CN108075025B - 发光器件封装件 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种发光器件封装件，包括封装件主体，其包括在其上部的安装区；引线框架，其在所述封装主体的下面；半导体发光器件，其在所述安装区中并且电连接到所述引线框架；顶层，其附接到所述半导体发光器件的顶表面，所述顶层包括红色荧光体；以及模塑层，其在所述安装区中，所述模塑层覆盖所述顶层并且包括短波长荧光体，所述短波长荧光体的峰值发射波长比所述红色荧光体的峰值发射波长短，其中所述顶层暴露所述半导体发光器件的侧表面，并且所述模塑层与所述半导体发光器件的侧表面接触。

Description

发光器件封装件
相关申请的交叉引用
2016年11月11日在韩国知识产权局提交的标题为“发光器件封装件(Light-Emitting Device Package)”的韩国专利申请NO.10-2013-0150559的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
实施例涉及发光器件封装件。
背景技术
例如发光二极管(LED)的半导体发光器件可以包括被构造为利用电子和空穴的复合来发光的半导体层。LED器件可以用于各种应用(例如，照明、显示装置和光源)并且被越来越多地开发。
发明内容
可以通过提供一种发光器件(LED)封装件来实现实施例，所述发光器件封装件包括：封装主体，其包括在其上部的安装区；封装主体下的引线框架；半导体发光器件，其在安装区中并且电连接至引线框架；顶层，其附接至半导体发光器件的顶表面，顶层包括红色荧光体；以及模塑层，其在安装区中，模塑层覆盖顶层并且包括短波长荧光体，短波长荧光体的峰值发射波长比红色荧光体的峰值发射波长短，其中顶层暴露半导体发光器件的侧表面，并且模塑层与半导体发光器件的侧表面接触。
可以通过提供一种发光器件(LED)封装件来实现实施例，所述发光器件封装件包括：封装主体，其包括在其上部的安装区；封装主体下的引线框架；半导体发光器件，其在安装区中并且电连接至引线框架；顶层，其附接至半导体发光器件的顶表面，顶层包括红色荧光体；以及模塑层，其在安装区中，模塑层覆盖顶层并且包括短波长荧光体，短波长荧光体的峰值波长比红色荧光体的峰值波长短，其中安装区包括反射区和延伸区，反射区从封装主体的顶表面延伸到封装主体的中心部分，延伸区从反射区延伸到半导体发光器件的侧表面，并且其中顶层与延伸区间隔开。
可以通过提供一种发光器件(LED)封装件来实现实施例，所述发光器件封装件包括：封装主体，其包括在其一侧的安装区；引线框架，其在封装主体的与安装区相对的一侧上；半导体发光器件，其在安装区中，并且电连接至引线框架；顶层，其在半导体发光器件的顶表面上，顶层包括红色荧光体；以及模塑层，其在安装区中，并且覆盖顶层，模塑层包括短波长荧光体，短波长荧光体的峰值波长比红色荧光体的峰值波长短，其中模塑层与半导体发光器件的侧表面接触。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将是清楚的，其中：
图1示出了根据一些实施例的发光器件封装件的平面图。
图2示出了沿图1的线I-I'截取的截面图。
图3示出了图2的部分A的放大图。
图4示出了半导体发光器件的示例的透视图。
图5A至图5B示出了根据一些实施例的顶层的示例的平面图。
图6和图7示出了根据一些实施例的模塑层中绿色荧光体的布置的示例的截面图。
图8示出了根据一些实施例的半导体发光器件封装件的安装区的放大图。
图9示出了根据一些实施例的半导体发光器件封装件的截面图。
图10至图13示出了图9的部分B的放大图。
具体实施方式
图1示出了根据一些实施例的发光器件封装件的平面图。图2示出了沿图1的线I-I'截取的截面图。图3示出了图2的部分A的放大图。图4示出了半导体发光器件的示例的透视图。
参考图1到图4，发光器件封装件可以包括封装主体100、提供在封装主体中的引线框架121以及连接至引线框架121的半导体发光器件140。
封装主体100可以包括在其上部提供的安装区RS(例如，在发光方向的朝向其外侧的区)。安装区RS可以是由封装主体100的顶(例如，外部)表面100a限定的凹陷结构。安装区RS的底部可以部分地暴露引线框架121的顶(例如，外部)表面。安装区RS可以从封装主体100的顶表面100a延伸至半导体发光器件140的侧表面。例如，安装区RS可以包括反射区SP，反射区SP可以连接至封装主体100的顶表面100a、延续封装主体100的顶表面100a或邻近于封装主体100的顶表面100a。例如，安装区RS可以包括延伸区EP，延伸区EP可以从反射区SP延伸至半导体发光器件140的侧表面。
反射区SP可以具有倾斜表面，其可以将半导体发光器件140中产生的光朝着半导体发光器件封装件的顶(例如，外部)表面反射。反射区SP的倾斜表面可以相对于封装主体100的顶表面100a(或底表面)倾斜倾角θ。可以考虑半导体发光器件140的宽度和安装区RS的宽度来确定或选择倾角θ。在实施方案中，当倾角θ为大约20°到40°时，半导体发光器件封装件可以具有最高的光通量。
延伸区EP可以覆盖引线框架121的顶表面(例如，至少一部分)，例如，反射区SP和半导体发光器件140之间的引线框架121的顶表面的部分。延伸区EP可以具有阶梯结构或台阶结构ST。例如，延伸区EP可以包括连接到或邻近于反射区SP的第一部分P1，以及从第一部分P1延伸并且插入半导体发光器件140和引线框架121之间的第二部分P2。第一部分P1(例如，在延伸远离引线框架121的方向上)可以比第二部分P2厚。在实施方案中，第一部分P1可以具有圆形或环形形状，或者可以具有取决于安装区RS的形状的不同形状。可以考虑半导体发光器件140的形状确定第二部分P2的平面形状。在实施方案中，第二部分P2的平面形状可以是沿着半导体发光器件140的外侧边缘的圆周或周长延伸的方形环形形状。第一部分P1的顶表面可以基本平行于引线框架121的顶表面。在实施方案中，第一部分P1可以不基本平行于引线框架121，并且可以相对于引线框架121的顶表面以比倾角θ小的角度倾斜。
半导体发光器件140可以安装在由第一部分P1和第二部分P2的阶梯结构ST限定的区上。例如，半导体发光器件140可以插入由第一部分P1的侧表面和第二部分的顶表面限定的区中。可以以这样的方式来提供半导体发光器件140：使半导体发光器件140的底(例如，向内的)表面(例如，底表面的圆周部分)接触第二部分P2的顶表面。在实施方案中，第一部分P1的侧表面可以接触半导体发光器件140的侧表面，或者第一部分P1的侧表面的至少一部分可以与半导体发光器件140的侧表面间隔开。延伸区EP可以覆盖半导体发光器件140和反射区SP之间的引线框架121的顶表面，并且可以有助于防止光通量被引线框架121降低。另外，延伸区EP可以限定在其上安装半导体发光器件140的区，并且可以以更规则或均匀的方式将半导体发光器件140布置在引线框架121上。
引线框架121可以位于封装主体100下面(例如，相对于发光方向)。引线框架121的顶表面可以被封装主体100的安装区RS部分地暴露，并且焊料凸块126可以提供在引线框架121的暴露的顶表面上。焊料凸块126可以提供到半导体发光器件140的电连接路径。引线框架121的形状可以取决于发光器件封装件的种类或形状而不同地改变。引线框架121可以由例如铜、铝、铁或其组合形成或者引线框架121可以包括例如铜、铝、铁或其组合。
半导体发光器件140可以提供在由安装区RS暴露出的引线框架121的部分上。在实施方案中，半导体发光器件140可以通过焊料凸块126电连接到引线框架121。例如，半导体发光器件140可以以倒装芯片的方式安装在引线框架121上。下面将参照图4更详细地描述半导体发光器件140。
参考图4，根据实施例的半导体发光器件140可以包括第一导电类型的第一半导体层141、第二导电类型的第二半导体层145和它们之间的有源层143。在实施方案中，半导体发光器件140可以发射蓝光，并且发光器件封装件可以通过使用如下所述的红色荧光体和绿色荧光体发射白光。第一半导体层141可以是是掺杂有p型掺杂物(例如，Zn、Be、Mg、Ca或Ba)的GaN层。第二半导体层145可以是掺杂有n型掺杂物(例如，Si)的GaN层。有源层143可以包括具有多量子阱(MQW)结构(例如，其中量子阱层和量子势垒层彼此交替地堆叠)的材料。例如，有源层143可以包括彼此交替堆叠的GaN和InGaN层。
可以在第二半导体层145上提供支撑衬底148。支撑衬底148可以由例如蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2或GaN形成或者包括例如蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2或GaN。在支撑衬底148由例如蓝宝石的异质材料形成的情况下，可以在支撑衬底148和第二半导体层145之间提供缓冲层，以帮助降低由支撑衬底148和第二半导体层145之间晶格常数的差异引起技术问题的可能性。在实施方案中，缓冲层可以是例如低温GaN层。
第一电极127可以提供在第一半导体层141的底表面(例如，半导体发光器件朝向引线框架的表面)上。可以通过蚀刻工艺部分地蚀刻第一半导体层141和有源层143，作为结果，可以暴露第二半导体层145的底表面的一部分。第二电极128可以提供在第二半导体层145的暴露的底表面上。在实施方案中，可以在第一电极127和第一半导体层141之间以及第二电极128和第二半导体层145之间提供欧姆接触层。第一电极127和第二电极128可以反射有源层143中产生的光。在实施方案中，可以在第一电极127和第一半导体层141之间提供附加反射层。附加反射层可以由例如Ag、Al或Pt形成或包括例如Ag、Al或Pt。
参考图1到图3，顶层151可以提供在半导体发光器件140的顶表面上。顶层151可以包括红色荧光体。在实施方案中，红色荧光体的峰值或中心发射波长可以是580nm到660nm。在实施方案中，红色荧光体可以包括例如α-SiAlON荧光体、CASN(CaAlSiN3:Eu2+)荧光体、SCASN((Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+荧光体、(Ca，Sr，Ba，Mg)2Si5N8:Eu2+荧光体、KSF(K2SiF6:Mn4+)荧光体、(Ca，Mg，Sr)Al12O19:Mn2+荧光体或SrxMgySizN2(x+y+2z)3:Euw荧光体(其中，0.5≤x＜2、2.5≤y≤3.5，1≤z≤2并且0＜w≤0.2)。基于发光器件封装件中的荧光体的总重量，可以按照例如约0.1wt％到约90wt％的量来提供红色荧光体。顶层151可以包括例如用作无机分散剂的SiO2、TiO2或Si颗粒。在实施方案中，基于顶层151中模塑硅的重量，SiO2、TiO2或Si颗粒可以以0wt％到300wt％的量包括在顶层151中。
红色荧光体可以提供在硅树脂聚合物中或例如玻璃的陶瓷材料中。在实施方案中，顶层151可以形成膜结构或板结构，然后可以分成多个芯片尺寸的片，并且顶层151中的每一片可以附接到半导体发光器件140的顶表面。在实施方案中，可以使用例如硅树脂粘合剂或环氧树脂层将顶层151附接到半导体发光器件140的顶表面。可以在在安装区RS中提供半导体发光器件140之后执行顶层151的附接。
顶层151可以具有与半导体发光器件140的顶表面的形状相对应(例如，与之相同)的形状。顶层151可以暴露半导体发光器件140的侧表面。例如，顶层151可以不延伸到半导体发光器件140的侧表面上。顶层151的最下表面(例如，面向引线框架的表面)所位于的水平可以(例如，基于与引线框架121的距离)等于或高于半导体发光器件140的最上表面。根据工艺条件，顶层151的一部分可以部分地覆盖支撑衬底148的上侧表面，但即使在这种情况下，顶层151可以不覆盖第一半导体层141和第二半导体层145的侧表面以及有源层143的侧表面。半导体发光器件140的侧表面可以被下面所描述的模塑层覆盖。
顶层151的(例如，在远离引线框架121延伸的方向上的)厚度可以例如是半导体发光器件140的总厚度的约5％到20％。在实施方案中，顶层151的厚度可以是例如约30μm到约400μm。
可以考虑顶层151下面的半导体发光器件140的顶表面的面积来控制或选择顶层151的面积。在实施方案中，顶层151的面积可以减小(例如，可以相对较小)，以有助于提高顶层151和半导体发光器件140之间的粘合特性和/或发光器件封装件的光通量特性。在实施方案中，顶层151的面积可以增加(例如，可以相对较大)，以有利于形成顶层151并有助于提高发光器件封装件的可靠性。在实施方案中，通过控制顶层151的面积，可以获得期望的色温并增加光通量。为了实现具有高光通量和低色温(例如，暖白)特性的发光器件封装件，可以增加顶层151的面积。为了实现具有高光通量和高色温(例如，冷白)特性的发光器件封装件，可以减小顶层151的面积。顶层151的面积可以例如是半导体发光器件140的顶表面的面积的约70％到200％。在实施方案中，如果在1500K的色温下期望3000K的发光器件封装件，则顶层151的面积可以是半导体发光器件140的顶表面的面积的约100％到200％(例如，110％到150％)。在实施方案中，如果在3000K的色温下期望6000K的发光器件封装件，则顶层151的面积可以是半导体发光器件140的顶表面的面积的约70％到100％(例如，80％到100％)。在实施方案中，考虑到蚀刻处理中的处理余量，顶层151的侧表面可以与半导体发光器件140的侧表面对准，或者顶层151的侧表面可以以大约800μm或更小的距离与半导体发光器件140的侧表面间隔开(例如，可以延伸超过)。在实施方案中，顶层151的侧表面可以具有从半导体发光器件140的侧表面水平突出(例如，超过)的形状，或者可以暴露半导体发光器件140的顶表面的一部分。
图5A至图5B示出了根据一些实施例的顶层151的平面图的示例。在实施方案中，如图4中所示，顶层151可以不包括其中的开口。在实施方案中，如图5A至图5B所示，顶层151可以包括贯穿其中的开口153。例如，开口153可以暴露半导体发光器件140的顶表面140u，并且半导体发光器件140的暴露的顶表面140u可以与下面描述的模塑层161(例如，通过开口)接触。在实施方案中，如图5A和图5B所示，顶层151的开口153可以沿着彼此正交的第一方向和第二方向以规则的方式布置。在实施方案中，开口153之间的空间可以是例如约1μm到约50μm。在实施方案中，开口153的直径可以是例如约5μm到约15μm。开口153可以填充有下面描述的模塑层161。
返回参考图1到图3，模塑层161可以提供在顶层151上，以填充安装区RS。模塑层161可以包括短波长荧光体。短波长荧光体的峰值发射波长可以比顶层151的红色荧光体的峰值发射波长短。在实施方案中，短波长荧光体可以具有例如510nm到560nm的峰值发射波长。在实施方案中，短波长荧光体可以是绿色荧光体。
在实施方案中，绿色荧光体可以包括：具有以下公式的LuAG荧光体：(Lu、Y、Ga、La、Pr、Gd或者Tb)3-XAl5-yO12-z:Ce3+ W(其中，0＜x≤2、0＜y≤1.5、0＜z≤3并且0.0001≤W＜1)；具有以下公式的YAG荧光体：(Y、Lu、Ga、La、Pr、Gd或者Tb)3-xAlyOz(其中，0＜x≤3、0≤y≤6并且0小于z≤12)；石榴石结构荧光体；具有以下公式的硅酸盐荧光体：例如，(Sr、Mg、Ba或者Ca)xSiyOz:Eu2+(其中，0＜x≤3、0≤y≤7并且1≤z≤12)；具有以下公式的荧光体：(Ca、Mg或者Sr)xAlyOz:Eu2+(其中，0＜x≤5、2≤y≤12.5并且0＜z≤19)；或者La3Si6N11:Ce3+荧光体。在实施方案中，绿色荧光体可以包括具有以下公式的荧光体：(Ba、Ca、Mg、Sr、La、Lu或者Ga)x(Al、Si或者Ge)yOz:Eu2+ a,Mn2+ b(其中，0＜x≤2、0＜y≤12.5、0＜z≤19.5、0≤a≤0.5并且0≤b≤1.0)。
模塑层161的折射率可以基本上等于或高于顶层151的折射率。在实施方案中，模塑层161的折射率可以比顶层151的折射率高例如约0.1％到5％。在实施方案中，模塑层161可以包括例如苯基硅树脂，并且顶层151可以包括例如甲基硅树脂。在实施方案中，模塑层161和顶层151可以具有基本相同的折射率。
可以通过将至少一种绿色荧光体与硅树脂聚合物混合并将混合物分配到安装区RS中的处理来在安装区RS中形成模塑层161。模塑层161可以与半导体发光器件140的侧表面接触。在实施方案中，模塑层161可以覆盖顶层151的侧表面和顶表面。由于模塑层161的上述结构，可以防止从模塑层161的绿色荧光体所发射的光入射到顶层151中并防止激发红色荧光体。例如，红色荧光体可以与绿色荧光体在空间上分离，具有红色荧光体的顶层151可以局部地或选择性地提供在半导体发光器件140的顶表面上，可以防止绿色荧光体所发射的光激发红色荧光体，从而实现提高的光通量特性和均匀的颜色质量。
例如，根据一些实施例，可以提高发光器件封装件的颜色一致性特性(例如，以减少由角度变化引起的颜色变化)。
提供以下示例和比较示例来突显出一个或多个实施例的特征，但是应当理解，示例和比较示例不构成对实施例的范围的限制，比较示例也不构成在实施例的范围之外。此外，应当理解，实施例不限于示例和比较示例中描述的具体细节。
在下面的表1中，比较示例1示出了从通过在半导体发光器件上顺序地分配含红色荧光体的硅树脂和含绿色荧光体的硅树脂而制造的发光器件封装件获得的值。比较示例2示出了从通过在半导体发光器件上顺序地分配含绿色荧光体的硅树脂和含红色荧光体的硅树脂而制造的发光器件封装件获得的值。在示例中，从通过将含红色荧光体的顶层附接到半导体发光器件的顶表面的一部分而在其上形成含绿色荧光体的模塑层而制造的发光器件封装件获得值，如上所述。表1中的每个值是从多个发光器件封装件获得的测量值的平均值。
[表1]
Figure BDA0001461272190000091
如表1所示，对于根据示例的发光器件封装件，CCT和IV特性保持在与比较示例的CCT和IV特性相似的水平，但与比较示例相比，COA特性得到提高。例如，即使当相对于垂直于发光器件封装件的顶表面的虚轴的角度发生变化时，从根据示例的发光器件封装件发出的光的颜色变化也可以减少。
图6和图7示出了根据一些实施例在模塑层161中提供的绿色荧光体GP的布置的示例的截面图。在实施方案中，如图6中所示，可以在模塑层161的下部或以沉积形式提供绿色荧光体GP。例如，绿色荧光体GP在模塑层161的下部(例如，在引线框架121的附近)的浓度可以比在模塑层161的上部(例如，在引线框架121的远端)高。在实施方案中，如图7中所示，绿色荧光体GP可以以基本均匀的方式分布在模塑层161中。
图8示出了根据一些实施例的半导体发光器件封装件的安装区RS的放大图。在本实施例中，延伸区EP可以包括连接到反射区SP的第一部分P1；从第一部分P1延伸并且具有插入在半导体发光器件140和引线框架121之间的部分的第二部分P2；以及从第二部分P2延伸到反射区SP的第三部分P3。第一部分P1可以比第二部分P2和第三部分P3厚。第三部分P3可以以沟槽的形式提供并且可以将第二部分P2连接到反射区SP。例如，第二部分P2和第三部分P3可以具有基本相同的厚度。在实施方案中，可以提供多个第三部分P3。作为示例，一对第三部分P3可以彼此间隔开，使半导体发光器件140插入其间。在实施方案中，如图1中所示，在半导体发光器件封装件中可以省略第三部分P3。
图9示出了根据一些实施例的半导体发光器件封装件的截面图。图10至图13示出了图9的部分B的放大图。为了简洁描述，可以通过相似或相同的附图标记来识别先前描述的元件，而不重复其重叠的描述。
参考图9至图13，半导体发光器件封装件可以包括在模塑层161上的抗反射层191。抗反射层191的折射率可以小于模塑层161的折射率。在这种情况下，可以减少由模塑层161的顶表面在半导体发光器件140中产生的光反射，从而提高半导体发光器件封装件的光提取效率。抗反射层191可以提供在安装区RS的上部。
在实施方案中，参考图10，抗反射层191可以是其中提供空隙193的无机层结构。空隙193可以是空的空间，其中不提供固体材料，或者可以处于真空状态或者是填充有空气或气体的结构。无机层可以包括例如SiOx、MgFx、SiCx、TiOx、HfOx、TaxOy或SiN，其中x和y是整数。在实施方案中，空隙193的形成可以包括在沉积无机层期间在无机层中提供挥发性牺牲颗粒，并且使用例如挥发法去除牺牲颗粒。
在实施方案中，参考图11，抗反射层191可以是通过烧结具有例如约1nm到约1μm尺寸的无机胶体颗粒194形成的结构。在实施方案中，无机胶体颗粒194可以包括例如SiOx、MgFx、SiCx、TiOx、HfOx、TaxOy或SiN，其中x和y是整数。在实施方案中，抗反射层191的形成可以包括沉积其中包括有无机胶体颗粒194的挥发性溶剂并在其上执行热处理的。
在实施方案中，参考图12，抗反射层191可以包括有机层196和分散在有机层196中的无机胶体颗粒197。在实施方案中，无机胶体颗粒197可以包括例如SiOx、MgFx、SiCx、TiOx、HfOx、TaxOy或SiN，其中x和y是整数。有机层196可以包括例如苯基硅树脂或甲基硅树脂。在实施方案中，无机胶体颗粒197可以均匀地分散在有机层196中，如图12中所示，或者可以以无机胶体颗粒197的浓度在有机层196的下部比其他地方高的方式提供无机胶体颗粒197。
在实施方案中，参考图13，抗反射层191可以是第一无机层199和第二无机层198彼此交替且重复堆叠的结构。在实施方案中，第一无机层199可以包括例如SiOx、MgFx、SiCx、TiOx、HfOx、TaxOy或SiN，其中x和y是整数。在实施方案中，第二无机层198可以包括例如SiOx、MgFx、SiCx、TiOx、HfOx、TaxOy或SiN，其中x和y是整数。
在实施方案中，与在图10到图13中示出的不同，抗反射层191可以包括其中不包括空隙或颗粒的单个无机或有机层。
通过总结和回顾，氮化镓(GaN)发光二极管可以用于蜂窝电话的键盘、转向信号灯、相机闪光灯等的商业化，并且用于使用发光二极管的照明系统的开发。对使用发光二极管的产品的需求已经从小型便携式产品转变为大型、高功率和高效率的产品(例如，大尺寸电视的背光单元、车头灯、通用照明等)，因此，适合于大尺寸、大功率和高效率产品的光源可能是期望的。
由于半导体发光器件用于各种应用，方法可以提高半导体发光器件封装件的光学效率和可靠性。
根据一些实施例，可以提供被构造为具有提高的光通量特性和均匀颜色质量的发光器件封装件。
实施例可以提供具有增加的光提取效率和提高的颜色恒定性的发光器件封装件。
本文已经公开了示例性实施例，并且尽管采用了特定术语，但是它们被使用并且仅在通用和描述性意义上被解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如本申请的提交中对本领域普通技术人员所显而易见的，除非另有具体说明，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或其他实施例描述的特征、特性和/或元件结合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以对形式和细节进行各种改变。

Claims (22)

1.发光器件封装件，包括：
封装主体，包括其上部的安装区；
引线框架，其在所述封装主体的下面；
半导体发光器件，其在所述安装区中并且通过位于所述半导体发光器件与所述引线框架之间的焊料凸块电连接到所述引线框架；
顶层，其附接到所述半导体发光器件的顶表面，所述顶层包括红色荧光体；以及
模塑层，其在所述安装区中，所述模塑层覆盖所述顶层并且包括短波长荧光体，所述短波长荧光体的峰值发射波长比所述红色荧光体的峰值发射波长短，
其中：
所述顶层暴露所述半导体发光器件的侧表面，并且
所述模塑层与所述半导体发光器件的侧表面接触，
其中，所述安装区包括：
反射区，其从所述封装主体的顶表面延伸到所述封装主体的中心部分；以及
延伸区，其从所述反射区延伸到所述半导体发光器件的侧表面，
其中，所述延伸区具有阶梯结构，所述阶梯结构包括：
第一部分，其连接到所述反射区；以及
第二部分，其从所述第一部分延伸并且插入所述半导体发光器件和所述引线框架之间，并且与所述焊料凸块间隔开，并且
其中，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述顶层的最下表面所位于的水平等于或高于所述半导体发光器件的最上表面。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装件，还包括粘结层，其在所述顶层和所述半导体发光器件之间，其中，所述粘结层包括硅树脂或环氧树脂。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述第二部分的顶表面与所述半导体发光器件的底表面接触。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述第一部分和所述第二部分之间的边界的形状与所述半导体发光器件的侧表面互补。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中：
所述阶梯结构还包括第三部分，其从所述第二部分延伸到所述反射区，并且
所述第三部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述反射区相对于所述封装主体的顶表面倾斜20°到40°的角度。
8.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，以硅树脂聚合物膜或陶瓷板的形式提供所述顶层。
9.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述顶层的厚度为30μm到400μm。
10.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述顶层的形状与所述半导体发光器件的顶表面相对应。
11.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述顶层的面积是所述半导体发光器件的顶表面的面积的70％到200％。
12.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述顶层包括贯穿其中的开口。
13.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，从所述顶层的侧表面到所述半导体发光器件的侧表面的距离等于或者小于800μm。
14.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述短波长荧光体在所述模塑层的下部的浓度高于在所述模塑层的上部的浓度。
15.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述短波长荧光体在所述模塑层中的浓度实质上均匀。
16.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述短波长荧光体具有510nm到560nm的峰值发射波长。
17.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述短波长荧光体包括：
具有以下公式的LuAG荧光体：(Lu、Y、Ga、La、Pr、Gd或者Tb)3-XAl5-yO12-z:Ce3+ W，其中，0＜x≤2、0＜y≤1.5、0＜z≤3并且0.0001≤W＜1；
具有以下公式的YAG荧光体：(Y、Lu、Ga、La、Pr、Gd或者Tb)3-xAlyOz，其中，0＜x≤3、0≤y≤6并且0＜z≤12；
石榴石结构荧光体；
具有以下公式的硅酸盐荧光体：(Sr、Mg、Ba或者Ca)xSiyOz:Eu2+，其中，0＜x≤3、0≤y≤7并且1≤z≤12；
具有以下公式的荧光体：(Ca、Mg或者Sr)xAlyOz:Eu2+，其中，0＜x≤5、2≤y≤12.5并且0＜z≤19；
具有以下公式的荧光体：La3Si6N11:Ce3+；或者
具有以下公式的荧光体：(Ba、Ca、Mg、Sr、La、Lu或者Ga)x(Al、Si或者Ge)yOz:Eu2+ a,Mn2+ b，其中，0＜x≤2、0＜y≤12.5、0＜z≤19.5、0≤a≤0.5并且0≤b≤1.0。
18.一种发光器件(LED)封装件，包括：
封装主体，其包括在其上部的安装区；
引线框架，其在所述封装主体的下面；
半导体发光器件，其在所述安装区中并且通过位于所述半导体发光器件与所述引线框架之间的焊料凸块电连接到所述引线框架；
顶层，其附接到所述半导体发光器件的顶表面，所述顶层包括红色荧光体；以及
模塑层，其在所述安装区中，所述模塑层覆盖所述顶层并且包括短波长荧光体，所述短波长荧光体的峰值波长比所述红色荧光体的峰值波长短，
其中，所述安装区包括反射区和延伸区，所述反射区从所述封装主体的顶表面延伸到所述封装主体的中心部分，所述延伸区从所述反射区延伸到所述半导体发光器件的侧表面，并且
其中，所述顶层与所述延伸区间隔开，
其中，所述延伸区具有阶梯结构，所述阶梯结构包括：
第一部分，其连接到所述反射区；以及
第二部分，其从所述第一部分延伸并且插入所述半导体发光器件和所述引线框架之间，并且与所述焊料凸块间隔开，并且
其中，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
19.根据权利要求18所述的发光器件封装件，其中，所述第一部分和所述第二部分之间的边界的形状与所述半导体发光器件的侧表面互补。
20.根据权利要求18所述的发光器件封装件，其中，所述反射区相对于所述封装主体的顶表面倾斜20°到40°的角度。
21.根据权利要求18所述的发光器件封装件，其中，所述顶层包括贯穿其中的开口。
22.一种发光器件(LED)封装件，包括：
封装主体，包括在其一侧的安装区；
引线框架，其在与所述封装主体的所述安装区相对的一侧；
半导体发光器件，其在所述安装区中并且通过位于所述半导体发光器件与所述引线框架之间的焊料凸块电连接到所述引线框架；
顶层，其在所述半导体发光器件的顶表面上，所述顶层包括红色荧光体；以及
模塑层，其在所述安装区中并且覆盖所述顶层，所述模塑层包括短波长荧光体，所述短波长荧光体的峰值波长比所述红色荧光体的峰值波长短，
其中，所述模塑层与所述半导体发光器件的侧表面接触，
其中，所述安装区包括：
反射区，其从所述封装主体的顶表面延伸到所述封装主体的中心部分；以及
延伸区，其从所述反射区延伸到所述半导体发光器件的侧表面，
其中，所述延伸区具有阶梯结构，所述阶梯结构包括：
第一部分，其连接到所述反射区；以及
第二部分，其从所述第一部分延伸并且插入所述半导体发光器件和所述引线框架之间，并且与所述焊料凸块间隔开，并且
其中，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019104268A1 (de) * 2018-02-20 2019-08-22 Epistar Corporation Lichtemittierende Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
TWI702739B (zh) * 2019-07-31 2020-08-21 台灣應用晶體股份有限公司 發光裝置及其製造方法
CN214375712U (zh) 2020-06-30 2021-10-08 光森科技有限公司 光源模块
CN111697120A (zh) * 2020-07-10 2020-09-22 佛山市国星光电股份有限公司 一种led器件及其封装方法、led灯
ES3041634T3 (en) * 2020-09-15 2025-11-13 Eosopto Tech Co Ltd Light source module
JP7633520B2 (ja) * 2021-07-07 2025-02-20 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102593336A (zh) * 2011-01-17 2012-07-18 三星Led株式会社 发光器件封装件及其制造方法
CN103403892A (zh) * 2011-03-31 2013-11-20 松下电器产业株式会社 半导体发光装置
CN104465969A (zh) * 2013-09-25 2015-03-25 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led器件及led器件的制作方法
CN105304805A (zh) * 2014-05-29 2016-02-03 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150965A (ja) 1998-11-11 2000-05-30 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2003046136A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
TWI292961B (en) 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
KR100540848B1 (ko) 2004-01-02 2006-01-11 주식회사 메디아나전자 이중 몰드로 구성된 백색 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
JP2005251875A (ja) 2004-03-02 2005-09-15 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
EP1895600A1 (en) 2005-06-20 2008-03-05 Rohm Co., Ltd. White semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof
KR100632003B1 (ko) * 2005-08-08 2006-10-09 삼성전기주식회사 열전달부에 오목부가 형성된 ｌｅｄ 패키지
DE102006020529A1 (de) 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102005062514A1 (de) 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
EP1848042A1 (en) * 2006-04-21 2007-10-24 LEXEDIS Lighting GmbH LED package with submount
JP4520972B2 (ja) 2006-11-28 2010-08-11 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2008159707A (ja) 2006-12-21 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
KR100900620B1 (ko) 2007-02-20 2009-06-02 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
KR100901618B1 (ko) * 2007-04-19 2009-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 제조방법
JP2010100743A (ja) 2008-10-24 2010-05-06 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体含有組成物の製造方法
KR101118533B1 (ko) 2009-09-28 2012-03-12 서울대학교산학협력단 발광장치에 사용되는 복합필름, 발광장치 및 그 제조방법
JP5707697B2 (ja) 2009-12-17 2015-04-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101077990B1 (ko) 2010-02-12 2011-10-31 삼성엘이디 주식회사 형광체, 발광장치, 면광원장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
JP4929413B2 (ja) 2010-09-07 2012-05-09 株式会社東芝 発光装置
JP5325959B2 (ja) 2011-03-09 2013-10-23 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP5875816B2 (ja) 2011-07-11 2016-03-02 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
US20130062639A1 (en) * 2011-09-12 2013-03-14 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for fabricating light emitting diode (led) devices having output with selected characteristics
WO2013038649A1 (ja) 2011-09-13 2013-03-21 株式会社小糸製作所 発光モジュール
CN104471730B (zh) 2012-07-20 2018-04-17 皇家飞利浦有限公司 发光器件和创建发光器件的方法
JP2014082416A (ja) 2012-10-18 2014-05-08 Sharp Corp 発光装置
KR102024592B1 (ko) * 2012-11-26 2019-09-24 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지
EP2945997B1 (en) * 2013-01-15 2016-10-05 Merck Patent GmbH Alumosilicate-based phosphors
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
JP6236999B2 (ja) * 2013-08-29 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6351265B2 (ja) 2014-01-09 2018-07-04 デンカ株式会社 蛍光体含有多層膜シート、並びに発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102593336A (zh) * 2011-01-17 2012-07-18 三星Led株式会社 发光器件封装件及其制造方法
CN103403892A (zh) * 2011-03-31 2013-11-20 松下电器产业株式会社 半导体发光装置
CN104465969A (zh) * 2013-09-25 2015-03-25 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led器件及led器件的制作方法
CN105304805A (zh) * 2014-05-29 2016-02-03 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装

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