WO2012065892A1 - Herstellung von chlorsilanen aus kleinstteiligem reinstsilicium - Google Patents

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fixed bed
pure silicon
hydrogen chloride
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Frank Becker
Wolfgang Wienand
Ingo Pauli
Maciej Olek
Yücel ÖNAL
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Evonik Degussa GmbH
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    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
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    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes

Definitions

  • the invention relates to an apparatus and a method for the production of
  • Chlorosilanes from ultrafine ultrapure silicon As starting material can be
  • hyperpure silicon in particular is hyperpure silicon waste (Kerf).
  • the ultrafine ultrapure silicon preferably has a purity of the particles of> 99.99% Si, preferably
  • Si dust which is obtained in the deposition of silicon from gaseous silicon compounds in the fluidized bed or Siemens reactor, or sawing and grinding particles, which are produced in the mechanical processing, especially when sawing or grinding of hyperpure silicon.
  • ultrafine ultrapure silicon is also referred to as Kerf and may be added with sawing agents, abrasives and / or coolants, for. With iron, diamond, silicon carbide and organic coolant. The smallest particles are silicon particles with sizes in the
  • the inventive method is ultrafine ultrapure silicon in the hydrochlorination, wherein so-called metallurgical silicon, the ⁇ 99.9% Si, z. B. 98% Si, balance Fe, Ca and AI, is contained in a mixture with the smallest-part hyperpure silicon.
  • the metallurgical silicon usually has significantly larger particles with a size of about 1 cm.
  • the smallest-part hyperpure silicon in a fixed bed reactor is preferably obtained by means of a hydrogen chloride-containing gas stream at temperatures of at least 380 ° C., preferably at least 450 ° C.,
  • the fixed bed reactor used in the process comprises a grate, a bed of metallurgical silicon located above the grate, a supply line for hydrogen chloride as HCI addition and a hot feed line for the so-tempered feed of at least 380 ° C., preferably at least 450 ° C. ultrafine ultrapure silicon.
  • the inventive method advantageously allows the use of a reactor whose
  • Cooling device consists of a cooling jacket in the wall and / or cover and the z. B. without means for supplying a cooling medium in the
  • Reactor volume manages.
  • the reaction of the silicon-containing particles to form gaseous silicon-chlorine compounds by reaction with
  • Hydrogen chloride gas provided which is substantially free of chlorine gas.
  • For the conversion of silicon with hydrogen chloride gas to S1 HCl or SiCl 4 is significantly less exothermic than -219 kJ / mol or -272 kJ / mol than the reaction of silicon with chlorine, so that in the process according to the invention no internal
  • metallurgical silicon produced by reduction of silica with carbon containing about 90% Si and 5-7% Fe.
  • the metallurgical silicon is first reacted with hydrogen chloride to form S1 HCl and / or SiCl 4 , this separated, condensed and then z. B. deposited in the Siemens process to hyperpure silicon.
  • the synthesis is usually carried out in fluidized bed reactors (Ullmann, 2005). Typical particle sizes in fluidized bed reactors are around 250 pm, typical reaction temperatures are around 300 ° C (Lobreyer et al., 1996).
  • US 2005/0226803 A1 describes the preparation of trichlorosilane from very small-particle silicon by means of reaction with hydrogen chloride in the fluidized bed, wherein the silicon is introduced directly into the fluidized bed.
  • the smallest particulate silicon is used in the production of particulate metallurgical silicon accumulating dust in the example when grinding metallurgical silicon with 1, 4% Fe, 0.2% AI and 0.015% Ca accumulated.
  • US2007 / 0231236 A1 describes the separation of abrasives by centrifugation of liquid with ultrafine ultrapure silicon suspended therein in a first centrifugation and subsequent centrifuging of the solid from the liquid. After crushing the residue for surface activation of the silicon, the hyperpure silicon alone is halogenated, especially with chlorine or hydrogen chloride.
  • WO 2008/133525 describes the reaction of ultrafine ultrapure silicon obtained as sawdust (Kerf) in a mixture with silicon carbide or metal particles in the processing of hyperpure silicon ingots, in admixture with metallurgical silicon, which is referred to as a bed, which is also referred to as fluidized bed, in Reactor is present and is traversed by chlorine gas.
  • the object of the invention is to provide a method for the hydrochlorination of ultrafine ultrapure silicon, which allows a simple implementation of various ultrapure silicon waste.
  • the aim is that the
  • Process with a cooling device runs, which has a simple reactor and z. B. consists only of the cooling of the reactor through the wall and / or cover. The process should particularly preferably avoid recycling of silicon particles discharged from the reactor.
  • ultrafine ultrapure silicon in contact with hydrogen chloride-containing gas can form a highly viscous mass. It has also been shown that ultrafine ultrapure silicon can show uneconomically low yields in the reaction with hydrogen chloride. In contrast, minute-scale metallurgical silicon can be efficiently hydrochlorinated without the formation of a viscous phase or inefficient yields being observed.
  • Microparticulate hyperpure silicon used in the process according to the invention is preferably produced by one of the following processes:
  • the ultrafine ultrapure silicon used in the process can be produced by depositing hyperpure silicon in fluidized bed reactors or Siemens reactors, since these processes not only produce the target product of massive hyperpure silicon, but also extremely fine dusts of hyperpure silicon.
  • the smallest-part hyperpure silicon has particle sizes in the
  • the invention achieves the object with the features of the claims and in particular provides a continuous process for the production of chlorosilane from ultrafine ultrapure silicon in a hydrogen chloride and metallurgical silicon operated fixed bed reactor.
  • the smallest-part hyperpure silicon is introduced at a controlled temperature into the reactor.
  • the supply pipe for ultrafine ultrapure silicon is heated to at least 380 ° C., preferably to at least 450 ° C.
  • Hydrogen chloride separate tempered supply line which ends, for example, in a nozzle with an inlet opening above or below the grate, are added.
  • the inlet opening of the feed line or the nozzle preferably in the lower region of the fixed bed, high residence times of the ultrafine ultrapure silicon are achieved so that this substantially completely within the Residence time is implemented during the passage through the fixed bed and no ultrafine ultrapure silicon is discharged with the gaseous reaction products from the reactor.
  • the temperature-controlled supply pipe which connects the source of hyperpure silicon with the outlet opening, have a slope which has sufficient for the transport of the hyperpure silicon slope to the inlet opening.
  • Hydrogen chloride is fed as hydrogen chloride-containing gas below the bed, optionally also the supply of hydrogen chloride-containing gas is tempered, e.g. on the temperature of the reactor or the temperature of the supply line for ultrafine ultrapure silicon.
  • the supply of hydrogen chloride-containing gas is tempered, e.g. on the temperature of the reactor or the temperature of the supply line for ultrafine ultrapure silicon.
  • metallurgical silicon which forms the fixed bed, optionally introduced into the reactor in mixture with the ultrafine ultrapure silicon.
  • the ultrafine ultrapure silicon together with the reactant hydrogen chloride is introduced into the reactor via a common temperature-controlled feed line or via the same temperature-controlled connection piece and added through an inlet opening arranged below the grate.
  • an advantageously long residence time of ultrapure silicon in the fixed bed reactor is achieved.
  • the ultrafine ultrapure silicon together with optionally added chlorosilane or hydrogen can be added to the fixed bed via a temperature-controlled feed line or via a tempered connection piece.
  • Ultra-pure silicon crushed before addition to the reactor to a more advantageous particle size for example, to average particle sizes of a maximum of 10 pm.
  • the method comprises the step of crushing ultrafine ultrapure silicon before it is introduced into the reactor.
  • a device for use in the method is characterized in that the supply pipe for ultrafine ultrapure silicon, which is optionally additionally comminuted, and optionally for hydrogen chloride-containing gas and / or tetrachlorosilane, further optionally additionally hydrogen and / or nitrogen, to at least 380 ° C, preferably until at least 400 ° C or until at least 450 ° C is tempered.
  • the supply pipe may have a tempering device.
  • the temperature of the supply pipe can be effected in that the hydrogen chloride-containing gas supplied to the supply pipe, including the ultrafine ultrapure silicon, at least the temperature of the supply pipe, wherein e.g. outside the reactor on the supply pipe a
  • Tempering device is arranged, with which the hydrogen chloride-containing gas and / or the garstteilige silicon is heated to at least 380 ° C, preferably at least 400 ° C or 450 ° C, preferably to a temperature of 50 to 200 K higher than the temperature on the temperature of the supply pipe is regulated. It has been shown that for the intended reaction, the fixed bed at a temperature of at least 380 ° C, preferably at least 450 ° C, more preferably at least 750 ° C to a maximum of 1410 ° C, the melting temperature of silicon, should be operated to the Avoid formation of a viscous phase and achieve sufficient yields.
  • the fixed bed itself consists of metallurgical silicon and ultrafine ultrapure silicon introduced into the reactor.
  • Silicon which forms the bed, is made from a geodetically higher template from above into the fixed bed, optionally batchwise or continuously.
  • the ash resulting from the reaction of the metallurgical silicon falls through the grate into a lower ash outlet of the reactor, e.g. is arranged in the bottom region of the reactor.
  • the method comprises a reactor with a fixed bed of metallurgical silicon, with a feed line for supplying metallurgical silicon, with a feed line for supplying hydrogen chloride-containing gas and a
  • Supply line for supplying ultrafine ultrapure silicon alternatively with a supply line for a mixture with hydrogen chloride-containing gas with garstteiligem
  • Hyperpure silicon wherein at least the supply line for supplying very small-particle silicon, optionally additionally the supply line for hydrogen chloride-containing gas, heated to at least 380 ° C, preferably at least 450 ° C tempered.
  • the inlet opening of the tempered supply line for hydrogen chloride-containing gas is preferably arranged below or within the zone of the reactor in which the bed of the fixed bed is formed.
  • the inlet opening of the temperature-controlled supply line for ultrafine ultrapure silicon is preferably arranged below or within the zone of the reactor in which the bed of the fixed bed is formed.
  • the inlet opening of a temperature-controlled common supply line for ultrafine ultrapure silicon mixed with hydrogen chloride-containing gas is preferably arranged below or within the zone of the reactor in which the bed of the fixed bed is formed. Particularly preferably, the inlet opening of the supply line for smallest-part silicon in a portion of the
  • Reactor arranged in which the fixed bed is formed, wherein this section during the process has a temperature of at least 380 ° C.
  • Fixed bed reactor should be at a temperature of at least 380 ° C, preferably at least 450 ° C, more preferably at least 750 ° C to a maximum of 1410 ° C, the melting temperature of silicon, operated. This avoids the formation of highly viscous mass on the one hand, on the other hand lead to the high
  • a significant advantage of the inventive use of a fixed bed reactor over a complex fluidized bed reactor is also in the substantial absence of abrasion of the wall material of the reactor.
  • the reactor has an outlet for the product gases, eg SiHC and SiCl 4 , which optionally has a separator, e.g. B. a filter or cyclone, may have for particles and by a line with a condenser for S1 HCI3 and / or SiCI 4 can be connected.
  • a separator e.g. B. a filter or cyclone
  • gaseous SiCl 3 and / or SiCl 4 can be recycled to the reactor through the temperature-controlled supply line, the gaseous SiCl 3 and / or SiCl 4 serving, for example, as an inert carrier gas for the pneumatic conveying of extremely pure ultrapure silicon.
  • Fluidized bed reactor were the ultrapure silicon particles at 380 ° C with
  • Comparative Example 1 was repeated at a temperature of 450 ° C of the reactor. At this temperature gaseous Chiorsiiane at the Reactor output can be detected. It did not form a highly viscous product anymore. However, the reaction slept for a low yield of
  • Comparative Example 1 was repeated at the temperature of 750 ° C in the reactor. There were again gaseous chlorosilanes at the reactor outlet
  • Comparative Example 2 was repeated except that compacted ultrafine silicon compacted by mortar was used as the material for the packed bed. Gaseous chlorosilanes were again detected at the reactor outlet. It did not form a highly viscous product. The yield of the ultrapure silicon after falling asleep the reaction was significantly increased and amounted to 17% about twice the comparative example 2, was implemented in the coarser ultrafine ultrapure silicon.
  • Metallurgical silicon of the fraction 150 to 250 pm arranged as a fixed bed on the grid of the reactor.
  • the ultrafine ultrapure silicon was comminuted by grinding to a particle size of less than 50 .mu.m and introduced in a mixture with hydrogen chloride through a heated to 450 ° C supply line below the packed bed.
  • the fixed bed was tempered by tempering the reactor to 450 ° C. It did not form a highly viscous product. There were again gaseous chlorosilanes on

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Abstract

Die Erfindung stellt ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Chlorsilan aus der Umsetzung von kleinstteiligem Reinstsilicium mit Chlorwasserstoff bereit, wobei die Zuführung des kleinstteiligen Reinstsilicium in ein Festbett aus metallurgischem Silicium erfolgt, wobei die Zuleitung für Reinstsilicium und das Festbett eine Mindesttemperatur aufweisen.

Description

Herstellung von Chlorsilanen aus kleinstteiligem Reinstsilicium
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung von
Chlorsilanen aus kleinstteiligem Reinstsilicium. Als Ausgangsmaterial kann
insbesondere kleinstteiliges bzw. feinteiliges Reinstsilicium verwendet werden, das insbesondere Reinstsiliciumabfall (engl. Kerf) ist. Das kleinstteilige Reinstsilicium hat vorzugsweise eine Reinheit der Partikel von > 99,99 % Si, vorzugsweise
> 99,9999 % Si, wie z. B. Si-Staub, der bei der Abscheidung von Silicium aus gasförmigen Siliciumverbindungen im Wirbelbett- oder Siemensreaktor anfällt, oder Säge- und Schleifpartikel, die bei der mechanischen Bearbeitung, insbesondere beim Sägen oder Schleifen von Reinstsilicium erzeugt werden. Solches kleinstteiliges Reinstsilicium wird auch als Kerf bezeichnet und kann mit Sägemittel, Schleifmittel und/oder Kühlmittel versetzt sein, z. B. mit Eisen, Diamant, Siliciumcarbid und organischem Kühlmittel. Als kleinstteilig werden Siliciumpartikel mit Größen im
Bereich kleiner 50 m, bevorzugt kleiner 10 m bezeichnet. Das erfindungsgemäße Verfahren setzt kleinstteiliges Reinstsilicium in der Hydrochlorierung um, wobei so genanntes metallurgisches Silicium, das < 99,9 % Si, z. B. 98 % Si, Rest Fe, Ca und AI aufweist, in Mischung mit dem kleinstteiligen Reinstsilicium enthalten ist. Das metallurgische Silicium weist in der Regel deutlich größere Partikel mit einer Größe von über 1 cm auf. Erfindungsgemäß wird das kleinstteilige Reinstsilicium in einem Festbettreaktor bevorzugt mittels eines Chlorwasserstoff enthaltenden Gasstroms bei Temperaturen von mindestens 380 °C, vorzugsweise mindestens 450 °C,
bevorzugter mindestens 750 °C zu gasförmigen Silicium-Chlor-Verbindungen, z. B. SiHC und/oder SiCU umgesetzt. Der im Verfahren verwendete Festbettreaktor weist einen Rost, eine über dem Rost befindliche Schüttung aus metallurgischem Silicium auf, eine Zuleitung für Chlorwasserstoff als HCI-Zugabe und eine auf mindestens 380°C, vorzugsweise mindestens 450°C, heiße Zuleitung für die so temperierte Einspeisung des kleinstteiligen Reinstsiliciums. Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt vorteilhafterweise die Verwendung eines Reaktors, dessen
Kühlungseinrichtung aus einem Kühlmantel in Wandung und/oder Deckel besteht und der z. B. ohne Einrichtung zur Zuführung eines Kühlmediums in das
Reaktorvolumen auskommt. Für das erfindungsgemäße Verfahren ist die Umsetzung der Silicium-haltigen Partikel zu gasförmigen Silicium-Chlor-Verbindungen durch Umsetzung mit
Chlorwasserstoffgas vorgesehen, das im Wesentlichen frei von Chlorgas ist. Denn die Umsetzung von Silicium mit Chlorwasserstoffgas zu S1 HCI3 bzw. SiCI4 ist mit -219 kJ/mol bzw. -272 kJ/mol deutlich weniger exotherm als die Umsetzung von Silicium mit Chlor, sodass beim erfindungsgemäßen Verfahren keine interne
Kühlung, beispielsweise durch zusätzliche innen liegende Wärmeaustauschflächen, notwendig ist. Stand der Technik
Bade et al. in Int. J. Miner. Process. 167-179 (1996) beschreiben, dass
metallurgisches Silicium, das durch Reduktion von Siliciumdioxid mit Kohlenstoff erzeugt wird, zu ca. 90 % Si und 5 - 7 % Fe enthält. Das metallurgische Silicium wird zunächst mit Chlorwasserstoff zu S1 HCI3 und/oder SiCI4 umgesetzt, dieses abgetrennt, kondensiert und anschließend z. B. im Siemensprozess zu Reinstsilicium abgeschieden. Die Synthese wird üblicherweise in Wirbelschichtreaktoren durchgeführt (Ullmann, 2005). Übliche Partikelgrößen in Wirbelschichtreaktoren sind um 250 pm, typische Reaktionstemperaturen sind um 300°C (Lobreyer et al., 1996). Die US 2005/0226803 A1 beschreibt die Herstellung von Trichlorsilan aus kleinstteiligem Silicium mittels Umsetzung mit Chlorwasserstoff in der Wirbelschicht, wobei das Silicium unmittelbar in die Wirbelschicht eingebracht wird. Als
kleinstteiliges Silicium wird bei der Herstellung von stückigen metallurgischen Silicium anfallender Staub verwendet, der im Beispiel beim Vermählen von metallurgischem Silicium mit 1 ,4 % Fe, 0,2 % AI und 0,015 % Ca anfiel.
Die US2007/0231236 A1 beschreibt die Abtrennung von Schleifmitteln durch Zentrifugation von Flüssigkeit mit darin suspendierten kleinstteiligen Reinstsilicium in einer ersten Zentrifugation und anschließendes Abzentrifugieren des Feststoffes von der Flüssigkeit. Nach Zerkleinern des Rückstands zur Oberflächenaktivierung des Siliciums wird das Reinstsilicium alleine halogeniert, insbesondere mit Chlor oder Chlorwasserstoff. Die WO 2008/133525 beschreibt die Umsetzung von kleinstteiligen Reinstsilicium, das als Sägemehl (Kerf) in Mischung mit Siliciumcarbid- oder Metallpartikeln bei der Bearbeitung von Reinstsiliciumbarren anfällt, in Mischung mit metallurgischem Silicium, das als Schüttung, die auch als Wirbelschicht bezeichnet wird, im Reaktor vorliegt und von Chlorgas durchströmt wird. Die mit dem Gasstrom ausgetragenen Partikel werden in die Reaktionszone rückgeführt. Wegen der stark exothermen Reaktion des Siliciumsägemehls in der Wirbelschicht wird eine interne Kühlung der Wirbelschicht mit verflüssigtem SiCI4 in Kombination mit der Zuführung dieses kleinstteiligen Reinstsiliciums in Mischung mit dem verflüssigten SiCI4 empfohlen.
Aus DE 10 2004 05919 B4 ist beispielhaft eine Ausführungsform und Betriebsweise eines Festbettreaktors zur Herstellung von Chlorsilanen zu entnehmen.
Aufgabe der Erfindung
Der Erfindung stellt sich die Aufgabe, ein Verfahren zur Hydrochlorierung von kleinstteiligem Reinstsilicium bereitzustellen, das eine einfache Umsetzung verschiedener Reinstsiliciumabfälle erlaubt. Dabei wird angestrebt, dass das
Verfahren mit einer Kühlungeinrichtung abläuft, die ein einfacher Reaktor aufweist und z. B. nur aus der Kühlung des Reaktors über dessen Wandung und/oder Deckel besteht. Besonders bevorzugt soll das Verfahren eine Rückführung von aus dem Reaktor ausgetragenen Siliciumpartikeln vermeiden.
Allgemeine Beschreibung der Erfindung
Bei der Vorbereitung der Erfindung hat sich herausgestellt, dass kleinstteiliges Reinstsilicium in Kontakt mit Chlorwasserstoff-haltigem Gas eine hochviskose Masse bilden kann. Es hat sich zudem gezeigt, dass kleinstteiliges Reinstsilicium bei der Umsetzung mit Chlorwasserstoff unwirtschaftlich niedrige Ausbeuten zeigen kann. Im Unterschied dazu kann kleinstteiliges metallurgisches Silicium effizient hydrochloriert werden, ohne dass die Ausbildung einer viskosen Phase oder unwirtschaftliche Ausbeuten beobachtet werden. Kleinstteiliges Reinstsilicium, das im erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzt wird, ist vorzugsweise durch eines der folgenden Verfahren hergestellt: Durch
mechanisches Bearbeiten von Blöcken aus Reinstsilicium, z. B. durch Sägen und/oder Polieren, so dass das feinteilige Reinstsilicium in Mischung mit
organischem Kühlmittel, z. B. Sägemittel, Kühlmittel, und/oder mit Schleifmitteln, z. B. Diamant oder Siliciumcarbid vorliegt. Im Verfahren eingesetztes feinstteiliges Reinstsilicium kann durch Abscheiden von Reinstsilicium in Wirbelschichtreaktoren oder Siemensreaktoren hergestellt sein, da diese Verfahren neben dem Zielprodukt massiven Reinstsiliciums auch kleinstteilige Stäube aus Reinstsilicium erzeugen. Besonders bevorzugt weist das kleinstteilige Reinstsilicium Partikelgrößen im
Bereich von 1 nm bis 50 pm, bevorzugt 100 nm bis 10 pm auf.
Die Erfindung löst die Aufgabe mit den Merkmalen der Ansprüche und stellt insbesondere ein kontinuierliches Verfahren zur Herstellung von Chlorsilan aus kleinstteiligem Reinstsilicium in einem mit Chlorwasserstoff und metallurgischem Silicium betriebenen Festbettreaktor bereit.
Erfindungsgemäß wird das kleinstteilige Reinstsilicium temperiert in den Reaktor eingebracht. Um die Bildung einer hochviskosen Masse mit der Folge von
Verstopfung zu vermeiden ist das Zuleitungsrohr für kleinstteiliges Reinstsilicium auf mindestens 380 °C temperiert, bevorzugt auf mindestens 450 °C. Durch diese Temperierung der Zuleitung für kleinstteiliges Reinstsilicium wird auch die
Ausbildung einer viskosen Phase im Reaktor vermieden, die sich bei Kontakt des kleinstteiligen Reinstsiliciums mit Chlorwasserstoff bei niedrigeren Temperaturen ausbildet. Generell bevorzugt erfolgt die Einbringung von kleinstteiligem
Reinstsilicium, Chlorwasserstoff-haltigem Gas kontinuierlich, optional erfolgt auch die Zuführung metallurgischen Siliciums zur Herstellung des Festbetts kontinuierlich.
Dabei kann das kleinstteilige Reinstsilicium über eine von der Zuleitung für
Chlorwasserstoff separate temperierte Zuleitung, die z.B. in einem Stutzen mit einer Zulauföffnung oberhalb oder unterhalb des Rostes endet, zugegeben werden. Durch diese Anordnung der Zulauföffnung der Zuleitung bzw. des Stutzens, vorzugsweise im unteren Bereich des Festbettes, werden hohe Verweilzeiten des kleinstteiligen Reinstsiliciums erreicht, so dass dieses im Wesentlichen vollständig innerhalb der Verweilzeit während des Durchtretens durch das Festbett umgesetzt wird und kein kleinstteiliges Reinstsilicium mit den gasförmigen Reaktionsprodukten aus dem Reaktor ausgetragen wird. In einer ersten Ausführungsform kann das temperierte Zuleitungsrohr, das die Quelle für Reinstsilicium mit deren Auslassöffnung verbindet, eine Neigung aufweisen, die ein für den Transport des Reinstsiliciums ausreichendes Gefälle zur Zulauföffnung aufweist. In einer anderen Ausführung wird das
kleinstteilige Silicium pneumatisch mittels Gasstrom, z.B. mittels Stickstoffstroms, gefördert. Chlorwasserstoff wird als Chlorwasserstoff-haltiges Gas unterhalb der Schüttung zugeführt, wobei optional auch die Zuleitung für Chlorwasserstoff-haltiges Gas temperiert ist, z.B. auf die Temperatur des Reaktors oder die Temperatur der Zuleitung für kleinstteiliges Reinstsilicium. In dieser Ausführungsform, in der generell kleinstteiliges Reinstsilicium in einer Zuleitung in den Reaktor eingebracht wird, die von der Zuleitung für Chlorwasserstoff-haltiges Gas getrennt ist, wird das
metallurgische Silicium, das das Festbett bildet, optional in Mischung mit dem kleinstteiligen Reinstsilicium in den Reaktor eingebracht.
In einer zweiten Ausführungsform wird das kleinstteilige Reinstsilicium zusammen mit dem Reaktanden Chlorwasserstoff über eine gemeinsame temperierte Zuleitung bzw. über denselben temperierten Stutzen in den Reaktor eingebracht und durch eine unterhalb des Rostes angeordnete Zulauföffnung zugegeben. Hierbei wird eine vorteilhaft große Verweilzeit des Reinstsiliciums im Festbettreaktor erreicht.
In einer dritten Ausführungsform kann das kleinstteilige Reinstsilicium zusammen mit optional zugegebenem Chlorsilan oder Wasserstoff dem Festbett über eine temperierte Zuleitung bzw. über einen temperierten Stutzen zugegeben werden. Mittels zusätzlicher Einspeisung von Chlorsilan oder Wasserstoff kann das
Produktgasgleichgewicht der Umsetzung beeinflusst werden, so dass dadurch das Verfahren gesteuert werden kann. In einer besonderen Ausführungsform der Erfindung wird das kleinstteilige
Reinstsilicium vor der Zugabe in den Reaktor auf eine nochmals vorteilhaftere Partikelgröße zerkleinert, z.B. auf durchschnittliche Partikelgrößen von maximal 10 pm. Dabei wird z.B. in einer Mühle zerkleinertes kleinstteiliges Reinstsilicium zugeführt und das Verfahren weist den Schritt der Zerkleinerung kleinstteiligen Reinstsiliciums vor dessen Einleitung in den Reaktor auf.
Entsprechend zeichnet sich eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Verwendung im Verfahren dadurch aus, dass das Zuleitungsrohr für kleinstteiliges Reinstsilicium, das optional zusätzlich zerkleinert ist, und optional für Chlorwasserstoff-haltiges Gas und/oder Tetrachlorsilan, weiter optional zusätzlich Wasserstoff und/oder Stickstoff, auf mindestens 380 °C, bevorzugt bis mindestens 400 °C oder bis mindestens 450 °C temperiert ist. Das Zuleitungsrohr kann eine Temperiereinrichtung aufweisen. Alternativ kann die Temperierung des Zuleitungsrohrs dadurch erfolgen, dass das dem Zuleitungsrohr zugeleitete Chlorwasserstoff-haltige Gas einschließlich des kleinstteiligen Reinstsiliciums zumindest die Temperatur des Zuleitungsrohrs aufweist, wobei z.B. außerhalb des Reaktors am Zuleitungsrohr eine
Temperiereinrichtung angeordnet ist, mit der das Chlorwasserstoff-haltige Gas und/oder das kleinstteilige Silicium auf mindestens 380 °C, bevorzugt mindestens 400 °C oder 450 °C temperiert wird, vorzugsweise auf eine um 50 bis 200 K höhere Temperatur als die Temperatur, auf die das Zuleitungsrohr temperiert wird. Es hat sich gezeigt, dass für die bestimmungsgemäße Reaktion das Festbett bei einer Temperatur von zumindest 380°C, bevorzugt zumindest 450°C, besonders bevorzugt mindestens 750°C bis maximal 1410°C, der Schmelztemperatur von Silicium, betrieben werden sollte, um die Ausbildung einer viskosen Phase zu vermeiden und ausreichende Ausbeuten zu erreichen.
Das Festbett selbst besteht aus metallurgischem Silicium und in den Reaktor eingeführtem kleinstteiligen Reinstsilicium. Die Einbringung des metallurgischen
Siliciums, das die Schüttung bildet, erfolgt aus einer geodätisch höheren Vorlage von oben in das Festbett, wahlweise satzweise oder kontinuierlich. Die durch Umsetzung des metallurgischen Siliciums entstehende Asche fällt durch den Rost in einen tiefer gelegenen Ascheaustrag des Reaktors, der z.B. im Bodenbereich des Reaktors angeordnet ist.
Ein Vorteil dieses Verfahrens liegt in der Verwendung eines einfachen
Festbettreaktors gegenüber eines komplexen Wirbelschichtreaktors, der im Betrieb eine hohe Abrasion des Wandmateriales erleidet. Die Vorrichtung zur Verwendung in dem Verfahren weist daher einen Reaktor mit einem Festbett aus metallurgischem Silicium auf, mit einer Zuleitung zur Zuführung von metallurgischem Silicium, mit einer Zuleitung zur Zuführung von Chlorwasserstoff-haltigem Gas und einer
Zuleitung zur Zuführung kleinstteiligen Reinstsiliciums, alternativ mit einer Zuleitung für eine Mischung mit Chlorwasserstoff-haltigem Gas mit kleinstteiligem
Reinstsilicium, wobei zumindest die Zuleitung zur Zuführung von kleinstteiligem Silicium, optional zusätzlich die Zuleitung für Chlorwasserstoff-haltiges Gas, auf zumindest 380 °C temperiert, bevorzugt auf mindestens 450 °C temperiert sind. Die Zulauföffnung der temperierten Zuleitung für Chlorwasserstoff-haltiges Gas ist vorzugweise unterhalb oder innerhalb der Zone des Reaktors angeordnet, in welcher die Schüttung des Festbetts ausgebildet ist. Die Zulauföffnung der temperierten Zuleitung für kleinstteiliges Reinstsilicium ist vorzugsweise unterhalb oder innerhalb der Zone des Reaktors angeordnet, in welcher die Schüttung des Festbetts ausgebildet ist. Die Zulauföffnung einer temperierten gemeinsamen Zuleitung für kleinstteiliges Reinstsilicium in Mischung mit Chlorwasserstoff-haltigem Gas ist vorzugsweise unterhalb oder innerhalb der Zone des Reaktors angeordnet, in welcher die Schüttung des Festbetts ausgebildet ist. Besonders bevorzugt ist die Zulauföffnung der Zuleitung für kleinstteiliges Silicium in einem Abschnitt des
Reaktors angeordnet, in dem das Festbett ausgebildet wird, wobei dieser Abschnitt während des Verfahrens eine Temperatur von zumindest 380°C aufweist. Die Abfuhr der im Vergleich zur Direktchlorierung moderaten Wärmetönung kann
erfindungsgemäß z.B. ausschließlich über die Reaktorwand erfolgen. Der
Festbettreaktor sollte bei einer Temperatur von zumindest 380°C, bevorzugt zumindest 450°C, besonders bevorzugt mindestens 750°C bis maximal 1410°C, der Schmelztemperatur von Silicium, betrieben werden. Dadurch wird zum Einen die Bildung von hochviskoser Masse vermieden, zum Anderen führen die hohen
Temperaturen zu einer ausreichend hohen Ausbeute an zugegebenem kleinstteiligen Reinstsilicium. Ein wesentlicher Vorteil der erfindungsgemäßen Verwendung eines Festbettreaktors gegenüber eines komplexen Wirbelschichtreaktors liegt auch in der weitgehenden Abwesenheit der Abrasion des Wandmaterials des Reaktors.
Der Reaktor weist schließlich einen Auslass für die Produktgase, z.B. SiHC und SiCI4 auf, der optional einen Abscheider, z. B. einen Filter oder Zyklon, für Partikel aufweisen kann und durch eine Leitung mit einem Kondensator für S1 HCI3 und/oder SiCI4 verbunden sein kann. Optional kann gasförmiges S1 HCI3 und/oder SiCI4 durch die temperierte Zuleitung in den Reaktor rückgeführt werden, wobei das gasförmige S1 HCI3 und/oder SiCI4 z.B. als inertes Trägergas zur pneumatischen Förderung von kleinstteiligem Reinstsilicium dient.
Genaue Beschreibung der Erfindung
Die Erfindung wird nun genauer mit Bezug auf die Beispiele beschrieben. In den Beispielreaktionen wurden, soweit nicht abweichend angegeben, jeweils 50 g durch Pressen kompaktiertes kleinstteiliges Reinstsilicium mit einer mittleren Partikelgröße um 200 pm als Festbett auf einem Rost eines Reaktors angeordnet. Das Zuleiten von Chlorwasserstoffgas erfolgte von unten in das Festbett mit einer
Strömungsgeschwindigkeit von 1 ,5 cm/s. Die Zuleitung für Chlorwasserstoffgas war auf die jeweils angegebene Reaktortemperatur temperiert. Die zum Pressen eingesetzten kleinstteiligen Reinstsiliciumpartikel waren Sägemehl, das durch das Sägen eines Blocks aus Reinstsilicium angefallen war. Das aus dem Reaktor austretende Produktgas wurde gefiltert, kondensiert und mittels NMR analysiert.
Vergleichsbeispiel 1
Reinstsiliciumpartikel und HCl bei 380 °C
In einem ersten Experiment mit Reaktionsparametern typisch für einen
Wirbelschichtreaktor wurden die Reinstsiliciumpartikel bei 380 °C mit
Chlorwasserstoff umgesetzt. Bei dieser Temperatur konnte keine Bildung von gasförmigen Chlorsilanen nachgewiesen werden. Vielmehr bildete sich im Reaktor ein hoch viskoses Produkt. Es wird angenommen, dass entstandene Chiorsiiane mit anderen Bestandteilen des kleinstteiligen Reinstsiliciums reagieren, sodass im Wesentlichen keine gasförmigen Chiorsiiane am Reaktorausgang festgestellt wurden.
Vergleichsbeispiel 2
Hydrochlorierung von Reinstsilicium bei 450°
Das Vergleichsbeispiel 1 wurde bei einer Temperatur von 450 °C des Reaktors wiederholt. Bei dieser Temperatur konnten gasförmige Chiorsiiane am Reaktorausgang nachgewiesen werden. Es bildete sich kein hochviskoses Produkt mehr. Allerdings schlief die Reaktion nach einer geringen Ausbeute des
Reinstsiliciums von etwa 8 % ein. Vergleichsbeispiel 3
Hydrochlorierung von Reinstsilicium bei 750 °C
Das Vergleichsbeispiel 1 wurde bei der Temperatur von 750 °C im Reaktor wiederholt. Es wurden wieder gasförmige Chlorsilane am Reaktorausgang
nachgewiesen. Es bildete sich kein hochviskoses Produkt. Dabei zeigte sich, dass die Umsetzung zu Chlorsilan mit deutlich erhöhter Ausbeute von 15 % erfolgte.
Dieses Beispiel zeigt, dass die Hydrochlorierungsreaktion in Konkurrenz zu einer vermuteten Verklebung des Reinstsiliciums steht und dass höhere
Reaktionstemperaturen die Hydrochlorierungsreaktion stärker beschleunigen als die Verklebung.
Vergleichsbeispiel 4
Hydrochlorierung von zerkleinerten Reinstsilicium bei 450 °C
Das Vergleichsbeispiel 2 wurde wiederholt, wobei jedoch ein mittels Mörser zerkleinertes kompaktiertes kleinstteiliges Reinstsilicium als Material für das Festbett eingesetzt wurde. Es wurden wieder gasförmige Chlorsilane am Reaktorausgang nachgewiesen. Es bildete sich kein hochviskoses Produkt. Dabei zeigte sich die Ausbeute des Reinstsilicums nach Einschlafen der Reaktion deutlich erhöht und betrug mit 17 % etwa das Doppelte des Vergleichsbeispiels 2, in dem gröberes kleinstteiliges Reinstsilicium umgesetzt wurde.
Dieses Beispiel zeigt, dass neben einer erhöhten Reaktionstemperatur insbesondere auch durch eine Zerkleinerung bzw. Zugabe von feinverteilterem Reinstsilicium die Umsetzung von kleinstteiligen Reinstsilicium wesentlich effektiver durchgeführt werden kann. Diese Zugabe von kleinstteiligem Reinstsilicium ist erfindungsgemäß durch dessen Zugabe in einem Chlorwasserstoff-haltigen Gasstrom in den
Festbettreaktor gegeben. Beispiel 1
Hydrochlorierung von Reinstsilicium und metallurgischem Silicium bei 450°C
Im Unterschied zu den Vergleichsbeispielen wurde eine Schüttung aus
metallurgischem Silicium der Fraktion 150 bis 250 pm als Festbett auf dem Rost des Reaktors angeordnet. Das kleinstteilige Reinstsilicium wurde durch Mahlen auf eine Partikelgröße kleiner 50 pm zerkleinert und in Mischung mit Chlorwasserstoff durch eine auf 450 °C temperierte Zuleitung unterhalb des Festbetts eingeleitet. Das Festbett war durch Temperierung des Reaktors auf 450 °C temperiert. Es bildete sich kein hochviskoses Produkt. Es wurden wieder gasförmige Chlorsilane am
Reaktorausgang nachgewiesen. Gegenüber Vergleichsbeispiel 2 wurde eine deutliche Steigerung der Ausbeute an Reinstsilicium festgestellt.
Dieses Beispiel zeigt, dass eine effiziente Umsetzung des kleinstteiligen
Reinstsiliciums in industriell üblichen Festbettreaktoren mit metallurgischem Silicium möglich ist. Eine Feinverteilung des Reinstsiliciums durch dessen Vermahlung steigert die Ausbeute zusätzlich.

Claims

Patentansprüche
1 . Verfahren zur Herstellung gasförmiger Chlor-Silicium-Verbindungen durch Umsetzung eingetragenen kleinstteiligen Reinstsiliciums mit Chlorwasserstoff- haltigem Gas in einem Reaktor, der ein Festbett aufweist,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Festbett metallurgisches Silicium aufweist und das kleinstteilige Reinstsilicium mittels einer auf mindestens 380°C temperierten Zuleitung unterhalb oder innerhalb der Zone des Reaktors eingeleitet wird, in welcher die Schüttung des Festbetts ausgebildet ist, und das Chlorwasserstoff-haltige Gas unterhalb oder innerhalb der Zone des Reaktors eingeleitet wird, in welcher die Schüttung des Festbetts ausgebildet ist, und die Schüttung des Festbettes Temperaturen über 380°C aufweist.
2. Verfahren nach Anspruch 1 ,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Schüttung des Festbettes Temperaturen über 450°C bis maximal 1410 C aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 ,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Schüttung des Festbettes Temperaturen über 750 C bis maximal 1410 °C aufweist.
4. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet,
dass das kleinstteilige Reinstsilicium und das Chlorwasserstoff-haltige Gas mittels einer gemeinsamen temperierten Zuleitung unterhalb oder innerhalb der Zone des Reaktors eingeleitet werden, in welcher die Schüttung des Festbetts ausgebildet ist.
5. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass das kleinstteilige Reinstsilicium in Mischung mit Chlorsilan, Wasserstoff und/oder Stickstoff in einer Zuleitung eingeleitet wird.
6. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet,
dass die Zuleitung in dem Abschnitt, in dem kleinstteiliges Reinstsilicium enthalten ist, eine Temperiereinrichtung aufweist.
7. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Chlorwasserstoff-haltige Gas und/oder das kleinstteilige
Reinstsilicium vor Eintritt in eine Zuleitung auf mindestens 380 °C, mindestens 400 °C oder 450 °C temperiert wird.
8. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das kleinstteilige Reinstsilicium vor der Zuführung in den Reaktor anteilig oder vollständig kontinuierlich oder satzweise zerkleinert wird.
Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Material des Festbetts zusammen mit kleinstteiligem Reinstsilicium durch die Zuleitung zugegeben wird.
0. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Kühlung des Reaktors vollständig über dessen Wandung und/oder dessen Deckel erfolgt.
1 . Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass gasförmiges SiHC und/oder SiCI4 in Mischung mit dem kleinstteiligem Reinstsilicium in den Reaktor geleitet wird.
12. Verwendung einer Vorrichtung in einem Verfahren nach einem der
voranstehenden Ansprüche, die einen Reaktor mit einem Abschnitt aufweist, in dem ein Festbett aus metallurgischem Silicium angeordnet ist, und in dem eine Zuführeinrichtung für metallurgisches Silicium, die in dem oder oberhalb des Reaktorabschnitts mündet, in dem das Festbett angeordnet ist, und eine Zuleitung mit einer innerhalb oder unterhalb dieses Abschnitts angeordneten Zulauföffnung für die Zugabe von kleinstteiligem Reinstsilicium angeordnet ist, wobei der Reaktor eine Zuleitung für Chlorwasserstoff aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Zuleitung für kleinstteiliges Reinstsilicium eine
Temperatur von zumindest 380°C aufweist und das Festbett zumindest in dem Bereich, in dem die Zuleitung für kleinstteiliges Reinstsilicium mündet, eine Temperatur über 380°C aufweist.
Verwendung nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Kühleinrichtung des Reaktors aus einer Kühleinrichtung besteht, deren Wärmeübertragungsfläche aus der Wandung des Reaktors besteht.
Verwendung nach einem der Ansprüche 12 oder 13,
dadurch gekennzeichnet,
dass sie eine Einrichtung zur Zerkleinerung von kleinstteiligem Reinstsili aufweist.
Verwendung nach einem der Ansprüche 12 bis 14,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Zuleitung für kleinstteiliges Reinstsilicium die Zuleitung für
Chlorwasserstoff-haltiges Gas ist, die zumindest eine unterhalb des Festbetts angeordnete Zulauföffnung aufweist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019068336A1 (de) 2017-10-05 2019-04-11 Wacker Chemie Ag Verfahren zur herstellung von chlorsilanen unter verwendung eines katalysators ausgewählt aus der gruppe co, mo, w

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017062571A2 (en) 2015-10-09 2017-04-13 Milwaukee Silicon, Llc Purified silicon, devices and systems for producing same
TWI820056B (zh) * 2017-11-20 2023-11-01 日商德山股份有限公司 反應裝置及三氯矽烷的製造方法
WO2019154502A1 (de) * 2018-02-08 2019-08-15 Wacker Chemie Ag Verfahren zur klassifizierung von metallurgischem silicium
EP3781519B1 (de) * 2018-04-18 2022-09-28 Wacker Chemie AG Verfahren zur herstellung von chlorsilanen
EP3919441B1 (de) * 2019-03-05 2023-07-26 Tokuyama Corporation Chlorsilanherstellungsverfahren
WO2025051359A1 (en) 2023-09-06 2025-03-13 Zadient Technologies SAS Method and system for sic production and improved vent gas recycling
WO2025051358A1 (en) 2023-09-06 2025-03-13 Zadient Technologies SAS Method and system for sic production and improved vent gas recycling

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19624097A1 (de) * 1995-06-26 1997-01-02 Gen Electric Verfahren zum Passivieren von feinteiligem Material des Organochlorsilan-Reaktors und Wiedergewinnen von Chlorsilan daraus
US20050226803A1 (en) 2004-04-08 2005-10-13 Wacker-Chemie Gmbh Process for preparing trichloromonosilane
DE102004059191A1 (de) * 2004-12-09 2006-06-22 Degussa Ag Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen
US20070231236A1 (en) 2004-05-19 2007-10-04 Kimihiko Kajimoto Method of Producing Halosilane and Method of Purifying Solid Fraction
WO2008133525A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Norsk Hydro Asa A process for the recycling of high purity silicon metal
WO2010017231A1 (en) * 2008-08-04 2010-02-11 Hariharan Alleppey V Method to convert waste silicon to high purity silicon
WO2010127669A1 (de) * 2009-05-04 2010-11-11 Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh Verfahren zur aufbereitung von sägeabfällen zur rückgewinnung von silizium für die herstellung von solarsilizium

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5832011A (ja) * 1981-08-17 1983-02-24 Nippon Aerojiru Kk 珪素と塩化水素からトリクロルシランと四塩化珪素を製造する方法
US7754175B2 (en) * 2007-08-29 2010-07-13 Dynamic Engineering, Inc. Silicon and catalyst material preparation in a process for producing trichlorosilane
DE102009037155B3 (de) * 2009-08-04 2010-11-04 Schmid Silicon Technology Gmbh Verfahren und Anlage zur Herstellung von Trichlorsilan

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19624097A1 (de) * 1995-06-26 1997-01-02 Gen Electric Verfahren zum Passivieren von feinteiligem Material des Organochlorsilan-Reaktors und Wiedergewinnen von Chlorsilan daraus
US20050226803A1 (en) 2004-04-08 2005-10-13 Wacker-Chemie Gmbh Process for preparing trichloromonosilane
US20070231236A1 (en) 2004-05-19 2007-10-04 Kimihiko Kajimoto Method of Producing Halosilane and Method of Purifying Solid Fraction
DE102004059191A1 (de) * 2004-12-09 2006-06-22 Degussa Ag Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen
DE102004059191B4 (de) 2004-12-09 2010-07-01 Evonik Degussa Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen
WO2008133525A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Norsk Hydro Asa A process for the recycling of high purity silicon metal
WO2010017231A1 (en) * 2008-08-04 2010-02-11 Hariharan Alleppey V Method to convert waste silicon to high purity silicon
WO2010127669A1 (de) * 2009-05-04 2010-11-11 Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh Verfahren zur aufbereitung von sägeabfällen zur rückgewinnung von silizium für die herstellung von solarsilizium

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019068336A1 (de) 2017-10-05 2019-04-11 Wacker Chemie Ag Verfahren zur herstellung von chlorsilanen unter verwendung eines katalysators ausgewählt aus der gruppe co, mo, w
US11198613B2 (en) 2017-10-05 2021-12-14 Wacker Chemie Ag Process for producing chlorosilanes using a catalyst selected from the group of Co, Mo, W

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