boron carbide, chromium oxide
(III), cerium oxide, diamond powder and the like are used. Such abrasive grains are preferably colorless or white. Such abrasive grains are contained in the base material 2 in an amount of 0.5 to
It is present in an amount of 70% by weight, preferably 5 to 50% by weight. Such abrasive grains are particularly preferably used when the cutting blade is used at a depth that cuts not only into the wafer but also into the base material 2.

【0025】上記のような砥粒を基材中に含ませること
によって、切断ブレードが基材中に切り込んできて、切
断ブレードに粘着剤が付着しても砥粒の研磨効果によ
り、目づまりを簡単に除去することができる。
By including the abrasive grains in the base material as described above, the cutting blade cuts into the base material, and even if an adhesive is adhered to the cutting blade, clogging can be easily performed by the polishing effect of the abrasive grains. Can be removed.

【0026】また上記の粘着剤中に、イソシアナート系
硬化剤を混合することにより、初期の接着力を任意の値
に設定することができる。このような硬化剤としては、
具体的には多価イソシアネート化合物、たとえば2,4
−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソ
シアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、
1,4−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン
−4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−
2,4’−ジイソシアネート、3−メチルジフェニルメ
タンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネー
ト、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメ
タン−4,4’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシル
メタン−2,4’−ジイソシアネート、リジンイソシア
ネートなどが用いられる。
Further, by mixing an isocyanate-based curing agent into the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, the initial adhesive strength can be set to an arbitrary value. As such a curing agent,
Specifically, a polyvalent isocyanate compound such as 2,4
-Tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate,
1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, diphenylmethane-
2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, lysine isocyanate and the like are used.

【0027】さらに上記の粘着剤中に、UV照射用の場
合には、UV開始剤を混入することにより、UV照射に
よる重合硬化時間ならびにUV照射量を少なくなること
ができる。
Further, in the case of UV irradiation in the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, by mixing a UV initiator, the polymerization curing time by UV irradiation and the amount of UV irradiation can be reduced.

【0028】このようなUV開始剤としては、具体的に
は、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ンエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、
ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラ
ムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジ
ベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンな
どが挙げられる。
Specific examples of such a UV initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether,
Benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone and the like can be mentioned.

【0029】本発明で用いられるウェハ貼着用粘着シー
トには、その使用前には前記粘着剤層3を保護するた
め、図2に示すように粘着剤層3の上面に剥離性シート
4を仮粘着しておくことが好ましい。この剥離性シート
4としては、従来公知のものが特に限定されることなく
用いられる。
In order to protect the pressure-sensitive adhesive layer 3 before using the pressure-sensitive adhesive sheet to be used in the present invention, a peelable sheet 4 is temporarily provided on the upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 as shown in FIG. It is preferable to keep it sticky. As the releasable sheet 4, a conventionally known sheet is used without any particular limitation.

【0030】本発明に係るウェハダイシング方法では上
記のようなウェハ貼着用粘着シートを用いてウェハのダ
イシングを行なう。粘着シート1の上面に剥離性シート
4が設けられている場合には、該シート4を除去し、次
いで粘着シート1の粘着剤層3を上向きにして載置し、
図3に示すようにして、この粘着剤層3の上面にダイシ
ング加工すべき半導体ウェハAを貼着する。この貼着状
態でウェハAにダイシング、洗浄、乾燥の諸工程が加え
られる。この際、粘着剤層3によりウェハチップは粘着
シートに充分に接着保持されているので、上記各工程の
間にウェハチップが脱落することはない。
In the wafer dicing method according to the present invention, the wafer is diced using the above-mentioned pressure-sensitive adhesive sheet for attaching a wafer. When the peelable sheet 4 is provided on the upper surface of the adhesive sheet 1, the sheet 4 is removed, and then the adhesive sheet 3 is placed with the adhesive layer 3 of the adhesive sheet 1 facing upward,
As shown in FIG. 3, a semiconductor wafer A to be diced is attached to the upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3. Various processes of dicing, cleaning, and drying are added to the wafer A in this state of attachment. At this time, the wafer chips are sufficiently adhered and held on the pressure-sensitive adhesive sheet by the pressure-sensitive adhesive layer 3, so that the wafer chips do not fall off during the respective steps.

【0031】次に、各ウェハチップを粘着シートからピ
ックアップして所定の基台上にマウンティングするが、
この際、ピックアップに先立ってあるいはピックアップ
時に、第5図に示すように、紫外線(UV)あるいは電
子線(EB)などの放射線Bを粘着シート1の粘着剤層
3に照射し、粘着剤層3中に含まれる放射線重合性化合
物を重合硬化せしめる。
Next, each wafer chip is picked up from the adhesive sheet and mounted on a predetermined base.
At this time, prior to or at the time of pickup, as shown in FIG. 5, the adhesive layer 3 of the adhesive sheet 1 is irradiated with radiation B such as ultraviolet (UV) or electron beam (EB). The radiation polymerizable compound contained therein is polymerized and cured.

【0032】粘着シート1への放射線照射は、基材2の
粘着剤層3が設けられていない面から行なう。したがっ
て前述のように、放射線としてUVを用いる場合には基
材2は光透過性であることが必要であるが、放射線とし
てEBを用いる場合には基材2は必ずしも光透過性であ
る必要はない。
The irradiation of the pressure-sensitive adhesive sheet 1 is performed from the surface of the substrate 2 on which the pressure-sensitive adhesive layer 3 is not provided. Therefore, as described above, when UV is used as the radiation, the substrate 2 needs to be light-transmitting, but when EB is used as the radiation, the substrate 2 does not necessarily need to be light-transmitting. Absent.

【0033】放射線を照射する際には、ウェハが貼着さ
れている部分の粘着剤層(以下、ウェハ貼着部と呼ぶこ
とがある。)には、ウェハが貼着されていない部分の粘
着剤層(以下、ウェハ非貼着部と呼ぶことがある。)に
照射される放射線量に比べて比較的少量の放射線を照射
する。ウェハ貼着部に照射される放射線量は、ウェハ非
貼着部に照射される放射線量の1〜90%であり、好ま
しくは5〜60%であり、特に好ましくは5〜30%で
ある。
When irradiating the radiation, the pressure-sensitive adhesive layer of the portion where the wafer is stuck (hereinafter, may be referred to as a wafer stuck portion) has the adhesive layer of the portion where the wafer is not stuck. A relatively small amount of radiation is applied compared to the amount of radiation applied to the agent layer (hereinafter sometimes referred to as a wafer non-adhered portion). The radiation dose applied to the wafer attachment portion is 1 to 90%, preferably 5 to 60%, particularly preferably 5 to 30% of the radiation dose applied to the wafer non-attachment portion.

【0034】このように粘着剤層3に放射線を照射して
放射線重合性化合物を重合硬化せしめると、ウェハ貼着
部の粘着力は、ウェハのピックアップが行なえる程度に
低下するが、拡張率はあまり低下しない。一方、ウェハ
非貼着部には多量の放射線が照射されるので、硬化が充
分に進行して拡張率が大幅に低下する。この結果、エキ
スパンディング工程において、ウェハが貼着されていな
い部分のみが優先的に伸長されることがなくなり、ウェ
ハが貼着されている部分も伸長されるので、所望のチッ
プ間隔を得ることが容易になる。
When the pressure-sensitive adhesive layer 3 is irradiated with radiation to polymerize and cure the radiation-polymerizable compound, the adhesive strength of the wafer bonding portion is reduced to such an extent that the wafer can be picked up, but the expansion ratio is reduced. Does not drop much. On the other hand, since a large amount of radiation is applied to the non-wafer-attached portion, the curing proceeds sufficiently and the expansion rate is greatly reduced. As a result, in the expanding step, only the portion where the wafer is not attached is not preferentially extended, and the portion where the wafer is attached is also extended, so that a desired chip interval can be obtained. It will be easier.

【0035】上記のように、ウェハ貼着部に照射される
放射線量とウェハ非貼着部に照射される放射線量とを制
御するには、本発明に係るに放射線照射装置(図5参
照)が用いられる。放射線の照射は脱酸素装置を備えた
密閉容器中で行なわれる。この密閉容器の上部または下
部には放射線透過性5の窓が設けられており、この窓5
を通して紫外線が照射される。放射線照射は、充分に酸
素を排気した後、不活性雰囲気中で行なわれる。放射線
発生部7とウェハ貼着用粘着シートの基材との間に、ウ
ェハ貼着用粘着シートに貼着されるウェハと略同一の形
状を有する放射線減衰部6aを備えたフィルター6が設
けられている。そしてこのフィルター6は、その放射線
減衰部6aとウェハAとが対向するように設置される。
このようなフィルター6を介して放射線を照射すること
により、ウェハ貼着部には比較的少量の放射線が照射さ
れるようになり、ウェハ非貼着部には比較的多量の放射
線が照射されるようになる。
As described above, in order to control the amount of radiation applied to the wafer attachment portion and the amount of radiation applied to the non-wafer attached portion, a radiation irradiation apparatus according to the present invention (see FIG. 5). Is used. Irradiation is performed in a closed vessel equipped with a deoxygenator. At the upper or lower part of the closed container, a window having radiolucency 5 is provided.
UV light is applied through Irradiation is performed in an inert atmosphere after exhausting oxygen sufficiently. Between the radiation generating section 7 and the base material of the pressure-sensitive adhesive sheet for attaching a wafer, there is provided a filter 6 having a radiation attenuating section 6a having substantially the same shape as the wafer adhered to the pressure-sensitive adhesive sheet for attaching a wafer. . The filter 6 is installed such that the radiation attenuating portion 6a and the wafer A face each other.
By irradiating radiation through such a filter 6, a relatively small amount of radiation is applied to the wafer attachment portion, and a relatively large amount of radiation is applied to the non-wafer attached portion. Become like

【0036】放射線減衰部6aは、放射線を反射また吸
収して、透過する放射線量を減衰する機能を有する化合
物(以下、放射線減衰性化合物と呼ぶこともある。)を
含有してなる。このような放射線減衰性化合物として
は、特に限定されることなく種々のものを用いることが
できる。本発明において、特に好ましく用いられる放射
線減衰性化合物としては、ベンゾフェノン系化合物、ベ
ンゾトリアゾール系化合物、サルチレート系化合物、シ
アノアクリレート系化合物などの紫外線吸収性化合物;
アゾ顔料、フタロシアニン系顔料およびアントラキノ
ン、ペリレンに代表される縮合多環系顔料などの有機顔
料;または鉛、水酸化鉛、バリウム、水酸化バリウム、
ステアリン酸バリウムなどの電子線遮蔽効果を有する化
合物等をあげることができる。これらは1種単独で、ま
たは2種以上を組み合わせて用いられる。
The radiation attenuating portion 6a contains a compound having a function of reflecting or absorbing radiation and attenuating the amount of transmitted radiation (hereinafter sometimes referred to as a radiation attenuating compound). As such a radiation attenuating compound, various compounds can be used without any particular limitation. In the present invention, particularly preferably used radiation attenuating compounds include ultraviolet absorbing compounds such as benzophenone-based compounds, benzotriazole-based compounds, salcylate-based compounds, and cyanoacrylate-based compounds;
Organic pigments such as azo pigments, phthalocyanine pigments and condensed polycyclic pigments represented by anthraquinone and perylene; or lead, lead hydroxide, barium, barium hydroxide,
Compounds having an electron beam shielding effect, such as barium stearate, can be mentioned. These are used alone or in combination of two or more.

【0037】放射線減衰部6aの厚さは、該放射線減衰
層に含まれる放射線減衰性化合物に依存し、いちがいに
はいえないが、一般的には0.5〜20μm、好ましく
は1〜8μm程度である。
The thickness of the radiation attenuating portion 6a depends on the radiation attenuating compound contained in the radiation attenuating layer, and cannot be said to be any more, but is generally 0.5 to 20 μm, preferably about 1 to 8 μm. is there.

【0038】このような放射線減衰部6aの放射線透過
率は、1〜90%であり、好ましくは5〜60%であ
り、特に好ましくは5〜30%である。上記のようなフ
ィルターを介してウェハ貼着用粘着シートの基材側から
放射線を照射すると、粘着剤層3のうちウェハ貼着部に
照射される放射線量が減衰し、ウェハ非貼着部には多量
の放射線が照射される。この結果、ウェハ非貼着部の粘
着剤層は充分に硬化が進行し、エキスパンディング工程
における拡張率が低くなる。またウェハ貼着部の粘着剤
層は充分に硬化が進行しないので、エキスパンディング
工程における拡張率はあまり低下しない。ウェハ貼着部
の粘着剤層は充分に硬化が進行しないものの、ウェハの
ピックアップを行なうには充分に粘着力は低下してい
る。
The radiation transmittance of such a radiation attenuating section 6a is 1 to 90%, preferably 5 to 60%, and particularly preferably 5 to 30%. When radiation is applied from the substrate side of the pressure-sensitive adhesive sheet to be bonded to a wafer through the filter as described above, the amount of radiation applied to the wafer-bonded portion of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is attenuated, and A large amount of radiation is applied. As a result, the pressure-sensitive adhesive layer in the non-wafer-attached portion is sufficiently cured, and the expansion rate in the expanding step is reduced. Further, since the pressure-sensitive adhesive layer at the wafer attachment portion does not sufficiently cure, the expansion ratio in the expanding step does not decrease so much. Although the pressure-sensitive adhesive layer at the wafer attachment portion does not sufficiently cure, the adhesive force is sufficiently low to pick up the wafer.

【0039】ウェハ非貼着部の粘着剤層の拡張率が低く
なり、ウェハ貼着部の粘着剤層における拡張率があまり
低下しないので、エキスパンディングを行なっても、ウ
ェハ非貼着部の粘着剤層のみが優先的に伸長されること
がなくなり、所望のチップ間隔を得ることが容易にな
る。
Since the expansion rate of the pressure-sensitive adhesive layer in the non-wafer-attached portion is low and the expansion rate in the pressure-sensitive adhesive layer in the wafer-adhered portion does not decrease so much, the adhesion of the wafer-non-adhered portion is not affected even when expanding. Only the agent layer is not preferentially stretched, and it becomes easy to obtain a desired chip interval.

【0040】エキスパンディング工程の後、図7に示す
ように、ここで常法に従って基材2の下面から突き上げ
針扞6によりピックアップすべきチップA1、A2……A
5を突き上げ、このチップA1……をたとえば吸引コレッ
ト7によりピックアップし、これを所定の基台上にマウ
ンディングする。このようにしてウェハチップA1,A2
……のピックアップを行なうと、充分なチップ間隔が得
られているので簡単にチップをピックアップすることが
でき、しかも粘着力は充分に低下しているので、汚染の
ない良好な品質のチップが得られる。
After the expanding step, as shown in FIG. 7, the chips A 1 , A 2 ... A to be picked up by the needle rod 6 from the lower surface of the base material 2 according to a conventional method.
5 are picked up, and the chips A 1 ... Are picked up by, for example, a suction collet 7 and mounted on a predetermined base. Thus, the wafer chips A 1 , A 2
By picking up the chips, you can easily pick up the chips because there is sufficient chip spacing, and the adhesion is sufficiently reduced, so that good quality chips without contamination can be obtained. Can be

【0041】[0041]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
ウェハダイシング方法および該方法に用いる放射線照射
装置によれば、エキスパンディング工程において、所望
のチップ間隔を得ることが容易になり、過剰のエキスパ
ンディングが不要になる。
As described above, according to the wafer dicing method and the radiation irradiating apparatus used in the method according to the present invention, it is easy to obtain a desired chip interval in the expanding step, and an excessive Eliminates the need for expanding.

【0042】[0042]

【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0043】[0043]

【実施例1】基材として軟質塩化ビニルフィルム(可塑
剤30%含有、厚さ80μm)を用い、基材上に粘着剤
として、アクリル系ポリマー(n−ブチルアクリレート
とアクリル酸の共重合体)100重量部と、分子量80
00のウレタンアクリレート系オリゴマー100重量部
と、硬化剤(芳香族ジイソシアネート系)10重量部と
から組成物をシリコーン処理したポリエチレンテレフタ
レートフィルム(38μm)からなる剥離材上にキャス
トして、上記基材と貼り合わせ粘着テープを作成した。
Example 1 An acrylic polymer (copolymer of n-butyl acrylate and acrylic acid) was used as a substrate, using a soft vinyl chloride film (containing 30% of a plasticizer, thickness 80 μm) as an adhesive on the substrate. 100 parts by weight and a molecular weight of 80
100 parts by weight of a urethane acrylate-based oligomer of No. 00 and 10 parts by weight of a curing agent (aromatic diisocyanate-based) were cast on a release material composed of a polyethylene terephthalate film (38 μm) obtained by subjecting the composition to silicone treatment. A laminated adhesive tape was prepared.

【0044】フィルターとして、ガラス上に2,4−ジ
ヒドロキシベンゾフェノンを3重量部含有するアクリル
系ポリマーをスクリーン印刷により5インチウェハ形状
に印刷したフィルターを作成した。
As a filter, a filter was prepared by printing an acrylic polymer containing 3 parts by weight of 2,4-dihydroxybenzophenone on a glass in a 5-inch wafer shape by screen printing.

【0045】粘着テープに5インチウェハを貼付した
後、フラットフレームに装着し、この後、50μm厚の
ダイヤモンドブレードで5mm□のチップにフルカットし
た。この後、フィルターを介して基材側の面から照度2
00mW/cm2の紫外線を2秒間照射した。
After the 5-inch wafer was attached to the adhesive tape, the wafer was mounted on a flat frame, and then cut into 5 mm square chips with a 50 μm-thick diamond blade. After this, the illuminance 2
An ultraviolet ray of 00 mW / cm 2 was irradiated for 2 seconds.

【0046】次にエキスパンディング治具を用いてダイ
シングテープを15%拡張した。ウェハが貼着された部
分の拡張率は8〜10%であった。
Next, the dicing tape was expanded by 15% using an expanding jig. The expansion rate of the portion where the wafer was attached was 8 to 10%.

【0047】[0047]

【実施例2】基材としてエチレン−メタクリル酸共重合
体を用いた以外は実施例1と同様に行った。
Example 2 Example 2 was repeated except that an ethylene-methacrylic acid copolymer was used as a substrate.

【0048】ウェハが貼着された部分の拡張率は5〜7
%であった。
The expansion rate of the portion where the wafer is attached is 5 to 7
%Met.

【0049】[0049]

【比較例1】フィルターを用いずにガラスを介して紫外
線を照射した以外は実施例1と同様に行った。
Comparative Example 1 The same procedure as in Example 1 was carried out except that ultraviolet light was irradiated through glass without using a filter.

【0050】ウェハが貼着された部分の拡張率は3〜5
%であった。
The expansion rate of the portion where the wafer is stuck is 3 to 5
%Met.

【0051】[0051]

【比較例2】フィルターを用いずにガラスを介して紫外
線を照射した以外は実施例1と同様に行った。
Comparative Example 2 The same operation as in Example 1 was performed except that ultraviolet light was irradiated through glass without using a filter.

【0052】ウェハが貼着された部分の拡張率は1%で
あった。
The expansion rate of the portion where the wafer was attached was 1%.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明で用いられる粘着シートの断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view of an adhesive sheet used in the present invention.

【図2】本発明で用いられる粘着シートの断面図であ
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the pressure-sensitive adhesive sheet used in the present invention.

【図3】本発明で用いられる粘着シートにウェハが接着
された状態を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state where a wafer is adhered to an adhesive sheet used in the present invention.

【図4】ウェハがダイシングされた状態を示す断面図で
ある。
FIG. 4 is a sectional view showing a state where the wafer is diced.

【図5】ダイシングされたウェハに放射線を照射してい
る状態を示す図面である。
FIG. 5 is a view showing a state in which a diced wafer is irradiated with radiation.

【図6】本発明で用いられるフィルターの概略図であ
る。
FIG. 6 is a schematic diagram of a filter used in the present invention.

【図7】ピックアップ工程の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a pickup step.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…粘着シート 2…基材 3…粘着剤層 4…剥離性シート 5…密閉容器の窓 6…フィルター 6a…放射線減衰部 7…放射線発生部 8…突き上げ針扞 9…吸引コレット A…ウェハ B…放射線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Adhesive sheet 2 ... Substrate 3 ... Adhesive layer 4 ... Releasable sheet 5 ... Window of closed container 6 ... Filter 6a ... Radiation attenuation part 7 ... Radiation generating part 8 ... Push-up needle rod 9 ... Suction collet A ... Wafer B …radiation

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/301 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/301

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基材と、放射線が照射されると粘着力が
低下する粘着剤層とを備えたウェハ貼着用粘着シートの
粘着剤層上に貼着されたウェハを切断して素子小片に分
離し、粘着剤層に放射線を照射して該粘着剤層の粘着力
を低下させ、素子小片のピックアップを行なうウェハダ
イシング方法において、 粘着剤層に放射線を照射するにあたり、粘着剤層のうち
ウェハが貼着されている部分に照射される放射線量を、
ウェハが貼着されていない部分に照射される放射線量の
90%以下にすることを特徴とするウェハダイシング方
法。
1. A wafer attached on an adhesive layer of an adhesive sheet for attaching a wafer, comprising a base material and an adhesive layer whose adhesive strength decreases when irradiated with radiation, is cut into element pieces. In the wafer dicing method of separating and irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with radiation to reduce the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer and picking up the element pieces, the irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer with the wafer includes the steps of: The radiation dose applied to the area where
A wafer dicing method, wherein a radiation dose applied to a portion where a wafer is not stuck is 90% or less.
【請求項2】 基材と、放射線が照射されると粘着力が
低下する粘着剤層とを備えたウェハ貼着用粘着シートの
粘着剤層上に貼着されたウェハを切断して素子小片に分
離し、粘着剤層に放射線を照射して該粘着剤層の粘着力
を低下させ、素子小片のピックアップを行なうウェハダ
イシングに用いる放射線照射装置において、 該装置の放射線発生部と、ウェハ貼着用粘着シートの基
材との間に、ウェハ貼着用粘着シートに貼着されるウェ
ハと略同一の形状を有する放射線減衰部を備えたフィル
ターが設けられてなることを特徴とする放射線照射装
置。
2. A wafer adhered on an adhesive layer of an adhesive sheet for attaching a wafer, comprising a base material and an adhesive layer whose adhesive strength decreases when irradiated with radiation, is cut into element pieces. In a radiation irradiating apparatus used for wafer dicing for separating and irradiating the adhesive layer with radiation to reduce the adhesive strength of the adhesive layer and picking up element pieces, a radiation generating part of the apparatus and a wafer sticking adhesive A radiation irradiation apparatus, comprising: a filter provided with a radiation attenuator having substantially the same shape as a wafer attached to a pressure-sensitive adhesive sheet for attaching a wafer, between the sheet and a base material of the sheet.
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