CN101962756B - 半导体处理用的成批化学气相沉积方法及装置 - Google Patents

半导体处理用的成批化学气相沉积方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101962756B
CN101962756B CN201010236459.3A CN201010236459A CN101962756B CN 101962756 B CN101962756 B CN 101962756B CN 201010236459 A CN201010236459 A CN 201010236459A CN 101962756 B CN101962756 B CN 101962756B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
valve
mentioned
processing container
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201010236459.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101962756A (zh
Inventor
池内俊之
长谷川雅之
高桥敏彦
铃木启介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN101962756A publication Critical patent/CN101962756A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101962756B publication Critical patent/CN101962756B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H10P14/6339—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE or pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
    • H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
    • H10P14/6682—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/69215—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/694—Inorganic materials composed of nitrides
    • H10P14/6943—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon
    • H10P14/69433—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本发明提供半导体处理用的成批CVD方法及装置。该成批CVD方法反复进行具有吸附工序、反应工序和除去残留气体的工序的循环。吸附工序这样地进行：通过在最初的第1期间内使原料气体阀为打开状态之后使其成为关闭状态，向处理容器内供给原料气体，通过将反应气体阀维持在关闭状态，不向处理容器内供给反应气体，将排气阀维持在关闭状态，不对处理容器内进行排气。反应工序这样地进行：将原料气体阀维持在关闭状态，不向处理容器内供给原料气体，使反应气体阀为打开状态，向处理容器内供给反应气体，通过将排气阀自规定的打开状态逐渐减小阀门开度，对处理容器内进行排气。

Description

半导体处理用的成批化学气相沉积方法及装置
技术领域
本发明涉及成批CVD(chemical vapor deposition，化学气相沉积)方法及装置，特别是涉及在半导体晶圆等被处理体上形成成品膜的半导体处理技术。在此，半导体处理的意思是指，为了通过以规定的图案在晶圆、LCD(Liquid CrystalDisplay，液晶显示器)这样的FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用的玻璃基板等被处理体上形成半导体层、绝缘层、导电层等来制造在该被处理体上包含半导体器件、连接于半导体器件的配线、电极等的构造物而实施的各种处理。
背景技术
在构成半导体集成电路的半导体器件的制造中，可对被处理体、例如半导体晶圆实施成膜、蚀刻、氧化、扩散、改性等各种处理。这种成膜处理可在例如日本特开平09-077593号公报中公开的单张式成膜装置、例如日本特开2004-006801号公报中公开的成批式成膜装置内进行。
图5是表示以往的成批CVD装置的一个例子的概略结构图。例如在形成二氧化硅膜(silicon dioxide film)的情况下，将作为被处理体的半导体晶圆W以多层地支承于晶圆舟皿4的状态收容在立式的处理容器2内。利用包围处理容器2地设置的加热器6将晶圆W加热至规定的温度、例如600℃左右。从气体供给系统8通入硅原料气体和例如由臭氧构成的反应气体。从设置于沿上下方向在处理容器2内延伸的分散喷嘴8、10的许多个气体喷射孔8A、10A向处理容器2内喷出这些气体。并且，利用具有真空泵16的真空排气系统14，从设置在处理容器2的下部的排气口12将处理容器2内抽成真空。这样，将处理容器2维持在规定压力来进行二氧化硅膜的成膜处理。
近年来，随着半导体集成电路的进一步高集成化及高微细化的要求，期望减轻半导体器件的制造工序中的热历程，提高器件的特性。在立式的处理装置中，随着该要求，也期望改良半导体处理方法。例如在作为成膜处理的一种的CVD中，存在一边间歇地供给原料气体等，一边每次1层或几层地反复形成原子或分子级厚度的层的方法。该成膜方法通常被称作ALD(Atomic Layer Deposition，原子层沉积)或者MLD(Molecular Layer Deposition，分子层沉积)，由此，即使不将晶圆置于那么高的温度下，也能够进行目标处理。
在图5所示的装置中利用ALD或MLD形成二氧化硅膜的情况下，进行如下的操作。即，操作供给硅原料气体的切换阀8B和供给作为氧化气体的臭氧的切换阀10B，交替供给两种气体。并且，调整真空排气系统14的排气阀14B的阀门开度，调整处理容器2内的压力。
图6是表示在图5所示的装置中利用ALD形成二氧化硅膜的情况下的各阀状态与处理容器内压力之间的关系的曲线图。图6(A)表示原料气体的切换阀8B的状态，图6(B)表示反应气体的切换阀10B的状态，图6(C)表示真空排气系统的排气阀14B的状态(阀门开度)，图6(D)表示处理容器内的压力。
在图6所示的方法中，将按顺序重复多次进行包含吸附工序T11、排气工序T12、反应工序T13、排气工序T14的循环。在吸附工序T11中，如图6的(A)所示，使原料气体的切换阀8B成为打开状态来供给硅原料气体，使该气体吸附于晶圆W的表面。在反应工序T13中，如图6的(B)所示，使反应气体的切换阀10B成为打开状态来供给作为反应气体的臭氧，使其与吸附在晶圆表面上的原料气体发生反应，形成很薄的SiO2膜。在排气工序T12、T14中，使排气阀14B成为打开状态，不供给原料气体及反应气体而对处理容器2内进行排气。
在1个循环中形成一层原子级或分子级厚度的薄膜。通过将在每次循环中形成的薄膜层叠起来，来形成具有规定厚度的成品膜。1个循环中的吸附工序T11及反应工序T13的时间分别是60sec左右，排气工序T12、T14的时间是10sec左右。利用该成批CVD方法，即使不将晶圆置于那么高的温度下，也能够进行目标处理。但是，本发明人等发现，如后所述，这种成批CVD方法在与膜质、生产率(Throughput)及原料气体消耗量相关的特性方面存在改良的余地。
发明内容
本发明的目的在于提供具有与膜质、生产率及原料气体消耗量相关的改良特性的成批CVD方法及装置。
本发明的第1个技术方案是一种半导体处理用的成批CVD(chemical vapor deposition)方法，该方法采用成批CVD装置来进行，其中，上述装置包括：纵长的处理容器，其用于收纳多个被处理体；保持器具，其在上述处理容器内将上述被处理体隔开间隔地层叠并支承上述被处理体；原料气体供给系统，其用于向上述处理容器内供给原料气体，其包括调整上述原料气体的供给的原料气体阀；反应气体供给系统，其用于向上述处理容器内供给反应气体，其包括调整上述反应气体的供给的反应气体阀；排气系统，其用于对上述处理容器内进行排气，包括调整排气量的排气阀；上述方法将以下循环重复多次并将每一次形成的薄膜层叠起来，从而在上述被处理体上形成具有规定厚度的成品膜，在此，上述循环包括以下工序：使上述原料气体吸附在上述被处理体上的吸附工序，在该工序中，通过在最初的第1期间使上述原料气体阀为打开状态之后而使其成为关闭状态，向上述处理容器内供给上述原料气体，将上述反应气体阀维持在关闭状态，不向上述处理容器内供给上述反应气体，将上述排气阀维持在关闭状态，不对上述处理容器内进行排气；接着自上述处理容器内除去残留气体的第1插入工序，在该工序中，将上述原料气体阀及上述反应气体阀维持在关闭状态，不向上述处理容器内供给上述原料气体及上述反应气体，使上述排气阀为打开状态，对上述处理容器内进行排气；接着使上述反应气体与吸附在上述被处理体上的上述原料气体发生反应的反应工序，在该工序中，将上述原料气体阀维持在关闭状态，不向上述处理容器内供给上述原料气体，使上述反应气体阀为打开状态，向上述处理容器内供给上述反应气体，通过将上述排气阀自规定的打开状态逐渐减小阀门开度，来对上述处理容器内进行排气；接着自上述处理容器内除去残留气体的第2插入工序，在该工序中，将上述原料气体阀及上述反应气体阀维持在关闭状态，不向上述处理容器内供给上述原料气体及上述反应气体，使上述排气阀成为阀门开度比上述反应工序的最终状态大的打开状态，对上述处理容器内进行排气。
本发明的第2个技术方案是一种存储介质，该存储介质能够由计算机读取，该计算机存储用于在处理器上执行的程序指令，其中，上述程序指令在由上述处理器执行时，控制成批CVD装置来执行第1技术方案的方法。
本发明的第3技术方案是一种半导体处理用的成批CVD(chemical vapor deposition)装置，其中，包括：纵长的处理容器，其用于收纳多个被处理体；保持器具，其在上述处理容器内将上述被处理体隔开间隔地层叠并支承上述被处理体；原料气体供给系统，其用于向上述处理容器内供给原料气体，其包括调整上述原料气体的供给的原料气体阀；反应气体供给系统，其用于向上述处理容器内供给反应气体，其包括调整上述反应气体的供给的反应气体阀；排气系统，其用于对上述处理容器内进行排气，包括调整排气量的排气阀；控制部，其用于控制上述装置的动作；上述控制部被预先设定成进行成批CVD方法，上述方法将以下循环重复多次并将每一次形成的薄膜层叠起来，从而在上述被处理体上形成具有规定厚度的成品膜，其中，上述循环包括以下工序：使上述原料气体吸附在上述被处理体上的吸附工序，在该工序中，通过在最初的第1期间使上述原料气体阀为打开状态之后使其成为关闭状态，向上述处理容器内供给上述原料气体，通过将上述反应气体阀维持在关闭状态，不向上述处理容器内供给上述反应气体，将上述排气阀维持在关闭状态，不对上述处理容器内进行排气；接着自上述处理容器内除去残留气体的第1插入工序，在该工序中，将上述原料气体阀及上述反应气体阀维持在关闭状态，不向上述处理容器内供给上述原料气体及上述反应气体，使上述排气阀为打开状态，对上述处理容器内进行排气；接着使上述反应气体与吸附在上述被处理体上的上述原料气体发生反应的反应工序，在该工序中，将上述原料气体阀维持在关闭状态，不向上述处理容器内供给上述原料气体，使上述反应气体阀为打开状态，向上述处理容器内供给上述反应气体，通过将上述排气阀自规定的打开状态逐渐减小阀门开度，对上述处理容器内进行排气；接着自上述处理容器内除去残留气体的第2插入工序，在该工序中，将上述原料气体阀及上述反应气体阀维持在关闭状态，不向上述处理容器内供给上述原料气体及上述反应气体，使上述排气阀成为阀门度比上述反应工序的最终状态大的打开状态，对上述处理容器内进行排气。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的成批CVD装置的概略结构图。
图2是表示在图1所示的装置中利用ALD形成二氧化硅膜的情况下的各阀状态与处理容器内压力之间的关系的曲线图。
图3A、图3B是与真空排气系统排气阀的阀门开度的变化相关地表示反应工序的2个变形例的图。
图4是表示实施方式的实验结果的曲线图。
图5是表示以往的成批CVD装置的一个例子的概略结构图。
图6是表示在图5所示的装置中利用ALD形成二氧化硅膜的情况下的各阀状态与处理容器内压力之间的关系的曲线图。
具体实施方式
本发明人等在开发本发明的过程中对以往这种半导体处理用的成批CVD方法及装置的问题进行了研究。结果，本发明人等得到了以下见解。
参照图5及图6说明的方法由这样的以往的指导思想构成，即，为了在吸附工序T11中供给硅原料气体时，使大量的原料气体附着在晶圆表面上，优选在晶圆表面上形成原料气体流。因此，在吸附工序T11中，如图6的(C)所示，将真空排气系统14的排气阀14B打开到一定程度，例如将阀门开度设定为30％左右，进行一定程度的排气而形成晶圆表面上的原料气体流。这种情况下的原料气体的供给量为10～500sccm(standard cubic centimeter per minutes)左右，因此，如图6的(D)所示，处理容器2内的压力一点一点地直线上升。
另外，在反应工序T13中，与上述吸附工序T11时相比稍稍增大排气阀14B的阀门开度，例如将阀门开度设定为60％左右而高效地发生反应。在这种情况下，由于臭氧的流量为20slm(standard liter per minute)左右，与原料气体的流量相比非常多，因此，处理容器2内的压力在最初通过导入臭氧使压力一下子上升而暂时饱和之后，一点一点地降低。另外，在排气工序T12、T14中，由于需要快速地排除处理容器2内的残留气体，因此，将排气阀14B的阀门开度设定为100％而强力地抽成真空。另外，真空泵16在整个工序中连续地驱动。
但是，在上述以往的方法中，在吸附工序T11中将排气阀14B打开到一定程度，在吸附工序T11的期间里使硅原料气体连续地流动。因此，原料气体被大量消耗，特别是在原料气体价格昂贵的情况下，运行成本大幅度增加。
另外，在反应工序T13中，如图6的(D)中的点P1所示，最初通过导入臭氧而使处理容器2内的压力因臭氧而过度上升，臭氧失去活性而容易失活。因此，虽然能够在晶圆的周边部充分地成膜，但臭氧未充分地到达晶圆的中心部，在晶圆中心部不能够充分地成膜，结果，膜厚的面内均匀性降低。特别是在晶圆表面具有沟槽(trench)构造的情况下，臭氧的消耗剧烈，在晶圆中心部明显地产生膜厚大幅度变薄的现象、即加载(loading)效果。在这种情况下，一般也考虑进一步降低反应工序T13中的处理容器2内的压力，但在压力很低时，成膜率大幅度减小而使生产率降低，因此并不理想。
下面，参照附图说明基于这样的见解构成的本发明的实施方式。另外，在以下说明中，对具有大致相同的功能和构造的构成要件标注相同的附图标记，在必要的情况下进行重复说明。
图1是表示本发明的实施方式的成批CVD装置的概略结构图。该装置采用含有Si的有机原料、即3DMAS(三二甲基氨基硅烷，tris(dimethylamino)silane)作为原料气体，采用氧化性气体、即臭氧(实际上是O3和O2的混合气体)作为反应气体，形成二氧化硅膜(SiO2)作为薄膜。
如图1所示，该成膜装置20具有在内部规定处理区域23的处理容器22，该处理区域23收纳并处理隔开间隔地层叠的多个半导体晶圆(被处理体)。处理容器22具有由纵长的内筒24和外筒26构成的双重管构造。内筒24成形为有顶且下端部开口的圆筒体状，在其内部规定了处理区域23。外筒26成形为隔开规定间隔地覆盖内筒24的外侧而形成的、有顶且下端部开口的圆筒体状。内筒24和外筒26均由石英形成。
例如在收容直径为300mm的晶圆W的情况下，处理容器22的直径被设定为400～500mm左右。处理容器22的内部容量依赖于能够收容的晶圆W的张数，例如在收容晶圆W最多150张左右的情况下，被设定为200升左右。
外筒26的下端部借助O型密封圈等密封构件30气密地连接有成形为圆筒状的、例如不锈钢制的岐管28。利用岐管28支承外筒26的下端部，而岐管28利用未图示的底板支承。岐管28包括自其内壁延伸的环状的支承台32，在支承台32上载置支承有内筒24的下端部。在处理容器22的内筒24内收容有作为保持部件的石英制的晶圆舟皿34。
晶圆舟皿34通过岐管28的下端开口而升降，由此，晶圆舟皿34加载于处理容器22的处理区域23、或者自处理容器22的处理区域23卸载。在晶圆舟皿34中，作为被处理体多层地载置有许多张半导体晶圆W。例如在本实施方式的情况下，在晶圆舟皿34上，例如能够以大致相等间距多层地支承50～100张左右的、直径为300mm的晶圆W。
晶圆舟皿34隔着石英制的保温筒40载置在平台42上。平台42支承在旋转轴44上，该旋转轴44贯穿将岐管28的下端开口打开或关闭的、例如石英、不锈钢制的盖体36。在旋转轴44的贯穿部例如配设有磁性流体密封件46，该磁性流体密封件46将旋转轴44气密地密封并能够使旋转轴44旋转地支承。在盖体36的周边部和岐管28的下端部例如配设有由O型密封圈等构成的密封构件38，保持容器内的密封性。
旋转轴44安装在支承于例如舟皿升降机等升降机构48上的臂50的前端。利用升降机构48，晶圆舟皿34和盖体36等能够一体地升降。另外，在利用臂50内的旋转机构驱动旋转轴44时，晶圆舟皿34旋转，由此，晶圆舟皿34上的晶圆能够以通过自身的中心的垂直的轴线为中心旋转。另外，也可以将平台42固定设置在盖体36侧，不使晶圆舟皿34旋转地处理晶圆W。
以包围处理容器22的方式配设有绝热外壳51。在绝热外壳51的内表面上配设有将处理容器22内的气氛和晶圆W加热的加热器52。作为加热器52，可采用无污染且升降温特性优良的碳线(Carbon Wire)等。在处理容器22的内筒24内配设有用于控制加热器52的热电偶(未图示)。
在岐管28的侧部连接有用于向处理容器22内的处理区域23供给规定的处理气体的气体供给部。气体供给部包括原料气体供给系统54、反应气体供给系统56及吹扫气供给系统58。原料气体供给系统54供给3DMAS气体作为硅原料气体。反应气体供给系统56供给氧化气体、即臭氧(实际上是O3和O2的混合气体)作为反应气体。吹扫气供给系统58供给惰性气体、例如N2气作为吹扫气。根据需要向原料气体及反应气体中混合适量的载气、例如N2气。但是，以下为了方便说明，提及了需要载气的情况。另外，作为该吹扫气、载气，能够替代N2气而采用Ar、He等稀有气体。
具体地讲，原料气体供给系统54、反应气体供给系统56及吹扫气供给系统58各自具有气体分散喷嘴60、64、68，该气体分散喷嘴60、64、68由向内侧贯穿岐管28的侧壁而在内筒24内向上方弯曲地延伸的石英管构成(参照图1)。在各气体分散喷嘴60、64、68上，以沿着其长度方向(上下方向)延伸且横跨晶圆舟皿34上的全部晶圆W的方式、隔开规定间隔地形成有多个气体喷射孔60A、64A、68A。气体喷射孔60A、64A、68A在根据需要各自供给相对应的气体时，在水平方向上大致均匀地喷出气体，形成与晶圆舟皿34上的多个晶圆W平行的气体流。
气体分散喷嘴60、64、68通过气体供给管线(气体通路)62、66、70分别连接于3DMAS气体、O3气及N2气的气体源54S、56S、58S。在气体供给管线62、66、70上配设有质量流量控制器这样的流量控制器62A、66A、70A和切换阀62B、66B、70B。由此，能够在切换3DMAS气体、O3气及N2气的供给和停止并分别控制流量的同时、进行供给。
喷嘴60、64、68集中配设在内筒24内的一侧(在图1中，由于附图的空间关系，将喷嘴68表示在了其他喷嘴60、64的相反侧，实际上应配置在相同一侧)。在与喷嘴60、64、68相对的内筒24的侧壁上，沿着上下方向排列形成有直径较大的多个气体流通孔72。通过晶圆之间而沿水平方向流动的各气体经由气体流通孔72流入到内筒24与外筒26之间的间隙74中。
在岐管28的上部侧形成有与内筒24与外筒26之间的间隙74连通的排气口76，在排气口76上连接有用于将处理容器22内抽成真空的真空排气系统78。真空排气系统78具有连接于排气口76的排气管线80，在该排气管线80上配设有对处理容器22内进行真空排气的真空泵82、及通过改变阀门开度来调整处理容器22内的压力的排气阀80B。排气阀80B的阀门开度能够调整为任意值，并且，也能够完全打开及完全关闭，能够完全截断排气。
成膜装置20还包括由控制整个装置动作的计算机等构成的主控制部84。主控制部84按照预先存储在其所附带的存储部86中的处理制程程序，例如根据形成的膜的膜厚、组成等条件进行后述的成批CVD处理。在该存储部86中，作为控制数据还预先存储有处理气体流量与膜的膜厚、组成之间的关系。因而，主控制部84能够根据这些存储的处理制程程序、控制数据来控制升降机构48、气体供给系统54、56、58、排气系统78、加热器52等。另外，存储介质例如是磁盘(软盘、硬盘(一个例子是存储部86所包含的硬盘)等)、光盘(CD、DVD等)、磁光盘(MO等)、半导体存储器等。
接着，对使用图1所示的装置来进行的成批CVD方法(所谓的ALD或MLD成膜)进行说明。在该成批CVD中，利用ALD或MLD在半导体晶圆W上形成二氧化硅膜。为此，有选择地向收纳有晶圆W的处理区域23内供给作为硅原料气体的3DMAS气体及作为氧化反应气体的臭氧(O3)气体。由此，将使3DMAS气体吸附在晶圆W表面的吸附工序、使臭氧气体与吸附在晶圆W表面的3DMAS气体发生反应而形成硅氧化物的薄膜的反应工序交替地反复进行多次。具体地讲，由以下操作进行成膜处理。
即，成膜装置20在未加载半导体晶圆W的待机状态时，处理区域23维持在比处理温度低的温度。在处理时，首先将例如保持有50张晶圆W的常温的晶圆舟皿34从下方加载到被设定为规定温度的处理区域23(处理容器22为热壁状态)。另外，通过用盖体36关闭处理容器22的下端开口部来将处理容器22内密闭。
然后，将处理区域23抽成真空而设定为规定的处理压力。与此同时，通过增大向加热器52供给的电力，将处理区域23加热至成膜处理用的处理温度。在处理区域23以处理压力及处理温度稳定之后，向处理区域23供给成膜所需的规定的处理气体。即，在此，在控制3DMAS和臭氧气体的流量的同时、分别自各气体供给系统54、56的喷嘴60、64将3DMAS和臭氧气体供给到处理区域23。并且，调整真空排气系统78的排气阀80B的阀门开度，控制处理容器22内的压力。
3DMAS气体以形成与晶圆舟皿34上的多个晶圆W平行的气体流的方式被自气体分散喷嘴60的气体喷射孔60A供给。在该期间里，3DMAS气体因处理区域23的加热温度而被活性化，3DMAS气体的分子、或者因它们分解而产生的分解生成物的分子或原子吸附在晶圆上。
另一方面，臭氧气体以形成与晶圆舟皿34上的多个晶圆W平行的气体流的方式被自气体分散喷嘴64气体喷射孔64A供给。臭氧气体因处理区域23的加热温度而被活性化，臭氧气体的分子、或者因它们分解而产生的分解生成物的分子或原子与来源于附着在晶圆W上的3DMAS气体的分解生成物等发生反应。由此，在晶圆W上形成硅氧化物的薄膜。另外，与此相反，在来源于3DMAS气体的分解生成物等流动到来源于臭氧气体的分解生成物等附着在晶圆W上的部位的情况下，也发生同样的反应，在晶圆W上形成硅氧化物的薄膜。
在上述吸附工序与反应工序之间及反应工序与吸附工序之间，进行不供给3DMAS气体及臭氧气体而对处理容器22内进行排气的排气工序。另外，在排气工序中，根据需要，N2气作为吹扫气在控制流量的同时、自气体供给系统58的喷嘴68被供给。另外，通过了处理区域23的气体成分经由气体流通孔72而流入到内筒24与外筒26之间的间隙74中。之后，利用真空排气系统78，自设置在外筒26的下端的排气口76排出这些气体成分。
图2是表示在图1所示的装置中利用ALD形成二氧化硅膜的情况下的各阀状态与处理容器内压力之间的关系的曲线图。图2的(A)表示原料气体的切换阀62B的状态，图2的(B)表示反应气体的切换阀66B的状态，图2的(C)表示真空排气系统的排气阀80B的状态(阀门开度)，图2的(D)表示处理容器内的压力。
如图2所示，在本实施方式的成膜方法中，将按顺序包含吸附工序T1、排气工序T2、反应工序T3、排气工序T4的循环重复多次。在吸附工序T1中，如图2的(A)所示，打开原料气体的切换阀62B来供给3DMAS气体，使来源于该气体的分解生成物等吸附于晶圆W的表面上。在反应工序T3中，如图2的(B)所示，打开反应气体的切换阀66B来供给臭氧气体，使其与吸附在晶圆表面上的分解生成物等发生反应，形成很薄的SiO2膜。在排气工序T2、T4中，不供给3DMAS气体及臭氧气体而对处理容器2内进行排气。另外，真空泵82在整个工序T1～T4中连续地驱动。
在上述1个循环中形成一层原子级或分子级厚度的薄膜。通过将在每次循环中形成的薄膜层叠起来，来形成具有规定厚度的成品膜。1个循环中的吸附工序T1及反应工序T3的时间分别是2～120sec、例如60sec左右，排气工序T2、T4的时间是2～20sec、例如10sec左右。另外，为了提高成膜处理的生产率，也可以省略排气工序T2、T4。
更具体地讲，如图2的(A)所示，吸附工序T1在最初的规定期间t1内使原料气体的切换阀62B为打开状态，之后，立即使其成为关闭状态，在规定的期间t1内临时供给原料气体。此时，如图2的(C)所示，在整个吸附工序T1中维持关闭真空排气系统的排气阀80B的状态。这一点与在以往的方法中如图6(C)所示那样打开排气阀14B到规定的阀门开度来进行真空排气的吸附工序T11有所不同。因而，在本实施方式中，在吸附工序T1中，在原料气体(3DMAS气体)被封入在处理容器22内而无法流出到外部的状态下，在晶圆W的表面吸附有硅原料气体。因此，尽管原料气体的供给量很少，也能促进原料气体吸附于晶圆表面上。
上述规定的期间t1的长度在吸附工序T1的时间的1～50％的范围内，优选在5～30％的范围内(例如，在T1的该范围内，t1＝2～60sec)。在上述规定的期间t1大于50％时，原料气体的消耗节减效果并没有那么大，因此并不理想，而且，由于原料气体吸附于晶圆表面的吸附量也饱和，因此，会浪费原料气体。另外，此时的原料气体的量为10～500sccm左右。另外，吸附工序T1中的处理容器22内的压力在最初急剧上升之后，在关闭原料气体的切换阀62B的同时成为恒定。此时的压力也取决于原料气体的供给量，例如为667Pa左右。
接着，在吸附工序T 1结束之后，过渡到第1排气工序T2。在此，停止供给所有气体，并且，将真空排气系统的排气阀80B全部打开，迅速地排出处理容器22内的残留气氛。另外，在这种情况下，也可以供给作为吹扫气的N2气来促进排出残留气体。通过排气工序T2，处理容器22内的压力急剧降低(参照图2的(D))。
接着，过渡到反应工序T3。在此，如图2的(B)所示，使反应气体的切换阀66B为打开状态，在反应工序T3的整个期间里供给作为反应气体的臭氧。此时，如图2的(C)所示，真空排气系统的排气阀80B最初为打开状态，随着反应工序T3的进行，逐渐减小其阀门开度。这一点与在以往的方法中如图6的(C)所示那样将真空排气系统的排气阀14B的阀门开度维持在60％的反应工序T13有所不同。
由此，使作为该反应气体的臭氧和作为吸附在晶圆表面的原料气体的硅原料气体发生反应，作为薄膜形成二氧化硅膜。上述臭氧气体通常由氧气在臭氧化器中产生，但在这种情况下，O3气以10体积％左右的浓度包含在O2气中，实际上将该混合气体用作含臭氧的气体。在这里的反应工序T3中，真空排气系统的排气阀80B在最初的规定期间t3内维持第1排气工序T2中的全开状态，之后，将排气阀80B的阀门开度一下子降低至规定的等级、例如50％，之后，逐渐将阀门开度呈直线地降低至规定的等级、例如20％。在这种情况下，作为反应气体的臭氧的供给量为20slm左右，流动着远多于上述原料气的流量的量的反应气体。
在以往的方法中，如图6的(D)所示的点P1所示，压力急剧上升，明显地显现出加载效果。另一方面，在本实施方式方法的反应工序T3中，在最初的规定期间t3内将真空排气系统的排气阀80B维持在全开状态，之后，在将阀门开度一下子降低至50％左右之后，逐渐地进一步降低阀门开度。由此，处理容器22内的压力不会急剧上升，如图2的(D)所示那样大致呈直线地逐渐上升。该反应工序中的最大压力例如为133Pa(1Torr)左右。
如上所述，在反应工序T3中，最初将真空排气系统的排气阀80B全部打开，之后，逐渐减小阀门开度。在这种情况下，能够以不产生明显的加载效果那样的程度使压力上升，即，能够使明显地显现该加载效果的、点P1所示的急剧的压力上升不会发生。因此，能够促进作为反应气体的臭氧和吸附于晶圆表面的硅原料气体的反应。换言之，由于不是压力很高的状态，因此，会抑制臭氧失活而延长寿命。结果，能够抑制加载效果，并将成膜率维持得较高。另外，能够将晶圆表面的膜厚的面内均匀性维持得较高，并且，也能够提高生产率。
上述规定的期间t3的长度在反应工序T3的时间的1～50％的范围内，优选在5～30％的范围内(例如，在相对于T3的该范围内，t3＝2～60sec)。在上述规定的期间t3大于50％时，处理容器22内的压力上升会被过度抑制而阻碍臭氧的反应，成膜率降低，因此并不理想。另外，真空排气系统的排气阀80B的中途的阀门开度50％及20％(参照图2(C))只是简单表示一个例子而已，在考虑臭氧和硅原料气体的反应速度的情况下、求出最佳值。但是，在反应工序T3中，排气阀80B的阀门开度的最大值与第1排气工序T2中所使用的排气阀80B的阀门开度相同(例如100％)，其最小值优选为2％以上。
这样，在反应工序T3结束之后，过渡到第2排气工序T4。即，停止供给所有气体，并且，使真空排气系统的排气阀80B全部打开，迅速地排出处理容器22内的残留气氛。另外，在这种情况下，也可以供给作为吹扫气的N2气来促进排出残留气体。由此，处理容器22内的压力急剧降低(参照图2的(D))。由此，成膜的1个循环结束。将上述循环重复多次，获得需要的膜厚的薄膜、即二氧化硅膜。
另外，在上述实施方式中，排气阀80B的阀门开度包括全开(阀门开度＝100％)或全关(阀门开度＝0％)的状态。但是，在实际的排气阀80B中，在阀门开度为90％以上的条件下，对处理容器22内进行排气的排气传导性与全开时大致相同，没什么变动。另外，在阀门开度为2％以下的条件下，对处理容器22内进行排气的排气传导性与全关时大致相同，没什么变动。因而，在上述实施方式中，排气阀80B为“全开”这样的表达可以换作是说“阀门开度90～100％”这样的表达。另外，排气阀80B为“全关”这样的表达可以换作是说“阀门开度0～2％”这样的表达。
另外，在上述实施方式中，如图2的(C)所示，在反应工序T3中，在规定的期间t3内将排气阀80B设定为全开状态。图3A、3B是与真空排气系统排气阀的阀门开度的变化相关地表示反应工序的2个变形例的图。在图3A的变形例中，在规定的期间t3内使阀门开度从100％呈直线地变化至50％。在图3B的变形例中，在反应工序的整个期间内使阀门开度从100％呈直线地变化至20％。但是，这些阀门开度的变化也只是简单表示一个例子而已。
并且，也可以阀门开度的变化以不是直线、而是曲线或者阶段性地在多个阶段以阶梯状降低的方式进行变化。重要的一点是，在反应工序T3的最开始预先将排气阀80B的阀门开度设定得较大，抑制该初期的处理容器22内的压力上升，抑制加载效果的产生。在反应工序T3中必要的情况下，也可以将N2气、稀有气体等惰性气体与反应气体同时作为载气来供给。
如上所述，采用本发明的实施方式，使用具有能够收容多个被处理体、例如半导体晶圆W的处理容器22的成膜装置20，隔着插入期间(排气期间)交替反复吸附工序和反应工序，在被处理体上形成薄膜。在吸附工序中，在关闭真空排气系统78的排气阀80B的状态下，在最初的规定期间内使原料气体供给系统54的切换阀62B为打开状态之后，立即使其成为关闭状态，向处理容器22内临时供给原料气体、例如作为硅原料气体的3DMAS气体而使其吸附于被处理体。在反应工序中，使反应气体供给系统56的切换阀66B为打开状态而向处理容器22内供给反应气体，并且，最初使真空排气系统78的排气阀80B为打开状态，之后逐渐减小阀门开度，使反应气体、例如臭氧与原料气体发生反应。由此，将膜厚维持得较高，而且生产率也不会降低，能够大幅度抑制原料气体的消耗量。
实验
为了评价上述实施方式的成批CVD方法，进行了以下实验。作为实施例PE，在图1所示的装置中，按照图2所示的方法在晶圆上形成了二氧化硅膜。在实施例PE中，使用3DMAS气体作为硅原料气体，使用臭氧气体(在氧气中含有10体积％的臭氧的混合气体)作为反应气体。处理温度设定为550℃，处理压力(最大值)设定为1.2kPa。吸附工序T1的时间发生变化，原料气体的切换阀62B的打开状态的规定期间t1固定为7sec。另一方面，反应工序T3的时间固定为7sec，真空排气系统的排气阀80B的全开状态的规定期间t3固定为2sec。将吸附工序T1的时间作为参数，改变在吸附工序T1中原料气体的切换阀62B关闭的时间、即保持时间H(＝T1-t1)。
另外，作为比较例CE，在图1所示的装置中，除3DMAS气体的供给量及各阀的动作不同之外，在与实施例PE相同的条件下，按照图6所示的方法在晶圆上形成二氧化硅膜。具体地讲，在比较例CE中，使3DMAS的供给量为实施例PE中的4倍，使吸附工序的时间为30sec。
图4是表示该实验的结果的曲线图。在图4中，横轴表示保持时间，纵轴表示每1个循环的成膜率。如图4所示，在供给3DMAS气体X克的比较例CE中，成膜率为0.13nm/cycle左右。另一方面，在减少了X/4克的3DMAS气体的供给的实施例PE中，通过增加保持时间，成膜率大致直线上升。而且，在保持时间为大致40sec时，成膜率与比较例CE的情况大致相同。即能够明确，只要将保持时间设定为40sec以上，尽管将原料气体的供给量减少到1/4，也能获得与比较例CE的情况大致相等、或者比较例CE的成膜率以上的成膜率。换言之，通过像本发明的实施方式的方法那样操作各阀，能够维持与比较例CE相等的成膜率，并大幅度削减原料气体的供给量。
另外，对于上述比较例PE及比较例CE，使用图案化晶圆来对它们的加载效果也进行评价。图案化晶圆是通过在晶圆W的表面形成电路图案的一部分而付与晶圆凹凸而成的。在图案化晶圆中，气体消耗更多于平坦晶圆，因此，易于明显地显现加载效果。由该评价的结果可知，比较例CE的图案化晶圆上的膜厚的面内均匀性为±4.3％左右。实施例PE的图案化晶圆上的膜厚的面内均匀性为±3.8％左右。因而能够明确，利用本发明的实施方式的方法，能够改良图案化晶圆上的膜厚的面内均匀性。
变更例
在上述实施方式中，采用3DMAS气体作为硅原料气体。取而代之，硅原料气体还能够从其他的氨基硅烷(Aminosilane)类有机气体、例如BTBAS(双(叔丁基氨基)硅烷，bis(tertiary-butylamino)silane)、4DMAS(四(二甲基氨基)硅烷，tetrakis(dimethylamino)silane)、DIPSA(二异丙基氨基硅烷)中选择。
在上述实施方式中，采用作为氧化性气体的臭氧气体作为反应气体。取而代之，反应气体还能够从其他的氧化性气体、例如O2、N2O、NO中选择。并且，像日本特开2005-175441号公报中公开的那样，也可以采用在133Pa以下的低压力下产生的氧活性种和羟基活性种。
在上述实施方式中，利用成批CVD方法形成二氧化硅膜。取而代之，本发明也能够应用于形成其他的膜、例如氮化硅膜(SiN膜)、氮氧化硅膜(SiON膜)的成批CVD方法。在形成氮化硅膜(silicon nitride film)的情况下，例如能够采用DCS(二氯硅烷，SiH2Cl2)、HCD(六氯乙硅烷，Cl6Si2)、TCS(四氯硅烷，Cl4Si)作为硅原料气体，能够采用NH3等作为反应气体。另外，在形成氮氧化硅膜(silicon oxynitride film)的情况下，例如能够采用氨基硅烷类有机溶剂作为硅原料气体，能够采用O3、O2、N2O、NO、NH3等作为反应气体。
在上述实施方式中，成批CVD方法在处理容器22为双重管构造的成批处理装置中进行。取而代之，本发明例如还能够应用于处理容器为单层管构造的成批处理装置。
作为被处理体，例示了半导体晶圆，该半导体晶圆中包含硅基板、GaAs、SiC、GaN等化合物半导体基板。并且，作为被处理体，也能够将本发明应用于液晶显示装置所采用的玻璃基板、陶瓷基板等。

Claims (19)

1.一种半导体处理用的成批CVD方法，该方法采用成批CVD装置来进行，其中，
上述装置包括：
纵长的处理容器，其用于收纳多个被处理体；
保持器具，其用于在上述处理容器内将上述被处理体隔开间隔地层叠并支承上述被处理体；
原料气体供给系统，其用于向上述处理容器内供给原料气体，上述原料气体供给系统包括用于调整上述原料气体的供给的原料气体阀；
反应气体供给系统，其用于向上述处理容器内供给反应气体，上述反应气体供给系统包括用于调整上述反应气体的供给的反应气体阀；
排气系统，其用于对上述处理容器内进行排气，上述排气系统包括用于调整排气量的排气阀；
上述方法通过将以下循环反复进行多次并将每一次形成的薄膜层叠起来，在上述被处理体上形成具有规定厚度的成品膜，在此，上述循环包括以下工序：
吸附工序，其用于使上述原料气体吸附在上述被处理体上，在该工序中，通过在最初的第1期间使上述原料气体阀为打开状态之后使其成为关闭状态，从而向上述处理容器内供给上述原料气体，将上述反应气体阀维持在关闭状态而不向上述处理容器内供给上述反应气体，将上述排气阀维持在关闭状态而不对上述处理容器内进行排气，在关闭上述反应阀之后，利用供给到上述处理容器的上述原料气体将该处理容器的压力维持恒定，并利用该原料气体进行吸附；
第1插入工序，其自上述处理容器内除去残留气体，在该工序中，将上述原料气体阀及上述反应气体阀维持在关闭状态而不向上述处理容器内供给上述原料气体及上述反应气体，使上述排气阀为打开状态而对上述处理容器内进行排气；
反应工序，其使上述反应气体与吸附在上述被处理体上的上述原料气体发生反应，在该工序中，将上述原料气体阀维持在关闭状态而不向上述处理容器内供给上述原料气体，使上述反应气体阀为打开状态而向上述处理容器内供给上述反应气体，通过将上述排气阀自规定的打开状态逐渐减小阀门开度，从而对上述处理容器内进行排气，并且，在上述反应工序中，先以第1减小率使上述排气阀自全开状态一下子减小阀门开度到规定的打开状态，然后采用比第1减小率小的第2减小率使上述排气阀自上述规定的打开状态减小阀门开度；
第2插入工序，其自上述处理容器内除去残留气体，在该工序中，将上述原料气体阀及上述反应气体阀维持在关闭状态而不向上述处理容器内供给上述原料气体及上述反应气体，使上述排气阀成为阀门开度比上述反应工序的最终时期的阀门开度大的打开状态而对上述处理容器内进行排气。
2.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
在上述吸附工序中，维持上述排气阀的关闭状态的定义为维持上述排气阀的阀门开度为0～2％。
3.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
在上述第1及第2插入工序中包括向上述处理容器内供给惰性气体的过程。
4.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
在上述第1及第2插入工序中不向上述处理容器内供给任何气体。
5.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
上述第1期间的长度处于上述吸附工序的长度的1～50％的范围内。
6.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
在上述反应工序中，通过在最初的第2期间将上述排气阀维持在上述规定的打开状态而获得上述排气阀的上述规定的打开状态。
7.根据权利要求6所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
上述第2期间的长度处于上述反应工序的长度的1～50％的范围内。
8.根据权利要求6所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
上述第2期间中的上述排气阀的上述规定的打开状态与在上述第1插入工序中使用的排气阀的打开状态相同。
9.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
在上述反应工序中，不使上述排气阀为关闭状态。
10.根据权利要求9所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
在上述反应工序中，上述排气阀的阀门开度的最大值与上述第1插入工序中的排气阀的阀门开度相同，最小值为上述第1插入工序中的排气阀的阀门开度的2％以上。
11.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
在上述反应工序中，不使上述反应气体阀为关闭状态。
12.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
上述吸附工序的时间为2～120sec，上述反应工序的时间为2～120sec，上述第1及第2插入工序的各时间为2～20sec。
13.根据权利要求12所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
上述第1期间的长度处于上述吸附工序的长度的1～50％的范围内，上述第1期间的时间为2～60sec。
14.根据权利要求12所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
在上述反应工序中，通过在最初的第2期间将上述排气阀维持在上述规定的打开状态而获得上述排气阀的上述规定的打开状态，上述第2期间的长度处于上述反应工序的长度的1～50％的范围内，上述第2期间的时间为2～60sec。
15.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
上述成品膜是从二氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜构成的组中中选择的1个。
16.根据权利要求15所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
上述原料气体包括从由三二甲基氨基硅烷、双(叔丁基氨基)硅烷、四(二甲基氨基)硅烷、二异丙基氨基硅烷、二氯硅烷、六氯乙硅烷、四氯硅烷构成的组中选择的硅原料气体。
17.根据权利要求15所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
上述反应气体包括从O3、O2、N2O、NO、NH3构成的组中选择的气体。
18.根据权利要求1所述的半导体处理用的成批CVD方法，其中，
上述成品膜是氧化硅膜，上述原料气体包括从由三二甲基氨基硅烷、双(叔丁基氨基)硅烷、四(二甲基氨基)硅烷、二异丙基氨基硅烷构成的组中选择的硅原料气体，上述反应气体包括O3及O2的混合气体。
19.一种半导体处理用的成批CVD装置，其中，
包括：
纵长的处理容器，其用于收纳多个被处理体；
保持器具，其用于在上述处理容器内将上述被处理体隔开间隔地层叠并支承上述被处理体；
原料气体供给系统，其用于向上述处理容器内供给原料气体，上述原料气体供给系统包括调整上述原料气体的供给的原料气体阀；
反应气体供给系统，其用于向上述处理容器内供给反应气体，上述反应气体供给系统包括调整上述反应气体的供给的反应气体阀；
排气系统，其用于对上述处理容器内进行排气，上述排气系统包括调整排气量的排气阀；
控制部，其用于控制上述装置的动作；
上述控制部被预先设定成能进行成批CVD方法，上述方法通过将以下循环反复进行多次并将每一次形成的薄膜层叠起来，在上述被处理体上形成具有规定厚度的成品膜，在此，上述循环包括以下工序：
吸附工序，其使上述原料气体吸附在上述被处理体上，在该工序中，通过在最初的第1期间使上述原料气体阀为打开状态之后使其成为关闭状态，从而向上述处理容器内供给上述原料气体，将上述反应气体阀维持在关闭状态而不向上述处理容器内供给上述反应气体，将上述排气阀维持在关闭状态而不对上述处理容器内进行排气，在关闭上述反应阀之后，利用供给到上述处理容器的上述原料气体将该处理容器的压力维持恒定，并利用该原料气体进行吸附；
第1插入工序，其自上述处理容器内除去残留气体，在该工序中，将上述原料气体阀及上述反应气体阀维持在关闭状态而不向上述处理容器内供给上述原料气体及上述反应气体，使上述排气阀为打开状态而对上述处理容器内进行排气；
反应工序，其使上述反应气体与吸附在上述被处理体上的上述原料气体发生反应，在该工序中，将上述原料气体阀维持在关闭状态而不向上述处理容器内供给上述原料气体，使上述反应气体阀为打开状态而向上述处理容器内供给上述反应气体，通过将上述排气阀自规定的打开状态逐渐减小阀门开度，从而对上述处理容器内进行排气，并且，在上述反应工序中，先以第1减小率使上述排气阀自全开状态一下子减小阀门开度到规定的打开状态，然后采用比第1减小率小的第2减小率使上述排气阀自上述规定的打开状态减小阀门开度；
第2插入工序，其自上述处理容器内除去残留气体，在该工序中，将上述原料气体阀及上述反应气体阀维持在关闭状态而不向上述处理容器内供给上述原料气体及上述反应气体，使上述排气阀成为阀门开度比上述反应工序的最终时期的阀门开度大的打开状态而对上述处理容器内进行排气。
CN201010236459.3A 2009-07-22 2010-07-22 半导体处理用的成批化学气相沉积方法及装置 Active CN101962756B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-171557 2009-07-22
JP2009171557A JP5223804B2 (ja) 2009-07-22 2009-07-22 成膜方法及び成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101962756A CN101962756A (zh) 2011-02-02
CN101962756B true CN101962756B (zh) 2015-04-29

Family

ID=43497689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010236459.3A Active CN101962756B (zh) 2009-07-22 2010-07-22 半导体处理用的成批化学气相沉积方法及装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8461059B2 (zh)
JP (1) JP5223804B2 (zh)
KR (1) KR101312461B1 (zh)
CN (1) CN101962756B (zh)
TW (1) TWI516631B (zh)

Families Citing this family (354)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4943047B2 (ja) * 2006-04-07 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP2011082493A (ja) * 2009-09-14 2011-04-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US8409352B2 (en) * 2010-03-01 2013-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus
JP5541223B2 (ja) * 2010-07-29 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
RU2465469C2 (ru) * 2011-02-09 2012-10-27 Николай Александрович Волгин Двигатель внутреннего сгорания
JP5886531B2 (ja) * 2011-02-24 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
JP5959307B2 (ja) * 2011-06-22 2016-08-02 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5723243B2 (ja) 2011-08-11 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、これを含む半導体装置の製造方法、成膜装置、及び半導体装置
JP6043546B2 (ja) * 2011-10-21 2016-12-14 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP6105967B2 (ja) * 2012-03-21 2017-03-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP6047039B2 (ja) * 2012-04-20 2016-12-21 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP6196833B2 (ja) 2012-09-26 2017-09-13 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
WO2014084615A1 (ko) 2012-11-30 2014-06-05 Kim Tae Won 자동 펼침식 엘이디 안전 피라미드
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CN103165497B (zh) * 2013-02-20 2015-09-30 上海华力微电子有限公司 一种氧化反应炉及利用该反应炉进行氧化反应的方法
JP6346022B2 (ja) * 2013-07-31 2018-06-20 京セラ株式会社 薄膜形成方法および太陽電池素子の製造方法
JP5807084B2 (ja) * 2013-09-30 2015-11-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP5852151B2 (ja) 2014-02-12 2016-02-03 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
JP5855691B2 (ja) 2014-02-25 2016-02-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
JP6501560B2 (ja) * 2015-03-06 2019-04-17 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6529348B2 (ja) * 2015-06-05 2019-06-12 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10121655B2 (en) 2015-11-20 2018-11-06 Applied Materials, Inc. Lateral plasma/radical source
US9633838B2 (en) * 2015-12-28 2017-04-25 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Vapor deposition of silicon-containing films using penta-substituted disilanes
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
CN105568256A (zh) * 2016-02-24 2016-05-11 北京七星华创电子股份有限公司 原子层沉积技术制备薄膜的实现方法
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) * 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
JP7012563B2 (ja) * 2018-03-05 2022-01-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP7254620B2 (ja) * 2018-06-26 2023-04-10 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、部品の管理方法、基板処理装置及び基板処理プログラム
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
CN112420486A (zh) * 2019-08-22 2021-02-26 长鑫存储技术有限公司 半导体薄膜的形成方法
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
JP7399260B2 (ja) * 2020-03-25 2023-12-15 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、およびインナーチューブ
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
JP2025077182A (ja) * 2023-11-06 2025-05-19 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US20260107705A1 (en) * 2024-10-16 2026-04-16 Eugenus, Inc. High throughput conformal thin film deposition method with low precursor consumption

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4236707B2 (ja) 1995-09-14 2009-03-11 日産自動車株式会社 化学的気相成長法及び化学的気相成長装置
JP3947126B2 (ja) 2002-04-11 2007-07-18 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JP2004288916A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Renesas Technology Corp Ｃｖｄ装置
JP4238812B2 (ja) 2003-11-20 2009-03-18 東京エレクトロン株式会社 被処理体の酸化装置
JP2006245089A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 薄膜形成方法
JP4258518B2 (ja) * 2005-03-09 2009-04-30 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
KR100652420B1 (ko) * 2005-03-23 2006-12-01 삼성전자주식회사 유전막 제조방법, 그 유전막을 포함하는 ｍｉｍ 캐패시터의제조방법 및 그 유전막을 제조하기 위한 배치 타입 ａｌｄ장치
JP4305427B2 (ja) * 2005-08-02 2009-07-29 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US7490254B2 (en) * 2005-08-02 2009-02-10 Advanced Micro Devices, Inc. Increasing workload performance of one or more cores on multiple core processors
JP5193527B2 (ja) * 2006-09-28 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 シリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラム
JP4299863B2 (ja) 2007-01-22 2009-07-22 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
JP4863296B2 (ja) * 2007-06-22 2012-01-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20090035951A1 (en) * 2007-07-20 2009-02-05 Hitachi Kokusai Electric Inc. Manufacturing method of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011029284A (ja) 2011-02-10
KR20110009624A (ko) 2011-01-28
KR101312461B1 (ko) 2013-09-27
TW201120235A (en) 2011-06-16
JP5223804B2 (ja) 2013-06-26
US20110021033A1 (en) 2011-01-27
US8461059B2 (en) 2013-06-11
CN101962756A (zh) 2011-02-02
TWI516631B (zh) 2016-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101962756B (zh) 半导体处理用的成批化学气相沉积方法及装置
US7507676B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
JP5190307B2 (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP5258229B2 (ja) 成膜方法および成膜装置
CN1908228B (zh) 形成含硅的绝缘膜的方法和装置
KR101503725B1 (ko) 성막 방법 및 성막 장치
JP5541223B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
TWI509693B (zh) 成膜方法及成膜裝置
TWI552225B (zh) ＳｉＣＮ膜之形成方法及裝置
CN101713067B (zh) 成膜方法及成膜装置
KR100861851B1 (ko) 실리콘 산화막 형성 방법 및 장치
US7964241B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
JP4506677B2 (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
CN102097302B (zh) 成膜方法和成膜装置
JP5920242B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
KR101141891B1 (ko) 반도체 처리용의 산화 방법 및 장치와, 컴퓨터로 판독 가능한 매체
US20060205231A1 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
CN101154589A (zh) 形成硅氧化膜的成膜方法和装置
CN101165856A (zh) 半导体处理用氧化装置和方法
JP2017005016A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US7427572B2 (en) Method and apparatus for forming silicon nitride film
JP7079340B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム
JP7662748B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant