JP2014095895A5 - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014095895A5
JP2014095895A5 JP2013210710A JP2013210710A JP2014095895A5 JP 2014095895 A5 JP2014095895 A5 JP 2014095895A5 JP 2013210710 A JP2013210710 A JP 2013210710A JP 2013210710 A JP2013210710 A JP 2013210710A JP 2014095895 A5 JP2014095895 A5 JP 2014095895A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
transistor
oxide semiconductor
common electrode
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013210710A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6317905B2 (ja
JP2014095895A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2013210710A priority Critical patent/JP6317905B2/ja
Priority claimed from JP2013210710A external-priority patent/JP6317905B2/ja
Publication of JP2014095895A publication Critical patent/JP2014095895A/ja
Publication of JP2014095895A5 publication Critical patent/JP2014095895A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6317905B2 publication Critical patent/JP6317905B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (2)

  1. 第1の基板と、前記第1の基板上の画素部と、前記画素部上の第2の基板と、前記第2の基板上の複数の電極と、を有し、
    前記画素部は、第1の画素と、第2の画素と、を有し、
    前記第1の画素は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタ上の有機樹脂膜と、前記有機樹脂膜上の第1の共通電極と、前記第1の共通電極上の絶縁膜と、前記絶縁膜上の第1の画素電極と、前記第1の画素電極上の液晶層と、を有し、
    前記第2の画素は、第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタ上の前記有機樹脂膜と、前記有機樹脂膜上の第2の共通電極と、前記第2の共通電極上の前記絶縁膜と、前記絶縁膜上の第2の画素電極と、前記第2の画素電極上の前記液晶層と、を有し、
    前記第1の共通電極は、複数の前記電極と交差する領域を有し、
    前記第2の共通電極は、複数の前記電極と交差する領域を有し、
    前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、第1の酸化物半導体膜と、前記第1の酸化物半導体膜上の第2の酸化物半導体膜と、前記第2の酸化物半導体膜上の第3の酸化物半導体膜と、を有し、
    前記第2の酸化物半導体膜は、結晶性を有する液晶表示装置。
  2. 第1の基板と、前記第1の基板上の画素部と、前記画素部上の第2の基板と、前記第2の基板上の複数の電極と、を有し、
    前記第1の基板及び前記第2の基板は、可撓性を有し、
    前記画素部は、第1の画素と、第2の画素と、を有し、
    前記第1の画素は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタ上の有機樹脂膜と、前記有機樹脂膜上の第1の共通電極と、前記第1の共通電極上の絶縁膜と、前記絶縁膜上の第1の画素電極と、前記第1の画素電極上の液晶層と、を有し、
    前記第2の画素は、第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタ上の前記有機樹脂膜と、前記有機樹脂膜上の第2の共通電極と、前記第2の共通電極上の前記絶縁膜と、前記絶縁膜上の第2の画素電極と、前記第2の画素電極上の前記液晶層と、を有し、
    前記第1の共通電極は、複数の前記電極と交差する領域を有し、
    前記第2の共通電極は、複数の前記電極と交差する領域を有し、
    前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、第1の酸化物半導体膜と、前記第1の酸化物半導体膜上の第2の酸化物半導体膜と、前記第2の酸化物半導体膜上の第3の酸化物半導体膜と、を有し、
    前記第2の酸化物半導体膜は、結晶性を有する液晶表示装置。
JP2013210710A 2012-10-12 2013-10-08 液晶表示装置 Expired - Fee Related JP6317905B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013210710A JP6317905B2 (ja) 2012-10-12 2013-10-08 液晶表示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012227335 2012-10-12
JP2012227335 2012-10-12
JP2013210710A JP6317905B2 (ja) 2012-10-12 2013-10-08 液晶表示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018070583A Division JP2018132770A (ja) 2012-10-12 2018-04-02 液晶表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014095895A JP2014095895A (ja) 2014-05-22
JP2014095895A5 true JP2014095895A5 (ja) 2016-11-17
JP6317905B2 JP6317905B2 (ja) 2018-04-25

Family

ID=50452902

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013210710A Expired - Fee Related JP6317905B2 (ja) 2012-10-12 2013-10-08 液晶表示装置
JP2018070583A Withdrawn JP2018132770A (ja) 2012-10-12 2018-04-02 液晶表示装置
JP2021038391A Withdrawn JP2021103313A (ja) 2012-10-12 2021-03-10 表示装置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018070583A Withdrawn JP2018132770A (ja) 2012-10-12 2018-04-02 液晶表示装置
JP2021038391A Withdrawn JP2021103313A (ja) 2012-10-12 2021-03-10 表示装置

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20140104508A1 (ja)
JP (3) JP6317905B2 (ja)
KR (1) KR102156943B1 (ja)
CN (1) CN103728757A (ja)
TW (1) TWI681233B (ja)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
KR102239367B1 (ko) 2013-11-27 2021-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
JP2016013958A (ja) 2013-12-02 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 素子、膜の作製方法
US9229481B2 (en) 2013-12-20 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10656799B2 (en) * 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
US10073571B2 (en) 2014-05-02 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor and touch panel including capacitor
KR102331396B1 (ko) * 2014-06-13 2021-11-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP6698321B2 (ja) * 2014-12-02 2020-05-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN104571701B (zh) * 2014-12-29 2017-12-15 深圳市华星光电技术有限公司 图像均匀性显示的方法、装置及系统
KR102320514B1 (ko) * 2014-12-30 2021-11-02 엘지디스플레이 주식회사 터치 방식 액정표시장치
US10684500B2 (en) * 2015-05-27 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
JP2016222526A (ja) 2015-05-29 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 膜の作製方法および素子
US10139663B2 (en) * 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
CN104951132B (zh) * 2015-06-02 2018-08-28 业成光电(深圳)有限公司 触控显示面板结构
US10720701B2 (en) * 2015-10-09 2020-07-21 Sharp Kabushiki Kaisha Scanning antenna and method for driving same
CN107431275B (zh) * 2015-10-15 2018-11-09 夏普株式会社 扫描天线及其制造方法
WO2017077994A1 (ja) * 2015-11-06 2017-05-11 シャープ株式会社 表示基板及び表示装置
US10558265B2 (en) 2015-12-11 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input device and system of input device
JP6557601B2 (ja) * 2015-12-29 2019-08-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、表示装置の製造方法
KR102736888B1 (ko) * 2016-01-20 2024-12-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치, 입출력 장치, 및 정보 처리 장치
CN108780256B (zh) 2016-03-15 2022-10-18 株式会社半导体能源研究所 显示装置、模块及电子设备
KR102448587B1 (ko) * 2016-03-22 2022-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
KR102340066B1 (ko) 2016-04-07 2021-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
TWI614556B (zh) * 2016-04-28 2018-02-11 群創光電股份有限公司 電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置
KR102570314B1 (ko) * 2016-06-08 2023-08-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106249959B (zh) * 2016-08-15 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸屏及显示装置
KR102729880B1 (ko) * 2016-10-31 2024-11-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108346622B (zh) 2017-01-25 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN107315296A (zh) * 2017-07-24 2017-11-03 武汉华星光电技术有限公司 Ltps阵列基板及内嵌式触摸屏
KR102661907B1 (ko) 2018-01-11 2024-04-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 산화물 스위치를 갖는 작은 저장 커패시터를 갖는 박막 트랜지스터
KR102779551B1 (ko) * 2020-01-21 2025-03-12 지난 징젱 일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 복합 필름 및 이의 제조방법
CN113671759A (zh) 2021-08-17 2021-11-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
JP7824633B2 (ja) * 2022-03-24 2026-03-05 株式会社Magnolia White 液晶表示装置
KR20250107356A (ko) * 2024-01-05 2025-07-14 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치

Family Cites Families (187)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JPH11505377A (ja) 1995-08-03 1999-05-18 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体装置
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR100269518B1 (ko) 1997-12-29 2000-10-16 구본준 박막트랜지스터 제조방법
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP2001125108A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Seiko Epson Corp 配向膜の製造方法及び液晶装置の製造方法
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
EP1443130B1 (en) 2001-11-05 2011-09-28 Japan Science and Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
TW580592B (en) * 2001-11-28 2004-03-21 Sharp Kk Image shifting device, image display, liquid crystal display, and projection image display
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4373136B2 (ja) * 2002-10-15 2009-11-25 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の組立て方法及び基板の組立て装置
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP2005164854A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
JP4217170B2 (ja) * 2004-01-28 2009-01-28 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置およびその駆動方法
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
EP1737044B1 (en) 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
KR101132266B1 (ko) * 2004-03-26 2012-04-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
KR101152935B1 (ko) 2004-05-21 2012-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자 및 발광장치
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
RU2358354C2 (ru) 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Светоизлучающее устройство
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
JP5126729B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-23 キヤノン株式会社 画像表示装置
KR100998527B1 (ko) 2004-11-10 2010-12-07 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
EP1815530B1 (en) 2004-11-10 2021-02-17 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
TWI481024B (zh) 2005-01-28 2015-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US8486487B2 (en) * 2005-02-17 2013-07-16 Konica Minolta Holdings, Inc. Gas barrier film, gas barrier film manufacturing method, resin substrate for organic electroluminescent device using the aforesaid gas barrier film, and organic electroluminescent device using the aforementioned gas barrier film
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101577231B (zh) 2005-11-15 2013-01-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
US7998372B2 (en) 2005-11-18 2011-08-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Semiconductor thin film, method for manufacturing the same, thin film transistor, and active-matrix-driven display panel
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
US8106865B2 (en) 2006-06-02 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP5170985B2 (ja) * 2006-06-09 2013-03-27 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JPWO2007148601A1 (ja) 2006-06-19 2009-11-19 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびにそれを用いた電子機器
JP5328083B2 (ja) 2006-08-01 2013-10-30 キヤノン株式会社 酸化物のエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4923847B2 (ja) * 2006-08-21 2012-04-25 ソニー株式会社 液晶表示パネル
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR101312259B1 (ko) 2007-02-09 2013-09-25 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP4727684B2 (ja) 2007-03-27 2011-07-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
TWI356260B (en) * 2007-04-02 2012-01-11 Chimei Innolux Corp Liquid crystal panel
JP2008276211A (ja) 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置およびパターニング方法
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US7935964B2 (en) 2007-06-19 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
KR20090002841A (ko) 2007-07-04 2009-01-09 삼성전자주식회사 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5380723B2 (ja) * 2007-08-07 2014-01-08 Nltテクノロジー株式会社 面表示装置及び電子機器
JP2009103797A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
US20100295042A1 (en) 2008-01-23 2010-11-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Field-effect transistor, method for manufacturing field-effect transistor, display device using field-effect transistor, and semiconductor device
KR20090100056A (ko) * 2008-03-19 2009-09-23 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4555358B2 (ja) 2008-03-24 2010-09-29 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
JP4816668B2 (ja) 2008-03-28 2011-11-16 ソニー株式会社 タッチセンサ付き表示装置
KR100941850B1 (ko) 2008-04-03 2010-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR101461127B1 (ko) 2008-05-13 2014-11-14 삼성디스플레이 주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법
KR100963027B1 (ko) 2008-06-30 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR100963026B1 (ko) 2008-06-30 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
JP5345456B2 (ja) 2008-08-14 2013-11-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタ
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP2010066396A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Toshiba Mobile Display Co Ltd 液晶表示装置
KR101657957B1 (ko) 2008-09-12 2016-09-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101722913B1 (ko) 2008-09-12 2017-04-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
KR101563527B1 (ko) 2008-09-19 2015-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR102113024B1 (ko) 2008-09-19 2020-06-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP2010072529A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
KR101435501B1 (ko) 2008-10-03 2014-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP5361651B2 (ja) 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101667909B1 (ko) 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2010047288A1 (en) 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
JP5616012B2 (ja) 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101659703B1 (ko) 2008-11-07 2016-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI656645B (zh) 2008-11-13 2019-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI508304B (zh) 2008-11-28 2015-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI633371B (zh) * 2008-12-03 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
KR101343570B1 (ko) 2008-12-18 2013-12-20 한국전자통신연구원 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 적용한 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5178631B2 (ja) * 2009-05-26 2013-04-10 株式会社ジャパンディスプレイウェスト タッチセンサ、表示装置および電子機器
JP5564331B2 (ja) 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8289489B2 (en) * 2009-08-17 2012-10-16 Hydis Technologies Co., Ltd. Fringe-field-switching-mode liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP2011054812A (ja) 2009-09-03 2011-03-17 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
KR101470811B1 (ko) 2009-09-16 2014-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP3540772A1 (en) 2009-09-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
KR101250319B1 (ko) * 2009-10-06 2013-04-03 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
WO2011043203A1 (en) 2009-10-08 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
WO2011048945A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
JP2011095455A (ja) * 2009-10-29 2011-05-12 Hitachi Displays Ltd 表示装置
CN106057819B (zh) 2009-10-30 2019-03-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011055474A1 (ja) * 2009-11-09 2011-05-12 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えた液晶表示パネル、並びにアクティブマトリクス基板の製造方法
WO2011068021A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7902512B1 (en) * 2009-12-04 2011-03-08 Carestream Health, Inc. Coplanar high fill factor pixel architecture
KR101701208B1 (ko) 2010-01-15 2017-02-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판
JP2011186453A (ja) * 2010-02-12 2011-09-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
KR20130009978A (ko) * 2010-02-26 2013-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자의 제조 방법 및 성막 장치
KR101706081B1 (ko) * 2010-04-06 2017-02-15 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101827340B1 (ko) * 2010-07-14 2018-02-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP5653686B2 (ja) * 2010-08-24 2015-01-14 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置
EP2428994A1 (en) 2010-09-10 2012-03-14 Applied Materials, Inc. Method and system for depositing a thin-film transistor
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP5615647B2 (ja) * 2010-09-24 2014-10-29 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置および電子機器
JP5616184B2 (ja) 2010-09-28 2014-10-29 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置および電子機器
JP5457321B2 (ja) * 2010-09-28 2014-04-02 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US20130168006A1 (en) * 2010-10-14 2013-07-04 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing liquid crystal display device
TWI562379B (en) 2010-11-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
CN103270601B (zh) * 2010-12-20 2016-02-24 夏普株式会社 半导体装置和显示装置
BR112013022675A2 (pt) * 2011-03-25 2016-12-06 Sharp Kk dispositivo de visor
KR101799529B1 (ko) * 2011-04-21 2017-12-20 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 인셀 타입 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
KR101507220B1 (ko) * 2013-03-28 2015-03-30 엘지디스플레이 주식회사 전도성 코팅 조성물 및 이를 포함하는 표시장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014095895A5 (ja) 液晶表示装置
JP2014032415A5 (ja) 液晶表示装置
JP2015018264A5 (ja)
JP2015073101A5 (ja) 半導体装置
JP2014220492A5 (ja)
JP2015128163A5 (ja)
JP2014002387A5 (ja)
JP2011138117A5 (ja)
JP2017054152A5 (ja)
JP2012134520A5 (ja) 表示装置
JP2013190824A5 (ja) El表示装置
JP2014157357A5 (ja) 液晶表示装置
JP2014241404A5 (ja)
JP2014150273A5 (ja) 半導体装置
JP2014170952A5 (ja) 液晶表示装置
JP2014038323A5 (ja) 半導体装置、液晶表示装置
JP2015043064A5 (ja)
JP2013243355A5 (ja) 半導体装置
JP2015146053A5 (ja) 液晶表示装置
JP2013190804A5 (ja)
JP2013047808A5 (ja) 表示装置
JP2014112679A5 (ja) 半導体装置
JP2014063748A5 (ja)
JP2014209204A5 (ja)
JP2012060160A5 (ja)