CN105575832A

CN105575832A - 一种多层堆叠扇出型封装结构及制备方法

Info

Publication number: CN105575832A
Application number: CN201510976224.0A
Authority: CN
Inventors: 陈�峰; 张文奇
Original assignee: National Center for Advanced Packaging Co Ltd
Current assignee: National Center for Advanced Packaging Co Ltd
Priority date: 2015-12-22
Filing date: 2015-12-22
Publication date: 2016-05-11

Abstract

本发明涉及一种多层堆叠扇出型封装结构及制备方法，包括以下步骤：（1）在承载片上覆盖临时键合薄膜，制作第一种子层和金属柱；（2）去掉露出的第一种子层，将第一芯片贴在临时键合薄膜上，并覆盖第一绝缘树脂，金属柱的顶部露出第一绝缘树脂；（3）在第一芯片背面倒扣第二芯片，第二芯片的导电体与金属柱顶部融合；在第二芯片周围填充第二绝缘树脂；（4）去除承载片、临时键合薄膜和第一种子层，在第一芯片正面制作第三绝缘树脂和第二种子层；（5）在第二种子层上面形成导电线路，导电线路上面制作第四绝缘树脂；（6）制作金属球。本发明能够降低制作成本，提高芯片的对准精度，降低了封装产品的高度。

Description

一种多层堆叠扇出型封装结构及制备方法

技术领域

本发明涉及一种多层堆叠扇出型封装结构及制备方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型方片级封装技术（FanoutPanelLevelPackage，FOPLP）的出现，作为扇出型晶圆级封装技术（FanoutWaferLevelPackage，FOWLP）的升级技术，拥有更广阔的发展前景。

智能手机、智能穿戴、物联网、人体芯片等科技的飞速发展，引领芯片封装技术朝小型化、高密度化、三维化等趋势发展。高度度三维封装芯片技术成为芯片封装的热门技术。

如图1所示，台积电的专利申请US2015206866A1公开的结构100a为包含逻辑芯片112a，导电柱子108a，填充材料114a的扇出型封装芯片。结构300a为含有记忆芯片的封装芯片。结构100a和结构300a通过PoP（PackageonPackage）的方式封装在一起。结构100a先在Carrier（承载片）上形成导电柱子108a，然后贴装芯片112a，在导电柱子108a和芯片112a之间填充树脂114a。导电柱子108a、芯片112a、树脂114a三者大致在一个平面上。然后再做导电线路等结构。最后，通过贴装的方式将结构300a贴装到结构100a上。

如图2所示，华天的专利申请CN104538375A公开的结构50b为扇出型封装芯片结构，60b为WireBonding（引线键合）芯片结构。50b部分的制作方法为使用刻蚀、电镀的方法制作导电体2b，然后放置芯片3b，芯片3b的正面与导电体的上表面平齐，在芯片3b上表面制作RDL等结构。芯片下表面使用磨平等方法露出。在芯片下表面制作UBM（UnderBumpMetal）结构，并在下表面贴装芯片60b。

发明内容

本部分的目的在于概述本发明的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和发明名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和发明名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本发明的范围。

鉴于上述和/或现有半导体封装中存在的多层堆叠扇出型封装结构和制备工艺较为复杂，以及加工成本高昂等问题，提出了本发明。

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种多层堆叠扇出型封装结构及制备方法，降低制作成本，提高芯片的对准精度，降低了封装产品的高度。

按照本发明提供的技术方案，所述多层堆叠扇出型封装结构的制备方法，包括以下步骤：

（1）承载片作为基底材料，在承载片上覆盖临时键合薄膜；

（2）在临时键合薄膜上面形成第一种子层，在第一种子层上面形成金属柱；

（3）去掉露出的第一种子层，将第一芯片的焊盘一面贴在临时键合薄膜上，在第一芯片周围填充第一绝缘树脂；所述第一绝缘树脂将临时键合薄膜和第一芯片包裹住，金属柱的顶部露出；

（4）在第一芯片背面倒扣第二芯片，第二芯片的导电体与金属柱顶部融合；在第二芯片周围填充第二绝缘树脂；

（5）去除承载片、临时键合薄膜和第一种子层，露出第一芯片和金属柱；在第一芯片正面涂覆第三绝缘树脂，在第三绝缘树脂表面开口，露出金属柱和第一芯片的焊盘；在金属柱和焊盘表面形成第二种子层；

（6）在第二种子层上面形成导电线路，导电线路分别与金属柱和第一芯片的焊盘连接；在导电线路上面覆盖第四绝缘树脂，第四绝缘树脂将导电线路和第三绝缘树脂覆盖，在第四绝缘树脂表面形成开口，露出导电线路；

（7）在第四绝缘树脂的开口处形成金属球，金属球分别与第一芯片的焊盘和金属柱导通。

进一步的，所述承载片为硅、二氧化硅、陶瓷、玻璃、金属、合金或有机材料的片体，或者为能够加热和控温的平板装置。

进一步的，所述临时键合薄膜为热塑或热固型有机材料、或者为含有Cu、Ni、Cr或Co的无机材料。

进一步的，所述金属柱为金属材质，金属柱的顶部材料为含锡金属，或者通过高温、激光、UV或压合工艺成球的金属。

进一步的，所述金属柱为金、银、铜、锡、钛、镍、镁、铋、钯、镍、铬、铁、铟中的一种或多种金属或合金。

进一步的，所述第三绝缘树脂和第四绝缘树脂为感光树脂或能够通过干法刻蚀工艺形成图形的树脂。

进一步的，所述第三绝缘树脂为聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB（双苯环丁烯树脂）或PBO（苯基苯并二恶唑树脂）。

进一步的，所述第四绝缘树脂为聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB（双苯环丁烯树脂）或PBO（苯基苯并二恶唑树脂）。

所述多层堆叠扇出型封装结构，包括第一芯片和第二芯片，第一芯片塑封于第一绝缘树脂中，第二芯片塑封于第二绝缘树脂中，第二芯片正面带有导电体；在所述第一绝缘树脂中设有金属柱，金属柱的两端分别位于第一绝缘树脂的正面和背面，第二芯片正面的导电体与金属柱连接；所述第一芯片正面的焊盘与第一绝缘树脂的表面平齐，在第一绝缘树脂的正面覆盖第三绝缘树脂，第三绝缘树脂上设有露出金属柱和焊盘的开口，在第三绝缘树脂上设有第二种子层和导电线路，导电线路分别与金属柱和焊盘连接；在所述第三绝缘树脂表面覆盖第四绝缘树脂，第四绝缘树脂设有露出导电线路的开口，在开口处设置金属球。

进一步的，所述第二芯片的导电体与金属柱的端部融合成球体。

本发明具有以下优点：

（1）金属柱制作方式和露出方式简单，金属柱可以使用电镀、植球等工艺制作，可以一次形成几万到几百万颗金属柱，制作工艺和制作成本均可以大幅度降低。

（2）金属柱的露出方式使用FilmAssistedMolding（膜压露头）工艺露出，且露出部位可以直接成球，省略了传统UBM（UnderBumpMetal）的高昂成本。

（3）本发明所述工艺中省略了封装基板，有利于工艺步骤的减少和成本的降低。

（4）本发明结构简单，由于省略了封装基板产品结构复杂程度降低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：

图1为现有技术中台积电专利申请的结构示意图。

图2为现有技术中华天专利申请的结构示意图。

图3-1～图3-7为本发明制备过程的示意图。其中：

图3-1为在承载片上覆盖临时键合薄膜的示意图。

图3-2为制作第一种子层和金属柱的示意图。

图3-3为贴装第一芯片、制作第一绝缘树脂的示意图。

图3-4为在第一芯片背面倒装第二芯片、制作第二绝缘树脂的示意图。

图3-5为制作第三绝缘树脂和第二种子层的示意图。

图3-6为制作导电线路、第四绝缘树脂的示意图。

图3-7为制作金属球的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合具体附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施例，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实施制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

实施例一：一种多层堆叠扇出型封装结构制备方法，包括以下步骤：

（1）承载片101作为基底材料，使用滚压、旋涂、喷涂、印刷、非旋转涂覆、热压、真空压合、浸泡、压力贴合等方式在承载片101上覆盖临时键合薄膜102，如图3-1所示。

所述承载片101的材料可以是硅、二氧化硅、陶瓷、玻璃、金属、合金、有机材料等成分的方片、圆片或不规则片，也可以是可以进行加热和控温的一种平板装置。

所述临时键合薄膜102为热塑或热固型有机材料，也可以是含有Cu、Ni、Cr、Co等成分的无机材料。

所述临时键合薄膜102可以通过加热、机械、化学、激光、冷冻等方式拆除。

（2）在临时键合薄膜102上面形成第一种子层103，使用图形电镀、化学镀等方法在第一种子层103上面形成金属柱104，如图3-2所示。

所述第一种子层103为金属或合金材料。所述第一种子层103可以通过电镀、化学镀、蒸发、溅射、涂覆、压合等方法沉积在临时键合薄膜102上。

所述金属柱104为金属材质，例如金、银、铜、锡、钛、镍、镁、铋、钯、镍、铬、铁、铟等一种或多种金属或其合金。金属柱104可以是球形，也可以是圆柱形、圆锥形或其他立体形状。所述金属柱104的顶部材料为含锡金属（含锡比例不少于30%），或可以通过高温、激光、UV、压合等工艺成球的金属（如激光烧球）。

（3）通过刻蚀的方法去掉露出的第一种子层103，将第一芯片105的正面贴在临时键合薄膜102上，第一芯片105的焊盘106正对临时键合薄膜102；然后在临时键合薄膜102和第一芯片105周围通过金属柱104露头塑封的方式填充第一绝缘树脂107；所述第一绝缘树脂107将临时键合薄膜102和第一芯片105包裹住，金属柱104的顶部露出，金属柱104的露出高度为1～20μm；如图3-3所示。

所述第一绝缘树脂107为有机材料或含有填料的有机材料。

（4）在第一芯片105背面使用倒装的方法倒扣第二芯片1051，第二芯片1051的导电体108与金属柱104顶部融合；在第二芯片1051周围填充第二绝缘树脂1071，如图3-4所示。

所述导电体108为金属材质，可以通过电镀、化学镀、印刷、植球、焊接、烧结、粘贴、激光等方式制作。

所述第二芯片1051为晶圆厂或封装厂制作的芯片，芯片正面带有导电体108。

（5）去除承载片101、临时键合薄膜102和第一种子层103，露出第一芯片105和金属柱104；在第一芯片105正面涂覆第三绝缘树脂109，使用光刻的方法在第三绝缘树脂109表面开口，露出金属柱104和第一芯片105的焊盘106；在金属柱104和焊盘106表面形成第二种子层110，如图3-5所示。

所述第三绝缘树脂109包括感光树脂和可以通过干法刻蚀等工艺形成图形的树脂，例如聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB（双苯环丁烯树脂）或PBO（苯基苯并二恶唑树脂）。

所述第三绝缘树脂109可以通过滚压、旋涂、喷涂、印刷、非旋转涂覆、热压、真空压合、浸泡、压力贴合等方式制作。

所述第二种子层110为金属材质。可以通过薄膜沉积、电镀、化学镀等工艺制作。

（6）在第二种子层110上面形成导电线路111，导电线路111分别与金属柱104和第一芯片105的焊盘106连接；在导电线路111上面覆盖第四绝缘树脂112，第四绝缘树脂112将导电线路111和第三绝缘树脂109包裹，通过光刻的方法在第四绝缘树脂112表面形成开口，露出导电线路111，如图3-6所示。

所述导电线路111为金属材质，可以通过电镀、化学镀、蒸发、溅射、印刷、打印等工艺制作。

所述第四绝缘树脂112可以与第三绝缘树脂109相同或不同，第四绝缘树脂112包括感光树脂和可以通过干法刻蚀等工艺形成图形的树脂，例如聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB（双苯环丁烯树脂）或PBO（苯基苯并二恶唑树脂）。

所述第四绝缘树脂112可以通过滚压、旋涂、喷涂、印刷、非旋转涂覆、热压、真空压合、浸泡、压力贴合等方式制作。

（7）在第四绝缘树脂112的开口处形成金属球113，金属球113分别与第一芯片105的焊盘106和金属柱104导通，如图3-7所示。

本发明所述的多层扇出型封装的结构和制作方法，通过多个芯片的堆叠技术可以获得尺寸更小，功能更强，厚度更薄的半导体封装器件。本发明使用金属柱的工艺，降低了制作成本；使用倒装芯片的方法，提高了芯片的对准精度；使用减薄的工艺，降低了封装产品的高度，提高了芯片的使用场景。

应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims

1.一种多层堆叠扇出型封装结构的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

（1）承载片（101）作为基底材料，在承载片（101）上覆盖临时键合薄膜（102）；

（2）在临时键合薄膜（102）上面形成第一种子层（103），在第一种子层（103）上面形成金属柱（104）；

（3）去掉露出的第一种子层（103），将第一芯片（105）的焊盘（106）一面贴在临时键合薄膜（102）上，在第一芯片（105）周围填充第一绝缘树脂（107）；所述第一绝缘树脂（107）将临时键合薄膜（102）和第一芯片（105）包裹住，金属柱（104）的顶部露出；

（4）在第一芯片（105）背面倒扣第二芯片（1051），第二芯片（1051）的导电体（108）与金属柱（104）顶部融合；在第二芯片（1051）周围填充第二绝缘树脂（1071）；

（5）去除承载片（101）、临时键合薄膜（102）和第一种子层（103），露出第一芯片（105）和金属柱（104）；在第一芯片（105）正面涂覆第三绝缘树脂（109），在第三绝缘树脂（109）表面开口，露出金属柱（104）和第一芯片（105）的焊盘（106）；在金属柱（104）和焊盘（106）表面形成第二种子层（110）；

（6）在第二种子层（110）上面形成导电线路（111），导电线路（111）分别与金属柱（104）和第一芯片（105）的焊盘（106）连接；在导电线路（111）上面覆盖第四绝缘树脂（112），第四绝缘树脂（112）将导电线路（111）和第三绝缘树脂（109）覆盖，在第四绝缘树脂（112）表面形成开口，露出导电线路（111）；

（7）在第四绝缘树脂（112）的开口处形成金属球（113），金属球（113）分别与第一芯片（105）的焊盘（106）和金属柱（104）导通。

2.如权利要求1所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法，其特征是：所述承载片（101）为硅、二氧化硅、陶瓷、玻璃、金属、合金或有机材料的片体，或者为能够加热和控温的平板装置。

3.如权利要求1所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法，其特征是：所述临时键合薄膜（102）为热塑或热固型有机材料、或者为含有Cu、Ni、Cr或Co的无机材料。

4.如权利要求1所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法，其特征是：所述金属柱（104）为金属材质，金属柱（104）的顶部材料为含锡金属，或者通过高温、激光、UV或压合工艺成球的金属。

5.如权利要求4所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法，其特征是：所述金属柱（104）为金、银、铜、锡、钛、镍、镁、铋、钯、镍、铬、铁、铟中的一种或多种金属或合金。

6.如权利要求1所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法，其特征是：所述第三绝缘树脂（109）和第四绝缘树脂（112）为感光树脂或能够通过干法刻蚀工艺形成图形的树脂。

7.如权利要求6所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法，其特征是：所述第三绝缘树脂（109）为聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB（双苯环丁烯树脂）或PBO（苯基苯并二恶唑树脂）。

8.如权利要求6所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法，其特征是：所述第四绝缘树脂（112）为聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB（双苯环丁烯树脂）或PBO（苯基苯并二恶唑树脂）。

9.一种多层堆叠扇出型封装结构，其特征是：包括第一芯片（105）和第二芯片（1051），第一芯片（105）塑封于第一绝缘树脂（107）中，第二芯片（1051）塑封于第二绝缘树脂（1071）中，第二芯片（1051）正面带有导电体（108）；在所述第一绝缘树脂（107）中设有金属柱（104），金属柱（104）的两端分别位于第一绝缘树脂（107）的正面和背面，第二芯片（1051）正面的导电体（108）与金属柱（104）连接；所述第一芯片（105）正面的焊盘（106）与第一绝缘树脂（107）的表面平齐，在第一绝缘树脂（107）的正面覆盖第三绝缘树脂（109），第三绝缘树脂（109）上设有露出金属柱（104）和焊盘（106）的开口，在第三绝缘树脂（109）上设有第二种子层（110）和导电线路（111），导电线路（111）分别与金属柱（104）和焊盘（106）连接；在所述第三绝缘树脂（109）表面覆盖第四绝缘树脂（112），第四绝缘树脂（112）上设有露出导电线路（111）的开口，在开口处设置金属球（113）。

10.如权利要求9所述的多层堆叠扇出型封装结构，其特征是：所述第二芯片（1051）的导电体（108）与金属柱（104）的端部融合成球体。