JP2007027386A - Organic EL element and organic EL display device - Google Patents
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Abstract
【課題】有機EL素子の高輝度化及び長寿命化に有利な構造を提供する。
【解決手段】本発明の有機EL素子OLEDは、非注入型有機EL素子であって、互いに向き合った一対の電極E1及びE2と、それらの間に介在し、発光材料EMと電子供与体EDと電子受容体EAとを含んだ混合物からなる発光層EMTとを具備する。
【選択図】 図1A structure advantageous in increasing the luminance and extending the life of an organic EL element is provided.
An organic EL element OLED according to the present invention is a non-injection type organic EL element, and includes a pair of electrodes E1 and E2 facing each other, a light emitting material EM and an electron donor ED interposed therebetween. And a light emitting layer EMT made of a mixture containing the electron acceptor EA.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、有機EL素子及び有機EL表示装置に関する。 The present invention relates to an organic EL element and an organic EL display device.
有機エレクトロルミネッセンス素子には、高輝度化及び長寿命化が要求されている。そのため、このような要望に応える技術が数多く提案されている。 Organic electroluminescence elements are required to have high brightness and long life. For this reason, many technologies that meet such demands have been proposed.
例えば、特許文献1には、等電位面を形成する層を介して複数の発光ユニットを積み重ねてなる積層体を陽極と陰極とで挟んだ構造を有機EL素子に採用することが記載されている。この構造は、複数の発光ユニットを直列に接続しているので高い電流効率(又は量子効率)を実現でき、したがって、素子の高輝度化及び長寿命化に有利である。 For example, Patent Document 1 describes that an organic EL element employs a structure in which a laminated body in which a plurality of light emitting units are stacked via layers forming equipotential surfaces is sandwiched between an anode and a cathode. . In this structure, since a plurality of light emitting units are connected in series, high current efficiency (or quantum efficiency) can be realized, and therefore, it is advantageous for high luminance and long life of the device.
特許文献2には、特許文献1に記載されたのと類似の構造が記載されている。特許文献2に記載された構造では、等電位面を形成する層の代わりに電気絶縁性の電荷発生層を使用している。
本発明の目的は、有機EL素子の高輝度化及び長寿命化に有利な構造を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a structure that is advantageous for increasing the luminance and extending the life of an organic EL element.
本発明の第1側面によると、互いに向き合った一対の電極と、それらの間に介在し、発光材料と電子供与体と電子受容体とを含んだ混合物からなる発光層とを具備したことを特徴とする非注入型有機EL素子が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a pair of electrodes facing each other, and a light emitting layer that is interposed between them and is made of a mixture including a light emitting material, an electron donor, and an electron acceptor. A non-injection type organic EL device is provided.
本発明の第2側面によると、複数の画素を具備し、各々の画素は第1側面に係る有機EL素子を含んだことを特徴とする有機EL表示装置が提供される。 According to a second aspect of the present invention, there is provided an organic EL display device comprising a plurality of pixels, each pixel including an organic EL element according to the first aspect.
本発明によると、有機EL素子の高輝度化及び長寿命化に有利な構造が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the structure advantageous for high-intensity and long lifetime of an organic EL element is provided.
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same referential mark is attached | subjected to the same or similar component, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
図1は、本発明の一態様に係る有機EL素子を概略的に示す断面図である。この有機EL素子OLEDは、電極E1及びE2と発光層EMTとを含んでいる。電極E1及びE2は、互いに向き合っている。発光層EMTは、電極E1及びE2間に介在している。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an organic EL element according to one embodiment of the present invention. This organic EL element OLED includes electrodes E1 and E2 and a light emitting layer EMT. The electrodes E1 and E2 face each other. The light emitting layer EMT is interposed between the electrodes E1 and E2.
発光層EMTは、発光材料EMと電子供与体EDと電子受容体EAとを含んだ混合物からなる。発光材料EMは、ホスト材料HSTとドーパントDPTとを含んでいる。 The light emitting layer EMT is made of a mixture containing a light emitting material EM, an electron donor ED, and an electron acceptor EA. The light emitting material EM includes a host material HST and a dopant DPT.
この有機EL素子OLEDは、非注入型有機EL素子である。すなわち、この有機EL素子OLEDは、外部から発光層EMTへの電荷の注入なしに発光を生じさせることが可能である。これについて、以下に説明する。 This organic EL element OLED is a non-injection type organic EL element. That is, the organic EL element OLED can emit light without injecting charges from the outside into the light emitting layer EMT. This will be described below.
この有機EL素子OLEDにおいて、電子供与体EDと電子受容体EAとの少なくとも一部は電荷移動錯体を形成している。そのため、電極E1及びE2間に電圧を印加すると、電圧の印加方向に沿って電子と正孔とが逆向きに移動する。これら電荷の移動過程で、それらの一部は再結合する。これにより、再結合を生じた位置の近傍で発光体LMが励起され、その結果、発光層EMTは発光する。 In this organic EL element OLED, at least a part of the electron donor ED and the electron acceptor EA forms a charge transfer complex. Therefore, when a voltage is applied between the electrodes E1 and E2, electrons and holes move in opposite directions along the voltage application direction. Some of them recombine during these charge transfer processes. As a result, the light emitter LM is excited in the vicinity of the position where recombination occurs, and as a result, the light emitting layer EMT emits light.
この有機EL素子OLEDでは、発光層EMT内で発生する正孔の数と電子の数とが等しい。そのため、高い量子効率を実現できる。しかも、この有機EL素子OLEDでは、外部から発光層EMTへの電荷の注入なしに発光を生じさせるため、電極E1及びE2の材料への制約が極めて少ない。それゆえ、電極E1及びE2に、有機EL素子OLEDの経時劣化を引き起こし難い材料を使用することができる。したがって、この構造は、有機EL素子OLEDの高輝度化及び長寿命化に有利である。 In this organic EL element OLED, the number of holes generated in the light emitting layer EMT is equal to the number of electrons. Therefore, high quantum efficiency can be realized. In addition, in this organic EL element OLED, light is emitted without injecting charges into the light emitting layer EMT from the outside, so that there are very few restrictions on the materials of the electrodes E1 and E2. Therefore, a material that does not easily cause deterioration of the organic EL element OLED with time can be used for the electrodes E1 and E2. Therefore, this structure is advantageous for increasing the luminance and extending the life of the organic EL element OLED.
ホスト材料HSTとしては、アントラセン類、アミン類、スチリル類、シロール類、アゾール類、ポリフェニル類、金属錯体類などの有機物又は有機金属化合物を使用することができる。例えば、ホスト材料HSTとして、ジフェニルアントラセン誘導体、ビスカルバゾール、スチリルアミン、ジスチリルアリーレン、オキサゾール、オキサジアゾール、ベンゾイミダゾール、トリス(8−ヒドロキシキノレート)アルミニウム(Alq3)などを使用してもよい。 As the host material HST, organic substances or organometallic compounds such as anthracenes, amines, styryls, siloles, azoles, polyphenyls, and metal complexes can be used. For example, as the host material HST, diphenylanthracene derivative, biscarbazole, styrylamine, distyrylarylene, oxazole, oxadiazole, benzimidazole, tris (8-hydroxyquinolate) aluminum (Alq 3 ) and the like may be used. .
ドーパントDPTとしては、ジシアノメチレンピラン類、ジシアノ類、フェノキサゾン類、チオキサンテン類、ルブレン類、スチリル類、クマリン類、キナクリドン類、縮合多環芳香環類、重金属錯体類などの有機物又は有機金属化合物を使用することができる。例えば、ドーパントDPTとして、クマリン、ルブレン、ペリレン、アザチオキサンテン、N−メチルキナクリドン、ジフェニルナフタセン、ペリフランテン、フェニルピリジンをイリジウムに3配位させた錯体(Ir(ppy)3)などを使用してもよい。 As the dopant DPT, organic substances or organic metal compounds such as dicyanomethylenepyrans, dicyanos, phenoxazones, thioxanthenes, rubrenes, styryls, coumarins, quinacridones, condensed polycyclic aromatic rings, and heavy metal complexes are used. Can be used. For example, as a dopant DPT, a complex (Ir (ppy) 3 ) in which coumarin, rubrene, perylene, azathioxanthene, N-methylquinacridone, diphenylnaphthacene, perifuranthene, and phenylpyridine are coordinated to iridium three times is used. Also good.
電子供与体EDとしては、アリールアミン類などの有機物及び有機金属化合物を使用することができる。例えば、電子供与体EDとして、N,N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノフェニル、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン、N,N,N’,N’−テトラ−p−トリル−4,4’−ジアミノビフェニル、ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4’−ジアミノビフェニル、N,N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル、4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン、3−メトキシ−4’−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン、N−フェニルカルバゾール、1,1−ビス(4−ジ−p−トリアミノフェニル)−シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ジ−p−トリアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン、ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニルメタン、N,N,N−トリ(p−トリル)アミン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−[4(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベン、N,N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノ−ビフェニルN−フェニルカルバゾール、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4’’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]p−ターフェニル、4,4’−ビス[N−(3−アセナフテニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、1,5−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ナフタレン、4,4’−ビス[N−(9−アントリル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4’’−ビス[N−(1−アントリル)−N−フェニル−アミノ]p−ターフェニル、4,4’−ビス[N−(2−フェナントリル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4’−ビス[N−(8−フルオランテニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4’−ビス[N−(2−ピレニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4’−ビス[N−(2−ペリレニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4’−ビス[N−(1−コロネニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、2,6−ビス(ジ−p−トリルアミノ)ナフタレン、2,6−ビス[ジ−(1−ナフチル)アミノ]ナフタレン、2,6−ビス[N−(1−ナフチル)−N−(2−ナフチル)アミノ]ナフタレン、4.4’’−ビス[N,N−ジ(2−ナフチル)アミノ]ターフェニル、4.4’−ビス{N−フェニル−N−[4−(1−ナフチル)フェニル]アミノ}ビフェニル、4,4’−ビス[N−フェニル−N−(2−ピレニル)−アミノ]ビフェニル、2,6−ビス[N,N−ジ(2−ナフチル)アミノ]フルオレン、4,4’’−ビス(N,N−ジ−p−トリルアミノ)ターフェニル、ビス(N−1−ナフチル)(N−2−ナフチル)アミン、4,4’−ビス[N−(2−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)、スピロ−NPB、スピロ−TAD、2−TNATA、Alq3のオキシン配位子の1つをフェニルフェノール配位子で置換すると共に他の2つのオキシン配位子の各々において1つの水素原子をメチル基で置換したアルミニウム錯体(BAlq)などを使用してもよい。 As the electron donor ED, organic substances such as arylamines and organometallic compounds can be used. For example, as the electron donor ED, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl, N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) -4 , 4′-diaminobiphenyl, 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane, N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl, bis (4-Di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane, N, N′-diphenyl-N, N′-di (4-methoxyphenyl) -4,4′-diaminobiphenyl, N, N, N ′, N '-Tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl, 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene, 3-methoxy-4' -N, N-diphenyla Nosylbenzene, N-phenylcarbazole, 1,1-bis (4-di-p-triaminophenyl) -cyclohexane, 1,1-bis (4-di-p-triaminophenyl) -4-phenylcyclohexane, Bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) -phenylmethane, N, N, N-tri (p-tolyl) amine, 4- (di-p-tolylamino) -4 ′-[4 (di-p- Tolylamino) styryl] stilbene, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diamino-biphenyl N-phenylcarbazole, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl -Amino] biphenyl, 4,4 ″ -bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] p-terphenyl, 4,4′-bis [N- (3-acenaphthenyl) -N-phenyl -A No] biphenyl, 1,5-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] naphthalene, 4,4′-bis [N- (9-anthryl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4, , 4 ″ -bis [N- (1-anthryl) -N-phenyl-amino] p-terphenyl, 4,4′-bis [N- (2-phenanthryl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4, , 4′-bis [N- (8-fluoranthenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4′-bis [N- (2-pyrenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4 '-Bis [N- (2-perylenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (1-coronenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 2,6-bis (di -P-tolylamino) naphthalene, 2,6- Bis [di- (1-naphthyl) amino] naphthalene, 2,6-bis [N- (1-naphthyl) -N- (2-naphthyl) amino] naphthalene, 4.4 ″ -bis [N, N— Di (2-naphthyl) amino] terphenyl, 4.4'-bis {N-phenyl-N- [4- (1-naphthyl) phenyl] amino} biphenyl, 4,4'-bis [N-phenyl-N -(2-pyrenyl) -amino] biphenyl, 2,6-bis [N, N-di (2-naphthyl) amino] fluorene, 4,4 "-bis (N, N-di-p-tolylamino) ter Phenyl, bis (N-1-naphthyl) (N-2-naphthyl) amine, 4,4′-bis [N- (2-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl (α-NPD), spiro-NPB , spiro -TAD, 2-TNATA, oxine coordination of Alq 3 Of one hydrogen atom may be used, such as aluminum complexes and substituted with a methyl group (BAlq) In each of the other two oxine ligand with one substituting phenylphenol ligand.
電子受容体EAとしては、金属酸化物及び金属ハロゲン化物などの無機物や有機物を使用することができる。例えば、電子受容体EAとして、五酸化バナジウム(V2O5)、七酸化レニウム(Re2O7)、塩化第二鉄、臭化第二鉄、ヨウ化第二鉄、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム、塩化ガリウム、臭化ガリウム、ヨウ化ガリウム、塩化インジウム、臭化インジウム、ヨウ化インジウム、五塩化アンチモン、五フッ化砒素、三フッ化硼素、ジシアノ−ジクロロキノン(DDQ)、トリニトロフルオレノン(TNF)、テトラシアノキノジメタン(TCNQ)、テトラフルオロ−テトラシアノキノジメタン(4F−TCNQ)などを使用してもよい。 As the electron acceptor EA, inorganic substances and organic substances such as metal oxides and metal halides can be used. For example, as the electron acceptor EA, vanadium pentoxide (V 2 O 5 ), rhenium heptoxide (Re 2 O 7 ), ferric chloride, ferric bromide, ferric iodide, aluminum chloride, bromide Aluminum, aluminum iodide, gallium chloride, gallium bromide, gallium iodide, indium chloride, indium bromide, indium iodide, antimony pentachloride, arsenic pentafluoride, boron trifluoride, dicyano-dichloroquinone (DDQ), Trinitrofluorenone (TNF), tetracyanoquinodimethane (TCNQ), tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane (4F-TCNQ) and the like may be used.
上記の通り、この有機EL素子OLEDは、非注入型有機EL素子である。そのため、電極E1及びE2の材料を選択するうえで、仕事関数などを考慮する必要がない。したがって、電極E1及びE2の材料として、様々な導電性材料を使用することができる。例えば、電極E1及びE2の材料として、インジウム・スズ酸化物(ITO)などの導電性酸化物、アルミニウムなどの金属、及び合金などを使用してもよい。 As described above, the organic EL element OLED is a non-injection type organic EL element. Therefore, it is not necessary to consider a work function or the like when selecting materials for the electrodes E1 and E2. Therefore, various conductive materials can be used as the materials for the electrodes E1 and E2. For example, as materials for the electrodes E1 and E2, a conductive oxide such as indium tin oxide (ITO), a metal such as aluminum, and an alloy may be used.
この有機EL素子OLEDは、電極E1及びE2間に発光層EMT以外の層をさらに含むことができる。例えば、この有機EL素子OLEDは、電極E1と発光層EMTとの間や電極E2と発光層EMTとの間に絶縁層をさらに含んでいてもよい。 The organic EL element OLED can further include a layer other than the light emitting layer EMT between the electrodes E1 and E2. For example, the organic EL element OLED may further include an insulating layer between the electrode E1 and the light emitting layer EMT or between the electrode E2 and the light emitting layer EMT.
先に説明した通り、この有機EL素子OLEDは非注入型有機EL素子である。したがって、電極E1及びE2間には、直流電圧を印加してもよく、交流電圧を印加してもよい。 As described above, the organic EL element OLED is a non-injection type organic EL element. Therefore, a DC voltage may be applied between the electrodes E1 and E2, or an AC voltage may be applied.
この有機EL素子OLEDは、例えば表示装置において使用することができる。以下、図1の有機EL素子OLEDを用いた表示装置の例を説明する。 This organic EL element OLED can be used, for example, in a display device. Hereinafter, an example of a display device using the organic EL element OLED of FIG. 1 will be described.
図2は、図1の有機EL素子を用いた表示装置の一例を概略的に示す平面図である。この表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した有機EL表示装置である。 FIG. 2 is a plan view schematically showing an example of a display device using the organic EL element of FIG. This display device is an organic EL display device adopting an active matrix driving method.
図2の有機EL表示装置は、アレイ基板ASと、映像信号線ドライバXDRと、走査信号線ドライバYDRとを含んでいる。 The organic EL display device of FIG. 2 includes an array substrate AS, a video signal line driver XDR, and a scanning signal line driver YDR.
アレイ基板ASは、例えば、ガラス基板などの絶縁基板SUBを含んでいる。 The array substrate AS includes, for example, an insulating substrate SUB such as a glass substrate.
基板SUB上では、画素PXが配列している。基板SUB上では、さらに、各々が画素PXの行方向(X方向)に延びた走査信号線SLが画素PXの列方向(Y方向)に配列すると共に、各々がY方向に延びた映像信号線DLがX方向に配列している。走査信号線SL及び映像信号線DLは、映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDRにそれぞれ接続されている。 Pixels PX are arranged on the substrate SUB. On the substrate SUB, the scanning signal lines SL each extending in the row direction (X direction) of the pixels PX are arranged in the column direction (Y direction) of the pixels PX, and the video signal lines each extending in the Y direction. DL is arranged in the X direction. The scanning signal line SL and the video signal line DL are connected to the video signal line driver XDR and the scanning signal line driver YDR, respectively.
各々の画素PXは、有機EL素子OLEDと、画素スイッチSWと、キャパシタCとを含んでいる。この例では、画素スイッチSWはpチャネル薄膜トランジスタであり、そのゲートは走査信号線SLに接続され、ソースは映像信号線DLに接続されている。有機EL素子OLEDとキャパシタCとは、画素スイッチSWのドレインと接地端子との間で並列に接続されている。 Each pixel PX includes an organic EL element OLED, a pixel switch SW, and a capacitor C. In this example, the pixel switch SW is a p-channel thin film transistor, its gate is connected to the scanning signal line SL, and its source is connected to the video signal line DL. The organic EL element OLED and the capacitor C are connected in parallel between the drain of the pixel switch SW and the ground terminal.
この例では、映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDRをCOG(chip on glass)実装している。映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDRは、COG実装する代わりに、TCP(tape carrier package)実装してもよい。 In this example, the video signal line driver XDR and the scanning signal line driver YDR are mounted on COG (chip on glass). The video signal line driver XDR and the scanning signal line driver YDR may be mounted by TCP (tape carrier package) instead of COG mounting.
この有機EL表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線SLを線順次駆動する。そして、或る画素PXに映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバYDRから、先の画素PXが接続された走査信号線SLにスイッチSWを閉じる(ON)走査信号を電圧信号として出力し、この状態で、映像信号線ドライバXDRから、先の画素PXが接続された映像信号線DLに映像信号を電圧信号として出力する。その後、走査信号線ドライバYDRから、先の画素PXが接続された走査信号線SLにスイッチSWを開く(OFF)走査信号を電圧信号として出力する。 When displaying an image on this organic EL display device, for example, the scanning signal lines SL are driven in a line sequential manner. In the writing period in which a video signal is written to a certain pixel PX, first, the scanning signal line driver YDR closes the switch SW to the scanning signal line SL to which the previous pixel PX is connected (ON) and the scanning signal is a voltage signal. In this state, the video signal line driver XDR outputs the video signal as a voltage signal to the video signal line DL to which the previous pixel PX is connected. Thereafter, the scanning signal line driver YDR outputs a scanning signal as a voltage signal that opens (OFF) the switch SW to the scanning signal line SL to which the previous pixel PX is connected.
スイッチSWを開いて(OFF)いる有効表示期間では、キャパシタCは、有機EL素子OLEDの電極E1及びE2間の電圧を、書込期間において設定した値とほぼ等しい大きさに維持する。有機EL素子OLEDは、電極E1及びE2間の電圧に対応した輝度で発光する。 In the effective display period in which the switch SW is open (OFF), the capacitor C maintains the voltage between the electrodes E1 and E2 of the organic EL element OLED at a level substantially equal to the value set in the writing period. The organic EL element OLED emits light with a luminance corresponding to the voltage between the electrodes E1 and E2.
以下、本発明の実施例を説明する。
本例では、図1の有機EL素子OLEDを以下の方法で作製した。
まず、ガラス基板上に、スパッタリング法により、ITOからなる電極E1を形成した。
Examples of the present invention will be described below.
In this example, the organic EL element OLED of FIG. 1 was produced by the following method.
First, an electrode E1 made of ITO was formed on a glass substrate by a sputtering method.
次に、電極E1上に、ホストHSTとドーパントDPTと電子供与体EDと電子受容体EAとを共蒸着し、これにより、厚さ50nmの発光層EMTを形成した。ここでは、ホストHSTとしてAlq3を使用し、ドーパントDPTとしてGreenドーパントGD1(コダック社製)を使用し、電子供与体EDとしてBAlqを使用し、電子受容体EAとして五酸化バナジウムを使用した。また、この蒸着は、発光層EMT中で、ホストHSTの含量が60重量%、ドーパントDPTの含量が10重量%、電子供与体EDの含量が20重量%、電子受容体EAの含量が10重量%となる条件で行った。 Next, a host HST, a dopant DPT, an electron donor ED, and an electron acceptor EA were co-evaporated on the electrode E1, thereby forming a light emitting layer EMT having a thickness of 50 nm. Here, Alq 3 was used as the host HST, Green dopant GD1 (manufactured by Kodak) was used as the dopant DPT, BAlq was used as the electron donor ED, and vanadium pentoxide was used as the electron acceptor EA. Further, this deposition is performed in the light emitting layer EMT, in which the content of the host HST is 60% by weight, the content of the dopant DPT is 10% by weight, the content of the electron donor ED is 20% by weight, and the content of the electron acceptor EA is 10% by weight. %.
その後、発光層EMT上に、ECR(electron cyclotron resonance)プラズマを利用した蒸着法により、ITOからなる厚さ50nmの電極E2を形成した。以上のようにして、図1の有機EL素子OLEDを得た。 Thereafter, an electrode E2 made of ITO and having a thickness of 50 nm was formed on the light emitting layer EMT by an evaporation method using ECR (electron cyclotron resonance) plasma. As described above, the organic EL element OLED in FIG. 1 was obtained.
次に、この有機EL素子OLEDの電極E1及びE2間に直流電圧を印加し、その大きさを徐々に大きくした。その結果、この有機EL素子OLEDは、電極E1及びE2間に印加する電圧を20V以上とした場合に、緑色に発光した。すなわち、この有機EL素子OLEDは、比較的低い電圧で発光した。 Next, a direct current voltage was applied between the electrodes E1 and E2 of the organic EL element OLED, and the magnitude thereof was gradually increased. As a result, this organic EL element OLED emitted green light when the voltage applied between the electrodes E1 and E2 was 20 V or higher. That is, this organic EL element OLED emitted light at a relatively low voltage.
また、この有機EL素子OLEDの電極E1及びE2間に20Vの直流電圧を印加し続け、輝度が電圧印加開始時の50%になるまでの時間を調べた。その結果、この時間は200時間であった。すなわち、この有機EL素子OLEDは、十分に長寿命であった。 Further, a DC voltage of 20 V was continuously applied between the electrodes E1 and E2 of the organic EL element OLED, and the time until the luminance became 50% at the start of voltage application was examined. As a result, this time was 200 hours. That is, this organic EL element OLED had a sufficiently long life.
AS…アレイ基板、C…キャパシタ、DL…映像信号線、DPT…ドーパント、E1…電極、E2…電極、EA…電子受容体、ED…電子供与体、EM…発光材料、EMT…発光層、HST…ホスト材料、OLED…有機EL素子、PX…画素、SL…走査信号線、SUB…絶縁基板、SW…画素スイッチ、XDR…映像信号線ドライバ、YDR…走査信号線ドライバ AS ... array substrate, C ... capacitor, DL ... video signal line, DPT ... dopant, E1 ... electrode, E2 ... electrode, EA ... electron acceptor, ED ... electron donor, EM ... light emitting material, EMT ... light emitting layer, HST ... Host material, OLED ... Organic EL element, PX ... Pixel, SL ... Scanning signal line, SUB ... Insulating substrate, SW ... Pixel switch, XDR ... Video signal line driver, YDR ... Scanning signal line driver
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