KR100249540B1 - Mode selection circuit - Google Patents
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Abstract
어떠한 부가적인 입력단자도 구비하지 않고서도 반도체 칩의 동작모드를 선택하기 위한 모드 선택 회로를 제공함으로서 칩의 면적을 줄일 수 있는 본 발명의 모드 선택 회로는, 모드 선택 신호를 출력하는 제1인버터(1); 및 상기 제1인버터(1)의 모드 선택 신호 출력에 의해 제어되며, 레지스터(R1)과 커패시터(C1)에 의해 결정되는 시정수로 상승하는, 상기 제1인버터(1)를 제어하는 제어신호를 출력하는 제2인버터(2)로 이루어 진다.The mode selection circuit of the present invention which can reduce the area of a chip by providing a mode selection circuit for selecting an operation mode of a semiconductor chip without any additional input terminal includes a first inverter One); And a control signal for controlling the first inverter (1), which is controlled by the mode selection signal output of the first inverter (1) and rises to a time constant determined by the resistor (R1) and the capacitor (C1) And a second inverter (2) for outputting.
Description
본 발명은 반도체 칩상에 설치되어 반도체 칩의 동작모드를 선택하는 모드 선택 회로에 관한 것으로서, 특히 전원전압의 상승시간에 응해 동작모드를 선택하는 제어신호를 발생하기 위한 모드 선택 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mode selection circuit provided on a semiconductor chip to select an operation mode of a semiconductor chip, and more particularly to a mode selection circuit for generating a control signal for selecting an operation mode in response to a rise time of a power supply voltage.
도6은, 반도체 칩(110)상에 설치되어, 전용의 입력단자(14)의 상태에 따라 인터페이스 회로(12)를 통해 내부회로(15)의 동작모드를 선택하기 위한 제어신호를 발생하는 종래의 모드 선택 회로(111)를 나타내는 블록도이다.6 is a circuit diagram of a conventional semiconductor chip 110 that generates a control signal for selecting an operation mode of the internal circuit 15 through the interface circuit 12 in accordance with the state of a dedicated input terminal 14, Fig. 2 is a block diagram showing a mode selection circuit 111 of Fig.
예컨데, 입력단자(14)가 하이레벨일 경우, 도6의 모드 선택 회로(111)는 인터페이스 회로(12)를 통하여, 하이레벨의 제어신호를 발생하여, 내부회로(15)가 테스트모드에서 작동하도록 제어하는 한편, 입력단자(14)가 접지될 경우, 로우레벨의 제어신호를 발생하여, 내부회로(15)가 통상의 동작모드에서 작동하도록 제어한다.For example, when the input terminal 14 is at the high level, the mode selection circuit 111 of FIG. 6 generates a high level control signal through the interface circuit 12 so that the internal circuit 15 operates in the test mode While when the input terminal 14 is grounded, a low level control signal is generated to control the internal circuit 15 to operate in a normal operation mode.
도6의 종래의 기술에서는, 모드 선택을 위한 전용의 입력단자(14)가 설치되야 하므로, 반도체 칩상에 이를 위한 공간이 확보되야 한다.In the conventional technique of FIG. 6, a dedicated input terminal 14 for mode selection must be provided, so that a space must be secured on the semiconductor chip.
공간을 절약하기 위한 종래기술로서, 일본국 특허공개 공보 제195719/1990 호 또는 일본국 특허공개 공보 제160416/1992호에는, 입력단자를 부가적으로 설치하지 않고, 모드 선택용 제어 신호(이하에서는, 단지 모드 선택 신호라고 칭한다)를 발생하는 기술이 개시되어 있다.As a conventional technique for saving space, Japanese Patent Application Laid-Open No. 195719/1990 or Japanese Patent Laid-Open Publication No. 160416/1992 discloses a technique for providing a mode selection control signal , Only a mode selection signal) is generated.
도7은 일본국 특허공개 공보 제195719/1990 호에 개시된 회로도를 나타낸 것으로서, 여기서는, 입력단자(101)로 공급된 특정신호가 9개의 D 형 플립-플롭(105 ~ 113)와, 5개의 인버터(114 ~ 118)및, 2개의 NOR 게이트(119, 120)를 갖는 검출기에 의해 검출되어, RS 형 플립-플롭(124)을 갖는 레지스터에 의해 래치된 검출기의 출력에 따라, AND 게이트(13)과 3개의 인버터(125 ~ 127)를 갖는 절환회로에 의해 입출력단자(129)를 제어하도록 되어 있다.7 shows a circuit diagram disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 195719/1990. In this example, a specific signal supplied to the input terminal 101 is divided into nine D-type flip-flops 105 to 113, five inverters Flop 124 and two NOR gates 119 and 120 and is coupled to the AND gate 13 in accordance with the output of the detector latched by the register having the RS type flip- Output terminal 129 is controlled by a switching circuit having three inverters 125 to 127. [
따라서, 입출력 단자(129)는, 특정신호를 입력단자(101, 102)에 공급하므로서, 어떠한 부가적인 입력단자 없이도; 배선(128)으로부터 공급되는 출력신호 또는 배선(131)에 공급될 입력 신호로 절환될 수 있다.Thus, the input / output terminal 129 can supply a specific signal to the input terminals 101 and 102, without any additional input terminals; The output signal supplied from the wiring 128 or the input signal to be supplied to the wiring 131 can be switched.
일본국 특허공개 공보 제160516/1992호에는, 도8의 모드 선택 회로가 개시되어 있으며, 여기에서는, 입력단자(202)로 공급되는 입력신호의 논리를 래치하고 모드입력신호(214)와 동일한 논리를 내부회로(211)에 출력하는 래치회로(204)를 인에이블시키기 위해, 전원전압이 전원단자(201)로부터 공급될때, 2개의 인버터(206), 2개의 커패시터(207), 레지스터(209), AND 게이트(210)를 갖는 기입신호 발생기(203)가 단일의 기입 펄스를 발생한다.Japanese Patent Application Laid-Open No. 160516/1992 discloses a mode selection circuit of Fig. 8 in which the logic of the input signal supplied to the input terminal 202 is latched and the same logic as the mode input signal 214 Two capacitors 207, and a resistor 209 when a power supply voltage is supplied from the power supply terminal 201 in order to enable the latch circuit 204 for outputting the power supply voltage to the internal circuit 211, , And the write signal generator 203 having the AND gate 210 generates a single write pulse.
따라서, 입력단자(202)로 공급된 입력신호는, 부가적인 입력단자가 없어도, 입력신호의 최초의 논리에 의해 결정된 모드 선택 신호에 의해 선택된 모드에 따라 내부회로(211)에서 처리될 수 있다.Therefore, the input signal supplied to the input terminal 202 can be processed in the internal circuit 211 according to the mode selected by the mode selection signal determined by the initial logic of the input signal, even if there is no additional input terminal.
상기한 일본국 공보들에 개시된 종래기술에 있어서는, 모드 선택을 위해 어떠한 부가적인 입력단자도 필요하지 않지만, 그 대신, 상당량의 회로소자의 설치가 요구되며, 그에 따라 반도체의 칩 크기의 증대를 초래한다.In the prior art disclosed in the above-mentioned Japanese publications, no additional input terminal is required for mode selection, but instead, a considerable amount of circuit elements are required to be installed, resulting in an increase in the chip size of the semiconductor do.
따라서, 본 발명의 주 목적은 어떠한 부가적인 입력단자도 설치하지 않고도, 반도체 칩의 크기의 최소화를 꾀하면서, 반도체 칩의 동작모드의 선택이 가능한 모드 선택 회로를 제공하는 것이다.Therefore, the main object of the present invention is to provide a mode selection circuit capable of selecting the operation mode of the semiconductor chip while minimizing the size of the semiconductor chip without providing any additional input terminal.
도1은 본 발명의 일 실시예를 나타내는 회로도.1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention;
도2a는 도1의 실시예의 동작을 설명하는 타이밍 챠트.FIG. 2A is a timing chart illustrating the operation of the embodiment of FIG. 1; FIG.
도2b는 도1의 실시예의 동작을 설명하는 또 다른 타이밍 챠트.FIG. 2B is another timing chart illustrating the operation of the embodiment of FIG. 1; FIG.
도3은 도1에 도시된 회로구성을 모드 선택 회로(11)로 적용시킨 반도체 칩(10)의 일 실시예를 나타내는 블록도.3 is a block diagram showing an embodiment of a semiconductor chip 10 to which the circuit configuration shown in Fig. 1 is applied to the mode selection circuit 11. Fig.
도4는 각각이 도1에 도시된 실시예와 동일 구성을 갖는 복수개의 모드 선택 회로(11-1 ~ 11-n)로 이루어진 반도체 칩(13)의 또 다른 실시예를 나타내는 블록도.4 is a block diagram showing another embodiment of the semiconductor chip 13 including a plurality of mode selection circuits 11-1 to 11-n each having the same configuration as the embodiment shown in Fig.
도5는 상이한 시정수(CR1 ~ CRn)를 갖고 상승하는 전원전압을 나타내는 타이밍 챠트.5 is a timing chart showing a power supply voltage rising with different time constants CR1 to CRn.
도6은 종래의 모드 선택 회로(111)가 설치된 반도체 칩(110)을 나타내는 블록도.6 is a block diagram showing a semiconductor chip 110 in which a conventional mode selection circuit 111 is installed.
도7은 일본국 특허공개 공보 제195719/1990호에 개시된 회로도.7 is a circuit diagram disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 195719/1990.
도8은 일본국 특허공개 공보 제160416/1992호에 개시된 종래의 모드 선택 회로를 나타내는 회로도.8 is a circuit diagram showing a conventional mode selection circuit disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 160416/1992.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
1 : 제1인버터 2: 제2인버터1: first inverter 2: second inverter
10 : 반도체 칩 11,11-1,11-2,11-3,… ,11-n : 모드선택회로10: semiconductor chips 11, 11-1, 11-2, 11-3, ... , 11-n: Mode selection circuit
12, 16 : 인터페이스 회로 14 : 입력단자12, 16: Interface circuit 14: Input terminal
15, 17 : 내부회로15, 17: Internal circuit
상기한 목적을 달성하기 위하여, 선택적으로 제1시정수 또는 제2시정수로 상승되는 전원에 의해 작동하는 1 이상의 모드 선택 장치를 구비하며, 상기 1 이상의 모드 선택 장치 각각은 전원과 접지 사이에 연결되고, 모드선택신호를 출력하는 제1인버터와 전원과 접지 사이에 연결되고, 제1인버터로부터 출력되는 모드선택신호를 입력으로 하고, 출력신호를 제1인버터의 입력신호로 하는 제2인버터 및 제2인버터로의 출력단과 접지 사이에 연결되어 제2인버터가 제1시정수 보다는 크고 제2시정수보다는 작거나 동일한 시정수를 갖도록 하는 수동소자를 구비함으로써, 전원이 제1시정수와 제2시정수로 상승할 때 제1인버터가 각각 상이한 모드선택신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 모드 선택 회로에 의해서 달성가능하다.In order to achieve the above-mentioned object, there is provided a power supply apparatus for a vehicle, comprising at least one mode selection apparatus operated by a power source which is selectively raised to a first time constant or a second time constant, A second inverter connected between the power source and the ground for inputting a mode selection signal output from the first inverter and an output signal as an input signal to the first inverter; And a passive element connected between the output terminal to the two inverters and the ground so that the second inverter has a time constant greater than the first time constant and less than or equal to the second time constant, And the first inverter outputs a different mode selection signal when the number of the first inverters increases.
본 발명의 추가의 목적과, 특징 및 장점은, 하기에 서술되는 상세한 설명과, 첨부의 특허청구의 범위 및, 동일 및 대응되는 구성요소를 동일 도면부호로 표시한 첨부도면으로부터 더욱 명확해 질 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Further objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description set forth below, the appended claims, and the accompanying drawings, wherein like reference numerals are used to designate identical and corresponding components .
이하, 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 대해 설명키로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도1은, 본 발명의 일 실시예를 나타내는 회로도로서, 이 실시예의 모드 선택 회로는, 전원(Vcc)과 그라운드(GND)사이에 직렬로 접속된 pMOS트랜지스터(P1)와 제1nMOS트랜지스터(N1)로 이루어 지며, 이들의 게이트들에 함께 접속된 노드(A)의 논리의 역논리를 갖는 모드 선택 신호를, pMOS트랜지스터(P1)의 드레인과 제1nMOS트랜지스터(N1)의 드레인의 접점에 접속된 출력단자(OUT)로부터 출력하는 제1인버터(1)와, 소오스가 접지되어 있고, 출력단자(OUT)로부터 게이트로 공급되는 논리의 역논리를, 레지스터(R1)를 통해 전원(Vcc)에 연결되고 노드(A)에 접속되어 있는 드레인으로부터 출력하도록 된 제2nMOS트랜지스터를 갖는, 제2인버터(2)및, 노드(A)와 그라운드(GRD)사이에 설치된 커패시터(C1)로 이루어 진다.1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. The mode selection circuit of this embodiment includes a pMOS transistor P1 and a first nMOS transistor N1 which are connected in series between a power supply Vcc and a ground GND. And outputs a mode selection signal having the logic inverted logic of the node A connected to the gates thereof to the output connected to the drain of the pMOS transistor P1 and the drain of the first nMOS transistor N1 The reverse logic of the logic of the first inverter 1 outputting from the terminal OUT and the logic supplied from the output terminal OUT to the ground is connected to the power source Vcc through the resistor R1 A second inverter 2 having a second nMOS transistor to be outputted from a drain connected to the node A and a capacitor C1 provided between the node A and the ground GRD.
도2a와 도2b는 도1의 실시예의 동작을 나타내는 타이밍 챠트이다.2A and 2B are timing charts showing the operation of the embodiment of FIG.
도2a를 참조하면, 전원(Vcc)이 레지스터(R1)와 커패시터(C1)에 의해 결정되는 시정수보다 짧은 시정수로 상승할 경우, 노드(A)의 전위(Va)는 전원(Vcc)을 추종할 수가 없으며, 그에 따라, 전위(Va)와 전원(Vcc)사이의 전위차(V)는 서서히 증가한다.2A, when the power supply Vcc rises to a time constant shorter than the time constant determined by the resistor R1 and the capacitor C1, the potential Va of the node A is lower than the power supply Vcc The potential difference between the potential Va and the power source Vcc (i.e., V) gradually increases.
전위차(V)가 pMOS트랜지스터(P1)의 임계전압(Vth)을 초과할 경우, pMOS트랜지스터(P1)는 온(ON)이 되어, 제2nMOS트랜지스터(N2)의 게이트 전위를 하이레벨 즉, 전원(Vcc)의 전위레벨로 만들거나, 전위(Va)가 제1nMOS트랜지스터의 임계전압을 초과하는 경우 제1nMOS트랜지스터(N1)와 pMOS트랜지스터(P1)의 온-저항에 의해 분기되는 전위레벨로 만들므로, 상기 전위레벨은 제2nMOS트랜지스터를 온 시킨다.Potential difference ( The pMOS transistor P1 is turned on and the gate potential of the second nMOS transistor N2 is set to the high level, that is, the power supply voltage Vcc, when the gate voltage of the pMOS transistor P1 exceeds the threshold voltage Vth of the pMOS transistor P1. Or a potential level that is branched by the on-resistance of the first nMOS transistor N1 and the pMOS transistor P1 when the potential Va exceeds the threshold voltage of the first nMOS transistor, Level turns on the second nMOS transistor.
따라서, 전위(Va)가 로우레벨로 변환되어 모드 선택 신호를 하이레벨로 변환시키고, 노드(A)의 전위(Va)은 로우레벨에서 안정적으로 유지된다.Therefore, the potential Va is converted to the low level to convert the mode selection signal to the high level, and the potential Va of the node A is stably maintained at the low level.
한편, 전원(Vcc)이 레지스터(R1)와 커패시터(C1)에 의해 결정되는 시정수보다 긴 시정수로 상승하도록 제어된 경우에는, 도 2b 에 도시된 바와 같이, 노드(A)의 전위(Va)는 전원(Vcc)을 따라서 상승하여, 제1nMOS트랜지스터(N1)를 온 시킨다. 그에 따라, 출력단자(OUT)의 모드 선택 신호 출력은 로우레벨을 유지하게 되며, 제2nMOS트랜지스터(N2)의 게이트를 오프시켜, 노드(A)의 전압(Va)을 하이레벨에서 유지하게 된다.On the other hand, when the power source Vcc is controlled to rise to a time constant longer than the time constant determined by the resistor R1 and the capacitor C1, the potential Va of the node A Rises along the power supply Vcc to turn on the first nMOS transistor N1. Thus, the mode selection signal output of the output terminal OUT is maintained at the low level, and the gate of the second nMOS transistor N2 is turned off to maintain the voltage Va of the node A at the high level.
따라서, 본 발명의 모드 선택 회로에 있어서는, 검출되야할 입력신호를 공급하기 위한 어떠한 입력단자도 부가하지 않고도, 3개의 MOS트랜지스터(P1, N1및 N2)와, 레지스터(R1)및, 커패시터(C1)로 구성되는 2개의 인버터만을 이용하여, 전원(Vcc)의 상승 시정수에 따라 결정되는 모드 선택 신호에 의해 동작모드를 선택할 수 있으며, 그에 따라, 전술한 일본국 특허 공개 제195719/1990호 와 제160416/1992호의 공보들에 개시된 종래기술에 비해, 반도체 칩의 크기의 증대를 수반하지 않는다.Therefore, in the mode selection circuit of the present invention, three MOS transistors P1, N1, and N2, a resistor R1, and a capacitor C1 (not shown) are provided without any input terminal for supplying an input signal to be detected, , The operation mode can be selected by the mode selection signal determined according to the rise time constant of the power source Vcc. Accordingly, in the above-described Japanese Patent Laid-Open Nos. 195719/1990 As compared with the prior art disclosed in the publications of Japanese Patent No. 160416/1992.
지금까지, 도1의 실시예에 의거하여, 본 발명의 정(positive)의 전원(Vcc)이 공급되는 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명의 범위내에서 다양한 변형이 가능함은 말할 필요도 없다. 예를 들어, 부(negative)의 전원이 사용될 경우, 제2nMOS트랜지스터(N1)를 pMOS트랜지스터로 대체하고, pMOS트랜지스터(P1)와 제1nMOS트랜지스터(N1)를 서로 교체하므로서, 유사한 모드 선택 회로를 제공할 수 있다.Although the positive power source Vcc of the present invention has been described so far based on the embodiment of FIG. 1, it goes without saying that various modifications are possible within the scope of the present invention. For example, when a negative power supply is used, a similar mode selection circuit is provided by replacing the second nMOS transistor N1 with a pMOS transistor and interchanging the pMOS transistor P1 and the first nMOS transistor N1 can do.
도3은, 도1에 도시된 회로구성이 모드 선택 회로(11)에 적용되어, 공급되는 전원의 상승 시정수에 따라 인터페이스 회로(12)를 통해 내부 회로(15)를 제어하기 위한, 2개의 상태(하이레벨 과 로우레벨)를 갖는 모드 선택 신호를 발생시키는 반도체 칩의 실시예를 나타내고 있는 블록도이다.3 is a circuit diagram showing the configuration of the circuit shown in Fig. 1 applied to the mode selection circuit 11 and for controlling the internal circuit 15 through the interface circuit 12 in accordance with the rising time constant of the supplied power supply. Is a block diagram showing an embodiment of a semiconductor chip for generating a mode selection signal having a state (high level and low level).
도4는, 각각, 도1과 동일한 구성이지만 상이한 시정수를 제공하도록 된 레지스터와 커패시터를 갖는 복수개의 모드 선택 장치(11-1 ~ 11-n)로 이루어진 반도체 칩(13)의 또 다른 실시예를 나타내는 블록도이다.4 shows another embodiment of the semiconductor chip 13 composed of a plurality of mode selection devices 11-1 to 11-n having the same configuration as in Fig. 1 but having a register and a capacitor which are provided with different time constants Fig.
도5의 타이밍 챠트에 예시된 시정수들(CR1 ~ CRn)중 일 시정수로 상승하는 전원을 공급하므로써, 복수개의 모드 선택 장치(11-1 ~ 11-n)의 모드 선택 신호 출력의 논리에 따라 인터페이스 회로(16)에 의해 발생되는 제어신호에 의해 제어하여, 내부회로(17)의 복수개의 동작모드, 예를 들어, 상이한 테스트모드 및 통상의 동작모드들로부터 대응되는 동작모드를 선택하는 것이 가능하다.By supplying power from the time constants CR1 to CRn exemplified in the timing chart of Fig. 5 that rise by one time constant to the logic of the mode selection signal output of the plurality of mode selection devices 11-1 to 11-n And then control by the control signal generated by the interface circuit 16 to select a corresponding operation mode from a plurality of operation modes of the internal circuit 17, for example, different test modes and normal operation modes It is possible.
전술한 바의 본 발명의 구성에 의해, 어떠한 부가적인 입력단자도 갖지 않고도, 반도체 칩의 동작모드를 선택하는 모드 선택 회로를 제공하므로써, 반도체 칩의 크기를 최소화 할 수 있다.According to the configuration of the present invention described above, the size of the semiconductor chip can be minimized by providing a mode selection circuit for selecting the operation mode of the semiconductor chip without any additional input terminal.
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