JP2009129934A - Stem for optical semiconductor device - Google Patents

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Abstract

【課題】リード端子をガラス封着性と熱伝導性とを兼ね備えた構造として、光半導体素子の動作に伴う熱を効率良く放熱できる光半導体装置用ステムを提供すること。
【解決手段】リード端子挿通穴１４が形成された金属ベース１とリード端子挿通穴１４に挿通されたリード端子２とがガラスからなる絶縁材３にて封着され、リード端子２の軸芯部をロール状に覆う外側面部にガラス封着が良好な第一の金属２１からなり、第一の金属２１で覆われた軸芯部が熱伝導に優れた第二の金属２２からなることで、ガラス封着性を損なうことなく、放熱性を良好なものとする。
【選択図】図１To provide a stem for an optical semiconductor device capable of efficiently dissipating heat accompanying the operation of an optical semiconductor element, with a lead terminal having a glass sealing property and thermal conductivity.
A metal base 1 having lead terminal insertion holes 14 and a lead terminal 2 inserted through the lead terminal insertion holes 14 are sealed with an insulating material 3 made of glass. The outer surface portion that covers in a roll shape is made of the first metal 21 with good glass sealing, and the shaft core portion covered with the first metal 21 is made of the second metal 22 having excellent heat conduction, Heat dissipation is improved without impairing the glass sealing property.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、光半導体素子を気密封止するために用いられる光半導体装置用ステムに関し、金属ベースとリード端子とを絶縁材を介して気密封着した気密端子の技術に係るものである。   The present invention relates to a stem for an optical semiconductor device used for hermetically sealing an optical semiconductor element, and relates to a technique of an airtight terminal in which a metal base and a lead terminal are hermetically sealed via an insulating material.

元来の気密端子としては、金属ベースに挿通穴を形成し、この挿通穴にリード端子を挿通し、電気絶縁を兼ねるガラス等の絶縁材が金属ベースとリード端子との間を気密封着するものがある。   As an original airtight terminal, an insertion hole is formed in a metal base, a lead terminal is inserted into the insertion hole, and an insulating material such as glass that also serves as electric insulation is hermetically sealed between the metal base and the lead terminal. There is something.

図３は上述した気密端子の一例を示すものであり、１００は金属ベース、１０１はベース天板部、１０２は円筒部、１０３はフランジ部、１０４はリード端子挿通穴、２００はリード端子、３００は絶縁材を各々示している。   FIG. 3 shows an example of the above-described hermetic terminal, wherein 100 is a metal base, 101 is a base top plate portion, 102 is a cylindrical portion, 103 is a flange portion, 104 is a lead terminal insertion hole, 200 is a lead terminal, 300 Indicates an insulating material.

図３に示すように、気密端子は金属ベース１００にリード端子２００を絶縁材３００で気密封着してなる。シェル状を成す金属ベース１００は、中央にベース天板部１０１を有し、この天板部１０１から表裏の一方側へ垂直方向に円筒部１０２が延在し、円筒部１０２から外側へ水平方向にフランジ部１０３が延在している。   As shown in FIG. 3, the hermetic terminal is formed by hermetically sealing a lead terminal 200 to a metal base 100 with an insulating material 300. A metal base 100 having a shell shape has a base top plate portion 101 at the center, and a cylindrical portion 102 extends vertically from the top plate portion 101 to one side of the front and back, and horizontally from the cylindrical portion 102 to the outside. The flange portion 103 extends in the middle.

ベース天板部１０１は所定部に表裏に貫通するリード端子挿通穴１０４が形成してあり、リード端子２００がリード端子挿通穴１０４を挿通している。円筒部１０２とベース天板部１０１とで囲まれた金属ベース１００の空所にはガラス等の絶縁材３００が満たしてあり、絶縁材３００はリード端子挿通穴１０４を満たすとともに、金属ベース１００とリード端子２００との間を電気絶縁を兼ねて気密封着している。   The base top plate portion 101 is formed with lead terminal insertion holes 104 penetrating front and back at predetermined portions, and the lead terminals 200 are inserted through the lead terminal insertion holes 104. The space of the metal base 100 surrounded by the cylindrical portion 102 and the base top plate portion 101 is filled with an insulating material 300 such as glass, and the insulating material 300 fills the lead terminal insertion hole 104 and the metal base 100. The lead terminal 200 is hermetically sealed for electrical insulation.

この様な気密端子の一般的な使用形態は以下のようなものである。ベース天板部１０１の上に例えば半導体素子（図示せず）を搭載し、この半導体素子とリード端子２００の金属ベース１００の上に突出した部分との間にＡｕやＡｌ等の導電性ワイヤー（図示せず）を配線し、金属ベース１００を雄型として雄雌形状で整合する雌型をなす金属キャップ（図示せず）を金属ベース１００にキャッピングし、金属キャップ（図示せず）とフランジ部１０３とを、ロー材でロー付けし、あるいは電気熔接で熔接する等の方法により半導体素子（図示せず）を気密封止する。   The general usage of such a hermetic terminal is as follows. For example, a semiconductor element (not shown) is mounted on the base top plate portion 101, and a conductive wire (such as Au or Al) between the semiconductor element and a portion of the lead terminal 200 protruding on the metal base 100 is provided. A metal cap (not shown) forming a female shape that matches the male and female shapes with the metal base 100 as a male die is capped on the metal base 100, and the metal cap (not shown) and the flange portion are connected. The semiconductor element (not shown) is hermetically sealed by a method such as brazing with a brazing material 103 or welding by electric welding.

半導体素子（図示せず）を動作させる際には、リード端子２００を介して通電し、生ずる損失に伴う熱は、最終的には大気に放熱する。しかしながら、リード端子２００は配線基板（図示せず）に実装されており、この構成では配線基板（図示せず）を放熱板とみなすことができるので、リード端子２００の熱伝導性は放熱性を決定する大きなファクターの一つである。   When a semiconductor element (not shown) is operated, current is passed through the lead terminal 200, and the heat accompanying the generated loss is finally dissipated to the atmosphere. However, the lead terminal 200 is mounted on a wiring board (not shown), and in this configuration, the wiring board (not shown) can be regarded as a heat radiating plate. It is one of the big factors to decide.

リード端子２００の材質は、絶縁材３００がガラスである場合には、ガラスとの良好な封着を得ることに適した金属材料としてコバール合金（Ｆｅ−２５〜３５Ｎｉ−１５〜２５Ｃｏ）、１５〜３０Ｃｒ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−４０〜５５Ｎｉ−３〜８Ｃｒ合金等のガラス封着合金と称されるものであった。これらの合金は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ又はそれらの合金に比して熱伝導率が低いので気密端子として放熱性に劣るものであった。   When the insulating material 300 is glass, the lead terminal 200 is made of a Kovar alloy (Fe-25 to 35Ni-15 to 25Co), 15 to 15 as a metal material suitable for obtaining a good seal with glass. It was called a glass sealing alloy such as 30Cr—Fe alloy, Fe-40 to 55Ni-3 to 8Cr alloy. Since these alloys have a lower thermal conductivity than Fe, Ni, Cu or their alloys, they are inferior in heat dissipation as airtight terminals.

この問題に鑑みてリード端子の熱伝導性を向上させる従来の気密端子として、リード端子の絶縁材で封着された側と、その反対側とを異なる金属材で形成するものがあった。これには、例えば、特許文献１に記載するものがある。   In view of this problem, as a conventional airtight terminal for improving the thermal conductivity of the lead terminal, there is one in which the side sealed with the insulating material of the lead terminal and the opposite side are formed of different metal materials. For example, there is one described in Patent Document 1.

図４は、特許文献１に記載された従来の気密端子を示すものである。図４において、２０１はリード端子、２０２はインナー側リード部、２０３はアウター側リード部を示しており、図３と同じ構成要素については同じ符号を用いてその説明を省略する。   FIG. 4 shows a conventional hermetic terminal described in Patent Document 1. In FIG. 4, 201 denotes a lead terminal, 202 denotes an inner side lead portion, and 203 denotes an outer side lead portion. The same components as those in FIG.

図４に示す従来の気密端子において、リード端子２０１はガラスからなる絶縁材３００で封着された側のインナー側リード部２０２が上述したガラス封着合金からなり、反対側のアウター側リード部２０３がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ又はそれらの合金からなり、両者を繋げて形成したものである。   In the conventional hermetic terminal shown in FIG. 4, the lead terminal 201 has the inner side lead portion 202 sealed with the insulating material 300 made of glass made of the glass sealing alloy described above, and the outer side lead portion 203 on the opposite side. Is made of Fe, Ni, Cu or an alloy thereof and is formed by connecting the two.

この構成によれば、リード端子２０１はインナー側リード部２０２をガラス封着合金で形成することでガラスからなる絶縁材３００との良好な封着を得ることができ、残りの部分であるアウター側リード部２０３をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ又はそれらの合金で形成することでガラス封着合金よりも高い熱伝導率を実現している。このため、リード端子２０１全体としては、図３に示した構成、つまり全体がガラス封着金属からなるリード端子２００を用いる構成よりも、熱伝導率を向上させ、元来の気密端子よりも放熱性を向上することができた。
特開昭５８−２２３２７４号公報 According to this configuration, the lead terminal 201 can obtain good sealing with the insulating material 300 made of glass by forming the inner side lead portion 202 with a glass sealing alloy, and the outer side which is the remaining portion. The lead portion 203 is formed of Fe, Ni, Cu, or an alloy thereof, thereby realizing a higher thermal conductivity than that of the glass sealing alloy. For this reason, the lead terminal 201 as a whole has a higher thermal conductivity than the configuration shown in FIG. 3, that is, the configuration using the lead terminal 200 made entirely of glass-sealed metal, and radiates heat more than the original airtight terminal. I was able to improve.
JP 58-223274 A

ところで、光半導体装置においても近年は高輝度化が進み、搭載される光半導体素子の発熱量の増加が顕著であり、光半導体装置としては更に放熱性の良好な光半導体用ステムが望まれる。   By the way, also in the optical semiconductor device, in recent years, the increase in luminance has progressed, and the amount of heat generated from the mounted optical semiconductor element has increased remarkably.

しかしながら、上述した従来の構成では、ガラスからなる絶縁材で封着されるインナー側リード部をガラス封着合金で形成することが制約となり、ガラス封着金属の存在が熱伝導のボトルネックと成って、アウター側リード部を形成するＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ又はそれらの合金の熱伝導率を充分に生かし切った放熱性が得られないという課題を有していた。   However, in the conventional configuration described above, it is a restriction that the inner lead portion sealed with the insulating material made of glass is formed of a glass sealing alloy, and the presence of the glass sealing metal becomes a bottleneck for heat conduction. Thus, there has been a problem in that heat dissipation that fully utilizes the thermal conductivity of Fe, Ni, Cu, or an alloy thereof forming the outer lead portion cannot be obtained.

本発明は、上記した従来の課題を解決するものであり、リード端子に熱伝導のボトルネックが存在することがなく、より良好な放熱性を有する光半導体装置用ステムおよび光半導体装置を提供することを目的とする。   The present invention solves the above-described conventional problems, and provides a stem for an optical semiconductor device and an optical semiconductor device having better heat dissipation without the presence of a heat conduction bottleneck in a lead terminal. For the purpose.

上記課題を解決するために、本発明の光半導体装置用ステムは、金属ベースにリード端子挿通穴が形成され、前記リード端子挿通穴にリード端子が挿通され、前記金属ベースと前記リード端子とがガラスから成る絶縁材で封着され、前記金属ベースの上に素子搭載部を有した光半導体装置用ステムであって、前記リード端子が軸芯部と前記軸芯部をロール状に覆って軸心方向に沿って延在する外側面部とからなり、前記外側面部と前記軸芯部とが異なる金属材料からなることを特徴とする。   In order to solve the above problems, in the stem for an optical semiconductor device of the present invention, a lead terminal insertion hole is formed in a metal base, a lead terminal is inserted into the lead terminal insertion hole, and the metal base and the lead terminal are connected to each other. An optical semiconductor device stem sealed with an insulating material made of glass and having an element mounting portion on the metal base, wherein the lead terminal covers the shaft core portion and the shaft core portion in a roll shape. The outer surface portion extends along the center direction, and the outer surface portion and the shaft core portion are made of different metal materials.

また、前記リード端子は、前記外側面部をなす第一の金属材料がガラス封着合金からなり、前記軸芯部をなす第二の金属材料が第一の金属材料よりも高い熱伝導率を有する合金からなることを特徴とする。   In the lead terminal, the first metal material forming the outer surface portion is made of a glass sealing alloy, and the second metal material forming the shaft core portion has a higher thermal conductivity than the first metal material. It is made of an alloy.

また、前記第一の金属材料がコバール合金（Ｆｅ−２５〜３５Ｎｉ−１５〜２５Ｃｏ）、１５〜３０Ｃｒ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−４０〜５５Ｎｉ−３〜８Ｃｒ合金の何れかであり、第二の金属材料がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ又はそれらの合金からなることを特徴とする。   Further, the first metal material is a Kovar alloy (Fe-25-35Ni-15-25Co), 15-30Cr-Fe alloy, or Fe-40-55Ni-3-8Cr alloy, and the second metal The material is made of Fe, Ni, Cu or an alloy thereof.

本発明によれば、リード端子の軸芯部に熱伝導率に優れた金属材料であるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ又はそれらの合金を配置し、軸芯部を覆う外側面部にガラス封着合金を配置することで、外側面部の第一の金属材料によってガラスからなる絶縁材との良好な封着を実現し、リード端子の一方の端から他方の端まで貫通する軸芯部の第二の金属材料によって熱伝導のボトルネックが存在しない構造を実現して、熱伝導率を充分に生かし切った放熱性を得ることができ、より高出力高輝度な光半導体装置に用いることが可能な光半導体装置用ステムとすることができる。   According to the present invention, Fe, Ni, Cu, or an alloy thereof, which is a metal material having excellent thermal conductivity, is disposed on the shaft core portion of the lead terminal, and a glass sealing alloy is disposed on the outer surface portion covering the shaft core portion. Thus, the second metal material of the shaft core part that achieves good sealing with the insulating material made of glass by the first metal material of the outer surface part and penetrates from one end of the lead terminal to the other end Realizes a structure that does not have a heat conduction bottleneck, and can obtain heat dissipation that makes full use of the thermal conductivity, and can be used for an optical semiconductor device with higher output and higher brightness. Stem.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施の形態における光半導体装置用ステムの断面図である。図１において、１は金属ベース、２はリード端子、３は絶縁材、４は素子搭載部、１１はベース天板部、１２は円筒部、１３はフランジ部、１４はリード端子挿通穴、２１は第一の金属材料、２２は第二の金属材料を各々示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a stem for an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a metal base, 2 is a lead terminal, 3 is an insulating material, 4 is an element mounting portion, 11 is a base top plate portion, 12 is a cylindrical portion, 13 is a flange portion, 14 is a lead terminal insertion hole, 21 Denotes a first metal material, and 22 denotes a second metal material.

図１において、光半導体装置用ステムは、金属ベース１にリード端子２を絶縁材３で気密封着したものである。シェル状を成す金属ベース１は中央にベース天板部１１を有しており、天板部１１から一方側へ垂直方向に円筒部１２が延在し、円筒部１２から外側へ水平方向にフランジ部１３が延在している。   In FIG. 1, the stem for an optical semiconductor device is obtained by hermetically sealing a lead terminal 2 with an insulating material 3 on a metal base 1. The metal base 1 having a shell shape has a base top plate portion 11 at the center, and a cylindrical portion 12 extends vertically from the top plate portion 11 to one side, and is horizontally flanged outward from the cylindrical portion 12. The part 13 extends.

ベース天板部１１はその所定部に表裏に貫通するリード端子挿通穴１４が形成してあり、リード端子２がリード端子挿通穴１４に挿通してある。金属ベース１の円筒部１２とベース天板部１１とで囲まれた空所を満たすガラスからなる絶縁材３が、リード端子挿通穴１４を満たすとともに、金属ベース１とリード端子２との間を電気絶縁を兼ねて気密封着している。また、ベース天板部１１の上には光半導体素子（図示せず）を塔載するための素子搭載部４が立設してある。   The base top plate portion 11 is formed with lead terminal insertion holes 14 penetrating the front and back at predetermined portions thereof, and the lead terminals 2 are inserted through the lead terminal insertion holes 14. An insulating material 3 made of glass that fills a space surrounded by the cylindrical portion 12 and the base top plate portion 11 of the metal base 1 fills the lead terminal insertion hole 14 and between the metal base 1 and the lead terminal 2. Hermetically sealed for electrical insulation. An element mounting portion 4 for mounting an optical semiconductor element (not shown) is erected on the base top plate portion 11.

リード端子２は、同芯状に配置する二つの金属材料からなり、軸芯部をロール状に覆ってリード端子２の外側面部をなす第一の金属材料２１がコバール合金（Ｆｅ−２５〜３５Ｎｉ−１５〜２５Ｃｏ）、１５〜３０Ｃｒ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−４０〜５５Ｎｉ−３〜８Ｃｒ合金等のガラス封着合金からなり、第一の金属材料２１で覆われる軸芯部をなす第二の金属材料２２が第一の金属材料２１よりも高い熱伝導率を有するＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ又はそれらの合金からなるものである。   The lead terminal 2 is made of two metal materials arranged concentrically, and the first metal material 21 that covers the shaft core portion in a roll shape and forms the outer surface portion of the lead terminal 2 is made of Kovar alloy (Fe-25-35Ni). 15-25Co), a second metal made of a glass sealing alloy such as 15-30Cr-Fe alloy, Fe-40-55Ni-3-8Cr alloy, etc., and forming an axial core portion covered with the first metal material 21 The material 22 is made of Fe, Ni, Cu, or an alloy thereof having a higher thermal conductivity than the first metal material 21.

この様な光半導体装置用ステムは、公知公用の方法で容易に製造することが可能である。即ち、組立治具を用いて組み立てた金属ベース１とリード端子２と絶縁材３とを加熱炉で加熱することにより絶縁材３で金属ベース１とリード端子２とを封着する。さらに、金属ベース１の所定の位置にロー材を介して素子搭載部４を載置し、治具で位置決めした状態で加熱炉により加熱して金属ベース１と素子載置部４とをロー付けする。尚、必要に応じて鍍金処理を施すと良い。   Such a stem for an optical semiconductor device can be easily manufactured by a publicly known method. That is, the metal base 1, the lead terminal 2, and the insulating material 3 assembled by using the assembly jig are heated in a heating furnace to seal the metal base 1 and the lead terminal 2 with the insulating material 3. Further, the element mounting portion 4 is placed on a predetermined position of the metal base 1 via a brazing material, and the metal base 1 and the element mounting portion 4 are brazed by heating with a heating furnace while being positioned by a jig. To do. In addition, it is good to perform a plating process as needed.

かかる構成によれば、リード端子２の軸芯部に沿った外側面部が第一の金属材料２１（ガラス封着合金）で覆われるので、ガラスからなる絶縁材３との良好な封着が得られる。リード端子２の第一の金属２１で覆われる軸芯部は、第一の金属材料２１よりも熱伝導率が高い第二の金属材料２２で形成されており、第二の金属材料２２がリード端子２の一方の端から他方の端まで連続して貫通する構造となる。   According to this configuration, since the outer surface portion along the axial core portion of the lead terminal 2 is covered with the first metal material 21 (glass sealing alloy), good sealing with the insulating material 3 made of glass is obtained. It is done. The shaft core portion covered with the first metal 21 of the lead terminal 2 is formed of a second metal material 22 having a higher thermal conductivity than the first metal material 21, and the second metal material 22 is a lead. The terminal 2 continuously penetrates from one end to the other end.

このため、リード端子２での熱伝導においてボトルネックが存在せず、第二の金属材料２２の熱伝導率を充分に生かし切った放熱性が得られ、素子搭載部４に搭載される光半導体素子（図示せず）の発する熱を従来よりも更に効率的に放熱することが可能となり、より高輝度な光半導体装置へ採用することが可能となる。   For this reason, there is no bottleneck in the heat conduction at the lead terminal 2, the heat dissipation that makes full use of the heat conductivity of the second metal material 22 is obtained, and the optical semiconductor mounted on the element mounting portion 4. Heat generated by an element (not shown) can be dissipated more efficiently than in the prior art, and can be employed in a higher-brightness optical semiconductor device.

なお、本実施の形態においては、金属ベース１としてシェル状のものを用いており、金属ベース１の円筒部１２とベース天板部１１とで囲まれる空所にガラスからなる絶縁材３を満たしてリード端子挿通穴１４に挿通させたリード端子２を封着する構成であるが、本発明はこれに限定されるものではない。   In the present embodiment, a shell-shaped metal base 1 is used, and a space surrounded by the cylindrical portion 12 and the base top plate portion 11 of the metal base 1 is filled with the insulating material 3 made of glass. The lead terminal 2 inserted through the lead terminal insertion hole 14 is sealed, but the present invention is not limited to this.

例えば、図２に示す様に、所定の板厚を有する円形平板状の金属板を金属ベース１として、その上面をベース天板部１１とし、側面を円筒部１２とし、円筒部１２の底部より水平に延在するフランジ１３を形成する。金属ベース１の所定部にリード端子２を挿通するためのリード端子挿通穴１４を貫通して形成し、リード端子挿通穴１４に挿通したリード端子２と金属ベース１とをガラスからなる絶縁材３で封着しても良い。   For example, as shown in FIG. 2, a circular plate-shaped metal plate having a predetermined plate thickness is used as the metal base 1, the top surface is the base top plate portion 11, the side surface is the cylindrical portion 12, and the bottom of the cylindrical portion 12 is A horizontally extending flange 13 is formed. An insulating material 3 made of glass is formed by penetrating through the lead terminal insertion hole 14 for inserting the lead terminal 2 into a predetermined portion of the metal base 1, and the lead terminal 2 inserted through the lead terminal insertion hole 14 and the metal base 1. It may be sealed with.

また、ベース天板部１１は素子搭載部４を載置する部分に凹部を有する形状としても良い。これによれば、同じ形状サイズの光半導体素子（図示せず）を搭載する場合には半導体装置の高さを低くすることが可能となる。   Further, the base top plate portion 11 may have a shape having a recess in a portion where the element mounting portion 4 is placed. This makes it possible to reduce the height of the semiconductor device when optical semiconductor elements (not shown) having the same shape and size are mounted.

さらに、リード端子２の線径とリード端子挿通穴１４の穴径とを調整し、金属ベース１の底面より突出するリード端子２の長さを短縮することで、表面実装型のものとしても良い。その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内であれば、変更実施が可能である事は言うまでもない。   Furthermore, by adjusting the wire diameter of the lead terminal 2 and the hole diameter of the lead terminal insertion hole 14 and shortening the length of the lead terminal 2 protruding from the bottom surface of the metal base 1, it may be a surface mount type. . In addition, it goes without saying that modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

本発明は光半導体装置に用いるステムとして有用であり、特に高出力高輝度な光半導体装置に適している。   The present invention is useful as a stem used in an optical semiconductor device, and is particularly suitable for an optical semiconductor device with high output and high brightness.

本発明の実施の形態における光半導体装置用ステムを示す断面図Sectional drawing which shows the stem for optical semiconductor devices in embodiment of this invention 本発明の他の実施の形態における光半導体装置用ステムを示す断面図Sectional drawing which shows the stem for optical semiconductor devices in other embodiment of this invention 従来の気密端子を示す断面図Sectional view showing a conventional hermetic terminal 従来の気密端子を示す断面図Sectional view showing a conventional hermetic terminal

符号の説明Explanation of symbols

１、１００ 金属ベース
２、２００、２０１ リード端子
３、３００ 絶縁材
４ 素子搭載部
１１、１０１ ベース天板部
１２、１０２ 円筒部
１３、１０３ フランジ部
１４、１０４ リード端子挿通穴
２１ 第一の金属材料
２２ 第二の金属材料
２０２ インナー側リード部
２０３ アウター側リード部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100 Metal base 2,200,201 Lead terminal 3,300 Insulation material 4 Element mounting part 11,101 Base top plate part 12,102 Cylindrical part 13,103 Flange part 14,104 Lead terminal insertion hole 21 First metal Material 22 Second metal material 202 Inner side lead portion 203 Outer side lead portion

Claims (4)

金属ベースにリード端子挿通穴が形成され、前記リード端子挿通穴にリード端子が挿通され、前記金属ベースと前記リード端子とがガラスから成る絶縁材で封着され、前記金属ベースの上に素子搭載部を有した光半導体装置用ステムであって、
前記リード端子が軸芯部と前記軸芯部をロール状に覆って軸心方向に沿って延在する外側面部とからなり、前記外側面部と前記軸芯部とが異なる金属材料からなることを特徴とする光半導体装置用ステム。 A lead terminal insertion hole is formed in the metal base, the lead terminal is inserted into the lead terminal insertion hole, the metal base and the lead terminal are sealed with an insulating material made of glass, and an element is mounted on the metal base A stem for an optical semiconductor device having a portion,
The lead terminal is composed of a shaft portion and an outer surface portion that covers the shaft portion in a roll shape and extends along the axial direction, and the outer surface portion and the shaft core portion are made of different metal materials. A stem for an optical semiconductor device. 前記リード端子は、前記外側面部をなす第一の金属材料がガラス封着合金からなり、前記軸芯部をなす第二の金属材料が第一の金属材料よりも高い熱伝導率を有する合金からなることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置用ステム。   In the lead terminal, the first metal material forming the outer surface portion is made of a glass sealing alloy, and the second metal material forming the shaft core portion is made of an alloy having a higher thermal conductivity than the first metal material. The stem for an optical semiconductor device according to claim 1, wherein: 前記第一の金属材料がコバール合金（Ｆｅ−２５〜３５Ｎｉ−１５〜２５Ｃｏ）、１５〜３０Ｃｒ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−４０〜５５Ｎｉ−３〜８Ｃｒ合金の何れかであり、第二の金属材料がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ又はそれらの合金からなることを特徴とする請求項２に記載の光半導体装置用ステム。   The first metal material is a Kovar alloy (Fe-25 to 35Ni-15 to 25Co), 15 to 30Cr—Fe alloy, or Fe-40 to 55Ni-3 to 8Cr alloy, and the second metal material is The stem for an optical semiconductor device according to claim 2, wherein the stem is made of Fe, Ni, Cu or an alloy thereof. 請求項１〜３の何れか１項に記載の光半導体用装置用ステムを用いたことを特徴とする光半導体装置。   An optical semiconductor device using the stem for an optical semiconductor device according to claim 1.
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