JP2001349731A

JP2001349731A - マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ

Info

Publication number: JP2001349731A
Application number: JP2000168541A
Authority: JP
Inventors: Toru Okauchi; 亨岡内; Mitsuhiro Yamashita; 光洋山下
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-06-06
Filing date: 2000-06-06
Publication date: 2001-12-21

Abstract

(57)【要約】【課題】ボンディング方向とボンディング面を単一化
し、実装時のワイヤーボンディングを容易化する。【解決手段】シリコン基板側にコンタクト部を設け、
ガラス基板側電極のリード線端部をコンタクト部で挟み
込むことにより、シリコン側電極とガラス側電極のボン
ディングパットを全てシリコン上に配置する。上記の対
策により、電極の方向に関わらず、外部回路と接続する
ためのボンディングパットを同一平面上に形成できるた
め、ワイヤーボンディングが非常に容易に出来、量産時
のコスト削減に大きく寄与する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば車両の姿勢
制御、進行方向の算出、ハンドカメラの手ぶれ防止、携
帯電話の移動方向算出などに用いられる角速度センサ及
び加速度センサに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、角速度を検出するセンサとして様
々なジャイロスコープ（以下、ジャイロと称す）が開発
されている。その種類を大別すると、機械式のコマジャ
イロ、光学式の光ファイバージャイロ、流体式のガスレ
ートジャイロ、音叉等の振動ジャイロがある。

【０００３】近年は、製品の小型化・省電力化・低コス
ト化の要求に対し、単結晶シリコンや水晶などの素材に
マイクロマシニング微細加工技術を適用して形成した超
小型な角速度センサの開発も進められている。マイクロ
マシンによる角速度センサの大半は振動ジャイロに属す
る。検出原理は以下の通りである。

【０００４】振動している錘が振動方向と垂直な軸周り
に錘を回転すると、振動方向と回転の軸の互いに垂直な
方向の力が錘に働く。この力による錘の力方向の変位を
検出し、そこから角速度を算出するのである。このセン
サには振動を励起する駆動力と、錘の変位を検出する機
構が必要である。センサの材料が圧電体もしくは一部に
圧電体部分を設けたものでは、圧電体への電圧印加によ
る歪みを駆動に利用したり、圧電体に加わる歪みにより
発生する電荷を検出したりする。

【０００５】別の方法では、磁気を用いたり、静電気力
を用いたりする。これらの中で圧電体を用いるものは、
バルクの圧電体を用いると微細加工が困難なことや、例
えばシリコン上に圧電体を形成する場合、形成自体に多
大な労力を必要とする。磁気の利用では、マグネットの
使用による周辺回路への影響や高効率な微細コイルの形
成が困難なことなど、実用に向けて越えなければならな
いハードルは高い。これらの意味から、材料にはシリコ
ンウエハを用い、駆動・検出両方に静電気力を用いるタ
イプの開発が、実用段階にまできている。静電気力の利
用した駆動とは、異なる電荷を蓄えた平行平板電極が互
いに引き合う力を応用する。従って、電極の総面積が大
きいほど有利である。

【０００６】一方、検出は一定の電荷を蓄えた平行平板
コンデンサにおいて、その電極間距離が変化による電極
間電圧の変化を検出することにより、変位量を求める。
やはり検出側でも電極の総面積が大きいほど有利であ
る。特に、検出側の変位量は、駆動振動の変位量に比し
て、遙かに小さい（二桁〜三桁小さい）ため、より高精
度加工と検出効率向上が必要である。この種のマイクロ
マシン角速度センサでは、例えば、P.Greiff他により発
表された論文（Silicon monolithic micromechanical
gyroscope, Transducers'99, P966-969）や、近年では
村田製作所から発表された論文（MEMS'99）が一例であ
る。また、特開平５−３１２５７６号公報「角速度セン
サ」にも一例が記載されている。

【０００７】上記のように、振動型マイクロマシンジャ
イロでは、駆動効率・検出効率を高めるには電極面積を
増やす必要がある。そこで、錘の表面全体を電極として
用いたり、空間効率を高めるため、櫛形や梯子型、フィ
ッシュボーンなどの構造が採用されている。効率を向上
するためには、電極面積増加と共に電極間距離を小さく
構成精度加工することも重要である。これらの要求に対
応するため、最近では半導体プロセスであり、プラズマ
エッチングの一種である、反応性イオンエッチング（以
下ＲＩＥと称す）を用いる。この技術による超微細加工
により、数ミクロンピッチのシリコンによる構造物の作
製が可能である。しかし、本体が数ｍｍ角の角速度セン
サ実現には、２μｍピッチ程度の櫛形電極構造を多用し
なければならず、このＲＩＥ技術を持ってしても容易で
はない。

【０００８】困難を伴う超微細加工を回避する手だてと
して、振動体と平行に絶縁基板を配置し、この基板上形
成された金属電極とシリコン振動体の間の静電容量を検
出する方法がある。この方法では振動体全体を櫛形電極
化する必要もなく、加工的には比較的容易であるため、
この構造のセンサ開発も盛んである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】シリコン振動体と平行
に絶縁基板を配し、基板上に形成された金属電極と振動
体間の静電駆動や静電容量検出を用いるセンサでは、超
微細加工からは免れる反面、端子取り出しに際しては、
シリコン基板上と絶縁体基板上の複数基板から行わなけ
ればならなかった。この端子取り出しには、ワイヤーボ
ンディングを用いるため、複数基板上からの取り出しは
ボンディング段差の複数化による自動化の工数アップ
や、基板間でボンディング方向が異なるためＳＯＩウェ
ハーの使用が困難、変換コネクタが必要等の制限から、
量産性の課題となっていた。

【００１０】本発明は、このような問題点を鑑みて、単
一方向・単一段差間のボンディングを実現し、自動化・
量産化の容易な端子取り出し方法を提供することを目的
とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願の請求項１の発明
は、金属薄膜パターンを有する絶縁体基板と、絶縁層の
片側が導電性を示す活性層であり他方が絶縁性もしくは
高比抵抗性を示す支持層で構成される複合基板を有し、
前記活性層に構造体が形成され、前記絶縁体基板の一部
と前記活性層の一部が接合された接合面を有するマイク
ロマシンデバイスにおいて、前記接合面上に形成された
前記金属薄膜パターンの一部に対応する前記活性層部上
の位置に、前記金属薄膜パターンの厚みよりも浅く窪ん
だコンタクト部を有し、前記絶縁体基板と前記活性層が
接合されている状態に於いて、前記接合面上に形成され
た前記金属薄膜パターンの一部と前記コンタクト部が、
電気的に接続されていることを特徴とするものである。

【００１２】本願の請求項２の発明は、請求項１記載の
マイクロマシンデバイスにおいて、前記金属薄膜パター
ンに対応した前記コンタクト部の周囲に溝部を設けたこ
とを特徴とするものである。

【００１３】本願の請求項３の発明は、請求項１または
２記載のマイクロマシンデバイスに於いて、前記金属薄
膜パターンが電極であり、前記接合面上に形成された前
記金属電極の一部と電気的に接合されている前記活性層
の一部が、ボンディングパッドを有し電気的に活性層の
他の部分と絶縁された島状部であり、前記絶縁体基板上
の前記金属電極と外部との接続が、前記島状部に設けら
れた前記ボンディングパッドを介して行われることを特
徴とするものである。

【００１４】本願の請求項４の発明は、請求項１または
２記載のマイクロマシンデバイスに於いて、前記絶縁基
板上に形成された前記金属薄膜パターンがボンディング
パッドと前記ボンディングパッドに接続されたリード線
部を形成し、前記活性層に構成された前記構造体の一部
が前記接合面上にて前記リード線部と電気的に接合さ
れ、前記構造体と外部との電気的接続が前記金属薄膜パ
ターンにより構成された前記ボンディングパッドを介し
て行われることを特徴とするものである。

【００１５】本願の請求項５の発明は、請求項１から４
のいずれかに記載のマイクロマシンデバイスに於いて、
活性層及び支持層がシリコンであり、前記活性層と支持
層の間の絶縁層がＳｉＯ₂により構成されたＳＯＩを用
いることを特徴とするものである。

【００１６】本願の請求項６の発明は、請求項１から５
のいずれかに記載のマイクロマシンデバイスに於いて、
絶縁体基板がガラス基板により構成されていることを特
徴とするものである。

【００１７】本願の請求項７の発明は、請求項１から５
のいずれかに記載のマイクロマシンデバイスに於いて、
絶縁体基板が表面にＳｉＯ₂層を有するシリコン基板に
より構成されていることを特徴とするものである。

【００１８】本願の請求項８の発明は、請求項６または
７記載のマイクロマシンデバイスに於いて、絶縁体基板
と活性層の接合が陽極接合であることを特徴とするもの
である。

【００１９】本願の請求項９の発明は、請求項１から８
のいずれかに記載のマイクロマシンデバイスが角速度セ
ンサであることを特徴とするものである。

【００２０】本願の請求項１０の発明は、請求項１から
８のいずれかに記載のマイクロマシンデバイスが、加速
度センサであることを特徴とするものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の実施の
形態１である単結晶シリコンＳＯＩウェハとガラスから
なる角速度センサについて、図１を用いて説明する。図
１は実施の形態１における角速度センサの分解斜視図で
ある。

【００２２】センサはＳＯＩ基板１０１とガラス基板１
２０からなる。ＳＯＩ基板１０１は電導性の高い活性層
１０２と電導性の低い支持層１０４と活性層１０２と支
持層１０４の間に挟まれ両者を絶縁する絶縁層１０３の
３層構造をなす。絶縁層１０３はＳｉＯ₂よりなる。活
性層１０２の中央には、プラズマエッチングの一種であ
るＲＩＥにより、振動体１１０が構成されている。振動
体１１０の中央には角速度を検出するための錘１０５が
あり、その周囲には振動体１１０を駆動するための駆動
電極１０７，１０８が配されている。

【００２３】駆動電極は左側部１０７と右側部１０８に
別れ、それぞれスリットの開いた簀の子上の構造であ
る。錘１０５は厚みの薄い４本の片持ち梁状の検出梁１
０６を介して、駆動電極１０７，１０８により支持さ
れ、錘１０５は基板厚み方向にのみ自由度を持ってい
る。また、駆動電極１０７，１０８は両端支持梁状の２
本の駆動梁１０９を介してフレーム１１７に支持され、
振動体の左右方向にのみ自由度を持っている。

【００２４】また、駆動梁１０９外側にはフレーム１１
７と電気的に絶縁されたモニタ電極１１１が構成され、
駆動梁１０９の中央部付近を対向電極とする平行平板コ
ンデンサを構成している。活性層１０２にはフレーム１
１７と電気的に絶縁され、ボンディングパット１１６を
有した島状部１１３が形成されている。この島状部１１
３にはフレーム１１７上面よりエッチングされ窪んだコ
ンタクト部１１４と、このコンタクト部１１４周囲には
更に深くエッチングされた溝部１１５が形成されてい
る。

【００２５】活性層１０２の上方（支持層１０４とは反
対側）には絶縁基板であるところのガラス基板１２０が
配され、Ｓｉ側のフレーム１１７の一部であるＳｉ側接
合面１１２と対応するガラス側接合面１２５は、陽極接
合にて強固に固定されている。陽極接合とはガラス基板
とＳｉ基板の清浄でフラットな面同士を接触させ、高温
下で高電圧を印加することで、接触面間に静電気力を発
生させ固定する技術である。

【００２６】ガラス側の接合面１２５の内側は、エッチ
ングにより窪んだギャップ部１２６が構成され、ギャッ
プ部１２６の底面には金属薄膜により構成された電極パ
ターンが形成されている。電極パターンの中央には検出
電極１２３が錘１０５と対向するように配され、検出電
極１２３の周囲にはガラス側駆動電極１２１，１２２が
配されている。ガラス側駆動電極１２１，１２２は、そ
れぞれＳｉ側の左側駆動電極１０７，右側駆動電極１０
８に対応している。ガラス側の電極パターンからそれぞ
れリード線部１２４が、ガラス側接合面１２５まで引き
出され、Ｓｉ側のコンタクト部と電気的に接続されてい
る。

【００２７】ここで、コンタクト部１１４の詳細な構造
を、図２を用いて説明する。Ｓｉ基板側の島状部１１３
中央に配されたコンタクト部１１４は、接合面１１２よ
りｔ２だけエッチングされ低くなっている。ここで、ガ
ラス基板１２０上の金属薄膜によるリード線部１２４の
膜厚をｔ１とすると、ｔ１＞ｔ２の関係が成り立つよう
に、それぞれｔ１，ｔ２を決める。このとき、ｔ１−ｔ
２だけ押さえ代が発生し、ガラス側の接合面１２５とＳ
ｉ側の接合面１１２の間に透き間が空くことになるが、
陽極接合が高温下で行われるので、ガラスが僅かに軟化
するため、リード線部１２４周囲にスロープが発生し、
接合面１１２と１２５は正常に接合される。コンタクト
部１１４周囲の溝部１１５の幅内で、このスロープ幅が
収まるように溝部１１５の幅を設定することにより、接
合面１１２，１２５間にくさび形隙間の発生を防止で
き、接合面の強度を向上させることが出来る。

【００２８】この様に、ガラス側の電極のリード線部１
２４を接合面１１２，１２５に挟み込むことにより、電
極方向に関わらず同一シリコン基板上のボンディングパ
ット１１６を配置できるので、ワイヤーボンディングが
非常に容易に出来、量産時のコスト削減に大きく寄与す
る。

【００２９】次に、実施の形態１における角速度センサ
の動作について説明する。活性層１０２には、例えばＳ
ｂやＡｓ等の元素をドープさせることで導電性を持た
せ、その電位をＧＮＤとしている。回路側（図示せず）
のＧＮＤとは、フレーム１１７上に形成されたボンディ
ングパット１１６を介して、ワイヤーボンディングによ
り接続されている。

【００３０】また、ガラス側の駆動電極１２１，１２２
には、ボンディングパット１１６，コンタクト部１１４
を介して、それぞれバイアス電圧Ｖｂの掛かった振幅Ｖ
ａ，周波数ｆの交流電圧が印加されている。交流電圧の
バイアス分Ｖｂと交流振幅Ｖａの関係は、Ｖｂ＞Ｖａの
関係があり、駆動電極１２１に印加されている駆動信号
がＶｂ＋Ｖａ・Ｓｉｎ（２πｆｔ）の時、駆動電極１２
２に印加される駆動信号はＶｂ−Ｖａ・Ｓｉｎ（２πｆ
ｔ）となる。

【００３１】従って、駆動電極１２１−１０７の間と、
駆動電極１２２−１０８の間に働く静電気力は、位相が
１８０°異なった振動的な引力となるため、振動体１１
０は図１の１３０の方向に振動する。このとき１３１の
方向を軸とする回転運動が振動体１１０に加わると、１
３２の方向にコリオリ力が発生する。駆動梁１０９は１
３０の方向には軟らかいが、１３２の方向には堅いた
め、１３２の方向に軟らかい検出梁１０６が変形し、振
動体１１０の中で錘１０５のみが１３２の方向に移動す
る。すると、錘１０５と検出電極１２３で構成される平
板コンデンサの静電容量が変化するため、この容量変化
をＣＶ変換回路（図示せず）により検出し、コリオリ力
を算出する事により振動体１１０に加わった回転速度を
検知する。この際、振動体１１０の１３０方向の駆動振
動を制御するため、モニタ電極１１１の信号を用いる。
モニタ電極１１１が振動体１１０の振動を検出する原理
も、検出電極１２３による錘１０５の移動量検出と同様
静電方式である。

【００３２】（実施の形態２）本発明の実施の形態２で
ある単結晶シリコンとガラスからなる角速度センサにつ
いて、図３を用いて説明する。構造的には図１に示した
実施の形態１の角速度センサと同様、ＳＯＩ基板１０１
とガラス基板１２０を、接合面１１２と１２５で陽極接
合することにより構成されている。さらに、ＳＯＩ基板
１０１の活性層１０２に、錘１０５、検出梁１０６、駆
動電極１０７，１０８、駆動梁１０９からなる振動体１
１０が形成されているのも図１に示す実施の形態１と同
様であり、駆動梁１０９の横にはモニタ電極１１１も形
成されている。

【００３３】また、ＳＯＩ基板１０１に接合されている
ガラス基板１２０には、実施の形態１と同様ギャップ部
１２６がエッチングされ、ギャップ部１２６の底面には
実施の形態１で説明したのと同様の電極パターン１２７
が構成されている。実施の形態２が実施の形態１と異な
る点は、端子取り出し用のボンディングパットをガラス
基板側に設置した点である。ギャップ部１２６の底面に
形成された電極パターン１２７から延びたリード線部１
２４は、接合面１２５と同一面まで引き出され、端部に
はボンディングパット３０２が形成されている。

【００３４】また、活性層１０２側にはリード線部１２
４が活性層１０２と接触しないように、逃げ部３０９が
設けてある。ガラス基板１２０上にはフレーム１１７の
電位をＧＮＤに接続するためのボンディングパット３０
１とそれに続くリード線部３０３や、モニター電極１１
１の信号を取り出すボンディングパット３０４やリード
線部３０５も形成されている。ＳＯＩ基板１０１とガラ
ス基板１２０を陽極接合した際に、リード線部３０３，
３０５は活性層１０２に設けられたコンタクト部３０
８，３０６とそれぞれ接続される。

【００３５】図４によりコンタクト部３０６とリード線
部３０５の接続状態を説明する。コンタクト部３０６の
周囲には、実施の形態１で説明したように溝部が設けて
あり、ガラス基板に発生するスロープは溝部の幅で吸収
され、強固な陽極接合が実現する。また、コンタクト部
３０６の窪み深さとリード線部３０５の厚みの関係は、
実施の形態１で述べた図２の関係と同様である。

【００３６】前述のように活性層１０２は導電性を有す
るため、モニタ電極１１１は他の活性層部分と絶縁され
ていなくてはならない。そこで、モニタ電極１１１がリ
ード線部３０５を介して、活性層１０２の他の部分と接
触しないように逃げ部３０７を設け、モニタ電極１１１
の絶縁性を確保している。

【００３７】また、図３ではコンタクト部３０８の周囲
には溝部を設けていないが、これはフレーム１１７の接
合面積が大きく取れるためで有り、もちろん溝部を設け
ることで更に信頼性をアップすることが出来る。

【００３８】このように、ボンディングパット群を活性
層１０２上のみでなく、ガラス基板１２０上に全て配置
する事もでき、活性層１０２上に配置した場合と同様、
電極方向に関わらず同一シリコン基板上のボンディング
パット１１６を配置できるので、ワイヤーボンディング
が非常に容易に出来、量産時のコスト削減に大きく寄与
する。

【００３９】実施の形態２における角速度センサの動き
についてであるが、振動体１１０の動きや駆動電極への
電圧印加方法まで、全く同様であるため、説明を割愛す
る。

【００４０】（実施の形態３）本発明の実施の形態３で
ある単結晶シリコンとガラスからなる加速度センサにつ
いて、図５を用いて説明する。加速度センサの構成は、
基本的には実施の形態１の角速度センサから、駆動電極
と駆動梁を除いた形状である。

【００４１】ＳＯＩ基板１０１の活性層１０２は導電性
を有し、中央部には錘４０１が構成され、錘４０１は周
囲から４本の厚みの薄い検出梁４０２を介してフレーム
１１７で支持され、フレーム１１７上には回路のＧＮＤ
と接続するためのボンディングパット４０５が設けられ
ている。島状部１１３は周囲をエッチングによりフレー
ム１１７から絶縁され、ボンディングパッド１１６とコ
ンタクト部１１４を有し、コンタクト部１１４の周囲に
は溝部１１５がある。ＳＯＩ基板１０１に対向するガラ
ス基板１２０にはギャップ部１２６があり、ギャップ部
１２６の底面には金属膜により検出電極４０３が設けて
ある。検出電極４０３からはリード線部４０４が引き出
され、その端は接合面１２５に置かれている。

【００４２】ＳＯＩ基板１０１とガラス基板１２０は接
合面１１２，１２５で陽極接合され、リード線部４０４
の端部はコンタクト部１１４と接続されている。この様
に、ガラス側の電極のリード線部４０４を接合面１１
２，１２５に挟み込むことにより、電極方向に関わらず
同一シリコン基板上のボンディングパット１１６を配置
できるので、ワイヤーボンディングが非常に容易に出
来、量産時のコスト削減に大きく寄与する。

【００４３】次に、実施の形態３における加速度センサ
の動きを説明する。ＧＮＤ電位の錘４０１と検出電極４
０３は平板コンデンサを形成する。錘４０１に５０１方
向の加速度が加わると、検出梁４０２がたわみ、錘４０
１と検出電極４０３の間隔が変化し、静電容量が変化す
る。この容量変化は検出電極４０３に接合されたコンタ
クト部１１４、ボンディングパット１１６を介して、外
部回路（図示せず）にて検出される。

【００４４】尚、実施の形態３ではボンディングパット
を活性層１０２上に配したが、実施の形態２で述べたよ
うに、ガラス基板上に配しても同じ効果が得られる。

【００４５】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、振動型角
速度センサ及び加速度センサにおいて、電極駆動の有効
面の方向に関わりなく、外部回路と接続するためのボン
ディングパットを同一平面上に形成できるため、ワイヤ
ーボンディングが非常に容易に出来、量産時のコスト削
減に大きく寄与する。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１における角速度センサの斜視図

【図２】実施の形態１における角速度センサのリード線
部拡大断面図

【図３】実施の形態２における角速度センサの斜視図

【図４】実施の形態２における角速度センサのリード線
部拡大断面図

【図５】実施の形態３における加速度センサの斜視図

【符号の説明】１０１ＳＯＩ基板１０２活性層１０３絶縁層（ＳｉＯ₂層）１０４支持層１０５錘１０６検出梁１０７左駆動電極１０８右駆動電極１０９駆動梁１１０振動体１１１モニタ電極１１２接合面（シリコン側）１１３島状部１１４コンタクト部１１５溝部１１６ボンディングパット１１７フレーム１２０ガラス基板１２１ガラス側駆動電極（右側）１２２ガラス側駆動電極（左側）１２３検出電極１２４リード線部１２５接合面（ガラス基板側）１２６ギャップ部３０１，３０２，３０４ボンディングパット３０３，３０５リード線部３０７，３０９逃げ部３０６，３０８コンタクト部４０１錘４０２検出梁４０３検出電極４０４リード線部４０５ボンディングパット５０１加速度方向

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属薄膜パターンを有する絶縁体基板
と、導電性の活性層と絶縁性もしくは高比抵抗性の支持
層と前記活性層と前記支持層に挟まれた絶縁層で構成さ
れる複合基板から成り、構造体が形成された前記活性層
に、前記絶縁体基板の一部と前記活性層の一部が接合さ
れた接合面を有するマイクロマシンデバイスにおいて、
前記接合面上に形成された前記金属薄膜パターンの一部
に対応する前記活性層部上の位置に、前記金属薄膜パタ
ーンの厚みよりも浅く窪んだコンタクト部を有し、前記
絶縁体基板と前記活性層が接合されている状態に於い
て、前記接合面上に形成された前記金属薄膜パターンの
一部と前記コンタクト部が、電気的に接続されているこ
とを特徴とするマイクロマシンデバイス。
【請求項２】金属薄膜パターンを有する絶縁体基板
と、導電性の活性層と絶縁性もしくは高比抵抗性の支持
層と前記活性層と前記支持層に挟まれた絶縁層で構成さ
れる複合基板から成り、構造体が形成された前記活性層
に、前記絶縁体基板の一部と前記活性層の一部が接合さ
れた接合面を有するマイクロマシンデバイスにおいて、
前記接合面上に形成された前記金属薄膜パターンの一部
に対応する前記活性層部上の位置にコンタクト部を有
し、前記絶縁体基板と前記活性層が接合されている状態
に於いて、前記接合面上に形成された前記金属薄膜パタ
ーンの一部と前記コンタクト部が、電気的に接続されて
いるマイクロマシンデバイスにおいて、前記金属薄膜パ
ターンに対応した前記コンタクト部の周囲に溝部を設け
たことを特徴とするマイクロマシンデバイス。
【請求項３】金属薄膜パターンが電極であり、前記接
合面上に形成された前記金属電極の一部と電気的に接合
されている前記活性層の一部が、ボンディングパッドを
有し電気的に活性層の他の部分と絶縁された島状部であ
り、前記絶縁体基板上の前記金属電極と外部との接続
が、前記島状部に設けられた前記ボンディングパッドを
介して行われることを特徴とする請求項１または２記載
のマイクロマシンデバイス。
【請求項４】絶縁基板上に形成された前記金属薄膜パ
ターンがボンディングパッドと前記ボンディングパッド
に接続されたリード線部を形成し、前記活性層に構成さ
れた前記構造体の一部が前記接合面上にて前記リード線
部と電気的に接合され、前記構造体と外部との電気的接
続が前記金属薄膜パターンにより構成された前記ボンデ
ィングパッドを介して行われることを特徴とする請求項
１または２記載のマイクロマシンデバイス。
【請求項５】活性層及び支持層がシリコンであり、前
記活性層と支持層の間の絶縁層がＳｉ０２により構成さ
れたＳＯＩを用いることを特徴とする請求項１から４の
いずれかに記載のマイクロマシンデバイス。
【請求項６】絶縁体基板がガラス基板により構成され
ていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記
載のマイクロマシンデバイス。
【請求項７】絶縁体基板が表面にＳｉＯ２層を有する
シリコン基板により構成されていることを特徴とする請
求項１から５のいずれかに記載のマイクロマシンデバイ
ス。
【請求項８】絶縁体基板と活性層の接合が陽極接合で
あることを特徴とする請求項６または７に記載のマイク
ロマシンデバイス。
【請求項９】請求項１から８のいずれかに記載のマイ
クロマシンデバイスが、角速度センサであることを特徴
とする角速度センサ。
【請求項１０】請求項１から８のいずれかに記載のマ
イクロマシンデバイスが、加速度センサであることを特
徴とする加速度センサ。