JP2001211059A - 半導体スイッチ素子の過電流保護回路 - Google Patents

半導体スイッチ素子の過電流保護回路

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JP2001211059A
JP2001211059A JP2000017216A JP2000017216A JP2001211059A JP 2001211059 A JP2001211059 A JP 2001211059A JP 2000017216 A JP2000017216 A JP 2000017216A JP 2000017216 A JP2000017216 A JP 2000017216A JP 2001211059 A JP2001211059 A JP 2001211059A
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Shinichi Umekawa
真一 梅川
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】センスＩＧＢＴの電流検出端子に接続された電
流検出用抵抗の検出電圧のばらつきに対する過電流の保
護レベルのばらつきを抑制し、保護機能を十分に果た
す。 【解決手段】センスＩＧＢＴ10の電流検出端子14に接続
された電流検出用抵抗15の検出電圧の変化に対する主電
流の変化が、センスＩＧＢＴをオフ制御する付近で緩や
かになる電圧対抵抗値特性を有する制御回路20を用い
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ゲート電圧制御形
の半導体スイッチ素子の過電流保護回路に係り、特に電
流検出結果に基づいて半導体スイッチ素子を制御する制
御回路に関するもので、例えばＩＧＢＴ（絶縁ゲート形
バイポーラトランジスタ）、パワーＭＯＳＦＥＴ（絶縁
ゲート形電界効果トランジスタ）などに使用されるもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ゲート電圧制御形の半導体スイッチ素子
であるＩＧＢＴには、負荷電流（主電流）に応じて検出
電流が流れる電流検出端子を有する電流検出端子付きＩ
ＧＢＴ（センスＩＧＢＴ）がある。
【０００３】図５は、センスＩＧＢＴの等価回路を示し
ており、センスＩＧＢＴの過電流保護回路の従来例の等
価回路を図６に示している。
【０００４】図５および図６において、10はセンスＩＧ
ＢＴであり、同一半導体チップ上に同じ構造で多数設け
られたユニットセルが主電流素子10a 側と検出電流素子
10b側とでＭ：１（但し、Ｍは正の整数）となるように
分割されて並列接続されている。
【０００５】主電流素子10a と検出電流素子10b のゲー
トはゲート端子11に接続されており、主電流素子10a と
検出電流素子10b のコレクタとはコレクタ端子12に接続
されている。これにより、主電流素子10a に流れる電流
と検出電流素子10b に流れる電流の比は、前記ユニット
セルの分割比に等しい。
【０００６】そこで、センスＩＧＢＴ10の主電流素子10
a 側のエミッタ端子13と検出電流素子10b 側のエミッタ
端子である電流検出端子（センス端子）14との間に電流
検出用抵抗15を接続しておき、センスＩＧＢＴ10のゲー
トとエミッタ端子13との間にＮＭＯＳトランジスタ50を
接続しておき、電流検出用抵抗15の電圧降下（検出電
圧）をＮＭＯＳトランジスタ50のゲートに印加するよう
に接続しておく。
【０００７】これにより、検出電圧が過電流設定値を越
えた時をＮＭＯＳトランジスタ50により検出することが
可能になる。つまり、センスＩＧＢＴ10に過電流が流れ
た時に、ＮＭＯＳトランジスタ50がオン状態になり、セ
ンスＩＧＢＴ10のゲート電圧を制御してセンスＩＧＢＴ
10をオフ状態に制御することができる。
【０００８】なお、図６中、16はセンスＩＧＢＴのゲー
トに直列に接続されたゲート抵抗、17はセンスＩＧＢＴ
10のゲートとＮＭＯＳトランジスタ50のドレインとの間
に順方向の向きで挿入接続されている逆バイアス防止用
のダイオードである。
【０００９】上記電流検出用抵抗15、ＮＭＯＳトランジ
スタ50、ゲート抵抗16、ダイオード17および容量素子18
は、個別部品が用いられている。
【００１０】図７は、図６の過電流保護回路におけるセ
ンスＩＧＢＴの過電流保護動作の時間的な推移を説明す
るために示す波形図である。
【００１１】センスＩＧＢＴ10の過電流検出まではその
ゲート電圧ＶG が一定である。センスＩＧＢＴ10の過電
流検出時（検出電圧ＶSENSが過電流設定値を越えた時）
にＮＭＯＳトランジスタ50がオン状態になり、センスＩ
ＧＢＴ10のゲート電圧をゲート電圧を０Ｖまで絞り、セ
ンスＩＧＢＴ10をオフ状態に制御し、そのコレクタ電流
ＩC を遮断する。これにより、センスＩＧＢＴ10の過電
流による破壊を防止する保護機能を実現することが可能
になる。
【００１２】このように主電流素子10a 側のエミッタ端
子13と検出電流素子10b 側の電流検出端子14との間に電
圧降下（検出電圧ＶSENS）が発生するので、主電流素子
10aのコレクタ・エミッタ間に印加されている電圧ＶCE
と検出電流素子10b のコレクタ・エミッタ間に印加され
ている電圧ＶCSとが検出電圧ＶSENS分だけ異なってい
る。即ち、 ＶCS＝ＶCE−ＶSENS ＶCS：検出電流素子10b のコレクタ・エミッタ間電圧 ＶCE：主電流素子10a のコレクタ・エミッタ間電圧 ＶSENS：検出電圧 である。
【００１３】このため、検出電流素子10b に実際に流れ
る電流は、前述したユニットセルの分割比による設計値
よりも少ない。この実際に流れる電流と設計値との差
は、センスＩＧＢＴ10の特性の改善が進み、オン電圧が
低減されるにつれ、主電流素子10a と検出電流素子10b
とのコレクタ・エミッタ間電圧差の影響が大きくなるの
で、十分な検出電流が流れ難くなっている。
【００１４】また、図８は、図６に示した過電流保護回
路における検出電圧と電流の一般的な関係を示す特性図
である。
【００１５】この特性図から分かるように、従来は、検
出電圧ＶSENSと電流ＩC とは直線的な相関を示していた
が、センスＩＧＢＴ10のオン電圧が低減されるにつれ、
直線性が失われて急激なカーブを描くようになる。
【００１６】このため、検出電圧ＶSENSのばらつきに対
して電流ＩC のばらつきが大きくなり、過電流の保護レ
ベルも大きくばらつくようになり、保護機能を十分に果
たせなくなり、最悪の場合にはセンスＩＧＢＴ10の破壊
を防止することが不可能になる。
【００１７】このような問題の対策として、過電流保護
回路における電流検出用抵抗15の値を小さくすることに
より検出電圧ＶSENSを下げ、過電流設定値を下げること
により、センスＩＧＢＴ10の主電流素子10a と検出電流
素子10b とのコレクタ・エミッタ間電圧差を少なくする
ことが考えられるが、ノイズによる誤動作を発生し易く
なる点から限界がある。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
センスＩＧＢＴを使用した過電流保護回路は、検出電圧
のばらつきに対して主電流のばらつきが大きくなり、過
電流の保護レベルも大きくばらつくようになり、センス
ＩＧＢＴに対する保護機能を十分に果たせなくなり、最
悪の場合にはセンスＩＧＢＴの破壊を防止することが不
可能になるという問題があった。
【００１９】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、電流検出端子付きのゲート電圧制御形の半導
体スイッチ素子の電流検出端子に接続された電流検出用
抵抗の検出電圧の変化に対する主電流の変化が、スイッ
チ素子をオフ制御する付近で緩やかになるような特性を
持たせることにより、検出電圧のばらつきに対する主電
流のばらつきを抑制でき、過電流の保護レベルのばらつ
きを抑制でき、半導体スイッチ素子に対する保護機能を
十分に果たすことが可能な半導体スイッチ素子の過電流
保護回路を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体スイッチ
素子の過電流保護回路は、主電流が流れる主電流素子お
よび主電流に応じて検出電流が流れる検出電流素子を有
し、主電流素子の電流出力端子と検出電流素子の電流出
力端子を有するゲート電圧制御形の半導体スイッチ素子
と、前記半導体スイッチ素子の主電流素子の電流出力端
子と検出電流素子の電流出力端子との間に接続され、検
出電流素子の電流により生じる電圧降下を検出電圧とし
て生成する電流検出用抵抗と、前記半導体スイッチ素子
の定格電流時の検知電圧より大きい第１の値を超えると
前記半導体スイッチ素子のゲート電圧を徐々に低下さ
せ、前記定格電流より大きい規定電流値に設定されてい
る規定電圧に達した時は前記半導体スイッチ素子の電流
を完全に遮断させるように前記半導体スイッチ素子を制
御する制御回路とを具備することを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
【００２２】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る
センスＩＧＢＴを使用した過電流保護回路の一例を示す
等価回路図である。
【００２３】図１に示すセンスＩＧＢＴの過電流保護回
路は、図５および図６を参照して前述した従来のセンス
ＩＧＢＴの過電流保護回路と比べて、検出電圧ＶSENSに
基づいてセンスＩＧＢＴ10を制御するための制御回路20
が異なり、その他は同じであるので図５および図６中と
同一符号を付している。
【００２４】上記制御回路20は、本例では、逆バイアス
防止用のダイオード17、容量素子18およびＮＰＮトラン
ジスタ19からなる。
【００２５】即ち、図１に示す過電流保護回路におい
て、10はセンスＩＧＢＴであり、同一半導体チップ上に
同じ構造で多数設けられたユニットセルが主電流素子
（図５中10a ）側と検出電流素子（図５中10b ）側とで
Ｍ：１（但し、Ｍは正の整数）となるように分割されて
並列接続されている。
【００２６】主電流素子と検出電流素子のゲートはゲー
ト端子11に接続されており、主電流素子と検出電流素子
のコレクタとはコレクタ端子12に接続されている。これ
により、主電流素子10a に流れる電流と検出電流素子10
b に流れる電流の比は、前記ユニットセルの分割比に等
しい。
【００２７】そこで、センスＩＧＢＴ10の主電流素子10
a 側のエミッタ端子13と検出電流素子10b 側のエミッタ
端子である電流検出端子（センス端子）14との間に電流
検出用抵抗15を接続しておき、センスＩＧＢＴ10のゲー
トとエミッタ端子13との間にＮＰＮトランジスタ19を接
続しておき、電流検出用抵抗15の電圧降下（検出電圧）
をＮＰＮトランジスタ19のベースに印加するように接続
しておく。
【００２８】なお、図１中、16はセンスＩＧＢＴのゲー
トに直列に接続されたゲート抵抗、17はセンスＩＧＢＴ
10のゲートとＮＰＮトランジスタ19のコレクタとの間に
順方向の向きで挿入接続されている逆バイアス防止用の
ダイオード、18はＮＰＮトランジスタ19のコレクタとベ
ースとの間に接続されている容量素子である。
【００２９】上記電流検出用抵抗15、ＮＰＮトランジス
タ19、ゲート抵抗16、ダイオード17および容量素子18
は、センスＩＧＢＴ10とは別個の個別部品を用いてもよ
いが、センスＩＧＢＴ10と同一チップ上に形成してもよ
く、あるいは、センスＩＧＢＴ10とは別個のセンスＩＧ
ＢＴ制御用のチップ上に形成してもよい。
【００３０】図１中のＮＰＮトランジスタ19は、ベース
に印加される検出電圧ＶSENSがセンスＩＧＢＴ10の定格
電流時の検出電圧ＶSENSより大きい第１の値を越えると
第１の特性に沿ってセンスＩＧＢＴ10のゲート電圧ＶG
を徐々に低下させ、センスＩＧＢＴ10の電流ＩC の増加
を抑制する。
【００３１】そして、センスＩＧＢＴ10の電流ＩC が定
格電流より大きい規定電流値（過電流設定値）に設定さ
れている規定電圧に達した時はセンスＩＧＢＴ10のゲー
ト電圧ＶG を０Ｖに絞り、センスＩＧＢＴ10の電流ＩC
を完全に遮断させる。
【００３２】図２は、図１の過電流保護回路におけるセ
ンスＩＧＢＴの過電流保護動作の時間的な推移を説明す
るために示す波形図である。ここでは、電流保護設定値
を二段階に設定している例を示している。
【００３３】図２に示すように、センスＩＧＢＴ10の通
常使用される電流（定格電流）の範囲内ではセンスＩＧ
ＢＴ10のゲート電圧ＶG が一定である。センスＩＧＢＴ
10の電流ＩC が定格電流を越えて検出電圧ＶSENSがＮＰ
Ｎトランジスタ19のベース・エミッタ間電圧ＶBEに達す
ると、ＮＰＮトランジスタ19のベース電流が徐々に増加
し、ＮＰＮトランジスタ19のコレクタ・エミッタ間電圧
が徐々に低下し、センスＩＧＢＴ10のゲート電圧ＶG を
徐々に低下させるように制御して電流ＩC の増加を抑制
する。
【００３４】そして、センスＩＧＢＴ10の電流ＩC がさ
らに増加し、過電流が流れた時には、ＮＰＮトランジス
タ19がオン状態になり、センスＩＧＢＴ10のゲート電圧
ＶGを０Ｖまで絞り、センスＩＧＢＴ10をオフ状態に制
御する。これにより、センスＩＧＢＴ10の過電流による
破壊を防止する保護機能を実現することができる。
【００３５】図３は、図１に示した過電流保護回路にお
ける検出電圧ＶSENSとセンスＩＧＢＴ10の電流ＩC との
関係を示す特性図であり、対比のために、図６に示した
過電流保護回路における検出電圧ＶSENS対電流ＩC 特性
を同時に示した。
【００３６】即ち、電流ＩC が低い領域では、特性のカ
ーブが緩やかな領域で検出するので、電流ＩC のばらつ
きが少ない。その後、センスＩＧＢＴ10の電流ＩC が定
格電流を越えると、ＮＰＮトランジスタ19のベース電流
が徐々に増加し、ＮＰＮトランジスタ19のコレクタ・エ
ミッタ間電圧が徐々に低下し、センスＩＧＢＴ10のゲー
ト電圧ＶG を徐々に低下させるように制御して電流ＩC
の増加を抑制する。そして、センスＩＧＢＴ10の電流Ｉ
C がさらに増加し、過電流が流れた時には、ＮＰＮトラ
ンジスタ19がオン状態になり、センスＩＧＢＴ10のゲー
ト電圧ＶG を０Ｖまで絞り、センスＩＧＢＴ10をオフ状
態に制御する。この際、センスＩＧＢＴ10の電流ＩC が
定格電流を越えた付近の領域では、電流ＩC の特性のカ
ーブは従来の特性と比べて緩やかであるので、センスＩ
ＧＢＴ10の電流ＩC の遮断レベルのばらつきを小さく抑
制することができ、センスＩＧＢＴ10の破壊を防止する
ことが可能になる。
【００３７】上記実施の形態に係るセンスＩＧＢＴ10の
過電流保護回路によれば、センスＩＧＢＴ10の電流検出
端子14に接続された電流検出用抵抗15による検出電圧Ｖ
SENSの変化に対する電流ＩC の変化が、センスＩＧＢＴ
10をオフ制御する付近で緩やかになるような特性を持た
せた。これにより、検出電圧ＶSENSのばらつきに対する
電流ＩC のばらつきを抑制でき、過電流の保護レベルの
ばらつきを抑制でき、センスＩＧＢＴ10に対する保護機
能を十分に果たすことが可能になった。
【００３８】なお、図１に示したセンスＩＧＢＴ10の過
電流保護動作の他の例として、電流保護設定値を三段階
以上に設定可能なように制御回路の検出電圧対抵抗値特
性を変更してもよい。この場合、検出電圧ＶSENSがセン
スＩＧＢＴ10の定格電流時の検出電圧より大きい第１の
値を越えると制御回路の抵抗値が第１の特性に沿って徐
々に低下し始め、検出電圧ＶSENSが前記第１の値より大
きい第２の値を越えると、制御回路の抵抗値が前記第１
の特性より緩やかな第２の特性に沿って抵抗値が徐々に
低下し、検出電圧ＶSENSが前記規定電圧になると制御回
路の抵抗値が急激に低下するように設定する。この場合
にも、前述した第１の実施の形態と同様の効果が得られ
る。
【００３９】なお、本発明は、センスＩＧＢＴの過電流
保護回路に限らず、絶縁ゲート形の他の半導体スイッチ
素子の過電流保護回路にも適用可能である。
【００４０】図４は、図１のセンスＩＧＢＴの過電流保
護回路の変形例を示しており、図１中のセンスＩＧＢＴ
10に代えて電流検出端子付きのパワーＭＯＳＦＥＴ40を
用いたものである。
【００４１】なお、図４において、12a はドレイン端
子、13a はソース端子、14a はセンス端子（ソース端
子）であり、その他は図１中と同一符号を付している。
この場合にも、前述した第１の実施の形態と同様の効果
が得られる。
【００４２】
【発明の効果】上述したように本発明の半導体スイッチ
素子の過電流保護回路によれば、検出電圧のばらつきに
対する主電流のばらつきを抑制でき、過電流の保護レベ
ルのばらつきを抑制でき、半導体スイッチ素子に対する
保護機能を十分に果たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るセンスＩＧＢ
Ｔの過電流保護回路の一例を示す等価回路図。
【図２】図１の過電流保護回路におけるセンスＩＧＢＴ
の過電流保護動作の時間的な推移を説明するために示す
波形図。
【図３】図１に示した過電流保護回路における検出電圧
とセンスＩＧＢＴのコレクタ電流との関係を示す特性
図。
【図４】図１のセンスＩＧＢＴの過電流保護回路の変形
例を示す等価回路図。
【図５】センスＩＧＢＴの等価回路を示す回路図。
【図６】センスＩＧＢＴの過電流保護回路の従来例を示
す等価回路図。
【図７】図６の過電流保護回路におけるセンスＩＧＢＴ
の過電流保護動作の時間的な推移を説明するために示す
波形図。
【図８】図６に示した過電流保護回路における検出電圧
と主電流との一般的な関係を示す特性図。
【符号の説明】
10…センスＩＧＢＴ、 20…制御回路（ＮＰＮトランジスタ）、 10a …主電流素子、 10b …検出電流素子、 11…ゲート端子、 12…コレクタ端子、 13…主電流素子10a のエミッタ端子、 14…検出電流素子10b のエミッタ端子（電流検出端子、
センス端子）、 15…電流検出用抵抗、 16…ゲート抵抗、 17…逆バイアス防止用のダイオード、 18…容量素子、 19…ＮＰＮトランジスタ、 20…制御回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０２Ｈ 7/00 Ｈ０２Ｈ 7/00 Ｂ 7/20 7/20 Ｆ Ｈ０３Ｋ 17/56 Ｈ０３Ｋ 17/56 Ｚ Ｆターム(参考） 5G004 AA04 AB02 BA04 CA04 DA02 DA04 DC10 DC13 EA01 5G053 AA01 BA01 BA04 CA02 DA01 EC03 5H410 BB01 BB05 CC02 DD02 EA10 EB01 EB14 FF05 FF23 KK05 LL06 LL15 LL19 5J055 AX15 AX32 AX37 AX56 AX64 AX65 BX16 CX00 DX09 DX22 EY01 EY10 EY12 EY17 EZ66 FX04 FX32 GX01 GX04 GX06

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 主電流が流れる主電流素子および主電流
    に応じて検出電流が流れる検出電流素子を有し、主電流
    素子の電流出力端子と検出電流素子の電流出力端子を有
    するゲート電圧制御形の半導体スイッチ素子と、 前記半導体スイッチ素子の主電流素子の電流出力端子と
    検出電流素子の電流出力端子との間に接続され、検出電
    流素子の電流により生じる電圧降下を検出電圧として生
    成する電流検出用抵抗と、 前記半導体スイッチ素子の定格電流時の検知電圧より大
    きい第１の値を超えると前記半導体スイッチ素子のゲー
    ト電圧を徐々に低下させ、前記定格電流より大きい規定
    電流値に設定されている規定電圧に達した時は前記半導
    体スイッチ素子の電流を完全に遮断させるように前記半
    導体スイッチ素子を制御する制御回路とを具備すること
    を特徴とする半導体スイッチ素子の過電流保護回路。
  2. 【請求項２】 前記制御回路は、前記検出電圧が前記第
    １の値より大きい第２の値を越えると、前記第１の特性
    より緩やかな第２の特性に沿って抵抗値が徐々に低下す
    る検出電圧対抵抗値特性を有することを特徴とする請求
    項１記載の過電流保護回路。
  3. 【請求項３】 前記制御回路は、ＮＰＮトランジスタで
    あることを特徴とする請求項１記載の半導体スイッチ素
    子の過電流保護回路。
  4. 【請求項４】 前記電流検出用抵抗およびＮＰＮトラン
    ジスタは、前記半導体スイッチ素子と同一半導体チップ
    上に形成されており、全体として過電流保護機能付き半
    導体装置を構成してなることを特徴とする請求項３記載
    の半導体スイッチ素子の過電流保護回路。
  5. 【請求項５】 前記ゲート電圧制御形の半導体スイッチ
    素子は、絶縁ゲート形バイポーラトランジスタまたは絶
    縁ゲート形電界効果トランジスタであることを特徴とす
    る請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体スイッ
    チ素子の過電流保護回路。
JP2000017216A 2000-01-26 2000-01-26 半導体スイッチ素子の過電流保護回路 Pending JP2001211059A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108470731A (zh) * 2017-02-23 2018-08-31 丰田自动车株式会社 半导体装置
KR20190048707A (ko) * 2017-10-31 2019-05-09 현대오트론 주식회사 전력 반도체 칩
JP2019080402A (ja) * 2017-10-23 2019-05-23 Ｋｙｂ株式会社 電源制御装置
JPWO2023007569A1 (ja) * 2021-07-27 2023-02-02

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4219567B2 (ja) * 2001-04-03 2009-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置
US7050914B2 (en) * 2004-10-22 2006-05-23 Aimtron Technology Corp. Current sensing circuit
DE102005039867B4 (de) * 2005-08-23 2016-04-07 Power Systems Technologies Gmbh Eingangsschaltung für ein Schaltnetzteil
US7468874B1 (en) 2005-11-08 2008-12-23 Yazaki North America, Inc. Protection circuit for digital power module
JP4776368B2 (ja) 2005-12-20 2011-09-21 矢崎総業株式会社 電力供給回路のオン故障検出装置
DE102008045410B4 (de) * 2007-09-05 2019-07-11 Denso Corporation Halbleitervorrichtung mit IGBT mit eingebauter Diode und Halbleitervorrichtung mit DMOS mit eingebauter Diode
FR2921773B1 (fr) * 2007-10-02 2011-04-22 Thales Sa Circuit de protection pour mosfet
US8345428B2 (en) * 2008-05-13 2013-01-01 Brüel & Kjær Sound & Vibration Measurement A/S Data acquisition module and system
JP5724281B2 (ja) * 2010-10-08 2015-05-27 富士電機株式会社 パワー半導体デバイスの電流検出回路
CN102709884B (zh) * 2012-06-01 2015-01-21 深圳市朗科电器有限公司 一种具有过流保护功能的桥式lc谐振电路
CN103731126B (zh) * 2012-10-15 2016-12-21 中国北车股份有限公司 Igbt转接板
DE102014202611A1 (de) * 2014-02-13 2015-08-13 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung und Verfahren zur Strommessung
US9788369B2 (en) * 2014-07-28 2017-10-10 Silergy Semiconductor Technology (Hangzhou) Ltd LED driver and LED driving method
CN107395176B (zh) * 2017-09-04 2023-10-13 云南电网有限责任公司电力科学研究院 一种用于mos管的限流电路及mos开关装置
CN111371080B (zh) * 2018-12-25 2022-08-30 上海睿驱微电子科技有限公司 一种具有过流限制功能的设备及其构建方法
TWI692175B (zh) * 2019-06-27 2020-04-21 宏碁股份有限公司 電源控制電路與電源控制方法
CN112311023B (zh) * 2019-07-25 2022-10-21 宏碁股份有限公司 电源控制电路与电源控制方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315852A (ja) * 1992-05-12 1993-11-26 Fuji Electric Co Ltd 電流制限回路および電流制限回路用定電圧源
JP2837054B2 (ja) * 1992-09-04 1998-12-14 三菱電機株式会社 絶縁ゲート型半導体装置
JP3084982B2 (ja) * 1992-11-25 2000-09-04 富士電機株式会社 半導体装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108470731A (zh) * 2017-02-23 2018-08-31 丰田自动车株式会社 半导体装置
JP2019080402A (ja) * 2017-10-23 2019-05-23 Ｋｙｂ株式会社 電源制御装置
KR20190048707A (ko) * 2017-10-31 2019-05-09 현대오트론 주식회사 전력 반도체 칩
KR102008277B1 (ko) 2017-10-31 2019-08-07 현대오트론 주식회사 전력 반도체 칩
JPWO2023007569A1 (ja) * 2021-07-27 2023-02-02
WO2023007569A1 (ja) * 2021-07-27 2023-02-02 三菱電機株式会社 スイッチング素子駆動回路
JP7566161B2 (ja) 2021-07-27 2024-10-11 三菱電機株式会社 スイッチング素子駆動回路

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