CN117457592A - 开关元件 - Google Patents

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Abstract

开关装置(1)包括漏极鳍(103)，该漏极鳍(103)隔着规定的共模电流抑制构造(2)布置在半导体芯片(101)的下方。共模电流抑制构造(2)包括进行开关控制时电位保持恒定的导电层(2a)。

Description

开关元件
技术领域
此处公开的技术涉及一种进行开关控制的开关装置和开关模块等开关元件。尤其涉及一种适用于车载电气设备的开关元件。
背景技术
近年来，汽车电动化发展迅猛。搭载在汽车上的电气设备的数量增多，要求电气设备的性能提高。
许多用于供电的电气设备(即所谓的电力电子相关电气设备)包括进行开关控制的电子元件(开关元件)即开关装置和开关模块。上述开关装置和开关模块需要提高开关控制的速度以提高其效率。
然而，如果提高开关控制的速度，则会出现由于电压的周期性变化而产生高次谐波噪声(所谓的共模噪声)的问题。
也就是说，共模电流会流过杂散电容(寄生电容)和接地(地线)这样非预期的电流路径。由于该共模电流而产生共模噪声。共模噪声会成为附近电气设备的误动作、通信干扰等的原因。因此，为了提高开关控制的速度，抑制共模噪声是不可避免的。
为了抑制共模噪声，迄今已有各种技术提案。例如，在专利文献1中公开了一种降低在半桥电路中产生的共模噪声的技术，其中该半桥电路是通过串联连接两个开关元件而构成的。
在半桥电路中，两个开关元件的中点的电压变化较大。因此，在专利文献1的技术中，隔着绝缘层31与中点部分的导电板(中点导电板15)相对的散热板(第二散热板19)与接地端子24绝缘(在引用文献1的说明中，为了方便起见，使用引用文献1的符号)。
这样一来，从中点导电板15发出的共模噪声会减少。
专利文献1：日本公开专利公报特开2018－195694号公报
发明内容
－发明要解决的技术问题－
专利文献1的技术是通过减少或分散形成在中点导电板15和接地端子24之间的杂散电容(寄生电容)来减少共模噪声的。
然而，第二散热板19隔着绝缘件32和与接地端子24相连的一对第一散热板18、18相对。共模电流经由上述相对部位从中点导电板15流出。专利文献1的技术虽然能够减少共模噪声，但仍会产生共模噪声。因此，还有改进的余地。
此处公开的技术旨在提供一种开关装置和开关模块，其能够通过阻断共模电流的流动来最大限度地抑制共模噪声。
－用于解决技术问题的技术方案－
此处公开的技术涉及一种开关元件，其包括半导体芯片和布置在所述半导体芯片下方的散热导体，进行开关控制。
所述开关元件在所述半导体芯片、所述散热导体以及所述半导体芯片与所述散热导体之间设有规定的共模电流抑制构造，共模电流抑制构造包括进行开关控制时电位保持恒定的层。
例如，所述开关元件可以是还包括半导体芯片、正极侧端子、负极侧端子以及切换用端子的开关装置，所述正极侧端子与设在所述半导体芯片的下表面的第一端子部相连，所述负极侧端子与设在所述半导体芯片的上表面的第二端子部相连，所述切换用端子与第三端子部相连，所述第三端子部为了切换所述第一端子部与所述第二端子部之间的电流路径的导通和断开，而设在所述半导体芯片的上表面。
并且，所述共模电流抑制构造具有第一绝缘层、导电层、第二绝缘层以及电极导体，所述第一绝缘层接合在所述散热导体上，所述导电层接合在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层接合在所述导电层上，所述电极导体接合在所述第二绝缘层上且接合在所述第一端子部下，所述导电层与所述第二端子部电气连接。
也就是说，通过该开关装置，半导体芯片与散热导体电气绝缘。由于该构造，会生成一条电流路径，当电压因开关控制间歇性地变化时，共模电流会流过该路径。相对于此，设有共模电流抑制构造作为其绝缘构造，共模电流抑制构造中夹设有与第二端子部电气连接的导电层。
由于第二端子部与负极侧端子相连，因此导电层的电位保持恒定。这样一来，导电层与放热导体之间不产生电位差。电荷不会蓄积在第一绝缘层中。
其结果是，实质上没有共模电流流过，因此能够最大限度地抑制共模噪声。因此，能够提高开关控制的速度。
例如，所述开关元件还可以是构成半桥电路的开关模块，所述半桥电路由串联连接所述半导体芯片的上臂用芯片和下臂用芯片构成。
并且，所述共模电流抑制构造具有第一绝缘层、导电层、第二绝缘层以及电极导体，所述第一绝缘层接合在所述散热片上，所述导电层接合在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层接合在所述导电层上，所述电极导体接合在所述第二绝缘层上且接合在所述下臂用芯片下，所述导电层与保持规定电位的定电位部位电气连接。
也就是说，通过该开关模块，与上述开关装置一样，半导体芯片与散热片(相当于散热导体)电气绝缘。由于该构造，会生成一条电流路径，当电压因开关控制间歇性地变化时，共模电流会流过该路径。相对于此，设有共模电流抑制构造作为其绝缘构造，共模电流抑制构造中夹设有与定电位部位电气连接的导电层。
定电位部位保持规定的电位。因此，导电层的电位保持恒定。这样一来，导电层与散热片之间不产生电位差。电荷不会蓄积在第一绝缘层中。
其结果是，实质上没有共模电流流过，因此能够最大限度地抑制共模噪声。因此，能够提高开关控制的速度。
具体而言，所述定电位部位可以是与所述半桥电路相连的负极侧布线的部位，也可以是与所述半桥电路相连的正极侧布线的部位。
也可以是：当所述开关元件还包括两个电容器，且两个所述电容器串联连接在与所述半桥电路相连的正极侧布线和负极侧布线之间时，所述定电位部位是两个所述电容器之间的部位，所述导电层与该部位电气连接。
在执行开关控制的过程中，所有部位也都保持规定的电位。因此，只要连接到上述部位中的任一个部位，导电层的电位就能够保持恒定。
也可以是：在上述开关装置和开关模块中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为陶瓷。
这样一来，能够向上述绝缘层赋予优异的导热性。能够有效地对半导体芯片进行散热，从而能够抑制温度异常。
也可以是：在上述开关装置和开关模块中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为硅树脂。
这样一来，能够以较低成本容易地得到绝缘性和导热性均优异的第一绝缘层和第二绝缘层。
也可以是：在上述开关装置和开关模块中，所述导电层是通过涂布具有流动性的材料而形成的。
这样一来，能够通过印刷等简单的方法形成导电层。
也可以是：在上述开关装置和开关模块中，所述导电层为金属薄膜。
这样一来，能够通过溅射等方法形成导电层。因为导电层能够做得较薄，所以能够提高导热性。
也可以是：在上述开关装置和开关模块中，所述第一绝缘层、所述导电层以及所述第二绝缘层层叠在一起。
这样一来，能够使用通用印刷线路板同时形成上述层。能够以低成本容易地实现开关装置等。
例如，所述开关元件还可以是还包括正极侧端子、负极侧端子以及切换用端子的开关装置，所述正极侧端子与设在所述半导体芯片的下表面的第一端子部相连，所述负极侧端子与设在所述半导体芯片的上表面的第二端子部相连，所述切换用端子与第三端子部相连，所述第三端子部设在所述半导体芯片的上表面且切换所述第一端子部与所述第二端子部之间的电流路径的导通和断开。并且，所述共模电流抑制构造具有绝缘层和电极导体，所述绝缘层接合在所述散热导体上，所述电极导体接合在所述绝缘层上且接合在所述第一端子部下，所述散热导体与所述第二端子部电气连接。
如后所述，通过上述构造，也能够基于与上述开关装置相同的技术思想来阻断共模电流的流动。因此，该开关装置也能够得到与上述开关装置相同的效果。
－发明的效果－
根据应用了此处公开的技术的开关元件，实质上没有共模电流流过，因此能够最大限度地抑制共模噪声。结果，因为能够提高开关控制的速度，所以能够改善上述性能。
附图说明
图1是示出未改良装置(比较例)的简图；
图2是简化示出搭载了未改良装置的ECU的电路图的图；
图3是示出应用了此处公开的技术的改良装置(实施例)的简图；
图4是简化示出共模电流抑制构造的剖面的图；
图5是简化示出搭载了改良装置的ECU的电路图的图；
图6是示出未改良模块(比较例)的简图(从上方看到的图)；
图7是沿图6中带箭头的线A1－A1剖开的剖视简图；
图8是搭载了未改良模块的逆变器的电路图；
图9是示出改良模块(实施例)的简图；
图10是搭载了改良模块的逆变器的电路图；
图11是用于说明改良模块的变形例(第二改良模块)的图；
图12是用于说明改良模块的变形例(第三改良模块)的图；
图13是用于说明验证试验结果的图(未改良模块)；
图14是用于说明验证试验结果的图(第三改良模块)；
图15是示出改良装置的第二实施方式(第二改良装置)的简图；
图16是简化示出搭载了第二改良装置的第二ECU的电路图的图。
－符号说明－
1－改良装置(开关装置：开关元件)；2－共模电流抑制构造；2a－第一绝缘层；2b－导电层；2c－第二绝缘层；2d－电极导体；3－键合线；5－改良ECU；11－改良模块(开关模块：开关元件)；12－共模电流抑制构造；12a－第一绝缘层；12b－导电层；12c－第二绝缘层；12d－电极导体；13－通孔；15－改良逆变器；20－第二改良模块；30－第三改良模块；31－电容器；50－第二改良装置；51－源极鳍；52－绝缘层；53－电极导体；60－第二改良ECU；100－未改良装置；101－半导体芯片；101a－漏极电极(第一端子部)；101b－源极电极(第二端子部)；101c－栅极电极(第三端子部)；102A－正极侧端子；102B－负极侧端子；102C－切换用端子；103－漏极鳍(散热导体)；104－焊料；105－合成树脂；120－未改良ECU；121－直流电源；122－负载；123H－正极侧布线(中继布线)；123L－负极侧布线(中继布线)；124－平滑电容器；125－控制电路；126－散热板；127－绝缘件；130－未改良模块；131－壳体盖板；132－散热片；133－基板；140－开关元件(半导体芯片)；140U－上臂用芯片；140L－下臂用芯片；140a－集电极(第一端子部)；140b－发射极(第二端子部)；140c－基极(第三端子部)；141－半桥电路；142H－正极侧布线；142L－负极侧布线；142S－输出布线；150－正极侧布线端子部；151－负极侧布线端子部；152－输出布线端子部；153－切换用端子部；170－未改良逆变器；171－高电压电池；172－驱动马达；173－控制电路；174－平滑电容器；C1～C8－虚拟电容器。
具体实施方式
下面，对此处公开的技术进行说明。不过，以下说明仅为本质上的示例而已。此处公开的技术涉及一种进行开关控制的开关装置和开关模块(开关元件)。因此，下面将分别对它们进行说明。
＜开关装置＞
为了易于理解此处公开的技术，将应用此处公开的技术之前的开关装置(未改良装置100)作为比较例进行说明。
(未改良装置)
图1示出未改良装置100。此处，举出功率MOSFET作为未改良装置100的半导体芯片101之例。将较大的电力施加给未改良装置100。然后，进行高速导通和断开的开关控制。因此，未改良装置100工作时发热。
未改良装置100由半导体芯片101、由铜引线框架形成的后述多个端子以及漏极鳍103等构成。漏极鳍103由矩形板状部件构成，为了防止过度升温，兼作散热件用。也就是说，漏极鳍103为散热导体。
半导体芯片101具有漏极电极101a(第一端子部)、源极电极101b(第二端子部)以及栅极电极101c(第三端子部)。需要说明的是，在半导体芯片101为双极晶体管的情况下，漏极电极101a相当于集电极，源极电极101b相当于发射极。栅极电极101c相当于基极。
与电压较高的正极侧相连的漏极电极101a的发热量比与电压较低的负极侧相连的源极电极101b的发热量多。漏极电极101a由半导体芯片101的下表面构成。漏极电极101a通过焊料104接合(软钎焊)到漏极鳍103上。
源极电极101b和栅极电极101c设在半导体芯片101的上表面上。源极电极101b的面积比用于控制的栅极电极101c大。
与上述电极对应的三个端子(正极侧端子102A、负极侧端子102B、切换用端子102C)并列着布置在半导体芯片101的一端侧。源极电极101b通过键合线(bonding wire)110a与负极侧端子102B相连。正极侧端子102A通过键合线110b和漏极鳍103与漏极电极101a相连。
栅极电极101c通过键合线110c与切换用端子102C相连。切换用端子102C是为切换漏极电极101a和源极电极101b之间的电流路径的导通和断开而设置的。
除了各端子的突端部分和漏极鳍103的一部分，未改良装置100的主要部分通过模制(molding)嵌入环氧树脂等绝缘性合成树脂105中而一体化。
图2示出搭载了未改良装置100的ECU(Electronic Control Unit，未改良ECU120)的简化电路图之例。未改良ECU120与规定的直流电源121和负载122相连。负载122例如是直流马达。
未改良ECU120具有一对中继布线(正极侧布线123H和负极侧布线123L)，该一对中继布线分别将直流电源121的正极和负极与负载122连接起来。未改良ECU120还在上述中继布线123H、123L的输入侧具有平滑电容器124。
未改良装置100的正极侧端子102A(漏极电极101a)与连接有负载122的低电位侧的布线相连。未改良装置100的负极侧端子102B(源极电极101b)与负极侧布线123L相连。
未改良ECU120包括进行开关控制的控制电路125。控制电路125与未改良装置100的切换用端子102C相连。未改良ECU120以规定的工作频率(例如100KHz)使未改良装置100导通或断开，且间歇性地将由直流电源121供给的电力供往负载122。
未改良ECU120包括铝制的散热板126。漏极鳍103通过基板、绝缘片等绝缘件127接合到散热板126上。
(杂散电容、共模电流)
在漏极鳍103与散热板126之间形成有能蓄积电荷的构造，即两个电气导体隔着绝缘材料(介电质)相对的构造。这样一来，在该部位就能够产生规定的杂散电容(说明中，为了方便起见，假设在能够产生杂散电容的部位形成虚拟电容器C)。
也就是说，在漏极鳍103与散热板126之间形成有第一虚拟电容器C1。此外，在散热板126与接地之间，能够存在第二虚拟电容器C2。在未改良ECU120安装在车辆上的情况下，散热板126有时与车身的金属部分相连。未改良ECU120的接地端子接地或与直流电源121的负极侧相连。直流电源121的负极侧接地或处于浮动状态。
未改良ECU120工作时，通过开关控制，间歇性地向未改良装置100的正极侧端子102A施加包括高次谐波分量的方波电压。这样一来，如图2中虚线箭头Ic1所示，共模电流经由第一虚拟电容器C1和第二虚拟电容器C2而流动。在散热板126和直流电源121的负极侧接地的情况下，共模电流经由第一虚拟电容器C1而流动。如果直流电源121的负极侧处于浮动状态，则共模电流流过与其对应的虚拟电容器C。
共模电流包括高次谐波分量，且流过电流环路面积较大的路径。因此，共模电流流动时，会辐射出较大的电磁场噪声。这样一来，便会发生位于附近的电子控制系统的误动作、通信干扰等故障。
(改良装置)
图3示出应用了此处公开的技术的开关装置(改良装置1)之例。改良装置1的基本构造与未改良装置100相同。因此，对内容相同的构成标注相同的符号并简化或省略其说明(下同)。
改良装置1由半导体芯片101、利用铜引线框架形成的多个端子(正极侧端子102A、负极侧端子102B、切换用端子102C)以及漏极鳍103等构成。
改良装置1与未改良装置100的不同点在于：在半导体芯片101与漏极鳍103之间夹设有规定的共模电流抑制构造2。
该共模电流抑制构造2具有第一绝缘层2a、导电层2b、第二绝缘层2c以及电极导体2d。第一绝缘层2a由陶瓷烧结材料形成。第一绝缘层2a接合在漏极鳍103上。导电层2b接合在第一绝缘层2a上。导电层2b是通过将银浆料印刷到第一绝缘层2a上而形成的。
需要说明的是，银浆料是具有流动性的材料的一例。只要是具有流动性的材料就能够进行印刷，因此能够以低成本形成。导电层2b可以是通过溅射等工艺形成的金属薄膜。这样一来，能够形成薄且热传导性优异的导电层2b。
第二绝缘层2c也由陶瓷烧结材料形成。第二绝缘层2c接合在导电层2b上。电极导体2d是铜板，接合在第二绝缘层2c上。并且，该电极导体2d的上表面通过软钎焊接合在漏极电极101a的下表面上。
共模电流抑制构造2可以由印刷布线板构成。也就是说，第一绝缘层2a、导电层2b以及第二绝缘层2c层叠起来而形成为板状。并且，在其上印刷具有与布线对应的规定形状的电极导体2d。这样一来，便能够以低成本实现改良装置1。
第一绝缘层2a和第二绝缘层2c的材料可以使用硅树脂。在此情况下，可以将导电层2b形成为铜板等具有刚性的板状，且在其两个表面上层叠硅树脂。这样一来，即使硅树脂具有弹性，也能够稳定地连接键合线。
半导体芯片101不限于功率MOSFET。半导体芯片101可以是双极晶体管、绝缘栅双极型晶体管等。
栅极电极101c通过键合线110c与切换用端子102C相连。源极电极101b通过键合线110a与负极侧端子102B相连。正极侧端子102A通过键合线110b和电极导体2d与漏极电极101a相连。
并且，负极侧端子102B通过键合线3与导电层2b相连。因此，导电层2b与源极电极101b电气连接。
除了各端子的突端部分和漏极鳍103的一部分，改良装置1的主要部分嵌入绝缘性合成树脂105中而一体化。从合成树脂105露出的各端子的突端部分和漏极鳍103的一部分被软钎焊到未图示的公知印刷线路板上。
这样一来，改良装置1就被安装到印刷线路板上。漏极鳍103可以隔着绝缘件127利用螺纹固定到散热板126上。
(共模电流抑制构造2)
图4简化示出共模电流抑制构造2的剖面。在共模电流抑制构造2中，在电极导体2d与导电层2b之间、导电层2b与漏极鳍103之间均形成有能蓄积电荷的构造。
这样一来，便会在电极导体2d与导电层2b之间形成虚拟电容器C(第三虚拟电容器C3)。便会在导电层2b与漏极鳍103之间形成虚拟电容器C(第四虚拟电容器C4)。需要说明的是，在半导体芯片101为通用尺寸的情况下，在上述各个虚拟电容器C3、C4中产生的杂散电容的绝对值为几百至1000pF左右。
图5示出安装了改良装置1的ECU(改良ECU5)之例。改良ECU5的基本构造与图2所示的未改良ECU120相同。
改良ECU5工作时，通过开关控制，间歇性地向改良装置1的正极侧端子102A施加包括高次谐波分量的方波电压。在改良装置1已导通的情况下，会在电极导体2d与导电层2b之间形成第三虚拟电容器C3，因此其杂散电容会通过虚线箭头Ic2所示的环状电流路径而释放。
在改良装置1已断开的情况下，如虚线箭头Ic3所示，直流电源121的电压经由负载122施加给第三虚拟电容器C3进行充电。不管导通还是断开，导电层2b均保持接地电位。
这样一来，不管导通还是断开，在导电层2b与漏极鳍103之间都不会产生电位差。因为电荷不会蓄积在第四虚拟电容器C4中，所以没有电流经由第三虚拟电容器C3和第四虚拟电容器C4而流动。也就是说，其电流值为零。没有共模电流流过。能够防止产生共模噪声。
＜开关模块＞
(未改良模组〉
为了易于理解此处公开的技术，将应用此处公开的技术之前的开关模块(未改良模块130)作为比较例进行说明。
图6、图7示出未改良模块130。图6是从上方观察到的未改良模组130的内部的简图。图7是沿图6中带箭头的线A1－A1剖开的剖视简图。
未改良模块130由后述多个电子元器件、壳体盖板131、散热片132(相当于散热导体)等构成。未改良模块130包括由串联连接的两个开关元件140(半导体芯片、上臂用芯片140U以及下臂用芯片140L)构成的三个半桥电路141。如后所述，上述半桥电路141以并联状态架设在正极侧布线142H与负极侧布线142L之间，构成逆变电路。
此处的开关元件140为绝缘栅双极型晶体管。图中的“C”表示集电极140a(第一端子部)，“E”表示发射极140b(第二端子部)。“B”表示基极140c(第三端子部)。需要说明的是，各开关元件140与续流二极管(图8参照)反并联连接，此处省略图示。
未改良模块130包括具有绝缘性基板133和接合在基板133的下表面上的散热片132。在基板133的上表面，形成有具有与电气布线对应的规定形状的电极导体12d。使用该电极导体12d，设有包括逆变电路的电子电路。
具体而言，如图6所示，电极导体12d具有构成正极侧布线142H(参照图8)的正极侧布线端子部150、构成负极侧布线142L的负极侧布线端子部151、构成与U、V、W各相对应的输出布线142S的三个输出布线端子部152以及构成与各半导体芯片101的基极140c相连的切换用端子102C的六个切换用端子部153。
发射极140b和基极140c设在半导体芯片101的上表面。发射极140b的面积比用于控制的基极140c的面积大。
各上臂用芯片140U分别通过软钎焊接合到正极侧布线端子部150的规定位置。这样一来，各上臂用芯片140U的集电极140a便与正极侧布线142H相连。
各上臂用芯片140U的发射极140b通过键合线160a与同相的各输出布线端子部152相连。这样一来，各上臂用芯片140U的发射极140b便与输出布线142S相连。各上臂用芯片140U的基极140c通过键合线160b与各切换用端子部153相连。
各下臂用芯片140L分别通过软钎焊接合到各相的输出布线端子部152的规定位置。这样一来，各下臂用芯片140L的集电极140a便与各相的输出布线142S相连。
各下臂用芯片140L的发射极140b通过键合线160c与负极侧布线端子部151相连。各下臂用芯片140L的基极140c通过键合线160d与各切换用端子部153相连。各切换用端子部153是为切换集电极140a和发射极140b之间的电流路径的导通和断开而设置的。
在各相的输出布线端子部152(尤其是下臂用芯片140L的集电极140a所处部位)与散热片132之间，形成有能蓄积电荷的构造。输出布线端子部152通过开关控制使电压间歇性地变化。
这样一来，如图7中放大所示，便会形成在该部位能够产生规定的杂散电容的虚拟电容器C(第五虚拟电容器C5)。
图8示出搭载了未改良模块130的车载逆变器(未改良逆变器170)之例。该未改良逆变器170设在用于驱动的高电压电池171与用于行驶的驱动马达172之间。未改良逆变器170包括进行开关控制的控制电路173。未改良逆变器170还包括平滑电容器174。
控制电路173与未改良模块130的各开关元件140的基极140c相连。未改良逆变器170以规定的工作频率(例如10KHz)使各开关元件140导通或断开，且将由高电压电池171供给的直流电转换为由U、V、W构成的三相交流电并供往驱动马达172。
散热片132通过连接到车身的金属部位接地。因此，如上所述，在各相的下臂用芯片140L的输出布线端子部152(集电极140a)与散热片132之间形成有第五虚拟电容器C5。因为高电压电池171处于浮动状态，所以在高电压电池171与接地之间，存在具有规定的杂散电容的虚拟电容器C(第六虚拟电容器C6)。
未改良逆变器170工作时，在各半桥电路141中上臂用芯片140U与下臂用芯片140L之间(中点)，施加包括高次谐波分量的方波高电压。这样一来，如图8中虚线箭头Ic4所示，共模电流经由第五虚拟电容器C5和第六虚拟电容器C6的电流路径而流动。这样一来，就会产生共模噪声。
高电压电池171的额定电压为高电压，例如在40V以上或100V以上。因此，在此情况下，因为电压变化较大，所以共模电流和共模噪声也较大。
(改良模组)
图9示出应用了此处公开的技术的开关模块(改良模块11)之例。图9是与图7对应的图。改良模块11的俯视图与图6相同，因此省略其图示。改良模组11的基本构造与未改良模组130相同。
改良模块11与未改良模块130的不同点在于：在各开关元件140与散热片132之间夹设有规定的共模电流抑制构造12。
该共模电流抑制构造12具有第一绝缘层12a、导电层12b、第二绝缘层12c以及上述电极导体12d。第一绝缘层12a由陶瓷烧结材料形成。第一绝缘层12a接合在散热片132上。导电层12b接合在第一绝缘层12a上。导电层12b通过将银浆料印刷到第一绝缘层12a上而形成。
第二绝缘层12c也由陶瓷烧结材料形成。第二绝缘层12c接合在导电层12b上。电极导体12d是铜板，接合在第二绝缘层12c上。并且，该电极导体12d的上表面通过软钎焊接合到各开关元件140的集电极140a的下表面上。
需要说明的是，改良模块11的开关元件140和共模电流抑制构造12的主要部分等与上述改良装置1的半导体芯片101和共模电流抑制构造2的主要部分相同。因此，这些共同的部分可相互适用。
例如，改良模块11的共模电流抑制构造12能够与上述改良装置1的共模电流抑制构造2一样地形成。也就是说，导电层12b可以是金属薄膜，共模电流抑制构造12可以由印刷布线板构成。第一绝缘层12a和第二绝缘层12c的材料可以采用硅树脂。
在第二绝缘层12c的规定位置，形成有贯穿其两面的通孔13。具体而言，在各相的负极侧布线端子部151的下方位置形成有通孔13。这样一来，导电层12b通过该通孔13与负极侧布线端子部151(及各下臂用芯片140L的发射极140b)电气连接。
需要说明的是，在该改良模块11中，该负极侧布线端子部151(及下臂用芯片140L的发射极140b)相当于“定电位部位”。
这样一来，如图9中放大所示，在各相的负极侧布线端子部151的下侧，形成有能够产生规定的杂散电容的虚拟电容器C(第七虚拟电容器C7和第八虚拟电容器C8)。
具体而言，通过使各相的负极侧布线端子部151与导电层12b隔着第二绝缘层12c相对，而形成在该部位能够产生规定的杂散电容的第七虚拟电容器C7。并且，通过使导电层12b与散热片132隔着第一绝缘层12a相对，而形成在该部位能够产生规定的杂散电容的第八虚拟电容器C8。
图10示出搭载了改良模块11的车载逆变器(改良逆变器15)之例。改良逆变器15的基本构造与图8所示的未改良逆变器170相同。
改良逆变器15工作时，通过开关控制，使构成逆变电路的各开关元件140在规定的时刻导通或断开。由各相的半桥电路141周期性地切换要导通和断开的内容。因此，各相的基本动作也相同。此处，以构成U相的半桥电路141中的下臂用芯片140L为例进行说明。
U相的下臂用芯片140L断开时，U相的上臂用芯片140U导通。因此，如虚线箭头Y所示，高电压电池171的电压施加给与U相对应的第七虚拟电容器C7进行充电。此时，构成第七虚拟电容器C7的导电层12b与高电压电池171的负极侧电气连接。因此，导电层12b与高电压电池171的负极侧电位相同。
U相的下臂用芯片140L导通时，U相的上臂用芯片140U断开。因此，蓄积在U相的第七虚拟电容器C7中的电荷通过经由导电层12b的电流路径而被释放。此时也是导电层12b与高电压电池171的负极侧电位相同。
不管导通还是断开，导电层12b均保持高电压电池171的负极侧的电位。也就是说，由于导电层12b与保持恒定电位的部位(定电位部位)电连接，所以即使进行开关控制，电位也不会变化。
这样一来，不管导通还是断开，在导电层12b与散热片132之间都不会产生电位差。因为电荷不会蓄积在第八虚拟电容器C8中，所以没有电流流过经由第七虚拟电容器C7和第八虚拟电容器C8的电流路径。其电流值为零。
根据改良模块11，即使进行开关控制，也没有共模电流流过。因此，能够防止产生共模噪声。
(改良模块11的变形例)
图11示出改良模块11的变形例(第二改良模块20)。
在上述改良模块11中，负极侧布线142L的部位，具体而言是负极侧布线端子部151(各下臂用芯片140L的发射极140b)被定为“定电位部位”。然而，只要导电层12b所连接的部位在进行开关控制时电位也实质上不变化即可。定电位部位不限于负极侧布线142L的部位。
因此，在第二改良模块20中，导电层12b不是与负极侧布线端子部151相连接，而是与正极侧布线142H的部位即正极侧布线端子部150(各上臂用芯片140U的集电极140a)(参照图11中的第二连接布线20a)相连接。
在此情况下，不管导通还是断开，导电层12b均保持高电压电池171的正极侧的电位。因此，即使进行开关控制，电位也不会变化。
这样一来，不管导通还是断开，在导电层12b与散热片132之间都不会产生电位差。因为电荷不会蓄积在第八虚拟电容器C8中，所以没有电流流过经由第七虚拟电容器C7和第八虚拟电容器C8的电流路径。其电流值为零。
根据第二改良模块20，即使进行开关控制也没有共模电流流过。因此，能够防止产生共模噪声。
图12示出改良模块11的变形例(第三改良模块30)。
搭载了第三改良模块30后的改良逆变器15与上述改良逆变器15不同，在正极侧布线142H与负极侧布线142L之间设有串联连接的两个电容器31、31。上述两个电容器31、31之间的部位保持比高电压电池171的电压低的规定电压值。
因此，在第三改良模块30中，导电层12b连接在两个所述电容器31、31之间的部位(参照图12的第三连接布线30a)。
在此情况下，不管导通还是断开，导电层12b均保持比高电压电池171的电压低的规定电位。因此，即使进行开关控制，电位也不会变化。
这样一来，不管导通还是断开，在导电层12b与散热片132之间都不会产生电位差。因为电荷不会蓄积在第八虚拟电容器C8中，所以没有电流流过经由第七虚拟电容器C7和第八虚拟电容器C8的电流路径。其电流值为零。
根据第三改良模块30，即使进行开关控制，也没有共模电流流过。因此，能够防止产生共模噪声。
＜与共模电流抑制构造相关的验证试验结果＞
进行了验证共模电流抑制构造的效果的试验。其结果示于图13和图14。
图13示出上述未改良逆变器170的试验结果。图14示出搭载了上述第三改良模块30后的改良逆变器15的试验结果。
各图中上部的曲线图示出从输出布线142S输出的电压波形和与其对应的共模电流波形(实测值)。各图中下部的曲线图是该共模电流的频谱的观测图。
如图13所示，在未改良模块130中，共模电流与输出布线142S的电压变化对应地周期性流动。并且，与该共模电流对应，观察到高达100MHz以上的高频共模噪声。
相对于此，如图14所示，在第三改良模块30中，共模电流和共模噪声降低到观测不出来的水平。
＜改良装置的第二实施方式＞
图15示出改良装置1的第二实施方式(第二改良装置50)。第二改良装置50的共模电流抑制构造与上述改良装置1不同。
基本部件等与上述改良装置1相同。因此，如前所述，对相同构成的部件标注相同的符号并省略或简化其说明，对不同的构成进行具体说明。
第二改良装置50由半导体芯片101、利用铜引线框架形成的多个端子以及源极鳍51等构成。源极鳍51由矩形板状部件构成，兼作散热件用。也就是说，源极鳍51相当于改良装置1的漏极鳍103(散热导体)。
第二改良装置50的共模电流抑制构造具有绝缘层52和电极导体53。绝缘层52由陶瓷烧结材料形成。绝缘层52接合在源极鳍51上。电极导体53接合在绝缘层52上。并且，该电极导体53的上表面通过软钎焊接合到漏极电极101a的下表面上。
栅极电极101c通过键合线54a与切换用端子102C相连。正极侧端子102A通过键合线54b和电极导体53与漏极电极101a相连。负极侧端子102B通过键合线54c与源极鳍51相连。
并且，源极鳍51通过键合线54d与源极电极101b相连。
图16示出搭载了第二改良装置50后的第二改良ECU60之例。第二改良ECU60的基本构造与上述改良ECU5相同。源极鳍51也可以软钎焊到印刷线路板上，但此处是隔着绝缘片61利用螺纹固定到散热板126上。
源极鳍51和负极侧端子102B一起与负极侧布线123L相连。因此，源极鳍51的电位与直流电源121的负极侧的电位相同。即使通过进行开关控制让第二改良装置50导通或断开，也不会在源极鳍51与散热板126之间产生电位差。因此，没有共模电流流过。能够防止产生共模噪声。
需要说明的是，此处公开的技术不限于上述实施方式，也包括除此之外的各种构成。例如，半导体芯片101能够采用MOSFET、双极晶体管、绝缘栅双极型晶体管、GaN等公知的半导体芯片。
共模电流抑制构造也为一例。各层的布置方式和形状等能够根据规格进行变更。
应用了此处公开的技术的开关装置和开关模块对车载电气设备适用，但也可应用于其他电气设备。

Claims (17)

1.一种开关元件，其包括半导体芯片和布置在所述半导体芯片下方的散热导体，进行开关控制，其特征在于：
在所述半导体芯片、所述散热导体以及所述半导体芯片与所述散热导体之间设有规定的共模电流抑制构造，
所述共模电流抑制构造包括进行开关控制时电位保持恒定的层。
2.根据权利要求1所述的开关元件，其特征在于：
所述开关元件是还包括正极侧端子、负极侧端子以及切换用端子的开关装置，
所述正极侧端子与设在所述半导体芯片的下表面的第一端子部相连，
所述负极侧端子与设在所述半导体芯片的上表面的第二端子部相连，
所述切换用端子与为了切换所述第一端子部与所述第二端子部之间的电流路径的导通和断开而设在所述半导体芯片的上表面的第三端子部相连，
所述共模电流抑制构造具有第一绝缘层、导电层、第二绝缘层以及电极导体，
所述第一绝缘层接合在所述散热导体上，
所述导电层接合在所述第一绝缘层上，
所述第二绝缘层接合在所述导电层上，
所述电极导体接合在所述第二绝缘层上且接合在所述第一端子部下，
所述导电层与所述第二端子部电气连接。
3.根据权利要求2所述的开关元件，其特征在于：
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为陶瓷。
4.根据权利要求2所述的开关元件，其特征在于：
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为硅树脂。
5.根据权利要求2所述的开关元件，其特征在于：
所述导电层是通过涂布具有流动性的材料而形成的。
6.根据权利要求2所述的开关元件，其特征在于：
所述导电层为金属薄膜。
7.根据权利要求2所述的开关元件，其特征在于：
所述第一绝缘层、所述导电层以及所述第二绝缘层层叠在一起。
8.根据权利要求1所述的开关元件，其特征在于：
所述开关元件是构成半桥电路的开关模块，所述半桥电路由串联连接有所述半导体芯片的上臂用芯片和下臂用芯片构成，
所述共模电流抑制构造具有第一绝缘层、导电层、第二绝缘层以及电极导体，
所述第一绝缘层接合在所述散热片上，
所述导电层接合在所述第一绝缘层上，
所述第二绝缘层接合在所述导电层上，
所述电极导体接合在所述第二绝缘层上且接合在所述下臂用芯片下，
所述导电层与保持规定电位的定电位部位电气连接。
9.根据权利要求8所述的开关元件，其特征在于：
所述定电位部位为与所述半桥电路相连的负极侧布线的部位。
10.根据权利要求8所述的开关元件，其特征在于：
所述定电位部位为与所述半桥电路相连的正极侧布线的部位。
11.根据权利要求8所述的开关元件，其特征在于：
所述开关元件还包括两个电容器，两个所述电容器串联连接在连接有所述半桥电路的正极侧布线和负极侧布线之间，
所述定电位部位为两个所述电容器之间的部位。
12.根据权利要求8所述的开关元件，其特征在于：
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为陶瓷。
13.根据权利要求8所述的开关元件，其特征在于：
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为硅树脂。
14.根据权利要求8所述的开关元件，其特征在于：
所述导电层是通过涂布具有流动性的材料而形成的。
15.根据权利要求8所述的开关元件，其特征在于：
所述导电层为金属薄膜。
16.根据权利要求8所述的开关元件，其特征在于：
所述第一绝缘层、所述导电层以及所述第二绝缘层层叠在一起。
17.根据权利要求1所述的开关元件，其特征在于：
所述开关元件是还包括正极侧端子、负极侧端子以及切换用端子的开关装置，
所述正极侧端子与设在所述半导体芯片的下表面的第一端子部相连，
所述负极侧端子与设在所述半导体芯片的上表面的第二端子部相连，
所述切换用端子与第三端子部相连，所述第三端子部设在所述半导体芯片的上表面且切换所述第一端子部与所述第二端子部之间的电流路径的导通和断开，
所述共模电流抑制构造具有绝缘层和电极导体，
所述绝缘层接合在所述散热导体上，
所述电极导体接合在所述绝缘层上且接合在所述第一端子部下，
所述散热导体与所述第二端子部电气连接。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024048494A (ja) * 2022-09-28 2024-04-09 マツダ株式会社 スイッチングモジュールおよびインバータ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3858834B2 (ja) * 2003-02-24 2006-12-20 オンキヨー株式会社 半導体素子の放熱器
JP5798412B2 (ja) * 2011-08-25 2015-10-21 日産自動車株式会社 半導体モジュール
JP5565436B2 (ja) * 2012-06-27 2014-08-06 株式会社デンソー 昇圧装置
JP6447391B2 (ja) * 2015-06-30 2019-01-09 オムロン株式会社 電力変換装置
JP2018195694A (ja) 2017-05-17 2018-12-06 株式会社Ｓｏｋｅｎ 電力変換器
CN113098471B (zh) * 2021-03-31 2022-04-05 无锡英诺赛思科技有限公司 超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路
JP2024015807A (ja) * 2022-07-25 2024-02-06 マツダ株式会社 インバータ

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